JP2009260288A - 薄膜バラン - Google Patents

Abstract

【課題】直流バイアス供給のためのキャパシタを内蔵させつつ、要求される種々の特性を改善し得る薄膜バランを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜バランは、２つのコイルを備える不平衡伝送線路と、２つのコイル２１，２２を備え、不平衡伝送線路に磁気結合する平衡伝送線路３と、平衡伝送線路３に、一端が接続されたキャパシタ４と、キャパシタ４の他端に接続された接地端子７２と、を有し、キャパシタ４は、コイル１１，１２及びコイル２１，２２によって画成されるコイル開口Ｃ１，Ｃ２の一部に重ならない領域をもつよう配置されたものである。
【選択図】図９

Description

本発明は、不平衡―平衡の信号変換を行なうバランであって、特に、小型薄型化に有利な薄膜プロセスにより形成された薄膜バランに関する。

無線通信機器は、アンテナ、フィルタ、ＲＦスイッチ、パワーアンプ、ＲＦ−ＩＣ、バラン等の各種高周波素子によって構成される。ここで、アンテナやフィルタ等の共振素子は、接地電位を基準とした不平衡型の信号を扱うが、高周波信号の生成や処理を行なうＲＦ−ＩＣは、平衡型の信号を扱うため、両者を接続する場合には、不平衡−平衡変換器として機能するバランが使用される。

ところで、携帯電話などの移動体通信機や無線ＬＡＮに用いられるバランに対してバイアスを印加して、平衡信号を増幅させることが求められることがある。この場合には、バランの平衡伝送線路とＧＮＤ端子との間に、目的の周波数の信号がＧＮＤへ流れるような容量をもつキャパシタを直列に挿入して、ＤＣ成分と目的の周波数成分とを分ける必要がある。

かかる機能を有するバランとして、特許文献１には、バランの平衡伝送線路とＧＮＤ端子との間にキャパシタを設けた積層型バランが開示されている。この積層型バランは、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて形成されたものであり、そ
の全面にキャパシタが形成されている。

特許第３７８０４１４号公報

ところで、本願発明者が、近時の電子デバイスへの小型化、薄型化の要求に応えるべく、上記従来のようなバイアス供給用のキャパシタを備えるバランの特性について鋭意検討を行ったところ、薄膜プロセスで形成した薄膜バランにおいては、バイアス供給用のキャパシタがバランの特性に影響を与えることを見出した。これは、薄膜バランでは、キャパシタと平衡伝送線路との間の層間距離が積層型バランに比べて短いという、構造的な要因に起因するものと推定されるものの、従来の積層型バランの構成を用いる限りにおいては、場合によっては、薄膜バランに要求される種々の特性をこれまで以上に十分に高めることができないことが判明した。

そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、直流バイアス供給のためのキャパシタを内蔵させつつ、要求される種々の特性を改善することができる薄膜バランを提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の薄膜バランは、一対の第１のコイル部を備える不平衡伝送線路と、一対の第２のコイル部を備え、不平衡伝送線路に磁気結合する平衡伝送線路と、平衡伝送線路に、一端が接続されたキャパシタと、キャパシタの他端に接続された接地端子と、を有し、キャパシタは、第１のコイル部及び第２のコイル部によって画成されるコイル開口の一部に重ならない領域をもつよう配置されたものである。

このような構成では、目的の周波数での通過特性や、信号の平衡度（位相及び強度）といった、薄膜バランの特性が改善される作用機序の詳細については未だ不明な点があるものの、コイル開口の一部に重ならない領域をもつようにキャパシタが配置されていることにより、コイル開口の全部に重なるようにキャパシタが配置されている場合に比べて、不平衡伝送線路と平衡伝送線路の磁気結合に与える影響が低減され、これにより、薄膜バランの特性が改善されるものと推定される。ここで、キャパシタと、コイル部及びコイル開口との重なりは、第１のコイル部及び第２のコイル部の対向方向から視認した場合に観察される重なりをいう。

好ましくは、キャパシタは、一対のコイル開口の全部に重ならないように配置されている。これにより、コイル開口を通る磁束がキャパシタにより遮られないことから、キャパシタによる磁場への影響が大きく低減されるものと推定される。

