JP2002373782A - 有機層を蒸着するための方法及び装置 - Google Patents

有機層を蒸着するための方法及び装置

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JP2002373782A JP2002114385A JP2002114385A JP2002373782A JP 2002373782 A JP2002373782 A JP 2002373782A JP 2002114385 A JP2002114385 A JP 2002114385A JP 2002114385 A JP2002114385 A JP 2002114385A JP 2002373782 A JP2002373782 A JP 2002373782A
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movable sensor
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エー．マーカス マイケル
Anna L Hrycin
エル．ヒリシン アンナ
Slyke Steven A Van
エー．バン スリク スティーブン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 蒸着有機層厚を制御するための再使用可能な
センサを提供すること。 【解決手段】 有機発光デバイスの一部を形成する構造
体の上に蒸発又は昇華した有機層を蒸着するための方法
であって、(a)該有機発光デバイスの層を形成する有機
材料を蒸着ゾーンにおいて蒸着させる工程；(b)該蒸着
ゾーン内へ移動し、かつ、該蒸着工程中に被覆されたと
きに、該層を形成する該有機材料の厚さを代表する信号
を提供する可動センサ、を提供する工程；(c)該信号に
応じて該有機材料の蒸着を制御することにより、該構造
体上に形成される該有機層の蒸着速度及び厚さを制御す
る工程；(d)該可動センサを該蒸着ゾーンから洗浄位置
へ移動させる工程；並びに(e)該可動センサから有機材
料を除去することにより、該可動センサの再使用を可能
ならしめる工程を含んで成る方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、有機発光
デバイスを製造する際の物理蒸着法による有機層の形成
を監視し、そして制御することに関する。
【０００２】
【従来の技術】有機発光デバイスは、有機エレクトロル
ミネセントデバイスとも呼ばれているが、２以上の有機
層を第１電極と第２電極との間に挟み込むことにより構
築することができる。従来構成のパッシブ型有機発光デ
バイスでは、ガラス基板のような透光性基板の上に第１
電極として複数の透光性アノード、例えば、インジウム
錫酸化物(ITO)アノードを、横方向に間隔を置いて並べ
て形成する。次いで、２以上の有機層を、減圧（典型的
には10-3Torr未満に）保持されたチャンバ内で、それぞ
れの有機材料をそれぞれのソースから逐次蒸着すること
により形成する。これら有機層の最上層の上に、第２電
極として複数のカソードを横方向に間隔を置いて並べて
蒸着する。該カソードは、該アノードに対して一定の角
度で、典型的には直角に配向される。
【０００３】このような従来のパッシブ型有機発光デバ
イスは、適当なカラム（アノード）と、順次方式で各ロ
ウ（カソード）との間に電場（駆動電圧とも呼ばれる）
を印加することにより動作する。アノードに対してカソ
ードを負にバイアスすると、カソードとアノードの重な
り領域により画定された画素から光が放出され、そして
放出された光はアノードと基板を通って観察者に到達す
る。
【０００４】アクティブ型有機発光デバイスの場合、そ
れぞれの透光部に接続されている薄膜トランジスタ(TF
T)によって第１電極としてアレイ状のアノードが設けら
れる。２以上の有機層は、上述したパッシブ型デバイス
の構築法と実質的に同様に、蒸着法により逐次形成され
る。これら有機層の最上層の上には、第２電極として、
共通のカソードを蒸着する。アクティブ型有機発光デバ
イスの構成及び機能については米国特許第5,550,066号
に記載されており、これを参照することによりその開示
内容を本明細書の一部とする。
【０００５】有機発光デバイスを構築する上で有用とな
る有機材料、蒸着有機層の厚さ、及び層構成について
は、例えば、米国特許第4,356,429号、同第4,539,507
号、同第4,720,432号及び同第4,769,292号に記載されて
おり、これらを参照することによりその開示内容を本明
細書の一部とする。
【０００６】実質的に均一で厚さの精密な有機発光デバ
イスを提供するためには、該デバイスの有機層の形成を
監視し、また制御しなければならない。このようなソー
スからの有機材料の昇華または蒸発による有機層の蒸着
の制御は、一般には、基板または構造体が有機層で被覆
されるのと同じ蒸着ゾーン内にモニタ装置を配置するこ
とによって行なわれる。このため、該モニタ装置は、有
機層が基板または構造体の上に形成されると同時に有機
層を受容する。そうすると、該モニタ装置は、その上で
の有機層形成速度に応じた電気信号、つまりは、有機発
光デバイスを提供する基板または構造体の上での有機層
形成速度に関連する電気信号を与える。モニタ装置の電
気信号は処理及び／又は増幅されて、例えばソースヒー
タのような蒸着ソース温度制御素子を調整することによ
り基板または構造体上に形成される有機層の蒸着速度及
び厚みを制御するために使用される。
【０００７】周知のモニタ装置として、モニタが対向す
る２つの電極を有する石英結晶である、いわゆるクリス
タル質量センサ(crystal mass-sensor)がある。該クリ
スタルは、蒸着速度モニタに配備される発振器回路の一
部である。許容可能な範囲内で、発振器回路の発振周波
数は、クリスタル上に蒸着する材料の層または複数層に
よって引き起こされるクリスタル表面の積載質量にほぼ
反比例する。例えば過剰数の蒸着層の蓄積によってクリ
スタルの積載質量の許容可能範囲を超えると、もはや発
振器回路は信頼できる機能を果たさなくなり、「積載過
多」のクリスタルを新しいクリスタル質量センサに交換
しなければならない。そうすると、このような交換のた
