JP3225624B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）の製造方法に関し、特にチャネル領域を構成する
シリコン系薄膜を下地の窒素を含有する層間絶縁膜に対
して高選択性、低汚染性を維持しながら再現性良く異方
性エッチングする方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示装置の分野では、ＬＣＤ（液晶表示
装置）のカラー化、大画面化、高密度化が図られてい
る。この種のＬＣＤの駆動方式として、各画素に対応し
てアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコ
ン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を設けたアクティブ・マトリクス方式が提案されて
いる。

【０００３】ＴＦＴの製造プロセスにおいては、大画面
化、高密度化、低コスト化を同時に達成するために、数
百ｍｍ角にも達する大型のガラス基板から１０^５〜１０
^６個のオーダーに及ぶ多数のＴＦＴからなるＴＦＴアレ
イを高い歩留りで生産することが必要である。この基板
面積は、ＬＳＩ製造プロセスにおいて広く用いられてい
る直径を６インチ（約１５０ｍｍ）となすシリコン・ウ
ェハよりもかなり大きく、しかもその上に形成されるＴ
ＦＴのデザイン・ルールはＬＳＩと同様に微細化されて
いる。したがって、ＴＦＴ製造プロセスには、ＬＳＩ製
造プロセスにも増して、一層の安定性、均一性、高度な
ダスト管理等が要求されている。

【０００４】従来のＴＦＴのエッチング方法としては、
プロセスや装置が簡単でしかも大量処理が可能なウェッ
トエッチングが量産現場において主流をなしていた。し
かし、基板サイズの増大に伴ってエッチングの均一性を
確保することが困難となってきたこと、多層薄膜の一括
エッチングが不可能であること、線幅を２〜３μｍより
も微細化することが困難であること等の理由により、ド
ライエッチングの採用が提案されている。

【０００５】例えば、第３９回応用物理学関係連合講演
会（１９９２年春季年会）講演予稿集ｐ５０１，講演番
号２８ａ─ＮＣ−５には、ＳＦ_６／ＣＨＣｌ_２ＣＦ_３／
Ｏ_２混合ガスを用いてＳｉＮ膜上でａ−Ｓｉ膜の選択エ
ッチングを行う技術が示されている。この選択エッチン
グは、ゲート電極がチャネル層の下層側に設けられるい
わゆる逆スタガ構造（ボトムゲート構造）のＴＦＴにお
いて、ゲート電極を被覆するＳｉＮ層間絶縁膜の上でａ
−Ｓｉ膜をパターニングしてチャネル層を形成するため
に行われるプロセスである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＣＨ
Ｃｌ_２ＣＦ_３（ＨＣＦＣ−１２３）はハイドロクロロフ
ルオロカーボン（ＨＣＦＣ）化合物の１種であり、いわ
ゆる特定フロン（ＣＦＣ：クロロフルオロカーボン）の
代替物質である。このＨＣＦＣ−１２３は、ＣＦＣに比
べて環境破壊の危険性は低いとされているが、かかるカ
ーボン系化合物とは全く異なる系統の化合物によるドラ
イエッチング方法を確立することがなお一層好ましい。
それは、カーボン系化合物から脱却することにより、プ
ラズマ中からのカーボン系ポリマーの堆積を防止し、大
面積を有するＴＦＴ用のガラス基板上でより高度なダス
ト管理を行い、再現性を高めることが可能となるからで
ある。

【０００７】そこで、本発明は、ダスト発生を徹底的に
抑制しながら、窒素原子を含有する層間絶縁膜上でシリ
コン系薄膜を高い選択性をもってドライエッチングする
ことが可能なＴＦＴの製造方法を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されるものであり、窒素原子を有す
る層間絶縁膜上でシリコン系薄膜を選択的にエッチング
する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法であっ
て、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウとハロ
ゲン系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、
窒素原子を含有する層間絶縁膜の露出表面に、窒素原子
を有する層間絶縁膜から供給される窒素原子と、遊離の
イオウとの反応生成物として窒化イオウ系化合物を生成
させ、窒化イオウ系化合物をエッチング保護膜としてシ
リコン系薄膜を高選択比エッチングするようにしたもの
である。

【０００９】本発明においては、高選択比エッチングの
工程ではシリコン系薄膜を保持する基体の温度を室温以
下に制御することが望ましい。

【００１０】さらに、エッチング・ガスに、Ｈ_２又はは
Ｈ_２Ｓの少なくとも一方を含む用にすることが望まし
い。

【００１１】

【作用】本発明は、エッチング・ガスとして放電解離条
件下でプラズマ中に遊離のイオウとハロゲン系化学種と
を生成し得る組成のガスを用い、窒素原子を含有する層
間絶縁膜の露出表面に、窒素原子を有する層間絶縁膜か
ら供給される窒素原子と、遊離のイオウとの反応生成物
として窒化イオウ系化合物を生成させ、窒化イオウ系化
合物をエッチング保護膜としてシリコン系薄膜を高選択
比エッチングすることにより、エッチング速度が低下さ
れる。

【００１２】ここで、ハロゲン系化学種は、シリコン系
材料層のエッチャントとして必要である。

【００１３】一方、遊離のイオウ（Ｓ）は昇華性物質で
あり、通常のエッチングが行われるような高真空下では
ウェハの温度がおよそ９０℃よりも低温域に維持されて
いれば、イオンの垂直入射が原理的に生じてないパター
ン側壁面上に堆積し、側壁保護効果を発揮する。このよ
うに気相中の堆積性物質を側壁保護に利用できるプロセ
スには、異方性加工に必要なイオン入射エネルギーが低
減でき、下地選択性やマスク選択性が向上される。

【００１４】さらに、遊離のイオウ（Ｓ）は、下地の層
間絶縁膜が露出した時点でこの露出面から供給されるＮ
原子と結合することにより窒化イオウ系化合物からなる
被膜を形成し、下地選択性の向上に寄与する。

【００１５】ここで、窒素原子を含む無機材料層からＮ
原子が供給される機構に関しては、例えば菅野卓夫著
「半導体プラズマプロセス技術」（産業図書株式会社
刊）Ｐ１３３〜１３４、及び昭和５５年（１９８０年）
電気学会論文集第５分冊、Ｓ６−２に窒化シリコン（Ｓ
ｉ_ｘＮ_ｙ）層を例として説明されている。すなわち、プ
ラズマ中のＦ^＊等のハロゲン・ラジカルがＳｉ_ｘＮ_ｙ層
の表面からＳｉ原子を引き抜くと、Ｎ原子のダングリン
グ・ボンドが生成する。

【００１６】本発明では、このダングリング・ボンドに
プラズマ中に生成したＳが結合し、種々の窒化イオウ系
化合物が生成する。

【００１７】かかる窒化イオウ系化合物の被膜形成によ
る選択性向上の考え方は、本願出願人が先に特願平４−
４３７８３号明細書において提案している。

【００１８】上記窒化イオウ系化合物としては、後述す
るごとく種々の化合物が知られているが、本発明におい
て特に寄与が大きい化合物はポリチアジル（ＳＮ）_ｘで
ある。（ＳＮ）_ｘの性質、構造等については、Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．２９，ｐ．６３５８
〜６３６３（１９７５）に詳述されている。常圧下では
２０８℃、減圧下では１４０〜１５０℃付近まで安定に
存在するポリマー状物質であり、結晶状態ではＳ−Ｎ−
Ｓ−Ｎ−…の繰り返し共有結合からなる主鎖が平行に配
向している。かかる構造に起因して、（ＳＮ）_ｘはイオ
ン衝撃やラジカルの攻撃に対して高い耐性を示す。

【００１９】本発明では、最も単純に考えれば反射防止
膜の表面でまずチアジル（Ｎ≡Ｓ）が形成される。この
チアジルは、酸素類似体である一酸化窒素（ＮＯ）の構
造から類推されるごとく不対電子を持っており、容易に
重合して（ＳＮ）_２、（ＳＮ）_４、さらには（ＳＮ）_ｘ
を生成する。（ＳＮ）_２は２０℃付近で容易に重合して
（ＳＮ）_４及び（ＳＮ）_ｘを生成し、自身は３０℃付近
で分解する。（ＳＮ）_４は融点１７８℃、分解温度２０
６℃の環状物質である。

【００２０】この他、本発明の場合、プラズマ中にハロ
ゲン・ラジカルが存在するので、上記（ＳＮ）_ｘのＳ原
子上にハロゲン原子が結合したハロゲン化チアジルも生
成し得る。また、ハロゲン・ラジカルの生成量を制御す
るために水素系ガスが添加される場合には、チアジル水
素が生成する可能性もある。さらに、分子内のＳ原子数
とＮ原子数が不均衡な環状窒化イオウ化合物、あるいは
これら環状窒化イオウ化合物のＮ原子上にＨ原子が結合
したイミド型の化合物等も生成可能である。

【００２１】これらの窒化イオウ系化合物は、通常のエ
ッチングが行われるような高真空下において、ウェハの
温度がおよそ１３０℃より低温域に制御されていれば、
ウェハ上に堆積してエッチング抑制効果を発揮すること
ができる。

【００２２】このように、側壁保護に寄与するＳ、及び
層間絶縁膜の表面保護に寄与する窒化イオウ系化合物
は、それぞれおよそ９０℃あるいは１３０℃以下の温度
域でウェハ上に堆積することができる。

【００２３】本発明では、望ましくはこのウェハ温度を
室温以下に制御するが、これは窒化イオウ系化合物によ
る表面保護効果を再現性良く発揮させ、実用的なプロセ
スを提供するための規定である。ドライエッチングの分
野では、低温域におけるラジカル反応性の抑制を狙った
低温エッチングが提案されているが、多くの場合、−５
０〜−百数十℃にも及ぶウェハ冷却を必要としている。
これに対して本発明では、この冷却温度を室温域にまで
拡張することができ、スループットの向上やコストの低
減を図る上で極めて有利である。

【００２４】なお、エッチング終了後に不要となったＳ
及び窒化イオウ系化合物は、ウェハをおよそ１３０℃よ
りも高温域に加熱すれば容易に昇華若しくは若しくは分
解するので、ダスト源となるおそれがない。このこと
は、従来のカーボン系ポリマーの堆積を利用するプロセ
スに比べて本発明の利点である。あるいは、レジスト・
マスクを用いるエッチング・プロセスであれば、これら
Ｓ及び窒化イオウ系化合物はレジスト・マスクをアッシ
ングする際に同時に燃焼除去することができる。

【００２５】さらに、本発明は、望ましくはエッチング
・ガスにＨ_２又はＨ_２Ｓの少なくとも一方を添加する。
これは、Ｈ_２やＨ_２Ｓから生成するＨ^＊でハロゲン系化
学種の一部を捕捉してフッ化ハロゲンの形で除去するこ
とにより、エッチング反応系の見掛け上のＳ／Ｘ比〔Ｓ
原子数とハロゲン（Ｘ）原子数の比〕を上昇させるため
である。すなわち、プラズマ中のＳの相対含量が増大す
るために窒化イオウ系化合物の生成が促進され、これに
より層間絶縁膜に対する選択性が一層向上する。特に、
Ｈ_２Ｓを用いる場合には、自身がＳも放出するので、Ｓ
／Ｘ比の上昇効果は一層大きくなる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２７】実施例１ 本実施例は、Ｓｉ_３Ｎ_４層間絶縁膜上にａ−Ｓｉ薄膜を
用いてチャネル層及びソース・ドレイン領域を構成する
逆スタガ構造ＴＦＴの製造において、上記ａ−Ｓｉ薄膜
をＳ_２Ｃｌ_２ガスを用いてエッチングした例である。こ
のプロセスを、図１を参照しながら説明する。

【００２８】本実施例でエッチング・サンプルとして使
用したウェハを、図１（ａ）に示す。この状態が得られ
るまでの工程を簡単に説明すると、まずガラス基板１上
にゲート電極２をテーパー・エッチングにより形成し、
このゲート電極２を表面酸化してゲート酸化膜３を形成
する。ゲート電極２は、例えば低抵抗金属であるタンタ
ル（Ｔａ）を用いて構成することができ、この場合には
陽極酸化により優れた膜質を有する酸化タンタル（Ｔａ
Ｏ_ｘ）がゲート酸化膜３として形成されることになる。
次に、ウェハの全面にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ_３Ｎ
_４層間絶縁膜４とチャネル層を構成するためのノンドー
プａ−Ｓｉ層５とを順次積層し、さらにゲート電極２の
上方に臨んでエッチング・ストッパ層６をパターニング
した後、ソース／ドレイン領域を構成するためのｎ^＋型
ａ−Ｓｉ層７をプラズマＣＶＤ法によりウェハ全面に形
成する。ここで、エッチング・ストッパ層６は、ＳｉＮ
薄膜等により構成される層であり、後工程においてｎ^＋
型ａ−Ｓｉ層７を中央部でソース領域とドレイン領域と
に分割するためのエッチングから下地のノンドープａ−
Ｓｉ層５を保護するために設けられている。最後に、ゲ
ート電極２により生じたウェハの表面段差を吸収するご
とく厚いフォトレジスト層を形成し、これをパターニン
グしてゲート電極２を被覆する領域にレジスト・マスク
８を形成した。

【００２９】次に、このウェハをＲＦバイアス印加型の
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置にセット
し、一例として下記の条件で上記ｎ^＋型ａ−Ｓｉ層７と
ノンドープａ−Ｓｉ層５とを一括してエッチングした。

【００３０】 Ｓ_２Ｃｌ_２流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ５０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 −２０ ℃ ここで、Ｓ_２Ｃｌ_２は、本願出願人が特願平３−２１０
５１６号明細書等において提案した各種ハロゲン化イオ
ウのうちのひとつである。この工程では、Ｓ_２Ｃｌ_２か
ら解離生成したＣｌ^＊によるＳｉ原子の引き抜き反応
が、ＳＣｌ_ｘ ^＋、Ｓ_ｘ ^＋等のイオンの入射エネルギーに
アシストれる機構でエッチングが進行した。このとき、
プラズマ中に放出されたＳが低温冷却されたウェハのパ
ターン側壁面上に堆積して側壁保護効果を発揮するた
め、ｎ^＋型ａ−Ｓｉ層７とノンドープａ−Ｓｉ層５のエ
ッチングは図１（ｂ）に示すように異方的に進行した。

【００３１】なお、ｎ^＋型ａ−Ｓｉ層７とノンドープａ
−Ｓｉ層５は、Ｓｉ原子のダングリング・ボンドを補償
するため、その構造中に１０％程度のＨ原子を含んでい
る。このＨ原子は、エッチングの進行に伴ってプラズマ
中に放出されるとＣｌ^＊の一部と結合してＨＣｌを生成
するため、エッチング反応系の見掛け上のＳ／Ｃｌ比
（Ｓ原子数とＣｌ原子数の比）を上昇させる効果を有す
る。したがって、上記のエッチングはＳに富む雰囲気中
で進行し、効率良い側壁保護が行われた。

【００３２】エッチングが進行して下地のＳｉ_３Ｎ_４層
間絶縁膜４が露出すると、その露出面から供給されるＮ
原子とプラズマ中のＳ原子とが反応して種々の窒化イオ
ウ系化合物が生成し、この面におけるエッチング速度を
大幅に低下される役割を果たした。図１（ｂ）では、Ｓ
ｉ_３Ｎ_４層間絶縁膜４の露出面がポリチアジル（ＳＮ）
_ｘに被覆されている様子を模式的に示した。これによ
り、Ｓｉ_３Ｎ_４層間絶縁膜４に対して約３０もの高選択
比が達成された。

【００３３】エッチング終了後にレジスト・マスク８を
アッシングしたところ、図１（ｃ）に示されるように、
パターン側壁面に堆積したＳ、及びＳｉ_３Ｎ_４層間絶縁
膜４の露出面を被覆していた窒化イオウ系化合物も同時
に燃焼除去された。この結果、ウェハ上に何らダストを
発生させることなく、ｎ^＋型ａ−Ｓｉ層７とノンドープ
ａ−Ｓｉ層５の高選択異方性エッチングを行うことがで
きた。

【００３４】実施例２ 本実施例は、同じく逆スタガ構造ＴＦＴの製造におい
て、上記ａ−Ｓｉ薄膜をＳ_２Ｂｒ_２／Ｈ_２混合ガスを用
いてエッチングした例である。

【００３５】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用したウェハは、前出の図１（ａ）に示したもの
と同じである。

【００３６】このウェハを有磁場マイクロ波プラズマ・
エッチング装置にセットし、一例として下記の条件で上
記ｎ^＋型ａ−Ｓｉ層７とノンドープａ−Ｓｉ層５とを一
括してエッチングした。

【００３７】 Ｓ_２Ｂｒ_２流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｈ_２流量 １０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 −１０ ℃ 上記Ｓ_２Ｂｒ_２も、本願出願人が特願平３−２１０５１
６号明細書等において提案した各種ハロゲン化イオウの
ひとつである。本実施例では、ハロゲン系エッチャント
としてＢｒ^＊が生成するので、エッチング反応生成物と
してはＳｉＢｒ_ｘが生成する。このＳｉＢｒ_ｘは、実施
例１で生成するＳｉＣｌ_ｘよりも蒸気圧が低く、上述の
温度域では側壁保護に一部寄与することができる。さら
に、エッチング・ガスにＨ_２が添加されていることによ
り、エッチング反応系のＳ／Ｂｒ比も上昇している。こ
れらの効果により、本実施例では実施例１に比べてＲＦ
バイアス・パワーを低減させ、ウェハ温度を高めている
にもかかわらず、同様に良好な高選択異方性加工を行う
ことができた。

【００３８】実施例３ 本実施例は、同じく逆スタガ構造ＴＦＴの製造におい
て、上記ａ−Ｓｉ薄膜をＳ_２Ｆ_２／Ｈ_２Ｓ混合ガスを用
いてエッチングした例である。

【００３９】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用したウェハは、前出の図１（ａ）に示したもの
と同じである。

【００４０】このウェハを有磁場マイクロ波プラズマ・
エッチング装置にセットし、一例として下記の条件でｎ
^＋型ａ−Ｓｉ層７とノンドープａ−Ｓｉ層５とを一括し
てエッチングした。

【００４１】 Ｓ_２Ｆ_２流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｈ_２Ｓ流量 ３０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ温度 −３０ ℃ 上記Ｓ_２Ｆ_２も、本願出願人が特願平３−２１０５１６
号明細書等において提案した各種ハロゲン化イオウのひ
とつである。本実施例では、Ｓｉに対して反応性の高い
Ｆ^＊がエッチャントとして生成するが、Ｈ_２Ｓが添加さ
れていることによりＨ^＊による捕捉効果とＳの増強効果
が期待でき、エッチング反応系のＳ／Ｆ比を上昇させる
ことができた。したがって、中低温域でも良好な高選択
異方性加工を行うことができた。

【００４２】以上、本発明を３例の実施例に基づいて説
明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるも
のではない。

【００４３】例えば、放電解離条件下でハロゲン系化学
種と遊離のＳを放出し得るエッチング・ガスとして、上
述の実施例ではＳ_２Ｆ_２、Ｓ_２Ｃｌ_２、Ｓ_２Ｂｒ_２を例
示したが、この他にもＳＦ_２、ＳＦ_４、Ｓ_２Ｆ_１０、Ｓ
_３Ｃｌ_２、ＳＣｌ_２、Ｓ_３Ｂｒ_２、ＳＢｒ_２等のハロゲ
ン化イオウを用いることもできる。さらに、ハロゲン系
化学種と遊離のＳとは必ずしも同一の化合物から供給さ
れる必要はなく、例えば、Ｃｌ_２、ＮＦ_３、ＣｌＦ_３等
のハロゲン化合物とＨ_２Ｓとの混合ガス等を用いても同
様の効果を期待することができる。

【００４４】この他、本発明で行われるエッチングには
各種の添加ガスを併用してもよい。例えば、エッチング
・ガスに窒素系化合物を添加した場合には、気相中から
も堆積性の窒化イオウ系化合物が生成するため、層間絶
縁膜の露出面の保護を一層強化することができる。ま
た、希釈効果、スパッタリング効果、冷却効果等を期待
する意味でエッチング・ガスにＨｅ、Ａｒ等の希ガスを
添加してもよい。

【００４５】さらに、サンプル・ウェハの構成、エッチ
ング条件、使用するエッチング装置等が適宜変更可能で
ある。

【００４６】

【発明の効果】上記したように、本発明は、ＴＦＴのチ
ャネル領域を形成するためのシリコン系材料層を、下地
の窒素を含有する層間絶縁膜に対して高選択性を維持し
ながら、しかもパーティクル汚染を惹起させることなく
異方的にエッチングすることが可能となる。これによ
り、プロセスの再現性が向上し、歩留りを大幅に改善す
ることができる。本発明は、例えばａ−Ｓｉ−ＴＦＴに
おいて、Ｓｉ_３Ｎ_４層間絶縁膜上におけるａ−Ｓｉ膜の
選択エッチングを行う場合に有効となり、ＴＦＴの高集
積化、微細化、高性能化、量産化に寄与することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を逆スタガ構造ＴＦＴの製造に適用した
プロセス例をその工程順にしたがって説明する概略断面
図であり、（ａ）はエッチング前のウェハの状態、
（ｂ）はＳの側壁保護膜が形成されながらｎ^＋型ａ−Ｓ
ｉ膜とノンドープａ−Ｓｉ層がエッチングされ、Ｓｉ_３
Ｎ_４層間絶縁膜の露出面上に窒化イオウ系化合物が堆積
した状態、（ｃ）はレジスト・マスクの除去に伴ってＳ
と窒化イオウ系化合物が除去された状態をそれぞれ表
す。

【符号の説明】

１ ガラス基板、 ２ ゲート電極、 ３ ゲート酸化
膜、 ４ Ｓｉ_３Ｎ_４層間絶縁膜、 ５ ノンドープａ
−Ｓｉ層、 ６ エッチング・ストッパ層、７ ｎ^＋型
ａ−Ｓｉ層、 ８ レジスト・マスク

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒素原子を有する層間絶縁膜上でシリコ
   ン系薄膜を選択的にエッチングする工程を有する薄膜ト
   ランジスタの製造方法であって、 放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウとハロゲン
   系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、前記 窒素原子を含有する層間絶縁膜の露出表面に、前記
   窒素原子を有する層間絶縁膜から供給される窒素原子
   と、前記遊離のイオウとの反応生成物として窒化イオウ
   系化合物を生成させ、 前記窒化イオウ系化合物をエッチング保護膜として前記
   シリコン系薄膜を高選択比エッチング することを特徴と
   する薄膜トランジスタの製造方法。
2. 【請求項２】 前記高選択比エッチングの工程では前記
   シリコン系薄膜を保持する基体の温度を室温以下に制御
   することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ
   の製造方法。
3. 【請求項３】 前記エッチング・ガスがＨ_２ 又はＨ_２Ｓ
   の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１又は
   請求項２記載の薄膜トランジスタの製造方法。