JP6640879B2 - 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 - Google Patents

Description

本開示は、蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ、材料蒸発のための蒸発源、材料を基板に塗布するための堆積装置、及び蒸発材料の堆積速度を測定するための方法に関する。本開示は、特に、蒸発有機材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法に関する。更に、本開示は、とりわけ、その内部に有機材料を含む装置、例えば、蒸発源及び有機材料のための堆積装置に関する。

有機蒸発器は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）製造のためのツールである。ＯＬＥＤは、特殊な発光ダイオードであり、その中で発光層がある有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造時に使用される。ＯＬＥＤは、一般的な空間照明にも使用することができる。ＯＬＥＤディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、ＯＬＥＤピクセルが直接発光し、バックライトを含んでいないので、従来のＬＣＤディスプレイの範囲よりも大きい。したがって、ＯＬＥＤディスプレイのエネルギー消費は、従来のＬＣＤディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、実際、ＯＬＥＤは、フレキシブル基板上に製造することができ、更なる用途がもたらされる。

ＯＬＥＤの機能性は、有機材料のコーティング厚さ次第で決まる。この厚さは、所定範囲内でなければならない。ＯＬＥＤの製造において、有機材料によるコーティングが影響を受ける堆積速度は、所定の許容範囲内にあるように制御される。換言すれば、有機蒸発器の堆積速度は、製造プロセスにおいて完全に制御されなければならない。

したがって、ＯＬＥＤ用途だけでなく、他の蒸発処理についても、比較的長い時間にわたって高精度の堆積速度が必要とされる。利用可能な蒸発器の堆積速度を測定するための複数の測定システムがある。しかし、これらの測定システムは、所望の期間にわたって不十分な精度及び／又は不十分な安定性のいずれかを被る。

よって、改良された堆積速度測定システム、堆積速度測定方法、蒸発器及び堆積装置の提供に対する継続的な需要がある。

上記に鑑み、独立請求項による蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ、蒸発源、堆積装置及び蒸発材料の堆積速度を測定するための方法が提供される。更なる利点、特徴、態様、及び細部は、従属請求項、本明細書、及び図面から明らかである。

本開示の１つの態様によれば、蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリが提供される。測定アセンブリは、堆積速度を測定するための発振水晶と、発振水晶を保持するためのホルダであって、前記発振水晶から前記ホルダまでの熱伝達が向上するように 構成され、かつ、ｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を上回る熱伝導率ｋを有する材料を含むホルダとを含む。

本開示の別の態様によれば、材料蒸発のための蒸発源が提供される。蒸発源は、材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと；蒸発材料を供給するための分配管の長さに沿って設けられた一又は複数の出口を有する分配管であって、蒸発るつぼと流体連通している分配管と；本明細書に記載の任意の実施形態による測定アセンブリとを含む。

本開示の更に別の態様によれば、堆積速度で真空チャンバの中の基板に材料を塗布するための堆積装置が提供される。堆積装置は、本明細書に記載の実施形態による少なくとも１つの蒸発源を含む。

本開示の更に別の態様によれば、蒸発材料の堆積速度を測定するための方法が提供される。方法は、材料を蒸発させることと；蒸発材料の第１の部分を基板に塗布することと；蒸発材料の第２の部分を発振水晶に転向させることと；本明細書に記載の実施形態による測定アセンブリを使用することによって堆積速度を測定することとを含む。

本開示はまた、方法を実行するための装置部分を含む開示された方法を実施するための装置も対象にする。方法は、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータ、これらの２つの任意の組合せ、又は任意の他の方法で実行され得る。さらに、本開示はまた、記載の装置の操作も対象とする。これは、装置のすべての機能を実施するための方法を含む。

本明細書に記載の本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、先ほど簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができよう。添付の図面は、本開示の実施形態に関連し、以下で説明される。

本明細書に記載の実施形態による、蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリの概略上面図を示す。 ＡからＣは、本明細書に記載の実施形態による、蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリの概略側面図を示す。 Ａは、本明細書に記載の実施形態による、第１の状態の測定アセンブリの概略図を示し、Ｂは、本明細書に記載の実施形態による、第２の状態の測定アセンブリの概略側面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリの概略側面図を示す。 Ａ及びＢは、本明細書に記載の実施形態による蒸発源の概略側面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による蒸発源の斜視図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、真空チャンバの中の基板に材料を塗布するための堆積装置の概略上面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による蒸発材料の堆積速度を測定するための方法を図示するブロック図を示す。

ここから、本開示の種々の実施形態が詳細に参照されることになり、そのうちの一又は複数の例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。本発明の説明として各例が与えられるが、本発明を限定するつもりはない。更に、１つの実施形態の一部として図示及び説明されている特徴は、更なる実施形態を得るために、他の実施形態で用いられてもよく、又は他の実施形態と併用されてもよい。本明細書は、このような修正及び改変を含むことが意図されている。

本開示において、「堆積速度を測定するための発振水晶」という表現は、発振水晶共振器の周波数における変化を測定することにより、単位面積当たりの発振水晶上の堆積材料の質量変化を測定するための発振水晶と理解され得る。特に、本開示において、発振水晶は、石英水晶共振器と理解され得る。より具体的には、「堆積速度を測定するための発振水晶」は、石英水晶マイクロバランス（ＱＣＭ）と理解され得る。

図１を参照すると、本明細書に記載の実施形態による蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ１００は、堆積速度を測定するための発振水晶と、発振水晶１１０を保持するためのホルダ１２０とを含む。ホルダ１２０は、ｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を上回る熱伝導率ｋを有する材料を含み得る。特に、ホルダは、ｋ＝５０Ｗ／（ｍＫ）を上回る、より具体的には、ｋ＝７０Ｗ／（ｍＫ）を上回る、例えば、ｋ＝１５０Ｗ／（ｍＫ）を上回るなどの熱伝導率ｋを有する材料を含み得る。したがって、測定精度を低下させる可能性のある発振水晶への熱的効果は低減され得る。とりわけ、本明細書に記載の熱伝導率ｋを有する材料を用いることにより、内部で発振水晶からホルダまでの熱伝達が向上する測定アセンブリを設けることによって、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。更に、測定アセンブリの冷却性能、特に発振水晶の冷却性能は、従来の発振水晶測定システムと比べて改善され得る。したがって、本明細書に記載の実施形態による堆積速度を測定するための測定アセンブリを用いることは、高品質なディスプレイ製造、特にＯＬＥＤ製造に有益であり得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、ホルダ１２０の材料は、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、銀、銀合金、金合金、マグネシウム、ウォルフラム、炭化ケイ素及び窒化アルミニウム、又はｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を上回る、特にｋ＝５０Ｗ／（ｍＫ）を上回る、より具体的には、ｋ＝７０Ｗ／（ｍＫ）を上回る、例えば、ｋ＝１５０Ｗ／（ｍＫ）を上回るなどの熱伝導率ｋを有する他の材料から成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む。したがって、測定アセンブリに本明細書に記載の材料を含むホルダを設けることによって、発振水晶からホルダへの熱伝達を向上させることができ、よって堆積速度測定の質、精度及び安定性が向上し得る。とりわけ、発振水晶を保持するための、本明細書に記載の材料を含むホルダを設けることによって、発振水晶の熱変動は、低減され又は排除さえされ得る。例えば、本明細書に記載の実施形態によれば、０．５０Ｋ（ケルビン）未満の、特に０．２５Ｋ未満の、特に０．１０Ｋ未満の、より具体的には０．０５Ｋ未満の熱変動が実現され得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、発振水晶１１０は、ホルダ１２０の内部に配置され得る。図２Ａから図２Ｃに例示的に示されるように、測定孔１２１は、ホルダ１２０内に設けられ得る。特に、測定孔１２１は、蒸発材料が、蒸発材料の堆積速度を測定するための発振水晶上に堆積するように、構成及び配置されてもよい。

図２Ａに例示的に示されるように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定アセンブリ１００は、熱交換器１３２を含み得る。とりわけ、熱交換器１３２は、例えば、発振水晶１１０に隣接又は近接するようにホルダ１２０の中に配置され得る。代替的には、熱交換器は、ホルダの外面に配置され得る。熱交換器１３２は、発振水晶と及び／又はホルダ１２０と熱を交換するように構成され得る。例えば、熱交換器は、冷却流体がそれを通って供給されるチューブを含み得る。冷却流体は、水などの液体、又は空気などの気体であり得る。特に、冷却流体は、冷却された圧縮空気であり得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、熱交換器１３２は、ホルダ１２０及び／又は発振水晶１１０を１５℃以下、特に１０℃以下（例えば、８℃）、より具体的には、５℃以下に冷却するように構成され得る。したがって、測定アセンブリに本明細書に記載の熱交換器を設けることによって、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。とりわけ、測定アセンブリに本明細書に記載の熱交換器を設けることによって、発振水晶の熱変動は、低下又は排除され、このことは、堆積速度測定精度に有利であり得る。

図２Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定アセンブリ１００は、発振水晶１１０の温度を測定するための温度センサ１３１を含み得る。追加的に又は代替的には、温度センサは、ホルダ１２０の温度を測定するように配置及び構成され得る。測定アセンブリ１００に本明細書に記載の温度センサを設けることによって、測定アセンブリの温度についての情報が得られ、発振水晶が不正確に測定されるような臨界温度が検出され得る。したがって、測定アセンブリの臨界温度、特にホルダ及び／又は発振水晶の臨界温度が温度センサによって検出される場合、十分な反応、例えば、本明細書に記載の熱交換器を用いることによる冷却などが、開始され、堆積速度測定精度に有利であり得る。

追加的に又は代替的には、温度センサ１３１は、発振水晶１１０及び／又はホルダ１２０の熱変動を検出するように構成され得る。とりわけ、温度センサ１３１は、０．５０Ｋ（ケルビン）未満の、特に０．２５Ｋ未満の、特に０．１０Ｋ未満の、より具体的には０．０５Ｋ未満の熱変動を検出するように構成され得る。したがって、温度センサ１３１は、発振水晶１１０及び／又はホルダ１２０の臨界熱変動を検出し得る。特に、発振水晶が不正確な方法で測定する傾向にある臨界熱変動は、温度センサ１３１によって検出され得る。したがって、特にホルダ及び／又は発振水晶の臨界熱変動が温度センサによって検出される場合、十分な反応、例えば、本明細書に記載の熱交換器を用いることによる冷却などが、開始され、堆積速度測定精度に有利であり得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定アセンブリ１００は、発振水晶１１０の温度及び／又はホルダ１２０の温度を制御するための温度制御システム１３０を含み得る。とりわけ、温度制御システム１３０は、一又は複数の温度センサ１３１、熱交換器１３２、及びコントローラ１３３を含み得る。図２Ｃに例示的に示されるように、コントローラ１３３は、温度センサ１３１によって測定されたデータを受信するために温度センサ１３１に結合され得る。更に、コントローラ１３３は、ホルダ１２０及び／又は発振水晶１１０の温度を制御するために熱交換器１３２に結合され得る。したがって、コントローラは、温度センサ１３１によって測定された温度次第で、ホルダ１２０及び／又は発振水晶１１０の温度を制御するように構成され得る。例えば、温度センサ１３１が、発振水晶が不正確な方法で測定する傾向にある臨界温度を検出する場合、コントローラは、ホルダ１２０及び／又は発振水晶１１０を冷却するために熱交換器１３２に制御信号を起動させ得る。したがって、例えば１５℃未満、特に１０℃未満、より具体的には５℃未満の発振水晶の理想的な測定温度が、温度センサ１３１によって検出される場合、冷却が停止するように、対応する制御信号を熱交換器に送信することによって、以前に開始した冷却が停止し得る。測定アセンブリに本明細書に記載の温度制御システムを設けることによって、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定アセンブリ１００は、図３Ａ及び図３Ｂに例示的に示されるように、蒸発材料を発振水晶１１０に供給するために、測定出口１５０から供給された蒸発材料を遮断するためのシャッター１４０を含み得る。特に、シャッター１４０は、可動となるように、即ち、可動シャッターとして構成され、例えば、シャッターの第１の状態（図３Ａ）からシャッターの第２の状態（図３Ｂ）に、直線的に可動となるように構成され得る。代替的には、シャッターは、第１の状態から第２の状態にピボット可能に構成されてもよい。例えば、シャッターの第１の状態は、シャッター１４０が、図３Ａに例示的に示されるように、蒸発材料を発振水晶１１０に提供するために測定出口１５０を遮断しない開放状態であり得る。したがって、シャッター１４０の第２の状態は、シャッター１４０が測定出口１５０を遮断し、よって発振水晶１１０が、図３Ｂに例示的に示されるように、測定出口１５０を通って供給される蒸発材料から保護されるような状態であり得る。測定アセンブリにシャッターを提供することによって、測定アセンブリ、特に発振水晶及び／又はホルダは、蒸発材料の高温から保護され得る。したがって、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。

図４を例示的に参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、シャッター１４０は、測定出口１５０を通って供給される蒸発材料の熱から発振水晶１１０及び／又はホルダ１２０を保護するための熱保護シールド１４１を含み得る。図４に例示的に示されるように、熱保護シールド１４１は、測定出口１５０に面するシャッター１４０の側面に配置され得る。特に、熱保護シールド１４１は、測定出口１５０を通って供給される蒸発材料によって供給される熱エネルギーを反射するように構成され得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、熱保護シールド１４１は、プレート、例えばシート金属であり得る。代替的には、熱保護シールド１４１は、例えば０．１ｍｍ以上の間隙によって、互いに対して間隔が空いている、２以上のプレート、特に２以上の金属シートを含んでもよい。例えば、シート金属は、０．１ｍｍから３．０ｍｍの厚さを有していてもよい。とりわけ、熱保護シールドは、鉄材料又は非鉄材料、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、チタン（Ｔｉ）、セラミック及び他の適した材料から成る群から選択された少なくとも１つを含み得る。

したがって、本明細書に記載の実施形態による熱保護シールドを含む測定アセンブリは、特にシャッターが閉鎖状態にあるときに、蒸発材料の温度、例えば熱から発振水晶を保護するのに有益であり得る。とりわけ、発振水晶１１０及び／又はホルダ１２０は、特に熱保護シールドを含むシャッターが閉鎖状態にあるときに、冷却され得る。したがって、熱保護シールドを含むシャッターを用いることによって、発振水晶及び／又はホルダの冷却速度は増し、このことは、測定アセンブリの実行に有利である可能性がある。

図５Ａ及び図５Ｂは、本明細書に記載の実施形態による蒸発源２００の概略側面図を示す。実施形態によれば、蒸発源２００は、材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼ２１０を含む。更に、蒸発源２００は、図５Ｂに典型的に示されるように、蒸発材料を供給するための分配管の長さに沿って設けられた一又は複数の出口２２２を有する分配管２２０を含む。実施形態によれば、分配管２２０は、図５Ｂに典型的に示されるように、例えば、蒸気導管２３２によって、蒸発るつぼ２１０と流体連通している。蒸気導管２３２は、分配管の中心部分で、又は分配管の下端と分配管の上端との間の別の位置で、分配管２２０に対して設けることができる。更に、本明細書に記載の実施形態による蒸発源２００は、本明細書に記載の実施形態による測定アセンブリ１００を含む。したがって、堆積速度が高精度で測定できるような蒸発源２００が提供される。したがって、本明細書に記載の実施形態による蒸発源２００を用いることは、高品質なディスプレイ製造、特にＯＬＥＤ製造に有益であり得る。

図５Ａに例示的に示されるように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配管２２０は、加熱要素２１５を含む細長いチューブであり得る。蒸発るつぼ２１０は、材料、例えば、有機材料を、加熱ユニット２２５で蒸発させるためのリザーバとすることができる。例えば、加熱ユニット２２５は、蒸発るつぼ２１０の筐体内に設けられ得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配管２２０は、線源を提供し得る。例えば、図５Ｂに例示的に示されるように、ノズルなどの複数の出口２２２は、少なくとも１つの線に沿って配置することができる。代替的実施形態（図示されず）によれば、少なくとも１つの線に沿って延びるスリットなどの１つの細長い孔が設けられ得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、線源は、本質的に垂直に延び得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、分配管２２０の長さは、堆積装置において材料が堆積する基板の高さに対応し得る。代替的には、分配管２２０の長さは、材料が堆積する基板の高さよりも長く、例えば少なくとも１０％又は２０％長いことがある。これにより、基板の上端及び／又は基板の下端における均一な堆積を提供することができる。例えば、分配管２２０の長さは、１．３ｍ以上、例えば２．５ｍ以上とすることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、蒸発るつぼ２１０は、図５Ａに例示的に示されるように、分配管２２０の下端に設けられ得る。例えば有機材料などの材料は、蒸発るつぼ２１０で蒸発させることができる。蒸発材料は、分配管２２０の底部で分配管に侵入し、分配管２２０の複数の出口２２２を通して本質的に横向きに、例えば、本質的に垂直な基板に向かって、案内され得る。図５Ｂを参照すると、本明細書に記載の実施形態による測定アセンブリ１００は、分配管２２０の上部分、特に上端に設けられ得る。

図５Ｂを参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定出口１５０は、分配管２２０の壁又は分配管の端部に、例えば、図５Ｂ及び図６に典型的に示されるような分配管の裏側２２４Ａの壁に、設けられ得る。代替的には、測定出口１５０は、分配管２２０の上壁２２４Ｃに設けられ得る。図６で矢印１５１によって例示的に示されるように、蒸発材料は、分配管２２０の内側から測定出口１５０を通って測定アセンブリ１００まで供給され得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定出口１５０は、直径０．５ｍｍから４ｍｍまでの孔を有し得る。測定出口１５０は、ノズルを含み得る。例えば、ノズルは、測定アセンブリ１００に提供される蒸発材料の流れを調節するための調節可能な孔を含み得る。とりわけ、ノズルは、蒸発源によって提供される全流量の１／７０の下限、特に蒸発源によって提供される全流量の１／６０の下限、更に具体的には蒸発源によって提供される全流量の１／５０の下限から、蒸発源によって提供される全流量の１／４０の上限、特に蒸発源によって提供される全流量の１／３０の上限、更に具体的には蒸発源によって提供される全流量の１／２５の上限までの範囲から選択される測定流量を提供するように構成され得る。例えば、ノズルは、蒸発源によって提供される全流量の１／５４の測定流量を提供するように構成され得る。

図６は、本明細書に記載の実施形態による蒸発源２００の斜視図を示す。図６に典型的に示されるように、分配管２２０は、三角形状に設計され得る。三角形状の分配管２２０は、２以上の分配管が互いに隣合わせに配置される場合に有利であり得る。特に、三角形状の分配管２２０により、隣接する分配管の出口は、互いにできるだけ接近させることが可能になる。これにより、例えば、２つ、３つ又は更に多い異なる材料の同時蒸発の場合など、異なる分配管からの異なる材料の混合が改良可能となる。図６に典型的に示されるように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、測定アセンブリ１００は、分配管２２０の中空空間、特に分配管の上端に設けられ得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配管２２０は、壁、例えば側壁２２４Ｂ、及び分配管の裏側２２４Ａにおける壁、例えば分配管の端部を含み、それらは加熱要素２１５によって加熱することができる。加熱要素２１５は、分配管２２０の壁に装着又は取り付けられ得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、蒸発源２００は、シールド２０４を含み得る。シールド２０４は、堆積エリアの方への熱放射を低減し得る。更に、シールド２０４は、冷却要素２１６によって冷却され得る。例えば、冷却要素２１６は、シールド２０４に装着され、流体を冷却するための導管を含み得る。

図７は、本明細書に記載の実施形態による真空チャンバ３１０の中の基板３３３に材料を塗布するための堆積装置３００の概略上面図を示す。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、蒸発源２００は、軌道、例えば線形ガイド３２０又はループ状軌道などの上の真空チャンバ３１０内に設けられ得る。線形ガイド３２０の軌道が、蒸発源２００の並進運動のために構成されてもよい。したがって、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、並進運動のためのドライバは、真空チャンバ３１０内の軌道及び／又は線形ガイド３２０において、蒸発源２００に提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、隣接する真空チャンバ（図７には示されず）への真空密閉を可能にする、第１のバルブ３０５、例えばゲートバルブが設けられてもよい。第１のバルブは、基板３３３又はマスク３３２の真空チャンバ３１０内への又は真空チャンバ３１０から外への搬送のために開放することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、保守真空チャンバ３１１などの更なる真空チャンバが、図７に典型的に示されるように、真空チャンバ３１０に隣接して設けられてもよい。したがって、真空チャンバ３１０及び保守真空チャンバ３１１は、第２のバルブ３０７に結合され得る。第２のバルブ３０７は、真空チャンバ３１０と保守真空チャンバ３１１との間の真空密閉を開閉するように構成され得る。蒸発源２００は、第２のバルブ３０７が開放状態にある間、保守真空チャンバ３１１に移送することができる。その後、第２のバルブ３０７は、真空チャンバ３１０と保守真空チャンバ３１１との間に真空密閉を設けるよう閉じることができる。第２のバルブ３０７が閉じられる場合、保守真空チャンバ３１１は、真空チャンバ３１０の中の真空を破壊せずに、蒸発源２００保守のために換気及び開放することができる。

