WO2007020718A1

WO2007020718A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Info

Publication number: WO2007020718A1
Application number: PCT/JP2006/301042
Authority: WO
Inventors: Shuichi Sugita; Hiroshi Kita; Shunichi Iwamaru
Original assignee: Konica Minolta Holdings, Inc.
Priority date: 2005-08-18
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2007-02-22
Also published as: CN101243561B; JPWO2007020718A1; GB2442685A; GB2442685B; GB0802547D0; CN101243561A; US20090033213A1; US9130183B2

Abstract

　基板上に電極と少なくとも１層以上の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層の膜密度が１．１０～１．２５ｇ／ｃｍ3であることを特徴とする。良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、さらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置が提供できる。

Description

明細書

有機エレクト口ルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

技術分野

[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び該有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いた表示装置、照明装置に関する。

背景技術

[0002] 従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクト口ルミネッセンスディスプレィ（ELD)がある。 ELDの構成要素としては、無機エレクト口ルミネッセンス素子や有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、有機 EL素子ともいう）が挙げられる。

[0003] 有機 EL素子は発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子 (エキシトン )を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光 ·燐光)を利用して発光する素子であり、数 V〜数十 V程度の電圧で発光が可能であり、さらに自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高ぐ薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点力注目されている。

[0004] 近年プリンストン大より、励起三重項からの燐光発光を用いる有機 EL素子の報告（非特許文献 1参照）がされ、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献 2及び特許文献 1参照)。励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が 100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が 4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討力されている (例えば、非特許文献 3参照)。

[0005] 現在、この燐光発光を用いた有機 EL素子のさらなる発光の高効率化、長寿命化が検討されている（例えば、特許文献 2及び特許文献 3参照)。緑色発光については理論限界である 20%近くの外部取り出し効率が達成されているものの、その他の色の発光についてはまだ十分な効率が得られておらず改良が必要であった。特に青色発光で高効率に発光する素子が求められており、よりバンドギャップの大きな化合物が望まれていた。

[0006] 一方、有機発光素子において高輝度発光を実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層している素子である力製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点から塗布方式による素子作製も開示されている (例えば、特許文献 4参照)。

[0007] し力しながら、従来の有機 EL素子は、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットの発生についての改良、さらに高温、高湿下での経時安定性についての改良が望まれている。また、発光輝度のさらなる改良も望まれている。

特許文献 1 :米国特許第 6, 097, 147号明細書

特許文献 2 :特開 2002— 100476号公報

特許文献 3：特開 2002— 117978号公報

特許文献 4 :特開 2002— 299061号公報

非特許文献 1 : M. A. Baldo et al. , nature, 395卷、 151— 154ページ（1998 年）

非特許文献 2 : M. A. Baldo et al. , nature, 403卷、 17号、 750— 753ページ（ 2000年）

非特許文献 3 : S. Lamansky et al. , J. Am. Chem. Soc. , 123卷、 4304ぺージ（2001年）

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なぐさらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機 EL素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することである。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明の上記課題は、以下の構成により達成された。

[0010] 1.基板上に電極と少なくとも 1層以上の有機層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 10〜： L 25gZcm³であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。 [0011] 2.前記有機層の少なくとも 1層はドーパントを含有する発光層であり、該発光層は

2. 5〜3. 8eVのバンドギャップを有するホストイ匕合物を含有することを特徴とする前記 1に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0012] 3.前記ドーパントが燐光性ィヒ合物であり、前記発光層が 2. 9〜3. 8eVのバンドギヤップを有するホストイ匕合物を含有することを特徴とする前記 1または 2に記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子。

[0013] 4.前記ホスト化合物のバンドギャップが 3. 45〜3. 65eVであることを特徴とする前記 2または 3に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0014] 5.前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 20〜： L 25gZcm³であることを特徴とする前記 1〜4のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0015] 6.前記ホストイ匕合物の分子量力 00〜2000であることを特徴とする前記 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0016] 7.前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 10〜： L 15gZcm³であることを特徴とする前記 1〜4のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0017] 8.前記ホストイ匕合物の分子量が 5000〜1000000であることを特徴とする前記 7に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0018] 9.前記有機層は有機溶媒を 10— ²〜10³ppm含有することを特徴とする前記 1〜8のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0019] 10.前記基板がガスバリア層を有することを特徴とする前記 1〜9のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[0020] 11.発光が赤色であることを特徴とする前記 1〜： LOのいずれか 1項に記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子。

[0021] 12.発光が緑色であることを特徴とする前記 1〜： LOのいずれか 1項に記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子。

[0022] 13.発光が青色であることを特徴とする前記 1〜： LOのいずれか 1項に記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子。

[0023] 14.発光が白色であることを特徴とする前記 1〜： LOのいずれか 1項に記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子 _n [0024] 15.前記 1〜14のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。

[0025] 16.前記 1〜14のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。

[0026] 17.前記 16に記載の照明装置と表示手段としての液晶素子を有することを特徴とする表示装置。

発明の効果

[0027] 本発明によれば、良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なぐさらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機 EL素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

[0028] [図 1]本発明に係る透明ガスノリアフィルムの層構成とその密度プロファイルの一例を示す模式図である。

[図 2]本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。

[図 3]有機 EL素子 1— 1の吐出及び成膜工程を示す図である。

[図 4]アクティブマトリックス方式フルカラー表示装置を示す図である。

[図 5]フルカラー表示装置の表示部 Aの模式図である。

符号の説明

[0029] 1 ディスプレイ

3 画素

5 走査線

6 データ線

10 インクジェット式ヘッド

21 ガスバリア層

22 基材

23 密着膜

24 セラミック膜 30 プラズマ放電処理室

35 ロール電極

36 電極

41、 42 電源

51 ガス供給装置

55 電極冷却ユニット

100 ITO基板

111 正孔輸送層

112 電子輸送層

113 陰極

114 ガスノリア膜

A 表示部

B 制御部

D 液滴

発明を実施するための最良の形態

[0030] 本発明者は、基板上に電極と少なくとも 1層以上の有機層を有する有機 EL素子において、前記有機層の少なくとも一層の膜密度を 1. 10〜： L 25gZcm³とすることにより、良好な発光輝度を示し、かつ、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なぐかつ、高温、高湿下での経時安定性が高い有機 EL素子が得られることを見出した。

[0031] 以下、本発明の各構成要件について詳細に説明する。

[0032] (膜密度）

本発明の膜密度の測定方法について説明する。

[0033] 本発明の膜密度は X線反射率測定法により求めることができる。極低角度、例えば、 0. 2度から 2度の範囲の反射率を測定し、得られた反射率曲線をフレネルの式より求められる多層膜試料の反射率の式にフィッティングすることにより求められる。フイツティングの方法については、 L. G. Parratt, Phis. Rev. , 95, 359 (1954年）を参考にすることができる。

[0034] 具体的には、 X線発生源は銅をターゲットとし、 50kV— 300mAで作動させる。多層膜ミラーと Ge (111)チャンネルカットモノクロメーターにて単色化した X線を使用する。測定は、ソフトウェアー ATX— Crystal Guide Ver. 6. 5. 3. 4を用い、半割、ァライメント調整後、 2 0 Ζ ω =0度から 1度を 0. 002度 Zstepで 0. 05度 Zmin.で走査する。上記の測定条件で反射率曲線を測定した後、株式会社リガク製 GXRR Ver. 2. 1. 0. 0解析ソフトウェアーを用いて求めることができる。

[0035] 本発明に係る有機層の少なくとも一層の膜密度は 1. 10〜： L 25g/cm³であり、これにより定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポット、及び高温、高湿下での経時安定性が改良される。膜密度は 1. 20-1. 25g/cm³または 1. 10〜： L 15g/c m³がより好ましい。

