JPH10284248A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH10284248A JPH10284248A JP9085297A JP8529797A JPH10284248A JP H10284248 A JPH10284248 A JP H10284248A JP 9085297 A JP9085297 A JP 9085297A JP 8529797 A JP8529797 A JP 8529797A JP H10284248 A JPH10284248 A JP H10284248A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】真空蒸着法によるメリットを有しつつ、使用中
のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた有機
ＥＬ素子を製造する。 【解決手段】有機材料を用いてｐ層、ｎ層又は発光層を
真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を得る場合、真
空蒸着時に基板１を有機材料の融点の０．７〜０．９倍
の温度に加熱する。
のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた有機
ＥＬ素子を製造する。 【解決手段】有機材料を用いてｐ層、ｎ層又は発光層を
真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を得る場合、真
空蒸着時に基板１を有機材料の融点の０．７〜０．９倍
の温度に加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）素子の製造方法に関する。
ネセンス（ＥＬ）素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、基板上に第１電極層と
ｐ層(電気伝導を支配する主な担体が正孔の層。以下同
様。）と発光層と第２電極層とを順次形成するか、基板
上に第１電極層と発光層とｎ層（電気伝導を支配する主
な担体が電子の層。以下同様。）と第２電極層とを順次
形成するか、又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層と
ｎ層と第２電極層とを順次形成するかして製造され得
る。ここで、ｐ層、ｎ層又は発光層は、特開平６−６０
９８３号公報等に記載のように、有機材料からなり、ス
ピンコート法、キャスト法によっても形成され得るもの
の、均一性、密着性等の観点から、近年は物理蒸着（Ｐ
ＶＤ；Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法により形成され、特にコストの面で真空蒸着
法により形成することが検討されつつある。
ｐ層(電気伝導を支配する主な担体が正孔の層。以下同
様。）と発光層と第２電極層とを順次形成するか、基板
上に第１電極層と発光層とｎ層（電気伝導を支配する主
な担体が電子の層。以下同様。）と第２電極層とを順次
形成するか、又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層と
ｎ層と第２電極層とを順次形成するかして製造され得
る。ここで、ｐ層、ｎ層又は発光層は、特開平６−６０
９８３号公報等に記載のように、有機材料からなり、ス
ピンコート法、キャスト法によっても形成され得るもの
の、均一性、密着性等の観点から、近年は物理蒸着（Ｐ
ＶＤ；Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法により形成され、特にコストの面で真空蒸着
法により形成することが検討されつつある。
【０００３】かかる有機ＥＬ素子では、第１電極層と第
２電極層との間に所定のしきい値以上の電圧を印加する
ことにより、発光層が発光する。このため、この有機Ｅ
Ｌ素子は文字板照明、ディスプレイ等の発光素子として
利用され得ることとなる。
２電極層との間に所定のしきい値以上の電圧を印加する
ことにより、発光層が発光する。このため、この有機Ｅ
Ｌ素子は文字板照明、ディスプレイ等の発光素子として
利用され得ることとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機材料を用
いてｐ層、ｎ層又は発光層を真空蒸着法により形成した
有機ＥＬ素子では、使用中に光らない部分（ダークスポ
ット）が発生しやすいために、耐久性に劣ることが明ら
かとなった。すなわち、発明者の試験結果によれば、図
３に示すように、真空蒸着法により形成したｐ層等９１
は、非結晶であり、膜密度が他のＰＶＤ法によるものと
比較して低いものとなる。このため、これによる有機Ｅ
Ｌ素子では、使用中に発生する熱によりｐ層等内で粒子
９１ａが結晶化して凝集を生じることから、ｐ層等９１
が収縮して隣接する電極層等９０から剥離する。このた
め、有機ＥＬ素子にダークスポット９２を生じることと
なる。
いてｐ層、ｎ層又は発光層を真空蒸着法により形成した
有機ＥＬ素子では、使用中に光らない部分（ダークスポ
ット）が発生しやすいために、耐久性に劣ることが明ら
かとなった。すなわち、発明者の試験結果によれば、図
３に示すように、真空蒸着法により形成したｐ層等９１
は、非結晶であり、膜密度が他のＰＶＤ法によるものと
比較して低いものとなる。このため、これによる有機Ｅ
