JP2012010157A - 薄膜バラン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態の薄膜バランは、第1の線路部L1及び第2の線路部L2を有する不平衡伝送線路ULと、第1の線路部L1及び第2の線路部L2のそれぞれに対向配置され且つ電磁結合する第3の線路部L3及び第4の線路部L4を有する平衡伝送線路BLと、第1の線路部L1の一端に接続された不平衡端子UTと、第3の線路部L3に接続された第1の平衡端子BT1と、第4の線路部L4に接続された第2の平衡端子BT2と、第3の線路部L3及び第4の線路部L4に接続された接地端子Gと、を備え、接地端子Gは、該接地端子Gから不平衡端子UT側の領域に延在した延在部を有する。
【選択図】図1
Description
次に、薄膜バランの一実施例における各配線層M1,M2,M3のパターンについて詳細に説明する。以下の実施例では、線路部L1〜L4としてコイル部C1〜C4を用いたものである。
図6は、本発明の実施例2の薄膜バラン1Bにおける配線層M3を概略的に示す水平断面図である。配線層M3以外の構成は、実施例1と同様である。図6に示す実施例2では、GND電極40Bが、実施例1のGND電極40Aとは異なり、平衡伝送線路BLを構成するコイル部C3,C4と対向する領域を除いた位置に形成されている。換言すれば、GND電極40Bが、コイル部C3,C4と重なり合わない領域に形成されている。GND電極40Bは、接地端子Gから不平衡端子UTの近傍まで延在し、また、配線層M3のスルーホールTH3,TH4を介したコイル部C3及びコイル部C4の各配線(引き出し導体)32,33と電気的に接続されている。
図7は、本発明の実施例3の薄膜バラン1Cにおける配線層M3を概略的に示す水平断面図である。配線層M3以外の構成は、実施例1と同様である。図7に示す実施例3では、GND電極40Cが、実施例1のGND電極40Aとは異なり、配線層M2を構成するコイル部C3,C4の各一部と対向する領域の位置に形成されつつ、さらに、GND電極40Cの面積をGND電極40Aの面積より大きく形成されている。
(参考例)
以上説明した薄膜バラン1A,1B,1C,1Rについて、通過特性(挿入損失)及び平衡特性(平衡信号の位相差及び振幅差)をシミュレーションにより求めた。伝送信号の評価対象周波数を2400〜2500MHzとした。図9は、通過特性の評価結果を示す図であり、図10は位相差の評価結果を示す図であり、図11は振幅差の評価結果を示す図である。各図において、曲線E1A,E1B,E1C,E1Rが、それぞれ、薄膜バラン1A,1B,1C,1Rの評価結果を示す。
図12は、本発明の実施例4の薄膜バラン1Dにおける配線層M3を概略的に示す水平断面図である。配線層M3以外の構成は、実施例1と同様である。薄膜バラン1Dは、図12に示すように、コイル部C1とコイル部C2とを2つのスルーホールTH1,TH2を介して接続するための配線31、コイル部C3とコイル部C4を2つのスルーホールTH3,TH4を介して接続するための配線(連結部)35、及びコイル部C3とコイル部C4を接地端子Gに電気的に接続させるためのGND電極40Dが形成されている。GND電極40Dは、図12に示すように、接地端子Gから不平衡端子UTの近傍まで延在させた電極であって、かつ、配線層M2を構成するコイル部C3,C4の各一部と対向する領域を少なくとも含む位置に形成されている。また、配線35とGND電極40Dとは、配線(引き出し導体)36にて互いに接続され、該引き出し導体36は、接地端子G側よりも不平衡端子UT側に寄って配置される。
図13は、本発明の実施例5の薄膜バラン1Eにおける配線層M2を概略的に示す水平断面図であって、図14は、本発明の実施例5の薄膜バラン1Eにおける配線層M3を概略的に示す水平断面図である。薄膜バラン1Eは、上述したスルーホールTH1〜TH4に加えて、更にスルーホールTH5,TH6が形成されており、また、該スルーホールTH5,TH6には、配線層M2と配線層M3を電気的に導通させるための金属導体がめっきにて形成されている。なお、配線層M2,M3以外の構成は、実施例1と同様である。
以上説明した薄膜バラン1D,1Eについて、通過特性(挿入損失)及び平衡特性(平衡信号の位相差及び振幅差)をシミュレーションにより求めた。伝送信号の評価対象周波数を2400〜2500MHzとした。図15は、通過特性の評価結果を示す図であり、図16は位相差の評価結果を示す図であり、図17は振幅差の評価結果を示す図である。各図において、曲線E1D,E1E,E1Rが、それぞれ、薄膜バラン1D,1E,1Rの評価結果を示す。
Claims (5)
- 第1の線路部及び第2の線路部を有する不平衡伝送線路と、
前記第1の線路部及び前記第2の線路部のそれぞれに対向配置され且つ電磁結合する第3の線路部及び第4の線路部を有する平衡伝送線路と、
前記第1の線路部の一端に接続された不平衡端子と、
前記第3の線路部に接続された第1の平衡端子と、
前記第4の線路部に接続された第2の平衡端子と、
前記第3の線路部及び前記第4の線路部に接続された接地端子と、を備え、
前記接地端子は、該接地端子から前記不平衡端子側の領域に延在した延在部を有することを特徴とする薄膜バラン。 - 前記延在部は、前記不平衡伝送線路及び前記平衡伝送線路の少なくとも一方と対向する領域を除いた領域に形成される、請求項1に記載の薄膜バラン。
- 前記第3の線路部及び前記第4の線路部が第1層に形成され、
前記第3の線路部及び前記第4の線路部を電気的に接続する連結部、及び該連結部と接続される前記延在部が第2層に形成される、請求項1又は請求項2に記載の薄膜バラン。 - 前記連結部と前記延在部とは、引き出し導体にて互いに接続され、該引き出し導体は、前記接地端子側よりも前記不平衡端子側に寄って配置される、請求項3に記載の薄膜バラン。
- 前記第3の線路部と前記第4の線路部が形成される層、及び、前記第1の線路部と前記第2の線路部が形成される層の少なくともいずれか一方の層と同一層にて前記延在部が形成される請求項1又は請求項2に記載の薄膜バラン。
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