TW546987B - Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices - Google Patents
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Description
546987 五、發明説明(1 本發明概括關於在製造有機發光.裝置時監視並控制有機 層藉物理蒸氣沉澱法的形成。 也%為有冑電致發光裝i的有機發光裝置可#著將兩個 或更夕個有機層夾層在第一與第二電極之間而建構。 在傳統架構的被動矩陣有機發光裝置中,複數個橫向分 ,的諸如銦錫氧化物(IT0)陽極等透光陽極在諸如玻璃基: 寺透光基底上形成為第一電極。然後,兩個或更多個有機 層以來自各自來源的各自有機材料用蒸氣沉殿法在一般維 持小於柱壓力(TGn*)之艙室内依次形成。複數個 橫向分隔的陰極被沉澱在最上層之有機層的上面做為第二 電極。陰極的方向相對於陽極有一角度一一般為直角。 訂 此種傳統被動矩陣有機發光裝置是藉著在適當的行(陽極 )與順序地在各列(陰極)之間加上一電位(也稱為驅動電壓) 而操作。當一陰極相對於一陽極被負向偏壓時,光線 由該陰極與陽極重疊區域所界定的像素發出,且發: 線透過該陽極與基底抵達觀看者。 在主動矩陣有機發光裝置中,一陣列的 曰 體,提供做為第-電極,該等薄膜電晶體連接=自: 透光h。兩個或更多個有機層以大致相當於前述被動矩 陣裝置架構的方法藉蒗氣、,冗w、、表 ",上一展“ 成。一共通陰極沉 層有機層的上面做為第二電極。主動矩陣有機 發光裝置的架構與功能描述於美國υδ·Α·5,风q 告内容在此附呈供卓參。 h人“ 在建構有機發光裝置中有用的有機材料、蒸氣沉澱之有 本紙張尺賴财® s家 -4- 546987 五、發明説明(2 機層的厚度、及層結構描述於美請_八_4,356,429;财 4,539,5〇7; US_A_4,720,43mUs_a_4,769,292 i^m 内容在此附呈供卓參。 為了提供厚度大致均勾且精準的有機發光裝置,裝置的 有機層之形成必須加以監視並控制。此種藉著從一來源昇 爭或洛發有機材料以蒸氣沉殿有機層的控制-般是藉著在 基底或結構要被用有機層覆膜之相同蒸氣沉殺區域内放置 :監視器裝置而達成。以此方式’監視器裝置在有機層形 成於基底或結構的同時接收該有機層。該監視裝置轉而提 -i氣L谠’ 5亥电氣仏唬反映有機層被形成在監視器裝 置上的程度並從而關聯於有機層形成於要提供有機發光裝 置的基底或結構上的程度。監視器裝置的電氣信號被處理 亚/或放大且被使用以藉著調整諸如蒸氣源加熱器等蒸氣源 ,度控制元件來控制形成在裝置基底或結構上之有機層的 洛氣沉殿率及厚度。 眾所熟知的監視器裝置是所謂的晶體質量感測器裝置, 其中的監視器是具有兩個相反電極的石英晶體。該晶體是 配置在沉澱率監視器内的振盪器電路之一部份。在可接受 範圍内,振盪器電路之振盪頻率约反比於晶體表面上由2 層或多層沉澱在晶體上之材料引起的質量負載。當晶體的 質量負載超過可接受範圍時—譬如建立了超過數目個沉澱 層打,振盪器電路就不再能可靠地工作而須以一個新的晶 體質量感測器取代 '、過度負載的、曰曰體。而此種取代作業 需要中斷蒸氣沉澱製程。 μ 本纸張尺度適财S S家標Α4·(210Χ297μ) 546987
