CN111088473B - 对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法 - Google Patents

对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种对位掩膜板,包括金属框架和固定于所述金属框架上的至少一个对位掩膜条,所述对位掩膜条上设置有对位标记,所述对位掩膜条为条状结构,每个所述对位掩膜条固定于所述金属框架的一个边框上,所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架相应的边框的宽度,且所述对位掩膜条的内侧边缘与所述金属框架相应的边框的内侧边缘平齐,或者所述对位掩膜条的内侧边缘位于所述金属框架的相应的边框上。本发明还涉及一种对位机构及对位掩膜板的制备方法。

Description

对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示产品技术领域,尤其涉及一种对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法。
背景技术
目前应用于生产OLED(OrganicLight-Emitting Diode)面板的主流工艺为真空蒸镀。在真空蒸镀过程中,精细金属掩膜版(Fine mental mask,FMM) 通过在像素位置开孔使有机发光材料蒸镀在指定位置。在这个过程中,蒸镀的位置精度至关重要。对位掩膜版(Align Mask)上的对位标记(Align Mark) 在其中起到关键作用,所以对于对位标记的位置精度要求很高。
相关的对位掩膜板的结构中,有一部分位于蒸镀磁力保证区内,因此在蒸镀过程中受到磁力的反复吸附和拉扯,这种磁力的影响随着蒸镀过程的进行会引起对位标记附近焊点的脱落、从而引起对位标记的漂移,且多次的压合和分离也会引起对位标记焊点的松动或脱落,引起对位标记焊点松动或脱落。在将精细金属掩膜版(Fine Mental Mask,FMM)焊接到金属框架(Frame)上之前需先将对位掩膜版焊接在金属框架上。之后以对位掩膜版上的对位标记建立坐标系将精细金属掩膜版焊接在金属框架上,因此对位标记的漂移对于蒸镀精度的影响很严重。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法,解决在蒸镀过程中,对位掩膜板受磁力影响而使得对位标记偏移的问题。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种对位掩膜板,包括金属框架和固定于所述金属框架上的至少一个对位掩膜条,所述对位掩膜条上设置有对位标记,
所述对位掩膜条为条状结构,每个所述对位掩膜条固定于所述金属框架的一个边框上,每个所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架相应的边框的宽度,每个所述对位掩膜条在所述金属框架上的正投影完全位于所述金属框架的边框内。
可选的,所述金属框架包括相对设置的两个边框,每个所述边框上固定连接有一个所述对位掩膜条,每个所述对位掩膜条的延伸方向与相应的所述边框的延伸方向相同。
可选的,每个所述对位掩膜条上均匀设置有多个所述对位标记,所述对位标记为贯穿设置于所述对位掩膜条上的通孔。
可选的,所述对位标记的四周与所述金属框架焊接固定在一起。
可选的,所述对位掩膜条包括第一凹槽,所述对位标记位于所述第一凹槽的底部。
本发明还涉及一种对位机构,包括上述的对位掩膜板。
可选的,还包括:
用于固定对位掩膜板的第一固定部;
用于固定待对位基板的第二固定部;
设置于所述待对位基板远离所述对位掩膜板的一侧的接触板;
设置于所述接触板远离所述待对位基板的一侧的磁力板,所述接触板面向所述待对位基板的一侧设置有数量与所述对位标记数量相同的第二凹槽,所述对位标记在所述接触板上的正投影位于相应的所述第二凹槽内。
本发明还提供一种上述述的对位掩膜板的制备方法,包括:
制作呈条状的至少一个对位掩膜条和金属框架,且所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架的边框的宽度;
在至少一个所述对位掩膜条上形成多个对位标记;
