JP2013508990A - Tftマトリックスを製造するためのエッチングプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
・前記Siに、ガス混合物に接している場合に不活性化を提供する、アルゴンの存在下のフッ化カルボニルと随意のN2Oとを含む混合物、
・前記Siに、ガス混合物に接している場合に不活性化を提供する、フッ化カルボニルとN2Oとアルゴンとを含む混合物、
・前記Siに、ガス混合物に接している場合に不活性化を提供する、アルゴンの存在下のフッ化カルボニル、N2Oおよび随意の酸素を含む混合物
・前記Siに、ガス混合物に接している場合に不活性化を提供する、フッ化カルボニル、N2O、酸素およびアルゴンを含む混合物。
ガラス基板上に第1の導電層を設け、また、第1のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、第1の導電層にパターニングを施しエッチングを行い、TFTユニットの走査ラインおよびゲート電極からなる活性領域を形成するステップと、
絶縁被膜、アモルファスシリコン(a−Si)層、n+アモルファスシリコン層および結果として得られる構造上にフォトレジストを順次に形成し、さらに、基板の裏側から、結果として得られる構造に露光するステップであり、自己整合の効果を示すように、ある領域の上のフォトレジストの部分はその領域によって露光から遮蔽されるステップと、
露光されたフォトレジスト、その下の層の部分、および残りのフォトレジストをエッチング除去し、その結果、存続する層の各々が上記の領域と実質的に同一の形状を有し、さらに、第2のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、再び前記層にパターニングを施しエッチングを行いTFTユニットを分離するステップと、
第3のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、前記層にパターニングを施しエッチングを行いテ−プによる自動ボンディング(TAB)の電極窓または走査ラインを形成するステップと、
結果として得られる構造上に酸化インジウムスズ(ITO)層を設け、さらに、第4のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、ITO層にパターニングを施しエッチングを行い、TFTユニットの片側にピクセル電極を形成するステップと、
結果として得られる構造上に第2の導電層を設け、第5のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、第2の導電層にパターニングを施しエッチングを行ない、データ線、TFTユニットとデータ線の間の第1の接続ライン、およびTFTユニットとピクセル電極の間の第2の接続ラインを一体的に形成し、さらに、存続する第2の導電層を遮蔽として使用し、ドープしたa−Si層の、接続ライン間の部分をエッチング除去し、TFTユニットのソースとドレインの電極の分離をするステップと、および
結果として得られる構造上に不活性化層を設け、さらに、第6のフォトマスキングとリソグラフィの手順を実行し、不活性化層にパターニングを施しエッチングを行い、走査ライン用のTAB電極窓の露出させ、データ走査ライン用のTAB電極窓を作成し、また、ピクセル電極用の開口窓を作成するステップと、
を含み得る。このプロセスは、米国特許第6,406,928号明細書に記述および図示されており、その内容は参照により本明細書に組み込む。
フッ化カルボニル、酸素およびアルゴンを70、10および20の体積割合で、加圧下でボンベへ導入する。このガス混合物は、TFTマトリックス用エッチング組成物として適用することができる。
フッ化カルボニル、N2Oおよびアルゴンを70、20および10の体積割合で、加圧下でボンベへ導入する。このガス混合物は、TFTマトリックス用エッチング組成物として適用することができる。
ガラスプレート上に、PECVDプロセスによって、SiNxを堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きし、実施例2のガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiNxがエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiNxをPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きし、実施例1のガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiNxがエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiNxをPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きする。フッ化カルボニル、酸素および窒素を個別のボンベに貯蔵する。それらを70、10および20の体積割合で、プラズマツールに接続した共通ラインへ導入する。結果として得られるガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiNxがエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiNxをPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きする。フッ化カルボニル、N2Oおよび窒素を個別のボンベに貯蔵する。それらを70、20および10の体積割合で、プラズマツールに接続した共通ラインへ導入する。結果として得られるガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分の後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiNxがエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiO2をPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きし、実施例2のガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiO2がエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiO2をPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きする。フッ化カルボニル、酸素および窒素を個別のボンベに貯蔵する。それらを70、10および20の体積割合で、プラズマツールに接続した共通ラインへ導入する。結果として得られるガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiO2がエッチングされた。
ガラスプレート上に、SiO2をPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きする。フッ化カルボニル、N2Oおよび窒素を個別のボンベに貯蔵する。それらを70、20および10の体積割合で、プラズマツールに接続した共通ラインへ導入する。結果として得られるガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。SiO2がエッチングされた。
ガラスプレート上に、アモルファスシリコンをPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きし、実施例1のガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。シリコンがエッチングされた。
ガラスプレート上に、アモルファスシリコンをPECVDプロセスによって堆積する。次いで、プレートにフォトレジストでパターニングを施し、プラズマエッチツール内へ動かす。ツールを真空引きする。フッ化カルボニル、酸素および窒素を個別のボンベに貯蔵する。それらを70、10および20の体積割合で、プラズマツールに接続した共通ラインへ導入する。結果として得られるガス混合物をツールへ導入し、圧力を1mbarに調節し、プラズマのスイッチを入れる。1分後、窒素をツールへ導入し、エッチングされたサンプルをツールから取り出す。シリコンがエッチングされた。
アモルファスシリコン層上に、窒化ケイ素層をPECVDプロセスによって堆積する。
アモルファスシリコン層上に、窒化ケイ素層をPECVDプロセスによって堆積する。
アモルファスシリコン層上に、窒化ケイ素層をPECVDプロセスによって堆積する。
アモルファスシリコン層上に、窒化ケイ素層をPECVDプロセスによって堆積する。
Claims (23)
- 窒化ケイ素またはa−Siを含む層がガス体のエッチング剤によりエッチングされ、また前記エッチング剤がフッ化カルボニル(COF2)、F2またはそれらの混合物を含んでいる、少なくとも1ステップを含む、TFTマトリックスの製造のための方法。
- 前記エッチング剤がフッ化カルボニルを含むかそれからなる、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングステップがプラズマ支援される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記層が窒化ケイ素からなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- フッ化カルボニル、または、フッ化カルボニルと、窒素、アルゴン、N2Oおよび酸素からなる群から選択される少なくとも1つのガスとの混合物がエッチングガスとして使用される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- フッ化カルボニル、酸素およびアルゴンを含むかそれらからなる混合物が、エッチングガスとして適用される、請求項5に記載の方法。
- フッ化カルボニル、N2Oおよびアルゴンを含むかそれらからなる混合物が、エッチングガスとして適用される、請求項6に記載の方法。
- フッ化カルボニルの400sccmの流れ、窒素酸化物の50sccmの流れおよびアルゴンの流れを供給することにより得られた混合物を放出し、また好ましくは、フッ化カルボニルの400sccmの流れ、窒素酸化物の50sccmの流れおよびアルゴンの流れを供給することにより得られた、1mbarの圧力を有する混合物を放出する、請求項5〜7のいずれか一項に記載の方法。
- フッ素、または、フッ素と、窒素、アルゴン、酸素およびN2Oからなる群から選択される少なくとも1つのガスとの混合物がエッチングガスとして使用される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- フッ素と、窒素およびアルゴンからなる群から選択される少なくとも1つのガスとを含むかそれらからなる混合物が使用され、前記混合物におけるフッ素含有量が50から70体積%、好ましくは約60体積%である、請求項9に記載の方法。
- フッ素と、酸素およびN2Oからなる群から選択される少なくとも1つのガスとを共に含むかそれらからなる混合物が使用され、前記混合物におけるフッ素含有量が50から70体積%、好ましくは約60体積%である、請求項9に記載の方法。
- フッ化カルボニル(COF2)、F2またはそれらの混合物を含む前記エッチング剤が、SF6代替品またはNF3代替品として使用される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- COF2またはF2の含有量が、15体積%以上であり、50体積%未満であり、アモルファスシリコン上で覆われている窒化ケイ素が、選択的にエッチングされる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エッチングプロセスの初期段階におけるF2またはCOF2の濃度が、最終段階におけるよりも高い、請求項13に記載の方法。
- フッ化カルボニルもしくはフッ素、およびN2Oを含むかそれらからなり、フッ化カルボニルまたはフッ素の含有量が、好ましくは50体積%以上である、混合物。
- 不活性ガス、好ましくはアルゴンをさらに含み、不活性ガスの含有量が0から20体積%であり、N2Oが100体積%までの残りである、請求項15に記載の混合物。
- 酸素をさらに含み、酸素の含有量が0を超え、20体積%までであり、N2Oが100体積%までの残りである、請求項15または16に記載の混合物。
- フッ化カルボニルもしくはフッ素、およびN2Oを含むかそれらからなり、フッ化カルボニルまたはフッ素の含有量が、好ましくは15体積%以上かつ50体積%未満である、混合物。
- 不活性ガス、好ましくはアルゴンをさらに含み、不活性ガスの含有量が0から20体積%であり、N2Oが100体積%までの残りである、請求項18に記載の混合物。
- 酸素をさらに含み、酸素の含有量が0を超え、20体積%までであり、N2Oが100体積%までの残りである、請求項18または19に記載の混合物。
- 好ましくは、窒化ケイ素、酸化ケイ素もしくはオキシ窒化ケイ素、真性アモルファスシリコン、微晶質シリコンおよびポリシリコン、高度にドープしたアモルファスシリコン、高度にドープした微晶質シリコンならびに高度にドープしたポリシリコンからなる群から選択される材料をエッチングするために、エッチングガスまたはクリーニングガスとしての、請求項15〜17のいずれか一項に記載の混合物の使用。
- 好ましくは、窒化ケイ素、真性アモルファスシリコン上の被覆層としての酸化ケイ素もしくはオキシ窒化ケイ素、微晶質シリコンおよびポリシリコン、高度にドープしたアモルファスシリコン、高度にドープした微晶質シリコンならびに高度にドープしたポリシリコンからなる群から選択される材料を選択的にエッチングするために、エッチングガスまたはクリーニングガスとしての、請求項18〜20のいずれか一項に記載の混合物の使用。
- SF6代替品またはNF3代替品としての、請求項15〜20のいずれか一項に記載の混合物の使用。
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