[0036] (バンドギャップ）

本発明で言うバンドギャップとは化合物のイオン化ポテンシャルと電子親和力の差である。イオン化ポテンシャルは化合物の HOMO (最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、電子親和力は、真空準位にある電子が物質の LUMO (最低空分子軌道)レベルに落ちて安定化するエネルギーで定義される。

[0037] 本発明では、バンドギャップは有機化合物をガラス上に lOOnm蒸着したときの蒸着膜の吸収スペクトルを測定し、その吸収端の波長 Ynmを XeVに換算して求める。この時に以下の換算式を使用する。

[0038] Y= 10V (8065. 541 XX)

具体的には、理研計器社製低エネルギー電子分光装置「Model AC— 1」により測定した値とした。

[0039] (有機溶媒含有量）

次に、有機溶媒含有量の測定方法について説明する。

[0040] 本発明に係る有機層中に残留してヽる有機溶媒は、パージ &トラップサンプラーを取り付けたガスクロマトグラフィー質量分析法 (PT— GCZMS)で測定することができる。具体的には 10cm X 10cm四方の有機 EL素子を作製し、ガス回収用のチャンバ一と有機ガス吸着管 (TENAX GR)に残留有機溶媒を吸着させ、測定を行うことができる。溶媒濃度は濃度既知の基準試料を用いて作成した検量線より求める。

[0041] 本発明に係る有機層は有機溶媒を 10— ²〜10³ppm含有することが好ましい。好ましくは有機溶媒を 0. 1〜： LOOppm含有し、これにより定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポット、及び高温、高湿下での経時安定性のより一層の改良効果を有する。

[0042] 本発明に用いられる有機溶媒として特に制限はないが、例えば、アルコール類 (メタノール、エタノール等）、カルボン酸エステル類（酢酸ェチル、酢酸プロピル等）、二トリル類 (ァセトニトリル等）、エーテル類 (イソプロピルエーテル、 THF等）、芳香族炭化水素類（シクロへキシルベンゼン、トルエン、キシレン等）、ハロゲン化アルキル類（塩化メチレン等）、飽和炭化水素類等 (ヘプタン等）が挙げられる。この中で好ましいものはカルボン酸エステル類、二トリル類、エーテル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化アルキル類、飽和炭化水素類であり、さらに好ましくはカルボン酸エステル類、ェ一テル類、芳香族炭化水素類である。

[0043] 本発明に用いられる有機溶媒の沸点は 200°C以下が好ましぐさらに好ましくは 15 0°C以下である。

[0044] 本発明に係る有機層は蒸着法、塗布法で形成されるが、塗布法につ、ては、スピンコート、ディップコート、ロールコート、バーコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ォフセット印刷、インクジェット法であり、好ましくはインクジェット法である。

[0045] (ホスト化合物）

次に、本発明で用いられるホストイ匕合物について説明する。

[0046] 本発明においてホストィヒ合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温（25°C

)においてリン光発光のリン光量子収率が、 0. 01未満の化合物と定義される。

[0047] 本発明で用いられるホストイ匕合物としては、バンドギャップが 2. 5〜3. 8eVであること力子ましヽ。より好ましくは 2. 9〜3. 8eVであり、さらに好ましくは 3. 45〜3. 65eV であり、これにより発光輝度がより一層改良される。

[0048] 本発明で用いられるホストイ匕合物としては、例えば力ルバゾール誘導体、ァザカルバゾール誘導体、トリァゾール誘導体、ォキサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フエ二レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、フエナント口リン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、有機金属化合物、ァリールメタン誘導体等が挙げられる。

[0049] これらのうちで、さらに好ましいものとしては下記一般式（1)〜（5)で表される化合物である。 ? h NLII 1

[0050] [化 1] 一般

[0051] 式中、 R〜Rは置換基を表す。 nl及び n2は 0〜3の整数を表す。 A及び Aは下

1 4 1 2 記一般式 (2)で表される化合物を表す。

[0052] [化 2] 一般式 (2)

[0053] 式中、 Z及び Zは置換基を有してもよい芳香族複素環または芳香族炭化水素環を

1 2

表し、 Zは 2価の連結基または単なる結合手を表す。 Lは 2価の連結基または単なる

3 1

結合手を表す。

[0054] [化 3] 一般式 (3)

(R，1>n11

リ ·Α₁₂

[0055] 式中、 R は置換基を表す。 ni lは 0〜4の整数を表す。 A 及び A は前記一般式 ( 2)で表される化合物を表す。

[0056] [化 4] 般式 (4>

《d

[0057] 式中、 R 、R は置換基を表す。 n21及び n22は 0〜3の整数を表す。 A 及び A

21 22 21 22 は上記一般式（2)で表される化合物を表す。 Lは 2価の連結基を表す。

[0058] 一般式（1)、（2)及び (4)のうちでさらに好ましいものは、一般式（2)の Z及び Zが

1 2 芳香族炭化水素のときである。

[0059] [化 5] 一般式 (5>

[0060] 式中、 A 及び A は置換基を表す。 n31及び n32は 0〜3の整数を表す。 Yは酸素

31 32

原子、ィォゥ原子、イミノ基、スルホキシド基またはスルホ二ル基を表す。 R 及び R

31 32 は一般式 (2)で表される化合物を表す。

[0061] 前記一般式（1)、（3)、（4)及び（5)において、 R〜R、R 、R 〜R 、R 及び R

1 4 11 21 24 31 32 で表される置換基としては、例えば、アルキル基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜12、特に好ましくは炭素数 1〜8であり、例えば、メチル、ェチル、 is o—プロピル、 tert—ブチル、 n—ォクチル、 n—デシル、 n—へキサデシル、シクロプ口ピル、シクロペンチル、シクロへキシル等）、ァルケ-ル基（好ましくは炭素数 2〜20 、より好ましくは炭素数 2〜12、特に好ましくは炭素数 2〜8であり、例えば、ビニル、ァリル、 2—ブテュル、 3—ペンテ-ル等）、アルキ-ル基 (好ましくは炭素数 2〜20、より好ましくは炭素数 2〜12、特に好ましくは炭素数 2〜8であり、例えば、プロパルギル、 3—ペンチ-ル等）、ァリール基 (好ましくは炭素数 6〜30、より好ましくは炭素数 6〜20、特に好ましくは炭素数 6〜 12であり、例えば、フエ-ル、 p—メチルフエ-ル、ナフチル等）、アミノ基 (好ましくは炭素数 0〜20、より好ましくは炭素数 0〜10、特に好ましくは炭素数 0〜6であり、例えば、アミ入メチルアミ入ジメチルアミ入ジェチルアミ入ジベンジルァミノ等）、アルコキシ基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜12、特に好ましくは炭素数 1〜8であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等）、ァリールォキシ基 (好ましくは炭素数 6〜20、より好ましくは炭素数 6〜16、特に好ましくは炭素数 6〜 12であり、例えば、フエニルォキシ、 2—ナフチルォキシ等）、ァシル基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、ァセチル、ベンゾィル、ホルミル、ビバロイル等）、アルコキシカルボニル基 (好ましくは炭素数 2〜20、より好ましくは炭素数 2〜16、特に好ましくは炭素数 2〜 12であり、例えば、メトキシカルボ-ル、エトキシカルボ-ル等）、ァリールォキシカルボニル基 (好ましくは炭素数 7〜20、より好ましくは炭素数 7〜16、特に好ましくは炭素数 7〜10であり、例えば、フエニルォキシカルボニル等）、ァシルォキシ基 (好ましくは炭素数 2〜20、より好ましくは炭素数 2〜16、特に好ましくは炭素数 2〜10であり、例えば、ァセトキシ、ベンゾィルォキシ等）、ァシルァミノ基 (好ましくは炭素数 2〜20、より好ましくは炭素数 2〜16、特に好ましくは炭素数 2〜： LOであり、例えば、ァセチルアミ入ベンゾィルァミノ等）、アルコキシカルボ-ルァミノ基 (好ましくは炭素数 2〜20、より好ましくは炭素数 2〜16、特に好ましくは炭素数 2〜 12であり、例えば、メトキシカルボニルァミノ等）、ァリールォキシカルボニルァミノ基 (好ましくは炭素数 7〜20、より好ましくは炭素数 7〜16、特に好ましくは炭素数 7〜 12であり、例えば、フエニルォキシカルボ-ルァミノ等）、スルホニルァミノ基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、メタンスルホ-ルアミ入ベンゼンスルホ -ルァミノ等）、スルファモイル基（好ましくは炭素数 0〜20、より好ましくは炭素数 0〜16、特に好ましくは炭素数 0〜 12であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フエニルスルファモイル等）、力ルバモイル基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜 16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、力ルバモイル、メチルカルバモイル、ジェチルカルバモイル、フエ-ルカルバモイル等）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、メチルチオ、ェチルチオ等）、ァリールチオ基 (好ましくは炭素数 6〜20、より好ましくは炭素数 6〜16、特に好ましくは炭素数 6〜 12であり、例えば、フエ二ルチオ等 )、スルホニル基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、メシル、トシル等）、スルフィエル基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、メタンスルフィエル、ベンゼンスルフィエル等）、ウレイド基 (好ましくは炭素数 1〜20 、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フエ-ルゥレイド等）、リン酸アミド基 (好ましくは炭素数 1〜20、より好ましくは炭素数 1〜16、特に好ましくは炭素数 1〜12であり、例えば、ジェチルリン酸アミド、フエ-ルリン酸アミド等）、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子 (例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シァノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基 (ヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む、好ましくは炭素数 1〜30、より好ましくは炭素数 1〜20の、例えば、イミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ等）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。

