CN1382827A - 在有机发光装置的制造中可重复使用的物质量传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及在制造有机发光装置中对有机材料的沉积进行控制的方法,所述方法包括:在沉积区沉积有机材料以形成有机发光装置的层;设置可移动的传感器,当所述传感器移动到沉积区中并在沉积步骤中被覆盖时提供表示形成所述层的有机材料的沉积速率和厚度的信号。所述方法还包括:根据所述信号控制有机材料的沉积以控制形成所述层的有机材料的沉积速率和厚度;将可移动的传感器从沉积区移动到清洁位置;以及去除可移动的传感器上的有机材料以使可移动的传感器能够重复使用。

Description

在有机发光装置的制造中可重复使用的物质量传感器
技术领域:
本发明涉及对在有机发光装置的制造中对通过物理气相沉积形成的有机材料的有机层进行监测和控制的方法。
背景技术:
有机发光装置也被称为有机电荧发光装置,可通过将两个或更多有机层夹在第一电极和第二电极之间制成。
在一种常规结构的无源矩阵(passive matrix)有机发光装置中,多个横向间隔的光传输阳极例如氧化铟锡(indium-tin-oxide,即ITO)作为第一电极形成在光传输基体(例如,玻璃基体)上。接着在保持减小的压力(通常小于10-3托)的腔室内利用来自于相应源的相应有机材料的气相沉积顺序地形成两个或多个有机层。多个横向间隔的阴极作为第二电极沉积在最上方的有机层上。阴极的取向相对于阳极的取向形成一定的角度,通常为直角。
通过在适合的列(阳极)和每一行(阴极)之间顺序地提供电势(也被称为驱动电压)来使这样的常规无源矩阵有机发光装置工作。当阴极相对于阳极具有负偏压时,光从由阴极和阳极的重叠区域所限定的像素被发出,并且发出的光通过阳极和基体达到观察者。
在一种有源矩阵(active matrix)有机发光装置中,作为第一电极的一组阳极由与相应的光传输部分相连的薄膜晶体管(TFTs)提供。以一种基本上与上述无源矩阵有机发光装置的构成相同的方式通过气相沉积顺序地形成两个或多个有机层。公共阴极作为第二电极沉积在最上方的有机层上。US-A-5,550,066中描述了一种有源矩阵有机发光装置的结构和功能,该文献所披露的内容在这里作为参考。
例如,在US-A-4,356,429;US-A-4,539,507;US-A-4,720,432和US-A-4,769,292中描述了用于构成一种有机发光装置的有机材料、气相沉积有机层的厚度和层的结构,这些文献所披露的内容在这里作为参考。
为了提供一种厚度基本均匀且精确的有机发光装置,必须对该装置的有机层形成进行监测或控制。这种对利用来自于某一源的有机材料的升华或蒸发以使有机层气相沉积的控制通常是通过将监测装置设置在气相沉积区内来完成的,基体或结构件在所述气相沉积区内被有机层覆盖。这样,在有机层形成在基体或结构件上的同时,监测装置能够接收有机层。该监测装置又提供响应于有机层在监测装置上的形成速率的电信号,而有机层在监测装置上的形成速率与用于提供有机发光装置的有机层在基体或结构件上的形成速率是相关的。该监测装置的电信号被处理和/或放大,并且可用于通过调节蒸汽源温度控制元件(例如,源加热器)来控制气相沉积速率和形成在装置基体或结构件上的有机层厚度。
公知的监测装置是所谓的晶体物质量传感器(crystal mass-sensor)装置,其中监测器是具有两个相反电极的石英晶体。该晶体是设置在沉积速率监测器中的振荡器电路的一部分。在一个可接受的范围内,振荡器电路的振荡频率与由沉积在晶体上的一层或多层材料振荡的晶体表面上的物质量负荷大约成反比。当超过可接受的晶体物质量负荷的范围时,例如形成过多数量的沉积层,振荡器电路不再可靠地发挥其功能,必须利用新的晶体物质量传感器代替“超载”的晶体。而这样的替换要求停止气相沉积过程。
另外,当一定类型的有机层沉积在晶体物质量传感器装置上时,在覆盖的厚度达到500-2000纳米后,各层可能会开始开裂并且从物质量传感器表面剥落。这可能会使晶体物质量传感器在厚度恰好在上述物质量负荷限度下时使其在覆盖速率检测性能方面变得不准确。
在技术改进过程中,通常可在由于物质量负荷过大或者沉积薄膜的开裂和剥落而必须更换晶体物质量传感器之前准备几个有机发光装置。这样的改进中并不困难,这是由于其它的考虑因素通常需要通过打开沉积腔室来中断气相沉积,从而以人工更换基体或结构件、在较小的蒸汽源中补充有机材料等。
但是在制造环境中,需要重复地制作数量较多的有机发光装置,因此,更换“超载”的晶体物质量传感器或具有开裂的或剥落的有机层的晶体物质量传感器会受到严重的限制,这是因为制造系统配置成能够全面地提供在许多装置结构件上生产所有有机层的能力,甚至能够生产全封闭的有机发光装置。
发明内容:
因此,本发明的一个目的在于,通过提供用于控制有机层厚度的可重复使用的传感器来形成有机层。该目的可通过这样一种方法来实现,本发明提供一种用于将蒸发的或升华的有机层沉积在结构件上以形成有机发光装置的一部分,所述方法包括下列步骤:
(a)在沉积区沉积有机材料以形成有机发光装置的层;
(b)提供可移动的传感器,当所述传感器移动到沉积区中并在沉积步骤中被覆盖时提供表示形成所述层的有机材料的厚度的信号;
(c)根据所述信号控制有机材料的沉积以控制沉积速率和形成在结构件上的有机层的厚度;
(d)将可移动的传感器从沉积区移动到清洁位置;以及
(e)去除可移动的传感器上的有机材料以使可移动的传感器能够重复使用。
本发明的优点是,用于控制发光装置中的一个或更多有机层的厚度的晶体物质量传感器可被清洁和重复使用,从而能够提供更有效的制造方法。
附图说明:
图1是无源矩阵有机发光装置(OLED)的示意性透视图,所述有机发光装置(OLED)中具有被部分剥离的元件以露出各层;
图2是适于制造大量有机发光装置(OLEDs)并具有从毂部延伸出的多个工位的的制造系统的示意性透视图;
图3是装有数量较多的基体或结构件的载体的示意性截面图,如在图2中截线3-3所示,该载体位于图2中所示系统的装载工位中;
图4是表示在图2中所示系统中的用于在基体或结构件上形成气相沉积有机空穴传输层(HTL)的气相沉积工位的示意性截面图,该气相沉积工位如在图2中截线4-4所示;
图5是图4中所示晶体物质量传感器和相关的沉积速率监测器的放大的示意性截面图;
图6示意性地示出了图4中所示的传感器,该传感器的表面上具有较高的物质量负荷,物质量负荷采用N层有机空穴传输材料的形式,其中现有技术中所涉及的传感器的此类物质量负荷会使相关的沉积速率监测器在读出的沉积速率时不可靠或者可能不会工作;
图7示意性地示出了位于图2中所示的HTL沉积工位内的本发明所涉及的可移动的传感器组件,其中第一晶体物质量传感器在沉积区中工作,而所示的第三传感器位于用于提供清洁闪光的光导管附近,当第一传感器积累了较高的物质量负荷时所述第二传感器在清洁后处于将进入沉积区的位置;
图7A示出了图7中所示的光导管,该光导管还可包括设置在光导管顶端附近的加热器和用于收集被清洁闪光从传感器上去除的有机材料的收集装置;
图7B示意性地示出了倾斜地朝向物质量负荷传感器的光导管和用于收集被清洁闪光从传感器上去除的有机材料的收集装置;
图7C示意性地示出了另一种用于从传感器上去除有机材料的光学清洁装置,其中清洁辐射源通过透镜、位于腔室壳体内的窗口以及可加热的镜提供朝向物质量负荷传感器的清洁辐射;
图8是表示图7中所示可移动的传感器组件的视图,但示意性地示出了根据本发明的用于对具有高物质量负荷的传感器进行清洁的加热器;
图9A-9D是本发明应用中所用的可转动传感器支承件的不同实施例的示意性平面图,用虚轮廓线表示在沉积区中的传感器的位置和传感器清洁位置;以及
图10是图5中所示的晶体物质量传感器的放大截面图,但根据本发明,在传感器表面上具有预先形成的辐射吸收层以增强在清洁位置中全部或部分去除传感器上的有机层的效果。
由于OLED的层厚尺寸通常在亚微米范围内,而表示装置横向尺寸的特征可在50-500毫米的范围内,因此附图必然是示意性的。因此,附图中的比例是为了看起来方便而不是精确尺寸。
具体实施方式:
“基体”一词在这里指的是其上预先形成有多个横向间隔的第一电极(阳极)的光传输支承件,此基体是无源矩阵OLED的前身。“结构件”一词在这里指的是在接收一部分气相沉积有机层后的基体,并且表示了有源矩阵排列与无源矩阵前身的差别。
参见图1,图1是表示无源矩阵有机发光装置(OLED)10的示意性透视图,在所示的有机发光装置(OLED)10中,部分元件被剥离以露出各层。
光传输基体11上形成有多个横向间隔开的第一电极12(也被称为阳极)。利用物理气相沉积方法依次形成有机空穴传输层(HTL)13、有机发光层(LEL)14和有机电子传输层(electron-transportinglayer)(ETL)15,后面将进行更详细的描述。多个横向间隔的第二电极16(也被称为阴极)形成在有机电子传输层15上并且第二电极16的排列方向与第一电极12的排列方向基本垂直。封装或盖18使该结构件的感光部分与周围环境密封,从而提供了完整的OLED10。
参见图2,图2是表示适于利用自动操作装置或者机器人装置(未示出)制造大量有机发光装置的制造系统100的示意性透视图,所述自动操作装置或者机器人装置用于在从缓冲毂(buffer hub)102延伸的多个工位和从传输毂(transfer hub)104延伸的多个工位中输送或传输基体或结构件。真空泵106经过泵接口107为缓冲毂102和传输毂(transfer hub)104内部提供减小的压力,并且为从这些毂部延伸的每一个工位内部提供减小的压力。压力计108显示系统100内的减小的压力。该压力可在10-2至10-6托的范围内。
这些工位包括用于装载基体或结构件的装载工位110、用于形成有机空穴传输层(HTL)的气相沉积工位130、用于形成有机发光层(LEL)的气相沉积工位140、用于形成有机电子传输层(ETL)的气相沉积工位150、用于形成多个第二电极(阴极)的气相沉积工位150、用于将结构件从缓冲毂102传输到传输毂104的卸载工位103以及通过连接器接口105与传输毂104相连的封装工位180,传输毂104还提供储放工位170。这些工位的每一个都分别具有延伸到缓冲毂102和传输毂104中的开放接口,并且每一个工位具有真空密封接口(未示出)以接入用于清洁、补充材料的工位和用于更换或修理部件的工位。每一个工位包括限定腔室的壳体。