キャパシタは、第１のコイル部及び第２のコイル部の上の一部の領域に重なるように配置されている。これにより、コイル開口との重なりを回避すべくコイル状平衡伝送線路の外側にキャパシタを設ける場合に比べて、薄膜バランの小型化が図られる。

例えば、第１のコイル部及び第２のコイル部が角部を有しており、キャパシタは、角部の上の一部の領域に重なるように配置されている。コイル状平衡伝送線路に重なる領域内に配置すれば、薄膜バランの特性上はいずれも良好なものが得られると想定されるが、角部の少なくとも一部に重なるようにキャパシタを設ける方が配線の引き回しが容易となる。

例えば、一対の第１のコイル部は同一面に並んで配置され、一対の第２のコイル部は一対の第１のコイル部に対向して配置されており、第１のコイル部及び第２のコイル部によって平面的に並んだ一対のコイル開口が画成されている。この場合には、キャパシタは、一対のコイル開口のうちの一方のコイル開口に重なる領域と、一対のコイル開口のうちの他方のコイル開口に重なる領域が同じになるように配置されている。このように、コイル開口が平面的に並んで配置される場合には、２つのコイル開口に重なる領域の寸法を等しくした方が、片側のコイル開口のみにキャパシタが重なる場合に比べて、２つのコイル状平衡伝送線路への磁場の影響がより均一になるものと推定される。結果として、各コイル状平衡伝送線路より出力される２つの平衡信号の平衡度が高まるものと思われる。

さらに好ましくは、キャパシタは、一方のコイル開口に重なる領域と、他方のコイル開口に重なる領域が、一対のコイル開口を各コイル開口に分割する仮想線に対して対称となるように配置されている。このように、２つのコイル領域に重なる領域が対称となるようにキャパシタを配置することにより、単に領域を等しくした場合よりも、２つのコイル状平衡伝送線路への磁場の影響が均一になるものと推定される。

本発明によれば、コイル開口の少なくとも一部を露出させるようにキャパシタが配置されていることから、目的の周波数での通過特性や、信号の平衡度（位相及び強度）といった、薄膜バランの特性が改善される。

本実施形態に係る薄膜バラン１の概略構成を示す斜視図である。 薄膜バラン１の第１配線層１０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第２配線層２０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第３配線層３０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第４配線層４０を示す平面図である。 薄膜バラン１の第５配線層５０を示す平面図である。 薄膜バラン１の配線構造を示す概略断面図である。 薄膜バラン１の等価回路図である。 キャパシタの好適な配置領域を説明するための図である。 実施例２の薄膜バラン１におけるキャパシタの下部電極を示す平面図である。 実施例３の薄膜バラン１におけるキャパシタの下部電極を示す平面図である。 実施例４の薄膜バラン１におけるキャパシタの下部電極を示す平面図である。 比較例の薄膜バラン１におけるキャパシタの下部電極を示す平面図である。 実施例１と比較例１の出力バランスの比較結果を示す図である。 実施例２と実施例４の出力バランスの比較結果を示す図である。 実施例２と実施例３の出力バランスの比較結果を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。

図１は本実施形態に係る薄膜バランの配線構造を示す斜視図である。
薄膜バラン１は、隣接する一対のコイルを備える不平衡伝送線路２と、不平衡伝送線路２の各コイルに対向して配置された一対のコイルを備え、不平衡伝送線路２に磁気結合する平衡伝送線路３と、平衡伝送線路３に一端が接続されたキャパシタ４と、キャパシタ４の他端に接続された接地端子７２とを備える。また、薄膜バラン１は、その他の端子として、不平衡信号端子７１と、ＤＣ供給端子７３と、平衡信号端子７４，７５と、ＮＣ（Non-Connection）端子７６を備えている。

図２〜図６は、図１に示す薄膜バラン１の各配線層の平面図である。このうち、図２は第１配線層１０の平面図であり、図３は第２配線層２０の平面図であり、図４は第３配線層３０の平面図であり、図５は第４配線層４０の平面図であり、図６は第５配線層５０の平面図である。第１配線層１０が最下層の配線層であり、第５配線層５０が最上層の配線層である。図７は、図１に示す薄膜バラン１の配線構造を示す概略断面図である。