将至少一个所述对位掩膜条通过焊接的方式固定于所述金属框架的边框上,且每个所述对位掩膜条在所述金属框架上的正投影完全位于所述金属框架的边框内。
可选的,还包括:
利用刻蚀工艺在所述对位标记所在的区域形成第一凹槽。
本发明的有益效果是:减小通用的对位掩膜条的宽度,使得对位掩膜条完全落入金属框架的边框上,这样就使得对位掩膜条位于磁力保证区之外,减小了在蒸镀过程中磁力对对位掩膜条的影响,防止了对位标记的偏移。
附图说明
图1表示相关技术中对位掩膜板结构示意图;
图2表示本发明实施例中对位掩膜板结构示意图;
图3表示本发明实施例中对位掩膜条结构示意图;
图4表示本发明实施例中对位机构部分结构示意图一;
图5表示本发明实施例中对位机构部分结构示意图二。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在真空蒸镀过程中为了确保对位掩膜板和待蒸镀基板的有效接触,一般会在蒸镀机构中增加磁力板。对位掩膜板包括框架1和设置于框架1上的对位掩膜条2,部分对位掩膜条2会位于框架1内,即在蒸镀过程中,部分对位掩膜条2位于磁力保证区3内,如图1所示,在多次对位,压合过程中,磁力反复吸附对位掩膜板会使对位标记处的焊点不断受到晃动拉扯,从而严重影响对位标记的精确度。为了解决对位标记受磁力影响而位置偏移的问题,一些对位掩膜板的结构中,仅考虑将对位标记处进行焊接加固并与对位掩膜条分离,从而减小对位过程中磁力对对位标记的影响。但是在蒸镀对位过程中,接触板、玻璃基板和对位掩膜板的压合,基板和对位掩膜板的下垂量差异等因素也会影响蒸镀过程中对位标记在蒸镀腔室中的位置精度。
针对上述技术问题,本实施例提供一种对位掩膜板,相对于通用的对位掩膜条2,减小了对位掩膜条2的宽度,使得对位掩膜条2位于磁力保证区之外,减小了蒸镀过程中磁力对对位掩膜条2的影响,保证对位标记21位置的精确度。
具体的,如图2所示,本实施例提供一种对位掩膜板,包括金属框架1 和固定于所述金属框架1上的至少一个对位掩膜条2,所述对位掩膜条2上设置有对位标记21,
所述对位掩膜条2为条状结构,每个所述对位掩膜条2固定于所述金属框架1的一个边框上,所述对位掩膜条2的宽度小于所述金属框架1边框的宽度,每个所述对位掩膜条2在所述金属框架1上的正投影完全位于所述金属框架1 的边框内。
采用上述技术方案,相对于通用的对位掩膜条2,减小了对位掩膜条2的宽度,所述对位掩膜条2的内侧边缘20与所述金属框架1的边框的内侧边缘平齐,或者所述对位掩膜条2的内侧边缘20位于所述金属框架1的边框上,也就是说,所述对位掩膜条2在所述金属框架1上的正投影完全落入所述金属框架1的相应的边框上,使得在蒸镀过程中,所述对位掩膜条2完全位于磁力保证区之外,这样就减小了磁力对所述对位掩膜条2的影响,防止了对位掩膜条2上对位标记21的偏移。
本实施例中,所述金属框架1包括相对设置的两个边框,每个所述边框上固定连接有一个所述对位掩膜条2,每个所述对位掩膜条2的延伸方向与相应的所述边框的延伸方向相同。
采用上述技术方案,可以提高对位的精确度。
所述对位标记21的具体结构形式可有多种,本实施例中,每个所述对位掩膜条2上均匀设置有多个所述对位标记21,所述对位标记21为贯穿设置于所述对位掩膜条2上的通孔,但并不限于此。
本实施例中,所述对位标记21的四周与所述金属框架1焊接固定在一起。
采用焊接的方式,将所述对位标记21的四周与所述金属框架1固定在一起,增加了所述对位标记21与所述金属框架1的连接稳定性,进一步的有效防止对位标记21的偏移。
本实施例中,所述对位掩膜条2包括对所述对位标记21的周边区域进行半刻工艺形成的第一凹槽22。
如图3所示,采用上述技术方案,减小了所述第一凹槽22区域对所述对位掩膜条2上设置对位标记21的区域施加的力,可以减小在对位压合过程中待蒸镀基板4对对位掩膜板的影响,从而进一步提高对位标记21的精确度。同时,这样的设计可以在一定程度上减小待蒸镀基板4和对位掩膜板的接触,从而减小待蒸镀基板4的破片风险。
需要说明的是,对位掩膜条2上的对位标记21周边的第一凹槽22是为了使得对位标记21的周围减薄,这样在对位压合时,可以使得对位标记21的周围(第一凹槽22区域)不与待对位基板接触,可以减小在对位压合过程中待蒸镀基板4对对位掩膜板的影响,而第一凹槽22的实现方式不限于刻蚀技术,其他可以实现对位标记21的周围减薄的其他一切技术也在本发明保护范围之内。
本实施例还涉及一种对位机构,包括上述的对位掩膜板。
通过减小对位掩膜条2的宽度,明显改善对位标记21的精确性,通过对所述对位标记21的周边区域进行半刻工艺形成的第一凹槽22的设置,在可以改善对位压合过程中掩膜板和接触板5对待蒸镀基板4的影响,减小破片风险。此外,由于减小了对对位掩膜板的影响,所以对减小静电风险减少retry(重试)次数均有利。
本实施例中,所述对位机构还包括:
用于固定对位掩膜板02的第一固定部01;
用于固定待对位基板04的第二固定部03;
设置于所述待对位基板04远离所述对位掩膜板02的一侧的接触板5;
设置于所述接触板5远离所述待对位基板04的一侧的磁力板(图中未示),所述接触板5面向所述待对位基板04的一侧设置有数量与所述对位标记21 数量相同的第二凹槽51,所述对位标记21在所述接触板5上的正投影位于相应的所述第二凹槽51内,如图4所示。需要说明的是,磁力板通过连接件固定连接在所述接触板上,磁力板与所述接触板也可以集成为一体结构。
将接触板5上与所述对位掩膜条2上设置对位标记21的区域对应的区域进行打磨处理,形成所述第二凹槽51,在所述对位掩膜条2上通过半刻工艺形成的第一凹槽22,只能在微米级别上进行厚度减薄,而在接触板5上通过打磨处理形成的第二凹槽51可以在毫米级别上进行厚度减薄。这样可以显著的改善对位压合过程中接触板5、待蒸镀基板4、对位掩膜板之间的接触对所述对位标记21位置精确度的影响,减小待蒸镀基板4破片风险和对位retry(重试)次数。
需要说明的是,本实施例的一具体实施方式中,所述对位掩膜条2包括对所述对位标记21的周边区域进行半刻工艺形成的第一凹槽22,所述对位标记 21形成于所述第一凹槽22的底部,且所述对位标记21是贯穿所述第一凹槽 22的底部的。
优选的,所述对位掩膜条2的对位标记21周围也可同时进行焊接加固。
本实施例的另一具体实施方式中,设置于所述接触板5远离所述待对位基板的一侧的磁力板,所述接触板5面向所述待对位基板的一侧设置有数量与所述对位标记21数量相同的第二凹槽51,所述对位标记21在所述接触板5上的正投影位于相应的所述第二凹槽51内。
优选的,所述对位掩膜条2的对位标记21周围也可同时进行焊接加固。
本实施例的另一具体实施方式中,所述对位掩膜条2包括对所述对位标记 21的周边区域进行半刻工艺形成的第一凹槽22。且
设置于所述接触板5远离所述待对位基板的一侧的磁力板,所述接触板5 面向所述待对位基板的一侧设置有数量与所述对位标记21数量相同的第二凹槽51,所述对位标记21在所述接触板5上的正投影位于相应的所述第二凹槽 51内。
优选的,所述对位掩膜条2的对位标记21周围也可同时进行焊接加固。
同时在所述对位掩膜条2上设置所述第一凹槽22,并在所述接触板5上设置所述第二凹槽51,可以更有效的改善对位压合过程中接触板5、待蒸镀基板4、对位掩膜板之间的接触对所述对位标记21位置精确度的影响,减小待蒸镀基板4破片风险和对位retry(重试)次数。
需要说明的是,所述磁力板上设置有凹凸不平的磁力条,所述接触板5 与所述待蒸镀基板4接触表面为平面结构,所述接触板5的设置,可以防止待蒸镀基板4的破片风险。
本实施例还提供一种上述的对位掩膜板的制备方法,包括:
制作呈条状的至少一个对位掩膜条和金属框架,且所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架的边框的宽度;
在至少一个所述对位掩膜条上形成多个对位标记;
将至少一个所述对位掩膜条通过焊接的方式固定于所述金属框架的边框上,且每个所述对位掩膜条在所述金属框架上的正投影完全位于所述金属框架的边框内。
本实施例中,所述对位掩膜板的制备方法还包括:
利用刻蚀工艺在所述对位标记所在的区域形成第一凹槽。
以上所述为本发明较佳实施例,需要说明的是,对于本领域普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。

Claims (8)

1.一种对位掩膜板,包括金属框架和固定于所述金属框架上的至少一个对位掩膜条,所述对位掩膜条上设置有对位标记,其特征在于,