此外,當某些種類的有機層沉澱在晶體質量感測器裝置 上時,該等層在覆膜厚度建構達到約500-20⑻亳微2程度 之後會有從質量感測器表面開始破裂並剝落的傾向Y這: 造成晶體質量感測器的覆膜率測量能力在遠低於前述質量 負載限度之下就變得不正確。 ' 在開發的過程中,一般可在晶體質量感測器須因過度質 望負載或沉澱薄膜破裂剝落而被替換之前置備數個發光裝 置。這在此種過程中不是什麼大問題,因為其他的顧慮因 素一般需要打開沉澱艙室做手動基底或結構替換、在相當 小的瘵氣源内補充有機材料等而打斷蒸氣沉澱製程。 但疋在被设計成重複製造相當大數目個有機發光裝置的 製造環境中’替換、'過度負載"之晶體質量感測器或晶體 質置感測器上破裂剝落的有機覆膜會造成嚴重的限制,因 為製造系統在所有各方面都被裝配成可提供在許多裝置結 構上生產所有有機層且確實可提供完全封裝的有機發光裝 置之能力。 所以本發明的一個目的是藉著提供用以控制有機層厚度 之可重複使用的感測器來形成有機層。此目的在用以沉澱 一洛發或昇華的有機層於一將形成有機發光裝置的一部份 之結構上的方法中達成’該方法包括下列步驟: a) 在 >儿殿區域處沉殿有機材料形成有機發光裝置的一層; b) 提供一可移動感測器,該感測器當被移動進入沉澱區 域並在沉澱步驟期間被覆膜時提供代表形成該層之有機材 料厚度的信號; -6- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱] ------------ 546987 A7 B7 五、發明説明(4 ) C)根據該信號控制有機材料之沉澱以控制形成於兮龄構 上之有機層的沉澱率和厚度; σ d) 將該可移動感測器從沉澱區域移動到清潔位置及 e) 從該可移動感測器上移除有機材料以讓該可移動成測 器可重複使用。 、 夕 ^ 本發明的優點是控制發光裝置内一個或更多個有機層之 厚度的晶體質量感測器可被清潔並重複使用,藉此提供一 更有效率的製造程序。 9 圖1是被動矩陣有機發光裝置的示意透視圖,該裝置的 件被部分剝除以顯現各個層; 圖2是一種製造系統的示意透視圖,該製造系統適合穿 相當大數目個有機發光裝置(〇LEDs)且具有複數個從= 伸出的工作站; 圖3是-載體的示意斷面圖,該載體包括相當大數目個 底或結構且定位在圖2之系統的承載工作站内,該圖是從 2的斷面線3-3處所顯示的; 圖4是專為圖2之系統内在基底或結構上形成蒸氣沉殿 有機電洞傳輸層(hole-transporilng layers飢)的蒸氣沉 :作站的示意斷面圖,該圖是從圖2的斷面線Μ處所顯 圖5是圖4中所示晶體質量感測器與關聯的沉澱率監視 的放大示意斷面圖; 圖6示意顯示圖4的感測器’該感測器已經在一個表面 以數目N層有機電洞傳輸材料的形式形成相當高質量負載 元 造 延 基 圖 之 澱 示 器 上 546987 五 、發明説明( A7 B7 其中此種質吾i 、里負载會使以前技術的感測哭 視器在其沉料讀數上造成不可靠或成二 =殿率監 圖7示意顯示位在圖2之電洞傳輸層沉興:作:作; 發明之可移動感測器總成1中一第―晶二:根據本 -澱區域内操作而一第三感測器被顯示位二感測益在 位在一第,’1二感測器被顯示在清潔之後且 田第一感測器累積相當高質量負載 的位置; W可進入沉澱區域 圖7A顯示圖7之光導器,該光 導P尖踹夕、登m n匕括一位在鄰接於光 k用的加熱器與用以收集藉著清 w 器移除之有機材料的選用收集器; …裔攸感測 裝 圖7B不意顯示被斜向導引朝向質 盥用以妆隹益# 士 只執以/則為的光導器 …广糟者清潔閃蒸從感測器移除之有機材料的選用 訂 性示一種用以將有機材料從感測器移除的替代 朝向二中一清潔輕射源提供被經由透鏡導引 之清潔輕射、位在搶室機殼内的視窗 及遠用的可加熱鏡; 明! 1是移動感測器總成圖’但示意顯示根據本發 用以清潔高質量負載之感測器的加熱器; 圖9A-9D是在實現木於明中其么 〜 月中甚為有用的可旋轉感測器支 牙肢之不同具體實例的示意平面圖,纟中沉澱區域内感測 為位置和感測器清潔位置以虛線特別標示;且 圖ίο是圖5中所示晶體質量感測器的放大斷面圖,但有根 -8- 546987 五、發明説明(6 據本^明的一輪射吸收層預先形成在感測器表面上以在清 潔位置内加強感測器上有機層的全部或部分移除。 0為有機發光裝置的層厚度尺寸經常會在次微米的範圍 内而代表k向裝置尺寸的輪靡可能在5〇·5〇〇豪米的範圍内 η所以諸圖式必須以示意方式顯示。故諸圖式的比例緣製 是為了易於觀看而非正確顯示尺寸。 一:底 ^表不具有在其上預先形成之複數個橫向分 隔的第一電極(陽極)之透光支撐體,此種基底是被動矩陣有 機發光裝置(OLED)的前導品。、、結構匕詞被用以描述接 收°卩伤的洛氣沉澱有機層之後的基底並表示主動矩陣陣 列優於被動矩陣陣列的區別。 ^在看圖1,該圖以示意透視方式顯示有部分元件被剝除 以顯現各個層的被動矩陣有機發光裝置(〇led)i〇。 透光基底11有複數個橫向分隔的第一電極12(也稱為陽極 )形成於其上。有機電洞傳輸層(HTL)13、有機發光層 (LELm、及有機電子傳輸層肌)15藉著物理蒸氣沉殿法 序化成這將在下文中更詳細地描述。複數個橫向分隔 的第一電極16(也稱為陰極)形成在有機電子傳輸層Μ上方, 且其方向大體上垂直於第一電極12。一封裝體或覆蓋以在 環境上密封該結構的敏感部分,藉此提供一完成的有機發 光裝置1 0。 久 」見在看圖2,該圖顯示一種製造系統1〇〇的示意透視圖, ㈣㈣合製造相當大數目個有機發光裝置’該系統使用 自動化或機器人化裝置(未顯示)以在複數個從'緩衝樞軸 •9- 本紙張尺度適财S B家標準(CNS) Μ規格(·Χ297公爱) 546987 A7 -----— B7 五、發明説明「7 ) ' - 102與從一移轉樞軸1〇4延伸的工作站之間傳輪或移轉基底 或結構。經由一幫浦艙口 1〇7的真空幫浦1〇6提供枢轴1〇2, 104内與從這些樞軸延伸的各個工作站内較低的壓力。一壓 力計108顯示系統1〇〇内較低的壓力。該壓力可在從約1〇·2到 10宅米水柱的範圍内。 該等工作站包括用以提供基底或結構之承載的承載工作 專門用來形成有機電洞傳輸層(HTL)的蒸氣沉殿工 作站130、專門用來形成有機發光層(LEL)的蒸氣沉殿工作 占 專門用來形成有機電子傳輸層(ETL)的蒸氣沉殿工 作站150、專門用來形成複數個第二電極(陰極)的蒸氣沉澱 作站160用以將結構從緩衝樞軸1 〇2移轉到移轉樞柏1 〇4 的除載工作站103 ;該除載工作站則提供一儲存工作站 、及經由一連接器艙口 1〇5連接至樞軸1〇4的封裝工作站 。每個k些工作站都有一開口艙口各延伸進入樞軸^ Μ與 104,且母個工作站有一真空密封存取艙口(未顯示)以提供 對β亥工作站的進出做為清潔、補充材料及替換或修理零件 用。每個工作站包括一界定一艙室的機殼。 圖3疋承載工作站11〇沿著圖2的斷面線3_3看到的的示意 斷面圖。承載工作站110有一界定一艙室110C的機殼η〇Η 。艙室内安置一承載體in,該承載體被設計以承載複數個 具有預先形成之第一電極12的基底丨丨(請看圖丨)。一交替承 載體1 1 1可被提供以支援複數個主動矩陣結構。承載體11 i 也可被提供在除載工作站103内與儲存工作站170内。 現在明看圖4,該圖顯示電洞傳輸層蒸氣沉澱工作站 本紙張尺度適财S g家標準(CNsTI^i:— x 297公爱)-- 五、發明説明(8 ) ^沿著圖2的斷面線4-4看到的示意斷面圖。—機殼咖 界疋一艙室130C。一基底11(請看圖υ支按在-可建構成 遮罩框的支架131内。一材料源13 ^ 104女置在熱絕緣支拌台 ’才料源134被填充有機電洞傳輸材料13a供應„ _ ...。材料源134被加熱元件⑴加熱,加熱元件135 經由導線245與247連接至材料源電力 出端子― “供應⑽之對應的輸 溫度被充分提昇時’有機電洞傳輸材料⑴就會 傳輸材料蒸氣給罐域13v。……的有機電動 基幻1以及傳統的晶體質量感測器2〇〇安置在沉澱區域内 ’且每個這些元件有有機電洞傳輸層形成於其上,如圖中 以虛線標出的1 3 f所示。 如本技術領域中眾所週知者,晶體質量感測器2 0 0經由導 線2_接至沉殿率監視器220的輸入端子216。感測器2〇〇 疋^供在監視器220内之振M f路的—部份且該電路以約 匕於曰曰體的貝里負載之頻率振盪,晶體的質量負載孽如 是由被形成之層職供的質量負載。監視器咖包括二差 =電路’該差動電路產生正比於質量負載率的信號,而質 置負载率正比於層13f的沉澱率…此信號由沉澱率監視器 220表不且提供在其輸出端子如處…導線224將此信號連 接至控制器或放大器23(3的輸入端子226,控制器或放大器 23〇在其輸出端子232處提供—輸出信號。控制器或放大器 謂之輸出信號經由導線234與輸入端子说變成材料源電力 546987
供應240的輸入信號。 所以若蒸氣沉澱區域13v内的蒸氣流動暫時穩定,則層 ⑽質量建構或生長祕定速率進行。沉殿率監視器 220會在輸出端子222處提供一恆定信號,且材料源電力供 應240會經由導線245與247提供—電流給材料源134的 加熱元们35’藉此維持™域内暫時穩定的蒸氣流動。 在穩定的蒸氣沉殿條件下-亦即恆定㈣率的停件下,可 在-固定的沉殿時段期間在結構上與在晶體質量感測器2〇〇 上達成有機電洞傳輸層13(請看圖1}所需的最汰導产,在气 期間終了時藉著終止料料源134的的加熱或藉著^㈣ 1 34上方放置一遮板來終止蒸氣沉澱。 雖然為了舉例說明的目的而在圖4中顯示一相當簡單的材 料源134 ’但請注意可有效地使用許多種其他的材料源組態 以在沉澱區域内提供有機材料之蒸發或昇華蒸氣。 圖5是圖4所示以前技術之晶體質量感測器2〇〇連同相關的 沉澱率監視器220之放大示意斷面圖。晶體2〇4有一前面電 極205與一後面電極206。一電氣接地之機殼邛2與前面電極 2 0 5電氣接觸並經由-連接器2 〇 9電氣連接至導線2 _被屏 蔽部分。導線210之振盪器信號承載部分由連接器2〇7連接 至後面電極206。形成在前面電極2〇5上與機殼2〇2之前面部 分之機殼130H的一部分' 蒸氣沉澱區域Uv、及有機電洞傳 輸層1 3 f相當於圖4的各自元件。 一般而言,晶體質量感測器之機殼2〇2被以水冷卻(未顯 示於圖中)。水冷卻維持穩定的晶體溫度並確保沉澱監視正 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱)-----~ _ 546987 A7
確且不受熱效應影響。 圖6示意顯示圖4之晶體質量感測器2〇〇, >凡你日日體習旦 測器綱有相當高的質量負載,其形式是_數目n層的= 電洞傳輸材料13。在此相當高的質量負載(肇因於當N個其 底或結構連續接收有機電洞傳輸層13時累積沉殿的田諸層)$ ,沉澱率監視器220可能變為無法操作或其沉澱率讀數H 不可靠。 監視器220也可能因為沉澱在感測器上的有機材料有一部 份在厚度低於相當於N個連續層之厚度時破裂、脫落、或剝 離而變成不可靠。 現在請看圖7,該圖顯示根據本發明的質量感測器總成 300的一種具體實例,取代了圖4, 5與6中所示單一個固定安 置的質量感測器200。 該圖為了舉例說明目的顯示一可旋轉移動之感測器支托 台320以支托三個晶體質量感測器3〇1,3〇2與3〇3。感測器 j〇 1如上文所述般被安置且操作在蒸氣沉殿區域13v内(如圖 4中所示般連同一基底或結構)。一導線連接至各晶體的後 面電極(請看圖5)且一導線接觸器323 (諸如像是彈簧偏壓接 觸為)接合形成在電氣絕緣感測器支托台3 2 0上的(感測器3 0 1 之)感測器接觸器321。 感測器支托台320經由一密封327以可旋轉方式配置在工 作站130(請看圖2)的機殼130H内且可由一旋轉器325旋轉, 其旋轉方式可如本圖所示般用人工進行或經由一步進馬達 等做自動分度旋轉。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
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五、發明説明(11 當感測器3。1在沉殺區域内操作時 30增安置靠近一光導器3 。丁戊L 元39〇捭祉丄 尤岭。。392從_清潔閃蒸器單 足以藉著熱誘發之昇華或蒸發而從此感測 感乂、:洛或剝離之有機沉殿物的輻㈣ i華:潔或移除有機材料是藉昇華或蒸發達成的,該 朴::I方式大致相當於在蒸氣沉殺區域13ν内藉昇華或 自巧源134之有機材料…形成有機蒸氣的方式 ,二:閃洛早兀390提供之輻射閃蒸的大小足以提昇沉澱 广則器上之有機材料的溫度到足以激發該有機材料之昇 :或為^的度度’但維持低於移除感測器303上之金屬電極 :對感測器303之效能產生不利影響所需的溫度。對有機發 光裝置有用的有機材料特別經得起此種技術,因為這些材 料曰在遂低於洛發諸如一般被使用於晶體質量感測器之電 極材料的大部分非有機材料所需的溫度下被蒸發。感測器 J〇J旦被清潔後就可安置在沉澱區域13v内並再次使用以 監視有機層的沉澱率及厚度而不必打開沉澱艙室u〇c造成 失去真空。 该圖顯不一清潔之後的感測器3〇2,該感測器3〇2位在感 測态支托台上準備在感測器3〇1累積不利的高質量負載時前 進進入沉殿區域。 一屏蔽329被安置以提供蒸氣沉澱給沉澱區域内的一個感 測器上並保護其他感測器不接受蒸氣沉殿。 凊注意光導器392係經由_真空密封的饋送通道(未顯示) -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規; 546987 A7 一 _ B7 五、發明説明(12 ) 連接穿過機殼130H。同樣地,所有.電氣導線經由對應的電 氣饋送通道穿過機殼130進入或離開艙室13〇(::,此種饋送通 道元件在真空系統技術中是眾所週知的。 光導器392可為由可傳送由清潔閃蒸單元39〇提供之光線 的材料建構成的光纖纜線。或者,光導器392也可被建構成 中空的或管狀的光線傳送元件。 在圖7A中,光導器392包括鄰接光導器尖端或在尖端安置 的光學加熱器392H與選用的收集器392T。加熱器392H的用 途是加熱光導器392的光學激活尖端區域以使從感測器3〇3 表面洛發的有機昇華物(被移除的有機材料)避免沉殿在光導 态的尖端區域上。