CN110117770A - 有机物沉积装置以及利用此的有机物沉积方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种有机物沉积装置以及利用此的有机物沉积方法。本发明的有机物沉积装置设置于真空腔室内，并包括：沉积物质供应部；容器部，存储从沉积物质供应部供应的沉积物质；气化部，在内部设置有使沉积物质气化的第一加热器；移送部，结合于容器部，借助直线往复运动而将容器部移送至所述气化部的内部；以及喷嘴部，与气化部分离布置，且借助连接管而与气化部连通，并具有向基板喷射沉积物质的通道。

Description

有机物沉积装置以及利用此的有机物沉积方法
技术领域
本发明涉及一种有机物沉积装置以及利用此的有机物沉积方法。
背景技术
通常，显示装置可以用于智能电话、膝上型计算机、数码相机、便携式摄像机、便携式信息终端、笔记本电脑、平板个人电脑等的移动设备或者手表(watch)、台式计算机、电视机、室外广告牌、展示用显示装置、汽车用仪表板、平视显示器(HUD；Head Up Display)等的电子装置。
最近，上市了更加纤薄化的显示装置。
柔性显示装置(flexible display device)易于携带，且可以应用于多种形状的装置。其中，基于有机发光显示技术的显示装置是最具影响力的柔性显示装置。
在配备于显示装置的基板上可以形成有多个薄膜层。薄膜层可以通过多种方法形成。例如，薄膜层可以通过向沉积物质施加预定的热的热蒸发(thermal evaporation)法而形成。但是，当沉积物质在长期暴露于气化或升华温度以上时，可能导致沉积物质变性。因此，在实现高速的成膜工序时存在限制。
发明内容
本发明的实施例的目的在于提供一种有机物沉积装置和利用此的有机物沉积方法。
根据本发明的一方面的有机物沉积装置设置于真空腔室内，并包括：至少一个沉积物质供应部；容器部，存储从所述沉积物质供应部供应的至少一个沉积物质；气化部，在内部设置有使所述沉积物质气化的第一加热器；移送部，结合于所述容器部，借助直线往复运动而将所述容器部移送至所述气化部的内部；以及喷嘴部，与所述气化部分离布置，且借助连接管而与所述气化部连通，并具有向基板喷射沉积物质的通道。
一实施例中，在所述气化部可以布置有使所述容器部进入的投入口，在所述移送部结合有密封板，所述密封板可以在移送所述容器部时位于所述投入口而将气化部的内部封闭。
一实施例中，在所述气化部、连接管、喷嘴部的内部或外部可以布置有第二加热器，以防止气化的沉积物质沉积在所述气化部、连接管、喷嘴部的内部，施加到所述第一加热器的温度可以与施加到第二加热器的温度相同或高于施加到第二加热器的温度。
一实施例中，在所述连接管可以设置有开关阀，所述开关阀连接于感测沉积在所述基板上的沉积物质的量的传感器，从而根据沉积量开闭所述连接管的通道，并且，设置有旁通管，所述旁通管与所述连接管连通，并具有开闭旁通管的通道的旁通阀，以将残留于所述连接管的通道的沉积物质排出到外部。
一实施例中，在所述腔室的外部还可以设置有向所述沉积物质供应部供应沉积物质的外部供应装置，在所述外部供应装置配备有存储所述沉积物质的存储容器，在所述沉积物质供应部与存储容器之间设置有闸阀，所述闸阀将向沉积物质供应部供应所述沉积物质的通道开闭。
根据本发明的另一方面的有机物沉积装置设置于真空腔室内，并包括：多个沉积物质供应部；多个容器部，存储从所述沉积物质供应部供应的多个沉积物质；气化部，在内部设置有使所述沉积物质气化的第一加热器；移送部，安装有所述容器部，并借助于旋转及升降运动而使多个所述容器部中的任意一个容器部被移送至所述气化部的内部；以及喷嘴部，与所述气化部分离布置，且借助连接管而与所述气化部连通，并具有向基板喷射沉积物质的通道。
一实施例中，所述移送部可以包括转台，在所述移送部的下部设置有使所述移送部旋转及升降的驱动部，所述多个容器部沿着所述移送部的圆周方向而相隔布置，所述多个沉积物质供应部分别位于多个容器部上，所述气化部位于所述容器部中的某一个容器部上。
一实施例中，在所述气化部布置有使所述容器部进入的投入口，在所述容器部的下端结合有密封板，所述密封板在移送所述容器部时位于所述投入口而将所述气化部的内部封闭。
