JP2018519423A - 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 - Google Patents
堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018519423A JP2018519423A JP2017563281A JP2017563281A JP2018519423A JP 2018519423 A JP2018519423 A JP 2018519423A JP 2017563281 A JP2017563281 A JP 2017563281A JP 2017563281 A JP2017563281 A JP 2017563281A JP 2018519423 A JP2018519423 A JP 2018519423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- measurement assembly
- deposition rate
- measuring
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01G—WEIGHING
- G01G3/00—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances
- G01G3/12—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing
- G01G3/16—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing measuring variations of frequency of oscillations of the body
- G01G3/165—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/022—Fluid sensors based on microsensors, e.g. quartz crystal-microbalance [QCM], surface acoustic wave [SAW] devices, tuning forks, cantilevers, flexural plate wave [FPW] devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/01—Indexing codes associated with the measuring variable
- G01N2291/014—Resonance or resonant frequency
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/025—Change of phase or condition
- G01N2291/0256—Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors
Abstract
Description
Claims (15)
- 蒸発材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリ(100)であって、
前記堆積速度を測定するための発振水晶(110)と、
前記発振水晶(110)を保持するためのホルダ(120)であって、k=30W/(mK)を上回る熱伝導率kを有する材料を含むホルダと
を備える、測定アセンブリ(100)。 - 前記ホルダ(120)の前記材料が、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、銀、銀合金、金、金合金、マグネシウム、ウォルフラム、炭化ケイ素及び窒化アルミニウムから成る群から選択された少なくとも1つの材料である、請求項1に記載の測定アセンブリ(100)。
- 熱を前記発振水晶(110)と交換するための熱交換器(132)を更に備える、請求項1又は2に記載の測定アセンブリ(100)。
- 前記発振水晶(110)の温度を測定するための温度センサ(131)を更に備える、請求項1から3の何れか一項に記載の測定アセンブリ(100)。
- 前記発振水晶(110)の温度を制御するための温度制御システム(130)であって、温度センサ(131)、熱交換器(132)及びコントローラ(133)のうちの一又は複数を備える温度制御システムを更に備える、請求項1から4の何れか一項に記載の測定アセンブリ(100)。
- 前記蒸発材料を前記発振水晶(110)に供給するための測定出口(150)から供給された前記蒸発材料を遮断するためのシャッター(140)、特に可動シャッターを更に備える、請求項1から5の何れか一項に記載の測定アセンブリ(100)。
- 前記シャッター(140)が、前記発振水晶(110)を前記蒸発材料の温度から保護するための熱保護シールド(141)を備える、請求項6に記載の測定アセンブリ(100)。
- 前記シャッター(140)が、前記シャッター(140)を冷却するための少なくとも1つの冷却要素(142)、特に冷却流体を供給するための少なくとも1つの管を備える、請求項6又は7に記載の測定アセンブリ(100)。
- 材料蒸発のための蒸発源(200)であって、
材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼ(210)と、
蒸発材料を供給するための分配管の長さに沿って設けられた一又は複数の出口(222)を有する分配管(220)であって、前記蒸発るつぼ(210)と流体連通している分配管(220)と、
請求項1から8の何れか一項に記載の測定アセンブリ(100)と
を備える蒸発源(200)。 - 前記蒸発材料を前記測定アセンブリ(100)の前記発振水晶(110)に供給するための測定出口(150)を更に備える、請求項9に記載の蒸発源(200)。
- 前記測定出口(150)が、前記蒸発源によって提供された全流量の1/70から前記蒸発源によって提供された前記全流量の1/25までの測定流を提供するように構成されている、請求項10に記載の蒸発源(200)。
- 前記測定出口(150)及び前記測定アセンブリ(100)が、前記分配管(220)の端部、特に前記分配管(220)の前記端部の裏側(224A)に配置されている、請求項11に記載の蒸発源(200)。
- 請求項9から12の何れか一項に記載の少なくとも1つの蒸発源(200)を備える、堆積速度で真空チャンバ(310)の中の基板(333)に材料を塗布するための堆積装置(300)。
- 蒸発材料の堆積速度を測定するための方法(400)であって、
材料を蒸発させること(410)と、
前記蒸発材料の第1の部分を基板に塗布すること(420)と、
前記蒸発材料の第2の部分を発振水晶(110)に転向させること(430)と、
請求項1から9の何れか一項に記載の測定アセンブリ(100)を使用することによって、前記堆積速度を測定すること(440)と
を含む方法(400)。 - 前記堆積速度を測定すること(420)が、特に温度制御システム(130)によって、前記測定アセンブリ(100)と熱を交換することを含む、請求項14に記載の方法(400)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2015/063637 WO2016202388A1 (en) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | Measurement assembly for measuring a deposition rate and method therefore |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018519423A true JP2018519423A (ja) | 2018-07-19 |
JP6640879B2 JP6640879B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=53489936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017563281A Expired - Fee Related JP6640879B2 (ja) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6640879B2 (ja) |
KR (1) | KR102082193B1 (ja) |
CN (1) | CN107810410A (ja) |
TW (1) | TW201710535A (ja) |
WO (1) | WO2016202388A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3749796B1 (en) * | 2018-02-05 | 2022-06-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor |
KR102337249B1 (ko) * | 2018-04-18 | 2021-12-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증발된 재료를 기판 상에 증착하기 위한 증발 소스, 증착 장치, 증발된 재료의 증기압을 측정하기 위한 방법, 및 증발된 재료의 증발 레이트를 결정하기 위한 방법 |
WO2020057737A1 (en) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | Applied Materials, Inc. | Method of pretreating an oscillation crystal for measuring a deposition rate, deposition rate measurement device, evaporation source and deposition apparatus |