図７に典型的に示されるように、２つの基板は、真空チャンバ３１０内のそれぞれの搬送軌道上で支持され得る。更に、その上にマスクを提供するための２つの軌道を設けることができる。したがって、コーティング中に、基板３３３は、それぞれのマスクによってマスキングすることができる。例えば、マスクは、マスク３３２を所定の位置に保持するために、マスクフレーム３３１に設けられ得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板３３３は、位置合わせユニット３１２に結合することができる基板支持体３２６によって支持され得る。位置合わせユニット３１２は、マスク３３２に対する基板３３３の位置を調節し得る。図７に典型的に示されるように、基板支持体３２６は、位置合わせユニット３１２に結合され得る。したがって、基板は、材料の堆積中に、基板とマスクとの間で正確な位置合わせを行うために、マスク３３２に対して移動するのだが、これは高品質なディスプレイ製造に有益であり得る。代替的に又は追加的に、マスク３３２及び／又はマスク３３２を保持するマスクフレーム３３１は、位置合わせユニット３１２に結合することができる。したがって、マスク３３２を基板３３３に対して位置付けることができるか、マスク３３２及び基板３３３の双方を互いに対して位置付けることができるかのどちらかである。

図７に示されるように、線形ガイド３２０は、蒸発源２００の並進運動の方向を提供し得る。蒸発源２００の両側に、マスク３３２が設けられてもよい。マスクは、並進運動の方向に実質的に平行に延び得る。更に、蒸発源２００の対向面の基板はまた、並進運動の方向に本質的に平行に延びることができる。図７に典型的に示されるように、堆積装置３００の真空チャンバ３１０に設けられた蒸発源２００は、線形ガイド３２０に沿った並進運動のために構成され得る支持体２０２を含み得る。例えば、支持体２０２は、２つの蒸発るつぼ、及び蒸発るつぼ２１０の上に設けられた２つの分配管２２０を支持し得る。これにより、蒸発るつぼで生成された蒸気は、上に向かって、分配管の一又は複数の排出口から移動することができる。

したがって、本明細書に記載の堆積装置は、改善された品質のディスプレイ製造、特にＯＬＥＤ製造を提供する。

図８において、本明細書に記載の実施形態による蒸発材料の堆積速度を測定するための方法を図示するブロック図が示される。実施形態によれば、蒸発材料の堆積速度を測定するための方法４００は、材料、例えば有機材料を蒸発させること４１０と；蒸発材料の第１の部分を基板に塗布すること４２０と；蒸発材料の第２の部分を発振水晶１１０に転向させること４３０と；本明細書に記載の実施形態による測定アセンブリ１００を使用することによって堆積速度を測定すること４４０とを含む。したがって、本明細書に記載の実施形態による蒸発材料の堆積速度を測定するための方法を用いることによって、堆積速度は、高い精度で測定され得る。特に、本明細書に記載される堆積速度を測定するための方法を用いることによって、測定精度を下げる可能性のある発振水晶への熱的効果が低減され得る。特に、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、材料を蒸発させること４１０は、本明細書に記載されるような蒸発るつぼ２１０を使用することを含む。更に、蒸発材料の第１の部分を基板に塗布すること４２０は、本明細書に記載の実施形態による蒸発源２００を使用することを含み得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、蒸発材料の第２の部分を発振水晶１１０に転向させること４３０は、本明細書に記載の測定出口１５０、特にノズルを使用することを含み得る。とりわけ、蒸発材料の第２の部分を発振水晶１１０に転向させること４３０は、蒸発源によって提供される全流量の１／７０の下限、特に蒸発源によって提供される全流量の１／６０の下限、更に具体的には蒸発源によって提供される全流量の１／５０の下限から、蒸発源によって提供される全流量の１／４０の上限、特に蒸発源によって提供される全流量の１／３０の上限、更に具体的には蒸発源によって提供される全流量の１／２５の上限までの範囲から選択される測定流量を提供することを含み得る。例えば、蒸発材料の第２の部分を発振水晶１１０に転向させること４３０は、蒸発源によって提供される全流量の１／５４の測定流量を提供することを含み得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積速度を測定すること４４０は、特に本明細書に記載の温度制御システム１３０によって、測定アセンブリ１００と熱を交換することを含み得る。したがって、本明細書に記載の測定アセンブリと熱を交換することによって、堆積速度測定の質、精度及び安定性への高温のマイナス効果は、低減され又は排除さえされ得る。とりわけ、本明細書に記載の測定アセンブリと熱を交換することによって、発振水晶の熱変動は、低減され又は排除さえされ得、このことは、堆積速度測定精度に有利であり得る。したがって、本明細書に記載の堆積速度を測定するための方法を用いることは、高品質なディスプレイ製造、特にＯＬＥＤ製造に有利であり得る。