めに、蒸着工程を中断しなければならなくなる。
【０００８】さらに、クリスタル質量センサ装置にある
種の有機層が蒸着する場合、被膜の厚みが500−2,000ナ
ノメータ（nm）程度に蓄積すると、有機層が亀裂を起こ
したり、質量センサ表面からはげ落ちたりし始める傾向
がある。このため、クリスタル質量センサは、上記の積
載質量限界値に至るはるか前の薄さで、その被覆速度測
定能が不正確になる可能性がある。
【０００９】研究開発の段階では一般に、蒸着被膜の積
載過剰または亀裂やはげ落ちのためにクリスタル質量セ
ンサを交換しなければならなくなる前に、数個の有機発
光デバイスを製作すればよい。このため、研究開発段階
では問題は生じない。というのは、通常、他の考慮事項
のため、基板または構造体を手動で交換したり、比較的
小さい蒸着ソースの有機材料を補充したり等するため
に、蒸着室を開放することにより蒸着工程を中断する必
要があるからである。
【００１０】しかし、比較的多数の有機発光デバイスを
反復的に製造するよう設計された製造環境においては、
「積載過多」のクリスタル質量センサまたは有機層が亀
裂化したもしくははげ落ちたクリスタル質量センサの交
換は、重大な制約となる。なぜなら、製造システムは、
あらゆる点で、多数のデバイス構造体上に全ての有機層
を生成する能力を提供し、実際に完全に封入された有機
発光デバイスを生産するように構成されるからである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、有機層の厚さを制御するための再使用可能なセ
ンサを提供することにより有機層を形成することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、有機発光
デバイスの一部を形成する構造体の上に蒸発又は昇華し
た有機層を蒸着するための方法であって、 (a) 該有機発光デバイスの層を形成する有機材料を蒸着
ゾーンにおいて蒸着させる工程； (b) 該蒸着ゾーン内へ移動し、かつ、該蒸着工程中に被
覆されたときに、該層を形成する該有機材料の厚さを代
表する信号を提供する可動センサ、を提供する工程； (c) 該信号に応じて該有機材料の蒸着を制御することに
より、該構造体上に形成される該有機層の蒸着速度及び
厚さを制御する工程； (d) 該可動センサを該蒸着ゾーンから洗浄位置へ移動さ
せる工程；並びに (e) 該可動センサから有機材料を除去することにより、
該可動センサの再使用を可能ならしめる工程 を含んで成る方法によって達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】有機発光デバイス(OLED)の層厚寸
法はマイクロメートル以下の範囲にある場合が多い一
方、横方向のデバイス寸法を表す特徴は50〜500ミリメ
ートルの範囲にある場合があるため、当該図面は当然に
略図的性質ものである。したがって、当該図面は、寸法
の正確さを求めるというよりは、視認性の良さを求めて
比例拡大・縮小されている。
【００１４】用語「基板」は、透光性支持体の上に、予
め複数の第１電極（アノード）を横方向に間隔を置いて
並べて形成しておいたものを意味する。このような基板
はパッシブ型OLEDの前駆体となる。用語「構造体」は、
一度蒸着有機層の一部を受容した基板を記述し、またパ
ッシブ型前駆体とは区別されるべきアクティブ型アレイ
を示す。
【００１５】図１に、各種層を示すため要素の一部を剥
ぎ取ったパッシブ型有機発光デバイス(OLED)１０の略透
視図を示す。透光性基板１１の表面に、横方向に間隔を
置いて並べられた複数の第１電極１２（アノードとも呼
ばれる）が形成されている。詳しく後述するように、有
機正孔輸送層(HTL)１３と、有機発光層(LEL)１４と、有
機電子輸送層(ETL)１５とが物理蒸着法により逐次形成
されている。横方向に間隔を置いて並べられた第２電極
（カソードとも呼ばれる）は、有機電子輸送層１５の上
に、該第１電極１２と実質的に直交する方向において形
成されている。当該構造物の環境的影響を受ける部分を
封入体又はカバー１８でシールすることにより、OLED完
成品１０が提供される。
【００１６】図２に、比較的多数の有機発光デバイスを
製造するのに適した装置であって、緩衝ハブ１０２及び
移送ハブ１０４から延在する複数のステーション間で基
板又は構造体を輸送又は移送するための自動化手段又は
ロボット手段（図示なし）を使用する装置１００の略透
視図を示す。ハブ１０２、１０４の内部及びこれらのハ
ブから延在する各ステーションの内部の減圧は、ポンプ
口１０７を介して真空ポンプ１０６が提供する。装置１
００の内部の減圧は、圧力ゲージ１０８が指示する。当
該圧力は約１０-3〜１０-6Torrの範囲内とすることがで
きる。
【００１７】該ステーションには、基板又は構造体を装
填するための装填ステーション１１０、有機正孔輸送層
(HTL)を形成するための蒸着ステーション１３０、有機
発光層(LEL)を形成するための蒸着ステーション１４
０、有機電子輸送層(ETL)を形成するための蒸着ステー
ション１５０、複数の第２電極（カソード）を形成する
ための蒸着ステーション１６０、構造体を緩衝ハブ１０
２から移送ハブ１０４（これが順に保存ステーション１
７０を提供する）へ移送するための取出ステーション１
０３及び該ハブ１０４に接合口１０５を介して連結され
ている封入ステーション１８０が含まれる。これらステ
ーションの各々は、それぞれハブ１０２及び１０４の中
に延在する開放口を有し、そして各ステーションは、洗
浄用、材料補充用、及び部品交換・修理用のステーショ
ンへのアクセスを提供するための真空シールされたアク
セスポート（図示なし）を有する。各ステーションは、
チャンバを画定するハウジングを含む。
【００１８】図３は、図２の分断線３−３に沿って切断
された装填ステーション１１０の略断面図である。装填
ステーション１１０は、チャンバ１１０Ｃを画定するハ
ウジング１１０Ｈを有する。該チャンバの内部には、予
め第１電極１２を形成しておいた複数の基板１１（図１
参照）を担持するように設計されたキャリヤ１１１が配
置されている。複数のアクティブ型構造体を支持するた
めの別のキャリヤ１１１を提供することもできる。キャ
リヤ１１１は、取出ステーション１０３及び保存ステー
ション１７０においても提供されることができる。
【００１９】図４に、図２の分断線４−４に沿って切断
されたHTL蒸着ステーション１３０の略横断面図を示
す。ハウジング１３０Ｈがチャンバ１３０Ｃを画定す
る。基板１１（図１参照）は、マスクフレームとして構
成することができるホルダ１３１に保持される。ソース
１３４は断熱性支持体１３２の上に配置される。ソース
１３４は、有機正孔輸送材料１３ａの供給物でレベル１
３ｂまで充填されている。ソース１３４は、リード線２
４５，２４７を介してソース電源２４０の対応する出力
端子２４４，２４６に接続されている加熱要素１３５に
より加熱される。
【００２０】ソース温度が十分に高くなると、有機正孔
輸送材料１３ａが蒸発又は昇華して、破線及び矢印で略
示したように、有機正孔輸送材料の蒸気による蒸着ゾー
ン１３ｖが提供される。
【００２１】基板１１及び従来のクリスタル質量センサ
２００は蒸着ゾーン内に配置され、そしてこれら各要素
の上に、破線で示した記号１３ｆが示すように、有機正
孔輸送層が形成される。
【００２２】当該技術分野で周知であるように、クリス
タル質量センサ２００は、リード線２１０を介して蒸着
速度モニタ２２０の入力端子２１６に接続される。該セ
ンサ２００は、該モニタ２２０に配備される発振器回路
の一部である。該回路は、層１３ｆの形成による荷重の
ような当該クリスタルの積載質量にほぼ反比例する周波
数において発振する。モニタ２２０は、積載質量速度に
比例する、すなわち層１３ｆの蒸着速度に比例する信号
を発生する示差回路を含む。この信号は、蒸着速度モニ
タ２２０によって指示され、そしてその出力端子２２２
において提供される。リード線２２４がこの信号をコン
トローラ又は増幅器２３０の入力端子２２６に接続す
る。コントローラ又は増幅器は、出力端子２３２におい
て出力信号を提供する。後者の出力信号は、リード線２
３４及び入力端子２３６を介してソース電源２４０への
入力信号となる。
【００２３】このように、蒸着ゾーン１３ｖの内部の蒸
気流が一時的に安定な場合には、層１３ｆの質量蓄積又
は成長は一定速度で進行する。速度モニタ２２０は出力
端子２２２に一定信号を提供し、そしてソース電源２４
０はリード線２４５，２４７を介してソース１３４の加
熱要素１３５に一定電流を提供し、よって蒸着ゾーン内
部の蒸気流は一時的に安定に維持される。安定な蒸着条
件下、すなわち蒸着速度が一定である条件下では、有機
正孔輸送層１３（図１参照）の所望の最終厚さが一定蒸
着期間中に構造体及びクリスタル質量センサ２００の上
に達成され、その時点で、ソース１３４の加熱を止め
る、又はソースの上にシャッター（図示なし）を配置す
る、ことにより、蒸着を停止させる。
【００２４】図４には例示目的につき比較的単純なソー
ス１３４が示されているが、蒸着ゾーン内部に有機材料
の蒸発又は昇華した蒸気を提供するためにその他多数の
ソース構成を有効利用できることは認識される。特に有
用なソースとして、譲受人共通のR.G. Spahnによる米国
特許出願第09/518,600号（2000年３月３日出願）に開示
されている拡張型又は線形型物理蒸着ソースが挙げられ
る。
【００２５】図５は、図４に示した従来技術のクリスタ
ル質量センサ２００を、関連する蒸着速度モニタ２２０
と共に示す拡大略断面図である。クリスタル２０４は前
面電極２０５及び後面電極２０６を有する。接地ケーシ
ング２０２は前面電極２０５と電気的に接触し、そして
コネクション２０９を介してリード線２１０のシールド
部分に繋がっている。リード線２１０の発振器信号伝達
部分はコネクタ２０７により後面電極２０６に接続され
ている。ハウジング１３０Ｈ、蒸着ゾーン１３ｖ、並び
に前面電極２０５及びケーシング２０２の前面部に形成
される有機正孔輸送層１３ｆの部分は、図４の各要素に
対応する。
【００２６】一般に、クリスタル質量センサのケーシン
グ２０２は水冷されている（図示なし）。水冷により、
クリスタル温度が安定に維持され、そして蒸着監視の正
確さ、及び熱効果による影響を受けないことが確保され
る。
【００２７】図６に、図４のクリスタル質量センサであ
って、今度は、Ｎ層の有機正孔輸送材料１３の形態とし
て積載質量の比較的大きいものを略示する。このように
積載質量が比較的大きくなると（Ｎ個の基板又は構造体
が続けて有機正孔輸送層１３を受容して層が累積蒸着し
たため）、蒸着速度モニタ２２０が動作しなくなる、又
は蒸着速度の読みの信頼性がなくなる、ことがある。
【００２８】モニタ２２０は、Ｎ枚の連続層に相当する
厚さよりも薄い厚さにおいて、センサに蒸着した有機材
料の一部が亀裂を起こすことにより、剥離することによ
り、又はフレーキングを起こすことにより、信頼性が失
われる場合もある。
【００２９】ここで図７を参照する。本図では、図４、
５及び６に示した単一の配置固定された質量センサ２０
０の代わりに、本発明による質量センサ集成体３００の
一実施態様を示す。
【００３０】３個のクリスタル質量センサ３０１、３０
２及び３０３を支持するものとして、回転可能な可動セ
ンサ支持体３２０が例示されている。センサ３０１は、
上述したように（図４に示した基板又は構造体と一緒
に）蒸着ゾーン１３ｖの内部に配置され、そして動作可
能である。各クリスタルの後面電極にはリード線が接続
されており（図５参照）、リード接点３２３（例、スプ
リングでバイアスされた接点）が、絶縁性センサ支持体
３２０の上に形成された（センサ３０１の）センサ接点
３２１と係合する。
【００３１】センサ支持体３２０は、ステーション１３
０（図２参照）のハウジング１３０Ｈ内にシール３２７
を介して回転可能に配置され、そして、図示したように
手動式の回転体により、又はステップモータ等による自
動割送り回転式で、回転させることができる。
【００３２】センサ３０１が蒸着ゾーンにおいて動作し
ている間、センサ３０３は光ガイド３９２の近くに配置
されていることが図示されている。光ガイド３９２は、
洗浄フラッシュ装置３９０から、多層積層質量１３（×
Ｎ）を熱誘発型昇華もしくは蒸発によりセンサ３０３か
ら除去するに十分な、又は少ない積層質量において部分
的に亀裂化、剥離もしくはフレーキングしているかもし
れない有機蒸着物を除去するに十分な、強力な輻射線フ