図２〜図６に示すように、第１配線層１０〜第５配線層５０の全ての層に、不平衡信号端子７１、接地端子７２、ＤＣ供給端子７３、平衡信号端子７４，７５、及びＮＣ端子７６が形成されている。各端子７１〜７６はスルーホールＰを介して異なる層間において電気的に接続されている。なお、図２〜図６に示す全てのスルーホールＰには上下層を電気的に導通させるよう金属めっきが施されている。以下、各配線層の構成について詳細に説明する。

図２に示すように、第１配線層１０には、不平衡伝送線路２を構成する２つのコイル１１，１２（一対の第１のコイル部）が隣接して形成されている。各コイル１１，１２は、１／４波長共振器相当を構成する。コイル１１の外側の端部１１ａは不平衡信号端子７１に接続されており、コイル１１の内側の端部１１ｂはスルーホールＰに接続されている。コイル１２の内側の端部１２ａはスルーホールＰに接続されており、コイル１２の外側の端部１２ａは開放されている。

図３に示すように、第２配線層２０には、平衡伝送線路３を構成する２つのコイル２１，２２（一対の第２のコイル部）が隣接して形成されている。各コイル２１，２２は、１／４波長共振器相当を構成する。平衡伝送線路３の各コイル２１，２２は、キャパシタ４の各コイル１１，１２に対向配置されており、対向している部分で磁気結合して結合器を構成する。コイル２１の外側の端部２１ａは平衡信号端子７４に接続されており、コイル２１の内側の端部２１ｂはスルーホールＰに接続されている。また、コイル２２の外側の端部２２ａは平衡信号端子７５に接続されており、コイル２２の内側の端部２２ｂはスルーホールＰに接続されている。

図４に示すように、第３配線層３０には、接続配線３１，３２と、下部電極３３が形成されている。このうち、接続配線３１の一方の端部はスルーホールＰを介してコイル１１の端部１１ｂに接続され、接続配線３１の他方の端部はスルーホールＰを介してコイル１２の端部１２ｂに接続されている。コイル１１，１２と、コイル１１及びコイル１２を接続する接続配線３１により、不平衡伝送線路２が構成される。

また、接続配線３２の一方の端部はスルーホールＰを介してコイル２１の端部２１ｂに接続され、接続配線３２の他方の端部はスルーホールＰを介してコイル２２の端部２２ｂに接続されている。下部電極３３は、接続配線３２に接続されており、かつ、下層のコイル１２の領域に重なるように配置されている。このように、下部電極３３は、接続配線３２を介してコイル２１，２２を備える平衡伝送線路３に接続されている。また、接続配線３２および下部電極３３は、ＤＣ供給端子７３に接続されている。

図５に示すように、第４配線層４０には、下部電極３３に対向して配置された上部電極４１が形成されている。下部電極３３と、上部電極４１と、下部電極３３及び上部電極４１の層間の誘電体膜とにより、キャパシタ４が構成される。上部電極４１は、下部電極３３と同様に、コイル１２に重なる領域に配置されている。

図６に示すように、第５配線層５０には、スルーホールＰを介して上部電極４１に接続する接続配線５１が形成されている。接続配線５１は、さらに、接地端子７２に接続されている。これにより、接続配線５１を介して、キャパシタ４の上部電極４１と接地端子７２とが接続される。

図７に示すように、上述した第１配線層１０〜第５配線層５０は、例えばアルミナからなる基板６０上に形成されている。各配線層１０〜５０の材料や製法に限定はないが、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電気めっき法、又は無電解めっき法により形成されたＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の材料からなる。各配線層１０〜５０間には、誘電体膜６１〜６５が形成されている。誘電体膜６１〜６５の材料に特に限定はないが、例えば、誘電体膜６２、６３、６５として、ポリイミド、感光性樹脂等が用いられる。また、不平衡伝送線路２が形成される第１配線層１０と、平衡伝送線路３が形成される第２配線層２０との間の誘電体膜６１には、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、アルミナ等が用いられる。また、キャパシタ４の下部電極３３が形成される第３配線層３０と、キャパシタ４の上部電極４１が形成される第４配線層４０との間の誘電体膜６４には、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、アルミナ等が用いられる。