[0062] これらのうち好まし!/、ものはアルキル基及びァリール基である。

[0063] 一般式（2)及び (4)にお、て、 L及び Lで表される 2価の連結基としては、アルキレ

1

ン、ァルケ-レン、アルキ-レン、ァリーレン等の炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含むものであってもよぐまた、チォフェン 2, 5 ジィル基や、ピラジン 2, 3 ジィル基のような芳香族複素環を有する化合物 (ヘテロ芳香族化合物ともいう）に由来する 2価の連結基であってもよいし、酸素や硫黄等のカルコゲン原子であってもよい。また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジィル基ゃジァリールゲルマンジィル基のような、ヘテロ原子を会して連結する基でもよい。

[0064] 本発明で用いられるホストイ匕合物としては、低分子化合物、高分子化合物いずれも使用することが可能である。低分子化合物では、分子量力 00〜2000であることが好ましい。 [0065] 低分子化合物では、有機層の少なくとも 1層の膜面密度が 1. 20〜： L 25g/cm³ であり、分子量力 00〜2000であることがより一層好ましぐこれにより、さらに定電流駆動したときの電圧上昇及び高温、高湿下での経時安定性の改良効果を有する。

[0066] 高分子化合物とは重合性基を少なくとも一つ有する化合物 (重合性化合物）が重合したものであり、重合性基としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、ォキセタン基、ィソシァネート基、チォイソシァネート基等が挙げられる。これらのうちで好ましいものはビュル基である。本発明に係る前記一般式（1)〜（5)で表される有機化合物はこれらの重合性基を分子内の、ずれかの位置に有してもょ、。

[0067] 重合性ィ匕合物の重合反応について説明する。重合が形成される時期として、あら力じめ重合した高分子を用いてもよいし、また素子作製前の溶液中でも、素子作製時でも重合してよい。また素子作製後に結合を形成してもよい。重合反応を起こす場合、外部力のエネルギー (熱 *光'超音波等)供給を行ってもよいし、重合開始剤、酸触媒または塩基触媒を添加し反応を起こしてもよヽ。あるいは本発明に係る化合物を発光素子に含有した時に重合反応を起こす場合、発光素子の駆動時に供給される電流や発生する光や熱によって反応が起こってもよい。また、 2つ以上の重合性化合物を重合させ、共重合体を形成してもよい。

[0068] 重合した高分子化合物の分子量は 5000〜 1000000 (重量平均分子量）が好ましぐより好まし <は 5000〜200000である。

[0069] また膜面密度が 1. 10〜： L 15gZcm³であり、分子量力 000〜 1000000であることがより一層好ましぐこれにより、さらに定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポット、及び高温、高湿下での経時安定性の改良効果を有する。

[0070] ラジカル重合開始剤としては、例えば、 2, 2' —ァゾビスブチ口-トリル、 2, 2' - ァゾビスシクロへキサンカルボ二トリル、 1, 1' ーァゾビス（シクロへキサン一 1 カルボ-トリル）、 2, 2' —ァゾビス（2—メチルブチ口-トリル）、 2, 2' —ァゾビス（2, 4— ジメチルバレ口-トリル）、 2, 2' —ァゾビス（4—メトキシ一 2, 4 ジメチルバレ口-トリル）、 4, 4' ーァゾビス（4ーシァノ吉草酸）、 2, 2' ーァゾビスイソ酪酸ジメチル、 2 , 2' ァゾビス（2—メチルプロピオンアミドキシム）、 2, 2' —ァゾビス（2—（2—イミダゾリン一 2—ィル）プロパン）、 2, 2' —ァゾビス（2, 4, 4 トリメチルペンタン）等のァゾ系開始剤、過酸化べンゾィル、過酸化ジー tーブチル、 tーブチルヒドロペルォキシド、タメンヒドロペルォキシド等の過酸ィ匕物系開始剤、ジエトキシァセトフエノン、 2— ヒドロキシー 2—メチルー 1 フエニルプロパン 1 オン、ベンジルジメチルケタール、ベンジル一 β—メトキシェチルァセタール、 1— (4—イソプロピルフエ-ル） 2 ヒドロキシ一 2—メチルプロパン一 1—オン、 4— (2 ヒドロキシエトキシ）フエ-ルー（2 —ヒドロキシ一 2 プロピル）ケトン、 1—ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、 4— フエノキシジクロロアセトフエノン、 4—tーブチルジクロロアセトフエノン、 4—tーブチルトリクロロアセトフエノン、 1— (4—ドデシルフェ -ル） 2—ヒドロキシ一 2—メチルプ口パン— 1—オン等の芳香族カルボニル系開始剤等が挙げられる。また、テトラエチルチイラムジスルフイド等のジスルフイド系開始剤、 2, 2, 6, 6—テトラメチルピベリジン— 1—ォキシル等の-トロキシル開始剤、 4, 4' —ジ— t—ブチル—2, 2' —ビピリジン銅錯体—トリクロ口酢酸メチル複合体等のリビングラジカル重合開始剤を用いることちでさる。

[0071] 酸触媒としては、活性白土、酸性白土等の白土類、硫酸、塩酸等の鉱酸類、 p トルエンスルホン酸、トリフルォロ酢酸等の有機酸、塩ィ匕アルミニウム、塩化第二鉄、塩化第二スズ、三塩ィ匕チタン、四塩化チタン、三フッ化硼素、フッ化水素、三臭化硼素、臭化アルミニウム、塩ィ匕ガリウム、臭化ガリウム等のルイス酸、さらに固体酸、例えば、ゼォライト、シリカ、アルミナ、シリカ 'アルミナ、カチオン交換榭脂、ヘテロポリ酸 (例えば、リンタングステン酸、リンモリブデン酸、ケィタングステン酸、ケィモリブデン酸）等各種のものが使用できる。