ラッシュを提供する。このようなセンサ３０３からの有
機材料の洗浄又は除去は、ソース１３４から有機材料１
３ａを昇華又は蒸発させることによる蒸着ゾーン１３ｖ
での有機蒸気の形成と実質的に同等な方法による昇華又
は蒸発によって行われる。洗浄フラッシュ装置３９０が
提供する輻射線フラッシュは、当該有機材料の昇華又は
蒸発を開始させるに十分な温度にまで当該センサ上に堆
積した有機材料の温度を上昇させるに十分な強さのもの
であるが、センサ３０３上の金属電極を除去するよう
な、又はセンサ３０３の性能に悪影響を及ぼすような、
温度よりは低く維持される強さのものである。有機発光
デバイスに有用な有機材料はこの技術に特に適合しやす
い。なぜなら、これらの材料は、クリスタル質量センサ
に通常用いられる電極材料のようなほとんどの無機材料
を気化させるのに要する温度よりも有意に低い温度で気
化するからである。センサ３０３が洗浄された後は、そ
れを蒸着ゾーン１３ｖに配置して有機層の蒸着速度及び
厚さを監視するために再度利用することが、蒸着チャン
バ１３０Ｃを開放することにより真空を解除することな
く、可能である。
【００３３】センサ３０２は、洗浄後のものであって、
センサ３０１の積載質量が望ましくないほどに蓄積した
ら蒸着ゾーン内へ進行するためにセンサ支持体上の位置
にあることが図示されている。シールド３２９は、蒸着
ゾーン内の一つのセンサ上に蒸着を提供し、かつ、他の
センサを蒸着から保護するように配置されている。
【００３４】光ガイド３９２は真空シールされたフィー
ドスルー（図示なし）を介してハウジング１３０Ｈを通
してカップリングされていることが認識される。同様
に、すべての電気リード線が、対応する電気フィードス
ルーを介してハウジング１３０を通してチャンバ１３０
Ｃに入り、又は該チャンバから出ていく。このようなフ
ィードスルー要素は真空システム技術分野において周知
である。
【００３５】光ガイド３９２は、洗浄フラッシュ装置３
９０が提供する光を伝送する材料で構築された光ファイ
バケーブルであることができる。別法として、光ガイド
３９２を中空又は管状の光伝送要素として構築してもよ
い。
【００３６】図８において、光ガイド３９２は、該光ガ
イドの先端部に、又はそれに隣接して、配置された任意
のヒータ３９２Ｈと、任意のトラップ３９２Ｔとを含
む。ヒータ３９２Ｔの目的は、光ガイド３９２の光学的
に活性な先端領域を加熱することにより、センサ３０３
の表面から気化した有機昇華物（除去された有機材料）
が光ガイドの先端領域に蒸着しないようにすることであ
る。トラップ３９２Ｔを使用して、当該昇華物を集め、
かつ、当該昇華物がチャンバ１３０Ｃの全体に展開しな
いようにする。トラップ３９２Ｔを冷却することによ
り、当該有機昇華物のトラップ内での凝縮を促進するこ
とができる。
【００３７】図９に、積載質量センサに向けて斜めの角
度で洗浄フラッシュ装置３９０からの光を方向付けする
ことができる構成の光ガイド３９２Ｂを示す。トラップ
３９２Ｔは、図８を参照して説明したように機能する。
質量センサ３０３に堆積した有機蒸着物に対して洗浄フ
ラッシュを斜方入射することにより、光ガイド３９２Ｂ
の先端部にヒータを設ける必要をなくすことができる。
【００３８】図１０に、質量センサから有機材料を除去
するための別の光学的洗浄構成を略示する。洗浄輻射線
源３９０Ｒは、フラッシュとして、又は時限輻射線ビー
ム（例、レーザ光源からの時限ビーム）として、洗浄輻
射線を提供する。洗浄輻射線は、１又は２以上のレンズ
３９２Ｌ、ハウジング１３０Ｈ内部の輻射線透過性窓３
９２Ｗ、及び任意にヒータ３９２ＨＭで加熱してもよい
ミラー３９２Ｍを介して、質量センサ３０３の上の有機
蒸着物に向けて方向付けられる。トラップ３９２Ｔは、
上述したように動作する。
【００３９】図１１に、図７のセンサ集成体３００にお
いて、光ガイド３９２と洗浄フラッシュ装置３９０を、
リード線３９６、３９８を介して洗浄加熱装置３９５に
接続されたヒータ３９９に置き換えた態様を示す。図７
の要素３９２Ｔと機能的に均等な任意のトラップを、図
１１のセンサ集成体においてヒータ３９９を取り囲むよ
うに配置することにより、昇華物を集め、かつ、昇華物
を真空チャンバ全体に展開させないようにしてもよい。
【００４０】必要に応じて、質量センサのケーシング２
０２にヒータ３９９を内蔵してもよい。この場合、セン
サのケーシングのうち有機層昇華物を除去する洗浄部位
は水冷しないようにすることが望ましい。
【００４１】図１２は、本発明を実施する上で有用な回
転式センサ支持体の各種実施態様を示す略平面図であ
る。蒸着ゾーン内のセンサ３０１の位置を、破線で示し
たシールド３２９の位置によって示す。センサ洗浄位置
３９２（図７の光ガイド３９２）についても破線で示
す。図１２（Ａ）は、回転式センサ支持体３２０Ａの上
に単一のセンサ３０１が支持されている質量センサ集成
体３００Ａを示す。図１２（Ｂ）は、回転式センサ支持
体３２０Ｂの上に二つのセンサ３０１，３０２が配置さ
れている質量センサ集成体３００Ｂを示す。図１２
（Ｃ）は、四つのセンサ３０１，３０２，３０３，３０
４を支持するようにした回転式センサ支持体３２０Ｃを
提供する質量センサ集成体３００Ｃを示す。図１２
（Ｄ）は、センサ３０７をはじめ多数のセンサを支持す
るようにした回転式円形センサ支持体３２０Ｄを有する
質量センサ集成体３００Ｄを示す。
【００４２】図１３は、図５に示したクリスタル質量セ
ンサについて、該クリスタル２０４の前面電極２０５の
上と、ケーシング２０２の前面部分の上とに、予め輻射
線吸収層３９１を形成させておいたものを示す拡大断面
図である。輻射線吸収層３９１は、可動センサ支持体上
に配置されたセンサの上に蓄積された有機層の全体除去
又は部分除去を促進するため輻射線吸収性炭素その他の
輻射線吸収材料の層であることができる。該可動センサ
支持体は、蒸着ゾーン１３ｖ内の位置から、輻射線フラ
ッシュにより（図７参照）、輻射線露光により（図１０
参照）又はヒータにより（図１１参照）有機材料を除去
するための洗浄位置まで移動することができる。
【００４３】図２に示したOLED製造装置１００の各蒸着
ステーション１３０，１４０及び１５０に、可動センサ
支持体上に１又は２以上のセンサを配置させたセンサ集
