CN113278918B - 掩膜装置及蒸镀方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例所提供的掩膜装置及蒸镀方法,掩膜装置的掩膜本体的表面开设有朝掩膜装置的图形区域方向延伸的沟槽,且沟槽靠近图形区域的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部。如此设计,在掩膜装置与阵列基板完成蒸镀对位之后,封堵部可以避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽蒸镀到阵列基板的功能组件上,进而避免功能组件出现剥离,避免阵列基板报废,确保后续能够进行相关膜层制作,提高显示设备的成品良率。
Description
技术领域
本申请属于显示设备制造技术领域,具体涉及一种掩膜装置及蒸镀方法。
背景技术
在显示设备的制备过程中,通常利用掩膜板并结合相关的蒸镀工艺将发光材料蒸镀到阵列基板上。然而在向阵列基板进行发光材料蒸镀时,阵列基板上存在的功能组件(例如测试元件组)容易出现剥离,进而无法进行后续的相关膜层制作,降低了显示设备的成品良率。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种掩膜装置及蒸镀方法,封堵部可以用于阻隔蒸镀材料,避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽蒸镀到阵列基板的功能组件上,进而避免功能组件出现剥离,确保后续能够进行相关膜层制作,提高显示设备的成品良率。
本申请实施例的第一方面,提供了一种掩膜装置(100),包括:
图形区域(10),以及
环绕所述图形区域(10)的掩膜本体(20);
所述掩膜本体(20)开设有向所述图形区域(10)延伸的沟槽(21),所述沟槽(21)靠近所述图形区域(10)的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部(22)。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述封堵部(22)包括第一表面(221)以及连接在所述第一表面(221)和所述沟槽(21)的底面(211)之间的第一侧面(222),所述掩膜本体(20)包括用于与待蒸镀的基板(30)接触的第二表面(201),所述第一表面(221)与所述第二表面(201)共面。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交;
优选地,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交形成的夹角为钝角。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述封堵部(22)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第二侧面(223),所述掩膜本体(20)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第三侧面(202),所述第二侧面(223)与所述第三侧面(202)共面;
优选地,所述第二侧面(223)与所述第一侧面(222)平行。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述第一表面(221)在所述沟槽(21)延伸方向上的宽度为0.5mm~1mm。
在第一方面的一个可替换的实施例中,还包括加强件(40);
所述加强件(40)固定设置于所述第一表面(221)以及所述第二表面(201)。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述封堵部(22)用于遮挡待蒸镀的基板(30)上设置的功能组件(31)。
在第一方面的一个可替换的实施例中,沿着远离所述图形区域(10)的方向,所述沟槽(21)的底面(211)与所述第一表面(221)所在平面之间的垂直间距递增。
在第一方面的一个可替换的实施例中,所述沟槽(21)还包括第四侧面(212)以及连接在所述第四侧面(212)与所述底面(211)之间的弧面(213)。
本申请实施例的第二方面,提供了一种蒸镀方法,采用第一方面所述的掩膜装置(100)对基板(30)进行蒸镀,所述方法包括:
将掩膜装置(100)与基板(30)进行蒸镀对位,使得封堵部(22)在基板(30)上的正投影区域覆盖功能组件(31)所在区域;
将蒸镀对位后的所述掩膜装置(100)与所述基板(30)进行压合;
从所述掩膜装置(100)远离所述基板(30)的一侧对所述基板(30)进行蒸镀,以在所述基板(30)上与所述图形区域(10)对应的区域形成蒸镀材料层。
综上所述,相较于现有技术,本申请实施例所提供的掩膜装置及蒸镀方法,掩膜装置的掩膜本体的表面开设有朝掩膜装置的图形区域方向延伸的沟槽,且沟槽靠近图形区域的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部。如此设计,在掩膜装置与阵列基板完成蒸镀对位之后,封堵部可以避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽蒸镀到阵列基板的功能组件上,进而避免功能组件出现剥离,避免阵列基板报废,确保后续能够进行相关膜层制作,提高显示设备的成品良率。
附图说明
图1为一种掩膜板的结构示意图。
图2为采用图1所示的掩膜板进行掩膜蒸镀的原理图。
图3为本申请实施例所提供的掩膜装置的第一结构示意图。
图4为本申请实施例所提供的掩膜本体的局部结构示意图。
图5为本申请实施例所提供的封堵部的第一视角示意图。
图6为本申请实施例所提供的掩膜装置的第二结构示意图。
图7为本申请实施例所提供的掩膜装置的第三结构示意图。
图8为本申请实施例所提供的掩膜本体的第二视角示意图。
图9为本申请实施例所提供的蒸镀方法的流程图。
图10为采用图8所示的掩膜装置进行掩膜蒸镀的原理图。
图标:
100-掩膜装置;
10-图形区域;
20-掩膜本体;201-第二表面;202-第三侧面;21-沟槽;211-底面;22-封堵部;221-第一表面;222-第一侧面;223-第二侧面;
30-基板;31-功能组件;
40-加强件;
50-蒸镀材料。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,需要说明的是,当元件被称为“形成在另一元件上”时,它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
请结合参阅图1和图2,发明人在发现阵列基板上存在的功能组件在发光材料的蒸镀过程中容易出现剥离的问题之后,对相关掩膜板进行了长期的蒸镀试验和研究,分析出阵列基板上存在的功能组件在发光材料的蒸镀过程中容易出现剥离的主要原因是:在蒸镀对位时,基板30上的功能组件31与掩膜板上开设的沟槽21在位置上对应,蒸镀材料50容易通过图形区域10经由沟槽21的缝隙蒸镀到基板30上的功能组件31位置处,从而导致功能组件31出现剥离。
为改善上述问题,发明人创新性地提出了一种掩膜装置及蒸镀方法,设置于沟槽中的封堵部可以用于阻隔蒸镀材料,避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽蒸镀到阵列基板的功能组件上,进而避免功能组件出现剥离。下面将结合附图对本申请各种可能的实施方式进行示例性说明。
请参阅图3,为本申请实施例所提供的一种掩膜装置100的结构示意图,该掩膜装置包括图形区域10和掩膜本体20,掩膜本体20环绕图形区域10。例如,图形区域10可以理解为掩膜装置100的开口区域,掩膜本体20所在区域可以理解为掩膜装置100的遮挡区域。
进一步地,掩膜本体20的表面开设有向图形区域10延伸的沟槽21,沟槽21靠近图形区域10的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部22。在本申请实施例中,沟槽21可以位于掩膜本体20靠近基板30的表面。沟槽21可以为切割槽,切割槽用于在制作alignmask(对位mask)的过程中对align mask进行激光切割。
可以理解的是,在align mask与掩膜装置100进行对位后,align mask的切割边缘与沟槽21对应或对位(例如,align mask的边缘在掩膜装置100上的正投影落入沟槽21的范围内),以便于通过沟槽21对align mask进行激光切割。
其中,从掩膜本体20远离图形区域10的一端向图形区域10开设沟槽21时,可以在沟槽21靠近图形区域10的一端保留一定的余量。换言之,在掩膜本体20上开设沟槽21时,可以不将沟槽21完全打通。从而在沟槽21靠近图形区域10的一端形成封堵部22,相应的,封堵部22可以理解为掩膜本体20的一部分。
如此设计,在掩膜装置100与基板30完成蒸镀对位之后,封堵部22可以避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽蒸镀到基板30的功能组件31上,进而避免功能组件31出现剥离导致基板30报废,以确保后续能够进行相关膜层(例如触控电极层)的制作,提高显示设备的成品良率。
在一些可能的实施例中,请结合参阅图3和图4,封堵部22可以包括第一表面221以及连接在第一表面221和沟槽21的底面211之间的第一侧面222。在本申请实施例中,第一侧面222与第一表面221远离图形区域10的一侧连接。进一步地,掩膜本体20包括用于与待蒸镀的基板30接触的第二表面201。相应的,第一表面221与第二表面201共面,如此设计,可以确保蒸镀过程中掩膜装置100与基板30的可靠贴合。
为了避免后续对掩膜装置100进行清洗时的清洗液残留,在另外的一些实施例中,请继续参阅图3和图4,第一侧面222与底面211斜交。换言之,第一侧面222与底面211斜交形成的夹角为钝角,且第一侧面222向沟槽21远离图形区域10的一端延伸。在本申请实施例中,第一侧面222由靠近第一表面221的一侧向沟槽21远离图形区域10的一端延伸,并与沟槽21的底面211相交。如此设计,在对掩膜装置100进行清洗时,清洗液能够顺着第一侧面222流向沟槽21的底面211,进而从沟槽21中流出,从而避免清洗液的残留。
请继续参阅图4,封堵部22还可以包括靠近图形区域10一侧的第二侧面223,掩膜本体20还可以包括靠近图形区域10一侧的第三侧面202。相应的,第二侧面223与第三侧面202共面。如此设计,第二侧面223与第三侧面202形成的阻挡面能够阻挡蒸镀材料蒸镀到功能组件31上。在其他实施例中,第二侧面223与第三侧面202共面也可以理解为第二侧面223属于第三侧面202的其中一部分。
在一些优选的实施方式中,第二侧面223可以与第一侧面222平行,如此,可以在制作掩膜装置100的过程中减少结构设计的复杂度。
在一些可能的实施例中,请结合参阅图4和图5,第一表面221在沟槽21延伸方向上的宽度w可以为0.5mm~1mm。例如可以为0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.7mm、0.75mm、0.8mm、0.85mm、0.9mm、0.95mm或者1mm。在本申请实施例中,第一表面221在沟槽21的延伸方向上的宽度w可以理解为封堵部22的余量。在本申请实施例中,余量可以理解为沟槽21与图形区域10之间的封堵程度。例如,第一表面221在沟槽21的延伸方向上的宽度w越大,封堵部22的余量越大,沟槽21与图形区域10之间的封堵程度越大。如此设计,可以为后续加强件的设置提供结构保障,进而确保整个掩膜装置100的结构稳定性。
在实际应用时,为了进一步确保封堵部22与周边结构之间的结构稳定性,还可以对封堵部22进行二次加固处理。基于此,请结合参阅图6,掩膜装置100还可以包括加强件40,该加强件40可以固定设置于第一表面221以及第二表面201。在实际实施过程中,加强件40可以与封堵部22以及部分掩膜本体20焊接固定,从而实现对封堵部22的二次加固,确保封堵部22与周边结构之间的结构稳定性。此外,通过焊接加强件40、封堵部22以及部分掩膜本体20,能够避免蒸镀过程中加强件40被磁铁吸附而导致加强件40与封堵部22之间出现间隙,进而避免蒸镀材料蒸镀到间隙处。
在本申请实施例中,加强件40可以理解是一种dummy mask,此外,加强件40的结构可以是条状结构。
在一些可能的实施例中,请继续参阅图3,封堵部22可以用于遮挡待蒸镀的基板30上设置的功能组件31,从而避免蒸镀材料通过沟槽21蒸镀到功能组件31上引起功能组件31的剥离。
在实际实施过程中,为了在后续清洗掩膜装置100的过程中尽可能避免清洗液的残留,还可以对沟槽21的结构进行优化。相应地,请结合参阅图4和图7,在一些可能的实施例中,沿着远离图形区域10的方向,沟槽21的底面211与第一表面221所在平面之间的垂直间距递增。换言之,可以将沟槽21的底面211作斜面处理,这样一来,清洗液可以顺着封堵部22的第一侧面222以及沟槽21的底面211流出,从而尽可能避免清洗液在掩膜装置100中的残留。
在另外的一些实施例中,为了便于清洗液的流动,还可以对沟槽21进行倒圆角处理。换言之,请结合参阅图8,沟槽21还可以包括第四侧面212以及连接在第四侧面212与底面211之间的弧面213。可以理解的是,第四侧面212和底面211通过弧面213相接,从而加强清洗液的流动性,避免清洗液在第四侧面212和底面211的交界处残留。
基于上述同样的发明构思,还提供了一种蒸镀方法,该方法可以采用上述的掩膜装置100对基板30进行蒸镀,请结合参阅图9,该方法可以包括步骤S91-步骤S93所描述的技术方案。
步骤S91、将掩膜装置100与基板30进行蒸镀对位,使得封堵部22在基板30上的正投影区域覆盖功能组件31所在区域。
请结合参阅图10,在对基板30进行蒸镀之前,可以预先进行蒸镀粗对位。换言之,可以将掩膜装置100的封堵部22与基板30上的功能组件31进行对准,使得封堵部22在基板30上的正投影区域与功能组件31所在区域重合。
步骤S92、将蒸镀对位后的掩膜装置100与基板30进行压合。
可以理解的是,在完成蒸镀粗对位之后,可以将掩膜装置100与基板30进行压合,避免蒸镀过程中掩膜装置100与基板30之间出现相对移动而影响蒸镀质量。
步骤S93、从掩膜装置100远离基板30的一侧对基板30进行蒸镀,以在基板30上与图形区域10对应的区域形成蒸镀材料层。
请结合参阅图10,可以理解的是,由于封堵部22能够对功能组件31进行遮挡,并且可以阻挡蒸镀材料通过沟槽21蒸镀到功能组件31上,从而避免功能组件31出现剥离。
可以理解的是,本申请实施例所提供的掩膜装置100可以有很多种设计方式,不同设计方式可以通过对相应的改进点进行组合得到,比如,掩膜装置100的改进点包括但不限于以下几个。
第一个改进点:封堵部22的第一侧面222为斜面。
第二个改进点:增设加强件40。
第三个改进点:沟槽21的底面211为斜面。
第四个改进点:沟槽21的底面211和第四侧面212之间倒圆角。
可以理解的是,在沟槽21靠近图形区域10的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部22的原始设计前提下,可以选择上述四个改进点中的至少一个改进点进行组合以得到优化方案。
例如,原始设计可以分别与每个改进点进行结合以得到四个优化方案,原始设计也可以与每两个改进点进行结合以得到六个优化方案,原始设计还可以与每三个改进点进行结合以得到四个优化方案,相应地,原始设计同样可以与上述四个改进点进行结合以得到一个优化方案。
换言之,本申请实施例的掩膜装置100的设计方案可以包括上述的原始方案以及十五个优化方案,在实际实施时可以根据实际需求进行灵活选择,本申请实施例不作限制。
综上,本申请实施例提供的掩膜装置100及蒸镀方法,掩膜装置100的掩膜本体20的表面开设有朝掩膜装置100的图形区域10方向延伸的沟槽21,且沟槽21靠近图形区域10的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部22。如此设计,在掩膜装置100与基板30完成蒸镀对位之后,封堵部22可以避免在蒸镀时蒸镀材料通过沟槽21蒸镀到基板30的功能组件31上,进而避免功能组件31出现剥离,避免基板30报废,确保后续能够进行相关膜层制作,提高显示设备的成品良率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种掩膜装置(100),其特征在于,包括:
图形区域(10),以及
环绕所述图形区域(10)的掩膜本体(20);
所述掩膜本体(20)开设有向所述图形区域(10)延伸的沟槽(21),所述沟槽(21)靠近所述图形区域(10)的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部(22);
其中,所述掩膜装置(100)用于对基板(30)进行蒸镀,所述掩膜装置(100)与所述基板(30)进行蒸镀对位后,所述封堵部(22)在所述基板(30)上的正投影区域覆盖所述基板(30)上的功能组件(31)所在区域,以防止蒸镀材料通过所述沟槽(21)蒸镀到所述功能组件(31)上。
2.根据权利要求1所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)包括第一表面(221)以及连接在所述第一表面(221)和所述沟槽(21)的底面(211)之间的第一侧面(222),所述掩膜本体(20)包括用于与待蒸镀的基板(30)接触的第二表面(201),所述第一表面(221)与所述第二表面(201)共面。
3.根据权利要求2所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交;
优选地,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交形成的夹角为钝角。
4.根据权利要求3所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第二侧面(223),所述掩膜本体(20)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第三侧面(202),所述第二侧面(223)与所述第三侧面(202)共面;
优选地,所述第二侧面(223)与所述第一侧面(222)平行。
5.根据权利要求2所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述第一表面(221)在所述沟槽(21)延伸方向上的宽度为0.5mm~1mm。
6.根据权利要求2-5任一项所述的掩膜装置(100),其特征在于,还包括加强件(40);
所述加强件(40)固定设置于所述第一表面(221)以及所述第二表面(201)。
7.根据权利要求1所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)用于遮挡待蒸镀的基板(30)上设置的功能组件(31)。
8.根据权利要求2-5任一项所述的掩膜装置(100),其特征在于,沿着远离所述图形区域(10)的方向,所述沟槽(21)的底面(211)与所述第一表面(221)所在平面之间的垂直间距递增。
9.根据权利要求8所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述沟槽(21)还包括第四侧面(212)以及连接在所述第四侧面(212)与所述底面(211)之间的弧面(213)。
10.一种蒸镀方法,其特征在于,采用权利要求1-9任一项所述的掩膜装置(100)对基板(30)进行蒸镀,所述方法包括:
将掩膜装置(100)与基板(30)进行蒸镀对位,使得封堵部(22)在基板(30)上的正投影区域覆盖功能组件(31)所在区域;
将蒸镀对位后的所述掩膜装置(100)与所述基板(30)进行压合;
从所述掩膜装置(100)远离所述基板(30)的一侧对所述基板(30)进行蒸镀,以在所述基板(30)上与所述图形区域(10)对应的区域形成蒸镀材料层。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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