したがって、本明細書に記載の実施形態による蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ、蒸発源、堆積装置及び堆積速度を測定するための方法は、改善された堆積速度測定及び高品質なディスプレイの製造、例えば高品質なＯＬＥＤ製造を提供する。

Claims (14)

1. 蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ（１００）であって、
   前記堆積速度を測定するための発振水晶（１１０）と、
   前記発振水晶（１１０）を保持するためのホルダ（１２０）であって、前記発振水晶から前記ホルダまでの熱伝達が向上するように構成されたホルダと、
   前記蒸発材料を前記発振水晶（１１０）に供給するための測定出口（１５０）から供給された前記蒸発材料を遮断するためのシャッター（１４０）と
   を備え、前記シャッター（１４０）が、前記発振水晶（１１０）を前記蒸発材料の温度から保護するための熱保護シールド（１４１）を備える、測定アセンブリ（１００）。
2. 前記ホルダは、ｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を上回る熱伝導率ｋを有する材料を含む、請求項１に記載の測定アセンブリ（１００）。
3. 前記ホルダ（１２０）の前記材料が、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、銀、銀合金、金、金合金、マグネシウム、ウォルフラム、炭化ケイ素及び窒化アルミニウムから成る群から選択された少なくとも１つの材料である、請求項２に記載の測定アセンブリ（１００）。
4. 熱を前記発振水晶（１１０）と交換するための熱交換器（１３２）を更に備える、請求項１から３の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）。
5. 前記発振水晶（１１０）の温度を測定するための温度センサ（１３１）を更に備える、請求項１から４の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）。
6. 前記発振水晶（１１０）の温度を制御するための温度制御システム（１３０）であって、温度センサ（１３１）、熱交換器（１３２）及びコントローラ（１３３）のうちの一又は複数を備える温度制御システムを更に備える、請求項１から５の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）。
7. 前記シャッター（１４０）が、前記シャッター（１４０）を冷却するための少なくとも１つの冷却要素（１４２）、特に冷却流体を供給するための少なくとも１つの管を備える、請求項１から６の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）。
8. 材料蒸発のための蒸発源（２００）であって、
   材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼ（２１０）と、
   蒸発材料を供給するための分配管の長さに沿って設けられた一又は複数の出口（２２２）を有する分配管（２２０）であって、前記蒸発るつぼ（２１０）と流体連通している分配管（２２０）と、
   請求項１から７の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）と
   を備える蒸発源（２００）。
9. 前記蒸発材料を前記測定アセンブリ（１００）の前記発振水晶（１１０）に供給するための測定出口（１５０）を更に備える、請求項８に記載の蒸発源（２００）。
10. 前記測定出口（１５０）が、前記蒸発源によって提供された全流量の１／７０から前記蒸発源によって提供された前記全流量の１／２５までの測定流を提供するように構成されている、請求項９に記載の蒸発源（２００）。
11. 前記測定出口（１５０）及び前記測定アセンブリ（１００）が、前記分配管（２２０）の端部、特に前記分配管（２２０）の前記端部の裏側（２２４Ａ）に配置されている、請求項１０に記載の蒸発源（２００）。
12. 請求項８から１１の何れか一項に記載の少なくとも１つの蒸発源（２００）を備える、堆積速度で真空チャンバ（３１０）の中の基板（３３３）に材料を塗布するための堆積装置（３００）。
13. 蒸発材料の堆積速度を測定するための方法（４００）であって、
    材料を蒸発させること（４１０）と、
    前記蒸発材料の第１の部分を基板に塗布すること（４２０）と、
    前記蒸発材料の第２の部分を発振水晶（１１０）に転向させること（４３０）と、
    請求項１から７の何れか一項に記載の測定アセンブリ（１００）を使用することによって、前記堆積速度を測定すること（４４０）と
    を含む方法（４００）。
14. 前記堆積速度を測定すること（４２０）が、特に温度制御システム（１３０）によって、前記測定アセンブリ（１００）と熱を交換することを含む、請求項１３に記載の方法（４００）。
    

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