一实施例中，在所述连接管设置有开关阀，所述开关阀连接于感测沉积在所述基板上的沉积物质的量的传感器，从而根据沉积量开闭所述连接管的通道，并且，设置有旁通管，所述旁通管与所述连接管连通，并具有开闭旁通管的通道的旁通阀，以将残留于所述连接管的通道的沉积物质排出到外部。
根据本发明的又一方面的有机物沉积方法包括如下步骤：从至少一个沉积物质供应部向容器部供应至少一个沉积物质；使结合于移送部的容器部进行直线往复运动，从而将所述容器部通过气化部的投入口移送至气化部的内部；将设置于所述气化部的内部的第一加热器加热而使沉积物质气化；以及使气化的沉积物质通过彼此分离布置的气化部与喷嘴部之间的连接管而流动，并通过所述喷嘴部喷射，从而沉积在基板上。
根据本发明，可以提供一种能够实现高速的成膜工序的有机物沉积装置和利用此的有机物沉积方法。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的有机物沉积装置的构成图。
图2是示出图1的沉积物质供应部和外部供应装置的构成图。
图3是示出根据本发明的另一实施例的有机物沉积装置的构成图。
图4是示出图3的沉积物质供应部、容器部、气化部的位置的构成图。
图5是示出利用本发明的有机物沉积装置而制作的显示装置的一子像素的剖面图。
具体实施方式
本发明可以有多种变换，且可以具有多种实施例，因此在附图中示出特定实施例并在具体说明中进行详细说明。本发明的效果及特征以及实现它们的方法当参照附图以及以下详细说明的实施例时将变得明确。但是，本发明能够以多样的形态实现，而不限于以下公开的实施例。
在以下实施例中，当提到层、膜、区域、板等各种构成要素位于另一构成要素“上”时，不仅包括位于另一构成要素的“紧邻的上部”的情形，还包括中间夹设有其他构成要素的情形。并且，为了便于说明，附图中的构成要素的大小可能被夸大或缩小。例如，为了便于说明而将附图中示出的各构成的大小及厚度任意地表示，因此本发明不一定局限于图示的内容。
以下，参照附图详细说明根据本发明的显示装置的实施例，且在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成要素赋予相同的附图符号，并省略对此的重复的说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的有机物沉积装置100的构成图，图2是示出图1的沉积物质供应部102和外部供应装置201的构成图。
参照图1及图2，所述有机物沉积装置100包括腔室101。所述腔室101可以是真空腔室。如果在具有预定的真空度的腔室101内执行沉积工序，则可以有利于确保要沉积的沉积物质D的直进性。在所述腔室101内部的上侧可以布置有基板108。所述基板108可以被基板固定架122支撑。在所述基板108的前表面可以设置有图案掩膜123。
一实施例中，沉积物质D可以是有机电子元件用有机半导体物质。在所述基板108上形成有机发光元件(OLED)用薄膜层的情况下，沉积物质D包括可以形成发光层(EmissionLayer，EML)、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole TransportLayer，HTL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、电子注入层(ElectronInjection Layer，EIL)中的任意一个的物质。
在所述腔室101内可以设置有至少一个沉积物质供应部102。一实施例中，所述沉积物质供应部102包括第一沉积物质供应部102a及第二沉积物质供应部102b。
所述沉积物质D包括单个沉积物质或多个沉积物质。在包括多个物质的情况下，所述第一沉积物质供应部102a可以供应所述沉积物质D的第一沉积物质，第二沉积物质供应部102b可以供应所述沉积物质D的第二沉积物质。在另一实施例中，所述沉积物质供应部102可以供应单一的沉积物质D。所述沉积物质供应部102的数量可根据构成沉积物质D的成分而变更，并不局限于一个。
在所述沉积物质供应部102可以连接有外部供应装置201。外部供应装置201可以是向所述沉积物质供应部102供应沉积物质D的装置。所述外部供应装置201可以为了增加连续运行时间而设置。所述外部供应装置201可以布置在腔室101的外部。所述外部供应装置201可以在待机过程中供应沉积物质D。
所述外部供应装置201包括：第一外部供应装置201a，供应沉积物质D的第一沉积物质；第二外部供应装置201b，供应沉积物质D的第二沉积物质。所述第一外部供应装置201a连接于第一沉积物质供应部102a，所述第二外部供应装置201b可以连接于第二沉积物质供应部102b。
在所述外部供应装置201可以配备有存储沉积物质D的存储容器202。在所述存储容器202上可以设置有盖子203。如果向所述存储容器202内填充完沉积物质D，则可以盖上所述盖子203而封闭。在所述沉积物质供应部102和存储容器202之间可以布置有令将沉积物质D从存储容器202供应至沉积物质供应部102的通道开闭的闸阀204。
在所述存储容器202连接有低真空泵P1及高真空泵P2，且可以进行真空抽吸工序。所述存储容器202的底面可以是能够开闭的结构。如果达到目标真空度，则可以开放存储容器202的底面及所述闸阀204而将所述沉积物质D向沉积物质供应部102供应。在另一实施例中，可以借助旋转机构使所述存储容器202旋转，从而使沉积物质D下落至沉积物质供应部102。
在所述沉积物质供应部102的下方可以设置有容器部103。所述容器部103可以存储从所述沉积物质供应部102供应的沉积物质D。所述容器部103可以存储少量的沉积物质D。例如，所述容器部103可以存储形成薄膜层所需的沉积物质D的沉积量。在另一实施例中，可以存储若干次的沉积量。
所述容器部103可以是由金属或陶瓷等形成的坩埚。可以将从所述第一沉积物质供应部102a及第二沉积物质供应部102b分别供应的沉积物质D的第一沉积物质及第二沉积物质一起供应至所述容器部103。另一实施例中，可以将来自所述沉积物质供应部102的单一的沉积物质D供应至所述容器部103。
从所述沉积物质供应部102向容器部103供应的沉积物质D的排出量可以通过在容器部103的下端设置单独的质量计而实时控制。在另一实施例中，可以根据设置于所述沉积物质供应部102的马达的转数而精确地控制排出量而控制根据旋转数的沉积物质D的供应量。
在所述腔室101内可以设置有气化部105。在所述气化部105内可以选择性地布置有进行直线往复运动的所述容器部103。
在所述气化部105可以形成有使所述容器部103进入的投入口111。所述气化部105可以是具有能够收容所述容器部103的空间的腔室。所述气化部105可以是能够承受容器部103内存储的沉积物质D的气化温度以上的高温的金属腔室。
所述容器部103可以连接于移送部106而能够通过直线往复运动被移送至所述气化部105内部。所述移送部106可以包括线性运动引导件(Linear Motion Guide)。例如，所述移送部106包括：线型运动轨道；以及线性运动块，沿着所述线性运动轨道进行直线往复运动，且安装有所述容器部103。所述移送部106只要是能够使所述容器部103进行直线往复运动而使所述容器部103选择性地位于所述气化部150内部的装置，则不限于任意一个。
在所述气化部105内可以设置有第一加热器104。所述第一加热器104可以位于移送至所述气化部105内部的容器部103的上部。所述第一加热器104可以加热至能够使存储于所述容器部103内的沉积物质D气化的温度以上。所述第一加热器104可以是热线加热方式的加热器。另一实施例中，所述第一加热器104可以是感应加热方式的加热器。
在所述移送部106可以设置有密封板112，所述密封板112可以在所述容器部103被移送至气化部105内部时封闭所述投入口111。所述密封板112可以是金属板。所述密封板112结合于所述移送部106，当所述容器部103通过所述投入口111而位于所述气化部105内部时，所述密封板112可以封闭所述投入口111。在所述投入口111周围可以设置有用于强化封闭力的O型环124。
在所述容器部103所移动的路径可以设置有冷却所述容器部103的冷却部115。为了在所述容器部103被移送至所述气化部105的内部而完成沉积工序后迅速冷却所述容器部103，在随着所述移送部106移动的容器部103的移动路径可以设置有冷却部115。所述冷却部115可以包括如铝等的金属管以及在金属管内部流动的冷却水。所述冷却部115可以与所述容器部103直接接触而进行冷却。
所述气化部105可以通过连接管107而与喷嘴部109连通。所述连接管107的一端116与所述气化部105连通，所述连接管107的另一端117可以与所述喷嘴部109连通。在所述喷嘴部109相隔布置有多个出口110，并提供沉积物质D向基板108喷射的通道。如上所述，所述有机物沉积装置100中，所述气化部105及喷嘴部109并非构成为一体型，而可以是彼此分离的结构体。
在所述气化部105、连接管107、喷嘴部109的内部或外部可以设置有施加预定的温度的第二加热器114，以防止被气化的沉积物质D沉积于所述气化部105、连接管107、喷嘴部109的内表面。施加到布置在所述容器部103上的第一加热器104的温度可以与施加到布置在所述气化部105、连接管107、喷嘴部109的内部或外部的第二加热器114的温度相同或高于施加到布置在所述气化部105、连接管107、喷嘴部109的内部或外部的第二加热器114的温度。
在所述连接管107可以设置有开关阀119以控制沉积于所述基板108上的沉积物质D的量而控制薄膜层的厚度。具体地，在所述基板108周围可以设置有感测沉积物质的量的传感器118。所述传感器118可以是能够实时测量通过所述喷嘴部109的出口110而向基板108行进的沉积物质D的量的水晶振子传感器(石英晶体微天平传感器(QCM sensor：QuartzCrystal Microbalance sensor))。
所述开关阀119可以电连接于所述传感器118而根据沉积物质D的量开闭所述连接管107的通道。例如，在使用所述开关阀119时，可以将多个气化部105并联，并在连接于多个气化部105的各个连接管107设置各个开关阀119，从而通过选择性地开闭所述开关阀119使沉积于所述基板108上的布置在彼此不同的层的有机膜通过一个喷嘴部109而成膜。
在所述连接管107可以连通有旁通管120。在所述旁通管120可以设置有开闭旁通管120的通道的旁通阀121，以将残留于连接管107的通道的沉积物质D排出到外部。在完成沉积工序后，使用于之前的沉积工序的沉积物质D的余量可以通过开放旁通阀121而被排出到沉积装置100的外部。
在借助旁通装置执行清洗工序的情况下，可以使用载气(Carrier gas)。具体地，可以将载气装置(未示出)连接于所述气化部105而将来自载气装置的惰性气体注入所述气化部105内部，从而将残留于气化部105内的沉积物质D与惰性气体一起通过旁通管120排出，据此进行清洗。
在所述气化部105、连接管107、喷嘴部109中的某一个部件还可以设置有能够将具有彼此不同的气化温度的多个沉积物质混合的挡板125。具体地，构成所述沉积物质D的第一沉积物质及第二沉积物质可以具有彼此不同的气化温度。气化温度不同的第一沉积物质及第二沉积物质为了形成均匀的薄膜层，优选同时被气化。但是，第一沉积物质和第二沉积物质的流动速度可能彼此不同，其结果，可能在所述基板108上以彼此不同的层沉积。
为了防止这一问题，可以在所述气化部105、连接管107、喷嘴部109中的任意一个部件的内部设置有所述挡板125，以使第一沉积物质和第二沉积物质彼此混合。所述挡板125可以通过调节第一沉积物质与第二沉积物质的流动速度而将它们彼此混合。
利用具有上述构成的沉积装置100使沉积物质沉积的过程如下。
首先，从第一沉积物质供应部102a向所述容器部103供应沉积物质D的第一沉积物质，接着，从第二沉积物质供应部102b向所述容器部103供应沉积物质D的第二沉积物质。在另一实施例中，在沉积物质D为单一的物质的情况下，可以从一个沉积物质供应部102向所述容器部103供应沉积物质D。
然后，通过使结合于移送部106的容器部103进行直线往复运动而使所述容器部103移送至气化部105。所述容器部103可以通过气化部105的投入口111而位于气化部105内部。在所述容器部103被移送至气化部105内部时，结合于所述移送部106的密封板112可以位于所述投入口111而将所述气化部105内部封闭。