收集器392被使用以收集昇華物並禁止此 種昇華物散佈遍及艙室13〇c。收集器392T可被冷卻以提昇 收集器内有機昇華物的凝結。 圖7B顯示一組態内的光導器392B,該光導拜可以斜向角 度將來自清潔閃蒸單元390的光線導引朝向質量負載感測器 收τκ為3 9 2 T以上文中圖7 A所述相同的功能操作。清潔閃 洛的斜向入射到質量感測器3 〇3上的有機沉殿物可免除光導 器392B尖端上的加熱器需要。 圖7C示意顯示用以從質量感測器移除有機材料的一種替 代光學清潔組態。一清潔輻射源3 90R以閃蒸或以定時輻射 束(4如來自雷射光源的定時光束)方式提供清潔輻射,該清 潔輻射經由透鏡392L、機殼130H内的輻射傳送窗a 392W& 可由加熱器392HM選擇性加熱的鏡392M導引朝向質量感測 器303上的有機沉澱物。收集器392丁以上文所述方式操作。 -15- 546987 A7 B7
五、發明説明(13 現在請看圖8,該圖顧彔圖7沾成、、日,丨e a。Λ λ
置處以水冷卻感測器機殼。
的位置以虛線標示的屏蔽329位置顯示, 感測态3 0 1在沉;殿區域内 !示’且感測器清潔位置 392(圖7之光導器392)也以虛線標示顯示。 圖9A顯示具有可旋轉感測器支托台32〇A的質量感測器總 成3 00A,該支托台320A上支托單一個感測器3〇1。 圖9B顯示有兩個感測器301,3〇2配置在可旋轉感測器支 托台320B上的質量感測器總成3〇〇b。 圖9C顯示一種質量感測器總成3〇〇c ’該種質量感測器總 成提供適合支托四個感測器301,302, 3〇3與3〇4的可旋轉感 測器支托台320C。 圖9D顯示一種質量感測器總成3〇〇D,該種質量感測器總 成具有適合支托包括感測器307的更多數目個感測器的圓形 可旋轉感測器支托台320D。 圖10是圖5所示晶體質量感須彳器的放大斷面圖,但有一輕 射吸收層3 9 1預先形成在晶體204的前面電極2?5上方及機殼 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 546987 A7
裝 訂
k 546987 A7 -B7 五 、發明説明(15 ) 該裝置尚包括一收集器以收集從第一感測器藉著移除有 機材料的裝置移除的此種有機材料。 該裝置中的收集器包括冷卻裝置。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 546987 A BCD 六、申請專利範圍 種用以沉殿蒸發或昇華之有屛 .的一部a# Ρ 曰於形成有機發光裝置 ρ伤之結構上的方法,該方法包括下列步驟: a) 在沉殿區域處沉澱有機材料 _ 置; y成—層有機發光裝 b) 提供一可移動感測器,該备 酽卩a ” ^ J °口田被移動進入沉 歲&域亚在沉澱步驟期間被覆膜時提供代 有機材料厚度的信號; 、y ^曰 二 =:號控制有,之沉殿以控制形成於該 、構上之有機層的沉澱率和厚度; 及d)將該可移動感測器從沉殺區域移動到清潔位置; 4從該可移㈣測器上移除有機材料以讓 感測器可重複使用。 ^ ^ 2. 一種用以沉殿蒸發或昇華之有機㈣形成有機 的-部份之結構上的方法’該方法包括下列步驟·、 a)在,儿;知區域處沉殿有機材彳彳#彡$ 置; T才叶小烕層有機發光裝 提供至少第一與第二可移動感測器,該等_ 中的每個感測器當被移動進入沉澱區域時在有 沉澱期間被覆膜並提供代表形成該層之有機材料厚度 的信號; & c) 根據該信號控制有機材料之沉澱以控制形成於7 結構上之有機層的沉澱率和厚度; 7 ^ d) 將該第-可移動感測器在其已被有機材料覆膜之 -19-後從沉殿區域移動到清潔位置;" :該第二可移動感測器移動進入沉 ;及 在該清潔位詈卢… 一 機材料以讓該第—可;二亥弟一可移動感測器上移除有 一括m 了移動感測器可重複使用。 種用以沉;殿基發 3 的-部份之結構二二有機層於形成有機發光裝置 壓:的—二定—艙室的機殼及連接至該艙室以降低其内 接Γ該:=收蒸發或昇華之有機材料“料源及連 之速率的裝置:乂5周整其溫度來控制有機材料蒸發或昇華 内二使此結構所在位置與沉澱區域 d)位在沉澱區域 為用以在有機材料被 料源的該有機材料; 内的可移動感測器,該可移動感測 >儿殿於該結構上的同時接收來自材 二電氣裝置,該電氣裝置連接至感測莽並因應於沉 感測上的有機材料厚度以調整溫度控制裝置來控 制形成在该結構上之有機層的沉澱率及厚度;及 f)用以將感測器移出沉;殿區域的裝置及用以全部或 二刀移除"L 在感測g上的有機材料以讓此感測器可在 沉殿區域内重複使用的裝置。 4.如申料利範圍第3項之裝置,其中該感測器配置在可移 動感Ί支托台上且該用以移除沉殿在感測器上之有機 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 546987、申請專利範圍 專㈣圍第4項之裝置’心括預先形成在感測器 上的輪射吸彳欠層。 =申請專利範圍第3項之裝置,其中該感測器配置在可移 感測。σ支托台上且該用以移除沉澱在感測器上之有機 :料的衣置包括安置在靠近感測器上有機材料處的加熱 σα :才:斗的裝置包括被導引朝向感測.器上之有機材料的閃基 輪射或定時輻射光束。 …、 6. ΪΓ:專利範圍第6項之裝置’帛包括預先形成在感測器 上的熱吸收層。 -種用以沉澱蒸發或昇華之有機層於形成有機發光裝置 的邛扔之結構上的裝置,該裝置包括: ^舶至的機妓及連接至該艙室以降低豆内 壓力的幫浦; 一、 )二用以接收待恐發或昇華之有機材料的材料源及連 接至4材料源以调整其溫度來控制有機材料装發或昇華 之速率的.裝置; 0用以定位該結構以使此結構所在位置與沉澱區域 内的材料源分隔開的裝置; d) 位在沉殿區域内的複數個可移動感測器中的第一 可移動感測器,該可移動感測器用以在有機材料被沉澱 於該結構上的同時接收來自材料源的該有機材料; e) 電氣裝i ’該電氣裝置連接至該第一可移動感測 器並因應於沉戰在感測器上的有機材料厚度以調整溫度 -21 - M6987 園 申請專利範 控制裝置來控制形成在該結構 度; ¥機層的沉澱率及厚 f)用以將該第一感測器移出沉 全部或部分移除沉澱在’右:或的裝置及用以 器可在㈣。。上的有機材料以讓此感測 在,儿癥區域内重複使用的裝置;及 g)用以移動該等複數個可移動感測器中的第二可移 進人沉㈣域的裝置及連接至此第二感測器之 9 =請專利範圍第8項之裝置,其中該等複數個感測器配 ,在一可移動感測器支托台上且該用以移除沉澱在第— 感測夺·上之有機材料的裝置包括被導引朝向感測器上之 有機材料的閃蒸輻射或定時輻射光束。 10.如申請專利範圍第9項之裝置,尚包括預先形成在該等複 數個感測器中之每個感測器上的輻射吸收層。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐)
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