JP2924425B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2924425B2 JP2924425B2 JP4060862A JP6086292A JP2924425B2 JP 2924425 B2 JP2924425 B2 JP 2924425B2 JP 4060862 A JP4060862 A JP 4060862A JP 6086292 A JP6086292 A JP 6086292A JP 2924425 B2 JP2924425 B2 JP 2924425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous silicon
- etching
- silicon film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に関するもので、特に窒化珪素膜上の非晶質シリコン
膜のドライエッチング方法に関するものである。
法に関するもので、特に窒化珪素膜上の非晶質シリコン
膜のドライエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は液晶表示装置等に用いる薄膜トラ
ンジスタアレイで、非晶質シリコン膜をドライエッチン
グする前を示す断面図である。図において１は基板、５
は基板１上に形成された画素電極、６は基板１上に形成
されたゲ−ト電極、７はゲ−ト電極６上に形成されたゲ
−ト絶縁膜、８はゲ−ト絶縁膜７上に形成されたノンド
−プのｉ型非晶質シリコン膜、９はノンド−プのｉ型非
晶質シリコン膜８上にパタ−ン形成されたチャネル保護
膜の窒化珪素膜、１０はチャネル保護膜の窒化珪素膜９
上に形成されたＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜、
１１はＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０上にパ
タ−ン形成されたソ−ス電極、１２はＰをド−プしたｎ
型非晶質シリコン膜１０上にパタ−ン形成されたドレイ
ン電極である。
ンジスタアレイで、非晶質シリコン膜をドライエッチン
グする前を示す断面図である。図において１は基板、５
は基板１上に形成された画素電極、６は基板１上に形成
されたゲ−ト電極、７はゲ−ト電極６上に形成されたゲ
−ト絶縁膜、８はゲ−ト絶縁膜７上に形成されたノンド
−プのｉ型非晶質シリコン膜、９はノンド−プのｉ型非
晶質シリコン膜８上にパタ−ン形成されたチャネル保護
膜の窒化珪素膜、１０はチャネル保護膜の窒化珪素膜９
上に形成されたＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜、
１１はＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０上にパ
タ−ン形成されたソ−ス電極、１２はＰをド−プしたｎ
型非晶質シリコン膜１０上にパタ−ン形成されたドレイ
ン電極である。
【０００３】次にドライエッチング方法について説明す
る。図１は非晶質シリコン膜をドライエッチングすると
きに用いる平行平板型のドライエッチング装置を示し、
１は被エッチング基板、２は上部電極、３は下部電極、
４は高周波発振器である。図２に示した薄膜トランジス
タアレイにおいてＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜
１０およびノンド−プのｉ型非晶質シリコン膜８のみを
図１に示す平行平板型のドライエッチング装置でエッチ
ングガスにＳＦ6 ガスを用いてドライエッチングし、図
３に示す薄膜トランジスタアレイを形成する。
る。図１は非晶質シリコン膜をドライエッチングすると
きに用いる平行平板型のドライエッチング装置を示し、
１は被エッチング基板、２は上部電極、３は下部電極、
４は高周波発振器である。図２に示した薄膜トランジス
タアレイにおいてＰをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜
１０およびノンド−プのｉ型非晶質シリコン膜８のみを
図１に示す平行平板型のドライエッチング装置でエッチ
ングガスにＳＦ6 ガスを用いてドライエッチングし、図
３に示す薄膜トランジスタアレイを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４および図５は非晶
質シリコン膜のドライエッチング特性を示す特性図であ
る。従来の非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
は、窒化珪素膜との選択性が充分でなく、均一性が悪い
ために、例えば薄膜トランジスタアレイにおいて下層膜
のチャネル保護膜の窒化珪素膜を多量にエッチングした
り、チャネル保護膜上に非晶質シリコン膜のエッチング
残りが生じる。チャネル保護膜の窒化珪素膜を多量にエ
ッチングすると、チャネルのノンド−プのｉ型非晶質シ
リコン膜をエッチングしてトランジスタ特性に不良が生
じる。また、チャネル保護膜の窒化珪素膜上に非晶質シ
リコン膜のエッチング残りがあると、ソ−ス・ドレイン
間にリ−クが生じる。この薄膜トランジスタアレイを例
えば液晶表示装置等に用いる場合には、一つの薄膜トラ
ンジスタアレイ内にある数１００万個程度のトランジス
タの特性が均一であり、また、ソ−ス電極とドレイン電
極間にリ−クがないことが必要である。液晶表示装置に
おいて、トランジスタ特性が均一でないと、表示上輝度
ムラが生じ、リ−クがあると点欠陥となり液晶表示装置