Ｌ素子では、使用中に発生する熱によりｐ層等内で粒子
９１ａが結晶化して凝集を生じることから、ｐ層等９１
が収縮して隣接する電極層等９０から剥離する。このた
め、有機ＥＬ素子にダークスポット９２を生じることと
なる。
【０００５】本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされ
たものであって、真空蒸着法によるメリットを有しつ
つ、使用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に
優れた有機ＥＬ素子を製造することを解決課題としてい
る。
たものであって、真空蒸着法によるメリットを有しつ
つ、使用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に
優れた有機ＥＬ素子を製造することを解決課題としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ素子の
製造方法は、基板上に第１電極層とｐ層と発光層と第２
電極層とを順次形成するか、基板上に第１電極層と発光
層とｎ層と第２電極層とを順次形成するか、又は基板上
に第１電極層とｐ層と発光層とｎ層と第２電極層とを順
次形成するに際し、有機材料を用いて該ｐ層、該ｎ層又
は該発光層を真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を
得る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記真空蒸着時
には、前記基板を前記有機材料の融点の０．７〜０．９
倍の温度に加熱することを特徴とする。
製造方法は、基板上に第１電極層とｐ層と発光層と第２
電極層とを順次形成するか、基板上に第１電極層と発光
層とｎ層と第２電極層とを順次形成するか、又は基板上
に第１電極層とｐ層と発光層とｎ層と第２電極層とを順
次形成するに際し、有機材料を用いて該ｐ層、該ｎ層又
は該発光層を真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を
得る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記真空蒸着時
には、前記基板を前記有機材料の融点の０．７〜０．９
倍の温度に加熱することを特徴とする。
【０００７】この製造方法では、ｐ層等を真空蒸着法に
より形成する際、基板を加熱しているため、有機材料が
蒸着時に電極層等上で緻密化し、膜密度が向上する。こ
のため、これによる有機ＥＬ素子では、使用中に発生す
る熱によってもｐ層等内で粒子が凝集を生じにくく、ｐ
層等の収縮による電極層等からの剥離が抑制される。こ
のため、有機ＥＬ素子にダークスポットを生じにくく、
耐久性に優れたものとなる。
より形成する際、基板を加熱しているため、有機材料が
蒸着時に電極層等上で緻密化し、膜密度が向上する。こ
のため、これによる有機ＥＬ素子では、使用中に発生す
る熱によってもｐ層等内で粒子が凝集を生じにくく、ｐ
層等の収縮による電極層等からの剥離が抑制される。こ
のため、有機ＥＬ素子にダークスポットを生じにくく、
耐久性に優れたものとなる。
【０００８】したがって、本発明の製造方法によれば、
真空蒸着法による低コスト等のメリットを有しつつ、使
用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた
有機ＥＬ素子を製造することができる。基板の加熱温度
は有機材料の融点の０．７〜０．９倍である。加熱温度
が有機材料の融点の０．７倍未満では、有機材料の粒子
が電極層等上で移動しにくく、緻密化が進行しにくいと
考えられるからである。また、加熱温度が有機材料の融
点の０．９倍を超えると、有機材料が溶解又は分解して
ｐ層等としての活性を損なうことになると考えられるか
らである。
真空蒸着法による低コスト等のメリットを有しつつ、使
用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた
有機ＥＬ素子を製造することができる。基板の加熱温度
は有機材料の融点の０．７〜０．９倍である。加熱温度
が有機材料の融点の０．７倍未満では、有機材料の粒子
が電極層等上で移動しにくく、緻密化が進行しにくいと
考えられるからである。また、加熱温度が有機材料の融
点の０．９倍を超えると、有機材料が溶解又は分解して
ｐ層等としての活性を損なうことになると考えられるか
らである。
【０００９】なお、基板、第１電極層、有機材料、第２
電極層としては、特開平６−６０９８３号公報等に記載
の従来の材料を用いることができる。また、本発明に係
る有機ＥＬ素子は、基板上に第１電極層とｐ層と発光層
と第２電極層とを順次形成したもの、基板上に第１電極
層と発光層とｎ層と第２電極層とを順次形成したもの、
又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層とｎ層と第２電
極層とを順次形成したもののいづれにも適用可能であ
る。
電極層としては、特開平６−６０９８３号公報等に記載
の従来の材料を用いることができる。また、本発明に係
る有機ＥＬ素子は、基板上に第１電極層とｐ層と発光層
と第２電極層とを順次形成したもの、基板上に第１電極
層と発光層とｎ層と第２電極層とを順次形成したもの、
又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層とｎ層と第２電