图3是沿图2中的截线3-3所剖得的表示装载工位110的示意性截面图。装载工位110具有壳体110H,壳体110H限定腔室110C。载体111设置在该腔室内,载体111用于承载多个具有预先形成的第一电极12的基体11(见图1)。所设置的载体111也可用于支撑多个有源矩阵结构件。载体111也可被设置在卸载工位103和储放工位170中。
参见图4,图4是沿图2中的截线4-4所剖得的表示HTL气相沉积工位130的示意性截面图。壳体130H限定了腔室130C。基体11(见图1)被固定在固定装置131中,固定装置131可构成掩模框。源134位于绝热支撑件132上,源134充有有机空穴传输材料13a,有机空穴传输材料13a充填到水平面13b。利用加热元件135对源134加热,加热元件135通过导线245和247与源电源240的相应输出端子244和246相连。
当源温度足够高时,有机空穴传输材料13a将蒸发或升华,从而提供有机空穴传输材料的气相沉积区13v(如图中的虚线和箭头所示)。
基体11以及常规的晶体物质量传感器200位于沉积区内,并且这些元件中的每一个上都形成有有机空穴传输层13f(如图中虚轮廓线所示)。
如在本领域公知的,晶体物质量传感器200通过导线210与沉积速率监测器220的输入端子216相连。传感器200是设置在监测器220中的振荡器电路的一部分,所述振荡器电路以一定的频率振荡,所述频率基本上与晶体的物质量负荷成反比,晶体的物质量负荷例如是由所形成的层13f提供的物质量负荷。监测器220包括能够产生与物质量负荷的速率成比例的信号的微分电路,即能够产生与层13f的沉积速率成比例的信号的微分电路。该信号由沉积速率监测器220显示并且在其输出端子222处被提供。导线224将该信号与控制器或放大器230的输入端子226连接在一起,控制器或放大器230在输出端子232处提供输出信号。后面的输出信号通过导线234和输入端子236成为源电源240的输入信号。
这样,如果在气相沉积区13v内的蒸汽流是暂时稳定的,那么层13f的物质量增加或增长将以恒定的速率进行。速率监测器220将在输出端子222处提供恒定的信号,并且源电源240将通过导线245和247为源134的加热元件135提供恒定的电流,从而将暂时稳定的蒸汽流维持在沉积区内。在稳定的气相沉积条件下(即在沉积速率恒定的条件下),在固定的沉积时间内,能够在基体和晶体物质量传感器200上实现有机空穴传输层13所需最终厚度(见图1),此时,可通过终止对源134的加热或者将快门(未示出)放置在源上来终止气相沉积。
尽管为了便于描述,图4中示出的源134比较简单,但是应该理解的是,可采用其他多种源结构以便在沉积区内提供蒸发或升华后的有机材料气体。
图5是图4中所示的现有技术中所涉及的晶体物质量传感器200和相关的沉积速率监测器220的放大的示意性截面图。晶体204具有前电极205和后电极206。电接地的壳体202与前电极205电接触并且通过连接装置209与导线210的被防护的部分相连。导线210的振荡器信号运载部分通过连接器207与后电极206相连。壳体130H的各部分、气相沉积区13v以及形成在前电极205上的有机空穴传输层13f和壳体202的前部与图4中的相应元件相对应。
通常,晶体物质量传感器的壳体202是水冷的(在附图中未示出)。水冷能够使晶体的温度保持稳定并且保证沉积监测准确以及不受热效应的影响。
图6示意性地示出了图4中所示的晶体物质量传感器200,目前所示的晶体物质量传感器200具有较高的物质量负荷,物质量负荷采用N层有机空穴传输材料13的形式。在物质量负荷较高(由于累积的沉积层作为N个连续接收有机空穴传输材料13的基体或结构件)的情况下,沉积速率监测器220可能不会工作或者读出的沉积速率不可靠。
由于沉积在传感器上的厚度低于N个连续层厚度的有机材料部分开裂、剥离或者剥落,也会使监测器220变得不可靠。
现参见图7,其中示出了本发明所涉及的物质量传感器300的一个实施例,物质量传感器300代替图4、5和6中所示的单个定位式物质量传感器200。
为了列举目的而描述的可转动的传感器支承件320用于支撑三个晶体物质量传感器301、302和303。传感器301位于上述气相沉积区13v中并且在其中工作(与如图4中所示的基体或结构件一起)。导线与每一个晶体的后电极相连(见图5),并且导线接触端323(诸如,弹簧偏压接触端)与形成在电绝缘传感器支承件320上的传感器接触端321(传感器301的)接合。
通过密封件327使传感器支承件320以转动的方式设置在工位130的壳体130H(见图2)中,并且可利用转动器325以这里所述的手动模式或者通过步进马达或类似装置以一种自动分度的转动模式(automated indexed rotation mode)使传感器支撑件320转动。
当传感器301在沉积区中工作时,传感器303位于光导管392的附近,光导管392能够提供来自于清洁闪光装置390的闪光辐射,闪光辐射足够强大以便通过由热引起的升华或蒸发去除传感器303上的多层物质量负荷13(xN)或者去除在物质量负荷减小时可能出现的部分开裂的、剥离或剥落的有机沉积物。以一种与利用来自于源134的有机材料13a的升华或蒸发在气相沉积区13v中形成有机气相的方式基本上等效的方式通过升华或蒸发进行这样的清洁或者将传感器303上的有机材料去除。利用清洁闪光装置390提供的闪光辐射的强度大到足以将沉积在传感器上的有机材料的温度升高至足以使有机材料开始升华或蒸发的温度,但是使该温度保持在去除传感器303上的金属电极或者对传感器303的性能产生不良影响所要求的温度。用于有机发光装置的有机材料特别是服从该技术,这是因为这些材料在大大低于使大部分无机材料(诸如通常用于晶体物质量传感器的电极材料)汽化所要求的温度的温度下汽化。在传感器303被清洁后,接着可被置于沉积区13v中并且可再次使用以在无需打开沉积腔室130C及释放真空的情况下监测沉积速率和有机层的厚度。
当传感器301积累了所不希望的较高物质量负荷时,在清洁后的传感器302处于传感器支撑件上将进入沉积区的位置中。
设置防护装置329以在沉积区中在一个传感器上进行气相沉积,并且可保护其它传感器不会出现气相沉积。
应该理解的是,光导管392是经真空密封连通件(未示出)穿过壳体130H进行连接的。类似地,所有电导线都是经相应的电连通件穿过壳体130进入到腔室130C中或者从腔室130C中引出。这样的连通件在真空系统技术领域中是公知的。
光导管392可是利用一种能够传输由清洁闪光装置390所提供的光的材料制成的光导纤维缆。或者,光导管392可被制成空心的或管状的光传输元件。
在图7A中,光导管392可包括位于光导管顶端附近或顶端处的加热器392H和收集装置392T。加热器392H的目的是对光导管392的光活性顶端区域进行加热以防止从传感器303的表面蒸发的有机升华物(被去除的有机材料)沉积在光导管的顶端区域上。收集装置392T用于收集升华物并防止这样的升华物扩散到整个腔室130C。收集装置392T可被冷却以增强收集装置内的有机升华物的冷凝效果。
图7B示出了以一定斜角从清洁闪光装置390引向物质量负荷传感器的光导管292B的结构。收集装置392T的功能参照图7A中所述的。清洁闪光倾斜地入射到物质量传感器303上的有机沉积物上就不需要在光导管392B的顶端设置加热器。
图7C示意性地示出了另一种用于从物质量传感器上去除有机材料的光学清洁装置结构。清洁辐射源390R通过一个或多个透镜392L、在壳体130H中的辐射传输窗口392W和可被加热器392HM加热的镜392M提供清洁辐射作为引向在物质量传感器303上的有机沉积物的闪光或定时辐射束(例如,从激光源发出的定时激光束)。收集装置392T以上述方式工作。
现参见图8,其中示出了图7中所示的传感器组件300,其中利用通过导线396和398与清洁加热器装置395相连的加热器399代替光导管392和清洁闪光装置390。与图7中所示元件392T的功能等效的收集装置可被包括在图8中所示的传感器组件中并且围绕加热器399以收集升华物并防止这样的升华物扩散到整个腔室。
另外,加热器399可被结合在物质量传感器的壳体202中。在这种情况下,在用于去除有机层的升华物的清洁位置处不用水冷却传感器壳体是令人希望的。
图9A-9D是本发明应用中所用的可转动传感器支承件的不同实施例的示意性平面图。如虚轮廓线所示,利用防护装置329的位置表示在沉积区中的传感器301的位置,并且传感器清洁位置392(图7中所示的光导管392)是利用虚轮廓线来表示的。
图9A示出了具有可转动的传感器支撑件320A的物质量传感器组件300A,传感器支撑件320A具有支撑在其上的单一传感器301。
图9B示出了具有设置在可转动的传感器支撑件320B上的两个传感器301、302的物质量传感器组件300B。
图9C示出了物质量传感器组件300C,物质量传感器组件300C提供适于支撑四个传感器301、302、303和304的可转动的传感器支撑件320C。
图9D示出了具有适于支撑多个传感器(包括传感器307)的圆形可转动的传感器支撑件320D的物质量传感器组件300D。
图10是图5中所示的晶体物质量传感器的放大截面图,但具有预先形成在晶体204的前电极205和壳体202的前部上的辐射吸收层391。辐射吸收层391可是由辐射吸收碳或其它辐射吸收材料制成的层以提高全部或部分地去除设置在可移动的传感器支撑件上的传感器上的积累的有机层的效果,可移动的传感器支撑件可从在沉积区13v中的位置移动到可利用辐射闪光(见图7)、辐照(见图7)和加热器(见图8)去除有机材料的清洁位置。
应该理解的是,具有设置在可移动的传感器支撑件上的一个或多个传感器的传感器组件可有效地结合在图2中所示的OLED制造系统100的气相沉积工位130、140、150中的每一个中。这样,这些工位中的每一个可利用常规的物质量传感器和沉积速率监测器对气相沉积速率进行监测和控制,并且通过在清洁位置沿着可移动传感器支撑件的移动路径全部或部分地去除物质量负荷传感器上的有机材料来提供一个或多个可重复使用的传感器。
本发明的其它特征包括下列内容。
对于该设备,其中多个传感器设置在可移动的传感器支撑件上,并且用于去除沉积在第一传感器上的有机材料的装置包括位于传感器上的有机材料附近的加热器。
该设备还包括预先形成在多个传感器中的每一个上的热量吸收层。
对于该设备,其中所述可移动的传感器支撑件是可转动的传感器支撑件。
对于该设备,其中所述可移动的传感器支撑件是可转动的传感器支撑件。
该设备还包括可通过去除这样的有机材料的装置收集从传感器上去除的有机材料的收集装置。
对于该设备,其中所述收集装置包括用于冷却的装置。
该设备还包括可利用去除这样的有机材料的装置收集从第一传感器上去除的有机材料的收集装置。对于该设备,其中所述收集装置包括用于冷却的装置。

Claims (10)

1.一种用于将蒸发的或升华的有机层沉积在结构件上以形成有机发光装置的一部分的方法,所述方法包括下列步骤:
(a)在沉积区沉积有机材料以形成有机发光装置的层;
(b)设置可移动的传感器,当所述传感器移动到沉积区中并在沉积步骤中被覆盖时会提供表示形成所述层的有机材料的厚度的信号;
(c)根据所述信号控制有机材料的沉积以控制沉积速率和形成在结构件上的有机层的厚度;
(d)将可移动的传感器从沉积区移动到清洁位置;以及
(e)去除可移动的传感器上的有机材料以使可移动的传感器能够重复使用。
2.一种用于将蒸发的或升华的有机层沉积在结构件上以形成有机发光装置的一部分的方法,所述方法包括下列步骤:
(a)在沉积区沉积有机材料以形成有机发光装置的层;
(b)至少设置第一和第二可移动的传感器,当所述每一个传感器移动到沉积区中并在有机材料的沉积步骤中被覆盖时提供表示形成所述层的有机材料的厚度的信号;
(c)根据所述信号控制有机材料的沉积以控制沉积速率和形成在结构件上的有机层的厚度;
(d)在第一可移动的传感器已经被覆盖有有机材料后将第一可移动的传感器从沉积区移动到清洁位置;以及
(e)将第二可移动的传感器移动到所述沉积区中;以及
(f)在清洁位置处去除第一可移动的传感器上的有机材料以使第一可移动的传感器能够重复使用。
3.一种用于将蒸发的或升华的有机层沉积在结构件上以形成有机发光装置的一部分的设备,所述设备包括:
(a)限定出腔室的壳体和与腔室相连的用于减小腔室中的压力的泵;
(b)用于容纳要被蒸发的或者被升华的有机材料的源以及与所述源相连的用于调节其温度以控制有机材料蒸发或升华的速率的装置;
(c)用于使结构件定位以使这样的结构件设在沉积区中与所述源隔开的装置;
(d)位于沉积区中的可移动传感器,所述可移动传感器用于接收来自于所述源的有机材料同时使这样的有机材料沉积在结构件上;
(e)与所述传感器相连的电装置,所述电装置对沉积在传感器上的有机材料厚度作出响应以调节温度控制装置,从而能够控制形成在结构件上的有机层的沉积速率和厚度;
(f)用于将传感器移动到沉积区外的装置以及用于全部或部分地去除沉积在传感器上的有机材料以使这样传感器可在沉积区中重复使用的装置。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述传感器设置在可移动的传感器支撑件上,并且用于去除沉积在传感器上的有机材料的装置包括被引向在传感器上的有机材料的闪光辐射或定时辐射束。
5.如权利要求4所述的设备,还包括预先形成在传感器上的热量吸收层。
6.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述传感器设置在可移动的传感器支撑件上,并且用于去除沉积在传感器上的有机材料的装置包括传感器上的有机材料附近的加热器。
7.如权利要求6所述的设备,还包括预先形成在传感器上的辐射吸收层。
8.一种用于将蒸发的或升华的有机层沉积在结构件上以形成有机发光装置的一部分的设备,所述设备包括:
(a)限定腔室的壳体和与腔室相连的用于减小腔室中的压力的泵;
(b)用于容纳被蒸发的或者被升华的有机材料的源以及与所述源相连的用于调节其温度以控制有机材料蒸发或升华的速率的装置;
(c)用于使结构件定位以使这样的结构件设在沉积区中与所述源隔开的装置;
(d)位于沉积区中的多个可移动传感器中的第一可移动传感器,所述第一可移动传感器用于接收来自于所述源的有机材料同时使这样的有机材料沉积在结构件上;
(e)与所述第一可移动传感器相连的电装置,所述电装置对沉积在传感器上的有机材料厚度作出响应以调节温度控制装置,从而能够控制形成在结构件上的有机层的沉积速率和厚度;
(f)用于将所述第一传感器移动到沉积区外的装置以及用于全部或部分地去除沉积在传感器上的有机材料以使这样传感器可在沉积区中重复使用的装置;以及
(g)用于将多个可移动的传感器中的第二可移动的传感器移动到沉积区中的装置以及与所述第二传感器相连的电装置。
9.如权利要求8所述的设备,其特征在于,多个传感器设置在可移动的传感器支撑件上,并且用于去除沉积在第一传感器上的有机材料的装置包括被引向传感器上的有机材料的闪光辐射或定时辐射束。
10.如权利要求9所述的设备,还包括预先形成在多个传感器中的每一个上的热量吸收层。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103668079A (zh) * 2012-09-17 2014-03-26 三星显示有限公司 蒸镀装置
CN104099573A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 三星显示有限公司 沉积设备
CN104630735A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 温度监控装置及等离子体加工设备
WO2016029539A1 (zh) * 2014-08-28 2016-03-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN108011054A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备
CN108291291A (zh) * 2016-10-25 2018-07-17 应用材料公司 用于测量沉积率的测量组件、蒸发源、沉积设备及其方法
CN108883830A (zh) * 2017-01-24 2018-11-23 威里利生命科学有限责任公司 用于移动自动大量释放昆虫的系统和方法
CN110471264A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 柯尼卡美能达办公系统研发(无锡)有限公司 定影装置以及图像形成装置
WO2023108729A1 (zh) * 2021-12-15 2023-06-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US6649436B2 (en) * 2002-02-11 2003-11-18 Eastman Kodak Company Using organic materials in making an organic light-emitting device
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
DE602004027256D1 (de) * 2003-06-27 2010-07-01 Sundew Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置
KR100762701B1 (ko) * 2006-05-11 2007-10-01 삼성에스디아이 주식회사 크리스탈 센서 및 이를 구비한 유기 발광소자 증착장치.
ITBO20060397A1 (it) * 2006-05-24 2007-11-25 Consiglio Nazionale Ricerche Macchina per la deposizione automatizzata di materiale mediante un aerografo
KR101222980B1 (ko) * 2006-06-30 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 증착 장비의 결정 센서의 재생 방법
KR20080066285A (ko) * 2007-01-11 2008-07-16 삼성전자주식회사 증발장치와 유기층 형성 방법
JP2009001885A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Canon Inc 膜厚検知装置及び蒸着方法
KR100974041B1 (ko) * 2008-07-03 2010-08-05 주식회사 선익시스템 막 증착 장치와 막 두께 측정 방법
JP5121645B2 (ja) * 2008-09-25 2013-01-16 日立造船株式会社 真空蒸着設備の膜厚検出装置
KR101499228B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
TWI472639B (zh) * 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
TWI475124B (zh) * 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
EP2523693A4 (en) * 2010-01-14 2017-05-31 Infection Prevention Technologies Systems and methods for emitting radiant energy
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) * 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
EP2585800A1 (en) * 2010-06-24 2013-05-01 Tangidyne Corporation Self-cleaning film thickness measuring apparatus, and method of cleaning film thickness measuring apparatus
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101730498B1 (ko) * 2010-10-22 2017-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP5697427B2 (ja) * 2010-12-14 2015-04-08 株式会社アルバック 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
EP2508645B1 (en) * 2011-04-06 2015-02-25 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
JP2013014798A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、薄膜製造方法
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
TWI624862B (zh) * 2012-06-11 2018-05-21 應用材料股份有限公司 在脈衝式雷射退火中使用紅外線干涉技術之熔化深度測定
US9856563B2 (en) * 2012-08-22 2018-01-02 Uchicago Argonne, Llc Micro-balance sensor integrated with atomic layer deposition chamber
CN103160798A (zh) * 2013-02-26 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 侦测蒸发源的装置及方法
DE102014014970B4 (de) * 2014-10-14 2020-01-02 NICE Solar Energy GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Schichtdickenmessung für Dampfabscheideverfahren
WO2016202388A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Applied Materials, Inc. Measurement assembly for measuring a deposition rate and method therefore
KR101950959B1 (ko) * 2015-06-17 2019-02-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증착률을 측정하기 위한 방법 및 증착률 제어 시스템
WO2017050355A1 (en) * 2015-09-22 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Diffusion barrier for oscillation crystals, measurement assembly for measuring a deposition rate and method thereof
SG10201510101XA (en) 2015-12-09 2017-07-28 Au Optronics Corp Evaporation apparatus and evaporation method
CN105603379B (zh) * 2016-01-05 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种检测真空蒸镀膜厚的检测装置和真空蒸镀装置
US10763143B2 (en) * 2017-08-18 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Processing tool having a monitoring device
WO2020122944A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Applied Materials, Inc. Measurement assembly for measuring a deposition rate and method therefore
CN113106411A (zh) * 2021-04-13 2021-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种镀膜检测装置、镀膜设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH475559A (fr) * 1967-04-21 1969-07-15 Battelle Development Corp Procédé de mesure de la vitesse d'évaporation sous vide, jauge pour la mise en oeuvre de ce procédé et application de ce procédé
