CN108291291A - 用于测量沉积率的测量组件、蒸发源、沉积设备及其方法 - Google Patents

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Abstract

描述一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件(100)。测量组件(100)包括：第一振荡晶体(110)，用于测量沉积率；第二振荡晶体(120)，用于测量沉积率；和可移动遮板(140)。可移动遮板(140)经构造以用于阻挡从第一测量出口(151)提供的已蒸发材料，第一测量出口被引导以用于将已蒸发材料提供至第一振荡晶体(110)。另外，可移动遮板(140)经构造以用于阻挡从第二测量出口(152)提供的已蒸发材料，第二测量出口被引导以用于将已蒸发材料提供至第二振荡晶体(120)。

Description

用于测量沉积率的测量组件、蒸发源、沉积设备及其方法
技术领域
本公开内容涉及一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件、一种用于材料的蒸发的蒸发源、一种用于将材料供应到基板的沉积设备、和一种用于测量已蒸发材料的沉积率的方法。本公开内容特别涉及一种用于测量已蒸发有机材料的沉积率的测量组件及其方法。另外，本公开内容特别涉及包括有机材料于其中的装置，例如，蒸发源和用于有机材料的沉积设备。
背景技术
有机蒸发器为用于制造有机发光二极管(organic light-emitting diodes，OLED)的工具。OLED为发光二极管的一种特殊形式，在所述OLED中，发光层包括特定的有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)用来制造用于显示信息的电视屏幕、计算机屏幕、移动电话、其他手持装置等。OLED也可用作一般空间照明。OLED显示器的可能的颜色、亮度和视角的范围大于传统的LCD的这些特性，因为OLED像素直接地发光而不涉及背光。因此，相较于传统的LCD显示器的能耗，OLED显示器的能耗相当地少。另外，可制造于柔性基板上的OLED产生其他应用。
OLED的功能取决于有机材料的涂层厚度。此厚度必须在预定范围中。在OLED的生产中，受影响的具有有机材料的涂层的沉积率被控制为落在预定的公差范围中。也就是说，有机蒸发器的沉积率必须在生产工艺中被充分地控制。
因此，对于OLED应用以及对于其他蒸发工艺来说，需要在相当长时间内高准确性的沉积率。现有用于测量蒸发器的沉积率的多个测量系统可用。然而，这些测量系统在所需的时间段内面临准确性不足和/或稳定性不足的情况。
因此，一直需要提供改良的沉积率测量系统、沉积率测量方法、蒸发器和沉积设备。
发明内容
鉴于上述，提供根据独立权利要求的一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件、一种蒸发源、一种沉积设备、和一种用于测量已蒸发材料的沉积率的方法。
根据本公开内容的一方面，提出一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件。测量组件包括：第一振荡晶体，用于测量沉积率；第二振荡晶体，用于测量沉积率；和可移动遮板。可移动遮板经构造以用于阻挡从第一测量出口提供的已蒸发材料，第一测量出口被引导以用于将已蒸发材料提供到第一振荡晶体。另外，可移动遮板经构造以用于阻挡从第二测量出口提供的已蒸发材料，第二测量出口被引导以用于将已蒸发材料提供到第二振荡晶体。
根据本公开内容的另一方面，提出一种用于材料的蒸发的蒸发源。蒸发源包括：蒸发坩锅，其中蒸发坩锅经构造以蒸发材料；分配组件，具有一个或多个出口，用于提供已蒸发材料。分配组件与蒸发坩锅流体连通。另外，蒸发源包括如本文所述的任何实施方式的测量组件。
根据本公开内容的其他方面，提出一种沉积设备，用于在真空腔室中以一沉积率将材料提供至基板。沉积设备包括如本文所述的任何实施方式的至少一个蒸发源。
根据本公开内容的另一方面，提出一种用于测量已蒸发材料的沉积率的方法。方法包括蒸发材料；将已蒸发材料的第一部分供应至基板；将已蒸发材料的第二部分转向至第一振荡晶体和/或第二振荡晶体；和通过使用如本文所述的任何实施方式的测量组件测量沉积率。
其他优点、特征、方面和细节从从属权利要求、说明书和附图更加清楚。
附图说明
为了可详细地了解本公开内容的上述特征，在上文简要概述的本公开内容的更特定的描述可参照实施方式来进行。所附附图涉及本公开内容的实施方式并描述于下文。
图1A至图1C示出根据本文所述的实施方式的在不同状态中的用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件的示意图；
图2A至图2D示出根据本文所述的其他实施方式的在不同状态中的用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件的示意图；
图3示出根据本文所述的其他实施方式的测量组件的部分的示意图；
图4A和图4B示出根据本文所述的实施方式的蒸发源的示意性侧视图；
图5示出根据本文所述的实施方式的蒸发源的透视图；
图6示出根据本文所述的实施方式的用于在真空腔室中将材料供应到基板上的沉积设备的示意性俯视图；和
图7A和图7B示出说明如本文所述的用于测量已蒸发材料的沉积率的方法的实施方式的方框图。