極層とを順次形成したもののいづれにも適用可能であ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施例
を比較例とともに図面を参照しつつ説明する。
を比較例とともに図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
【実施例】まず、図１に示すように、透明ガラス基板１
を図示しない金属マスクとともに真空蒸着装置の真空チ
ャンバ２内に取り付ける。ここで、真空チャンバ２内で
は、図２に詳細に示すように、透明ガラス基板１の上方
に外部の図示しない制御装置に接続された制御用熱電対
５が設けられ、制御用熱電対５の上方には外部の図示し
ない電源に接続されたヒータ線６が設けられている。ま
た、透明ガラス基板１の下面にＩＴＯからなる第１電極
層４がパターン形成されている。
を図示しない金属マスクとともに真空蒸着装置の真空チ
ャンバ２内に取り付ける。ここで、真空チャンバ２内で
は、図２に詳細に示すように、透明ガラス基板１の上方
に外部の図示しない制御装置に接続された制御用熱電対
５が設けられ、制御用熱電対５の上方には外部の図示し
ない電源に接続されたヒータ線６が設けられている。ま
た、透明ガラス基板１の下面にＩＴＯからなる第１電極
層４がパターン形成されている。
【００１２】次いで、第１電極層４の下面に他の金属マ
スク７を取り付け、ポンプＰで１０ -7Ｐａまで真空引き
した後、制御用熱電対５で温度を検知しつつヒータ線６
により、第１電極層４をもつ透明ガラス基板１を２００
°Ｃに加熱する。そして、蒸着源ルツボ３内のＴＰＴＥ
（トリフェニルアミン−４量体）を真空蒸着法により第
１電極層４の下面に成膜する。この際、真空引きと同時
に加熱を行ってもよい。図示しない水晶振動子による膜
厚計測装置の表示が１０００Åになれば、ＴＰＴＥの蒸
着を止める。これにより、第１電極層４の下面にＴＰＴ
Ｅからなるｐ層がパターン形成される。
スク７を取り付け、ポンプＰで１０ -7Ｐａまで真空引き
した後、制御用熱電対５で温度を検知しつつヒータ線６
により、第１電極層４をもつ透明ガラス基板１を２００
°Ｃに加熱する。そして、蒸着源ルツボ３内のＴＰＴＥ
（トリフェニルアミン−４量体）を真空蒸着法により第
１電極層４の下面に成膜する。この際、真空引きと同時
に加熱を行ってもよい。図示しない水晶振動子による膜
厚計測装置の表示が１０００Åになれば、ＴＰＴＥの蒸
着を止める。これにより、第１電極層４の下面にＴＰＴ
Ｅからなるｐ層がパターン形成される。
【００１３】引き続き、蒸着源ルツボ３内のＡｌｑ（ア
ルシキノリノール錯体）を真空蒸着法によりｐ層の下面
に成膜する。この際も、真空引きと同時に加熱を行って
もよい。上記膜厚計測装置の表示が１０００Åになれ
ば、Ａｌｑの蒸着を止める。また、ヒータ線６による加
熱も止める。これにより、ｐ層の下面にＡｌｑからなる
発光層がパターン形成される。
ルシキノリノール錯体）を真空蒸着法によりｐ層の下面
に成膜する。この際も、真空引きと同時に加熱を行って
もよい。上記膜厚計測装置の表示が１０００Åになれ
ば、Ａｌｑの蒸着を止める。また、ヒータ線６による加
熱も止める。これにより、ｐ層の下面にＡｌｑからなる
発光層がパターン形成される。
【００１４】そして、通常の条件の下、蒸着源ルツボ３
内のＭｇ及びＡｇの混合物を真空蒸着法によりｐ層の下
面に２００Å成膜した後、蒸着源ルツボ３内のＡｇを真
空蒸着法によりＭｇ・Ａｇ層の下面に１０００Å成膜す
る。これにより、ｐ層の下面にＭｇ・Ａｇ及びＡｇから
なる第２電極層がパターン形成される。こうして、実施
例の有機ＥＬ素子を得る。この有機ＥＬ素子に電極リー
ドを取り付け、実施例の有機ＥＬデバイスとする。
内のＭｇ及びＡｇの混合物を真空蒸着法によりｐ層の下
面に２００Å成膜した後、蒸着源ルツボ３内のＡｇを真
空蒸着法によりＭｇ・Ａｇ層の下面に１０００Å成膜す
る。これにより、ｐ層の下面にＭｇ・Ａｇ及びＡｇから
なる第２電極層がパターン形成される。こうして、実施
例の有機ＥＬ素子を得る。この有機ＥＬ素子に電極リー
ドを取り付け、実施例の有機ＥＬデバイスとする。
【００１５】
【比較例】他方、比較例の有機ＥＬ素子として、ｐ層及
び発光層の真空蒸着中にヒータ線６により加熱をしなか
ったものを得る。他の条件は実施例と同一である。この
有機ＥＬ素子に電極リードを取り付け、比較例の有機Ｅ
Ｌデバイスとする。
び発光層の真空蒸着中にヒータ線６により加熱をしなか
ったものを得る。他の条件は実施例と同一である。この
有機ＥＬ素子に電極リードを取り付け、比較例の有機Ｅ
Ｌデバイスとする。
【００１６】
【評価】実施例の有機ＥＬデバイス（ｎ=３）及び比較
例の有機ＥＬデバイス（ｎ=３）を発光させ、耐久試験
を行った。耐久条件は１００００ｃｄ／ｍ2であり、ダ
ークスポットが発生するまでの時間を測定した。結果を
表１に示す。
例の有機ＥＬデバイス（ｎ=３）を発光させ、耐久試験
を行った。耐久条件は１００００ｃｄ／ｍ2であり、ダ
ークスポットが発生するまでの時間を測定した。結果を
表１に示す。
【００１７】
【表１】 表１より、実施例の有機ＥＬデバイスは、比較例の有機
ＥＬデバイスと比較して、ダークスポットを生じにくい
ために耐久性に優れ、かつバラツキの少ないものである
ことがわかる。
ＥＬデバイスと比較して、ダークスポットを生じにくい
ために耐久性に優れ、かつバラツキの少ないものである
ことがわかる。