成体を有効に組み込むことができることは認識される。
したがって、これらステーションの各々は、従来の質量
センサ及び蒸着速度モニタによって蒸着速度を監視、制
御することができ、しかも、可動センサ支持体の移動経
路に沿って洗浄位置において質量積載センサから有機材
料を完全に又は部分的に除去することにより１又は２以
上の再使用可能なセンサを提供することができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明による有利な効果は、発光デバイ
スに含まれる１以上の有機層の厚さを制御するクリスタ
ル質量センサが洗浄され、かつ、再使用され得ることに
より、製造プロセス効率が向上することにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】各種層を示すため要素の一部を剥ぎ取ったパッ
シブ型有機発光デバイスを示す略透視図である。
【図２】比較的多数の有機発光デバイス(OLED)を製造す
るのに適した製造装置であって複数のステーションがハ
ブから延在しているものを示す略透視図である。
【図３】比較的多数の基板又は構造体を含有するキャリ
ヤであって、図２の分断線３−３が示す図２の装置の装
填ステーションに配置されるものを示す略断面図であ
る。
【図４】図２の分断線４−４が示す図２の装置における
基板又は構造体の上に蒸着有機正孔輸送層(HTL)を形成
するための蒸着ステーションを示す略断面図である。
【図５】図４に示したクリスタル質量センサと、関連す
る蒸着速度モニタを示す拡大略断面図である。
【図６】図４のセンサであって、その片面上に有機正孔
輸送材料の層がＮ層形成された比較的積載量が多いもの
を示す部分略断面図である。従来技術のセンサのこのよ
うな多量の積載は、関連する蒸着速度モニタの蒸着速度
読取り値の信頼性の欠如、又は動作不能の原因となる。
【図７】図２のHTL蒸着ステーション内に配置された本
発明による可動センサ集成体を示す部分略断面図であ
る。本図では、第１のクリスタル質量センサが蒸着ゾー
ン内で作動している間に第３のセンサが洗浄フラッシュ
を提供する光ガイドに近接して配置されており、さらに
第２のセンサが洗浄後に該第１のセンサの積載量が比較
的多くなると該蒸着ゾーン内へ進行してくる位置にある
ことを示している。
【図８】図７の光ガイドであって、その先端部に隣接配
置された任意ヒータと、洗浄フラッシュによってセンサ
から除去された有機材料を集めるための任意トラップと
をさらに含むものを示す部分略断面図である。
【図９】多量積載センサに向けて斜めに方向付けた光ガ
イドと、洗浄フラッシュによってセンサから除去された
有機材料を集めるための任意トラップとを示す部分略断
面図である。
【図１０】有機材料をセンサから除去するための別の光
学式洗浄構成を示す部分略断面図である。本図では、洗
浄輻射線源から、レンズ、チャンバハウジングに設けら
れた窓、及び任意の加熱可能ミラーを介して、多量積載
センサに向けて洗浄輻射線が提供される。
【図１１】図７の可動センサ集成体の別態様として、本
発明による多量積載センサを洗浄するためのヒータを示
す部分略断面図である。
【図１２】(A)〜(D)は、本発明を実施する上で有用な回
転式センサ支持体の種々の態様を示す略平面図である。
本図中、センサの蒸着ゾーンの位置及びセンサの洗浄位
置を破線で示す。
【図１３】図５のクリスタル質量センサの別態様とし
て、本発明による洗浄位置におけるセンサ上の有機層の
全部又は一部の除去を促進するために予め輻射線吸収層
をセンサ表面に形成しておいたものを示す拡大略断面図
である。
【符号の説明】
１０…パッシブ型有機発光デバイス(OLED) １１…透光性基板又は構造体 １２…アノード １３…有機正孔輸送層(HTL) １３ｖ…蒸着ゾーン １４…有機発光層(LEL) １５…有機電子輸送層(ETL) １６…カソード １８…封入体 １００…有機発光デバイス製造システム １０２…緩衝ハブ １０４…移送ハブ １０６…真空ポンプ １０８…圧力計 １１０…装填ステーション １１１…キャリヤ １３０…有機正孔輸送層蒸着ステーション １３２…断熱性支持体 １３４…ソース １４０…有機発光層蒸着ステーション １５０…有機電子輸送層蒸着ステーション １６０…カソード蒸着ステーション １７０…保存ステーション １８０…封入ステーション ２００…クリスタル質量センサ ２０２…ケーシング ２０５…前面電極 ２０６…後面電極 ３００…質量センサ集成体 ３０１，３０２，３０３…クリスタル質量センサ ３２０…回転式可動センサ支持体 ３２９…シールド ３９２、３９２Ｂ…光ガイド ３９２Ｈ、３９９…ヒータ ３９２Ｌ…レンズ ３９２Ｍ…ミラー ３９２Ｔ…トラップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンナ エル．ヒリシン アメリカ合衆国，ニューヨーク 14619, ロチェスター，ウエスト ソーヤー プレ イス 152 (72)発明者 スティーブン エー．バン スリク アメリカ合衆国，ニューヨーク 14534, ピッツフォード，サンセット ブールバー ド 16 Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB18 DB03 FA01 4K029 BA62 BD00 DA09 EA01 EA02

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機発光デバイスの一部を形成する構造
    体の上に蒸発又は昇華した有機層を蒸着するための方法
    であって、 (a) 該有機発光デバイスの層を形成する有機材料を蒸着
    ゾーンにおいて蒸着させる工程； (b) 該蒸着ゾーン内へ移動し、かつ、該蒸着工程中に被
    覆されたときに、該層を形成する該有機材料の厚さを代
    表する信号を提供する可動センサ、を提供する工程； (c) 該信号に応じて該有機材料の蒸着を制御することに
    より、該構造体上に形成される該有機層の蒸着速度及び
    厚さを制御する工程； (d) 該可動センサを該蒸着ゾーンから洗浄位置へ移動さ
    せる工程；並びに (e) 該可動センサから有機材料を除去することにより、