US3689747A (en) * 1970-12-09 1972-09-05 Ibm Digital evaporation monitor system
US4036167A (en) * 1976-01-30 1977-07-19 Inficon Leybold-Heraeus Inc. Apparatus for monitoring vacuum deposition processes
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5025664A (en) * 1989-11-02 1991-06-25 Leybold Inficon, Inc. Multiple crystal head for deposition thickness monitor
US5112642A (en) * 1990-03-30 1992-05-12 Leybold Inficon, Inc. Measuring and controlling deposition on a piezoelectric monitor crystal
JP3405562B2 (ja) * 1993-07-15 2003-05-12 松下電器産業株式会社 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
AU6032298A (en) * 1997-01-22 1998-08-07 Speciality Coating Systems, Inc. Crystal holder
US6362339B1 (en) * 1999-10-06 2002-03-26 3M Innovative Properties Company Method of making metal 8-quinolinolato complexes
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103668079A (zh) * 2012-09-17 2014-03-26 三星显示有限公司 蒸镀装置
CN103668079B (zh) * 2012-09-17 2017-12-12 三星显示有限公司 蒸镀装置
CN104099573B (zh) * 2013-04-03 2018-04-06 三星显示有限公司 沉积设备
CN104099573A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 三星显示有限公司 沉积设备
CN104630735A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 温度监控装置及等离子体加工设备
CN104630735B (zh) * 2013-11-06 2017-12-19 北京北方华创微电子装备有限公司 温度监控装置及等离子体加工设备
WO2016029539A1 (zh) * 2014-08-28 2016-03-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN108291291A (zh) * 2016-10-25 2018-07-17 应用材料公司 用于测量沉积率的测量组件、蒸发源、沉积设备及其方法
CN108883830A (zh) * 2017-01-24 2018-11-23 威里利生命科学有限责任公司 用于移动自动大量释放昆虫的系统和方法
CN108883830B (zh) * 2017-01-24 2021-12-21 威里利生命科学有限责任公司 用于移动自动大量释放昆虫的系统和方法
CN108011054A (zh) * 2017-11-29 2018-05-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备
CN108011054B (zh) * 2017-11-29 2019-11-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备
CN110471264A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 柯尼卡美能达办公系统研发(无锡)有限公司 定影装置以及图像形成装置
WO2023108729A1 (zh) * 2021-12-15 2023-06-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台

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