接着，可以将设置于所述气化部105内部的第一加热器104加热而使存储于所述容器部103的沉积物质D气化。具有彼此不同的气化温度的沉积物质D的第一沉积物质及第二沉积物质可以同时被气化。
通过所述连接管107流动的第一沉积物质及第二沉积物质可以借助于挡板125而被均匀地混合。气化的沉积物质D可以通过喷嘴部109的出口110而向基板108喷射。因此，在所述基板108上可以沉积有沉积物质D。
沉积于所述基板108上的沉积物质D的量可以通过设置于连接管107的通道的开关阀119而控制。即，可以通过设置于基板108的相邻的位置的传感器118而感测沉积量，并根据沉积程度将电连接于所述传感器118的开关阀119选择性地开闭，从而开闭所述连接管107的通道。
在完成沉积工序之后，残留于所述连接管107的通道的沉积物质D可以通过开放与所述连接管107连通的旁通阀121而排出到沉积装置100的外部。
在沉积工序中，在所述容器部103存储有少量的沉积物质D，因此即使将所述容器部103加热至高温，沉积物质D也不会在固体或液体状态下长期被暴露于热而能够全部气化。因此，可以在高温及高速的气化条件下使沉积物质D的变性最小化。并且，可以通过适当地调节气化部105内部的温度使气化的沉积物质D实现较高的成膜速度。
图3是示出根据本发明的另一实施例的有机物沉积装置300的构成图，
图4是示出图3的沉积物质供应部302、容器部303、气化部305的位置的构成图。
参照图3及图4，所述有机物沉积装置300包括腔室301。所述腔室301可以是真空腔室。
在所述腔室301内可以设置有多个沉积物质供应部302。一实施例中，所述沉积物质供应部302可以包括第一沉积物质供应部302a及第二沉积物质供应部302b。所述第一沉积物质供应部302a及第二沉积物质供应部302b可以供应相同的沉积物质(图2的D)。在另一实施例中，所述第一沉积物质供应部302a供应沉积物质D的第一沉积物质，第二沉积物质供应部302b可以供应沉积物质D的第二沉积物质。
在所述沉积物质供应部302的下方可以设置有多个容器部303。所述容器部303可以存储从所述沉积物质供应部302供应的沉积物质D。所述容器部303包括第一容器部303a、第二容器部303b、第三容器部303c及第四容器部303d。所述容器部303的数量不限于某一种情形。
在所述腔室301内可以设置有气化部305。所述气化部305可以位于第一容器部303a、第二容器部303b、第三容器部303c及第四容器部303d中的某一个容器部上。某一个容器部可以借助升降运动而位于所述气化部305内。
在所述气化部305可以形成有使所述容器部303进入的投入口311。所述容器部303可以连接于能够借助升降运动而向所述气化部305内部移送的移送部306。所述移送部306包括转台。所述移送部306可以使多个容器部303沿着圆周方向相隔布置。所述移送部306可以借助于设置在下部的驱动部326，例如驱动气缸等而进行旋转运动及升降运动。因此，安装于所述移送部306上的第一容器部303a、第二容器部303b、第三容器部303c及第四容器部303d中的某一个容器部可以布置在所述气化部305内。
第一加热器304可以设置于所述气化部305内。所述第一加热器304可以位于被移送至所述气化部305内部的容器部303上。所述第一加热器304可以被加热至能够将存储于所述容器部303内的沉积物质D气化的温度以上。
在所述容器部303的下端可以设置有当所述容器部303向所述气化部305内部上升时封闭所述投入口311的密封板312。所述密封板312可以是金属板。当所述容器部303通过所述投入口311而位于气化部305内部时，所述密封板312可以封闭所述投入口311。在所述投入口311周围可以设置有O型环324。
在所述容器部303所移动的路径可以设置有冷却所述容器部303的冷却部315。在所述移送部306的上部设置有第一冷却部315a，在所述移送部306的下部可以设置有第二冷却部315b。
为了防止移送部306由于在所述气化部305内部被加热的容器部303a而被加热，并防止热传递至相邻的其他容器部303b、303c、303d，所述冷却部315可以设置在除了所述气化部305下部以外的其他区域。所述冷却部315只要是能够冷却所述容器部303的结构，则其数量或结构不限于某一种情形。
所述气化部305可以借助连接管307而与喷嘴部309连通。在所述喷嘴部309相隔地布置有多个出口310，并提供向基板308喷射沉积物质的通道。如上所述，所述有机物沉积装置300并非所述气化部305及喷嘴部309构成为一体型的结构，而可以是彼此分离的结构体。
在所述气化部305、连接管307、喷嘴部309的内部或外部可以设置有施加预定的温度的第二加热器314，以防止被气化的沉积物质D沉积于所述气化部305、连接管307、喷嘴部309的内表面。施加到布置在所述容器部303上的第一加热器304的温度可以与施加到布置在所述气化部305、连接管307、喷嘴部309的内部或外部的第二加热器314的温度相同或高于施加到布置在所述气化部305、连接管307、喷嘴部309的内部或外部的第二加热器314的温度。
在所述连接管307可以设置有开关阀319以控制沉积于基板308上的沉积物质D的量而能够控制薄膜层的厚度。所述开关阀319与设置于基板308周围而感测沉积物质的量的传感器318电连接，从而可以根据基板308上的沉积物质D的量而开闭所述连接管307的通道。
在所述连接管307可以连通有旁通管320。在所述旁通管320可以设置有开闭旁通管320的通道的旁通阀321，以将残留于连接管307的通道的沉积物质D排出到外部。
在所述气化部305、连接管307、喷嘴部309中的某一个部件还可以设置有能够将具有彼此不同的气化温度的多个沉积物质混合的挡板325。
具有上述构成的沉积装置300中，第一容器部303a、第二容器部303b、第三容器部303c及第四容器部303d可以在移送部306上沿一方向旋转，并依次气化。因此，可以将气化部305的连续的工艺时间维持为较短。
并且，可以在移送部306的旋转半径内布置沉积物质供应部302、容器部303、气化部305、冷却部315，因此可以减少沉积装置300的整体大小。
图5是示出利用本发明的有机物沉积装置100、300而制作的显示装置500的一子像素的剖面图。
参照附图，所述显示装置500包括基板501。所述基板501可以是刚性基板或柔性基板。
在所述基板501上可以布置有绝缘层502。所述绝缘层502包括阻挡层或缓冲层中的任意一个层。
在所述绝缘层502上包括半导体层505。所述半导体层505可以具有p型半导体或n型半导体。在所述半导体层505上可以布置有栅绝缘膜507。所述栅绝缘膜507可以覆盖所述半导体层505。所述栅绝缘膜507可以是单层膜或者多层膜。
在所述栅绝缘膜507上可以布置有栅电极506。所述栅电极506可以是单金属或多金属。在所述栅电极506上可以布置有层间绝缘膜509。所述层间绝缘膜509可以覆盖所述栅电极506。所述层间绝缘膜509可以是有机膜或无机膜。
在所述层间绝缘膜509上可以布置有源电极508a和漏电极508b。所述栅绝缘膜507的一部分及层间绝缘膜509的一部分可以被选择性地去除而形成接触孔。所述源电极508a和漏电极508b可以与通过接触孔暴露的半导体层505电连接。在所述源电极508a和漏电极508b上可以布置有保护层510。所述保护层510可以是钝化层或平坦化膜。
上述结构的薄膜晶体管TFT可以电连接于显示元件504。一实施例中，作为所述显示元件504举例示出有机发光元件，但不限于此，可以应用多种显示元件。
所述显示元件504可以布置在保护层510上。所述显示元件504包括第一电极511、中间层513及第二电极514。
所述第一电极511可以通过接触孔连接于源电极508a或漏电极508b中的某一个电极。在所述保护层510上可以布置有像素定义膜512。所述像素定义膜512通过围绕第一电极511的边缘而限定各个子像素的发光区域。
在所述第一电极511上，在通过蚀刻像素定义膜512的一部分而暴露的区域可以布置有中间层513。所述第二电极514可以布置在所述中间层513上。一实施例中，在所述基板501上可以形成多个子像素。例如，可以利用各个子像素实现红色、绿色、蓝色或白色的颜色。
