KR20080066285A - 증발장치와 유기층 형성 방법 - Google Patents
증발장치와 유기층 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080066285A KR20080066285A KR1020070003507A KR20070003507A KR20080066285A KR 20080066285 A KR20080066285 A KR 20080066285A KR 1020070003507 A KR1020070003507 A KR 1020070003507A KR 20070003507 A KR20070003507 A KR 20070003507A KR 20080066285 A KR20080066285 A KR 20080066285A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- deposition
- organic
- evaporation
- organic material
- deposition thickness
- Prior art date
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 104
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 157
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 69
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 123
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 증발장치와 유기층 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 증발장치는 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 통해 유기물을 증발시키며, 열원을 포함하는 증발원과; 기판을 고정하는 기판 고정부와; 상기 유기물의 증발강도를 감지하기 위한 센서와; 상기 센서가 감지한 증발강도를 이용하여 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계를 통한 상기 유기물의 증착 두께를 계산하는 제어부와; 상기 유기물의 증착 두께와 상기 유기물의 사용량 간의 환산인자와 상기 제어부가 계산한 증착두께를 이용하여 상기 유기물의 사용량을 계산하는 사용량 계산부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 유기물 사용량 파악이 용이한 증발 장치가 제공된다.
Description
도 1은 본 발명에 따라 제조된 유기전계발광장치의 회로도이고,
도 2는 본 발명에 따라 제조된 유기전계발광장치의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치의 구성 블록도이고,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치의 구성도이고,
도 6a 및 도 6b는 서로 다른 유기층의 시간에 따른 증착 속도를 나타낸 그래프이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치를 이용한 유기층 형성방법을 나타낸 도면이고,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치를 이용한 유기층 형성방법을 설명하기 위한 순서도이고,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치를 이용한 다른 유기층 형성방법을 나타낸 도면이고,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치를 이용한 또 다른 유기층 형성방법을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
10 : 진공챔버 20 : 진공펌프
30 : 기판지지부 40 : 증발원
50 : 센서 60 : 제어부
70 : 사용량 계산부 80 : 표시부
본 발명은 증발 장치와 유기층 형성방법에 관한 것이다.
평판표시장치(flat panel display)에는 액정표시장치(LCD), 플라즈마 표시장치(PDP) 등이 있으며 최근에는 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여 유기전계발광장치(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다.
유기전계발광장치는 유기물로 이루어진 발광층의 자발광에 의해 구동되는 디스플레이 장치로서, 구동방식에 따라 수동형(passive matrix)과 능동형(active matrix)으로 나누어진다.
한편 유기전계발광장치는 정공주입층(HIL) 및 발광층(EML) 등의 분자량에 따라 저분자 타입과 고분자 타입으로 나눌 수도 있다.
저분자 타입의 유기전계발광장치에서, 발광층 등의 유기층은 열 증발(thermal evaporation) 법에 의해 형성될 수 있다. 이 방법에서 유기물은 증발을 통해 기화된 후 온도가 낮은 기판에 닿으면서 상변화되어 고상의 유기층을 형성한 다. 유기물은 고가이며 관리방법에 따라 표시장치의 제조단가를 좌우한다. 또한 증발과정에서 유기물이 부족하게 되면 공정을 중단하고 유기물을 보충해야 하기 때문에 공정이 불안정해진다.
그런데, 열 증발법을 이용한 유기층 형성에 있어서 유기물의 사용량을 파악하기 어려운 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 유기물의 사용량을 파악할 수 있는 증발 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 유기물의 사용량을 파악할 수 있는 유기층 형성방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 통해 유기물을 증발시키는 증발장치에 있어서, 상기 유기물을 증발시키며 열원을 포함하는 증발원과; 기판을 고정하는 기판 고정부와; 상기 유기물의 증발강도를 감지하기 위한 센서와; 상기 센서가 감지한 증발강도를 이용하여 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계를 통한 상기 유기물의 증착 두께를 계산하는 제어부와; 상기 유기물의 증착 두께와 상기 유기물의 사용량 간의 환산인자와 상기 제어부가 계산한 증착두께를 이용하여 상기 유기물의 사용량을 계산하는 사용량 계산부를 포함하는 것에 의해 달성될 수 있다.
상기 센서는 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계 모두에 서 상기 유기물의 증발강도를 측정할 수 있다.
상기 센서는 상기 안정화 단계에서 유기물의 증발강도를 감지하고, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계에서 상기 유기물 증기로부터 차단될 수 있다. 이 경우 상기 제어부는, 상기 증착 단계의 증착두께는 상기 안정화 단계 말기의 시간당 증착두께와 상기 증착 단계의 수행 시간을 이용하여 계산하며, 상기 냉각 단계의 증착두께는 이미 저장된 값을 이용하여 계산할 수 있다.
상기 센서는 상기 안정화 단계 및 상기 증착 단계에서 상기 유기물의 증착강도를 감지하고, 상기 냉각 단계에서 상기 센서는 상기 유기물 증기로부터 차단될 수 있다. 이 경우 상기 제어부는, 상기 냉각 단계의 증착두께는 이미 저장된 값을 이용하여 계산할 수 있다.
상기 제어부는 상기 센서가 감지한 증발강도에 기초하여 상기 열원의 온도를 제어할 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적은 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 통해 유기물을 증발시키고 상기 증착 단계에서 기판 상에 유기층을 형성하는 유기층 형성 방법에 있어서, 상기 유기물의 증착 두께를 상기 유기물의 사용량으로 환산하는 환산인자를 구하는 단계와; 상기 유기물의 증발강도를 감지하는 단계와; 상기 센서가 감지한 증발강도를 이용하여 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계를 통한 상기 유기층의 증착 두께를 계산하는 단계와; 상기 환산인자와 계산된 증착 두께를 이용하여 상기 유기물의 사용량을 계산하는 단계를 포함하는 것에 의하여 달성된다.
상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계 모두에서 수행될 수 있다.
상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계에서 수행되고, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계에서는 수행되지 않을 수 있다. 이 경우, 증착 단계의 증착두께 계산은 상기 안정화 단계 말기에서의 시간당 증착두께와 상기 증착 단계의 수행 시간을 이용하여 계산하며, 상기 냉각 단계의 증착두께 계산은 이미 저장된 값을 이용할 수 있다.
상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계 및 상기 증착 단계에서 수행되고, 상기 냉각 단계에서는 수행되지 않을 수 있다. 이 경우 상기 냉각 단계에서의 증착두께의 계산은 저장된 값을 이용할 수 있다.
상기 본 발명의 목적은 이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠다.
여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 일 실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 제조되는 표시장치에서 화소에 대한 등가회로도이다.
하나의 화소에는 복수의 신호선이 마련되어 있다. 신호선은 주사신호를 전달하는 게이트선, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 그리고 구동 전압을 전달하는 구동 전압선을 포함한다. 데이터선과 구동 전압선은 서로 인접하여 나란히 배치되 어 있으며, 게이트선은 데이터선 및 구동 전압선과 수직을 이루며 연장되어 있다.
각 화소는 유기발광소자(LD), 스위칭 박막트랜지스터(Tsw), 구동 박막트랜지스터(Tdr), 축전기(C)를 포함한다.
구동 박막트랜지스터(Tdr)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력단자를 가지는데, 제어단자는 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기발광소자(LD)에 연결되어 있다.
유기발광소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 단자에 연결되는 애노드(anode)와 공통전압(Vcom)에 연결되어 있는 캐소드(cathod)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 전류에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 전류는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라진다.
스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 게이트선에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터(Tdr)에 전달한다.
축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자와 입력단자 사이에 연결되어 있다. 축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다.
본 발명에 따라 제조되는 표시 장치(100)를 도 2를 참조하여 자세히 살펴보 면 다음과 같다. 도 2에서는 구동 박막트랜지스터(Tdr)만 도시하였으며, 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 도시하지 않았다.
유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 절연기판(110) 상에 버퍼층(111)이 형성되어 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어질 수 있으며, 반도체층(121)의 결정화 과정에서 절연기판(110)의 불순물이 반도체층(121)에 유입되는 것을 방지한다.
버퍼층(111) 상에는 폴리실리콘으로 이루어진 반도체층(121)이 형성되어 있다. 반도체층(121) 상에는 반도체층(121)을 중심으로 양 편으로 나누어진 저항접촉층(122)이 형성되어 있다. 저항 접촉층(122)은 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 폴리 실리콘으로 이루어져 있다.
양편으로 나누어진 저항접촉층(122) 상에는 각각 소스 전극(131)과 드레인 전극(132)이 형성되어 있다. 소스 전극(131)과 드레인 전극(132)은 동시에 형성되며, 금속 단일층 또는 금속 다중층일 수 있다.
소스 전극(131), 드레인 전극(132) 및 반도체층(121) 상에는 제1절연막(141)이 형성되어 있다. 제1절연막(141)은 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.
채널영역에 대응하는 제1절연막(141) 상에는 게이트 전극(151)이 형성되어 있다. 게이트 전극(151)은 금속 단일층 또는 금속 다중층일 수 있다.
제1절연막(141) 상에는 컬러필터(155)가 형성되어 있다.
예시한 표시장치(100)는 유기층(170)에서 백색광을 발광하며, 유기층(170) 에서 발생한 빛은 절연기판(110)을 통해 출사되는 방식이다.
유기층(170)에서 발광된 백색광은 컬러필터(155)를 거치면서 색상이 부여되어, 외부로 출사된다.
게이트 전극(151), 제1절연막(141) 및 컬러필터(155) 상에는 제2절연막(161)이 형성되어 있다. 제2절연막(161)은 평탄화층이라고도 하며, 유기물로 이루어질 수 있다. 유기물로는 유기물로는 BCB(benzocyclobutene) 계열, 올레핀 계열, 아크릴 수지(acrylic resin)계열, 폴리 이미드(polyimide)계열, 불소수지 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
제2절연막(161)의 상부에는 투명전극인 화소전극(162)이 형성되어 있다. 화소전극(162)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다.
제1절연막(141)과 제2절연막(161)에는 드레인 전극(132)을 노출시키는 접촉구(142)가 형성되어 있으며, 화소전극(162)은 접촉구(142)를 통해 드레인 전극(132)과 전기적으로 연결되어 있다. 화소전극(162)은 음극(anode)이라고도 불리며 유기층(170)에 정공을 공급한다.
인접한 화소전극(162) 간에는 격벽(163)이 형성되어 있다. 격벽(163)은 화소전극(162) 간을 구분하여 화소영역을 정의한다. 격벽(163)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질이나 SiO2, TiO2와 같은 무기재료로 이루어질 수 있으며 유기층과 무기층의 2층 구조도 가능하다.
격벽(163) 및 화소전극(162) 상에는 유기층(170)이 형성되어 있다.
유기층(170)은 백색광을 발광하는 발광층을 포함하며, 이 외에 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층 및 정공수송층 등을 더 포함할 수 있다.
정공주입층 및 정공수송층은 강한 형광을 가진 아민(amine)유도체, 예를 들면 트리페닐디아민 유도체, 스티릴 아민 유도체, 방향족 축합환을 가지는 아민 유도체를 사용할 수 있다.
전자수송층으로는 퀴놀린(quinoline) 유도체, 특히 알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린) (aluminum tris(8-hydroxyquinoline), Alq3)를 사용할 수 있다. 또한 페닐 안트라센(phenyl anthracene) 유도체, 테트라아릴에텐 유도체도 사용할 수 있다. 전자주입층으로는 바륨(Ba) 또는 칼슘(Ca)으로 형성될 수 있다.
발광층은 적색 발광층, 청색 발광층 및 녹색 발광층을 포함할 수 있으며, 이 경우 서로 다른 색상의 빛이 혼합되어 백색광이 된다.
유기층(170)은 격벽(163) 및 화소전극(162)의 전체면에 걸쳐 형성되어 있다. 유기층(170) 중 일부층은 도시한 바와 같이 격벽(163) 및 화소전극(162)의 전체면에 형성되고, 다른 층은 주로 화소전극(162) 상에 형성되는 구조도 가능하다.
격벽(163) 및 유기층(170)의 상부에는 공통전극(180)이 위치한다. 공통전극(180)은 양극(cathode)이라고도 불리며 유기층(170)에 전자를 공급한다. 공통전극(180)은 칼슘층과 알루미늄층으로 적층되어 구성될 수 있다.
공통전극(180)은 반사특성을 가질 수 있으며, 이 경우 유기층(170)에서 발광된 빛은 절연기판(110) 방향으로 출사된다.
화소전극(162)에서 전달된 정공과 공통전극(180)에서 전달된 전자는 유기 층(170)에서 결합하여 여기자(exciton)가 된 후, 여기자의 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다.
도시하지는 않았지만 표시장치(100)는 공통전극(180)의 보호를 위한 보호층, 유기층(170)으로의 수분 및 공기 침투를 방지하기 위한 봉지부재를 더 포함할 수 있다. 봉지부재는 밀봉수지와 밀봉캔으로 이루어질 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치(1)를 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발장치의 구성 블록도이다. 도 4는 개폐부(91, 92, 93)가 모두 폐쇄된 상태를 나타내며, 도 5는 개폐부(91, 92, 93)가 모두 개방된 상태를 나타낸다. 도 4 및 도 5에서는 기판 지지부(30)에 장착된 기판(101)과 증발원(40)에 수용되어 있는 유기물도 같이 나타내었다.
여기서 기판(101)은 유기층이 형성될 대상으로서, 예를 들어 도 2에 도시한 표시장치(100)에서 화소전극(162) 및 격벽(163)까지 형성된 상태일 수 있다. 유기층이 여러 층으로 구성될 경우 기판(101)은 유기층 중 일부 층이 이미 형성되어 있는 상태일 수 있다.
증발장치(1)는 증발공간(11)을 형성하는 진공챔버(10), 진공챔버(10) 내부의 진공도를 조절하는 진공 펌프(20), 증발공간(11) 상부에 위치하며 기판을 지지하는 기판지지부(30), 증발공간(11) 하부에 위치하는 증발원(40), 증발원(40) 상부에 위치하며 증발강도를 감지하는 센서(50)를 포함한다.
이 밖에 증발장치(1)는 센서(50)가 감지한 증발강도를 이용하여 증착두께를 계산하며 증발원(40)의 증발강도를 조절하는 제어부(60), 제어부(60)가 계산한 증착두께를 이용하여 유기물 사용량을 계산하는 사용량 계산부(70), 사용량 계산부(70)의 계산결과를 디스플레이 하는 표시부(80) 및 개폐부(91, 92, 93)를 포함한다.
도시하지는 않았지만 증발장치(1)는 증발공간(11)의 압력을 감지하는 압력게이지, 기판지지부(30)와 제1개폐부(91) 사이에 위치하며 마스크를 지지하는 마스크 지지부를 더 포함한다. 마스크는 오픈 마스크 또는 쉐도우 마스크일 수 있다.
이하에서 '증착두께'는 증발원(40)에서 발생된 유기물 증기가 기판(101) 상에 증착된다고 가정하고 제어부(60)가 계산하는 값을 나타낸다. '증착두께' 계산은 실제 기판(101) 상에 유기물 증착이 이루어지는지와는 무관하게 이루어진다.
기판지지부(30)는 유기물이 증착될 면이 증발공간(11)의 하부, 즉 증발원(40)을 향하도록 기판(101)을 지지한다. 기판지지부(30)에 연결되어 있는 회전구동부(31)는 기판(101)에 유기물 증착이 이루어질 때 기판지지부(30)를 회전시켜 유기층이 균일한 두께로 형성되도록 한다.
증발원(40)은 본체(41)와 본체(41) 내에 형성되어 있는 열원(42)을 포함한다. 본체(41) 상부는 오목하게 함몰되어 증착대상인 유기물을 수용하는 유기물 수용공간(43)을 형성한다. 열원(42)의 열 발생은 제어부(60)에 의해 제어된다.
열원(42)이 작동되면 유기물 수용공간(43) 내에 수용된 유기물이 가열되면서 유기물이 증발되어 유기물 증기가 발생하게 된다.
센서(50)는 증발원(40) 상부에 위치하면서 유기물의 증발강도를 감지한다. 센서(50)는, 이에 한정되는 않으나, 자가 진동하는 크리스탈 진동자를 포함한다. 크리스탈 진동자는 퀴츠(quartz)로 이루어질 수 있다.
크리스탈 진동자는, 예를 들어, 초기에 6MHz의 주파수를 발생시킨다. 증착된 유기물의 무게에 의해 크리스탈 진동자의 주파수는 감소하며, 주파수 변화로부터 유기물의 증발강도를 감지할 수 있다. 여기서, 증발강도란 유기물이 증발하는 정도를 말하며, 증착속도는 증발강도에 비례한다.
제어부(60)는 센서(50)가 감지한 유기물의 증발강도, 즉 주파수 변화로부터 유기물의 증착두께를 계산한다. 이 과정을 자세히 설명하면 다음과 같다.
제어부(60)는 센서(50)가 감지한 유기물의 증발강도와 이미 저장되어 있는 유기물에 관한 정보를 이용하여 증착속도, 즉 시간당 증착두께를 계산한다. 유기물에 관한 정보는 유기물의 밀도를 포함한다.
제어부(60)는 계산된 증착속도와 측정된 증착시간을 이용하여 유기물의 증착두께를 계산한다.
증착속도는 센서(50)가 감지한 유기물의 증발강도를 이용하는 방법 외에 이미 저장된 값을 이용하는 방법도 있는데 이에 대하여는 후술할 유기층의 형성방법을 통해 자세히 설명한다.
사용량 계산부(70)에는 증착두께와 유기물의 사용량 간의 환산인자가 저장되어 있다. 환산인자는 유기물의 사용량/증착두께, 예를 들어, g/kÅ의 단위를 가지고 있으며, 실험을 통해 결정된다. 환산인자의 결정방법에 대하여는 후술한다. 환산인자는 계산방식에 따라 증착두께/유기물의 사용량의 단위를 가질 수도 있다.
사용량 계산부(70)는 환산인자와 제어부(60)가 계산한 증착두께를 이용하여 유기물의 사용량을 계산한다.
표시부(80)는 유기물의 초기 장착량, 유기물 사용량, 유기물의 현재 잔량 등을 표시한다. 사용량 계산부(70)는 현재 잔량이 일정 수준 이하가 되거나, 현재 잔량이 1회의 유기층 형성을 수행하기 부족하다고 판단될 경우 표시부(80)를 통해 경고 메시지를 나타낼 수 있다.
개폐부(91, 92, 93)에 대하여 설명한다.
제1개폐부(91)가 개방되면 기판지지부(30)에 장착된 기판(101)은 증발공간(11)에 존재하는 유기물 증기에 노출된다. 제1개폐부(91)가 폐쇄되면 기판(101)은 증발공간(11)에 존재하는 유기물 증기로부터 차단된다. 즉 증발공간(11)에 유기물 증기가 공급되어도, 제1개폐부(91)가 개방되어야 기판(101) 상에 유기층이 형성된다.
제2개폐부(92)가 개방되면 증발원(40)으로부터의 유기물 증기가 증발공간(11)으로 공급되며, 제2개폐부(92)가 폐쇄되면 증발원(40)으로부터의 유기물 증기가 증발공간(11)으로 공급되지 않는다.
제3개폐부(93)가 개방되면 센서(50)는 증발공간(11)에 존재하는 유기물 증기에 노출되며, 제3개폐부(93)가 폐쇄되면 센서(50)는 증발공간(11)에 존재하는 유기물 증기로부터 차단된다. 즉, 증발공간(11)에 유기물 증기가 공급되어도, 제3개폐부(93)가 개방되어야 센서(50)가 증발강도를 감지할 수 있다.
유기물은 다양한 단계를 거쳐 증발이 이루어지는데, 이를 설명하면 다음과 같다.
도 6a 및 도 6b는 서로 다른 유기물에 대하여 시간에 따른 증착속도를 나타낸 것으로, 1회의 유기층 형성 과정을 나타낸 것이다.
유기물의 증발은 안정화 단계, 증착 단계 그리고 냉각단계를 거쳐 이루어진다.
안정화 단계는 유기물 증기가 발생되기 시작하여 증착속도가 원하는 값으로 안정화되기까지의 시간이다. 도 6a 및 도 6b와 같이 이 단계에서의 증착속도는 불안정하며, 안정화 단계에서의 증착 두께는 유기물에 따라 서로 다르다. 한편, 동일한 유기물이어도 안정화 단계에서의 증착 두께는 배치(batch)마다 달라질 수 있다.
여기서의 '배치'(batch)란 유기층이 1회 형성되는 과정으로 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 포함한다. 통상 증발원(40)에 유기물이 장착되면, 유기물의 보충 없이 복수회의 배치가 행해진다.
안정화 단계에서 제1개폐부(91)는 폐쇄되어 있으며, 기판(101)에는 유기물 증기가 공급되지 않는다.
증착단계에서는 기판(101)에 유기물 증기가 공급되어 유기층이 형성된다. 증착속도가 안정화되면 제1개폐부(91)를 개방하고 기판(101) 상에 유기물 증기를 공급한다. 이 증착 단계에서는 증착속도가 안정화되어 있기 때문에 증착 두께는 증착시간에 비례한다. 증착 단계에서 증발원(40)의 온도는 일정하게 유지된다.
증착두께가 원하는 값이 되면 열원(41)에 공급되는 전원을 차단하여 증발원(40)의 유기물을 냉각시킨다. 이 냉각 단계에서는 제1개폐부(91) 그리고/또는 제 3개폐부(93)를 폐쇄하여 기판(101)에 유기물 증기를 공급하지 않는다.
냉각 단계에서의 증착 두께는 유기물에 따라서는 서로 다르지만, 동일한 유기물은 배치에 관계없이 거의 일정하다. 이는 동일한 유기물에 대하여는 증착단계에서의 온도, 즉 냉각 단계 초기의 온도가 일정하고 냉각 단계에서의 온도변화 프로파일도 대체로 일정하기 때문이다.
이상과 같이 유기물 증기는 안정화 단계, 증착단계 및 냉각 단계에서 모두 발생되는 반면, 유기물 증기를 이용한 기판(101) 상의 유기층 형성은 증착단계에서만 일어난다. 한편, 안정화 단계와 냉각 단계에서의 증착두께는 유기물 종류에 따라서는 증착단계에서의 증착두께보다 클 정도로 상당한 값을 가진다.
본 발명에서의 환산인자는 안정화 단계와 냉각 단계에서의 증착두께도 고려하여 결정되기 때문에, 실제 유기물의 소모량을 충실히 반영한다.
환산인자를 구하는 방법은 다음과 같다.
증발 전 증발원(40)에 장착된 유기물의 무게를 측정한다. 이후 기판(101)에 유기층을 형성하면서 안정화 단계, 증착단계 및 냉각 단계를 통한 증착 두께를 구한다. 다음으로 증발 후 유기물의 무게를 측정한다.
예를 들어, 유기물의 무게 변화가 2.679g이고 계산된 증착두께가 2.320kÅ일 경우, 환산인자는 2.679g/2.320kÅ 즉, 1.15g/kÅ이 된다. 환산인자는 유기물마다 측정되며, 유기물마다 서로 다른 값을 가진다.
여러 배치의 유기층 증착을 거친 후 환산인자를 구하면, 환산인자의 신뢰도를 높일 수 있다. 또한 환산인자를 구하기 위한 과정에서 실제 기판(101)에서의 유 기층 형성은 이루어지지 않을 수도 있다. 환산인자는 필요 시 다시 측정하여 재설정할 수 있음은 물론이다.
환산인자가 구해지면, 상술한 바와 같이 환산인자와 계산된 유기층의 증착두께를 이용하여 유기물의 사용량을 예측할 수 있다. 예를 들어, 환산인자가 1.15g/kÅ이고, 계산된 유기층의 증착두께가 2.120kÅ일 경우 유기물 사용량은 1.15g/kÅ* 2.120kÅ, 즉 2.438g인 것이다.
다양한 유기층 형성 방법과 이에 따른 제어부(60)의 증착두께 계산을 설명한다.
도 7은 유기층 형성의 일 방법을 나타낸 것이다.
안정화 단계에서는 제1개폐부(91)은 폐쇄, 제2개폐부(92)는 개방, 제3개폐부(92)는 개방상태이다.
안정화 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 제어부(60)는 안정화 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 폐쇄되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급되지 않는다.
증착단계에서는 개폐부(91, 92, 93)가 모두 개방상태이다.
유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 제어부(60)는 증착 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 개방되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급 되면서 유기층 형성이 이루어진다.
냉각 단계에서 제1개폐부(91)은 폐쇄, 제2개폐부(92)는 개방, 제3개폐부(93)는 개방상태이다.
냉각 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 제어부(60)는 냉각 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 폐쇄되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급되지 않는다.
이와 같이 본 방법에 따르면 제어부(60)에서 계산되는 증착 두께는 모두 센서(50)가 감지한 증발강도를 이용한 것이다.
사용량 계산부(70)는 제어부(60)에서 계산된 증착 두께와 환산인자를 이용해 유기물 사용량을 계산한다.
이상 설명한 증착 두께 계산 및 유기물 사용량 계산을 도 8의 순서도를 참조하여 다시 설명하면 다음과 같다.
먼저 증착두께와 실제 측정한 사용량으로부터 환산인자를 마련한다(S100). 환산인자는 사용량 계산부(70)에 저장된다.
이후 기판(101)에 유기층을 형성하면서, 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계에서 증발강도를 감지한다(S110). 증발강도는 센서(50)가 감지하며, 진동 주파수의 변화로 표현될 수 있다.
제어부(60)는 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 증착속도를 계산한 다(S120). 이 과정에서 제어부(60)는 이미 저장되어 있는 증발대상인 유기물의 비중 등을 이용할 수 있다.
제어부(60)는 계산된 증착속도와 증착이 측정된 수행된 시간을 이용하여 증착두께를 계산한다(S130).
사용량 계산부(70)는 제어부(60)가 계산한 증착두께와 환산인자를 곱하여 유기물의 사용량을 계산한다(S140).
도 9는 유기층 형성의 다른 방법을 나타낸 것이다.
안정화 단계에서는 제1개폐부(91)은 폐쇄, 제2개폐부(92)는 개방, 제3개폐부(93)는 개방상태이다.
안정화 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 제어부(60)는 안정화 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 폐쇄되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급되지 않는다.
증착단계에서는 개폐부(91, 92, 93)가 모두 개방상태이다.
증착 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도를 이용하여 제어부(60)는 증착 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 개방되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급되면서 유기물 증착이 이루어진다.
냉각 단계에서 개폐부(91, 92, 93)는 모두 폐쇄 상태이다.
냉각 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로의 공급이 차단되며, 기판(101)으로도 공급되지 않는다.
상술한 바와 같이 냉각 단계에서의 증착 두께는 동일 유기물에 대하여는 대체로 일정하다. 제어부(60)에는 냉각 단계에서의 증착 두께가 저장되어 있고, 이 저장된 값을 냉각 단계에서의 증착두께로 한다.
사용량 계산부(70)는 제어부(60)에서 계산된 증착 두께와 환산인자를 이용해 유기물 사용량을 계산한다.
본 방법의 냉각단계에서 제2개폐부(92)와 제3개폐부(93) 중 어느 하나는 개방 상태일 수 있으며, 이 경우에도 제어부(60)의 증착 두께 계산은 동일한 방법으로 수행된다.
본 방법에 따르면 냉각 단계에서 유기물 증기는 센서(50)에 공급되지 않아, 센서(50)의 수명을 증가시킬 수 있다.
도 10은 유기층 형성의 또 다른 방법을 나타낸 것이다.
안정화 단계에서는 제1개폐부(91)은 폐쇄, 제2개폐부(92)는 개방, 제3개폐부(93)는 개방 상태이다.
안정화 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로 공급되고 센서(50)는 증발강도를 감지한다. 센서(50)가 감지한 증발강도로부터 제어부(60)는 안정화 단계의 증착 두께를 계산한다.
제1개폐부(91)가 폐쇄되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급 되지 않는다.
증착단계에서는 제1개폐부(91)는 개방, 제2개폐부(92)는 개방, 제3개폐부(93)는 폐쇄상태이다.
증착 단계에서 제1개폐부(91)가 개방되어 있기 때문에 유기물 증기는 기판(101)으로 공급되면서 유기물 증착이 이루어진다. 반면 제3개폐부(93)가 폐쇄되어 있어 유기물 증기는 센서(50)로 공급되지 않는다.
상술한 바와 같이 증착 단계에서는 증착속도가 안정되어 있다. 따라서 증착 단계의 수행시간을 알면 증착 두께를 구할 수 있다. 따라서 제어부(60)는 안정화 단계 말기의 증착속도와 증착 단계의 수행 시간으로부터 증착단계의 증착두께를 계산한다.
냉각 단계에서 개폐부(91, 92 , 93)는 모두 폐쇄 상태이다.
냉각 단계에서의 유기물 증기는 센서(50)로의 공급이 차단되며, 기판(101)으로도 공급되지 않는다.
상술한 바와 같이 냉각 단계에서의 증착 두께는 동일 유기물에 대하여는 대체로 일정하다. 제어부(60)에는 냉각 단계에서의 증착 두께가 저장되어 있고, 이 저장된 값을 냉각 단계에서의 증착두께로 한다.
사용량 계산부(70)는 제어부(60)에서 계산된 증착 두께와 환산인자를 이용해 유기물 사용량을 계산한다.
본 방법의 냉각단계에서 제2개폐부(92)와 제3개폐부(93) 중 어느 하나는 개방 상태일 수 있으며, 이 경우에도 제어부(60)의 증착 두께 계산은 동일한 방법으 로 수행된다.
본 방법에 따르면 증착 단계 및 냉각 단계에서 유기물 증기는 센서(50)에 공급되지 않아, 센서(50)의 수명을 더 증가시킬 수 있다.
이상 설명한 제어부(60)의 증착 두께 방법, 즉 증착 단계 그리고/또는 냉각 단계에서 이미 저장된 증착 두께 값을 이용하는 방법은 상술한 환산인자를 구하는 방법에도 적용될 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따르면 환산인자와 증착두께는 유기물의 증발 전과정을 고려하여 구해진다. 따라서 유기물의 사용량을 비교적 정확히 파악할 수 있다.
다만 냉각과정의 후반부와 같이 유기물의 사용량에서 차지하는 부분이 적은 과정은 환산인자를 구하는 과정 그리고/또는 증착두께를 측정하는 과정에서 배제될 수 있다.
비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유기물의 사용량을 파악할 수 있는 증발 장치와 유기물 형성 방법이 제공된다.
Claims (13)
- 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 통해 유기물을 증발시키는 증발장치에 있어서,상기 유기물을 증발시키며 열원을 포함하는 증발원과;기판을 고정하는 기판 고정부와;상기 유기물의 증발강도를 감지하기 위한 센서와;상기 센서가 감지한 증발강도를 이용하여 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계를 통한 상기 유기물의 증착 두께를 계산하는 제어부와;상기 유기물의 증착 두께와 상기 유기물의 사용량 간의 환산인자와 상기 제어부가 계산한 증착두께를 이용하여 상기 유기물의 사용량을 계산하는 사용량 계산부를 포함하는 증발 장치.
- 제1항에 있어서,상기 센서는 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계 모두에서 상기 유기물의 증발강도를 측정하는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 제1항에 있어서,상기 센서는 상기 안정화 단계에서 유기물의 증발강도를 감지하고, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계에서 상기 유기물 증기로부터 차단되는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 제3항에 있어서,상기 제어부는,상기 증착 단계의 증착두께는 상기 안정화 단계 말기의 시간당 증착두께와 상기 증착 단계의 수행 시간을 이용하여 계산하며,상기 냉각 단계의 증착두께는 이미 저장된 값을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 제1항에 있어서,상기 센서는 상기 안정화 단계 및 상기 증착 단계에서 상기 유기물의 증착강도를 감지하고, 상기 냉각 단계에서 상기 센서는 상기 유기물 증기로부터 차단되는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 제5항에 있어서,상기 제어부는,상기 냉각 단계의 증착두께는 이미 저장된 값을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 센서가 감지한 증발강도에 기초하여 상기 열원의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 증발 장치.
