JP2002158181A - クリーニングガス及びエッチングガス - Google Patents
クリーニングガス及びエッチングガスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明に係る第１のチャンバークリーニ
ング用ガスおよび第１のケイ素含有膜用エッチングガス
は、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣ
ＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と
Ｏ2を特定量含むことを特徴とし、必要に応じてその他
のガスを含有しても良い。第２のチャンバークリーニン
グ用ガスおよび第２のケイ素含有膜用エッチングガス
は、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）
2とＯ2とを特定量含むことを特徴としており、必要に応
じてその他のガスを含んでも良い。 【効果】 本発明に係るチャンバークリーニング用ガス
および本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガスは、
温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一因とされる環
境に有害な排ガスであるＣＦ4を生成しにくいことか
ら、環境に優しく、しかも取り扱いが容易で、排ガス処
理性にも優れている。また、本発明に係るチャンバーク
リーニング用ガスは、優れたクリーニング速度を有して
いる。
ング用ガスおよび第１のケイ素含有膜用エッチングガス
は、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣ
ＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と
Ｏ2を特定量含むことを特徴とし、必要に応じてその他
のガスを含有しても良い。第２のチャンバークリーニン
グ用ガスおよび第２のケイ素含有膜用エッチングガス
は、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）
2とＯ2とを特定量含むことを特徴としており、必要に応
じてその他のガスを含んでも良い。 【効果】 本発明に係るチャンバークリーニング用ガス
および本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガスは、
温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一因とされる環
境に有害な排ガスであるＣＦ4を生成しにくいことか
ら、環境に優しく、しかも取り扱いが容易で、排ガス処
理性にも優れている。また、本発明に係るチャンバーク
リーニング用ガスは、優れたクリーニング速度を有して
いる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、チャンバークリーニング
用ガス及びエッチングガスに関する。さらに詳しくは、
地球温暖化の一因とされる環境に有害なＣＦ4等の排ガ
スを生成しにくいＣＯＦ基を有するフッ素含有カルボニ
ル系化合物からなる半導体基板製造に好適なＣＶＤ装置
等のチャンバークリーニング用ガス及びエッチングガス
に関する。
用ガス及びエッチングガスに関する。さらに詳しくは、
地球温暖化の一因とされる環境に有害なＣＦ4等の排ガ
スを生成しにくいＣＯＦ基を有するフッ素含有カルボニ
ル系化合物からなる半導体基板製造に好適なＣＶＤ装置
等のチャンバークリーニング用ガス及びエッチングガス
に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来、半導体製造等における薄膜
デバイスの製造プロセス等においては、ＣＶＤ法等を用
いて、種々の薄膜、厚膜の形成が行われている。このよ
うな半導体用の薄膜を形成する際、膜を成膜させるべき
目的物以外の反応容器内壁、目的物を担持する冶具、配
管等にも薄膜原料と同じものが付着してしまう。このよ
うな付着物は、半導体製品への微粒子の混入原因とな
り、高品質な薄膜製造が困難となるとともに製品の歩留
りの低下を招くこともあり、随時除去することが必要で
あり、従来、人手あるいはクリーニングガスなどにより
付着物の除去が行われていた。
デバイスの製造プロセス等においては、ＣＶＤ法等を用
いて、種々の薄膜、厚膜の形成が行われている。このよ
うな半導体用の薄膜を形成する際、膜を成膜させるべき
目的物以外の反応容器内壁、目的物を担持する冶具、配
管等にも薄膜原料と同じものが付着してしまう。このよ
うな付着物は、半導体製品への微粒子の混入原因とな
り、高品質な薄膜製造が困難となるとともに製品の歩留
りの低下を招くこともあり、随時除去することが必要で
あり、従来、人手あるいはクリーニングガスなどにより
付着物の除去が行われていた。
【０００３】また、半導体等においては、半導体回路を
構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するた
め、薄膜材料を部分的に除去するガスエッチングが用い
られていた。このようなクリーニングガスあるいはエッ
チングガスに求められる基本的な性能としては、クリー
ニングガスの場合はクリーニング速度が速いこと、エッ
チングガスの場合は、目的物に対するエッチング速度が
速いこと、選択性が高いことなどが挙げられる。また、
両者に共通して、環境に有害な排ガスを排出せず、地球
環境にやさしいこと等が求められている。
構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するた
め、薄膜材料を部分的に除去するガスエッチングが用い
られていた。このようなクリーニングガスあるいはエッ
チングガスに求められる基本的な性能としては、クリー
ニングガスの場合はクリーニング速度が速いこと、エッ
チングガスの場合は、目的物に対するエッチング速度が
速いこと、選択性が高いことなどが挙げられる。また、
両者に共通して、環境に有害な排ガスを排出せず、地球
環境にやさしいこと等が求められている。
【０００４】従来、このような付着物のクリーニングガ
スあるいは薄膜のエッチングガスとしては、ＣＦ4、Ｃ2
Ｆ6、ＳＦ6、ＮＦ3などのフッ素系ガスが半導体の製造
工程で大量に用いられていた。しかしながら、これらの
フッ素系ガスは、大気中で寿命の長い安定な化合物であ
り、クリーニング後、あるいはエッチング後の未分解の
ガスの処理が困難で、その処理コストが高いという問題
点があった。また、これらのフッ素系ガスは、地球温暖
化係数（積分期間１００年値）が、ＣＯ2と比較して、
ＣＦ4では６５００倍、Ｃ2Ｆ6では９２００倍、ＳＦ6で
は２３９００倍、ＮＦ3では８０００倍と極めて大き
く、環境への悪影響が懸念されるという問題点もあっ
た。このため、地球温暖化係数が小さく、しかも半導体
のケイ素を含有する付着物に対するクリーニング性能、
あるいはケイ素を含有する膜に対するエッチング性能に
優れた代替ガスの開発が求められていた。
スあるいは薄膜のエッチングガスとしては、ＣＦ4、Ｃ2
Ｆ6、ＳＦ6、ＮＦ3などのフッ素系ガスが半導体の製造
工程で大量に用いられていた。しかしながら、これらの
フッ素系ガスは、大気中で寿命の長い安定な化合物であ
り、クリーニング後、あるいはエッチング後の未分解の
ガスの処理が困難で、その処理コストが高いという問題
点があった。また、これらのフッ素系ガスは、地球温暖
化係数（積分期間１００年値）が、ＣＯ2と比較して、
ＣＦ4では６５００倍、Ｃ2Ｆ6では９２００倍、ＳＦ6で
は２３９００倍、ＮＦ3では８０００倍と極めて大き
く、環境への悪影響が懸念されるという問題点もあっ
た。このため、地球温暖化係数が小さく、しかも半導体
のケイ素を含有する付着物に対するクリーニング性能、
あるいはケイ素を含有する膜に対するエッチング性能に
優れた代替ガスの開発が求められていた。
【０００５】また、さらに、使用するガス自体は、環境
に対しさしたる影響が無い場合であっても、クリーニン
グ後、あるいはエッチング後に使用したガスが分解され
た結果、ＣＦ4等の大気寿命が長く環境に有害なガスを
発生する場合もあり、分解されたガスの性状も、環境に
対し悪影響をもたらさないような代替ガスの開発が求め
られていた。
に対しさしたる影響が無い場合であっても、クリーニン
グ後、あるいはエッチング後に使用したガスが分解され
た結果、ＣＦ4等の大気寿命が長く環境に有害なガスを
発生する場合もあり、分解されたガスの性状も、環境に
対し悪影響をもたらさないような代替ガスの開発が求め
られていた。
【０００６】そこで本発明者らは、上記問題を解決すべ
く鋭意研究し、特定のフッ素含有カルボニル系化合物に
酸素を混合したガスが、温暖化係数が小さく、クリーニ
ング後あるいはエッチング後においても、地球温暖化に
与える影響の大きいＣＦ4等の環境に有害な排ガスを発
生しにくく、また、ケイ素含有付着物あるいはケイ素含
有膜に対し優れたクリーニング性能及びエッチング性能
を有していることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
く鋭意研究し、特定のフッ素含有カルボニル系化合物に
酸素を混合したガスが、温暖化係数が小さく、クリーニ
ング後あるいはエッチング後においても、地球温暖化に
与える影響の大きいＣＦ4等の環境に有害な排ガスを発
生しにくく、また、ケイ素含有付着物あるいはケイ素含
有膜に対し優れたクリーニング性能及びエッチング性能
を有していることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、温暖化係数が小さく、地球温
暖化の一因とされる環境に有害なＣＦ 4等の排ガスを発
生しにくく、しかも排ガス処理性に優れるとともに取り
扱いが容易であり、また、ケイ素含有付着物に対するク
リーニング性能に優れた半導体製造に好適なＣＶＤ装置
等のチャンバークリーニング用ガス及びケイ素含有膜に
対するエッチング性能に優れたエッチングガスを提供す
ることを目的としている。
暖化の一因とされる環境に有害なＣＦ 4等の排ガスを発
生しにくく、しかも排ガス処理性に優れるとともに取り
扱いが容易であり、また、ケイ素含有付着物に対するク
リーニング性能に優れた半導体製造に好適なＣＶＤ装置
等のチャンバークリーニング用ガス及びケイ素含有膜に
対するエッチング性能に優れたエッチングガスを提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係る第一のチャンバークリーニ
ング用ガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％
であることを特徴としている。前記ＦＣＯＦとＯ2の混
合モル比（ＦＣＯＦ/Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦
９であることが好ましい。
ング用ガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％
であることを特徴としている。前記ＦＣＯＦとＯ2の混
合モル比（ＦＣＯＦ/Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦
９であることが好ましい。
【０００９】本発明に係る第１のチャンバークリーニン
グ用ガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含むものであってもよい。また、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含むものであってもよい。さらに、本発明に係る第１の
チャンバークリーニング用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ば
れる少なくとも１種のフッ素化合物とＯ2と、必要に応
じてその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％と
したとき、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種のフ
ッ素化合物の合計含有量とＯ2の含有量との合計が７０
〜１００モル％であるガスであってもよい。
グ用ガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含むものであってもよい。また、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含むものであってもよい。さらに、本発明に係る第１の
チャンバークリーニング用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ば
れる少なくとも１種のフッ素化合物とＯ2と、必要に応
じてその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％と
したとき、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種のフ
ッ素化合物の合計含有量とＯ2の含有量との合計が７０
〜１００モル％であるガスであってもよい。
【００１０】本発明に係る第２のチャンバークリーニン
グ用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＣＦ 3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル
％であることを特徴としている。前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2
の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、０．２５≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５であることが好ましい。
グ用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＣＦ 3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル
％であることを特徴としている。前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2
の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、０．２５≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５であることが好ましい。
【００１１】また、本発明に係る第２のチャンバークリ
ーニング用ガスは、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜
１００モル％であるガスであってもよく、さらに、ＣＦ
2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あるガスであってもよい。
ーニング用ガスは、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜
１００モル％であるガスであってもよく、さらに、ＣＦ
2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あるガスであってもよい。
【００１２】前記その他のガスは、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，
Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくとも１
種の不活性ガスであることが好ましい。前記ＦＣＯＦを
用いる場合、前記その他のガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦおよ
び／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含んでいてもよい。
前記チャンバークリーニング用ガスは、ＣＶＤ装置チャ
ンバーのクリーニング用ガスであることが好ましい。
Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくとも１
種の不活性ガスであることが好ましい。前記ＦＣＯＦを
用いる場合、前記その他のガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦおよ
び／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含んでいてもよい。
前記チャンバークリーニング用ガスは、ＣＶＤ装置チャ
ンバーのクリーニング用ガスであることが好ましい。
【００１３】前記チャンバークリーニング用ガスは、ケ
イ素含有付着物のクリーニング用ガスであることが好ま
しく、このケイ素含有付着物は、（１）ケイ素、（２）
酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少なくとも１種
と、ケイ素とからなる化合物、および（３）高融点金属
シリサイドからなる化合物のうちの少なくとも１種であ
ることが好ましい。
イ素含有付着物のクリーニング用ガスであることが好ま
しく、このケイ素含有付着物は、（１）ケイ素、（２）
酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少なくとも１種
と、ケイ素とからなる化合物、および（３）高融点金属
シリサイドからなる化合物のうちの少なくとも１種であ
ることが好ましい。
【００１４】本発明に係る第１のケイ素含有膜用エッチ
ングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他の
ガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、Ｆ
ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あることを特徴としている。前記ＦＣＯＦとＯ2の混合
モル比（ＦＣＯＦ/Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９
であることが好ましい。
ングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他の
ガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、Ｆ
ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あることを特徴としている。前記ＦＣＯＦとＯ2の混合
モル比（ＦＣＯＦ/Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９
であることが好ましい。
【００１５】本発明に係る第１のケイ素含有膜用エッチ
ングガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含むものであってもよい。また、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含むものであってもよい。さらに、ＦＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ば
れる少なくとも１種のフッ素化合物とＯ2と、必要に応
じてその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％と
したとき、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種のフ
ッ素化合物の合計含有量とＯ2の含有量との合計が７０
〜１００モル％であるガスであってもよい。
ングガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含むものであってもよい。また、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含むものであってもよい。さらに、ＦＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ば
れる少なくとも１種のフッ素化合物とＯ2と、必要に応
じてその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％と
したとき、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種のフ
ッ素化合物の合計含有量とＯ2の含有量との合計が７０
〜１００モル％であるガスであってもよい。
【００１６】本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチ
ングガスは、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＣＦ 3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル
％であることを特徴としている。前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2
の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、０．２５≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５であることが好ましい。
ングガスは、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＣＦ 3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル
％であることを特徴としている。前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2
の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、０．２５≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５であることが好ましい。
【００１７】また、本発明に係る第２のケイ素含有膜用
エッチングガスは、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜
１００モル％であるガスであってもよい。さらに、ＣＦ
2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あるガスであってもよい。
エッチングガスは、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜
１００モル％であるガスであってもよい。さらに、ＣＦ
2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを
含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％で
あるガスであってもよい。
【００１８】前記その他のガスは、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，
Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくとも１
種の不活性ガスであることが好ましい。ケイ素含有膜用
エッチングガスとしてＦＣＯＦを用いる場合、前記その
他のガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦを含んでもよい。前記ケイ素含有膜は、
（１）ケイ素膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素
のうちの少なくとも１種と、ケイ素とからなる膜、およ
び（３）高融点金属シリサイド膜のうちの少なくとも１
種であることが好ましい。
Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくとも１
種の不活性ガスであることが好ましい。ケイ素含有膜用
エッチングガスとしてＦＣＯＦを用いる場合、前記その
他のガスは、ＣＦ3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦを含んでもよい。前記ケイ素含有膜は、
（１）ケイ素膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素
のうちの少なくとも１種と、ケイ素とからなる膜、およ
び（３）高融点金属シリサイド膜のうちの少なくとも１
種であることが好ましい。
【００１９】
【発明の具体的説明】本発明に係るケイ素含有付着物の
チャンバークリーニング用ガス及びケイ素含有膜用エッ
チングガスは、ＣＯＦ基を有する特定のフッ素含有カル
ボニル系化合物に酸素を混合したガスである。以下、そ
れぞれについて詳細に説明する。［チャンバークリーニ
ング用ガス］本発明に係る第１のチャンバークリーニン
グ用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合
物を含むクリーニング用ガスである。
チャンバークリーニング用ガス及びケイ素含有膜用エッ
チングガスは、ＣＯＦ基を有する特定のフッ素含有カル
ボニル系化合物に酸素を混合したガスである。以下、そ
れぞれについて詳細に説明する。［チャンバークリーニ
ング用ガス］本発明に係る第１のチャンバークリーニン
グ用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合
物を含むクリーニング用ガスである。
【００２０】また、本発明に係る第２のチャンバークリ
ーニング用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたは
ＣＦ2（ＣＯＦ）2を含むチャンバークリーニング用ガス
である。以下、これらについて順次説明する。 ＜ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むク
リーニング用ガス＞本発明に係る第１のチャンバークリ
ーニング用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種
の化合物を含むクリーニング用ガスである。
ーニング用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたは
ＣＦ2（ＣＯＦ）2を含むチャンバークリーニング用ガス
である。以下、これらについて順次説明する。 ＜ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むク
リーニング用ガス＞本発明に係る第１のチャンバークリ
ーニング用ガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種
の化合物を含むクリーニング用ガスである。
【００２１】これらのうちでは、ＦＣＯＦを好ましく用
いることができる。ＦＯＣＦを用いる場合、チャンバー
クリーニングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じて
その他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とした
とき、ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００
モル％、好ましくは８０〜１００モル％であることが望
ましい。
いることができる。ＦＯＣＦを用いる場合、チャンバー
クリーニングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じて
その他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とした
とき、ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００
モル％、好ましくは８０〜１００モル％であることが望
ましい。
【００２２】ＦＣＯＦとＯ2との混合モル比（ＦＣＯＦ/
Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９、好ましくは１．
５≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦６、さらに好ましくは２．３≦ＦＣ
ＯＦ/Ｏ2≦６であることが望ましい。前記ＦＣＯＦを含
むチャンバークリーニング用ガスにおいて、必要に応じ
て含むことができるその他のガスとしては、Ｎ2，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの不活性ガスが
挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独で用いてもよ
く、また、２種以上の混合ガスとして用いてもよい。
Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９、好ましくは１．
５≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦６、さらに好ましくは２．３≦ＦＣ
ＯＦ/Ｏ2≦６であることが望ましい。前記ＦＣＯＦを含
むチャンバークリーニング用ガスにおいて、必要に応じ
て含むことができるその他のガスとしては、Ｎ2，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの不活性ガスが
挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独で用いてもよ
く、また、２種以上の混合ガスとして用いてもよい。
【００２３】また、前記ＦＣＯＦを含むチャンバークリ
ーニング用ガスにおいては、その他のガスとして、ＣＦ
3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含ん
でいてもよい。このようなＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦは、製造方法、製造条件により、ＦＣＯ
Ｆとともに混合物として得られる場合がある化合物であ
る。混合物で得られる場合は、蒸留等公知の方法により
分離することができ、また、混合物をチャンバークリー
ニング用ガスとして用いることもできる。
ーニング用ガスにおいては、その他のガスとして、ＣＦ
3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含ん
でいてもよい。このようなＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦは、製造方法、製造条件により、ＦＣＯ
Ｆとともに混合物として得られる場合がある化合物であ
る。混合物で得られる場合は、蒸留等公知の方法により
分離することができ、また、混合物をチャンバークリー
ニング用ガスとして用いることもできる。
【００２４】また、本発明のチャンバークリーニング用
ガスとして、ＣＦ3ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＯＦと
Ｏ2と、必要に応じてその他のガスとを含むことができ
る。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2の混合モ
ル比（ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ましくは０．４
≦ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦９、さらに好ましくは０．５≦
ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦６、特に好ましくは０．６≦ＣＦ3
ＯＣＯＦ/Ｏ2≦４の範囲にあることが望ましい。
ガスとして、ＣＦ3ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＯＦと
Ｏ2と、必要に応じてその他のガスとを含むことができ
る。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2の混合モ
ル比（ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ましくは０．４
≦ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦９、さらに好ましくは０．５≦
ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦６、特に好ましくは０．６≦ＣＦ3
ＯＣＯＦ/Ｏ2≦４の範囲にあることが望ましい。
【００２５】さらに、本発明のチャンバークリーニング
用ガスとして、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ
3ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＦ2Ｏ
ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含むこ
とができる。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＯＣＦ 2ＯＣＯＦ/Ｏ2）の
値は、好ましくは０．２５≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ/Ｏ2
≦９、さらに好ましくは０．３≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
/Ｏ2≦４、特に好ましくは０．４≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆ/Ｏ2≦２．５の範囲にあることが望ましい。
用ガスとして、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ
3ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＦ2Ｏ
ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含むこ
とができる。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＯＣＦ 2ＯＣＯＦ/Ｏ2）の
値は、好ましくは０．２５≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ/Ｏ2
≦９、さらに好ましくは０．３≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
/Ｏ2≦４、特に好ましくは０．４≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆ/Ｏ2≦２．５の範囲にあることが望ましい。
【００２６】本発明に係る第一のチャンバークリーニン
グ用ガスとして、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3
ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１
種の化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含
む場合、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯＦ
とＯ2との含有量の合計は、７０〜１００モル％、好ま
しくは８０〜１００モル％であることが望ましい。
グ用ガスとして、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3
ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１
種の化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含
む場合、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯＦ
とＯ2との含有量の合計は、７０〜１００モル％、好ま
しくは８０〜１００モル％であることが望ましい。
【００２７】本発明に係る第一のチャンバークリーニン
グ用ガスにおいて、前記ガスの含有量、前記混合モル比
が前記のような量および値であると、従来使用されてい
たＣ 2Ｆ6と同等のクリーニング速度を得ることが可能で
あり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除去するこ
とができる。さらに、チャンバークリーニング後の排ガ
スの中には、前記クリーニングガスが分解して副生する
化合物が含まれる。例えば上記のＣ2Ｆ6を用いてチャン
バークリーニングを行った場合、排ガス中には、大気寿
命が５００００年と長く地球温暖化係数が大きいＣＦ4
が含まれるが、本発明に係るＦＣＯＦとＯ2とを含む第
１のチャンバークリーニング用ガスを用いた場合は、Ｃ
2Ｆ6の場合と同等のクリーニング速度を維持しながら
も、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた場合
と比較し、顕著に減少させることができる。
グ用ガスにおいて、前記ガスの含有量、前記混合モル比
が前記のような量および値であると、従来使用されてい
たＣ 2Ｆ6と同等のクリーニング速度を得ることが可能で
あり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除去するこ
とができる。さらに、チャンバークリーニング後の排ガ
スの中には、前記クリーニングガスが分解して副生する
化合物が含まれる。例えば上記のＣ2Ｆ6を用いてチャン
バークリーニングを行った場合、排ガス中には、大気寿
命が５００００年と長く地球温暖化係数が大きいＣＦ4
が含まれるが、本発明に係るＦＣＯＦとＯ2とを含む第
１のチャンバークリーニング用ガスを用いた場合は、Ｃ
2Ｆ6の場合と同等のクリーニング速度を維持しながら
も、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた場合
と比較し、顕著に減少させることができる。
【００２８】本発明で用いられる前記ＦＣＯＦ、ＣＦ3
ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦは、水分と容易に
反応し、ＨＦとＣＯ2に分解する。このため、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆがチャンバークリーニング後に未分解のまま排ガスと
して排出されても、従来からの排ガス処理設備である水
スクラバーで、ＨＦとＣＯ2に容易に分解処理すること
が可能であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を
必要とせず、設備コストを抑えることができる。
ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦは、水分と容易に
反応し、ＨＦとＣＯ2に分解する。このため、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆがチャンバークリーニング後に未分解のまま排ガスと
して排出されても、従来からの排ガス処理設備である水
スクラバーで、ＨＦとＣＯ2に容易に分解処理すること
が可能であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を
必要とせず、設備コストを抑えることができる。
【００２９】また、もし、仮に大気に排出されたとして
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命は１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＯ2と
同等と考えられ、ＣＦ4等に比べ非常に小さく地球温暖
化への寄与が小さいと考えられる。ＦＣＯＦは、沸点
（-83.1℃）が低く、半導体製造条件下では気体である
ことから、チャンバークリーニングにおいて、取扱いが
容易である。
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命は１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＯ2と
同等と考えられ、ＣＦ4等に比べ非常に小さく地球温暖
化への寄与が小さいと考えられる。ＦＣＯＦは、沸点
（-83.1℃）が低く、半導体製造条件下では気体である
ことから、チャンバークリーニングにおいて、取扱いが
容易である。
【００３０】また、たとえば、ＣＦ3ＯＣＯＦは、沸点
が−３４℃、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦは、沸点が＋７℃で
あり、ＦＣＯＦと同様、半導体製造条件下では気体であ
ることから、チャンバークリーニングにおいて、取扱い
が容易である。前記ＦＣＯＦの製造方法については、特
に限定はされないが、たとえば、一酸化炭素とフッ素ガ
スを反応させることにより製造することができる。
が−３４℃、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦは、沸点が＋７℃で
あり、ＦＣＯＦと同様、半導体製造条件下では気体であ
ることから、チャンバークリーニングにおいて、取扱い
が容易である。前記ＦＣＯＦの製造方法については、特
に限定はされないが、たとえば、一酸化炭素とフッ素ガ
スを反応させることにより製造することができる。
【００３１】また、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣ
ＯＦの製造方法については、特に限定されず、公知の方
法を用いることができ、たとえば、米国特許第３７２１
６９６号に記載の方法により製造することができる。た
とえば、Ｃ3Ｆ6を酸素ガスと反応させることで、ＣＦ3
ＯＣＯＦとＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦとを得ることができ
る。得られる化合物は、製造条件にもよるが、前記ＦＣ
ＯＦ、前記ＣＦ3ＯＣＯＦ、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
の混合物で得ることができる。＜ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ又はＣＦ2（ＣＯＦ）2を
含むクリーニング用ガス＞ 本発明に係る第２のチャンバ
ークリーニング用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ
またはＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ2とを含むことを特徴と
し、さらに必要に応じてその他のガスを含んでもよい。
ＯＦの製造方法については、特に限定されず、公知の方
法を用いることができ、たとえば、米国特許第３７２１
６９６号に記載の方法により製造することができる。た
とえば、Ｃ3Ｆ6を酸素ガスと反応させることで、ＣＦ3
ＯＣＯＦとＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦとを得ることができ
る。得られる化合物は、製造条件にもよるが、前記ＦＣ
ＯＦ、前記ＣＦ3ＯＣＯＦ、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
の混合物で得ることができる。＜ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ又はＣＦ2（ＣＯＦ）2を
含むクリーニング用ガス＞ 本発明に係る第２のチャンバ
ークリーニング用ガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ
またはＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ2とを含むことを特徴と
し、さらに必要に応じてその他のガスを含んでもよい。
【００３２】本発明で用いられるその他のガスとして
は、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの
不活性ガスが挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独
で用いてもよく、また、２種以上の混合ガスとして用い
てもよい。本発明に係る第２のチャンバークリーニング
用ガスとしてＣＦ3ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を１
００モル％としたとき、ＣＦ3ＣＯＦと、Ｏ2とのモル濃
度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００
モル％であることが望ましい。また、さらに、本発明に
係る第２のチャンバークリーニング用ガスのＣＦ3ＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ま
しくは０．２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５、さらに好
ましくは０．４≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１、特に好ましく
は０．５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦０．８であることが望ま
しい。ＣＦ3ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含有量、その他のガ
スの含有量およびＣＦ3ＣＯＦとＯ2との混合比が、上記
のような量および値であると、従来使用されていたＣ2
Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の速度を得ることが
可能であり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除去
することができる。
は、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの
不活性ガスが挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独
で用いてもよく、また、２種以上の混合ガスとして用い
てもよい。本発明に係る第２のチャンバークリーニング
用ガスとしてＣＦ3ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を１
００モル％としたとき、ＣＦ3ＣＯＦと、Ｏ2とのモル濃
度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００
モル％であることが望ましい。また、さらに、本発明に
係る第２のチャンバークリーニング用ガスのＣＦ3ＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ま
しくは０．２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５、さらに好
ましくは０．４≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１、特に好ましく