CN112912533B (zh) * | 2018-11-28 | 2023-10-24 | 应用材料公司 | 用于沉积蒸发的材料的沉积源、沉积装置及其方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734248A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-03 | Toyota Motor Corp | 水晶式膜厚計 |
JP2008276998A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sony Corp | 膜厚センサ、薄膜形成装置、有機el表示装置の製造装置、及び有機el表示装置の製造方法 |
US20100316788A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Applied Materials, Inc. | Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device |
JP2012169168A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 水晶発振式膜厚モニタ装置、及び、これを用いたel材料の蒸発源装置と薄膜形成装置 |
EP2562784A2 (de) * | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH | Sensoranordnung zur Charakterisierung von Plasmabeschichtungs-, Plasmaätz- und Plasmabehandlungsprozessen sowie Verfahren zur Ermittlung von Kenngrößen in diesen Prozessen |
JP2014070969A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | レートセンサ及びリニアソース並びに蒸着装置 |
JP2014109047A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Panasonic Corp | 真空蒸着装置 |
JP2014514450A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 測定ユニットを備えた蒸発システム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6558735B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-05-06 | Eastman Kodak Company | Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices |
JP2005091345A (ja) | 2003-08-13 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蒸着型蛍光体シートの製造方法および装置並びに蒸着型蛍光体シート |
JP4976087B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2012-07-18 | 日本電波工業株式会社 | 高安定用とした恒温型の水晶発振器 |
US9506895B2 (en) * | 2013-05-17 | 2016-11-29 | Inficon, Inc. | Combined crystal retainer and contact system for deposition monitor sensors |
-
2015
- 2015-06-17 WO PCT/EP2015/063637 patent/WO2016202388A1/en active Application Filing
- 2015-06-17 CN CN201580080972.9A patent/CN107810410A/zh active Pending
- 2015-06-17 KR KR1020177037768A patent/KR102082193B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-17 JP JP2017563281A patent/JP6640879B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-06-16 TW TW105118926A patent/TW201710535A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734248A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-03 | Toyota Motor Corp | 水晶式膜厚計 |
JP2008276998A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sony Corp | 膜厚センサ、薄膜形成装置、有機el表示装置の製造装置、及び有機el表示装置の製造方法 |
US20100316788A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Applied Materials, Inc. | Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device |
JP2012169168A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 水晶発振式膜厚モニタ装置、及び、これを用いたel材料の蒸発源装置と薄膜形成装置 |
JP2014514450A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 測定ユニットを備えた蒸発システム |
EP2562784A2 (de) * | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH | Sensoranordnung zur Charakterisierung von Plasmabeschichtungs-, Plasmaätz- und Plasmabehandlungsprozessen sowie Verfahren zur Ermittlung von Kenngrößen in diesen Prozessen |
JP2014070969A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | レートセンサ及びリニアソース並びに蒸着装置 |
JP2014109047A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Panasonic Corp | 真空蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016202388A1 (en) | 2016-12-22 |
TW201710535A (zh) | 2017-03-16 |
JP6640879B2 (ja) | 2020-02-05 |
KR20180014084A (ko) | 2018-02-07 |
CN107810410A (zh) | 2018-03-16 |
KR102082193B1 (ko) | 2020-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101263005B1 (ko) | 증착 장치 및 방법 | |
WO2018077388A1 (en) | Measurement assembly for measuring a deposition rate, evaporation source, deposition apparatus, and method therefor | |
JP6640879B2 (ja) | 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 | |
JP2016507644A (ja) | 蒸発器、堆積アレンジメント、堆積装置及びこれらを操作する方法 | |
KR102137181B1 (ko) | 증착 배열체, 증착 장치 및 그의 동작 방법들 | |
TW201805455A (zh) | 真空沈積腔室 | |
CN102301032A (zh) | 具有加热的泻流孔的真空沉积源 | |
JP6411675B2 (ja) | 堆積速度を測定するための方法及び堆積速度制御システム | |
KR101940602B1 (ko) | 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리 및 이를 위한 방법 | |
JP5311985B2 (ja) | 蒸着装置および有機発光装置の製造方法 | |
JP7102418B2 (ja) | 蒸発した材料を基板の上に堆積するための蒸発源、堆積装置、蒸発した材料の蒸気圧を測定するための方法、及び蒸発した材料の蒸発速度を決定するための方法 | |
KR102609982B1 (ko) | 증착 레이트를 측정하기 위한 진동 결정을 사전처리하는 방법, 증착 레이트 측정 디바이스, 증발 소스 및 증착 장치 | |
JP6502528B2 (ja) | 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法 | |
TW202012662A (zh) | 用於在真空腔室中蒸發沉積材料的蒸發源、用於蒸發沉積材料的系統以及用於操作蒸發源的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6640879 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |