JP2002144067A - レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置 - Google Patents

レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置

Info

Publication number
JP2002144067A
JP2002144067A JP2001084508A JP2001084508A JP2002144067A JP 2002144067 A JP2002144067 A JP 2002144067A JP 2001084508 A JP2001084508 A JP 2001084508A JP 2001084508 A JP2001084508 A JP 2001084508A JP 2002144067 A JP2002144067 A JP 2002144067A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
cutting
cooling fluid
width
metal substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001084508A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3787073B2 (ja
Inventor
Hyung-Woo Nam
ナム・ヒュン−ウー
Daiko Shu
大 鎬 秋
Baek-Kyun Jeon
栢 均 全
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2002144067A publication Critical patent/JP2002144067A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3787073B2 publication Critical patent/JP3787073B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0736—Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Abstract

(57)【要約】 【課題】レーザビームを利用した非メタル基板の切断方
法及び装置を提供する。 【解決手段】レーザビーム発生装置２１０は非メタル基
板に設定された切断経路２００を加熱して切断経路２０
０上にスクライブライン２１０を形成する第１レーザビ
ーム１３０を照射し、第１レーザビーム１３０と所定距
離離隔されて第１レーザビーム１３０の照射経路に沿っ
て一つのビームパターンを形成する第２レーザビーム１
５０を照射する。冷却装置１２０は第１レーザビーム１
３０と第２レーザビーム１５０との間の切断経路２００
上に冷却流体ビーム１７０を噴射してクラックを発生さ
せる。冷却流体ビーム１７０の噴射後、一つのビームパ
ターンを使用してガラス母基板１００を切断するので光
学系を単純化させることができ、スクライブライン２１
０に大きい引張力を発生させるので、厚い非メタル基板
の完全切断を達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非メタル材料、例え
ばガラスやシリコンのような材料で製作された平板形状
の非メタル基板をより小さい複数個の切片に精密に切断
する非メタル基板の切断方法及び装置に関するものであ
る。より詳細には、本発明はスクライブ用レーザビーム
の後に、ガラスやシリコンのような材料で製作された非
メタル基板を完全に切断する切断用レーザビームを切断
経路上に照射することで、非メタル基板が指定された切
断経路に沿って精密に切断されるようにした非メタル基
板の切断方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体薄膜工程技術の開発に従っ
て高集積、高性能半導体製品を生産する半導体産業の発
達がますます成されている。半導体製品においては非メ
タル材料のうちの一つである単結晶シリコンに製作され
たウェーハと呼ばれる純度が相当に高い基板上に数〜数
千万個の半導体素子が半導体薄膜工程によって集積され
る。このような半導体製品はデジタル信号の形態でデー
タを貯蔵したり、貯蔵されたデータを相当に早い時間内
に演算処理する役割を有する。
【０００３】かつ、半導体産業の応用分野として、情報
処理装置で処理されたアナログ形態の映像信号をデジタ
ル方式でディスプレーする液晶表示装置（ＬＣＤ）の技
術開発が急速に進行されている。液晶表示装置は透明な
２枚の基板の間に液晶を注入した後、液晶の特定な分子
配列に電圧を印加して異なる分子配列へ変換させ、この
ような分子配列により発光する液晶セルの複屈折性、旋
光性、２色性及び光散乱特性などの光学的性質の変化を
視覚変化へ変換するディスプレー装置である。
【０００４】これら半導体製品と液晶表示装置は非メタ
ル基板、即ち純度が高いシリコン基板及びガラス基板に
形成される共通点を有している。また、これら非メタル
基板は衝撃に弱く割れやすい短所を有しているが、一枚
のウェーハまたは一枚の大型ガラス基板に複数個の半導
体チップまたはＬＣＤ単位セルを形成した後、個別化し
やすい長所を有する。
【０００５】半導体製品の場合、一枚のウェーハに数〜
数百万個の半導体チップを同時に形成した後、個別化工
程を通じて個別化された半導体チップにパッケージ工程
を実行して半導体製品を製作する。
【０００６】液晶表示装置の場合には、母基板（ｍｏｔ
ｈｅｒ ｂｏａｒｄ）と呼ばれる大型ガラス基板に少な
くとも２個以上のＬＣＤ単位セルを同時に形成した後、
個別化工程によりＬＣＤ単位セルを母基板から個別化さ
せてアセンブリ工程を実行する。
【０００７】この時、個別化工程は製品生産の殆ど終わ
りの段階に属するので、個別化工程での不良、即ち切断
不良は製品の量産性及び収率に大きな影響を及ぼすこと
になる。特に、液晶表示装置に使用される母基板の場
合、ガラス特性上結晶構造を有しないためにシリコンウ
ェーハに比べて脆性が大きくて、切断過程でエッジに形
成された微細クラックによって、後続工程が実行されて
いる間に脆弱したところに沿って応力が急速に増幅され
て所望しない部分が切断される不良が発生しやすい。
【０００８】従来は所定直径を有する円板の円周面に微
細なダイアモンドがはまった状態で高速回転するダイア
モンドブレードを切断しようとする“切断経路”に接触
させて前記切断経路に沿って基板の表面に所定深さのス
クライブラインを形成した後、前記基板に物理的な衝撃
を加えてスクライブラインに沿って基板にクラックを発
生させることで、ウェーハまたはガラス母基板から半導
体チップまたはＬＣＤ単位セルを分離させる。
【０００９】このようなダイアモンドブレードを使用し
てウェーハまたはガラス母基板の個別化工程を実行する
時には必然的に切断のための所定面積、即ち一定面積以
上の切断マージンを必要とするので精密な切断に成らな
い場合、単位ウェーハ当たりに形成される半導体チップ
の数を増加させることが相当に難しい。
【００１０】特に、液晶表示装置の場合にはダイアモン
ドブレードによって切断された切断面が粗いので切断面
上に応力が集中する部分が多く存在することになる。こ
のように切断面上に応力が集中した部分は外部から加わ
る微細な衝撃にも割れやすくてクラックやチッピングを
誘発することになる。
【００１１】かつ、ダイアモンドブレードを利用する場
合、ガラスパーチクルが相当に多く発生するのでこれを
除去するための別途の洗浄工程及び乾燥工程が要求され
る短所がある。
【００１２】最近、このような問題点を克服するために
米国特許第４４６７１６８号“レーザを利用したガラス
切断方法及びこれを利用した物品製作方法”、米国特許
第４６８２００３号“レーザビームを利用したガラス切
断”、 米国特許第５６２２５４０号“ガラス基板の切
断方法”などレーザビームを利用した切断方法が開発さ
れている。
【００１３】図１は従来のレーザビームを利用したガラ
ス基板切断装置を図示した概念図である。
【００１４】図１を参照すれば、レーザビーム１がガラ
ス母基板２の切断経路３に沿って照射されるようにして
ガラス母基板２のうち、レーザビーム１が照射された切
断経路３を急速加熱する。続いて、急速加熱された切断
経路３上にガラス母基板２の加熱温度より顕著に低い温
度を有する冷却流体ビーム４を噴射してガラス母基板２
の急速膨張及び急速収縮に従う引張力（ｔｅｎｓｉｌｅ
ｆｏｒｃｅ）によってガラス母基板２が切断経路に沿
って切断されるようにする。
【００１５】しかし、図１に図示したガラス基板切断装
置は厚さが比較的薄いガラス母基板は一回で切断するこ
とができるが、最近液晶表示装置の大型化に従ってガラ
ス母基板の平面積及び厚さが増加している趨勢として現
在０．５ｍｍ以上の厚さを有するガラス母基板を一回で
切断するためには相当に高いエネルギーレベルを有する
レーザビーム１を照射しなければならない。
【００１６】このように、ガラス母基板２に照射される
レーザビーム１のエネルギーレベルを増加させると、レ
ーザビーム１が照射されて急速加熱されるガラス母基板
２の切断経路３上の温度と切断経路３周囲のガラス母基
板２の温度との差が激しくなる。従って、冷却流体ビー
ム４によって切断経路３が冷却される前に、ガラス母基
板２の温度差異が激しい部位でクラックが発生してガラ
ス母基板２の切断経路３以外の部分が切断される不良が
発生することになる。
【００１７】このため、高いエネルギーレベルを有する
レーザビームを使用しなくてもガラス基板を一回で切断
することができるガラス基板切断装置が開発された。図
２を参照して前記切断装置について説明する。
【００１８】図２に図示したように、ガラス母基板１０
に形成された切断経路１２に沿ってスクライブ用レーザ
ビーム１３を照射してガラス母基板１０のうち、スクラ
イブ用レーザビーム１３が照射された切断経路１２を急
速加熱し、前記急速加熱された切断経路１２上にガラス
母基板１０の加熱温度より顕著に低い温度を有する冷却
流体ビーム１４を噴射する。そうすると、ガラス母基板
１０が急速冷却されながらその表面に所定深さのクラッ
クが発生してスクライブライン１５が形成される。続い
て、スクライブライン１５の両側に切断用レーザビーム
１６を照射すると、スクライブライン１５を基準に両側
のガラス母基板１０が急速加熱に従って急速に膨張され
てスクライブライン１５に相当に大きい引張力が発生す
る。結局、ガラス母基板１０はスクライブライン１５に
沿って完全に切断される。
【００１９】上述したガラス基板切断装置によると、ス
クライブ用レーザビーム１３によって加熱された切断経
路１２上の温度と冷却流体ビーム１４によって冷却され
た温度との差異が小さくてもスクライブライン１５を十
分に形成することができる。かつ、切断用レーザビーム
１６によって加熱されたスクライブライン１５の周辺温
度とスクライブライン１５上の温度との差異が大きくな
るほどせん断応力が大きくなって、比較的厚いガラス母
基板も一回で切断することができる。
【００２０】しかし、上述したガラス基板切断装置によ
ると、冷却流体ビームの噴射後、二つ以上のビームパタ
ーンを使用してガラス母基板を切断するために、二つ以
上のビームパターンの大きさや強さを調節することに多
くの時間が消費される。かつ、ビームパターンの対称性
に従って切断の直線性が左右されるのでこれを調節する
ための多くの時間が消費される。さらに、一つのレーザ
ビームに二つ以上のビームパターンを形成しなければな
らないために、分割機（ｓｐｌｉｔｔｅｒ）のような追
加的なレンズが必要になって光学系の構成が複雑になる
という短所がある。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第１
目的は光学系の構成を単純化させながらガラスやシリコ
ンのような材料で製作された非メタル基板を完全に切断
することができる非メタル基板の切断方法を提供するも
のである。
【００２２】本発明の第２目的は上述した非メタル基板
の切断方法を修行することに適合な非メタル基板の切断
装置を提供するものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】前記第１目的を達成する
ための本発明は、非メタル基板に設定された切断経路上
に第１レーザビームを照射して前記切断経路の第１領域
を急速加熱する段階と、前記急速加熱された前記切断経
路上に冷却流体ビームを噴射して前記切断経路上に所定
深さを有するスクライブラインを形成する段階及び、前
記第１レーザビームの照射経路に沿って第２レーザビー
ムを照射して前記スクライブラインを急速加熱すること
で、前記非メタルを完全に切断する段階を具備すること
を特徴とする非メタル基板の切断方法を提供する。
【００２４】前記第２目的を達成するための本発明は、
非メタル基板に設定された切断経路を加熱して前記切断
経路上にスクライブラインが形成されるように第１レー
ザビームを照射し、及び、前記第１レーザビームと所定
距離離隔されて前記第１レーザビームの照射経路に沿っ
て一つのビームパターンが形成されるように第２レーザ
ビームを照射するレーザビーム発生手段と、及び、前記
第１レーザビームと前記第２レーザビームとの間の前記
切断経路上に冷却流体ビームを噴射してクラックを発生
させる冷却手段を具備することを特徴とする非メタル基
板の切断装置を提供する。
【００２５】かつ、本発明の第２目的は、非メタル基板
に設定された切断経路を加熱して前記切断経路上にスク
ライブラインが形成されるように第１レーザビームを照
射し、及び、前記第１レーザビームと所定距離離隔され
て前記スクライブライン上に第２レーザビームを照射す
るレーザビーム発生手段と、及び、前記第１レーザビー
ムと前記第２レーザビームとの間の前記切断経路上に冷
却流体ビームを噴射してクラックを発生させる冷却手段
を具備することを特徴とする非メタル基板の切断装置に
よって達成されることもできる。
【００２６】本発明によると、冷却流体ビームの噴射
後、一つのビームパターンを使用してガラス母基板を切
断するので、ビームパターンの大きさや強さを調節する
ための時間を短縮し、光学系を単純化させることができ
る。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい実施の形態を詳細に説明する。
【００２８】図３は本発明の一実施形態によるガラス基
板切断装置の切断メカニズムを説明するための概念図で
ある。
【００２９】図３を参照すれば、ガラス母基板１００の
切断経路２００を加熱するためにレーザビームを発生さ
せるレーザビーム発生装置１１０、急速に加熱されたガ
ラス母基板１００の切断経路に冷却流体ビームを噴射し
てガラス母基板１００を冷却させて切断経路（ｙ軸方
向）に沿ってガラス母基板１００にクラックを発生させ
る冷却装置１２０、及びレーザビーム発生装置１１０と
冷却装置１２０がガラス母基板１００と相対運動するよ
うにこれを移送させる移送装置（図示せず）で構成され
る。
【００３０】より具体的に、前記レーザビーム発生装置
１１０は、スクライブ用第１レーザビーム１３０を発生
させる第１レーザビーム発生ユニット１４０と、切断用
第２レーザビーム１５０を発生させる第２レーザビーム
発生ユニット１６０とから構成される。前記第１レーザ
ビーム発生ユニット１４０と第２レーザビーム発生ユニ
ット１５０は各々別途のレーザソースを有することがで
きるが、一つのレーザソースから発生させて分割機を使
用して分離されたレーザビームを使用することもでき
る。
【００３１】前記第１レーザビーム発生ユニット１４０
から発生されたスクライブ用第１レーザビーム１３０は
望ましくは短軸と長軸を有する長い楕円形状のビームパ
ターンを有する。前記スクライブ用第１レーザビーム１
３０はガラス母基板１００に設定された切断経路２００
上にその長軸が整合された状態でガラス母基板１００に
照射される。
【００３２】前記第２レーザビーム発生ユニット１６０
から発生された切断用第２レーザビーム１５０は前記ス
クライブ用第１レーザビーム１３０とは所定距離離隔さ
れ、前記第１レーザビーム１３０の照射経路に沿ってガ
ラス母基板１００に照射される。望ましくは、前記切断
用第２レーザビーム１５０も前記第１レーザビーム１３
０と同様に短軸と長軸を有する長い楕円形状のビームパ
ターンを有し、前記切断経路２００上にその長軸が整合
された状態でガラス母基板１００に照射される。この
時、前記第２レーザビーム１５０の温度はガラス母基板
１００の溶融点温度と同一または低い温度であることが
望ましい。
【００３３】かつ、前記切断用第２レーザビーム１５０
はその幅（Ｘ2）（短軸方向の距離）がスクライブ用第
１レーザビーム１３０の幅（Ｘ1）（短軸方向の距離）
より大きい。具体的には、第１レーザビーム１３０の幅
（Ｘ1）は５ｍｍ未満の大きさを有し、前記第２レーザ
ビーム１５０の幅（Ｘ2）は第１レーザビーム１３０の
幅（Ｘ1）より大きくて２０ｍｍよりは小さいことが望
ましい。
【００３４】第２レーザビームの深さ（Ｚ2）は第１レ
ーザビーム１３０の深さ（Ｚ1）より小さくなるよう照
射される。ここで、レーザビームの深さとは単位面積当
りのレーザビームの強さ（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を意味
する。前記スクライブ用第１レーザビーム１３０はガラ
ス母基板１００の切断経路上にクラックを生成しなけれ
ばならないので、狭くて深くなるよう照射されなければ
ならない。反面、前記切断用第２レーザビーム１５０は
切断経路２００に沿ってガラス母基板１００を完全に切
断させるために照射されるものであるので、切断経路２
００以外のガラス母基板１００に不必要なクラックを発
生させないように第１レーザビーム１３０より広くて薄
くなるように照射されなければならない。
【００３５】図４は前記切断用第２レーザビーム１５０
によってガラス母基板１００に加わる熱分布の断面図で
ある。
【００３６】図４を参照すれば、前記切断用第２レーザ
ビーム１５０はスクライブ用第１レーザビーム１３０と
冷却流体ビーム１７０とによってガラス母基板１００の
切断経路２００上に形成されるスクライブライン２１０
上に照射される。従って、前記切断用第２レーザビーム
１５０はスクライブライン２１０に一番大きい引張力
（ｔｅｎｓｉｌｅ ｆｏｒｃｅ）が発生される熱分布を
有する。この時、前記切断用第２レーザビーム１５０は
スクライブライン２１０上に直接照射されるので、スク
ライブライン２１０をガラスの溶融点以上で加熱させる
ことになると、クラックが生成された部位が再び接合さ
れる問題が発生される。従って、前記切断用第２レーザ
ビーム１５０はガラスの溶融点以下の温度で照射されな
ければならない。
【００３７】図５（ａ）乃至図５（ｃ）は前記切断用第
２レーザビーム１５０のいろいろなビームパターンを図
示した平面図である。
【００３８】図５（ａ）は切断経路２００上に長軸が整
合された楕円形状のビームパターンを図示したもので、
前記ビームパターンは切断速度を約１５０ｍｍ/ｓ以上
まで増加させることに有利である。
【００３９】図５（ｂ）は円形のビームパターンを図示
し、図５（ｃ）は切断経路２００上に短軸が整合された
楕円形状のビームパターンを図示する。上述した図５
（ｂ）、及び図５（ｃ）に図示したビームパターンは切
断精密度（ａｃｃｕｒａｃｙ）を増加させることに有利
である。
【００４０】本発明による切断用第２レーザビーム１５
０は一つのビームパターンを形成するので、凹レンズと
凸レンズが結合されたシリンダー形レンズ一つを利用し
てビームプロファイルを変換させることができ、分割機
のような追加的なレンズを使用しないで光学系を単純化
させることができる。
【００４１】例えば、レーザビームが入射される上部面
は凹レンズ部で加工され、下部面は凸レンズを有するよ
うに加工されたシリンダー形レンズを使用する場合、前
記凹レンズ部にスポット形状のレーザビームが入射され
ると、前記レーザビームはスポット形状から短軸と長軸
を有する長い楕円形状に変形される。このように、変形
されたレーザビームが再び凸レンズ部を通過すると、楕
円形状の短軸長さが更に短くなり、短軸より長軸が相当
に長い楕円形状を有することになる。
【００４２】前記冷却装置１２０はスクライブ用第１レ
ーザビーム１３０と切断用第２レーザビーム１５０との
間の切断経路２００上に冷却流体ビーム１７０を噴射す
る。前記冷却流体ビーム１７０はスポット形状を有し、
低温状態の冷却ガス、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴ
ンなどの低温不活性ガスや冷却水を使用して形成するこ
とができる。かつ、高度の冷却機能を得るために冷却ガ
スと冷却水を全て使用することもできる。この時、冷却
流体ビーム１７０の幅（Ｘ3）（直径）は前記第１レー
ザビーム１３０の幅（Ｘ1）より小さいことが望まし
い。
【００４３】この時、冷却流体ビーム１７０の到達位置
は厚いガラス母基板１００が一回で切断されるようにす
ることにおいて相当に大事な意味を有する。
【００４４】図３には、スクライブ用第１レーザビーム
１３０の長軸端部からＬ1の距離ほど離隔され、前記ス
クライブ用第１レーザビーム１３０と向き合う切断用第
２レーザビーム１５０の端部からＬ2の距離ほど離隔さ
れたところに冷却流体ビーム１７０が到達される実施形
態が図示されている。
【００４５】前記冷却流体ビーム１７０はスクライブ用
第１レーザビーム１３０によって急速加熱された切断経
路２００上にガラス母基板１００の上部面から所定深さ
のクラックが誘発されるようにして、仮想の切断経路２
００上にスクライブライン２１０が形成されるようにす
る。このようにスクライブライン２１０が形成された状
態でスクライブライン２１０上に切断用第２レーザビー
ム１５０を照射すると、スクライブライン２１０に相当
に大きい引張力が発生されてガラス母基板１００がスク
ライブライン２１０に沿って完全に切断される。
【００４６】この時、冷却流体ビーム１７０の到達位置
がスクライブ用第１レーザビーム１３０側にかたよって
いる場合、即ちＬ2がＬ1より大きい場合にはスクライブ
用第１レーザビーム１３０によって加熱されたガラス母
基板１００の温度と冷却温度の差異が相当に大きくなっ
てスクライブライン２１０の形成に相当有利になる。即
ち、前記冷却流体ビーム１７０はスクライブ用第１レー
ザビーム１３０の長軸一端部と接したり（即ち、Ｌ1＝
０）、前記長軸一端部から少し離隔された（即ち、Ｌ1>
０）部分に噴射されることが望ましい。かつ、場合によ
っては、前記冷却流体ビーム１７０はスクライブ用第１
レーザビーム１３０が照射された領域内に噴射されるこ
ともできる（即ち、Ｌ1<０）。このようにスクライブ用
第１レーザビーム１３０によって急速加熱された領域の
内部に冷却流体ビーム１７０を噴射させると急速加熱及
び急速冷却に従う局部的な温度差を極大化させることが
できるという利点がある。
【００４７】かつ、前記冷却流体ビーム１７０と切断用
第２レーザビーム１５０間の距離Ｌ 2は可能な限り近い
ほどよい。即ち、前記距離Ｌ2が小さいほど切断用第２
レーザビーム１５０によって加熱されたスクライブライ
ン２１０上の温度とその周辺温度との温度差異が大きく
なり、温度差異が増加するほどせん断応力が大きくなる
ので、比較的厚いガラス母基板１００も一回で完全に切
断することができる。
【００４８】上述したように、前記第２レーザビーム１
５０と前記冷却流体ビーム１７０は切断速度に従って変
化させることができるが、互いに接するように形成する
ことができ、望ましくは冷却流体ビーム１７０の第２レ
ーザビーム１５０の端部から距離Ｌ2は２５ｍｍ以下に
なるように維持される。例えば、切断速度が２００乃至
２５０ｍｍ/ｓｅｃである場合に、距離Ｌ2は１６ｍｍに
することが望ましい。
【００４９】以下、図３に図示したガラス基板切断装置
を利用してガラス母基板１００を切断する方法について
詳細に説明する。
【００５０】まず、ガラス母基板１００に実装された切
断経路２００に沿ってスクライブ用第１レーザビーム１
３０を照射して前記切断経路２００の第１領域を急速に
加熱する。続いて、冷却ガスや、冷却水、またはこれが
混合された冷却流体ビーム１７０をスクライブ用第１レ
ーザビーム１３０の後側に噴射して冷却流体ビーム１７
０がスクライブ用第１レーザビーム１３０の後に従いな
がら前記切断経路２００を急速に冷却するようにする。
即ち、冷却流体ビーム１７０を、前記切断経路２００の
うち、スクライブ用第１レーザビーム１３０が照射され
た第１領域に接している第２領域に噴射し、又は前記第
１領域から所定間隔離隔された第３領域に噴射する。ま
た、前記冷却流体ビーム１７０を前記切断経路２００の
うちにスクライブ用第１レーザビーム１３０が照射され
た第１領域の内部に位置した第４領域に噴射することも
できる。
【００５１】そうすると、図３に図示したようにスクラ
イブ用第１レーザビーム１３０によって急速加熱された
ガラス母基板１００が前記冷却流体ビーム１７０によっ
て急速冷却されるので、ガラス母基板１００の表面から
所定深さのクラックが発生して前記切断経路２００に沿
ってスクライブライン２１０が形成される。
【００５２】前記スクライブ用第１レーザビーム１３０
と冷却流体ビーム１７０とが切断経路２００に沿って続
けて前進する状態で、前記スクライブ用第１レーザビー
ム１３０の照射経路に沿って切断用第２レーザビーム１
５０を照射してスクライブライン２１０を急速に加熱さ
せる。即ち、前記切断用第２レーザビーム１５０をスク
ライブライン２１０上に照射する。
【００５３】このように、切断用第２レーザビーム１５
０をスクライブライン２１０上に照射すると、所定深さ
でクラックが発生されたスクライブライン２１０に相当
に大きい引張力が発生することになる。従って、スクラ
イブライン２１０に沿ってガラス母基板１００の下部面
まで一直線にクラックが発生してガラス母基板１００が
完全に切断される。
【００５４】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【００５５】
【発明の効果】上述したように本発明によると、冷却流
体ビームの噴射後一つのビームパターンを使用してガラ
ス母基板を切断するために、ビームパターンの大きさや
強さを調節するための時間を短縮することができる。か
つ、分割機のような追加的なレンズなしに、一つの光学
レンズのみで一つのビームパターンを形成することがで
きるので光学系の構成を単純化させることができる。さ
らに、スクライブライン上に直接第１レーザビームを照
射して大きい引張力を発生させるので非メタル基板の完
全切断を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来方法によるレーザビームを利用したガラス
基板切断装置を図示した概念図である。
【図２】従来の異なる方法によるレーザビームを利用し
たガラス基板切断装置を図示した概念図である。
【図３】本発明の一実施の形態によるガラス基板切断メ
カニズムを説明するための概念図である。
【図４】図３の第２レーザビームによってガラス母基板
に加わる熱分布の断面図である。
【図５】第２レーザビームのいろいろなビームパターン
を図示した平面図である。
【符号の説明】
１００ ガラス母基板 ２１０ レーザ発生装置 １２０ 冷却装置 １３０ スクライブ用第１レーザビーム １４０ 第１レーザビーム発生ユニット １５０ 切断用第２レーザビーム １６０ 第２レーザビーム発生ユニット １７０ 冷却流体ビーム ２００ 切断経路 ２１０ スクライブライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｂ２３Ｋ 101:40 (72)発明者 秋 大 鎬 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞黄骨タ ウン碧山アパートメント 223−1803 (72)発明者 全 栢 均 大韓民国京畿道龍仁市器興邑グガル里380 番地 韓城アパートメント104棟302号 Ｆターム(参考） 4E068 AA04 AD00 AE00 AJ03 CA08 CB06 CD05 DA10 DB13 4G015 FA03 FA06 FB01 FB02 FC01 FC10 FC14

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】非メタル基板に設定された切断経路上に第
    １レーザビームを照射して前記切断経路の第１領域を急
    速加熱する段階と、 前記急速加熱された前記切断経路上に冷却流体ビームを
    噴射して前記切断経路上に所定深さを有するスクライブ
    ラインを形成する段階と、及び前記第１レーザビームの
    照射経路に沿って第２レーザビームを照射して前記スク
    ライブラインを急速加熱することで、前記非メタル基板
    を完全に切断する段階を具備することを特徴とする非メ
    タル基板の切断方法。
  2. 【請求項２】前記第２レーザビームは、前記スクライブ
    ライン上に照射されることを特徴とする請求項１に記載
    の非メタル基板の切断方法。
  3. 【請求項３】前記第２レーザビームは、前記非メタル基
    板の溶融点以下の温度を有することを特徴とする請求項
    １に記載の非メタル基板の切断方法。
  4. 【請求項４】前記第１レーザビームの幅は前記第２レー
    ザビームの幅よりは小さくて、前記冷却流体ビームの幅
    は前記第１レーザビームの幅より小さいことを特徴とす
    る請求項１に記載の非メタル基板の切断方法。
  5. 【請求項５】前記第１レーザビームの幅は５ｍｍ未満で
    あり、前記第２レーザビームの幅は第１レーザビームの
    幅より大きくて２０ｍｍよりは小さいことを特徴とする
    請求項１に記載の非メタル基板の切断方法。
  6. 【請求項６】前記冷却流体ビームは前記切断経路のう
    ち、前記第１レーザビームが照射された第１領域に接し
    ている第２領域に噴射されることを特徴とする請求項１
    に記載の非メタル基板の切断方法。
  7. 【請求項７】前記冷却流体ビームは前記切断経路のう
    ち、前記第１レーザビームが照射された第１領域から所
    定間隔離隔された第３領域に噴射されることを特徴とす