所述对位掩膜条为条状结构,每个所述对位掩膜条固定于所述金属框架的一个边框上,每个所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架边框的宽度,每个所述对位掩膜条在所述金属框架上的正投影完全位于所述金属框架的边框内;每个所述对位掩膜条上均匀设置有多个所述对位标记,所述对位掩膜条包括第一凹槽,所述对位标记位于所述第一凹槽的底部。
2.根据权利要求1所述的对位掩膜板,其特征在于,所述金属框架包括相对设置的两个边框,每个所述边框上固定连接有一个所述对位掩膜条,每个所述对位掩膜条的延伸方向与相应的所述边框的延伸方向相同。
3.根据权利要求2所述的对位掩膜板,其特征在于,所述对位标记为贯穿设置于所述对位掩膜条上的通孔。
4.根据权利要求3所述的对位掩膜板,其特征在于,所述对位标记的四周与所述金属框架焊接固定在一起。
5.一种对位机构,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的对位掩膜板。
6.根据权利要求5所述的对位机构,其特征在于,还包括:
用于固定对位掩膜板的第一固定部;
用于固定待对位基板的第二固定部;
设置于所述待对位基板远离所述对位掩膜板的一侧的接触板;
设置于所述接触板远离所述待对位基板的一侧的磁力板,所述接触板面向所述待对位基板的一侧设置有数量与所述对位标记数量相同的第二凹槽,所述对位标记在所述接触板上的正投影位于相应的所述第二凹槽内。
7.一种权利要求1-4任一项所述的对位掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:
制作呈条状的至少一个对位掩膜条和金属框架,且所述对位掩膜条的宽度小于所述金属框架的边框的宽度;
在至少一个所述对位掩膜条上形成多个对位标记;
将至少一个所述对位掩膜条通过焊接的方式固定于所述金属框架的边框上,且每个所述对位掩膜条在所述金属框架上的正投影完全位于所述金属框架的边框内。
8.根据权利要求7所述的对位掩膜板的制备方法,其特征在于,还包括:
利用刻蚀工艺在所述对位标记所在的区域形成第一凹槽。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111876726B (zh) * 2020-08-04 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 金属掩膜板和蒸镀方法,显示面板和显示装置
CN113403576B (zh) * 2021-06-23 2022-11-29 昆山国显光电有限公司 掩模板结构及掩模板结构的制备方法
CN115595533A (zh) * 2022-10-08 2023-01-13 昆山国显光电有限公司(Cn) 掩膜版及显示面板
CN115799148B (zh) * 2023-02-01 2023-04-28 江苏西迈科技有限公司 一种掩膜对准装置及方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658762B1 (ko) * 2005-11-30 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 증착 방법
CN105861985A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件及制作方法、蒸镀装置、显示基板的制作方法
CN106191769B (zh) * 2016-07-22 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版、基板、显示面板和显示装置
CN107653436B (zh) * 2017-10-31 2023-09-19 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、蒸镀方法
CN109763095B (zh) * 2019-02-20 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板支撑机构、对位装置、对位方法
CN110048007B (zh) * 2019-04-25 2022-03-08 云谷(固安)科技有限公司 掩膜版及其制造方法

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