の画質が著しく悪くなるという問題があった。
質シリコン膜のドライエッチング特性を示す特性図であ
る。従来の非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
は、窒化珪素膜との選択性が充分でなく、均一性が悪い
ために、例えば薄膜トランジスタアレイにおいて下層膜
のチャネル保護膜の窒化珪素膜を多量にエッチングした
り、チャネル保護膜上に非晶質シリコン膜のエッチング
残りが生じる。チャネル保護膜の窒化珪素膜を多量にエ
ッチングすると、チャネルのノンド−プのｉ型非晶質シ
リコン膜をエッチングしてトランジスタ特性に不良が生
じる。また、チャネル保護膜の窒化珪素膜上に非晶質シ
リコン膜のエッチング残りがあると、ソ−ス・ドレイン
間にリ−クが生じる。この薄膜トランジスタアレイを例
えば液晶表示装置等に用いる場合には、一つの薄膜トラ
ンジスタアレイ内にある数１００万個程度のトランジス
タの特性が均一であり、また、ソ−ス電極とドレイン電
極間にリ−クがないことが必要である。液晶表示装置に
おいて、トランジスタ特性が均一でないと、表示上輝度
ムラが生じ、リ−クがあると点欠陥となり液晶表示装置
の画質が著しく悪くなるという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、窒化珪素膜との選択性が更に良
く、均一性の良いドライエッチング方法を得ることを目
的とする。
ためになされたもので、窒化珪素膜との選択性が更に良
く、均一性の良いドライエッチング方法を得ることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る液晶表示
装置の製造方法は、基板上に窒化珪素膜を形成する工程
と、上記窒化珪素膜上に非晶質シリコン膜を形成する工
程と、上記非晶質シリコン膜上にマスク材をパターン形
成する工程と、上記マスク材で覆われていない非晶質シ
リコン膜の領域をＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを
含む混合ガスであって、ガス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／
（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）が３０〜７０％である混合
ガス中でドライエッチングすることによって、上記窒化
珪素膜の表面を露出させて上記非晶質シリコン膜をパタ
ーン化する工程、とを備えたものである。
装置の製造方法は、基板上に窒化珪素膜を形成する工程
と、上記窒化珪素膜上に非晶質シリコン膜を形成する工
程と、上記非晶質シリコン膜上にマスク材をパターン形
成する工程と、上記マスク材で覆われていない非晶質シ
リコン膜の領域をＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを
含む混合ガスであって、ガス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／
（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）が３０〜７０％である混合
ガス中でドライエッチングすることによって、上記窒化
珪素膜の表面を露出させて上記非晶質シリコン膜をパタ
ーン化する工程、とを備えたものである。
【０００７】
【作用】この発明における液晶表示装置の製造方法は、
ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを含む混合ガスであ
って、ガス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋
ＳＦ 6 ）が３０〜７０％である混合ガス中でドライエッ
チングすることによって、窒化珪素膜のエッチングレー
ト低減させ、高選択比を有した状態で、均一性良く非晶
質シリコン膜をドライエッチング加工するものである。
ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを含む混合ガスであ
って、ガス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋
ＳＦ 6 ）が３０〜７０％である混合ガス中でドライエッ
チングすることによって、窒化珪素膜のエッチングレー
ト低減させ、高選択比を有した状態で、均一性良く非晶
質シリコン膜をドライエッチング加工するものである。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図２は液晶表示装置等に用いる薄膜トランジスタ
アレイを形成するにあたり、非晶質シリコン膜をドライ
エッチングする工程の前を示す断面図で、図３は非晶質
シリコン膜をドライエッチングする工程の後を示す断面
図である。
する。図２は液晶表示装置等に用いる薄膜トランジスタ
アレイを形成するにあたり、非晶質シリコン膜をドライ
エッチングする工程の前を示す断面図で、図３は非晶質
シリコン膜をドライエッチングする工程の後を示す断面
図である。
【０００９】次にドライエッチング方法について説明す
る。この薄膜トランジスタアレイの製造方法は、非晶質
シリコン膜のドライエッチングを除いて従来法と同じで
ガラス等の基板１上に画素電極２を所望のパタ−ンに形
成したのちゲ−ト電極６を所望のパタ−ンに形成する。
次いでゲ−ト絶縁膜７、ノンド−プのｉ型非晶質シリコ
ン膜８、チャネル保護膜の窒化珪素膜９を連続的に形成
し、所望のレジストパタ−ンを形成した後、チャネル保
護膜の窒化珪素膜９をパタ−ン形成する。次にこの上に
Ｐをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０を形成し、所
望のパタ−ンにパタ−ニングする。その上に、ソ−ス電
極１１およびドレイン電極１２をパタ−ン形成する。こ
の後、Ｐをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０および
ノンド−プのｉ型非晶質シリコン膜８のみを図１に示す
平行平板型のドライエッチング装置を用いてエッチング
ガスとして一部水素を塩素あるいは弗素で置換した炭化
水素で例えばＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含むガスを主
成分とする混合ガスを使用してドライエッチングする。
る。この薄膜トランジスタアレイの製造方法は、非晶質
シリコン膜のドライエッチングを除いて従来法と同じで
ガラス等の基板１上に画素電極２を所望のパタ−ンに形
成したのちゲ−ト電極６を所望のパタ−ンに形成する。
次いでゲ−ト絶縁膜７、ノンド−プのｉ型非晶質シリコ
ン膜８、チャネル保護膜の窒化珪素膜９を連続的に形成
し、所望のレジストパタ−ンを形成した後、チャネル保
護膜の窒化珪素膜９をパタ−ン形成する。次にこの上に
Ｐをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０を形成し、所
望のパタ−ンにパタ−ニングする。その上に、ソ−ス電
極１１およびドレイン電極１２をパタ−ン形成する。こ
の後、Ｐをド−プしたｎ型非晶質シリコン膜１０および
ノンド−プのｉ型非晶質シリコン膜８のみを図１に示す
平行平板型のドライエッチング装置を用いてエッチング
ガスとして一部水素を塩素あるいは弗素で置換した炭化
水素で例えばＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含むガスを主
成分とする混合ガスを使用してドライエッチングする。
【００１０】図４はＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 のガス組
成比と非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチング
レ−トの関係を示す図である。本発明の方法においては
ガス組成比ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ／（ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ＋Ｓ
Ｆ6 ）が大きくなるほど非晶質シリコン膜および窒化珪
素膜のエッチングレ−トはともに小さくなるが上記従来
法に比べてＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含む混合ガスで
エッチングしたときは窒化珪素膜に対する非晶質シリコ
ン膜のエッチング選択比が大きくなり、エッチング選択
比にガス組成比依存性があることよりエッチング選択比
をガス組成比により最適化できる。
成比と非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチング
レ−トの関係を示す図である。本発明の方法においては
ガス組成比ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ／（ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ＋Ｓ
Ｆ6 ）が大きくなるほど非晶質シリコン膜および窒化珪
素膜のエッチングレ−トはともに小さくなるが上記従来
法に比べてＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含む混合ガスで
エッチングしたときは窒化珪素膜に対する非晶質シリコ
ン膜のエッチング選択比が大きくなり、エッチング選択
比にガス組成比依存性があることよりエッチング選択比
をガス組成比により最適化できる。
【００１１】図５はＣＨＣｌ2ＣＦ3とＳＦ6のガス組成
と非晶質シリコン膜のエッチング均一性の関係を示す図
である。本発明の方法においては上記従来法に比べ非晶
質シリコン膜のエッチング均一性が、ガス組成比ＣＨＣ
ｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）で７０％まで良
くなることが確認された。
と非晶質シリコン膜のエッチング均一性の関係を示す図
である。本発明の方法においては上記従来法に比べ非晶
質シリコン膜のエッチング均一性が、ガス組成比ＣＨＣ
ｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）で７０％まで良
くなることが確認された。
【００１２】図６はガス組成比がＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ／
（ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ＋ＳＦ6 ）が４０％におけるガス圧
力と非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチングレ
−トの関係を示す図である。本発明の方法においてはガ
ス圧力が大きくなるにつれて非晶質シリコン膜のエッチ
ングレ−トは増加するが窒化珪素膜のエッチングレ−ト
はガス圧力が１００ｍＴｏｒｒ以下の範囲においてはガ
ス圧力が大きくなるにつれてエッチングレ−トは増加す
るがガス圧力が１００ｍＴｏｒｒ以上ではエッチングレ
−トが余り変化しない。従って、窒化珪素膜に対する非
晶質シリコン膜のエッチング選択比にガス圧力依存性が
あることを示し、ガス圧力は１００〜３００ｍＴｏｒｒ
の範囲でエッチングすることによりエッチング選択比を
最大にできる。
（ＣＨＣｌ2 ＣＦ3 ＋ＳＦ6 ）が４０％におけるガス圧
力と非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチングレ
−トの関係を示す図である。本発明の方法においてはガ
ス圧力が大きくなるにつれて非晶質シリコン膜のエッチ
ングレ−トは増加するが窒化珪素膜のエッチングレ−ト
はガス圧力が１００ｍＴｏｒｒ以下の範囲においてはガ
ス圧力が大きくなるにつれてエッチングレ−トは増加す
るがガス圧力が１００ｍＴｏｒｒ以上ではエッチングレ
−トが余り変化しない。従って、窒化珪素膜に対する非
晶質シリコン膜のエッチング選択比にガス圧力依存性が
あることを示し、ガス圧力は１００〜３００ｍＴｏｒｒ
の範囲でエッチングすることによりエッチング選択比を
最大にできる。
【００１３】以上より、 ＣＨＣｌ2ＣＦ3とＳＦ6を含む
混合ガスとして非晶質シリコン膜をエッチングする方法
において、ガス圧力は１００〜３００ｍＴｏｏｒの範囲
で、混合ガスの組成比は、ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）で３０〜７０％の範囲であれば従来よ
りも非晶質シリコン膜のみを選択的に均一性良くエッチ
ングを行うことができる。
混合ガスとして非晶質シリコン膜をエッチングする方法
において、ガス圧力は１００〜３００ｍＴｏｏｒの範囲
で、混合ガスの組成比は、ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）で３０〜７０％の範囲であれば従来よ
りも非晶質シリコン膜のみを選択的に均一性良くエッチ
ングを行うことができる。
【００１４】なお上記実施例では、基板１としてガラス
基板を用いた場合について説明したが、これに限るもの
ではなく、例えばシリコン等他のものであっても良い。
基板を用いた場合について説明したが、これに限るもの
ではなく、例えばシリコン等他のものであっても良い。
【００１５】
【００１６】また、上記実施例では、エッチングガスと
してＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含む混合ガスを用いて
エッチングを行ったが、エッチングガスに酸素あるいは
ヘリウム等の希ガスを添加してエッチングを行っても良
い。
してＣＨＣｌ2 ＣＦ3 とＳＦ6 を含む混合ガスを用いて
エッチングを行ったが、エッチングガスに酸素あるいは
ヘリウム等の希ガスを添加してエッチングを行っても良
い。
【００１７】
【００１８】また、上記実施例では、ソ−ス電極および
ドレイン電極のようなパタ−ン形成された金属性導電膜
をマスクにしてドライエッチングする場合について説明
したが、これに限るものではなく、パタ−ン形成された
フォトレジストであっても良い。
ドレイン電極のようなパタ−ン形成された金属性導電膜
をマスクにしてドライエッチングする場合について説明
したが、これに限るものではなく、パタ−ン形成された
フォトレジストであっても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板上
に窒化珪素膜を形成する工程と、上記窒化珪素膜上に非
晶質シリコン膜を形成する工程と、上記非晶質シリコン
膜上にマスク材をパターン形成する工程と、上記マスク
材で覆われていない非晶質シリコン膜の領域をＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを含む混合ガスであって、ガ
ス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）
が３０〜７０％である混合ガス中でドライエッチングす
ることによって、上記窒化珪素膜の表面を露出させて上
記非晶質シリコン膜をパターン化する工程、とを備えて
液晶表示装置を製造するので、特にガス組成比ＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）が３０〜７０％で
ある混合ガス中でドライエッチングすることにより、窒
化珪素膜との選択性が良く、または均一性の良いドライ
エッチングが可能となり、薄膜トランジスタを用いた液
晶表示装置等の製造においてトランジスタ特性が均一
で、欠陥が少ない薄膜トランジスタアレイを高歩留まり
で得ることができる効果がある。
に窒化珪素膜を形成する工程と、上記窒化珪素膜上に非
晶質シリコン膜を形成する工程と、上記非晶質シリコン
膜上にマスク材をパターン形成する工程と、上記マスク
材で覆われていない非晶質シリコン膜の領域をＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを含む混合ガスであって、ガ
ス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）
が３０〜７０％である混合ガス中でドライエッチングす
ることによって、上記窒化珪素膜の表面を露出させて上
記非晶質シリコン膜をパターン化する工程、とを備えて
液晶表示装置を製造するので、特にガス組成比ＣＨＣｌ
2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ＋ＳＦ 6 ）が３０〜７０％で
ある混合ガス中でドライエッチングすることにより、窒
化珪素膜との選択性が良く、または均一性の良いドライ
エッチングが可能となり、薄膜トランジスタを用いた液
晶表示装置等の製造においてトランジスタ特性が均一
で、欠陥が少ない薄膜トランジスタアレイを高歩留まり
で得ることができる効果がある。
【図１】この発明の実施例に使用する装置の一例である
平行平板型ドライエッチング装置の概略構成図である。
平行平板型ドライエッチング装置の概略構成図である。
【図２】この発明の一実施例による薄膜トランジスタア
レイにおける非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
を説明する断面図である。
レイにおける非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
を説明する断面図である。
【図３】この発明の一実施例による薄膜トランジスタア
レイにおける非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
を説明する断面図である。
レイにおける非晶質シリコン膜のドライエッチング方法
を説明する断面図である。
【図４】この発明の一実施例による非晶質シリコン膜の
ドライエッチング特性を示す特性図である（ＣＨＣｌ2
ＣＦ3 とＳＦ6 のガス組成比と非晶質シリコン膜および
窒化珪素膜のエッチングレ−トおよび窒化珪素膜に対す
る非晶質シリコン膜のエッチング選択比の関係）。
ドライエッチング特性を示す特性図である（ＣＨＣｌ2
ＣＦ3 とＳＦ6 のガス組成比と非晶質シリコン膜および
窒化珪素膜のエッチングレ−トおよび窒化珪素膜に対す
る非晶質シリコン膜のエッチング選択比の関係）。
【図５】この発明の一実施例による非晶質シリコン膜の
ドライエッチング特性を示す特性図である（ＣＨＣｌ2
ＣＦ3 とＳＦ6 のガス組成比と非晶質シリコン膜のエッ
チング均一性の関係）。
ドライエッチング特性を示す特性図である（ＣＨＣｌ2
ＣＦ3 とＳＦ6 のガス組成比と非晶質シリコン膜のエッ
チング均一性の関係）。
【図６】この発明の一実施例による非晶質シリコン膜の
ドライエッチング特性を示す特性図である（ガス圧力と
非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチングレ−ト
および窒化珪素膜に対する非晶質シリコン膜のエッチン
グ選択比の関係）。
ドライエッチング特性を示す特性図である（ガス圧力と
非晶質シリコン膜および窒化珪素膜のエッチングレ−ト
および窒化珪素膜に対する非晶質シリコン膜のエッチン
グ選択比の関係）。
１ 基板 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 高周波発振器 ５ 画素電極 ６ ゲート電極 ７ ゲート絶縁膜 ８ ｉ−ａ−Ｓｉ ９ チャンネル保護膜 １０ ｎ−ａ−Ｓｉ １１ ソース電極 １２ ドレイン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽山 昌宏 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−131456（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−42824（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−160079（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226654（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−271120（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/336 H01L 29/786
Claims (1)
- 【請求項１】 窒化珪素膜上に形成された非晶質シリコ
ン膜をドライエッチングする液晶表示装置の製造方法で
あって、 基板上に窒化珪素膜を形成する工程と、 上記窒化珪素膜上に非晶質シリコン膜を形成する工程
と、 上記非晶質シリコン膜上にマスク材をパターン形成する
工程と、 上記マスク材で覆われていない非晶質シリコン膜の領域
をＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ガスとＳＦ 6 ガスとを含む混合ガスで
あって、ガス組成比ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3 ／（ＣＨＣｌ 2 ＣＦ 3
＋ＳＦ 6 ）が３０〜７０％である混合ガス中でドライエ
ッチングすることによって、上記窒化珪素膜の表面を露
出させて上記非晶質シリコン膜をパターン化する工程、 とを備えた液晶表示装置の製造 方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060862A JP2924425B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060862A JP2924425B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5520099A Division JPH11345804A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 薄膜トランジスタアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267239A JPH05267239A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2924425B2 true JP2924425B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13154624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060862A Expired - Lifetime JP2924425B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924425B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277024B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2001-01-15 | 구본준 | 선택적 식각기술을 이용한 액정표시장치 제조방법 |
| US6335781B2 (en) | 1998-12-17 | 2002-01-01 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing an LCD in which a photoresist layer is at least 1.2 times thicker than the passivation layer |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4060862A patent/JP2924425B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267239A (ja) | 1993-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5326712A (en) | Method for manufacturing a thin film transistor | |
| US6623653B2 (en) | System and method for etching adjoining layers of silicon and indium tin oxide | |
| US20050040403A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| US5114869A (en) | Method for producing reverse staggered type silicon thin film transistor | |
| US11961852B2 (en) | Manufacture method of array substrate, array substrate, and display panel | |
| CN109786335B (zh) | 阵列基板结构的制备方法、阵列基板及显示面板 | |
| JP2001274404A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2008042218A (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| JP2924425B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3003998B2 (ja) | ドライエッチング方法およびその方法を用いたｔｆｔの製造方法 | |
| JP2939783B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2692914B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3216173B2 (ja) | 薄膜トランジスタ回路の製造方法 | |
| WO2019062260A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板与显示装置 | |
| JPH05206166A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP3388076B2 (ja) | スタガ型薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100275957B1 (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| JPH10177968A (ja) | 薄膜素子、薄膜素子の形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH11345804A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
| KR100929428B1 (ko) | 액정 디스플레이 제조 방법 | |
| JPH09129590A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH06132533A (ja) | Ｔｆｔアレイ基板の製造方法 | |
| KR100852831B1 (ko) | 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 | |
| JPH05243272A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100707010B1 (ko) | 박막 트랜지스터-액정표시소자의 제조방법 |