所述中间层513包括红色、绿色、蓝色的发光层(EML)，除了发光层以外，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等可以以单一或复合结构层叠。所述中间层513可以利用根据本实施例的有机物沉积装置100、300沉积在基板501上。
如上所述，有机物沉积装置和利用此的有机物的沉积方法可以最小化沉积物质的变性。并且，可以实现高速的成膜工序。
除了上述内容以外，本发明的效果显然还可以从参照附图说明的内容导出。

Claims (10)

1.一种有机物沉积装置，设置于真空腔室内，其中，包括：
至少一个沉积物质供应部；
容器部，存储从所述沉积物质供应部供应的至少一个沉积物质；
气化部，在内部设置有使所述沉积物质气化的第一加热器；
移送部，结合于所述容器部，借助直线往复运动而将所述容器部移送至所述气化部的内部；以及
喷嘴部，与所述气化部分离布置，且借助连接管而与所述气化部连通，并具有向基板喷射沉积物质的通道。
2.如权利要求1所述的有机物沉积装置，其中，
在所述气化部布置有使所述容器部进入的投入口，
在所述移送部结合有密封板，所述密封板在移送所述容器部时位于所述投入口而将气化部的内部封闭。
3.如权利要求1所述的有机物沉积装置，其中，
在所述气化部、连接管、喷嘴部的内部或外部布置有第二加热器，以防止被气化的沉积物质沉积在所述气化部、连接管、喷嘴部的内部，
施加到所述第一加热器的温度与施加到第二加热器的温度相同或高于施加到第二加热器的温度。
4.如权利要求1所述的有机物沉积装置，其中，
在所述连接管设置有开关阀，所述开关阀连接于感测沉积在所述基板上的沉积物质的量的传感器，从而根据沉积量开闭所述连接管的通道，
并且，设置有旁通管，所述旁通管与所述连接管连通，并具有开闭旁通管的通道的旁通阀，以将残留于所述连接管的通道的沉积物质排出到外部。
5.如权利要求1所述的有机物沉积装置，其中，
在所述腔室的外部还设置有向所述沉积物质供应部供应沉积物质的外部供应装置，
在所述外部供应装置配备有存储所述沉积物质的存储容器，
在所述沉积物质供应部与存储容器之间设置有闸阀，所述闸阀将向沉积物质供应部供应所述沉积物质的通道开闭。
6.一种有机物沉积装置，设置于真空腔室内，其中，包括：
多个沉积物质供应部；
多个容器部，存储从所述沉积物质供应部供应的多个沉积物质；
气化部，在内部设置有使所述沉积物质气化的第一加热器；
移送部，安装有所述容器部，并借助于旋转及升降运动而使所述多个容器部中的任意一个容器部被移送至所述气化部的内部；以及
喷嘴部，与所述气化部分离布置，且借助连接管而与所述气化部连通，并具有向基板喷射沉积物质的通道。
7.如权利要求6所述的有机物沉积装置，其中，
所述移送部包括转台，在所述移送部的下部设置有使所述移送部旋转及升降的驱动部，
所述多个容器部沿着所述移送部的圆周方向而相隔布置，
所述多个沉积物质供应部分别位于多个容器部上，
所述气化部位于所述容器部中的某一个容器部上。
8.如权利要求6所述的有机物沉积装置，其中，
在所述气化部布置有使所述容器部进入的投入口，
在所述容器部的下端结合有密封板，所述密封板在移送所述容器部时位于所述投入口而将所述气化部的内部封闭。
9.如权利要求6所述的有机物沉积装置，其中，
在所述连接管设置有开关阀，所述开关阀连接于感测沉积在所述基板上的沉积物质的量的传感器，从而根据沉积量开闭所述连接管的通道，
并且，设置有旁通管，所述旁通管与所述连接管连通，并具有开闭旁通管的通道的旁通阀，以将残留于所述连接管的通道的沉积物质排出到外部。
10.一种有机物沉积方法，包括如下步骤：
从至少一个沉积物质供应部向容器部供应至少一个沉积物质；
使结合于移送部的容器部进行直线往复运动，从而将所述容器部通过气化部的投入口移送至气化部的内部；
将设置于所述气化部的内部的第一加热器加热而使沉积物质气化；以及使气化的沉积物质通过彼此分离布置的气化部与喷嘴部之间的连接管而流动，并通过所述喷嘴部喷射，从而沉积在基板上。
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