具体实施方式
将详细地参照本公开内容的数种实施方式，本公开内容的数种实施方式的一个或多个示例示出于附图中。在以下对附图的描述中，相同附图标记是指相同部件。在下文中，一般仅有关于个别实施方式的相异之处进行说明。各示例以解释本公开内容的方式提供而不表示本公开内容的限制。另外，描述或叙述为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合以产生另一实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。
在更详细地描述本公开内容的数种实施方式前，有关于本文使用的一些术语的数个方面进行解释。
在本公开内容中，“用于测量沉积率的振荡晶体”可理解为，通过测量振荡晶体谐振器的频率的改变，用于测量在每个单位面积的振荡晶体上的已沉积材料的质量变化的振荡晶体。特别地，在本公开内容中，振荡晶体可理解为石英晶体谐振器(quartz crystalresonator)。更特别地，“用于测量沉积率的振荡晶体”可理解为石英晶体微天平(quartzcrystal microbalance，QCM)。
在本公开内容中，“可移动遮板(movable shutter)”可理解为布置在测量组件与测量出口之间的可移动元件，所述测量出口用于提供已蒸发材料至测量组件。特别地，“可移动遮板”可理解为经构造以于测量组件与测量出口之间的空间中移动的元件。例如，可移动遮板可经构造以沿着横向方向为可移动的。根据另一示例，可移动遮板可经构造以为可旋转的。一般来说，于可移动遮板的第一状态中，可移动遮板经构造以用于阻挡经由测量出口提供的已蒸发材料的流动，并且于可移动遮板的第二状态中，可移动遮板经构造以用于开放(unblocking)经由测量出口提供的已蒸发材料的流动。因此，可移动遮板经构造以用于控制已蒸发材料至测量组件的通路。
在本公开内容中，“用于材料的蒸发的蒸发源”可理解为一种经构造以用于提供将沉积于基板上的材料的布置。特别地，蒸发源可经构造以用于在真空腔室中提供将沉积于基板上的材料，真空腔室例如是真空沉积设备的真空沉积腔室。根据一些实施方式，蒸发源可包括蒸发器或坩锅以及分配组件，所述蒸发器或坩锅蒸发将沉积于基板上的材料，所述分配组件例如是分配管道或一个或多个点源，可沿着竖直轴线布置。例如，分配组件可经构造以在朝向基板的方向中例如是经由出口或喷嘴释放已蒸发材料。
在本公开内容中，“坩锅”可理解为提供或容纳将沉积的材料的装置或贮槽。一般来说，坩锅可加热以用于蒸发将沉积于基板上的材料。坩锅可处于与分配组件流体连通的状态，由坩锅蒸发的材料可递送至所述分配组件。在一个示例中，坩锅可为用于蒸发有机材料的坩锅，有机材料例如是具有约100℃至约600℃的蒸发温度的有机材料。
在本公开内容中，术语“流体连通”可理解为流体连通的两个元件可经由连接来交换流体以允许流体在两个元件之间流动。在一个示例中，被流体连通的元件可以包括中空结构，流体可经由中空结构而流动。根据一些实施方式，被流体连通的至少一个元件可为管状元件。
在本公开内容中，“分配组件”可理解为用于导引和分配已蒸发材料的分配管道，或可沿着竖直轴线布置的一个或多个点源。特别地，分配管道或一个或多个点源可经构造以用于在分配管道或一个或多个点源中将已蒸发材料从蒸发器提供至出口(例如是喷嘴或开口)。例如，在分配组件为分配管道的形式的情况中，分配管道可为线性分配管道，在纵向方向上延伸。例如，分配管道可以包括具有圆柱的形状的管道，其中圆柱可以具有圆形、三角形或正方形的底部形状或可为任何其他适合的底部形状。
示例性地参照图1A至图1C，根据本文所述的实施方式的用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件100包括第一振荡晶体110、第二振荡晶体120和可移动遮板140，所述第一振荡晶体110用于测量沉积率，所述第二振荡晶体120用于测量沉积率。可移动遮板140经构造以用于阻挡从第一测量出口151提供的已蒸发材料，第一测量出口151用于将已蒸发材料提供至第一振荡晶体110。特别地，第一测量出口151被引导以用于将已蒸发材料提供至第一振荡晶体110。另外，可移动遮板140经构造以用于阻挡从第二测量出口152提供的已蒸发材料。特别地，第二测量出口152被引导以用于将已蒸发材料提供至第二振荡晶体120。
特别地，图1A示出在第一状态中的测量组件，在第一状态中，第二测量出口152被可移动遮板140阻挡，使得经由第二测量出口152提供至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路被阻挡。另外，如图1A中示例性所示，测量组件可经构造以使得经由第一测量出口151提供至第一振荡晶体110的已蒸发材料的通路被提供，而第二测量出口152被阻挡。因此，当第二振荡晶体120可进行清洁时，沉积率可由第一振荡晶体110测量。例如，第二振荡晶体120可通过加热来进行清洁，特别地通过提供对应于沉积于第二振荡晶体120上的已蒸发材料的蒸发温度的加热温度。例如，加热温度可由加热元件提供，所述加热元件提供在可移动遮板140中和/或加热元件提供在用于第二振荡晶体120的保持器中。
图1B示出测量组件的第二状态，在第二状态中，可移动遮板140已移动到一位置，在此位置中，第一测量出口151和第二测量出口152打开以用于提供已蒸发材料至第一振荡晶体110和第二振荡晶体120两者的通路。因此，第一振荡晶体110和第二振荡晶体120可应用来测量沉积率，使得可执行冗余的测量。
在图1C中，示出测量组件的第三状态，在第三状态中，可移动遮板140已经移动至一位置，在此位置中，经由第一测量出口151至第一振荡晶体110提供的已蒸发材料的通路被阻挡。因此，如图1C中示例性地所示，当第一振荡晶体110可进行清洁时，沉积率可由第二振荡晶体120测量。例如，第一振荡晶体110可通过加热来进行清洁，特别地通过提供对应于沉积于第一振荡晶体110上的已蒸发材料的蒸发温度的加热温度。例如，加热温度可由加热元件提供，所述加热元件提供在可移动遮板140中和/或加热元件提供在用于第一振荡晶体110的保持器中。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，可移动遮板可连接到驱动器，例如是线性驱动器，驱动器经构造以用于提供可移动遮板的平移运动，这由图1A和图1C中的可移动遮板140上的箭头示例性地示出。特别地，驱动器可经构造以用于使可移动遮板在第一测量出口被阻挡的状态与第二测量出口被阻挡的第二状态之间移动。因此，参照图1A至图1C示例性地所示，将理解，驱动器可经构造以用于线性横向交替运动来阻挡/开放第一测量出口和第二测量出口。
因此，如本文所述的测量组件提供连续地测量已蒸发材料的沉积率的可能性。特别地，通过提供沉积率可由第一振荡晶体测量而第二振荡晶体可同时进行清洁的测量组件，提供改善的测量组件。例如，因为第一振荡晶体和第二振荡晶体可以交替方式进行清洁，可减少或甚至消除已沉积材料对沉积率测量的准确性的不利影响。另外，如本文所述的测量组件提供进行冗余沉积率测量的可能性。例如，在第一测量出口与第二测量出口打开的测量组件的状态中，即，经由第一测量出口和第二测量出口提供的已蒸发材料的通路提供至第一振荡晶体和第二振荡晶体的状态下，两个振荡晶体可使用于沉积率测量，而有利于增加测量准确性。
示例性地参照图2A至图2D，描述根据其他实施方式的用于测量已沉积材料的沉积率的测量组件100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，可移动遮板140可为可旋转元件，具有至少一个孔160。此至少一个孔160可经构造以用于在可旋转元件为第一状态中时，提供从第一测量出口至第一振荡晶体110的已蒸发材料的通路，如图2A中示例性地所示。例如，可旋转元件可为可旋转盘，具有实质上圆形的形状，如图2A至图2D中示例性地所示。或者，可旋转元件可为可旋转板，具有椭圆形、矩形或任何其他适合的形状。
例如，可旋转元件可连接到驱动器，驱动器经构造以用于提供绕着可旋转元件的旋转轴线的旋转运动，如图2A至图2D示例性地所示。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，至少一个孔160经构造以用于在可旋转元件为第二状态中时，可提供用于从第二测量出口提供至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路。例如，当具有此至少一个孔的可旋转元件从如图2A中示例性地所示的第一状态旋转180°至第二状态时，可提供用于从第二测量出口提供至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路。
示例性地参照图2A至图2D，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，此至少一个孔160可包括第一孔161和第二孔162，第一孔161和第二孔162完全地相对于彼此布置。此构造特别有利于提供已蒸发材料同时至第一振荡晶体和第二振荡晶体的通路，使得冗余的位置测量可执行。
另外，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，此至少一个孔160可包括第三孔163和第四孔164，第三孔163和第四孔164可布置在第一孔161的相反侧上，如图2A至图2C中示例性地所示。第三孔163和第四孔164可另外地或替代地布置在第二孔162的相反侧上(未明确示出)。特别地，第三孔163和第四孔164可布置在径向位置，此径向位置实质上对应于第一孔161的径向位置和/或第二孔162的径向位置。此至少一个孔的径向位置以箭头R和圆形虚线示例性地示出在图2A至图2D中，此至少一个孔的径向位置例如是第一孔161、第二孔162、第三孔163和第四孔164的径向位置。
例如，如图2C中示例性地所示，第三孔163和第四孔164可以相对于第一孔161的位置的α＝45°的角度α提供。虽然未明确地示出，第三孔163和第四孔164可另外地或替代地以相对于第二孔162的位置的α＝45°的角度α提供。因此，如从图2A至图2D可见，可移动遮板可提供为可以四个不同状态实现：在第一状态中，当经由第二测量出口提供至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路被阻挡时，经由第一测量出口提供的已蒸发材料的通路提供至第一振荡晶体110，如图2A中示例性地示出；在第二状态中，第一测量出口和第二测量出口被阻挡，如图2B中示例性地示出；在第三状态中，当经由第一测量出口提供至第一振荡晶体110的已蒸发材料的通路被阻挡时，提供经由第二测量出口至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路，如图2C中示例性地示出；以及在第四状态中，提供经由第二测量出口提供至第二振荡晶体120的已蒸发材料的通路和经由第一测量出口提供至第一振荡晶体110的已蒸发材料的通路。
因此，如本文所述的测量组件的可移动遮板经构造以用于阻挡/不阻挡从第一测量出口提供至第一振荡晶体的已蒸发材料，和用于阻挡/不阻挡从第二测量出口至第二振荡晶体提供的已蒸发材料。如此一来，当第一测量出口阻挡时，第一振荡晶体可例如是通过加热来进行清洁，而沉积率测量可同时利用第二振荡晶体执行，并且反之亦然。因此，改善的测量组件提供而可执行连续沉积率测量。另外，根据本文所述的实施方式的测量组件提供原位清洁用于测量的振荡晶体的可能性。
如图2A至图2D中所示例性示出，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，第一振荡晶体110和第二振荡晶体120可固定于保持器150。示例性地参照图2C，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，保持器150可包括至少一个加热元件170，所述至少一个加热元件170被构造和布置，使得沉积于遮板上的材料可由提供的热进行蒸发，特别地沉积于面对保持器的遮板的一侧上的材料可由提供的热进行蒸发。因此，可清洁沉积于遮板上的材料。例如，如图2C中示例性地所示，至少一个加热元件170可包括第一加热元件171和/或第二加热元件172和/或第三加热元件173和/或第四加热元件174和/或第五加热元件175和/或第六加热元件176。特别地，加热元件可以圆形方式布置在保持器150上，例如是在具有半径R的圆上，此具有半径R的圆实质上对应于此至少一个孔160提供于可移动遮板140中的半径R。根据示例性应用，加热元件彼此等距布置，例如是相邻的加热元件之间具有45°的角度，如图2C中示例性地示出。或者，如图2D中示例性地所示，至少一个加热元件170可经构造成环段元件，环段元件具有至少对应于此至少一个孔160的开口的宽度，如图2D中示例性所示。例如，可提供第一环段加热元件177和第二环段加热元件178。另外，将理解，至少一个加热元件170可具有任何适合的形状或构造。
示例性地参照图3，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，测量组件可包括加热器114，加热器经构造以用于将热提供至第一振荡晶体110和/或第二振荡晶体120，使得沉积于第一振荡晶体110和/或第二振荡晶体120上的材料可蒸发。例如，加热器114可提供在保持器150中，第一振荡晶体110和/或第二振荡晶体120可布置在该保持器150中。保持器150可包括测量开口122。测量开口122可经构造和布置，使得已蒸发材料可沉积于第一振荡晶体110和/或第二振荡晶体120上，用于测量已蒸发材料的沉积率。如图3中示例性地所示，其他加热器115可另外地或替代地提供在可移动遮板140中，例如是参照图1A至图1C所说明的可移动遮板中，或参照图2A至图2D所说明的可移动遮板中。特别地，提供在可移动遮板140的其他加热器115经构造以用于提供热至可移动遮板，使得沉积于可移动遮板上的材料可蒸发。一般来说，加热器114和/或其他加热器115经构造以用于提供加热温度，此加热温度至少对应于沉积于振荡晶体上和/或沉积于遮板上的材料的蒸发温度。因此，振荡晶体可通过本文所述的加热来进行清洁。另外，遮板也可通过加热遮板来进行清洁。
示例性地参照图3，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，可移动遮板140可包括热保护屏蔽件116。如图3中示例性所示，热保护屏蔽件116可布置在可移动遮板140的一侧上，所述可移动遮板140的此侧面对测量出口，例如是第一测量出口151或第二测量出口152。特别地，热保护屏蔽件116可经构造以用于反射由已蒸发料提供的热能，此已蒸发材料通过测量出口提供。根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，热保护屏蔽件116可为板，例为金属片。或者，热保护屏蔽件116可包括两个或更多个板，例如是金属片，相对于彼此间隔例如是0.1mm或更大的缝隙。例如，金属片可具有0.1mm至3.0mm的厚度。特别地，热保护屏蔽件包括含铁(ferrous)或非铁(non-ferrous)材料，例如是选自由铜(Cu)、铝(Al)、铜合金、铝合金、黄铜、铁、钛(Ti)、陶瓷和其他适合的材料所组成的群组的至少一种材料。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，可移动遮板140的其他加热器115可提供在可移动遮板140的一侧上。可移动遮板140的此侧面对振荡晶体，例如是第一振荡晶体110或第二振荡晶体120。因此，通过提供如本文所述的加热器，并且加热器例如是提供在保持器或遮板中，如本文所述的测量组件的振荡晶体可通过由加热器提供的热来蒸发沉积于振荡晶体上的材料而进行原位清洁。这可有利于振荡晶体的整体寿命和可实现的测量准确性。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，测量组件100可以包括热交换器132。特别地，热交换器可以布置在保持器中，例如，靠近或邻近振荡晶体和/或靠近或邻近加热器114。热交换器132可经构造以与振荡晶体和/或保持器150和/或加热器114换热。例如，热交换器可包括管，可通过管提供冷却流体。冷却流体可以是液体或气体，所述液体例如是水，所述气体例如是空气。热交换器可另外地或替代地包括一个或多个帕尔帖(Peltier)元件。一般来说，热交换器是在测量振荡晶体期间应用，并且在通过由加热器加热振荡晶体进行的清洁程序期间关闭。因此，通过提供具有热交换器132的测量组件，高温对沉积率测量的质量、准确性和稳定性的不利影响可减少或甚至消除。特别地，在测量装置已经通过加热来清洁以蒸发来自沉积率测量装置的已沉积材料之后，提供具有热交换器的测量组件可有利于冷却测量装置。
示例性地参照图3，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，测量组件100可以包括温度传感器117，用于测量振荡晶体和/或保持器150的温度。通过提供具有温度传感器117的测量组件100，可获得有关于测量组件的温度的信息，使得可检测出振荡晶体有可能测量不准确时的临界温度。因此，在振荡晶体的临界温度由温度传感器检测出的情况中，可发起适当的反应，例如是通过应用热交换器来进行冷却。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，特别地用于测量沉积率的测量组件100可以包括温度控制系统，用于控制振荡晶体的温度和/或保持器的温度。特别地，温度控制系统可以包括温度传感器117、热交换器132、加热器114和传感器控制器133中的一者或多者。如图3中示例性地所示，传感器控制器133可连接到温度传感器117，用于接收由温度传感器117测量的数据。另外，传感器控制器133可连接到热交换器132，用于控制保持器150和/或振荡晶体的温度。另外，传感器控制器133可连接到加热器114和/或其他加热器115，以例如在如本文所述的清洁期间控制保持器150和/或振荡晶体的加热温度。
图4A和图4B示出根据本文所述的实施方式的蒸发源200的示意性侧视图。根据实施方式，蒸发源200包括蒸发坩锅210，其中蒸发坩锅经构造以蒸发材料，材料例如是有机材料。另外，蒸发源200包括分配组件，所述分配组件例如是分配管道220，具有一个或多个出口222，一个或多个出口222沿着分配组件的长度提供，用于提供已蒸发材料，如图4B中示例性地所示。根据数个实施方式，分配管道220流体连通于蒸发坩锅210，例如是经由蒸汽导管与蒸发坩锅210流体连通。蒸汽导管可提供在分配管道的下端。另外，根据本文所述的实施方式的蒸发源200包括根据本文所述的实施方式的测量组件100，如例如参照图1A至图3所述。
如图4A和图4B中示例性地所示，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，蒸发源200可包括控制器250，控制器250连接到测量组件100和蒸发源200。如本文所述，控制器250可提供第一控制信号251至蒸发源200，特别地可提供第一控制信号251至蒸发坩锅210，以用于调整沉积率。一般来说，控制器250经构造以接收和分析由测量组件100获得的测量数据。另外，控制器250可提供第二控制信号252至沉积率测量组件，例如是用于控制沉积率测量组件的遮板的位置。例如，遮板的位置可控制，使得用于提供已蒸发材料至第一振荡晶体的第一测量出口可由遮板阻挡，和/或用于提供已蒸发材料至第二振荡晶体的第二测量出口可由遮板阻挡。因此，测量组件的第一振荡晶体和第二振荡晶体中的一者可进行清洁，而其他振荡晶体可同时使用于沉积率测量。
如图4A中示例性地所示，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，分配组件可为细长立方体，例如是分配管道220，所述分配管道220包括加热元件215。蒸发坩锅210可为利用坩锅加热单元225蒸发的材料的贮槽，材料例如是有机材料。例如，坩锅加热单元225可提供在蒸发坩锅210的外壳中。根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，分配组件可提供线源，特别地分配管道220可提供线源。例如，如图4B中示例性所示，多个出口222例如是喷嘴，可沿着至少一条线布置。根据替代实施方式(未示出)，可提供沿着所述至少一条线延伸的一个细长开口，例如是狭缝。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，线源可基本上竖直地延伸。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管道的长度可对应于基板的高度，材料在沉积设备中将沉积于此基板上。或者，分配管道的长度可比基板的高度长例如是至少10％或甚至20％，材料将沉积于此基板上。因此，可提供在基板的上端和/或基板的下端的均匀沉积。例如，分配管道的长度可为1.3m或以上，例如是2.5m或以上。
根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，蒸发坩锅210可提供在分配管道的下端，如图4A中示例性地所示。材料可在蒸发坩锅210中蒸发，材料例如是有机材料。已蒸发材料可在分配管道的底部进入分配管道且可基本上侧向地被导引通过分配管道220中的多个出口222，例如是朝向基本上竖直的基板。示例性地参照图4B，根据本文所述的实施方式的测量组件100可提供在分配管道220的上部部分，例如是分配管道220的上端。