    該可動センサの再使用を可能ならしめる工程を含んで成
    る方法。
  2. 【請求項２】 有機発光デバイスの一部を形成する構造
    体の上に蒸発又は昇華した有機層を蒸着するための方法
    であって、 (a) 該有機発光デバイスの層を形成する有機材料を蒸着
    ゾーンにおいて蒸着させる工程； (b) それぞれ該蒸着ゾーン内へ移動したときに該有機材
    料の蒸着工程中に被覆され、かつ、該層を形成する該有
    機材料の厚さを代表する信号を提供する少なくとも第１
    及び第２の可動センサ、を提供する工程； (c) 該信号に応じて該有機材料の蒸着を制御することに
    より、該構造体上に形成される該有機層の蒸着速度及び
    厚さを制御する工程； (d) 該第１の可動センサを、それが有機材料で被覆され
    た後、該蒸着ゾーンから洗浄位置へ移動させる工程； (e) 該第２の可動センサを該蒸着ゾーンへ移動させる工
    程；並びに (f) 該洗浄位置において該第１の可動センサから有機材
    料を除去することにより、該第１の可動センサの再使用
    を可能ならしめる工程を含んで成る方法。
  3. 【請求項３】 有機発光デバイスの一部を形成する構造
    体の上に蒸発又は昇華した有機層を蒸着するための装置
    であって、 (a) チャンバを画定するハウジングと、該チャンバに接
    続された、該チャンバの内圧を下げるためのポンプ； (b) 蒸発又は昇華をさせる有機材料を受容するためのソ
    ースと、該ソースに接続された、該ソースの温度を調整
    することにより該有機材料の蒸発速度又は昇華速度を制
    御するための手段； (c) 該構造体を、蒸着ゾーンにおいて、該ソースから隔
    離配置するように、該構造体の位置を定めるための手
    段； (d) 該蒸着ゾーン内に配置された、該有機材料が該構造
    体上に蒸着すると同時に該ソースからの有機材料を受容
    するための可動センサ； (e) 該可動センサに接続され、かつ、該センサ上に蒸着
    した該有機材料の厚さに応答する電気的手段であって、
    該温度制御手段を調整することにより該構造体上に形成
    される該有機層の蒸着速度及び厚さを制御するための電
    気的手段；並びに (f) 該可動センサを該蒸着ゾーンの外部へ移動させる手
    段と、該可動センサが該蒸着ゾーンにおいて再使用でき
    るように該センサ上に蒸着した有機材料の全部又は一部
    を除去するための手段を含んで成る装置。
  4. 【請求項４】 有機発光デバイスの一部を形成する構造
    体の上に蒸発又は昇華した有機層を蒸着するための装置
    であって、 (a) チャンバを画定するハウジングと、該チャンバに接
    続された、該チャンバの内圧を下げるためのポンプ； (b) 蒸発又は昇華をさせる有機材料を受容するためのソ
    ースと、該ソースに接続された、該ソースの温度を調整
    することにより該有機材料の蒸発速度又は昇華速度を制
    御するための手段； (c) 該構造体を、蒸着ゾーンにおいて、該ソースから隔
    離配置するように、該構造体の位置を定めるための手
    段； (d) 該蒸着ゾーン内に配置された、該有機材料が該構造
    体上に蒸着すると同時に該ソースからの有機材料を受容
    するための、複数の可動センサのうちの第１の可動セン
    サ； (e) 該第１の可動センサに接続され、かつ、該センサ上
    に蒸着した該有機材料の厚さに応答する電気的手段であ
    って、該温度制御手段を調整することにより該構造体上
    に形成される該有機層の蒸着速度及び厚さを制御するた
    めの電気的手段； (f) 該第１の可動センサを該蒸着ゾーンの外部へ移動さ
    せる手段と、該可動センサが該蒸着ゾーンにおいて再使
    用できるように該センサ上に蒸着した有機材料の全部又
    は一部を除去するための手段；並びに (g) 該複数の可動センサのうちの第２の可動センサを該
    蒸着ゾーン内へ移動させるための手段と、該第２の可動
    センサに接続された電気的手段を含んで成る装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305561A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Samsung Sdi Co Ltd クリスタルセンサ及びそれを備えた有機発光素子の蒸着装置
JP2009001885A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Canon Inc 膜厚検知装置及び蒸着方法
JP2010077469A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着設備の膜厚検出装置
KR100974041B1 (ko) * 2008-07-03 2010-08-05 주식회사 선익시스템 막 증착 장치와 막 두께 측정 방법
JP2012127711A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
JP2013014798A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、薄膜製造方法
CN108027349A (zh) * 2015-09-22 2018-05-11 应用材料公司 用于振荡晶体的扩散阻挡物、用于测量沉积速率的测量组件及其方法
JP2018538429A (ja) * 2016-10-25 2018-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積速度を測定するための測定アセンブリ、蒸発源、堆積装置及びそのための方法
JP2020532102A (ja) * 2017-08-18 2020-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ モニタリングデバイスを有する処理ツール

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US6649436B2 (en) * 2002-02-11 2003-11-18 Eastman Kodak Company Using organic materials in making an organic light-emitting device
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
WO2005003406A2 (en) * 2003-06-27 2005-01-13 Sundew Technologies, Llc Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
ITBO20060397A1 (it) * 2006-05-24 2007-11-25 Consiglio Nazionale Ricerche Macchina per la deposizione automatizzata di materiale mediante un aerografo
KR101222980B1 (ko) * 2006-06-30 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 증착 장비의 결정 센서의 재생 방법
KR20080066285A (ko) * 2007-01-11 2008-07-16 삼성전자주식회사 증발장치와 유기층 형성 방법
KR101499228B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
JP5620146B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
JP5623786B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
AU2011205703B2 (en) * 2010-01-14 2014-08-28 Infection Prevention Technologies Systems and methods for emitting radiant energy
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
WO2011163584A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Tangidyne Corporation Self-cleaning film thickness measuring apparatus, and method of cleaning film thickness measuring apparatus
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101730498B1 (ko) * 2010-10-22 2017-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
EP2508645B1 (en) * 2011-04-06 2015-02-25 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
TWI582837B (zh) * 2012-06-11 2017-05-11 應用材料股份有限公司 在脈衝式雷射退火中使用紅外線干涉技術之熔化深度測定
US9856563B2 (en) * 2012-08-22 2018-01-02 Uchicago Argonne, Llc Micro-balance sensor integrated with atomic layer deposition chamber
KR102002849B1 (ko) * 2012-09-17 2019-07-24 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
CN103160798A (zh) * 2013-02-26 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 侦测蒸发源的装置及方法
KR102051641B1 (ko) * 2013-04-03 2019-12-04 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
CN104630735B (zh) * 2013-11-06 2017-12-19 北京北方华创微电子装备有限公司 温度监控装置及等离子体加工设备
CN104233195B (zh) * 2014-08-28 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀设备及蒸镀方法
DE102014014970B4 (de) * 2014-10-14 2020-01-02 NICE Solar Energy GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Schichtdickenmessung für Dampfabscheideverfahren
JP6411675B2 (ja) * 2015-06-17 2018-10-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積速度を測定するための方法及び堆積速度制御システム
JP6640879B2 (ja) * 2015-06-17 2020-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
SG10201510101XA (en) 2015-12-09 2017-07-28 Au Optronics Corp Evaporation apparatus and evaporation method
CN105603379B (zh) * 2016-01-05 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置
US10568308B2 (en) * 2017-01-24 2020-02-25 Verily Life Sciences Llc Systems and methods for mobile automated mass release of insects