- 안정화 단계, 증착 단계 및 냉각 단계를 통해 유기물을 증발시키고 상기 증착 단계에서 기판 상에 유기층을 형성하는 유기층 형성 방법에 있어서,상기 유기물의 증착 두께를 상기 유기물의 사용량으로 환산하는 환산인자를 구하는 단계와;상기 유기물의 증발강도를 감지하는 단계와;상기 센서가 감지한 증발강도를 이용하여 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계를 통한 상기 유기층의 증착 두께를 계산하는 단계와;상기 환산인자와 계산된 증착 두께를 이용하여 상기 유기물의 사용량을 계산하는 단계를 포함하는 유기층 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계 모두에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기층 형성방법.
- 제8항에 있어서,상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계에서 수행되고, 상기 증착 단계 및 상기 냉각 단계에서는 수행되지 않는 특징으로 하는 유기층 형성방법.
- 제10항에 있어서,증착 단계의 증착두께 계산은 상기 안정화 단계 말기에서의 시간당 증착두께와 상기 증착 단계의 수행 시간을 이용하여 계산하며,상기 냉각 단계의 증착두께 계산은 이미 저장된 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기층 형성방법.
- 제8항에 있어서,상기 증발강도 감지는 상기 안정화 단계 및 상기 증착 단계에서 수행되고, 상기 냉각 단계에서는 수행되지 않는 것을 특징으로 하는 유기층 형성방법.
- 제12항에 있어서,상기 냉각 단계에서의 증착두께의 계산은 저장된 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기층 형성방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070003507A KR20080066285A (ko) | 2007-01-11 | 2007-01-11 | 증발장치와 유기층 형성 방법 |
| US11/938,093 US20080171132A1 (en) | 2007-01-11 | 2007-11-09 | Evaporation apparatus and method of making an organic layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070003507A KR20080066285A (ko) | 2007-01-11 | 2007-01-11 | 증발장치와 유기층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080066285A true KR20080066285A (ko) | 2008-07-16 |
Family
ID=39617991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070003507A KR20080066285A (ko) | 2007-01-11 | 2007-01-11 | 증발장치와 유기층 형성 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080171132A1 (ko) |
| KR (1) | KR20080066285A (ko) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3667421A (en) * | 1970-09-17 | 1972-06-06 | United Aircraft Corp | Mechanism for controlling the thickness of a coating in a vapor deposition apparatus |
| US6342265B1 (en) * | 1997-08-20 | 2002-01-29 | Triumf | Apparatus and method for in-situ thickness and stoichiometry measurement of thin films |
| US6275649B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-08-14 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Evaporation apparatus |
| US6558735B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-05-06 | Eastman Kodak Company | Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices |
-
2007
- 2007-01-11 KR KR1020070003507A patent/KR20080066285A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-09 US US11/938,093 patent/US20080171132A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080171132A1 (en) | 2008-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7557382B2 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
| CN105940140B (zh) | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光元件的制造方法 | |
| KR101367139B1 (ko) | 표시 장치와 그 제조방법 | |
| US20100188388A1 (en) | Display apparatus and fabricating method thereof | |
| CN102130146A (zh) | 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备 | |
| KR20080070313A (ko) | 표시 장치와 그 제조방법 | |
| KR101315375B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US10840468B2 (en) | Organic EL element and method for manufacturing organic EL element | |
| KR20180070367A (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| EP1890333A2 (en) | Display device and method of making the same | |
| KR100680913B1 (ko) | 유기전계발광소자의 전원전압 제어장치 | |
| KR20080059804A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| JP2003007463A (ja) | 有機電界発光表示素子の製造方法 | |
| KR20070035388A (ko) | 전계발광소자의 전원전압 공급장치 | |
| KR20110073609A (ko) | 디스플레이, 광 변위 센서, 변위 측정 방법, 변화 보상 방법 및 위치 변화 보상 방법 | |
| US7883388B2 (en) | Manufacturing of display device | |
| KR20080066285A (ko) | 증발장치와 유기층 형성 방법 | |
| KR101436898B1 (ko) | 증발 소스 및 그를 구비하는 평판표시소자의 증발 장치 | |
| KR102253290B1 (ko) | 증착 감지 센서 및 그를 이용한 증착 속도 측정 장치와 박막 증착 장비 | |
| JP2007077419A (ja) | 膜厚測定装置及び薄膜形成装置 | |
| KR20050008950A (ko) | 증착 장치 및 이를 이용한 증착방법 | |
| JP2019012595A (ja) | 発光素子、および発光素子を有する表示装置 | |
| JP2005043143A (ja) | 電気光学素子の内部温度測定方法、温度測定装置、および当該内部温度測定方法を使用した表示装置 | |
| KR100414296B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조 및 그 제조 방법 | |
| KR100670174B1 (ko) | 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |