JP2010109871A - 薄膜バラン - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を維持しつつ、所望の周波数領域において減衰特性をもつ薄膜バランを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜バランは、第１のコイル部Ｃ１及び第２のコイル部Ｃ２を備える不平衡伝送線路２と、第１のコイル部Ｃ１及び第２のコイル部Ｃ２にそれぞれ磁気結合する第３のコイル部Ｃ３及び第４のコイル部Ｃ４を備えた不平衡伝送線路３と、第３のコイル部Ｃ３に接続された第１の平衡端子Ｔ１と、第４のコイル部Ｃ４に接続された第２の平衡端子Ｔ２と、第３のコイル部Ｃ３と第１の平衡端子Ｔ１との間、及び／又は、第４のコイル部Ｃ４と第２の平衡端子Ｔ２との間に設けられた補助コイル部Ｃ５とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、不平衡−平衡の信号変換を行なうバランであって、特に、小型薄型化に有利な薄膜プロセスにより形成された薄膜バランに関する。

無線通信機器は、アンテナ、フィルタ、ＲＦスイッチ、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣ、バラン等の各種高周波素子によって構成される。これらのなかで、アンテナやフィルタ等の共振素子は、接地電位を基準とした不平衡型の信号を扱うが、高周波信号の生成や処理を行なうＲＦ−ＩＣは、平衡型の信号を扱うため、両者を接続する場合には、不平衡−平衡変換器として機能するバランが使用される。

ところで、携帯電話などの移動体通信機や無線ＬＡＮに用いられるバランに対して、所望の周波数を減衰させるフィルタ特性（減衰特性）が求められる傾向がある。このような減衰特性を付与するために、バランの平衡端子とＧＮＤ端子との間、又は不平衡端子とＧＮＤ端子との間にキャパシタを設ける技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−２７４７１５号公報

しかしながら、キャパシタを挿入設置した場合には、十分な減衰特性が得られず、また挿入損失が比較的大きくなるという問題がある。これに対し、十分な減衰特性を得るためにフィルタを外付けした場合には、部品点数が多くなって小型化の要請に反することとなり、また挿入損失のさらなる増大を招くといった不都合がある。

そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化を維持しつつ、所望の周波数領域において減衰特性をもつ薄膜バランを提供することにある。

上記の課題を解決するため、本発明の薄膜バランは、第１の線路部及び第２の線路部を備える不平衡伝送線路と、第１の線路部及び第２の線路部にそれぞれ磁気結合する第３の線路部及び第４の線路部を備えた平衡伝送線路と、前記第１の線路部に接続された不平衡端子と、第３の線路部に接続された第１の平衡端子と、第４の線路部に接続された第２の平衡端子と、第３の線路部と第１の平衡端子との間、及び／又は、第４の線路部と第２の平衡端子との間に設けられたＬ成分とを有する。

かかる構成では、第３の線路部と第１の平衡端子との間及び／又は第４の線路部と第２の平衡端子との間にＬ成分が設けられることにより、薄膜バランの減衰特性が調整される。ここで、Ｌ成分は、所望のインダクタンスをもつ線路部であれば限定はないが、屈曲部を有する線路部とする。また、このＬ成分は、不平衡伝送線路及び平衡伝送線路を構成する第１乃至第４の線路部とは異なる層に設けられていることが好ましい。

上記の線路部及びＬ成分として、好ましくはコイルを用いることができる。この場合、本発明の薄膜バランは、第１のコイル部及び第２のコイル部を備える不平衡伝送線路と、第１のコイル部及び第２のコイル部にそれぞれ磁気結合する第３のコイル部及び第４のコイル部を備えた不平衡伝送線路と、第３のコイル部に接続された第１の平衡端子と、第４のコイル部に接続された第２の平衡端子と、第３のコイル部と第１の平衡端子との間、及び／又は、第４のコイル部と第２の平衡端子との間に設けられた補助コイル部とを有する。

好ましくは、補助コイル部の少なくとも一部が、第１及び／又は第２のコイル部のコイル開口に対向する領域に配置されている。例えば、補助コイル部は、第４のコイル部と第２の平衡端子との間に接続されている。さらに、好ましくは、補助コイル部は、第１及び第２のコイル部と巻回方向が逆である。かかる構成では、詳細な作用は不明なものの、本願発明者により、薄膜バランの減衰特性が調整されることが確認されている。

本発明によれば、第３の線路部と第１の平衡端子との間及び／又は第４の線路部及び第２の平衡端子との間にＬ成分を付加することにより、簡易な構成で所望の減衰特性をもつ薄膜バランを確実に得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。

図１は、本実施形態に係る薄膜バラン１の等価回路図である。
図１に示すように、薄膜バラン１は、第１の線路部Ｌ１と第２の線路部Ｌ２とを備える不平衡伝送線路２と、第１の線路部Ｌ１及び第２の線路部Ｌ２にそれぞれ磁気結合する第３の線路部Ｌ３及び第４の線路部Ｌ４を備えた平衡伝送線路３とを有する。また、薄膜バラン１は、第１の線路部Ｌ１に接続された不平衡端子Ｔ０と、第３の線路部Ｌ３に接続された第１の平衡端子Ｔ１と、第４の線路部Ｌ４に接続された第２の平衡端子Ｔ２とを有する。そして、第４の線路部Ｌ４と第２の平衡端子Ｔ２との間には、Ｌ成分Ｌ５が設けられている。

より詳細に接続関係を説明すると、不平衡端子Ｔ０に第１の線路部Ｌ１及び第２の線路部Ｌ２が直列接続され、第２のコイル部の第１のコイル部と反対側は終端している。また、第１の平衡端子Ｔ１及び第２の平衡端子Ｔ２の間に、第３の線路部Ｌ３、第４の線路部Ｌ４及びＬ成分Ｌ５が直列接続されている。第３の線路部Ｌ３と第４の線路部Ｌ４の接続点は、接地電位に固定される。

上記の線路部Ｌ１〜Ｌ４の長さは、薄膜バランの仕様に応じて異なるが、変換対象となる信号の１／４波長共振器回路となるよう設定される。線路部Ｌ１〜Ｌ４の形状は、任意であり、渦巻状、蛇行状、直線状であってもよい。Ｌ成分５は、所望のインダクタンスをもつ線路部であれば限定はないが、単なる線路部の長さの調整と区別するため、屈曲部を有する線路部とする。

図１を参照して薄膜バラン１の基本的な動作について説明する。
上記の薄膜バラン１では、不平衡端子Ｔ０に不平衡信号が入力されると、不平衡信号は第１の線路部Ｌ１及び第２の線路部Ｌ２を伝播する。そして、第１の線路部Ｌ１においては第３の線路部Ｌ３と磁気結合し、第２の線路部Ｌ２においては第４の線路部Ｌ４と磁気結合することによって、不平衡信号は位相が１８０°異なる２つの平衡信号に変換され、この２つ平衡信号が第１及び第２の平衡端子Ｔ１，Ｔ２から出力される。なお、平衡信号から不平衡信号の変換動作は、上述した動作を逆にしたものである。

上記の薄膜バラン１において、対象となる信号の２次高調波等の所望の高調波の減衰が求められる場合がある。本実施形態では、第４の線路部Ｌ４と第２の平衡端子Ｔ２との間にＬ成分Ｌ５を挿入することにより、高調波の減衰を企図したものである。以下に、線路部Ｌ１〜Ｌ４としてコイル部を用いた場合の薄膜バランの実施例について、説明する。

（実施例１）
図２〜図６は、実施例１の薄膜バラン１の各配線層の平面図である。このうち、図２は第１配線層１０の平面図であり、図３は第２配線層２０の平面図であり、図４は第３配線層３０の平面図であり、図５は第４配線層４０の平面図であり、図６は第５配線層５０の平面図である。第１配線層１０が最下層の配線層であり、第５配線層５０が最上層の配線層である。なお基板は図示していないが、最下層である第１配線層１０の下に位置している。つまり基板上に薄膜バランが形成された構成をとっている。

図２〜図６に示すように、第１配線層１０〜第５配線層５０の全ての層に、不平衡端子Ｔ０、第１の平衡端子Ｔ１、第２の平衡端子Ｔ２及び接地端子Ｔ３が形成されている。各端子Ｔ０〜Ｔ３はスルーホールＰを介して異なる層間において電気的に接続されている。なお、図２〜図６に示す全てのスルーホールＰには上下層を電気的に導通させるよう金属めっきが施されている。以下、各配線層の構成について詳細に説明する。

図２に示すように、第１配線層１０には、不平衡伝送線路２を構成する第１のコイル部Ｃ１及び第２のコイル部Ｃ２が隣接して形成されている。各コイル部Ｃ１，Ｃ２は、１／４波長共振器相当を構成する。第１のコイル部Ｃ１を構成するコイル導体１１の外側の端部１１ａは不平衡端子Ｔ０に接続されており、コイル導体１１の内側の端部１１ｂはスルーホールＰに接続されている。第２のコイル部Ｃ２を構成するコイル導体１２の内側の端部１２ｂはスルーホールＰに接続されており、コイル導体１２の外側の端部１２ａは開放されている。

図３に示すように、第２配線層２０には、平衡伝送線路３を構成する第３のコイル部Ｃ３及び第４のコイル部Ｃ４が隣接して形成されている。各コイル部Ｃ３，Ｃ４は、１／４波長共振器相当を構成する。平衡伝送線路３の各コイル部Ｃ３，Ｃ４は、不平衡伝送線路２の各コイル部Ｃ１，Ｃ２に対向配置されており、対向している部分で磁気結合して結合器を構成する。第３のコイル部Ｃ３を構成するコイル導体２１の外側の端部２１ａは第１の平衡端子Ｔ１に接続されており、コイル導体２１の内側の端部２１ｂはスルーホールＰに接続されている。また、第４のコイル部Ｃ４を構成するコイル導体２２の外側の端部２２ａ及び内側の端部２２ｂは、それぞれスルーホールＰに接続されている。

図４に示すように、第３配線層３０には、第３のコイル部Ｃ３と第４のコイル部Ｃ４を接地端子Ｔ３に電気的に繋ぐ配線３１、及び第１のコイル部Ｃ１と第２のコイル部Ｃ２を電気的に繋ぐ配線３２が形成されている。配線３１は、２つのスルーホールＰと接地端子Ｔ３とを接続するように分岐した形状を有する。そして、配線３１は、２つのスルーホールＰを介してコイル導体２１の端部２１ｂ及びコイル導体２２の端部２２ｂに接続されている。また、配線３２はスルーホールＰを介してコイル導体１１の端部１１ｂ及びコイル導体１２の端部１２ｂに接続されている。

図５に示すように、第４配線層４０には、補助コイル部Ｃ５の一部を構成するコイル導体４１，４２が形成されている。コイル導体４２の一方の端部４２ａは第２の平衡端子Ｔ２に接続され、コイル導体４１の一方の端部４１ａはスルーホールＰを介して第４のコイル部Ｃ４を構成するコイル導体２２の端部２２ａに接続されている。

図６に示すように、第５配線層５０には、補助コイル部Ｃ５の一部を構成するコイル導体５１が形成されている。コイル導体５１の端部は、それぞれコイル導体４１，４２の他方の端部に接続されている。

図５及び図６に示すように、コイル導体４２、コイル導体５１、及びコイル導体４１がスルーホールを介して接続されることにより、補助コイル部Ｃ５が構成される。補助コイル部Ｃ５の一端となるコイル導体４２の端部４２ａは第２の平衡端子Ｔ２に接続され、補助コイル部Ｃ５の他端となるコイル導体４１の端部４１ａは第４のコイル部Ｃ４のコイル導体２２に接続されている。