は０．５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦０．８であることが望ま
しい。ＣＦ3ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含有量、その他のガ
スの含有量およびＣＦ3ＣＯＦとＯ2との混合比が、上記
のような量および値であると、従来使用されていたＣ2
Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の速度を得ることが
可能であり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除去
することができる。
【００３３】本発明に係る第２のチャンバークリーニン
グ用ガスとしてＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を
１００モル％としたとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦと、Ｏ2とのモ
ル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１
００モル％であることが望ましい。また、さらに、本発
明に係る第２のチャンバークリーニング用ガスのＣ3Ｆ7
ＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2）の値
は、好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．７、さ
らに好ましくは０．１５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．６、
特に好ましくは０．２５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．５で
あることが望ましい。Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含
有量、その他のガスの含有量およびＣ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2
との混合比が、上記のような量および値であると、従来
使用されていたＣ2Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の
速度を得ることが可能であり、チャンバーに付着した堆
積物を迅速に除去することができる。
グ用ガスとしてＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を
１００モル％としたとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦと、Ｏ2とのモ
ル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１
００モル％であることが望ましい。また、さらに、本発
明に係る第２のチャンバークリーニング用ガスのＣ3Ｆ7
ＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2）の値
は、好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．７、さ
らに好ましくは０．１５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．６、
特に好ましくは０．２５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．５で
あることが望ましい。Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含
有量、その他のガスの含有量およびＣ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2
との混合比が、上記のような量および値であると、従来
使用されていたＣ2Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の
速度を得ることが可能であり、チャンバーに付着した堆
積物を迅速に除去することができる。
【００３４】本発明に係る第２のチャンバークリーニン
グ用ガスとしてＣＦ2（ＣＯＦ）2を用いる場合、全ガス
量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ
2とのモル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは
８０〜１００モル％であることが望ましい。また、さら
に、本発明に係る第２のチャンバークリーニング用ガス
のＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2の混合モル比（ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2）の値が、好ましくは０．１５≦ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2≦１．３、さらに好ましくは０．２５≦ＣＦ2
（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦１、特に好ましくは０．３≦ＣＦ
2（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦０．８５であることが望ましい。Ｃ
Ｆ2（ＣＯＦ）2の含有量、Ｏ2の含有量、その他のガス
の含有量およびＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との混合比が、
上記のような量および値であると、従来使用されていた
Ｃ2Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の速度を得ること
が可能であり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除
去することができる。
グ用ガスとしてＣＦ2（ＣＯＦ）2を用いる場合、全ガス
量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ
2とのモル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは
８０〜１００モル％であることが望ましい。また、さら
に、本発明に係る第２のチャンバークリーニング用ガス
のＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2の混合モル比（ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2）の値が、好ましくは０．１５≦ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2≦１．３、さらに好ましくは０．２５≦ＣＦ2
（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦１、特に好ましくは０．３≦ＣＦ
2（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦０．８５であることが望ましい。Ｃ
Ｆ2（ＣＯＦ）2の含有量、Ｏ2の含有量、その他のガス
の含有量およびＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との混合比が、
上記のような量および値であると、従来使用されていた
Ｃ2Ｆ6のクリーニング速度の約７０％の速度を得ること
が可能であり、チャンバーに付着した堆積物を迅速に除
去することができる。
【００３５】チャンバークリーニング後の排ガスの中に
は、前記クリーニングガスが分解して副生する化合物が
含まれる。例えば上記Ｃ2Ｆ6を用いた場合、排ガスに
は、大気寿命が５００００年と長く地球温暖化係数の大
きいＣＦ4が含まれるが、本発明に係るＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ
3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2とを含む第２
のチャンバークリーニング用ガスを用いた場合は、Ｃ2
Ｆ6を用いた場合の約７０％のクリーニング速度を維持
しつつ、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた
場合と比較し減少させることができる。
は、前記クリーニングガスが分解して副生する化合物が
含まれる。例えば上記Ｃ2Ｆ6を用いた場合、排ガスに
は、大気寿命が５００００年と長く地球温暖化係数の大
きいＣＦ4が含まれるが、本発明に係るＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ
3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2とを含む第２
のチャンバークリーニング用ガスを用いた場合は、Ｃ2
Ｆ6を用いた場合の約７０％のクリーニング速度を維持
しつつ、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた
場合と比較し減少させることができる。
【００３６】本発明で用いられるＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7
ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2は、水分と容易に反応
し、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに分解する。このため、ＣＦ3
ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2がチャン
バークリーニングで未分解のまま排ガスとして排気され
ても、従来からの排ガス処理設備である水スクラバー
で、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに容易に分解処理することが
可能であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を必
要とせず、設備コストを抑えることができる。
ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2は、水分と容易に反応
し、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに分解する。このため、ＣＦ3
ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2がチャン
バークリーニングで未分解のまま排ガスとして排気され
ても、従来からの排ガス処理設備である水スクラバー
で、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに容易に分解処理することが
可能であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を必
要とせず、設備コストを抑えることができる。
【００３７】また、もし、仮に大気に排出されたとして
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命が１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＦ4等
に比べ非常に小さく地球温暖化への寄与が小さいと考え
られる。さらに、ＣＦ3ＣＯＦの沸点は−５９℃であ
り、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの沸点は２〜５℃であり、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2の沸点は−８℃であり、いずれも沸点が低く、
半導体製造条件下では気体であることから、チャンバー
クリーニングにおける取扱いが容易である。
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命が１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＦ4等
に比べ非常に小さく地球温暖化への寄与が小さいと考え
られる。さらに、ＣＦ3ＣＯＦの沸点は−５９℃であ
り、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの沸点は２〜５℃であり、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2の沸点は−８℃であり、いずれも沸点が低く、
半導体製造条件下では気体であることから、チャンバー
クリーニングにおける取扱いが容易である。
【００３８】本発明で用いられるＣＦ3ＣＯＦの製造方
法については、特に限定はされないが、たとえば、トリ
フルオロエタノール（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）とフッ素ガスと
を反応させることにより製造することができる。本発明
で用いられるＣ3Ｆ7ＣＯＦの製造方法については、特に
限定はされず、公知の方法を用いることができ、たとえ
ば、Ｃ3Ｈ7ＣＯＦの電解フッ素化などの方法により製造
することができる。また、市販のＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる
こともできる。
法については、特に限定はされないが、たとえば、トリ
フルオロエタノール（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）とフッ素ガスと
を反応させることにより製造することができる。本発明
で用いられるＣ3Ｆ7ＣＯＦの製造方法については、特に
限定はされず、公知の方法を用いることができ、たとえ
ば、Ｃ3Ｈ7ＣＯＦの電解フッ素化などの方法により製造
することができる。また、市販のＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる
こともできる。
【００３９】本発明で用いられるＣＦ2（ＣＯＦ）2の製
造方法については、特に限定はされず、公知の方法を用
いることができ、たとえば、ＣＨ2（ＣＯＦ）2をＮａＦ
などとともに、フッ素ガスと反応させて得ることができ
る。 ＜その他の任意成分＞上記その他のガスには、さらに、
本発明の目的を害さない範囲で、上記不活性ガス以外の
ガスを含んでもよい。このような上記不活性ガス以外の
ガスとしては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、Ｆ2、ＣｌＦ3、Ｂ
ｒＦ3などが挙げられる。 ＜チャンバークリーニング＞本明細書においてチャンバ
ークリーニングとは、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置内
のチャンバー壁あるいは冶具、配管等に付着した付着物
の除去を意味している。
造方法については、特に限定はされず、公知の方法を用
いることができ、たとえば、ＣＨ2（ＣＯＦ）2をＮａＦ
などとともに、フッ素ガスと反応させて得ることができ
る。 ＜その他の任意成分＞上記その他のガスには、さらに、
本発明の目的を害さない範囲で、上記不活性ガス以外の
ガスを含んでもよい。このような上記不活性ガス以外の
ガスとしては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、Ｆ2、ＣｌＦ3、Ｂ
ｒＦ3などが挙げられる。 ＜チャンバークリーニング＞本明細書においてチャンバ