図８は、図１〜図７に示す薄膜バラン１の等価回路図である。
図８に示すように、コイル１１と、コイル１２と、コイル１１及びコイル１２を接続する接続配線３１とにより不平衡伝送線路２が構成されている。不平衡伝送線路２の一端は不平衡信号端子７１に接続されており、不平衡伝送線路２の他端は開放されている。また、コイル２１と、コイル２２と、コイル２１及びコイル２２を接続する接続配線３２とにより平衡伝送線路３が構成される。２つのコイル２１，２２の一端は、接続配線３２及びキャパシタ４を介して接地端子７２に接続されている。２つのコイル２１，２２の他端は、平衡信号端子７４，７５に接続されている。

図８を参照して薄膜バラン１の動作について説明する。
上記の薄膜バラン１では、不平衡信号端子７１に不平衡信号が入力されると、不平衡信号はコイル１１、接続配線３１、及びコイル２１を伝播する。そして、コイル１１においてはコイル２１と磁気結合し、コイル１２においてはコイル２２と磁気結合することによって、不平衡信号は位相が１８０°異なる２つの平衡信号に変換され、この２つ平衡信号が平衡信号端子７４，７５から出力される。このとき、ＤＣ供給端子７３にバイアス電圧を印加しておくことにより、平衡信号が増幅されて出力される。なお、平衡信号から不平衡信号の変換動作は、上述した動作を逆にしたものである。

上述したバランの特性の良否は、目的の周波数での通過特性と、信号の平衡度で評価される。信号の平衡度に関しては、２つの平衡信号の位相のずれが１８０°に近く、また、２つの平衡信号の強度が近いほど信号の平衡度が高いとされる。本願発明者らは、作用機序の詳細については未だ不明な点があるものの、バイアス供給用のキャパシタの配置により、バランの特性が影響を受けることを見出した。

次に、バランの特性を改善するために良好なキャパシタ４の配置について、図９を参照して説明する。なお、図９に示す下部電極３３の配置領域は、下部電極３３に対向して配置される上部電極４１の配置領域、ひいてはキャパシタ４の配置領域を意味する。

上述したように、不平衡伝送線路２のコイル１１，１２と、平衡伝送線路３のコイル２１，２２が磁気結合することにより、不平衡信号−平衡信号間の変換が行なわれる。したがって、コイルに電流が流れる際に生じる、コイル１１，１２及びコイル２１，２２により画成される一対のコイル開口Ｃ１，Ｃ２を上下方向に貫く磁場に与える影響をできるだけ低減することが好ましいと考えられる。

このため、最も好ましいキャパシタ４の配置は、コイル開口Ｃ１，Ｃ２の全部に重ならないようにキャパシタ４を配置することである。これにより、コイル開口Ｃ１，Ｃ２を通る磁束がキャパシタ４により遮られないことから、キャパシタ４による磁場への影響が大きく低減されるものと推定される。

さらに、好ましいキャパシタ４の配置は、不平衡伝送線路２のコイル１１，１２に重なる領域Ａｒにキャパシタ４を配置することである。これにより、コイル開口Ｃ１，Ｃ２との重なりを回避すべく平衡伝送線路３の外側にキャパシタを設ける場合に比べて、薄膜バランの小型化が図られる。

この場合には、特に、不平衡伝送線路２を構成するコイル１１，１２の角部（図９において８箇所）にキャパシタ４を配置することが好ましい。不平衡伝送線路２に重なる領域Ａｒ内に配置すれば、薄膜バランの特性上はいずれも良好なものが得られると想定されるが、角部にキャパシタを設ける方が配線の引き回しが容易となるからである。この理由は、平衡伝送線路３を構成する２つのコイル２１，２２の計８つの角部は、６つの端子７１〜７６に近接して配置されていることから、接地端子の配置が変わっても配線の引き回しが容易なためである。例えば、ＮＣ端子７６を接地端子とする場合には、素子中央部におけるコイル１１又はコイル１２の２つの角部にキャパシタを配置すればよい。

一方、コイル開口Ｃ１，Ｃ２に一部重なるようにキャパシタ４を配置する場合には、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２に重なる領域が等しくなるようにキャパシタ４を配置することが好ましい。このように、コイル開口Ｃ１，Ｃ２にキャパシタ４が重なって配置される場合には、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２に重なる領域を等しくした方が、片側のコイル開口のみにキャパシタが重なる場合に比べて、左右のコイル２１，２２における磁場の影響が均一になるものと思われる。結果として、平衡伝送線路３より出力される２つの平衡信号の平衡度が高まるものと想定される。

さらに好ましいキャパシタ４の配置としては一方のコイル開口Ｃ１に重なる領域と、他方のコイル開口Ｃ２に重なる領域が、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２を分割する仮想線に対して対称となるようにキャパシタ４を配置することである。このように、２つのコイル領域に重なる領域が対称となるようにキャパシタを配置することにより、単に領域の寸法を等しくした場合よりも、左右のコイル２１，２２における磁場の影響が均一になるものと思われる。

また、以下に示す実施例の評価結果により、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２に均等に重ならなくても、コイル開口の一部を露出させるようにキャパシタを配置することにより、キャパシタを全面に形成する場合に比べて、薄膜バランの特性は改善されることがわかった。

本実施例では、コイル開口Ｃ１，Ｃ２との重なりの観点から、キャパシタ４の配置を変えた実施例１〜４と、比較例１を用意した。図１０〜１２は実施例２〜４の薄膜バラン１のキャパシタの下部電極を示す平面図であり、図１３は比較例の薄膜バラン１のキャパシタの下部電極を示す平面図である。なお、図１０〜１３に示す下部電極の配置領域は、下部電極に対向して配置される上部電極の配置領域、ひいてはキャパシタの配置領域を意味する。以下、各実施例及び比較例のキャパシタの配置について説明する。

（実施例１）
実施例１の薄膜バラン１は、図９に示すように、不平衡伝送線路２の各コイル１１，１２に重なる領域Ａｒ内において、逆Ｌ字形にキャパシタ４の下部電極３３を配置したものである。

（実施例２）
実施例２の薄膜バラン１は、図１０に示すように、一方のコイル開口Ｃ２にのみ、当該コイル開口の面積の１／４だけ重なるように、キャパシタ４の下部電極３４を配置したものである。

（実施例３）
実施例３の薄膜バラン１は、図１１に示すように、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２に重なる領域が等しくなるように、キャパシタ４の下部電極３５を配置したものである。なお、キャパシタ４は、各コイル開口Ｃ１，Ｃ２に、当該コイル開口の面積の１／４だけ重なっている。また、キャパシタ４は、２つのコイル開口を分割する仮想線に対して対称となるように配置した。

（実施例４）
実施例４の薄膜バラン１は、図１２に示すように、コイル１２の角部にキャパシタ４の下部電極３６を配置したものである。

（比較例１）
比較例１の薄膜バラン１は、図１３に示すように、２つのコイル開口Ｃ１，Ｃ２に完全に重なるようにキャパシタ４の下部電極３７を配置したものである。

（評価結果）
上記の実施例１〜４及び比較例の構造について、２つの平衡信号の出力バランスをシミュレーションにより求めた。目的の周波数は、２４００−２５００ＭＨｚとした。以下の評価では、出力バランスが−１．２ｄＢ以上１．２ｄＢ以下を合格基準とした。

図１４は、実施例１（図中、Ｅ１で示す）と、比較例１（図中、Ｄ１で示す）の出力バランスの比較結果を示す図である。図１４に示すように、全面にキャパシタ４を配置した比較例は基準に満たないが、コイル１１，１２の領域Ａｒ内にキャパシタ４を配置した実施例１は基準を上回っていることがわかる。

図１５は、実施例２（図中、Ｅ２で示す）と、実施例４（図中、Ｅ４で示す）の出力バランスの比較結果を示す図である。図１５に示すように、片側のコイル開口に１／４だけ重ねて配置した実施例２は、基準を上回っており、比較例１に比べて特性が改善できていることがわかる。特に、コイルの角部にキャパシタ４を配置した実施例４は、基準を大きく上回っており、バランの特性を大きく改善していることがわかる。

図１６は、実施例２（図中、Ｅ２で示す）と、実施例３（図中、Ｅ３で示す）の出力バランスの比較結果を示す図である。図１６に示すように、片側のコイル開口に１／４だけ重ねて配置した実施例２に比べて、両側のコイル開口に１／４ずつ重ねて配置した実施例３の方が、出力バランスが優れていることがわかる。

以上の評価結果により、本実施形態で述べたキャパシタの配置が薄膜バラン１の特性を改善していることが示された。

なお、上述したとおり、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、各端子７１〜７６の配置に限定はなく、例えばＮＣ端子７６を接地端子として用いることも可能である。また、薄膜バラン１を構成する配線構造は、５層未満又は６層以上であってよい。また、キャパシタを最下層に形成し、不平衡電極を最上層に形成するよう、層構成が全く逆の構造でも同じ効果が得られる。さらに、コイル配置に限定はなく、例えば、不平衡伝送線路２及び平衡伝送線路３の４つのコイル１１，１２，２１，２２が全て積層され、１つのコイル開口のみが画成されているような構造の薄膜バランであってもよい。

本発明の薄膜バランは、バイアス供給用のキャパシタを備える薄膜バランの特性の改善を図ることができるため、特に小型化が要求される無線通信機器への適用が可能である。

１…薄膜バラン、２…不平衡伝送線路、３…平衡伝送線路、４…キャパシタ、１０…第１配線層、１１…コイル、１１ａ，１１ｂ…端部、１２…コイル、１２ａ，１２ｂ…端部、２０…第２配線層、２１…コイル、２１ａ，２１ｂ…端部、２２…コイル、２２ａ，２２ｂ…端部、３０…第３配線層、３１、３２…接続配線、３３〜３７…下部電極、４０…第４配線層、４１…上部電極、５０…第５配線層、５１…接続配線、６０…基板６０、６１〜６５…誘電体膜、７１…不平衡信号端子、７２…接地端子、７３…ＤＣ供給端子、７４…平衡信号端子、７５…平衡信号端子、７６…ＮＣ端子、Ｐ…スルーホール、Ｃ…コイル開口。

Claims (7)

1. 一対の第１のコイル部を備える不平衡伝送線路と、
   一対の第２のコイル部を備え、前記不平衡伝送線路に磁気結合する平衡伝送線路と、
   前記平衡伝送線路に、一端が接続されたキャパシタと、
   前記キャパシタの他端に接続された接地端子と、
   を有し、
   前記キャパシタは、前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部によって画成されるコイル開口の一部に重ならない領域をもつよう配置された、
   薄膜バラン。
2. 前記キャパシタは、前記コイル開口の全部に重ならないように配置された、
   請求項１記載の薄膜バラン。
3. 前記キャパシタは、前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部の上の一部の領域に重なるように配置された、
   請求項２記載の薄膜バラン。
4. 前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部が角部を有しており、
   前記キャパシタは、前記角部の上の一部の領域に重なるように配置された、
   請求項３記載の薄膜バラン。
5. 前記一対の第１のコイル部は同一面に並んで配置され、前記一対の第２のコイル部は前記一対の第１のコイル部に対向して配置されており、前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部によって平面的に並んだ一対のコイル開口が画成されている、
   請求項１記載の薄膜バラン。
6. 前記キャパシタは、前記一対のコイル開口のうちの一方のコイル開口に重なる領域と、前記一対のコイル開口のうちの他方のコイル開口に重なる領域が同じになるように配置された、
   請求項５記載の薄膜バラン。
7. 前記キャパシタは、前記一方のコイル開口に重なる領域と、前記他方のコイル開口に重なる領域が、前記一対のコイル開口を各コイル開口に分割する仮想線に対して対称となるように配置された、
   請求項５記載の薄膜バラン。

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