[0072] 塩基性触媒としては、 Li CO、 Na CO、 K CO等のアルカリ金属炭酸塩、 BaCO

2 3 2 3 2 3 3

、 CaCO等のアルカリ土類金属炭酸塩、 Li 0、 Na 0、 K O等のアルカリ金属酸化物

3 2 2 2

、 BaO、 CaO等のアルカリ土類金属酸化物、 Na、 K等のアルカリ金属、水酸化ナトリゥム、水酸ィ匕カリウム等のアルカリ金属水酸ィ匕物、あるいはナトリウム、カリウム、ルビジゥム、セシウム等のアルコキシド等を挙げることができる。

[0073] 以下に本発明に好ましく用いられるホストイ匕合物の具体的な例を挙げる力本発明はこれらに限定されるものではない。

[0074] [化 6]

[szoo]

8Ϊ .0Ζ0/.00Ζ OAV [ ] [9 00]

91- 8Ϊ .0Ζ0/.00Ζ OAV

[6^ ] [ZZOO]

[Οΐ^ ] [8Ζ00]

81· 8Ϊ .0Ζ0/.00Ζ OAV [0080] (ドーパント）

次に本発明に用いられるドーパントについて説明する。

[0081] 本発明に用いられるドーパントは蛍光化合物または燐光性ィ匕合物であり、特に燐光化合物が好ましい。

[0082] 本発明における燐光性ィ匕合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、燐光量子収率が 25°Cにおいて 0. 001以上の化合物である。燐光量子収率は好ましくは 0. 01以上、さらに好ましくは 0. 1以上である。上記燐光量子収率は、第 4 版実験化学講座 7の分光 IIの 398頁（1992年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できる力本発明に用いられる燐光性ィ匕合物は、任意の溶媒の何れかにお、て上記燐光量子収率が達成されればよい。

[0083] 本発明で用いられる燐光性ィ匕合物としては、好ましくは元素の周期表で VIII属の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）であり、中でも最も好ましいのはイリジゥム化合物である。

[0084] 以下に、本発明に用いられる燐光性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、 Inorg. Chem. 40卷、 1704〜1711 に記載の方法等により合成できる。なお含有する蛍光性化合物及び燐光性化合物は、重合性基または反応性基を有して!/、ても、なくてもょ、。

[0085] [化 12]

[0086] [化 13]

^ [ 8oo]

[3ΐ^ ] [8800]

ει. JI

ひ 0丽 900Zdf/ェ:) d zz 8Ϊ.0Ζ0/.00Ζ OAV

ひ 0丽 900Zdf/ェ:) d D -5 D -6

[0090] 本発明で用いられる燐光性化合物は、他の燐光性化合物または蛍光性化合物と併用してちょい。

[0091] 本発明で用いられる蛍光性ィ匕合物とは、蛍光化合物を含有することにより、含有しない場合と異なる極大発光波長の蛍光発光が得られる化合物であり、好ましいものは溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで蛍光量子収率は 10%以上、特に 30%以上が好ましい。具体的な蛍光性ィ匕合物は例えばクマリン系色素、アントラセン系色素、ピラン系色素、シァニン系色素、クロコニゥム系色素、スクァリウム系色素、ォキソベンツアントラセン系色素、フルォレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチォフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。ここでの蛍光量子収率は、第 4版実験化学講座 7の分光 IIの 362頁（1992年版、丸善）に記載の方法により測定することができる。

[0092] 以下に本発明に関わる蛍光化合物の具体例を示すが本発明はこれらに限定されない。

[0093] [化 17]

[0094] 《有機 EL素子の層構成》

本発明の有機 EL素子の層構成について説明する。

[0095] 本発明の有機 EL素子は、基板上に電極（陰極と陽極)と少なくとも 1層以上の有機層を有し、有機層の少なくとも 1層はドーパントを含有する発光層である。

[0096] 本発明に係る発光層は、広義の意味では陰極と陽極力なる電極に電流を流した際に発光する層のことであり、具体的には陰極と陽極力なる電極に電流を流した際に発光する化合物を含有する層のことを指す。

[0097] 本発明に係る有機層は、必要に応じ発光層の他に正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファ一層及び陰極バッファ一層等を有してもよぐ陰極と陽極で挟持された構造をとる。具体的には以下に示される構造が挙げられる。

[0098] (i)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z陰極

(ii)陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極

(iii)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極

(iv)陽極 Z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極

上記有機 EL素子を構成する、電極 (陽極及び陰極)間に挟持された複数層のうち、有機層は 2層以上であることが好ましぐさらに好ましくは 3層以上である。

[0099] 《発光層》

本発明の有機 EL素子の発光層には、ホストイ匕合物とリン光性ィ匕合物（リン光発光性化合物とも!ゝぅ）を含有する。

[0100] さらに、前述のホストイ匕合物や公知のホストイ匕合物を複数種併用して用いてもよい。

ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機 E L素子を高効率ィ匕することができる。また、リン光性ィ匕合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。

[0101] これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高 Tg (ガラス転移温度)である化合物が好ま、。ホストイ匕合物としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、例えば力ルバゾール誘導体、ァザカルバゾール誘導体、トリァゾール誘導体、ォキサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フエ-レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、フエナント口リン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、有機金属化合物、ァリールメタン誘導体等が挙げられる。

[0102] これらのうち、力ルバゾール誘導体、ァザカルバゾール誘導体を用いることが好ましい。

[0103] このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなぐ状況に応じて適宜選択することができる力 5ηπ！〜 5 μ mの範囲に調整することが好ましい。

[0104] 《正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層》

次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、発光層と組み合わせて有機 EL素子を構成するその他の層につヽて説明する。

[0105] 本発明に用いられる正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上発光層に陰極、電子注入層、または電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上する等発光性能の優れた素子となる。

[0106] 《正孔注入材料、正孔輸送材料》

この正孔注入層、正孔輸送層の材料 (以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という）については、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する性質を有するものであれば特に制限はなぐ従来、光導伝性材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや、有機 EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

[0107] 上記正孔注入材料、正孔輸送材料は正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の!/、ずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えば、トリァゾール誘導体、ォキサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾ口ン誘導体、フ二レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、ァミノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系共重合体、または導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられる。

[0108] 正孔注入材料、正孔輸送材料としては上記のものを使用することができる力ポルフィリン化合物、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物、特に芳香族第三級ァミン化合物を用いることが好まし、。

[0109] 上記芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N' , N' —テトラフエ-ル一 4, 4' —ジァミノフエ-ル； N, N' —ジフエ-ル一 N, N' —ビス（3—メチルフエ-ル）一〔1, 1' —ビフエ-ル〕一 4, 4' —ジァミン（T PD) ; 2, 2 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル）プロパン； 1, 1—ビス（4 ジ一 p —トリルァミノフエニル）シクロへキサン； N, N, N' , N' —テトラ一 p トリル一 4, 4 ' -ジアミノビフエ-ル； 1 , 1 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル） 4 フエ-ルシクロへキサン；ビス（4 -ジメチルァミノ 2 メチルフエ-ル）フエニルメタン；ビス（4 —ジ一 p トリルァミノフエ-ル）フエ-ルメタン； N, N' —ジフエ-ル一 N, N' —ジ（ 4—メトキシフエ-ル）一 4, 4' —ジアミノビフエニル； N, N, N' , N' —テトラフエ二ルー 4, 4' —ジアミノジフエ-ルエーテル； 4, 4' —ビス（ジフエ-ルァミノ）クオードリフエ-ル； N, N, N トリ（p トリル）ァミン； 4— (ジ— p トリルァミノ）— 4' —〔4— (ジ— p トリルァミノ）スチリル〕スチルベン； 4— N, N ジフエ-ルァミノ—（2 ジフェ-ルビ-ル）ベンゼン； 3—メトキシ— 4' — N, N ジフエ-ルアミノスチルベンゼン； N フエ-ルカルバゾール、さらに米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、 4, 4' ビス〔N—（1ーナフチル） N フ -ルァミノ〕ビフヱ-ル（α— NPD)、特開平 4 308688号公報に記載されて、るトリフエ-ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4 ' , " —トリス〔?^— (3—メチルフエ-ル）一 Ν—フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン（ MTDATA)等が挙げられる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