ークリーニングとは、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置内
のチャンバー壁あるいは冶具、配管等に付着した付着物
の除去を意味している。
【００４０】上述したフッ素含有カルボニル系化合物と
酸素等を含む混合ガスは、ＣＶＤ装置等のチャンバーク
リーニング用ガスとして用いることができる。このよう
なフッ素含有カルボニル系化合物によるチャンバークリ
ーニングの目的化合物としては、ＣＶＤ法等により、Ｃ
ＶＤチャンバー壁あるいはＣＶＤ装置の冶具等に付着し
た、前記ケイ素を含有する付着物（ケイ素含有付着物）
が挙げられる。このようなケイ素含有付着物としては、
たとえば、（１）ケイ素、（２）酸素、窒素、フッ素お
よび炭素のうちの少なくとも１種と、ケイ素とからなる
化合物、および（３）高融点金属シリサイドからなる化
合物などのうちの少なくとも１種が挙げられ、より具体
的には、たとえば、ＷＳｉ等の高融点金属シリサイド、
Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などが挙げられる。
酸素等を含む混合ガスは、ＣＶＤ装置等のチャンバーク
リーニング用ガスとして用いることができる。このよう
なフッ素含有カルボニル系化合物によるチャンバークリ
ーニングの目的化合物としては、ＣＶＤ法等により、Ｃ
ＶＤチャンバー壁あるいはＣＶＤ装置の冶具等に付着し
た、前記ケイ素を含有する付着物（ケイ素含有付着物）
が挙げられる。このようなケイ素含有付着物としては、
たとえば、（１）ケイ素、（２）酸素、窒素、フッ素お
よび炭素のうちの少なくとも１種と、ケイ素とからなる
化合物、および（３）高融点金属シリサイドからなる化
合物などのうちの少なくとも１種が挙げられ、より具体
的には、たとえば、ＷＳｉ等の高融点金属シリサイド、
Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などが挙げられる。
【００４１】本発明に係るチャンバークリーニング用ガ
スを用いるチャンバーの材料は特に限定されず、公知の
材料が挙げられる。このようなチャンバーの材料として
は、たとえば、ステンレス、アルミニウム、あるいはこ
れらの合金などが挙げられる。本発明に係るチャンバー
クリーニング用ガスは、このようなチャンバーに対して
は腐食等の作用を及ぼすことが少なく、チャンバーに付
着した前記付着物を選択的かつ迅速に除去することがで
きる。
スを用いるチャンバーの材料は特に限定されず、公知の
材料が挙げられる。このようなチャンバーの材料として
は、たとえば、ステンレス、アルミニウム、あるいはこ
れらの合金などが挙げられる。本発明に係るチャンバー
クリーニング用ガスは、このようなチャンバーに対して
は腐食等の作用を及ぼすことが少なく、チャンバーに付
着した前記付着物を選択的かつ迅速に除去することがで
きる。
【００４２】このような本発明に係るフッ素系化合物を
用いて、チャンバー内のケイ素含有付着物をクリーニン
グするには、公知の方法が採用でき、たとえば、プラズ
マクリーニング、リモートプラズマクリーニング、マイ
クロ波クリーニングなどの各種ドライクリーニング法が
適用できる。このような本発明に係るチャンバークリー
ニング用ガスによれば、ケイ素含有付着物を除去するこ
とが可能である。
用いて、チャンバー内のケイ素含有付着物をクリーニン
グするには、公知の方法が採用でき、たとえば、プラズ
マクリーニング、リモートプラズマクリーニング、マイ
クロ波クリーニングなどの各種ドライクリーニング法が
適用できる。このような本発明に係るチャンバークリー
ニング用ガスによれば、ケイ素含有付着物を除去するこ
とが可能である。
【００４３】［ケイ素含有膜用エッチングガス］本発明
に係る第１のケイ素含有膜用エッチングガスは、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群
から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むケイ素含有
膜用エッチングガスである。また、本発明に係る第２の
ケイ素含有膜用エッチングガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ
7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2を含むケイ素含有膜用
エッチングガスである。
に係る第１のケイ素含有膜用エッチングガスは、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群
から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むケイ素含有
膜用エッチングガスである。また、本発明に係る第２の
ケイ素含有膜用エッチングガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ
7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2を含むケイ素含有膜用
エッチングガスである。
【００４４】以下、これらについて順次説明する。 ＜ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むケ
イ素含有膜用エッチングガス＞本発明に係る第１のケイ
素含有膜用エッチングガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少な
くとも１種の化合物を含むケイ素含有膜用エッチングガ
スである。
らなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むケ
イ素含有膜用エッチングガス＞本発明に係る第１のケイ
素含有膜用エッチングガスは、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少な
くとも１種の化合物を含むケイ素含有膜用エッチングガ
スである。
【００４５】これらのうちでは、ＦＣＯＦを好ましく用
いることができる。ＦＯＣＦを用いる場合、ケイ素含有
膜用エッチングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１０
０モル％、好ましくは８０〜１００モル％であることが
望ましい。
いることができる。ＦＯＣＦを用いる場合、ケイ素含有
膜用エッチングガスは、ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１０
０モル％、好ましくは８０〜１００モル％であることが
望ましい。
【００４６】ＦＣＯＦとＯ2との混合モル比（ＦＣＯＦ/
Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９、好ましくは１．
５≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦６、さらに好ましくは２．３≦ＦＣ
ＯＦ/Ｏ2≦６であることが望ましい。前記ＦＣＯＦを含
むケイ素含有膜用エッチングガスにおいて、必要に応じ
て含むことができるその他のガスとしては、Ｎ2，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの不活性ガスが
挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独で用いてもよ
く、また、２種以上の混合ガスとして用いてもよい。
Ｏ2）の値は、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９、好ましくは１．
５≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦６、さらに好ましくは２．３≦ＦＣ
ＯＦ/Ｏ2≦６であることが望ましい。前記ＦＣＯＦを含
むケイ素含有膜用エッチングガスにおいて、必要に応じ
て含むことができるその他のガスとしては、Ｎ2，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの不活性ガスが
挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独で用いてもよ
く、また、２種以上の混合ガスとして用いてもよい。
【００４７】また、前記ＦＣＯＦを含むケイ素含有膜用
エッチングガスにおいては、その他のガスとして、ＣＦ
3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含ん
でいてもよい。このようなＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦは、製造方法、製造条件により、ＦＣＯ
Ｆとともに混合物として得られる場合がある化合物であ
る。混合物で得られる場合は、蒸留等公知の方法により
分離することができ、また、混合物をケイ素含有膜用エ
ッチングガスとして用いることもできる。
エッチングガスにおいては、その他のガスとして、ＣＦ
3ＯＣＯＦおよび／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含ん
でいてもよい。このようなＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦは、製造方法、製造条件により、ＦＣＯ
Ｆとともに混合物として得られる場合がある化合物であ
る。混合物で得られる場合は、蒸留等公知の方法により
分離することができ、また、混合物をケイ素含有膜用エ
ッチングガスとして用いることもできる。
【００４８】また、本発明のケイ素含有膜用エッチング
ガスとして、ＣＦ3ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＯＦと
Ｏ2と、必要に応じてその他のガスとを含むことができ
る。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2の混合モ
ル比（ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ましくは０．４
≦ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦９、さらに好ましくは０．５≦
ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦６、特に好ましくは０．６≦ＣＦ3
ＯＣＯＦ/Ｏ2≦４の範囲にあることが望ましい。
ガスとして、ＣＦ3ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＯＦと
Ｏ2と、必要に応じてその他のガスとを含むことができ
る。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2の混合モ
ル比（ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2）の値は、好ましくは０．４
≦ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦９、さらに好ましくは０．５≦
ＣＦ3ＯＣＯＦ/Ｏ2≦６、特に好ましくは０．６≦ＣＦ3
ＯＣＯＦ/Ｏ2≦４の範囲にあることが望ましい。
【００４９】さらに、本発明のケイ素含有膜用エッチン
グガスとして、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ
3ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＦ2Ｏ
ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含むこ
とができる。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＯＣＦ 2ＯＣＯＦ/Ｏ2）の
値は、好ましくは０．２５≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ/Ｏ2
≦９、さらに好ましくは０．３≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
/Ｏ2≦４、特に好ましくは０．４≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆ/Ｏ2≦２．５の範囲にあることが望ましい。
グガスとして、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦをＦＣＯＦ、ＣＦ
3ＯＣＯＦと併用せずに用いる場合は、ＣＦ3ＯＣＦ2Ｏ
ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含むこ
とができる。このような場合、前記ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＯＣＦ 2ＯＣＯＦ/Ｏ2）の
値は、好ましくは０．２５≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ/Ｏ2
≦９、さらに好ましくは０．３≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦ
/Ｏ2≦４、特に好ましくは０．４≦ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯ
Ｆ/Ｏ2≦２．５の範囲にあることが望ましい。
【００５０】本発明に係る第一のケイ素含有膜用エッチ
ングガスとして、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3
ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１
種の化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含
む場合、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯＦ
とＯ2との含有量の合計は、７０〜１００モル％、好ま
しくは８０〜１００モル％であることが望ましい。
ングガスとして、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3
ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１
種の化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガスとを含
む場合、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯＦ
とＯ2との含有量の合計は、７０〜１００モル％、好ま
しくは８０〜１００モル％であることが望ましい。
【００５１】本発明に係る第一のケイ素含有膜用エッチ
ングガスにおいて、前記ガスの含有量、前記混合モル比
が前記のような量および値であると、従来使用されてい
たＣ 2Ｆ6と同等のエッチング速度を得ることが可能であ
る。さらに、エッチング後の排ガスの中には、例えば上
記Ｃ2Ｆ6を用いてエッチングを行った場合、排ガス中に
は、副生物として、地球温暖化係数の大きいＣＦ4が含
まれるが、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化
合物とＯ2とを含む第１のケイ素含有膜用エッチングガ
スを用いた場合、Ｃ2Ｆ6の場合と同等のエッチング速度
を維持しながらも、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ
6を用いた場合と比較し顕著に減少させることができ
る。
ングガスにおいて、前記ガスの含有量、前記混合モル比
が前記のような量および値であると、従来使用されてい
たＣ 2Ｆ6と同等のエッチング速度を得ることが可能であ
る。さらに、エッチング後の排ガスの中には、例えば上
記Ｃ2Ｆ6を用いてエッチングを行った場合、排ガス中に
は、副生物として、地球温暖化係数の大きいＣＦ4が含
まれるが、ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ
2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種の化
合物とＯ2とを含む第１のケイ素含有膜用エッチングガ
スを用いた場合、Ｃ2Ｆ6の場合と同等のエッチング速度
を維持しながらも、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ
6を用いた場合と比較し顕著に減少させることができ
る。
【００５２】本発明で用いられるＦＣＯＦは、水分と容
易に反応し、ＨＦとＣＯ2に分解するため、分解処理が
容易であり、設備コストを抑えることができる。また、
もし、仮に大気に排出されたとしても、大気中の水分と
も容易に反応し分解するため、地球温暖化への寄与は小
さいと考えられる。前述の通り、ＦＣＯＦは、沸点（-8
3.1℃）が低く、半導体製造条件下では気体であること
から、エッチングにおいて、取扱いが容易である。ま
た、ＣＦ3ＯＣＯＦは、沸点が−３４℃、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦは、沸点が＋７℃であり、ＦＣＯＦと同様、半
導体製造条件下では気体であることから、ケイ素含有膜
のエッチングにおいて、取扱いが容易である。
易に反応し、ＨＦとＣＯ2に分解するため、分解処理が
容易であり、設備コストを抑えることができる。また、
もし、仮に大気に排出されたとしても、大気中の水分と
も容易に反応し分解するため、地球温暖化への寄与は小
さいと考えられる。前述の通り、ＦＣＯＦは、沸点（-8
3.1℃）が低く、半導体製造条件下では気体であること
から、エッチングにおいて、取扱いが容易である。ま
た、ＣＦ3ＯＣＯＦは、沸点が−３４℃、ＣＦ3ＯＣＦ2
ＯＣＯＦは、沸点が＋７℃であり、ＦＣＯＦと同様、半
導体製造条件下では気体であることから、ケイ素含有膜
のエッチングにおいて、取扱いが容易である。
【００５３】これらのＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよび
ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦの製造方法、入手方法は、前述の
方法と同じである。また、本発明に係る第１のエッチン
グガスは、被加工膜に対する選択性もよいため、Ｃ2Ｆ6
等の代替ガスとして十分実用可能である。 ＜ＣＦ3ＣＯＦを含むエッチングガス＞本発明に係る第
２のケイ素含有膜用エッチングガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、
Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ2とを含む
ことを特徴とし、さらに必要に応じてその他のガスを含
んでもよい。
ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦの製造方法、入手方法は、前述の
方法と同じである。また、本発明に係る第１のエッチン
グガスは、被加工膜に対する選択性もよいため、Ｃ2Ｆ6
等の代替ガスとして十分実用可能である。 ＜ＣＦ3ＣＯＦを含むエッチングガス＞本発明に係る第
２のケイ素含有膜用エッチングガスは、ＣＦ3ＣＯＦ、
Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ2とを含む
ことを特徴とし、さらに必要に応じてその他のガスを含
んでもよい。
【００５４】本発明で用いられるその他のガスとして
は、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの
不活性ガスが挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独
で用いてもよく、また、２種以上の混合ガスとして用い
てもよい。本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチン
グガスとしてＣＦ3ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を１
００モル％としたとき、ＣＦ3ＣＯＦと、Ｏ2とのモル濃
度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００
モル％であることが望ましい。また、さらに、本発明に
係る第２のケイ素含有膜用エッチングガスのＣＦ3ＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値が、０．
２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５、好ましくは０．４≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１、さらに好ましくは０．５≦ＣＦ3
ＣＯＦ/Ｏ2≦０．８であることが望ましい。ＣＦ3ＣＯ
Ｆの含有量、Ｏ 2の含有量、その他のガスの含有量およ
びＣＦ3ＣＯＦとＯ2との混合比が、上記のような量およ
び値であると、従来使用されていたＣ2Ｆ6のクリーニン
グ速度の約７０％の速度を得ることが可能である。
は、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの
不活性ガスが挙げられる。前記不活性ガスは、一種単独
で用いてもよく、また、２種以上の混合ガスとして用い
てもよい。本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチン
グガスとしてＣＦ3ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を１
００モル％としたとき、ＣＦ3ＣＯＦと、Ｏ2とのモル濃
度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００
モル％であることが望ましい。また、さらに、本発明に
係る第２のケイ素含有膜用エッチングガスのＣＦ3ＣＯ
ＦとＯ2の混合モル比（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値が、０．
２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１．５、好ましくは０．４≦
ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦１、さらに好ましくは０．５≦ＣＦ3
ＣＯＦ/Ｏ2≦０．８であることが望ましい。ＣＦ3ＣＯ
Ｆの含有量、Ｏ 2の含有量、その他のガスの含有量およ
びＣＦ3ＣＯＦとＯ2との混合比が、上記のような量およ
び値であると、従来使用されていたＣ2Ｆ6のクリーニン
グ速度の約７０％の速度を得ることが可能である。
【００５５】本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチ
ングガスとしてＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を
１００モル％としたとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦと、Ｏ2とのモ
ル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１
００モル％であることが望ましい。また、さらに、本発
明に係る第２のケイ素含有膜用エッチングガスのＣ3Ｆ7
ＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2）の値
は、好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．７、さ
らに好ましくは０．１５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．６、
特に好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．５であ
ることが望ましい。Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含有
量、その他のガスの含有量およびＣ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と
の混合比が、上記のような量および値であると、従来使
用されていたＣ2Ｆ6のエッチング速度の約７０％の速度
を得ることが可能であり、チャンバーに付着した堆積物
を迅速に除去することができる。
ングガスとしてＣ3Ｆ7ＣＯＦを用いる場合、全ガス量を
１００モル％としたとき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦと、Ｏ2とのモ
ル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは８０〜１
００モル％であることが望ましい。また、さらに、本発
明に係る第２のケイ素含有膜用エッチングガスのＣ3Ｆ7
ＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2）の値
は、好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．７、さ
らに好ましくは０．１５≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．６、
特に好ましくは０．１≦Ｃ3Ｆ7ＣＯＦ/Ｏ2≦０．５であ
ることが望ましい。Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの含有量、Ｏ2の含有
量、その他のガスの含有量およびＣ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と
の混合比が、上記のような量および値であると、従来使
用されていたＣ2Ｆ6のエッチング速度の約７０％の速度
を得ることが可能であり、チャンバーに付着した堆積物
を迅速に除去することができる。
【００５６】本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチ
ングガスとしてＣＦ2（ＣＯＦ）2を用いる場合、全ガス
量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ
2とのモル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは
８０〜１００モル％であることが望ましい。また、さら
に、本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチングガス
のＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2の混合モル比（ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2）の値が、好ましくは０．１５≦ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2≦１．３、さらに好ましくは０．２５≦ＣＦ2
（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦１、特に好ましくは０．３≦ＣＦ
2（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦０．８５であることが望ましい。Ｃ
Ｆ2（ＣＯＦ）2の含有量、Ｏ2の含有量、その他のガス
の含有量およびＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との混合比が、
上記のような量および値であると、従来使用されていた
Ｃ2Ｆ6のエッチング速度の約７０％の速度を得ることが
可能である。
ングガスとしてＣＦ2（ＣＯＦ）2を用いる場合、全ガス
量を１００モル％としたとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2と、Ｏ
2とのモル濃度合計が７０〜１００モル％、好ましくは
８０〜１００モル％であることが望ましい。また、さら
に、本発明に係る第２のケイ素含有膜用エッチングガス
のＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2の混合モル比（ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2）の値が、好ましくは０．１５≦ＣＦ2（ＣＯ
Ｆ）2/Ｏ2≦１．３、さらに好ましくは０．２５≦ＣＦ2
（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦１、特に好ましくは０．３≦ＣＦ
2（ＣＯＦ）2/Ｏ2≦０．８５であることが望ましい。Ｃ
Ｆ2（ＣＯＦ）2の含有量、Ｏ2の含有量、その他のガス
の含有量およびＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との混合比が、
上記のような量および値であると、従来使用されていた
Ｃ2Ｆ6のエッチング速度の約７０％の速度を得ることが
可能である。
【００５７】エッチング後の排ガスの中には、例えば上
記Ｃ2Ｆ6を用いた場合、排ガスには、大気寿命が５００
００年と長く地球温暖化係数の大きいＣＦ4が含まれる
が、本発明に係るＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣ
Ｆ2（ＣＯＦ）2とＯ2とを含む第２のケイ素含有膜用エ
ッチングガスを用いた場合は、Ｃ2Ｆ6を用いた場合のそ
れぞれ約７０％のエッチング速度を維持しつつ、排ガス
中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた場合と比較し減
少させることができる。
記Ｃ2Ｆ6を用いた場合、排ガスには、大気寿命が５００
００年と長く地球温暖化係数の大きいＣＦ4が含まれる
が、本発明に係るＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦまたはＣ
Ｆ2（ＣＯＦ）2とＯ2とを含む第２のケイ素含有膜用エ
ッチングガスを用いた場合は、Ｃ2Ｆ6を用いた場合のそ
れぞれ約７０％のエッチング速度を維持しつつ、排ガス
中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた場合と比較し減
少させることができる。
【００５８】前述の通り本発明で用いられるＣＦ3ＣＯ
Ｆ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2は、水分と容
易に反応し、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに分解する。このた
め、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）
2がエッチングで未分解のまま排ガスとして排気されて
も、従来からの排ガス処理設備である水スクラバーで、
ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに容易に分解処理することが可能
であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を必要と
せず、設備コストを抑えることができる。
Ｆ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）2は、水分と容
易に反応し、ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに分解する。このた
め、ＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよびＣＦ2（ＣＯＦ）
2がエッチングで未分解のまま排ガスとして排気されて
も、従来からの排ガス処理設備である水スクラバーで、
ＨＦとＣＦ3ＣＯＯＨに容易に分解処理することが可能
であり、後処理に新たな燃焼式等分解処理装置を必要と
せず、設備コストを抑えることができる。
【００５９】また、もし、仮に大気に排出されたとして
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命が１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＦ4等
に比べ非常に小さく地球温暖化への寄与が小さいと考え
られる。さらに、ＣＦ3ＣＯＦの沸点は−５９℃であ
り、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの沸点は２〜５℃であり、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2の沸点は−８℃であり、いずれも沸点が低く、
半導体製造条件下では気体であることから、エッチング
における取扱いが容易である。
も、大気中の水分とも容易に反応し分解するため、大気
寿命が１年以下と推定でき、地球温暖化係数もＣＦ4等
に比べ非常に小さく地球温暖化への寄与が小さいと考え
られる。さらに、ＣＦ3ＣＯＦの沸点は−５９℃であ
り、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦの沸点は２〜５℃であり、ＣＦ2（Ｃ
ＯＦ）2の沸点は−８℃であり、いずれも沸点が低く、
半導体製造条件下では気体であることから、エッチング
における取扱いが容易である。
【００６０】これらＣＦ3ＣＯＦ、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦおよび
ＣＦ2（ＣＯＦ）2の製造方法、入手方法は、前述の方法
と同じである。また、本発明に係る第２のエッチングガ
スは、被加工膜に対する選択性もよいため、Ｃ2Ｆ6等の
代替ガスとして十分実用可能である。 ＜その他の任意成分＞上記その他のガスには、本発明の
目的を害さない範囲で、上記不活性ガス以外のガスを含
んでもよい。このような上記不活性ガス以外のガスとし
ては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、Ｆ2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3な
どが挙げられる。 ＜エッチング＞エッチングの目的化合物としては、ケイ
素を含有する薄膜等（ケイ素含有膜）が挙げられる。こ
のようなケイ素含有膜としては、たとえば、（１）ケイ
素膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少
なくとも１種と、ケイ素とからなる膜、および（３）高
融点金属シリサイド膜などのうちの少なくとも１種が挙
げられる。
ＣＦ2（ＣＯＦ）2の製造方法、入手方法は、前述の方法
と同じである。また、本発明に係る第２のエッチングガ
スは、被加工膜に対する選択性もよいため、Ｃ2Ｆ6等の
代替ガスとして十分実用可能である。 ＜その他の任意成分＞上記その他のガスには、本発明の
目的を害さない範囲で、上記不活性ガス以外のガスを含
んでもよい。このような上記不活性ガス以外のガスとし
ては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、Ｆ2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3な
どが挙げられる。 ＜エッチング＞エッチングの目的化合物としては、ケイ
素を含有する薄膜等（ケイ素含有膜）が挙げられる。こ
のようなケイ素含有膜としては、たとえば、（１）ケイ
素膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少
なくとも１種と、ケイ素とからなる膜、および（３）高
融点金属シリサイド膜などのうちの少なくとも１種が挙
げられる。
【００６１】より具体的には、たとえば、Ｓｉ膜、Ｓｉ
Ｏ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、或いはＷＳｉ膜等の高融点金属シ
リサイド膜などが挙げられる。このようなケイ素含有膜
を、本発明に係るフッ素含有カルボニル系化合物により
エッチングする方法は、公知の方法が採用でき、たとえ
ば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、マ
イクロ波エッチングなどの各種ドライエッチング法が適
用できる。また、ケイ素含有膜のエッチング条件は、公
知のエッチング条件を採用できる。
Ｏ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、或いはＷＳｉ膜等の高融点金属シ
リサイド膜などが挙げられる。このようなケイ素含有膜
を、本発明に係るフッ素含有カルボニル系化合物により
エッチングする方法は、公知の方法が採用でき、たとえ
ば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、マ
イクロ波エッチングなどの各種ドライエッチング法が適
用できる。また、ケイ素含有膜のエッチング条件は、公
知のエッチング条件を採用できる。
【００６２】
【発明の効果】本発明に係るチャンバークリーニング用
ガスは、上記ガスを特定の割合で組み合わせることによ
り、従来用いられていたＣ2Ｆ6とほとんど変わらない優
れたクリーニング速度を維持しつつも、クリーニング後
においても、温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一
因とされる環境に有害な排ガスであるＣＦ4生成を顕著
に減少させることができる。しかも本発明に係るチャン
バークリーニングガスは、取り扱いが容易であり、ま
た、排ガス処理性にも優れているため、経済性および作
業性を向上させることができる。
ガスは、上記ガスを特定の割合で組み合わせることによ
り、従来用いられていたＣ2Ｆ6とほとんど変わらない優
れたクリーニング速度を維持しつつも、クリーニング後
においても、温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一
因とされる環境に有害な排ガスであるＣＦ4生成を顕著
に減少させることができる。しかも本発明に係るチャン
バークリーニングガスは、取り扱いが容易であり、ま
た、排ガス処理性にも優れているため、経済性および作
業性を向上させることができる。
【００６３】本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガ
スは、上記ガスを特定の割合で組み合わせることによ
り、従来用いられていたＣ2Ｆ6とほとんど変わらない優
れたエッチング速度を維持しつつも、エッチング後にお
いても、温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一因と
される環境に有害な排ガスであるＣＦ4の生成を顕著に
減少させることができる。しかも本発明に係るエッチン
グガスは、取り扱いが容易であり、また、排ガス処理性
にも優れているため、経済性および作業性を向上させる
ことができる。また、ケイ素含有膜の除去を効率的に、
しかも半導体パターンの寸法精度を高精度に保ちながら
エッチングが可能であり、優れたエッチング性能を有し
ている。
スは、上記ガスを特定の割合で組み合わせることによ
り、従来用いられていたＣ2Ｆ6とほとんど変わらない優
れたエッチング速度を維持しつつも、エッチング後にお
いても、温暖化係数が小さく、また地球温暖化の一因と
される環境に有害な排ガスであるＣＦ4の生成を顕著に
減少させることができる。しかも本発明に係るエッチン
グガスは、取り扱いが容易であり、また、排ガス処理性
にも優れているため、経済性および作業性を向上させる
ことができる。また、ケイ素含有膜の除去を効率的に、
しかも半導体パターンの寸法精度を高精度に保ちながら
エッチングが可能であり、優れたエッチング性能を有し
ている。
【００６４】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、これらの実施例により本発明は限定される
ものではない。
説明するが、これらの実施例により本発明は限定される
ものではない。
【００６５】
【調製例１】［ＦＣＯＦの合成］乾燥した１００ｍｌの
石英製の反応容器に一酸化炭素（CO）５.６ｇ（０.２mo
l）を装入し、これに窒素ガスで２０モル％に希釈した
フッ素ガス２.６リットル（Ｆ2の量が０.２３mol）を徐
々に添加して、０℃で１時間反応させた。反応生成物を
分離精製してＦＣＯＦを６.６ｇ（０.１mol）得た。得
られた化合物をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲ
で分析し、得られた化合物はＦＣＯＦであることを確認
した。収率は一酸化炭素を基準とした場合５０％であっ
た。
石英製の反応容器に一酸化炭素（CO）５.６ｇ（０.２mo
l）を装入し、これに窒素ガスで２０モル％に希釈した
フッ素ガス２.６リットル（Ｆ2の量が０.２３mol）を徐
々に添加して、０℃で１時間反応させた。反応生成物を
分離精製してＦＣＯＦを６.６ｇ（０.１mol）得た。得
られた化合物をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲ
で分析し、得られた化合物はＦＣＯＦであることを確認
した。収率は一酸化炭素を基準とした場合５０％であっ
た。
【００６６】
【調製例２】［ＣＦ3ＣＯＦの合成］乾燥した１００ｍ
ｌのＳＵＳ３１６製の反応容器にトリフルオロエタノー
ル（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）を２０ｇ（０.２mol）計りとり、
これに窒素ガスで２０モル％に希釈したフッ素ガス３.
０リットル（Ｆ2の量が０.２７mol）を添加して、０℃
で５時間反応させた。反応生成物を分離精製してＣＦ3
ＣＯＦを９.２ｇ（０.０８mol）得た。得られた化合物
をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲで分析し、得
られた化合物はＣＦ3ＣＯＦであることを確認した。収
率はトリフルオロエタノールを基準として４０％であっ
た。
ｌのＳＵＳ３１６製の反応容器にトリフルオロエタノー
ル（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）を２０ｇ（０.２mol）計りとり、
これに窒素ガスで２０モル％に希釈したフッ素ガス３.
０リットル（Ｆ2の量が０.２７mol）を添加して、０℃
で５時間反応させた。反応生成物を分離精製してＣＦ3
ＣＯＦを９.２ｇ（０.０８mol）得た。得られた化合物
をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲで分析し、得
られた化合物はＣＦ3ＣＯＦであることを確認した。収
率はトリフルオロエタノールを基準として４０％であっ
た。
【００６７】
【調製例３】［ＣＦ2（ＣＯＦ）2の合成］ＮａＦ18ｇ
（0.43mol）を仕込んだ1Lモネル製の反応器にＣＨ2(Ｃ
ＯＦ)2を12.1g（0.112mol）凝縮させ、0℃に保持して内
圧上昇を管理し、フッ素ガスを0.1g/hで徐々に吹き込み
反応させた。生成物による全圧が0.44気圧になったとこ
ろで、フッ素ガスの吹き込みを終了させた。反応生成物
を分離精製して、ＣＦ2(ＣＯＦ)2 1.7g（0.0118mol）を
得た。
（0.43mol）を仕込んだ1Lモネル製の反応器にＣＨ2(Ｃ
ＯＦ)2を12.1g（0.112mol）凝縮させ、0℃に保持して内
圧上昇を管理し、フッ素ガスを0.1g/hで徐々に吹き込み
反応させた。生成物による全圧が0.44気圧になったとこ
ろで、フッ素ガスの吹き込みを終了させた。反応生成物
を分離精製して、ＣＦ2(ＣＯＦ)2 1.7g（0.0118mol）を
得た。
【００６８】得られた化合物はＦＴ−ＩＲ及び19Ｆ-Ｎ
ＭＲでＣＦ2(ＣＯＦ)2であることを確認した。収率は10
％であった。
ＭＲでＣＦ2(ＣＯＦ)2であることを確認した。収率は10
％であった。
【００６９】
【実施例１〜５、比較例１】［チャンバークリーニン
グ］調製例１で合成したＦＣＯＦおよび酸素を表１に示
す割合で混合した混合ガスを用いて、圧力２５０Ｐａ、
入力Ｒｆ電力７５０Ｗ、トータルガス流量３００sccm、
電極温度３００℃、電極間距離５０mmの条件下で、Ｓｉ
Ｏ2膜を堆積したシリコンウェハーをＣＶＤチャンバー
内に置いてＳｉＯ2膜をクリーニングした。また、クリ
ーニング終了後に発生する排ガス中のＣＦ4について
は、排ガスを１５．５リットル／分の窒素で希釈し、FT
-IRにより測定した。
グ］調製例１で合成したＦＣＯＦおよび酸素を表１に示
す割合で混合した混合ガスを用いて、圧力２５０Ｐａ、
入力Ｒｆ電力７５０Ｗ、トータルガス流量３００sccm、
電極温度３００℃、電極間距離５０mmの条件下で、Ｓｉ
Ｏ2膜を堆積したシリコンウェハーをＣＶＤチャンバー
内に置いてＳｉＯ2膜をクリーニングした。また、クリ
ーニング終了後に発生する排ガス中のＣＦ4について
は、排ガスを１５．５リットル／分の窒素で希釈し、FT
-IRにより測定した。
【００７０】上記条件下で０．５分間クリーニングした
結果を表１に示す。また、クリーニング終了後に得られ
る排ガス中のＣＦ4含量を表１に示す。
結果を表１に示す。また、クリーニング終了後に得られ
る排ガス中のＣＦ4含量を表１に示す。
【００７１】
【表１】
【００７２】
【実施例６〜１０】［チャンバークリーニング］調製例
２で合成したＣＦ3ＣＯＦおよび酸素を、表２に示す割
合で混合した混合ガスを用いて、実施例１等と同様の条
件で、ＳｉＯ2膜のクリーニングをした。
２で合成したＣＦ3ＣＯＦおよび酸素を、表２に示す割
合で混合した混合ガスを用いて、実施例１等と同様の条
件で、ＳｉＯ2膜のクリーニングをした。
【００７３】結果を表２に示す。また、クリーニング終
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表２に示す。
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表２に示す。
【００７４】
【表２】
【００７５】
【比較例２〜８】［チャンバークリーニング］表３に示
す割合でＣ2Ｆ6と酸素とを混合した混合ガスを用いて、
実施例１等と同様の条件で、ＳｉＯ2膜のクリーニング
をした。結果を表３に示す。また、クリーニング終了後
に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表３に示す。
す割合でＣ2Ｆ6と酸素とを混合した混合ガスを用いて、
実施例１等と同様の条件で、ＳｉＯ2膜のクリーニング
をした。結果を表３に示す。また、クリーニング終了後
に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表３に示す。
【００７６】
【表３】
【００７７】
【実施例１１〜１５】［チャンバークリーニング］市販
のＣ3Ｆ7ＣＯＦ（シンクエスト社製、ヘプタフルオロブ
チリルフルオライド ９８％：カタログナンバー2116-2
-07）および酸素を、表４に示す割合で混合した混合ガ
スを用いて、実施例１と同様の条件で、ＳｉＯ2膜のク
リーニングをした。
のＣ3Ｆ7ＣＯＦ（シンクエスト社製、ヘプタフルオロブ
チリルフルオライド ９８％：カタログナンバー2116-2
-07）および酸素を、表４に示す割合で混合した混合ガ
スを用いて、実施例１と同様の条件で、ＳｉＯ2膜のク
リーニングをした。
【００７８】結果を表４に示す。また、クリーニング終
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表４に示す。
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表４に示す。
【００７９】
【表４】
【００８０】
【実施例１６〜１９】［チャンバークリーニング］調製
例３で合成したＣＦ2（ＣＯＦ）2および酸素を、表５に
示す割合で混合した混合ガスを用いて、実施例１と同様
の条件で、ＳｉＯ2膜のクリーニングをした。
例３で合成したＣＦ2（ＣＯＦ）2および酸素を、表５に
示す割合で混合した混合ガスを用いて、実施例１と同様
の条件で、ＳｉＯ2膜のクリーニングをした。
【００８１】結果を表５に示す。また、クリーニング終
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表５に示す。
了後に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表５に示す。
【００８２】
【表５】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月２６日（２００２．２．２
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６５】
【調製例１】［ＦＣＯＦの合成］乾燥した１００ｍｌの
石英製の反応容器に一酸化炭素（CO）５.６ｇ（０.２mo
l）を装入し、これに窒素ガスで２０モル％に希釈した
フッ素ガス２６リットル（Ｆ2の量が０.２３mol）を徐
々に添加して、０℃で１時間反応させた。反応生成物を
分離精製してＦＣＯＦを６.６ｇ（０.１mol）得た。得
られた化合物をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲ
で分析し、得られた化合物はＦＣＯＦであることを確認
した。収率は一酸化炭素を基準とした場合５０％であっ
た。
石英製の反応容器に一酸化炭素（CO）５.６ｇ（０.２mo
l）を装入し、これに窒素ガスで２０モル％に希釈した
フッ素ガス２６リットル（Ｆ2の量が０.２３mol）を徐
々に添加して、０℃で１時間反応させた。反応生成物を
分離精製してＦＣＯＦを６.６ｇ（０.１mol）得た。得
られた化合物をガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲ
で分析し、得られた化合物はＦＣＯＦであることを確認
した。収率は一酸化炭素を基準とした場合５０％であっ
た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６６】
【調製例２】［ＣＦ3ＣＯＦの合成］乾燥した１００ｍ
ｌのＳＵＳ３１６製の反応容器にトリフルオロエタノー
ル（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）を２０ｇ（０.２mol）計りとり、
これに窒素ガスで２０モル％に希釈したフッ素ガス３０
リットル（Ｆ2の量が０.２７mol）を添加して、０℃で
５時間反応させた。反応生成物を分離精製してＣＦ3Ｃ
ＯＦを９.２ｇ（０.０８mol）得た。得られた化合物を
ガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲで分析し、得ら
れた化合物はＣＦ3ＣＯＦであることを確認した。収率
はトリフルオロエタノールを基準として４０％であっ
た。
ｌのＳＵＳ３１６製の反応容器にトリフルオロエタノー
ル（ＣＦ3ＣＨ2ＯＨ）を２０ｇ（０.２mol）計りとり、
これに窒素ガスで２０モル％に希釈したフッ素ガス３０
リットル（Ｆ2の量が０.２７mol）を添加して、０℃で
５時間反応させた。反応生成物を分離精製してＣＦ3Ｃ
ＯＦを９.２ｇ（０.０８mol）得た。得られた化合物を
ガスクロマトグラフィー及びＦＴ−ＩＲで分析し、得ら
れた化合物はＣＦ3ＣＯＦであることを確認した。収率
はトリフルオロエタノールを基準として４０％であっ
た。
フロントページの続き (72)発明者 三 井 有 規 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 (72)発明者 冨 沢 銀次郎 茨城県つくば市御幸が丘３番地 ダイキン 工業株式会社内 (72)発明者 深 江 功 也 群馬県渋川市1497 関東電化工業株式会社 渋川研究所内 (72)発明者 大 平 豊 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 (72)発明者 米 村 泰 輔 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 BC03 BD04 CA02 DA00 DA22 DA23 DA25 DA26 DB01 DB03 DB07 DB15 DB17 5F045 AB02 AB30 AB32 AB33 AC02 AC11 AC15 AC16 AC17 BB14 EB06 EE12 EE13
Claims (26)
- 【請求項１】 ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその他
のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、
ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モル％
であることを特徴とするチャンバークリーニング用ガ
ス。 - 【請求項２】 前記ＦＣＯＦとＯ2の混合モル比（ＦＣ
ＯＦ/Ｏ2）の値が、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９であることを
特徴とする請求項１に記載のチャンバークリーニング用
ガス。 - 【請求項３】 ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じてそ
の他のガスとを含むことを特徴とするチャンバークリー
ニング用ガス。 - 【請求項４】 ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要に
応じてその他のガスとを含むことを特徴とするチャンバ
ークリーニング用ガス。 - 【請求項５】 ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3Ｏ
ＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１種
のフッ素化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガスと
を含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからな
る群から選ばれる少なくとも１種のフッ素化合物の合計
含有量とＯ2の含有量との合計が７０〜１００モル％で
あることを特徴とするチャンバークリーニング用ガス。 - 【請求項６】 ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたと
き、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００
モル％であることを特徴とするチャンバークリーニング
用ガス。 - 【請求項７】 前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｃ
Ｆ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値が、０．２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2≦
１．５であることを特徴とする請求項６に記載のチャン
バークリーニング用ガス。 - 【請求項８】 Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてそ
の他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたと
き、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１０
０モル％であることを特徴とするチャンバークリーニン
グ用ガス。 - 【請求項９】 ＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応じ
てその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とし
たとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が７
０〜１００モル％であることを特徴とするチャンバーク
リーニング用ガス。 - 【請求項１０】 前記その他のガスが、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくと
も１種の不活性ガスであることを特徴とする請求項１〜
９のいずれかに記載のチャンバークリーニング用ガス。 - 【請求項１１】 前記その他のガスが、ＣＦ3ＯＣＯＦ
および／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含むことを特徴
とする請求項１に記載のチャンバークリーニング用ガ
ス。 - 【請求項１２】 前記チャンバークリーニング用ガス
が、ＣＶＤ装置チャンバーのクリーニング用ガスである
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のチ
ャンバークリーニング用ガス。 - 【請求項１３】 前記チャンバークリーニング用ガス
が、ケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであること
を特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のチャン
バークリーニング用ガス。 - 【請求項１４】 前記ケイ素含有付着物が、（１）ケイ
素、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少な
くとも１種と、ケイ素とからなる化合物、および（３）
高融点金属シリサイドからなる化合物のうちの少なくと
も１種であることを特徴とする請求項１３に記載のチャ
ンバークリーニング用ガス。 - 【請求項１５】 ＦＣＯＦとＯ2と、必要に応じてその
他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたと
き、ＦＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００モ
ル％であることを特徴とするケイ素含有膜用エッチング
ガス。 - 【請求項１６】 前記ＦＣＯＦとＯ2の混合モル比（Ｆ
ＣＯＦ/Ｏ2）の値が、１≦ＦＣＯＦ/Ｏ2≦９であること
を特徴とする請求項１５に記載のケイ素含有膜用エッチ
ングガス。 - 【請求項１７】 ＣＦ3ＯＣＯＦとＯ2と、必要に応じて
その他のガスとを含むことを特徴とするケイ素含有膜用
エッチングガス。 - 【請求項１８】 ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦとＯ2と、必要
に応じてその他のガスとを含むことを特徴とするケイ素
含有膜用エッチングガス。 - 【請求項１９】 ＦＣＯＦ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3
ＯＣＦ2ＯＣＯＦからなる群から選ばれる少なくとも１
種のフッ素化合物とＯ2と、必要に応じてその他のガス
とを含み、全ガス量を１００モル％としたとき、ＦＣＯ
Ｆ、ＣＦ3ＯＣＯＦおよびＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦからな
る群から選ばれる少なくとも１種のフッ素化合物の合計
含有量とＯ2の含有量との合計が７０〜１００モル％で
あることを特徴とするケイ素含有膜用エッチングガス。 - 【請求項２０】 ＣＦ3ＣＯＦとＯ2と、必要に応じてそ
の他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％としたと
き、ＣＦ3ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１００
モル％であることを特徴とするケイ素含有膜用エッチン
グガス。 - 【請求項２１】 前記ＣＦ3ＣＯＦとＯ2の混合モル比
（ＣＦ3ＣＯＦ/Ｏ2）の値が、０．２５≦ＣＦ3ＣＯＦ/
Ｏ2≦１．５であることを特徴とする請求項１９に記載
のケイ素含有膜用エッチングガス。 - 【請求項２２】 Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2と、必要に応じて
その他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％とした
とき、Ｃ3Ｆ7ＣＯＦとＯ2との含有量の合計が７０〜１
００モル％であることを特徴とするケイ素含有膜用エッ
チングガス。 - 【請求項２３】 ＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2と、必要に応
じてその他のガスとを含み、全ガス量を１００モル％と
したとき、ＣＦ2（ＣＯＦ）2とＯ2との含有量の合計が
７０〜１００モル％であることを特徴とするケイ素含有
膜用エッチングガス。 - 【請求項２４】 前記その他のガスが、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｋｒ，ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくと
も１種の不活性ガスであることを特徴とする請求項１５
〜２３のいずれかに記載のケイ素含有膜用エッチングガ
ス。 - 【請求項２５】 前記その他のガスが、ＣＦ3ＯＣＯＦ
および／またはＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＯＦを含むことを特徴
とする請求項１５に記載のケイ素含有膜用エッチングガ
ス。 - 【請求項２６】 前記ケイ素含有膜が、（１）ケイ素
膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少な
くとも１種と、ケイ素とからなる膜、および（３）高融
点金属シリサイド膜のうちの少なくとも１種であること
を特徴とする請求項１５〜２５のいずれかに記載のケイ
素含有膜用エッチングガス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001261471A JP4112198B2 (ja) | 2000-09-11 | 2001-08-30 | クリーニングガス及びエッチングガス、並びにチャンバークリーニング方法及びエッチング方法 |
| PCT/JP2001/007782 WO2002023608A1 (en) | 2000-09-11 | 2001-09-07 | Cleaning gasses and etching gases |
| US10/129,115 US6787053B2 (en) | 2000-09-11 | 2001-09-07 | Cleaning gases and etching gases |
| EP01963514A EP1318542B1 (en) | 2000-09-11 | 2001-09-07 | Cleaning gasses and etching gases |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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