このように同一の第１の階層に不平衡伝送線路を構成する２つのコイルＣ１，Ｃ２を形成し、その第１の階層に隣り合う別の第２の階層に平衡伝送線路を構成する２つのコイルＣ３，Ｃ４を形成し、更にその第２の階層に隣り合う第１の階層とは逆側の第３の階層にコイルＣ１とＣ２を繋ぐ配線と、コイルＣ３とＣ４を繋ぐ配線を形成した薄膜バランの構成に対し、更にその第３の階層に隣り合う第２の階層とは逆側の第４の階層と、更にその第４の階層に隣り合う第３の階層とは逆側の第５の階層との２段の階層を用いて形成された補助コイルＣ５を形成した例を示したが、この補助コイルは第３の階層と第４の階層を用いて形成しても良い。このようにすることで磁気的な結合状態が変化することから、より特性の向上が期待出来る。
言うまでもないが、補助コイルは２段の階層に限らず第４の階層や第３の階層にのみ１段で形成しても良い。所望の特性にあわせ設計可能である。

上述したように、実施例１の薄膜バラン１は、第４の線路部Ｌ４と第２の平衡端子Ｔ２との間に補助コイル部Ｃ５を備える。実施例１の薄膜バラン１の減衰特性の評価結果について、比較例の減衰特性と併せて説明する。

（比較例）
図７は、比較対象となる比較例の薄膜バランの等価回路図を示す。比較例の薄膜バラン１００は、第４のコイル部Ｃ４と第２の平衡端子Ｔ２との間にＬ成分Ｌ５を有さない。具体的には、図３に示す第２配線層２０のコイル導体２２の端部２２ａを第２の平衡端子Ｔ２に接続し、図５及び図６に示す第４配線層４０及び第５配線層５０のコイル導体４１，４２，５１を設けないことにより、比較例の薄膜バランが構成される。

（評価結果）
上記の実施例１及び比較例の構造について、信号の減衰特性をシミュレーションにより求めた。対象とする信号周波数は、２４００−２５００ＭＨｚとした。結果を図８に示す。図８では、Ｅ１は実施例１の結果、Ｒは比較例の結果を示す。

図８に示すように、実施例１の薄膜バランは、対象となる信号周波数の第２次高調波（周波数４８００ＭＨｚ）を含む周波数領域において、大きなノッチ（減衰ピーク）が現れていることがわかる。これに対して、比較例では、第２次高調波を含む周波数領域において、このようなノッチは出現していない。

以上のように、第４のコイル部Ｃ４と第２の平衡端子Ｔ２との間に補助コイル部Ｃ５を設けることにより、変換対象となる信号の高調波領域において、大きな減衰特性が得られることがわかる。

このような減衰特性が得られる理由について考察する。薄膜バランの信号の通過特性は、下記式により示される。下記式において、ｆは通過する信号の共振周波数を示し、Ｌはインダクタンスを示し、Ｃはキャパシタンスを示す。

このように通過特性は、インダクタンスやキャパシタンスにより影響を受けることから、減衰特性も同様にこれらの成分の影響を受けるといえる。ここで、実施例１で挿入した補助コイル部Ｃ５はインダクタンスに影響を与えるものである。言い換えれば、コイル状の線路部以外にも所望のインダクタンスをもつ線路部（Ｌ成分）を挿入すれば、同様に減衰特性に影響を与えることがわかる。また、Ｌ成分の挿入位置も、第４の線路部Ｌ４と第２の平衡端子Ｔ２の間だけでなく、第３の線路部Ｌ３と第１の平衡端子Ｔ１の間に挿入してもよく、また、双方に挿入してもよい。

以上の実施例の結果から、減衰特性をもつ薄膜バランを実現するための構成として、第３の線路部Ｌ３と第１の平衡端子Ｔ１との間、及び／又は、第４の線路部Ｌ４と第２の平衡端子Ｔ２との間にＬ成分を設けた薄膜バラン１の構成まで拡張ないし一般化することができる。

次に、補助コイル部Ｃ５の形状を変えてそのインダクタンスを変化させることにより、薄膜バラン１の減衰特性に与える影響について、実施例２〜４を参照して説明する。

（実施例２）
実施例２では、実施例１に比べてコイル導体を長くして、補助コイル部Ｃ５のインダクタンスを増加させた例である。図９及び図１０は、このような実施例２の薄膜バラン１の第４配線層４０及び第５配線層５０を示す平面図である。なお、実施例２の薄膜バラン１の第１〜第３配線層１０〜３０の構成は、第１実施例と同様である。図９及び図１０に示すように、実施例２の補助コイル部Ｃ５を構成するコイル導体４３，５２は、実施例１のコイル導体４１，５１を、図中、下側に１０μｍだけ広げたものであり、これによって、補助コイル部Ｃ５のインダクタンスを増加させている。

（実施例３）
実施例３では、実施例１に比べてコイル導体を短くして、補助コイル部Ｃ５のインダクタンスを減少させた例である。図１１及び図１２は、このような実施例３の薄膜バラン１の第４配線層４０及び第５配線層５０を示す平面図である。なお、実施例３の薄膜バラン１の第１〜第３配線層１０〜３０の構成は、第１実施例と同様である。図１１及び図１２に示すように、実施例３の補助コイル部Ｃ５を構成するコイル導体４４，４５，５３は、実施例１のコイル導体４１，４２，５１を、図中、上側に４０μｍだけ縮めたものであり、これにより補助コイル部Ｃ５のインダクタンスを減少させている。

（実施例４）
実施例４では、実施例１に比べて補助コイル部Ｃ５のコイル開口を広げて、補助コイル部Ｃ５が第２のコイル部Ｃ２のコイル開口と重なる面積を増大させた例である。図１３及び図１４は、実施例４の薄膜バラン１の第４配線層４０及び第５配線層５０を示す平面図である。なお、実施例４の薄膜バラン１の第１〜第３配線層１０〜３０の構成は、第１実施例と同様である。図１３及び図１４に示すように、実施例４の補助コイル部Ｃ５を構成するコイル導体４６，４７，５４は、実施例１のコイル導体４１，４２，５１を外側に大きく広げたものであり、これによって、補助コイル部Ｃ５が、第２のコイル部Ｃ２のコイル開口と重なる面積を増大させている。ここで、補助コイル部Ｃ５とは、コイル導体およびコイル開口を含めた部分を示す。

（評価結果）
上記の実施例２〜４の構造について、信号の減衰特性をシミュレーションにより求めた。対象とする信号周波数は、２４００−２５００ＭＨｚとした。結果を図１５に示す。図１５では、Ｅ２は実施例２の結果、Ｅ３は実施例３の結果、Ｅ４は実施例４の結果を示す。また、図１５には、実施例１の結果（Ｅ１）及び比較例の結果（Ｒ）も併記した。

図１５に示すように、補助コイル部Ｃ５の形状を変化させることにより、減衰対象となる信号周波数及びその減衰量が変化することがわかる。従って、薄膜バラン１の仕様に応じて最適な減衰ピークが得られるように補助コイル部Ｃ５の形状を変化させればよい。図１５に示す結果からは、補助コイル部Ｃ５が第２のコイル部Ｃ２に対向ないし重なるように配置することにより、大きな減衰量が得られることがわかる。これは、補助コイル部Ｃ５を第２のコイル部Ｃ２に対向ないし重なるように配置することにより、第２のコイル部Ｃ２を流れる電流により生じる磁束と、補助コイル部Ｃ５を流れる電流により生じる磁束が干渉して、特定の周波数帯域において大きな減衰ピークが現われるものと推察される。

（実施例５）
実施例５は、実施例１と比べて補助コイル部Ｃ５の巻回方向を逆にした例である。図１６及び図１７は、実施例５の薄膜バラン１の第４配線層４０及び第５配線層５０を示す平面図である。なお、実施例５の薄膜バラン１の第１〜第３配線層１０〜３０の構成は、第１実施例と同様である。図１６及び図１７に示すように、実施例４のコイル導体４８，４９，５５により構成される補助コイル部Ｃ５の巻回方向は、第２のコイル部Ｃ２の巻回方向と比べて逆になっている（図２参照）。ここで、巻回方向は、基板上部から薄膜バラン１を眺め、不平衡端子Ｔ０を基準とする。この場合には、第１のコイル部Ｃ１及び第２のコイル部Ｃ２は右回り（時計回り）、第１の平衡端子Ｔ１を始点とすると第３のコイル部Ｃ３及び第４のコイル部Ｃ４は左回り（反時計回り）、第４のコイル部Ｃ４との接続点を始点とすると補助コイル部Ｃ５は左回りとなって、補助コイル部Ｃ５の巻回方向は、不平衡伝送線路２を構成する第２のコイル部Ｃ２のものと逆方向となる。

（評価結果）
上記の実施例５の構造について、信号の減衰特性をシミュレーションにより求めた。対象とする信号周波数は、２４００−２５００ＭＨｚとした。結果を図１８に示す。図１８において、Ｅ５は実施例５の結果、Ｅ１は実施例１の結果、Ｒは比較例の結果を示す。

図１８に示すように、補助コイル部Ｃ５の巻回方向を変えることにより、減衰対象となる信号周波数及びその減衰量が変化することがわかる。図１８に示す結果からは、補助コイル部Ｃ５の巻回方向を第２のコイル部Ｃ２のものに比べて逆方向に配置することにより、実施例１に比べて大きな減衰量が得られることがわかる。これは、補助コイル部Ｃ５の巻回方向を第２のコイル部Ｃ２のものと逆にすることにより、第２のコイル部Ｃ２を流れる電流により生じる磁束と、補助コイル部Ｃ５を流れる電流により生じる磁束のベクトルが反対方向となり、その結果、平衡―不平衡回路全体の磁気結合が弱くなるため、共振特性、すなわち減衰ピークが高周波側に移動し、かつ大きくなるものと推察される。

（実施例６）
実施例６は、第３配線層３０及び第４配線層４０により補助コイル部Ｃ５を形成した例である。図１９及び図２０は、実施例６の薄膜バラン１の第３配線層３０及び第４配線層４０を示す平面図である。なお、実施例６の薄膜バラン１の第１〜第２配線層１０〜２０の構成は、第１実施例と同様である。また、実施例６では、実施例１の第５配線層５０は必要ない。図１９及び図２０に示すように、第３配線層３０及び第４配線層４０のコイル導体３３，３４，４１Ａにより補助コイル部Ｃ５が構成されている。このように、補助コイル部Ｃ５は、第１〜第４のコイル部Ｃ１〜Ｃ４とは異なる配線層に形成されていればよく、その配線層に特に限定はない。

（実施例７）
実施例７は、ミアンダ型のコイルからなる補助コイル部Ｃ５の例である。図２１は、実施例７の薄膜バラン１の第３配線層３０を示す平面図である。なお、実施例６では、下層の第１配線層のコイル導体の巻数が１つ増えている点を除いて、第１配線層１０及び第２配線層１０〜２０の構成は、第１実施例とほぼ同じである。また、実施例６では、実施例１の第４配線層４０及び第５配線層５０は必要ない。図２１に示すように、補助コイル部Ｃ５は、ミアンダ型のコイルのような蛇足状の線路部であってもよい。

なお、上述したとおり、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。たとえば補助コイル部Ｃ５の一部に屈曲部を備えている部分を持てば特にコイル形状に制限はない。また、補助コイルは１回転以上巻回する必要もなく、例えば半回転であってもよい。更に巻回方向は第４のコイル部の形成面と異なる面、例えば垂直な面上に補助コイル部Ｃ５を形成したソレノイド型コイルであっても良い。また、例えば、各端子Ｔ０〜Ｔ３の配置に限定はない。また、薄膜バラン１を構成する配線構造は、４層未満又は５層以上であってよい。また、第１配線層１０を最上層に形成し、第５配線層５０を最下層に形成するよう、層構成が全く逆の構造でもよい。さらに、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々のコイル配置を採用可能である。

本発明の薄膜バランは、小型化を維持しつつ、所望の周波数領域において減衰特性をもつ薄膜バランを実現できるため、特に小型化が要求される無線通信機器への適用が可能である。

本実施形態に係る薄膜バラン１の等価回路図である。 薄膜バラン１の第１配線層１０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第２配線層２０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第３配線層３０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 比較例の薄膜バラン１の等価回路図である。 実施例１及び比較例の減衰特性の測定結果を示す図である。 実施例２の薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 実施例２の薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 実施例３の薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 実施例３の薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 実施例４の薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 実施例４の薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 実施例１〜４及び比較例の減衰特性の測定結果を示す図である。 実施例５の薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 実施例５の薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 実施例１、５及び比較例の減衰特性の測定結果を示す図である。 実施例６の薄膜バラン１の第３配線層３０を示す平面図である。 実施例６の薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 実施例７の薄膜バラン１の第３配線層３０を示す平面図である。

符号の説明

１，１００…薄膜バラン、２…不平衡伝送線路、３…平衡伝送線路、１０…第１配線層、１１…コイル導体、１１ａ，１１ｂ…端部、１２…コイル導体、１２ａ，１２ｂ…端部、２０…第２配線層、２１…コイル導体、２１ａ，２１ｂ…端部、２２…コイル導体、２２ａ，２２ｂ…端部、３０…第３配線層、３１，３２…配線、３３，３４…コイル導体、４０…第４配線層、４１〜４９，４１Ａ…コイル導体、５０…第５配線層５０、５１〜５５…コイル導体、Ｐ…スルーホール、Ｌ１…第１の線路部、Ｌ２…第２の線路部、Ｌ３…第３の線路部、Ｌ４…第４の線路部、Ｌ５…Ｌ成分、Ｃ１…第１のコイル部、Ｃ２…第２のコイル部、Ｃ３…第３のコイル部、Ｃ４…第４のコイル部、Ｃ５…補助コイル部、Ｔ０…不平衡端子、Ｔ１…第１の平衡端子、Ｔ２…第２の平衡端子、Ｔ３…接地端子。

Claims (5)

1. 第１の線路部及び第２の線路部を備える不平衡伝送線路と、
   前記第１の線路部及び前記第２の線路部にそれぞれ磁気結合する第３の線路部及び第４の線路部を備えた平衡伝送線路と、
   前記第１の線路部に接続された不平衡端子と、
   前記第３の線路部に接続された第１の平衡端子と、
   前記第４の線路部に接続された第２の平衡端子と、
   前記第３の線路部と前記第１の平衡端子との間、及び／又は、前記第４の線路部と前記第２の平衡端子との間に設けられたＬ成分と、
   を有する薄膜バラン。
2. 第１のコイル部及び第２のコイル部を備える不平衡伝送線路と、
   前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部にそれぞれ磁気結合する第３のコイル部及び第４のコイル部を備えた平衡伝送線路と、
   前記第３のコイル部に接続された第１の平衡端子と、
   前記第４のコイル部に接続された第２の平衡端子と、
   前記第３のコイル部と前記第１の平衡端子との間、及び／又は、前記第４のコイル部と前記第２の平衡端子との間に設けられた補助コイル部と、
   を有する薄膜バラン。
3. 前記補助コイル部の少なくとも一部が、前記第１及び／又は第２のコイル部のコイル開口に対向する領域に配置された、
   請求項２記載の薄膜バラン。
4. 前記補助コイル部は、前記第４のコイル部と前記第２の平衡端子との間に接続された、
   請求項２又は３に記載の薄膜バラン。
5. 前記補助コイル部は、前記第１及び第２のコイル部と巻回方向が逆である、
   請求項２〜４のいずれかに記載の薄膜バラン。

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