CN110257768A - 掩膜构件 - Google Patents

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CN110257768A CN201910514173.8A CN201910514173A CN110257768A CN 110257768 A CN110257768 A CN 110257768A CN 201910514173 A CN201910514173 A CN 201910514173A CN 110257768 A CN110257768 A CN 110257768A
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Abstract

本发明提供一种掩膜构件，该掩膜构件包括第一掩膜板、第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域。

Description

掩膜构件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜构件。
背景技术
OLED显示面板发光层公共电极会导致光透过率降低，影响屏下摄像头模块的使用效果，公共电极整层设置，在电子元件遮蔽区影响透光率。
所以，现有OLED显示面板存在电子元件设置区的公共电极影响透光率的技术问题，需要改进。
发明内容
本发明提供一种掩膜构件，用于解决现有OLED显示面板存在电子元件设置区的公共电极影响透光率的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种掩膜构件，其包括：
第一掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域；
第二掩膜板，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的一条边连接。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区形状为I型。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的长边连接。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的短边连接。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的两条边连接。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区形状为L型。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与第一开口区的三条边连接。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区形状为T型。
在本发明提供的掩膜构件中，所述第一连接遮蔽区与第一开口区的四条边连接。
本发明的有益效果为：本发明提供一种掩膜构件，该掩膜构件包括第一掩膜板、第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域；在蒸镀公共电极时，用第一掩膜板蒸镀得到公共电极的第一区域，所述公共电极的第一区域在连接遮蔽区和电子元件遮蔽区未设置公共电极，用第二掩膜构件蒸镀得到公共电极的第二区域，所述公共电极的第二区域在连接遮蔽区设置有公共电极，公共电极的第一区域和公共电极的第二区域共同构成公共电极，所述公共电极在电子元件遮蔽区未设置公共电极。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的掩膜构件的截面示意图；
图2为本发明实施例提供的第一掩膜板的第一种俯视示意图；
图3为本发明实施例提供的第二掩膜板的俯视示意图；
图4为本发明实施例提供的第一掩膜板的第二种俯视示意图；
图5为本发明实施例提供的第一掩膜板的第三种俯视示意图；
图6为本发明实施例提供的第一掩膜板的第四种俯视示意图；
图7为本发明实施例提供的第一掩膜板的第五种俯视示意图；
图8为本发明实施例提供的第一掩膜板的第六种俯视示意图；
图9为本发明实施例提供的蒸镀设备的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的掩膜板制作工艺的流程图；
图11为本发明实施例提供的全面屏显示面板的公共电极蒸镀方法的流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
针对现有OLED显示面板存在电子元件设置区的公共电极影响透光率的技术问题，本发明实施例可以解决这个问题。
如图1、图2、图3所示，虚线框处为电子元件遮蔽区，本发明提供的掩膜构件10包括第一掩膜板101、第二掩膜板102，所述第一掩膜板101包括第一遮蔽区204、位于所述第一遮蔽区204内的第一开口区203、以及位于所述第一开口区203内的电子元件遮蔽区202和连接遮蔽区201，所述连接遮蔽区201连接所述电子元件遮蔽区202和所述第一遮蔽区204，连接遮蔽区201分为电子元件遮蔽区202一侧的第一连接遮蔽区2001和另一侧的第二连接遮蔽区2002，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域，所述第二掩膜板102包括第二遮蔽区302、位于所述第二遮蔽区302内的第二开口区301、以及位于所述第二开口区301内的所述电子元件遮蔽区202，所述第二遮蔽区302对应于所述第一开口区203和所述第一遮蔽区204，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域。
在本实施例中，掩膜构件包括第一掩膜板、第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域；在蒸镀公共电极时，用第一掩膜板蒸镀得到公共电极的第一区域，所述公共电极的第一区域在连接遮蔽区和电子元件遮蔽区未设置公共电极，用第二掩膜构件蒸镀得到公共电极的第二区域，所述公共电极的第二区域在连接遮蔽区设置有公共电极，公共电极的第一区域和公共电极的第二区域共同构成公共电极，所述公共电极在电子元件遮蔽区未设置公共电极。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的一条边连接，所述电子元件遮蔽区202与第一连接遮蔽区201在基板上的投影相接触，电子元件遮蔽区202的掩膜材料通过第一连接遮蔽区201的掩膜材料与第一开口区203连接，达到固定的效果。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的一条边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的长边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的短边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图5所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的两条边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图6所示，所述第一连接遮蔽区201形状为L型。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的长边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的短边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图6所示，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的两条边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的三条边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201形状为T型。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201形状为T型，所述第一连接遮蔽区201与所述第一开口区203的两条长边和一条短边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第一连接遮蔽区201形状为T型，所述第一连接遮蔽区201与所述第一开口区203的两条短边和一条长边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，如图8所示，第一连接遮蔽区201与第一开口区203的四条边连接。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第二开口区301面积大于第一连接遮蔽区201，在使用第二掩膜板102蒸镀第一连接遮蔽区201时，第二开口区301面积大于第一连接遮蔽区201，可以确保第一连接遮蔽区201的公共电极整面设置。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜构件的第一开口区203边界为面板显示区外扩50至500um，保证面板显示区整面蒸镀公共电极。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第二掩膜构件的第二开口区301边界较第一连接遮蔽区201外扩50至500um。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述第一连接遮蔽区201包围所述电子元件遮蔽区202设置。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述电子元件为摄像头，所述电子元件遮蔽区202形状为圆形。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述电子元件为屏下通话膜组，所述电子元件遮蔽区202形状为矩形。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，所述电子元件遮蔽区202边界比较电子元件边界外扩50至500um。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度为0.02～0.2mm。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度为0.08～0.12mm。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第二掩膜板102厚度为0.02～0.2mm。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度为0.08～0.12mm。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度大于所述第二掩模板。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度小于所述第二掩模板。
在一种实施例中，在掩膜构件10中，第一掩膜板101厚度等于所述第二掩模板。
如图9所示，本发明还提供一种蒸镀设备，蒸镀设备包括承载平台、掩膜构件和蒸镀单元，掩膜构件包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区。
在本实施例中，蒸镀设备包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的一条边连接，所述电子元件遮蔽区202与第一连接遮蔽区201在基板上的投影相接触，电子元件遮蔽区202的掩膜材料通过第一连接遮蔽区201的掩膜材料与第一开口区203连接，达到固定的效果。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的一条边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图4所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的长边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的短边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图5所示，所述第一连接遮蔽区201形状为I型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的两条边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图6所示，所述第一连接遮蔽区201形状为L型。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的长边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的短边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图6所示，所述第一连接遮蔽区201形状为L型，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的两条边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201与第一开口区203的三条边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201形状为T型。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图7所示，所述第一连接遮蔽区201形状为T型，所述第一连接遮蔽区201与所述第一开口区203的两条长边和一条短边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第一连接遮蔽区201形状为T型，所述第一连接遮蔽区201与所述第一开口区203的两条短边和一条长边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，如图8所示，第一连接遮蔽区201与第一开口区203的四条边连接。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第二开口区301面积大于第一连接遮蔽区201，在使用第二掩膜板102蒸镀第一连接遮蔽区201时，第二开口区301面积大于第一连接遮蔽区201，可以确保第一连接遮蔽区201的公共电极整面设置。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜构件的第一开口区203边界为面板显示区外扩50至500um，保证面板显示区整面蒸镀公共电极。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第二掩膜构件的第二开口区301边界较第一连接遮蔽区201外扩50至500um。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述第一连接遮蔽区201包围所述电子元件遮蔽区202设置。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述电子元件为摄像头，所述电子元件遮蔽区202形状为圆形。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述电子元件为屏下通话膜组，所述电子元件遮蔽区202形状为矩形。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，所述电子元件遮蔽区202边界比较电子元件边界外扩50至500um。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度为0.02～0.2mm。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度为0.08～0.12mm。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第二掩膜板102厚度为0.02～0.2mm。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度为0.08～0.12mm。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度大于所述第二掩模板。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度小于所述第二掩模板。
在一种实施例中，在蒸镀设备中，第一掩膜板101厚度等于所述第二掩模板。
如图10所示，本发明还提供一种掩膜板制作工艺，包括如下步骤：
s1、涂胶：提供一光学高分子PC复合板材，在所述光学高分子PC复合板材表面旋涂抗反射中性密着层，在所述抗反射中性密着层上旋涂中性U光刻胶，
s2、光刻：通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶的预设区域进行激光曝光，
S3、显影：将光刻后的光学高分子PC复合板材置于一显影槽进行浸泡显影，所述显影槽内设有显影液，
S4、坚膜。
在一种实施例中，所述Ⅳ光刻胶由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。
在一种实施例中，在所述步骤S1中，包括如下步骤：
S11、提供一光学高分子PC复合板材，
S12、在所述光学高分子PC复合板材上涂抹抗反射中性密着层，通过自然流平方式使抗反射中性密着层平铺至整个光学高分子PC复合板材上，
S13、待所述抗反射中性密着层晾干后，在其上涂抹中性V光刻胶，通过旋转甩平方式将中性Ⅳ光刻胶平铺在抗反射中性密着层上，
S14、进行烘烤固化。
在一种实施例中，在涂胶工艺中，能够保证每层胶都能够均匀覆盖，再通过最后的烘烤使各层之间紧密连接。
如图11所示，本发明还提供一种全面屏显示面板的公共电极蒸镀方法，其用于全面屏发光元器件公共电极制作，该方法具体操作和使用设备如下：
步骤一、将蒸镀公共电极使用的第一掩膜版传入第一公共电极蒸镀腔内部，
步骤二、基板完成公共电极前蒸镀制程，传送入第一公共电极蒸镀腔，
步骤三、调整第一掩膜板101和基板的对位和对位偏差基板并通过电荷耦合元件完成对位，在腔体内第一掩膜版与基板紧贴在一起，
步骤四、基板完成第一次公共电极蒸镀制程，公共电极透过第一掩膜板101第一开口区203成膜，此时公共电极膜层覆盖面板显示区部分位置，电子元件遮蔽区202处无公共电极成膜，然后传送至第二公共电极蒸镀腔，或将第一掩膜板101替换为第二掩膜板102，
步骤五、调整第二掩膜板102和基板的对位和对位偏差基板并通过电荷耦合元件完成对位，在腔体内第二掩膜版与基板紧贴在一起，
步骤六、调整第二掩膜板102和基板的对位和对位偏差基板并通过电荷耦合元件完成对位，在腔体内金属掩膜版与基板紧贴在一起，
步骤七、基板完成第一次公共电极蒸镀制程，公共电极透过第二掩膜板102第二开口区301成膜，此时透过第二掩膜板102蒸镀的公共电极膜层与基板上已存在的公共电极膜层搭接，连接成整片公共电极或连续的公共电极网络，然后传送至下一步制程。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种掩膜构件，该掩膜构件包括第一掩膜板、第二掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域；在蒸镀公共电极时，用第一掩膜板蒸镀得到公共电极的第一区域，所述公共电极的第一区域在连接遮蔽区和电子元件遮蔽区未设置公共电极，用第二掩膜构件蒸镀得到公共电极的第二区域，所述公共电极的第二区域在连接遮蔽区设置有公共电极，公共电极的第一区域和公共电极的第二区域共同构成公共电极，所述公共电极在电子元件遮蔽区未设置公共电极。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种掩膜构件，其特征在于，包括：
第一掩膜板，所述第一掩膜板包括第一遮蔽区、位于所述第一遮蔽区内的第一开口区、以及位于所述第一开口区内的电子元件遮蔽区和连接遮蔽区，所述连接遮蔽区连接所述电子元件遮蔽区和所述第一遮蔽区，连接遮蔽区分为电子元件遮蔽区一侧的第一连接遮蔽区和另一侧的第二连接遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第一区域；
第二掩膜板，所述第二掩膜板包括第二遮蔽区、位于所述第二遮蔽区内的第二开口区、以及位于所述第二开口区内的所述电子元件遮蔽区，所述第二遮蔽区对应于所述第一开口区和所述第一遮蔽区，用于蒸镀公共电极得到公共电极的第二区域。
2.根据权利要求1所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的一条边连接。
3.根据权利要求2所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区形状为I型。
4.根据权利要求2所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的长边连接。
5.根据权利要求2所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的短边连接。
6.根据权利要求1所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的两条边连接。
7.根据权利要求6所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区形状为L型。
8.根据权利要求1所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的三条边连接。
9.根据权利要求8所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区形状为T型。
10.根据权利要求1所述的掩膜构件，其特征在于，所述第一连接遮蔽区与所述第一开口区的四条边连接。
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