[0110] または ρ型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。この正孔注入層、正孔輸送層は上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる。 [0111] (正孔注入層の膜厚、正孔輸送層の膜厚）

正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、 5nm~5 μ m@ 度での範囲に調整することが好ましい。この正孔注入層、正孔輸送層は上記材料の一種または二以上からなる一層構造であってもよぐ同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよヽ。

[0112] 《電子輸送層、電子輸送材料》

本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよぐその材料としては従来公知の化合物の中力任意のものを選択して用いることができる。

[0113] この電子輸送層に用いられる材料 (以下、電子輸送材料という）の例としては、 -ト口置換フルオレン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チォピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルポジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ォキサジァゾール誘導体、有機金属錯体等が挙げられる。さらに上記ォキサジァゾール誘導体において、ォキサジァゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

[0114] または 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（8 キノリノール)アルミ- ゥム（Alq)、トリス（5, 7—ジクロロ一 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（5, 7—ジブロモ一 8 キノリノール）アルミニウム、トリス（2 メチル 8 -キノリノール）アルミ-ゥム、トリス（5—メチル 8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール）亜鉛（Zn q)等、及びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Gaまたは Pbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

[0115] その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、さらにはそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基等で置換されてヽるものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に n型一 Si、 n型一 SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

[0116] (電子輸送層の膜厚）

電子輸送層の膜厚は特に制限はないが、 5ηπι〜5 /ζ mの範囲に調整することが好ましい。この電子輸送層は、これらの電子輸送材料一種または二種以上力なる一層構造であってもよ、し、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

[0117] さらに本発明においては、陽極と発光層または正孔注入層の間、及び陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファ一層（電極界面層）を存在させてもよい。

[0118] ノッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日ェヌ 'ティ一'エス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」（123〜166頁）に詳細に記載されており、陽極バッファ一層と陰極バッファ一層とがある。

[0119] 陽極バッファ一層は特開平 9— 45479号、同 9— 260062号、同 8— 288069号の各公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される酸ィ匕物ノッファー層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン（ェメラルディン）やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる。

[0120] 陰極バッファ一層は特開平 6— 325871号、同 9 17574号、同 10— 74586号の各公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸ィ匕アルミニウム、酸化リチウムに代表される酸ィ匕物バッファ一層等が挙げられる

[0121] 上記バッファ一層はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるがその膜厚は 0.

1〜 1 OOnmの範囲が好まし!/、。

[0122] さらに上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよぐ例えば、特開平 11 204258号、同 11— 204359号の各公報、及び「有機 EL 素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日ェヌ'ティー'エス社発行)」の 237頁等に記載されて、る正孔阻止（ホールブロック)層等のような機能層を有して、てもよヽ

[0123] 本発明に係る有機層は塗布で形成するのが好ましい。塗布に際しては、スピンコート、ディップコート、ロールコート、バーコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット法であり、好ましくはインクジェット法である。

[0124] 《電極》

次に有機 EL素子の電極にっ、て説明する。有機 EL素子の電極は陰極と陽極からなる。この有機 EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキシド (ITO)、 SnO 、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。

2

[0125] 上記陽極は蒸着やスパッタリング等の方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ一法で所望の形状のパターンを形成してもよぐあるいはバターン精度をあまり必要としない場合（100 m以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよ、。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を 10%より大きくすることが望ましぐまたは陽極としてのシート抵抗は数百 ΩΖ口以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常 10nm〜l μ m、好ましくは 10〜200nmの範囲で選ばれる。

[0126] 一方、陰極としては仕事関数の小さ!/ヽ (4eV以下)金属 (電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム—カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物、マグネシゥム Zアルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸化アルミニウム (Al O )混合物、インジウム、リチウム

2 3 Zアルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で電子注入性及び酸ィ匕等に対する耐久性の点力、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物、マグネシゥム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (A1203)混合物、リチウム Zアルミニウム混合物等が好適である。

[0127] 上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。または陰極としてのシート抵抗は数百 Ω /口以下が好ましぐ膜厚は通常 10nm〜l μ m、好ましくは 50〜200nmの範囲で選ばれる。なお発光を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば、発光効率が向上するので好都合である。

[0128] 《基材》

本発明の有機 EL素子は、基材 (以下、基板、基体、支持体、フィルム等ともいう）上に形成される。

[0129] 本発明の有機 EL素子に用いることのできる基材としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなぐまた、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基材としては例えばガラス、石英、透明フィルムを挙げることができる。特に好ま、基材は、有機 EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な透明フィルムである。

[0130] 具体的にはエチレン、ポリプロピレン、ブテン等の単独重合体または共重合体、または共重合体等のポリオレフイン (PO)榭脂、環状ポリオレフイン等の非晶質ポリオレフィン榭脂（APO)、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレン 2, 6 ナフタレート（PEN)等のポリエステル系榭脂、ナイロン 6、ナイロン 12、共重合ナイロン等のポリアミド系（PA)榭脂、ポリビュルアルコール（PVA)榭脂、エチレンビュルアルコール共重合体 (EVOH)等のポリビュルアルコール系榭脂、ポリイミド (PI)榭脂、ポリエ一テルイミド (PEI)榭脂、ポリサルホン (PS)榭脂、ポリエーテルサルホン (PES)榭脂、ポリエーテルエーテルケトン (PEEK)榭脂、ポリカーボネート（PC)榭脂、ポリビ- ルブチラート（PVB)榭脂、ポリアリレート（PAR)榭脂、エチレン一四フッ化工チレン共重合体（ETFE)、三フッ化塩化エチレン（PFA)、四フッ化工チレンパーフルォ口アルキルビュルエーテル共重合体（FEP)、フッ化ビ-リデン（PVDF)、フッ化ビ- ノレ（PVF)、ノーフノレオ口エチレン一パーフロロプロピレン一パーフロロビ-ノレエーテルー共重合体 (EPA)等のフッ素系榭脂等を用いることができる。

[0131] また、上記に挙げた榭脂以外にも、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアタリレート化合物によりなる榭脂組成物や、上記アクリルレートィヒ合物とチオール基を有するメルカプト化合物よりなる榭脂組成物、エポキシアタリレート、ウレタンアタリレート、ポリエステルアタリレート、ポリエーテルアタリレート等のオリゴマーを多官能アタリレートモノマーに溶解せしめた榭脂組成物等の光硬化性榭脂及びこれらの混合物等を用いることも可能である。さらに、これらの榭脂の 1または 2種以上をラミネート、コーテイング等の手段によって積層させたものを基材フィルムとして用いることも可能である

[0132] これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼォネックスゃゼォノア（日本ゼオン (株)製）、非晶質シクロポリオレフイン榭脂フィルムの ARTON (ジヱイエスアール (株）製）、ポリカーボネートフィルムのピュアエース（帝人 (株）製）、セルローストリアセテートフィルムのコ-カタック KC4UX、 KC8UX (コ-力ミノルタォプト (株)製)等の市販品を好ましく使用することができる。

[0133] また、上記に挙げた榭脂等を用いた本発明に係る基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。

[0134] 本発明に係る基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。

例えば、材料となる榭脂を押し出し機により溶融し、環状ダイや Tダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。また、未延伸の基材をー軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、基材の流れ（縦軸)方向、または基材の流れ方向と直角（横軸)方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ 2〜10倍が好ましい。

[0135] また、本発明に係る基材においては、蒸着膜を形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロ一放電処理、粗面化処理、薬品処理等の表面処理を行ってちょい。

[0136] さらに本発明に係る基材表面には、蒸着膜との密着性の向上を目的としてアンカーコート剤層を形成してもよい。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル榭脂、イソシァネート榭脂、ウレタン榭月旨、アクリル榭脂、ェチレンビュルアルコール榭脂、ビュル変性榭脂、エポキシ榭脂、変性スチレン榭脂、変性シリコン榭脂、及びアルキルチタネート等を、 1または 2種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤をカ卩えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤はロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、 0. l〜5gZm² (乾燥状態)程度が好ましい。

[0137] 基材はロール状に巻き上げられた長尺品が便利である。基材の厚さは得られるフィルムの用途によって異なるので一概には規定できないが、フィルムを包装用途とする場合には、特に制限を受けるものではなぐ包装材料としての適性から 3〜400 /ζ πι 、中でも 6〜30 mの範囲内とすることが好ましい。

[0138] また、本発明に用いられる基材は、フィルム形状のものの膜厚としては 10〜200 mが好ましぐより好ましくは 50〜： LOO μ mである。

[0139] 《表示装置》

本発明の有機 EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置 (ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス (パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または異なる発光色を有する本発明の有機 EL素子を 2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。

[0140] 《光取り出し技術》

本発明の有機 EL素子は、発光層から放射された光の取り出し効率を向上させるため、基板の表面にプリズムやレンズ状の加工を施す、もしくは基板の表面にプリズムシートやレンズシートを貼りつけてもよい。

[0141] 本発明の有機 EL素子は、電極と基板の間に低屈折率層を有してもよい。低屈折率層としては、例えば、エア口ゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマ一等が挙げられる。

[0142] 基板の屈折率は一般に 1. 5〜1. 7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ 1. 5以下であることが好ましい。またさらに 1. 35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の 2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

[0143] 本発明の有機 EL素子はいずれかの層間、もしくは媒質中 (透明基板内や透明電極内）に回折格子を有してもよい。導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持つて、ることが望ま、。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な 1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは、媒質中 (透明基板内や透明電極内)でもよい力光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約 1Z2〜3倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハ-カムラチス状等、 2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

[0144] 《ガスノリア層》

本発明に係る基材は、ガスノリア層を有することが好ましい。これによりダークスポット及び高温、高湿下での経時安定性のより一層の改良効果を有する。

[0145] 本発明に係るガスノリア層とは、酸素及び水蒸気の透過を阻止する層であれば、その糸且成等は特に限定されるものではない。酸素の透過度が 23°C、 0%RHにおいて 0. 005mlZm²Zday以下が好ましぐまた、 JIS K7129 B法に従って測定した水蒸気透過度が 0. lgZm²Zday以下が好ましい。本発明に係るガスバリア層を構成する材料として、具体的には無機酸ィ匕物が好ましぐ酸化珪素、酸ィ匕アルミニウム、酸化窒化珪素、酸ィ匕窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジゥム、酸化スズ等を挙げることができる。 [0146] また、本発明におけるガスノリア層の厚さは用いられる材料の種類、構成により最適条件が異なり、適宜選択される力 5〜2000nmの範囲内であることが好ましい。ガスバリア層の厚さが上記の範囲より薄い場合には、均一な膜が得られず、ガスに対するノリア性を得ることが困難であるからである。またガスノリア層の厚さが上記の範囲より厚い場合には、ガスノリア性フィルムにフレキシビリティを保持させることが困難であり、成膜後に折り曲げ、引っ張り等の外的要因により、ガスバリア性フィルムに亀裂が生じる等のおそれがあるからである。

[0147] 本発明に係るガスノリア層は、後述する原材料をスプレー法、スピンコート法、スパッタリング法、イオンアシスト法、後述するプラズマ CVD法、後述する大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマ CVD法等を適用して形成することができる。

[0148] 図 1は、本発明に係るガスバリア層を有する基材の構成を示す一例である。

[0149] 本発明に係るガスノリア層を有する基材の構成とその密度について説明する。

[0150] 本発明に係るガスノリア層 21は、基材 22上に密度の異なる層を積層しており、密着膜 23、セラミック膜 24、保護膜 25及びセラミック膜 24を積層した構成を 1ユニットとし、図 1においては 2ユニットを積層した例を示してある。各層内における密度分布は均一とし、セラミック膜の密度をその上下に位置する密着膜及び保護膜のそれぞれの密度よりも高く設定している。なお、図 1においては各層を 1層として示した力必要に応じてそれぞれ 2層以上の構成をとつてもょ、。

[0151] 基材上に密着膜、セラミック膜及び保護膜を形成する方法としては、スプレー法、スピンコート法、スパッタリング法、イオンアシスト法、後述するプラズマ CVD法、後述する大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマ CVD法等を適用して形成することがでさる。

実施例

[0152] 以下、本発明について実施例をもって説明する力本発明はこれに限定されるものではない。

[0153] 実施例 1

(有機 EL素子 1—1の作製）

基材として、厚さ 100 μ mのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人'デュポン社製フィルム、以下 PENと略記する）上に、下記の大気圧プラズマ放電処理装置及び放電条件で、図 1記載のプロファイル構成でガスノリア層を有する基材 1を作製した。

[0154] (大気圧プラズマ放電処理装置）

図 2の大気圧プラズマ放電処理装置を用い、誘電体で被覆したロール電極及び複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。

[0155] 第 1電極となるロール電極は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金 T64製ジャケットロール金属質母材に対して、大気プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、ロール径 1000mm φとなるようにした。一方、第 2電極の角筒型電極は、中空の角筒型のチタン合金 T64に対し、上記同様の誘電体を同条件にて方肉で lmm被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。

[0156] この角筒型電極をロール回転電極のまわりに、対向電極間隙を lmmとして 10本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、 150cm (幅手方向の長さ） X 4cm (搬送方向の長さ） X 10本（電極の数） = 6000cm²であった。なお、何れもフィルタ一は適切なものを設置した。

[0157] プラズマ放電中、第 1電極 (ロール回転電極）は 120°C及び第 2電極 (角筒型固定電極群）は 80°Cになるように調節保温し、ロール回転電極はドライブで回転させて薄膜形成を行った。上記 10本の角筒型固定電極中、上流側より 2本を下記第 1層 (密着層）の製膜用に、次の 6本を下記第 2層（セラミック層）の製膜用に、次の 2本を第 3 層 (保護層）の製膜用に使用し、各条件を設定して 1パスで 3層を積層した。

[0158] (第 1層:密着層）

下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約 50nmの密着層を形成した。

[0159] 〈ガス条件〉

放電ガス：窒素ガス 94. 5体積％

薄膜形成性ガス：へキサメチノレジシロキサン（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） 0. 5体積％

添加ガス：酸素ガス 5. 0体積⁰ /₀

〈電源条件：第 1電極側の電源のみを使用した〉

第 1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数 80kHz

出力密度 lOWZcm²

上記形成した第 1層（密着層）の密度は、前述のマックサイエンス社製 MXP21を用いた X線反射率法で測定した結果、 1. 90であった。

[0160] (第 2層：セラミック層）

下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約 30nmのセラミック層を形成した。

[0161] 〈ガス条件〉

放電ガス：窒素ガス 94. 9体積％

薄膜形成性ガス：へキサメチノレジシロキサン（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） 0. 1体積％

添加ガス：酸素ガス 5. 0体積⁰ /₀

〈電源条件〉

第 1電極側電源種類応用電機社製高周波電源

周波数 80kHz

出力密度 lOWZcm²

第 2電極側電源種類パール工業社製高周波電源

周波数 13. 56MHz

出力密度 lOWZcm²

上記形成した第 2層（セラミック層）の密度は、前述のマックサイエンス社製 MXP21 を用いた X線反射率法で測定した結果、 2. 20gZcm³であった。

[0162] (第 3層:保護層）

下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約 200nmの保護層を形成した。

[0163] 〈ガス条件〉

放電ガス：窒素ガス 93. 0体積⁰ /₀

薄膜形成性ガス：へキサメチノレジシロキサン（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） 2. 0体積％

添加ガス：酸素ガス 5. 0体積⁰ /₀

〈電源条件：第 1電極側の電源のみを使用した〉第 1電極側電源種類応用電機社製高周波電源

周波数 80kHz

出力密度 lOWZcm²

上記形成した第 3層（保護層）の密度は、前述のマックサイエンス社製 MXP21を用いた X線反射率法で測定した結果、 1. 95g/cm³であった。

[0164] JIS— K— 7129Bに準拠した方法により水蒸気透過率を測定した結果、 10— ³g/m² Zday以下であった。 JIS— K— 7126Bに準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、 10— ³g/m²/day以下であった。

[0165] 次いで、基材 1上に ITO (インジウムチンォキシド）を 120nm成膜した基板にパターユングを行った後、この ITO透明電極を付けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行った。市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空度 4 X 10—⁴Paまで減圧し、 ITO基板 100を作製した。

[0166] 次に、図 3に示すように、市販のインクジェット式ヘッド 10 (コ-カミノルタ製 KM512 S非水系ヘッド)を用いて、ホストとして下記の例示化合物 A15の重合体、燐光性ィ匕合物 Ir— 1 (質量比 100 : 5)及び丁1^を含む流動体01を、 ITO基板 100上に吐出させ、 100°C、 60分の条件にて、膜厚 50nmの発光層 111を形成した。

[0167] 次に、インクジェット式ヘッド 10を用いて、下記の例示化合物 A28の重合体及び T HFを含む流動体 D2を、発光層 111上に吐出させ、 100°C、 60分の条件にて、膜厚 50nmの電子輸送層 112を形成した。次に、電子輸送層 112の上に厚さ20011111のアルミニウム 113 (陰極)を蒸着形成した。

[0168] さらに、発光層 111と電子輸送層 112の有機溶媒の含有率が表 1に示す値になるように調整を行った。さらにその上に基材 1を貼りつけて、有機 EL素子 1—1を作製した。

[0169] 〈例示化合物 A15の重合体の合成〉

反応容器に例示化合物 A15 1. 34g (2. 5mmol)、 2, 2' —ァゾビス (イソブチロ二トリル） (AIBN) O. 010g (0. 06 lmmol)、酢酸ブチル 30mlを入れて窒素置換を行った後、 80°Cで 10時間反応させた。反応後、アセトンに投入して再沈殿を行い、濾過によりポリマーを回収した。回収したポリマーのクロ口ホルム溶液をメタノール中に投入して再沈殿させることをさらに 2回行うことにより精製し、回収後真空乾燥して、目的とする例示化合物 A4の重合体 1. 20gを粉末として得た。この共重合体の重量平均分子量はポリスチレン換算で 10000 (HFIP (へキサフルォロイソプロパノール）を溶離液に用いた GPC測定による）であった。

[0170] 同様の方法で例示化合物 A28の重合体を合成した。（重量平均分子量 26000)

(有機 EL素子 1 2〜 1 9の作製）

有機 EL素子 1—1の作製において、各層の材料を下記表 1に示す材料に替えた以外は、同様にして、有機 EL素子 1— 2〜1— 9を作製した。

[0171] (有機 EL素子 1 10の作製）

インジウムチンォキシド透明電極 (ITO電極)を有するガラス基板上に、発光層として A31、燐光性ィ匕合物 Ir— 1 (質量比 100： 5)を 50nm膜厚で定法に従い蒸着成膜した後に、電子輸送層として Mlを 50nm膜厚で蒸着成膜し、次いで、 A1を 200nm 膜厚で蒸着して陰極を形成した。さらに、基材 1を貼り合わせて、有機 EL素子 1— 10 を作製した。

[0172] (有機 EL素子 1— 11の作製）

有機 EL素子 1—1の作製において、各層の材料を下記表 1に示す材料に替え、かつインジウムチンォキシド透明電極 (ITO電極)を有するガラス基板に替えた以外は、同様にして、有機 EL素子 1— 11を作製した。

(有機 EL素子 1 12〜 1 13の作製）

有機 EL素子 1—1の作製において、各層の材料を下記表 1に示す材料に変更した以外は有機 EL素子 1— 1の作製と同様にして、有機 EL素子 1— 12〜1— 13を作製した。

[0173] (有機 EL素子 1 14の作製）

有機 EL素子 1—1の作製において、 THFをキシレンに変更し、各層の材料を下記表 1に示す材料に変更した以外は有機 EL素子 1— 1の作製と同様にして、有機 EL素子 1— 14を作製した。

[0174] (有機 EL素子 1— 15の作製）有機 EL素子 1— 1の作製にぉ、て、アルミニウム 113 (陰極)の上に貼り合わせる基材 1を厚さ 100 mの PENに変更した以外は、有機 EL素子 1— 1の作製と同様にして、有機 EL素子 1— 15を作製した。

[0175] [化 18]

[0176] 作製した有機 EL素子 1 1〜1 11の発光層の膜密度及び有機層の有機溶媒残存含有量を前述した方法にて測定した。その結果を表 1に示す。

[0177] [表 1]

発光層（50nm)

ホスト膜密度有機層の

電子輸送層

バンドギャップド一パン卜 (発光層）有機溶媒備考

(50nm)

(eV) (5質置％) / cm^J 含有 S

分子 S

0LED1 - 1 A15 3.50 10000 I r— 1 A 28 1.11 15ppm 本発明

0LED1 - 2 A31 3.43 484.6 I r— 1 A 35 1.20 11 ppm 本発明

0LED1 - 3 A 43 3.50 512.6 I r- 1 A 32 1.24 11 ppm 本発明

0LED1一 A 34 3.70 1180 1 r— 1 A11 1.22 15ppm 本発明

0LED1 - 5 1 2.70 474.5 1 r— 1 A 35 1.20 110ppm 本発明

0LED1 - 6 2 3.91 702.9 1 r— 1 A 33 1.21 14ppm 本発明

0LED1一 7 A41 3.53 408.5 I r— 1 A 32 1.23 12ppm 本発明

0LED1一 8 A 46 3.50 498.6 I r— 1 A 32 1.22 13ppm 本発明

0LED1 - 9 A 47 3.51 498.6 1 r— 1 A 32 1.24 12ppm 本発明

OLED1 -10 M 1 2.70 474.5 I r— 1 A 33 1.30 2000ppm 比較例

0LED1 -11 2 3.91 702.9 I r— 1 A35 1.21 15ppm 本発明

0LED1 -12 M 3 3.42 395 I r— 1 A35 1.22 30ppm 本発明

0LED1— 13 A13 3.43 1100000 I r一 1 A35 1.12 150ppm 本発明

0LED1 -14 A13 3.43 30000 I r— 1 A 28 1.07 500 ppm 比較例

0LED1— 15 A31 3.43 484.6 I r— 1 A 35 1.20 30ρριπ 本発明

[0178] (有機 EL素子の評価）

以下のようにして、得られた有機 EL素子の評価を行い、その結果を表 2に示す。

[0179] 〈発光輝度〉

有機 EL素子の温度 23°C、 10V直流電圧を印加した時の発光輝度 (cd/m²)を測定した。発光輝度は有機 EL素子 1— 11を 100とした時の相対値で表した。発光輝度につ、ては、 CS - 1000 (コ-力ミノルタセンシング社製）を用いて測定した。

[0180] 〈電圧上昇率〉

10mA/cm²の一定電流で駆動したときに、初期電圧と 150時間後の電圧を測定した。初期電圧に対する 100時間後の電圧の相対値を電圧上昇率とした。

[0181] 〈経時安定性〉

有機 EL素子を 60°C、 70%RHの条件で一ヶ月保存後、実施例 1と同様に発光輝度 (cdZm²)を測定した。経時安定性は保存前の発光輝度測定値に対する相対値した。