【００１８】したがって、実施例の製造方法によれば、
真空蒸着法による低コスト等のメリットを有しつつ、使
用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた
有機ＥＬ素子を製造できることがわかる。なお、上記実
施例では、基板上に第１電極層とｐ層と発光層と第２電
極層とを順次形成した有機ＥＬ素子を製造したが、基板
上に第１電極層と発光層とｎ層と第２電極層とを順次形
成したもの、又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層と
ｎ層と第２電極層とを順次形成したものにおいても同様
の作用及び効果を奏し得る。また、基板、第１電極層、
有機材料、第２電極層としては他の公知の材料を用いる
こともできる。
真空蒸着法による低コスト等のメリットを有しつつ、使
用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた
有機ＥＬ素子を製造できることがわかる。なお、上記実
施例では、基板上に第１電極層とｐ層と発光層と第２電
極層とを順次形成した有機ＥＬ素子を製造したが、基板
上に第１電極層と発光層とｎ層と第２電極層とを順次形
成したもの、又は基板上に第１電極層とｐ層と発光層と
ｎ層と第２電極層とを順次形成したものにおいても同様
の作用及び効果を奏し得る。また、基板、第１電極層、
有機材料、第２電極層としては他の公知の材料を用いる
こともできる。
【図１】実施例の製造方法に係り、真空チャンバ等の模
式断面図である。
式断面図である。
【図２】実施例の製造方法に係り、透明ガラス基板等の
模式拡大断面図である。
模式拡大断面図である。
【図３】従来の製造方法によるｐ層等の模式拡大断面図
である。
である。
１…基板（透明ガラス基板） ４…第１電極層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第１電極層とｐ層と発光層と第２
電極層とを順次形成するか、基板上に第１電極層と発光
層とｎ層と第２電極層とを順次形成するか、又は基板上
に第１電極層とｐ層と発光層とｎ層と第２電極層とを順
次形成するに際し、有機材料を用いて該ｐ層、該ｎ層又
は該発光層を真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を
得る有機ＥＬ素子の製造方法であって、 前記真空蒸着時には、前記基板を前記有機材料の融点の
０．７〜０．９倍の温度に加熱することを特徴とする有
機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9085297A JPH10284248A (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9085297A JPH10284248A (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284248A true JPH10284248A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13854662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9085297A Pending JPH10284248A (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284248A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007020718A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007053044A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007059687A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007059243A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007059244A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007110097A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 |
| JP2007234934A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2010123512A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| KR20170113125A (ko) | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 제이엔씨 주식회사 | 자기 조직화 가능한 다환식 방향족 화합물 및 이를 사용한 유기 el 소자 |
| KR20180000284A (ko) | 2016-06-22 | 2018-01-02 | 제이엔씨 주식회사 | 자기 조직화 가능한 다환식 방향족 화합물 및 이를 사용한 유기 el 소자 |
-
1997
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