CN108011054B (zh) * 2017-11-29 2019-11-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备
CN110471264A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 柯尼卡美能达办公系统研发（无锡）有限公司 定影装置以及图像形成装置
KR20210078567A (ko) * 2018-12-14 2021-06-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 측정 조립체, 증착 소스, 증착 장치 및 방법
CN113106411A (zh) * 2021-04-13 2021-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种镀膜检测装置、镀膜设备
CN114335403B (zh) * 2021-12-15 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH475559A (fr) * 1967-04-21 1969-07-15 Battelle Development Corp Procédé de mesure de la vitesse d'évaporation sous vide, jauge pour la mise en oeuvre de ce procédé et application de ce procédé
US3689747A (en) * 1970-12-09 1972-09-05 Ibm Digital evaporation monitor system
US4036167A (en) * 1976-01-30 1977-07-19 Inficon Leybold-Heraeus Inc. Apparatus for monitoring vacuum deposition processes
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5025664A (en) * 1989-11-02 1991-06-25 Leybold Inficon, Inc. Multiple crystal head for deposition thickness monitor
US5112642A (en) * 1990-03-30 1992-05-12 Leybold Inficon, Inc. Measuring and controlling deposition on a piezoelectric monitor crystal
JP3405562B2 (ja) * 1993-07-15 2003-05-12 松下電器産業株式会社 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
WO1998031847A1 (en) * 1997-01-22 1998-07-23 Specialty Coating Systems, Inc. Crystal holder
US6362339B1 (en) * 1999-10-06 2002-03-26 3M Innovative Properties Company Method of making metal 8-quinolinolato complexes
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305561A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Samsung Sdi Co Ltd クリスタルセンサ及びそれを備えた有機発光素子の蒸着装置
JP4563976B2 (ja) * 2006-05-11 2010-10-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 クリスタルセンサ及びそれを備えた有機発光素子の蒸着装置
JP2009001885A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Canon Inc 膜厚検知装置及び蒸着方法
KR100974041B1 (ko) * 2008-07-03 2010-08-05 주식회사 선익시스템 막 증착 장치와 막 두께 측정 방법
JP2010077469A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着設備の膜厚検出装置
JP2012127711A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
JP2013014798A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、薄膜製造方法
CN108027349A (zh) * 2015-09-22 2018-05-11 应用材料公司 用于振荡晶体的扩散阻挡物、用于测量沉积速率的测量组件及其方法
JP2018526615A (ja) * 2015-09-22 2018-09-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
JP2018538429A (ja) * 2016-10-25 2018-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積速度を測定するための測定アセンブリ、蒸発源、堆積装置及びそのための方法
JP2020532102A (ja) * 2017-08-18 2020-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ モニタリングデバイスを有する処理ツール
JP6991311B2 (ja) 2017-08-18 2022-01-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド モニタリングデバイスを有する処理ツール

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