示例性地参照图4B，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，第一测量出口151和第二测量出口152可提供于分配组件的壁中，例如是分配管道的背侧224A的壁中，特别地背侧224A的壁的上部分。虽然未明确地示出，将理解，根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，第一测量出口151和第二测量出口152可提供于分配组件的顶壁224C中，特别地分配组件的上部水平顶壁。如图4B中的箭头示例性地所示，已蒸发材料可从分配管道220的内侧经由第一测量出口151和/或第二测量出口152提供至测量组件100。因此，第一测量出口151和/或第二测量出口152被布置和导向，使得已蒸发材料可提供到第一振荡晶体和/或第二振荡晶体。例如，测量组件100可布置在分配组件的背侧224A，特别地在分配组件的上端部分的背侧224A，所述分配组件例如是分配管道220。一般来说，分配组件的端部分的背侧背对沉积方向。根据一些实施方式，测量组件100可固定于分配组件的上端部分的背侧224A，特别地分配管道220的上端部分的背侧224A。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的数个实施方式，第一测量出口151和/或第二测量出口152可具有从0.5mm至4mm的开口。另外，第一测量出口151和/或第二测量出口152可包括喷嘴。例如，喷嘴可包括可调整开口，用于调整提供至测量组件100的已蒸发材料的流量。特别地，喷嘴可经构造以提供选自一范围的测量流量，该范围在一下限与一上限之间，该下限为蒸发源提供的总流量的1/70，特别地蒸发源提供的总流量的1/60，更特别地蒸发源提供的总流量的1/50。，该上限为蒸发源提供的总流量的1/40，特别地蒸发源提供的总流量的1/30，更特别地蒸发源提供的总流量的1/25。例如，喷嘴可经构造以提供蒸发源提供的总流量的1/54的测量流量。
图5示出根据本文所述的实施方式的蒸发源200的透视图。如图5中示例性地所示，分配管道220可设计成三角形的形状。如上所述，分配管道220的三角形的形状可在两个或更多个分配管道彼此相邻的情况中为有利的。特别地，分配管道220的三角形的形状让相邻的分配管道的出口尽可能靠近彼此为可行的。这让来自不同分配管道的不同材料的改善的混合得以实现，例如是用于两种、三种或甚至更多种不同材料的共蒸发的情况。另外，图5中所示的实施方式一般示出而提供第一测量出口151和第二测量出口152，该第一测量出口151用于提供已蒸发材料至测量组件100的第一振荡晶体，该第二测量出口152用于提供已蒸发材料至测量组件100的第二振荡晶体，该第一测量出口151和第二测量出口152例如是提供在分配管道的上端，如示例性地参照图4A和图4B。
示例性地参照图5，分配管道220可包括壁，例如是侧壁224B和位于分配管道的背侧224A的壁。如图5中示例性地所示，第一测量出口151和第二测量出口152可提供于分配管道220的背侧224A的壁中。另外，侧壁224B和在背侧224A的壁可由加热元件215加热。例如，加热元件215可固定或附接到分配管道220的壁，如图5中示例性地所示。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，蒸发源200可包括屏蔽件204。屏蔽件204可减少朝向沉积区域的热辐射。另外，屏蔽件204可由冷却元件216冷却。例如，冷却元件216可固定到屏蔽件204并可包括用于冷却流体的导管。
图6示出根据本文所述的实施方式的用于在真空腔室310中提供材料到基板333的沉积设备300的示意图。根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，沉积设备300包括如本文所述的蒸发源200。特别地，蒸发源200可提供在沉积设备300的真空腔室310中，例如是在轨道上。轨道例如是线性导件320或环状轨道。轨道或线性导件320可经构造以用于蒸发源200的平移运动。因此，用于平移运动的驱动器可在真空腔室310中于轨道和/或线性导件320提供而用于蒸发源200。根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，第一阀305例如是闸阀，可提供而用于真空密封于相邻真空腔室(未示出于图6中)。第一阀可打开而用于递送基板333或掩模332至真空腔室310中或递送基板333或掩模332离开真空腔室310。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，其他真空腔室可设置而相邻于真空腔室310，其他真空腔室例如是维护真空腔室311，如图6中示例性地示出。因此，真空腔室310和维护真空腔室311可以利用第二阀307连接。第二阀307可经构造以打开和关闭在真空腔室310与维护真空腔室311之间的真空密封。当第二阀307为打开状态时，蒸发源200可递送至维护真空腔室311。之后，第二阀307可关闭以提供在真空腔室310与维护真空腔室311之间的真空密封。如果第二阀307关闭时，维护真空腔室311可排气且打开来进行蒸发源200的维护而不破坏真空腔室310中的真空。
如图6中示例性地示出，两个基板可支撑于真空腔室310中的个别的递送轨道上。另外，可提供两个轨道，用于提供掩模于其上。因此，在涂布期间，基板333可由个别的掩模进行遮蔽。例如，掩模可提供在掩模框架331中，以保持掩模332于预定位置中。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板333可由基板支撑件326支撑，基板支撑件326可连接到对准单元312。对准单元312可调整基板333相对于掩模332的位置。如图6中所示例性示出，基板支撑件326可连接到对准单元312。因此，基板可相对于掩模332移动，以在材料沉积期间提供基板与掩模之间合适的对准，而可有利于高质量的显示器制造。掩模332和/或保持掩模332的掩模框架331可替代地或另外地连接到对准单元312。因此掩模332可相对于基板333定位或者掩模332和基板333两者可相对于彼此定位。
如图6中所示，线性导件320可提供蒸发源200的平移运动的方向。在蒸发源200的两侧上可提供掩模332。掩模可基本上平行于平移运动的方向延伸。另外，在蒸发源200的相对侧的基板也可基本上平行于平移运动的方向延伸。如图6中示例性地所示，提供在沉积设备300的真空腔室310中的蒸发源200可包括支撑件202。支撑件202可经构造以用于沿着线性导件320平移运动。例如，支撑件202可支撑两个蒸发坩锅和两个分配管道220，分配管道220提供在个别的蒸发坩锅的上方。根据一些实施方式，支撑件202可支撑三个蒸发坩锅和三个分配管道220，此三个分配管道220提供在个别的蒸发坩锅的上方。因此，在蒸发坩锅中产生的蒸汽可向上地移动及离开分配管道的此一个或多个出口。蒸发源的分配管道可具有实质上三角形的截面。分配管道的三角形的形状让用于沉积已蒸发材料于基板上的相邻的分配管道的出口尽可能靠近彼此，所述出口例如是喷嘴。此让来自不同分配管道的不同材料的改善混合实现，例如是用于两种、三种或甚至多种不同材料的共蒸发的情况。
因此，如本文所述的沉积设备的实施方式提供而用于改善的质量的显示器制造，特别地OLED制造。
示例性地参照示出在图7A和图7B中的方框图，描述用于测量已蒸发材料的沉积率的方法的实施方式。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，用于测量已蒸发材料的沉积率的方法400包括蒸发410材料，材料例如是有机材料；将已蒸发材料的第一部分供应420至基板；将已蒸发材料的第二部分转向430至第一振荡晶体和/或第二振荡晶体；和通过利用根据本文所述任何实施方式的测量组件100测量440沉积率。
因此，通过应用根据本文所述的实施方式的用于测量已蒸发材料的沉积率的方法，沉积率可非常准确地测量。特别地，通过应用如本文所述的用于测量已蒸发材料的沉积率的方法，可减少测量准确性的振荡晶体上的热效应可减少。特别地，高温对沉积率的质量、准确性和稳定性的不利影响可减少或甚至消除。另外，根据本文所述的数个实施方式的用于测量已蒸发材料的沉积率测量的方法提供而用于冗余地测量沉积率，而可进一步改善测量结果的质量和准确性。另外，如本文所述的用于测量已蒸发材料的沉积率的方法提供清洁第一振荡晶体和第二振荡晶体的其中一者的可能性，而其他振荡晶体可使用于沉积率测量。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，蒸发410材料包括使用如本文所述的蒸发坩锅210。另外，将已蒸发材料的第一部分供应420至基板可包括使用根据本文所述实施方式的蒸发源200。根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，将已蒸发材料的第二部分转向430至第一振荡晶体和/或第二振荡晶体可包括如本文所述的使用第一测量出口151和/或第二测量出口152。特别地，将已蒸发材料的第二部分转向430至第一测量出口151和/或第二测量出口152可包括提供选自一范围的测量流量，该范围在一下限与一上限之间，该下限为蒸发源提供的总流量的1/70，特别地蒸发源提供的总流量的1/60，更特别地蒸发源提供的总流量的1/50，该上限为蒸发源提供的总流量的1/40，特别地蒸发源提供的总流量的1/30，更特别地蒸发源提供的总流量的1/25。例如，将已蒸发材料的第二部分转向430至第一测量出口151和/或第二测量出口152可包括提供蒸发源提供的总流量的1/54的测量流量。
根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，测量440沉积率可包括通过如本文所述的温度控制系统与测量组件100交换热，特别地与第一振荡晶体和/或第二振荡晶体交换热。因此，通过与如本文所述的测量组件交换热，特别地与第一振荡晶体和/或第二振荡晶体交换热，高温对沉积率测量的质量、准确性和稳定性的不利影响可减少或甚至消除。特别地，通过与如本文所述的测量组件交换热，第一振荡晶体和/或第二振荡晶体的热波动(thermal fluctuations)可减少或甚至消除，因而可有利于沉积率测量的准确性。因此，应用如本文所述的用于测量沉积率的方法可有利于高质量的显示器制造，特别地OLED制造。
示例性地参照图7B，根据可与本文所述其他实施方式结合的数个实施方式，用于测量已蒸发材料的沉积率的方法400可进一步包括当已蒸发材料至第一振荡晶体的通路由根据本文所述实施方式的可移动遮板阻挡时，通过提供热至第一振荡晶体来清洁450第一振荡晶体。因此，用于测量已蒸发材料的沉积率的方法400可包括当已蒸发材料至第二振荡晶体的通路由根据本文所述实施方式的可移动遮板阻挡时，通过提供热至第二振荡晶体来清洁450第二振荡晶体。
鉴于上述，如本文所述的用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件的实施方式、蒸发源的实施方式、沉积设备的实施方式和用于测量沉积率的方法的实施方式提供冗余地测量沉积率的可能性，以及在其他振荡晶体用于沉积率测量时清洁第一振荡晶体和第二振荡晶体中的一者的可能性。因此，可提供用于高质量显示器制造(例如，高质量的OLED制造)的改善的沉积率测量。

Claims (15)

1.一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件(100)，包括：
第一振荡晶体(110)，用于测量所述沉积率；
第二振荡晶体(120)，用于测量所述沉积率；和
可移动遮板(140)，其中所述可移动遮板(140)经构造以用于阻挡从第一测量出口(151)提供的所述已蒸发材料，所述第一测量出口(151)被引导以用于将已蒸发材料提供至所述第一振荡晶体(110)；并且
其中所述可移动遮板(140)经构造以用于阻挡从第二测量出口(152)提供的所述已蒸发材料，所述第二测量出口(152)被引导以用于将所述已蒸发材料提供至所述第二振荡晶体(120)。
2.如权利要求1所述的测量组件(100)，其中所述可移动遮板为可旋转元件，具有至少一个孔(160)，所述可旋转元件特别为可旋转盘，其中所述至少一个孔(160)经构造以用于在所述可旋转元件为第一状态中时，提供所述已蒸发材料从所述第一测量出口(151)至所述第一振荡晶体(110)的通路。
3.如权利要求2所述的测量组件(100)，其中所述至少一个孔(160)经构造以用于在所述可旋转元件为第二状态中时，提供所述已蒸发材料从所述第二测量出口(152)至所述第二振荡晶体(120)的通路。
4.如权利要求2或3所述的测量组件(100)，其中所述至少一个孔(160)包括第一孔(161)和第二孔(162)，所述第一孔(161)和所述第二孔(162)完全地相对于彼此布置。
5.如权利要求4所述的测量组件(100)，其中所述至少一个孔(160)包括第三孔(163)和第四孔(164)，所述第三孔(163)和所述第四孔(164)布置在所述第一孔(161)和/或所述第二孔(162)的相反侧上，其中所述第三孔(163)和所述第四孔(164)布置在径向位置，所述径向位置实质上对应于所述第一孔(161)的径向位置和/或所述第二孔(162)的径向位置。
6.如权利要求1至5的任一项所述的测量组件(100)，进一步包括加热器(114)，经构造以用于将热提供至所述第一振荡晶体(110)和/或所述第二振荡晶体(120)，使得沉积于所述第一振荡晶体(110)和/或所述第二振荡晶体(120)上的材料可蒸发。
7.如权利要求1至6的任一项所述的测量组件(100)，进一步包括另一加热器(115)，所述另一加热器提供在所述可移动遮板(140)中，所述其他加热器经构造以用于将热提供至所述可移动遮板，使得沉积于所述可移动遮板上的材料可蒸发。
8.如权利要求6所述的测量组件(100)，其中所述加热器提供在用于所述第一振荡晶体(110)的第一保持器中和所述第二振荡晶体(120)的第二保持器中。
9.一种蒸发源(200)，用于材料的蒸发，所述蒸发源包括：
蒸发坩锅(210)，其中所述蒸发坩锅经构造以蒸发材料；
分配组件，具有一个或多个出口(222)，用于在沉积方向中提供已蒸发材料，其中所述分配组件与所述蒸发坩锅流体连通；和
如权利要求1至8的任一项所述的测量组件。
10.如权利要求9所述的蒸发源(200)，进一步包括第一测量出口(151)和第二测量出口(152)，所述第一测量出口(151)用于将所述已蒸发材料提供至所述测量组件(100)的所述第一振荡晶体(110)，所述第二测量出口(152)用于将所述已蒸发材料提供至所述测量组件(100)的所述第二振荡晶体(120)。
11.如权利要求10所述的蒸发源(200)，其中所述第一测量出口(151)和/或所述第二测量出口(152)经构造以用于提供一测量流量，所述测量流量为从所述蒸发源提供的总流量的1/70至所述蒸发源提供的所述总流量的1/25。
12.如权利要求11所述的蒸发源(200)，其中所述第一测量出口(151)和所述第二测量出口(152)提供于所述分配组件的端部分的背侧，其中所述测量组件(100)布置在所述分配组件的所述端部分的所述背侧，并且其中所述分配组件的所述端部分的所述背侧背对所述沉积方向。
13.一种沉积设备(300)，用于于真空腔室(310)中以一沉积率将材料提供至基板，所述沉积设备包括如权利要求9至12的任一项所述的至少一个蒸发源(200)。
14.一种用于测量已蒸发材料的沉积率的方法(400)，包括：
蒸发(410)材料；
将所述已蒸发材料的第一部分供应(420)至基板；
将所述已蒸发材料的第二部分转向(430)至第一振荡晶体和/或第二振荡晶体；和
通过使用如权利要求1至9的任一项所述的所述测量组件测量(440)所述沉积率。
15.如权利要求14所述的方法(400)，进一步包括当所述可移动遮板阻挡所述已蒸发材料至所述第一振荡晶体和/或所述第二振荡晶体的通路时，通过将热供应至所述第一振荡晶体和/或所述第二振荡晶体来清洁(450)所述第一振荡晶体和/或所述第二振荡晶体。
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