[0182] 〈ダークスポット〉

また 15mAZcm²の一定電流で 30時間駆動させた後に、 2mmX 2mm四方の範囲での目視で確認できる非発光点 (ダークスポット）の数を測定した。

[0183] [表 2]

[0184] 表 2から明らかなように、膜面密度が本発明の範囲内にある素子はダークスポット、電圧上昇率が減少し、経時安定性が向上した。さらに膜面密度とバンドギャップが本発明の範囲にある素子に関しては上記の性能がさらに向上するのにカ卩えて発光輝度の向上も認められた。

[0185] 実施例 2

(有機 EL素子 2—1の作製）

実施例 1と同様に市販のインクジェット式ヘッド 10を用いて、例示化合物 A36及び

THFを含む流動体を ITO基板 100上に吐出させ、 100°C、 60分の条件にて、膜厚

50nmの正孔輸送層を形成した。

[0186] 次に、ホストとして例示化合物 A31、燐光性ィ匕合物 Ir— 12 (質量比 100 :4)及び T

HFを含む流動体を正孔輸送層上に吐出させ、 100°C、 60分の条件にて、膜厚 50η mの発光層を形成した。

[0187] 次に、例示化合物 A35及び THFを含む流動体を、発光層に吐出させ、 100°C、 6

0分の条件にて、膜厚 50nmの電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層の上に厚さ 200nmのアルミニウム 113 (陰極)を蒸着形成した。 [0188] さらに、有機層の有機溶媒の含有率が表 3に示すように調整を行った。さらにその上に基材 1を貼りつけて、有機 EL素子 2—1を形成した。

[0189] 有機 EL素子 2— 1の作製において、各層の材料を下記表 3に示す材料に替え、さらに有機層の揮発溶媒残存含有量を表 3に示すように乾燥条件の調整を行った以外は、同様にして、有機 EL素子 2— 1〜2— 6を作製した。さらに、実施例 1の有機 E L素子 1 10の作製において、各層の材料を下記表 3に示す材料に替え、さらに有機層の揮発溶媒残存含有量を表 3に示すように調整を行った以外は、同様にして、有機 EL素子 2— 7及び 2 - 8を作製した。

実施例 1の有機 EL素子 2— 1の作製において、 THFをキシレンにかえ各層の材料を下記表 3に示す材料に替え、さらに有機層の揮発溶媒残存含有量を表 3に示すように調整を行った以外は、同様にして、有機 EL素子 2— 9を作製した。

[0190] [表 3]

[0191] (有機 EL素子の評価）

作製した有機 EL素子について、実施例 1と同じ測定方法、評価方法で評価を行つた。その結果を表 4に示す。なお、発光輝度は有機 EL素子 2— 7を 100とした時の相対値で表した。

[0192] [表 4] 有機 EL素子発光輝度電圧上昇率経時安定性ダークスポッ卜数備考

0LED2- 1 102 125 86 25 本発明

0LED2- 2 106 119 90 20 本発明

0LED2- 3 110 114 92 13 本発明

0LED2- 4 117 112 94 12 本発明

0LED2- 5 118 112 95 11 本発明

0LED2- 6 105 122 89 19 本発明

0LED2- 7 100 124 86 27 比較例

OLE02- 8 98 130 80 39 比較例

0LED2- 9 102 126 85 30 比較例

[0193] 表 4の結果から明らかなように、本発明の有機 EL素子は発光輝度に優れ、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なぐさらに高温、高湿下での経時安定性が高い素子であることが分力た。特に、燐光化合物と組み合わせた場合、それらの改良効果が顕著であった。

[0194] 実施例 3

実施例 2で作製した本発明の有機 EL素子 2—4と、実施例 2で作製した本発明の有機 EL素子 2— 4の燐光性ィ匕合物を Ir 1に替えた以外は同様にして作製した緑色発光有機 EL素子と、本発明の有機 EL素子 2— 4の燐光性ィ匕合物を Ir 9に替えた以外は同様にして作製した赤色発光有機 EL素子を同一基板上に並置し、第 4図に示すアクティブマトリックス方式フルカラー表示装置を作製した。第 5図には作製したフルカラー表示装置の表示部 Aの模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、並置した複数の画素 3 (発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6はそれぞれ導電材料力なり、走査線 5とデータ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図示せず)。前記複数の画素 3は、それぞれの発光色に対応した有機 EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリックス方式で駆動されており、走査線 5から走查信号が印加されると、データ線 6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。 [0195] フルカラー表示装置を駆動することにより、鮮明なフルカラー動画表示が得られた。

[0196] 実施例 4

《照明装置の作製》

実施例 3で作製した青色発光、緑色発光及び赤色発光の有機 EL素子各々の非発光面側に、反射コ一ティングを施したガラスケースを設けて照明装置とした。

[0197] 実施例 5

(有機 EL素子 5—1の作製）

実施例 1の有機 EL素子 1 1を作製した条件と同じ条件で、下記表 5に示す材料及び膜厚構成の有機 EL素子 5— 1を作製した。表 5中の％は質量比（％)を表す。

[0198] [表 5]

[0199] 発光層 1、 2及び 3の膜密度はそれぞれ 1. 22、 1. 21及び 1. 22gZcm³であった。

また、有機層の有機層の揮発溶媒含有量は 15ppmとなるよう乾燥条件を調整した。

[0200] 次いで、その上に厚さ 200nmのアルミニウムを蒸着した。封止にあたっては、有機 EL素子 1—1と同様に基材 1を貼りつけた。

[0201] 得られた有機 EL素子 5— 1を実施例 4と同様に、非発光面側に反射コーティングを施したガラスケースを設けて照明装置とした。照明装置は発光効率が高ぐ発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。

[0202] 次、で、ディスプレイ用として巿販されて、るカラーフィルターを組み合わせた際の色再現域を評価した。有機 EL素子 5— 1とカラーフィルターの組み合わせにおいて、色再現域が広ぐ色再現性において優れた性能を有することが確認された。

Claims

請求の範囲

[I] 基板上に電極と少なくとも 1層以上の有機層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 10〜： L 25gZcm³であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[2] 前記有機層の少なくとも 1層はドーパントを含有する発光層であり、該発光層は 2. 5

〜3. 8eVのバンドギャップを有するホスト化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[3] 前記ドーパントが燐光性ィ匕合物であり、前記発光層が 2. 9〜3. 8eVのバンドギヤップを有するホスト化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第 1または 2項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[4] 前記ホストイ匕合物のバンドギャップが 3. 45-3. 65eVであることを特徴とする請求の範囲第 2または 3項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[5] 前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 20〜： L 25gZcm³であることを特徴とする請求の範囲第 1〜4項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[6] 前記ホストイ匕合物の分子量力 00〜2000であることを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[7] 前記有機層の少なくとも一層の膜密度が 1. 10〜： L 15gZcm³であることを特徴とする請求の範囲第 1〜4項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[8] 前記ホストイ匕合物の分子量が 5000〜 1000000であることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[9] 前記有機層は有機溶媒を 10— ²〜10³ppm含有することを特徴とする請求の範囲第 1

〜8項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[10] 前記基板がガスバリア層を有することを特徴とする請求の範囲第 1〜9項のいずれか

1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[II] 発光が赤色であることを特徴とする請求の範囲第 1〜10項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[12] 発光が緑色であることを特徴とする請求の範囲第 1〜10項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[13] 発光が青色であることを特徴とする請求の範囲第 1〜10項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[14] 発光が白色であることを特徴とする請求の範囲第 1〜10項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

[15] 請求の範囲第 1〜14項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。

[16] 請求の範囲第 1〜14項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。

[17] 請求の範囲第 16項に記載の照明装置と表示手段としての液晶素子を有することを特徴とする表示装置。