    る請求項１に記載の非メタル基板の切断方法。
  8. 【請求項８】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビー
    ムとの間隔は２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求
    項７に記載の非メタル基板の切断方法。
  9. 【請求項９】前記冷却流体ビームは前記切断経路のう
    ち、前記第１レーザビームが照射された第１領域の内部
    に位置した第４領域に噴射されることを特徴とする請求
    項１に記載の非メタル基板の切断方法。
  10. 【請求項１０】前記第２レーザビームは、楕円形や円形
    のビームパターンに照射されることを特徴とする請求項
    １に記載の非メタル基板の切断方法。
  11. 【請求項１１】非メタル基板に設定された切断経路を加
    熱して前記切断経路上にスクライブラインが形成される
    ように第１レーザビームを照射し、及び前記第１レーザ
    ビームと所定距離離隔されて前記第１レーザビームの照
    射経路に沿って一つのビームパターンが形成されるよう
    に第２レーザビームを照射するレーザビーム発生手段
    と、及び前記第１レーザビームと前記第２レーザビーム
    との間の前記切断経路上に冷却流体ビームを噴射してク
    ラックを発生させる冷却手段を具備することを特徴とす
    る非メタル基板の切断装置。
  12. 【請求項１２】前記第２レーザビームは前記非メタル基
    板の溶融点以下の温度を有することを特徴とする請求項
    １１に記載の非メタル基板の切断装置。
  13. 【請求項１３】前記レーザビーム発生手段は前記第１及
    び第２レーザビームを生成するレーザソースを含むこと
    を特徴とする請求項１１に記載の非メタル基板の切断装
    置。
  14. 【請求項１４】前記第１レーザビームの幅は前記第２レ
    ーザビームの幅よりは小さくて、前記冷却流体ビームの
    幅は前記第１レーザビームの幅より小さいことを特徴と
    する請求項１１に記載の非メタル基板の切断装置。
  15. 【請求項１５】前記第１レーザビームの幅は５ｍｍ未満
    であり、前記第２レーザビームの幅は第１レーザビーム
    の幅より大きくて２０ｍｍよりは小さいことを特徴とす
    る請求項１１に記載の非メタル基板の切断装置。
  16. 【請求項１６】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０より大きいことを特徴とする請求項１
    １に記載の非メタル基板の切断装置。
  17. 【請求項１７】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ームの距離は２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求
    項１６に記載の非メタル基板の切断装置。
  18. 【請求項１８】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０より小さいことを特徴とする請求項１
    １に記載の非メタル基板の切断装置。
  19. 【請求項１９】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０であることを特徴とする請求項１１に
    記載の非メタル基板の切断装置。
  20. 【請求項２０】前記第２レーザビームの深さは前記第１
    レーザビームの深さより小さいことを特徴とする請求項
    １１に記載の非メタル基板の切断装置。
  21. 【請求項２１】前記第２レーザビームは楕円形や円形で
    形成されるビームパターンに照射されることを特徴とす
    る請求項１１に記載の非メタル基板の切断装置。
  22. 【請求項２２】非メタル基板に設定された切断経路を加
    熱して前記切断経路上にスクライブラインが形成される
    ように第１レーザビームを照射し、及び前記第１レーザ
    ビームと所定距離離隔されて前記スクライブライン上に
    第２レーザビームを照射するレーザビーム発生手段と、
    及び前記第１レーザビームと前記第２レーザビームとの
    間の前記切断経路上に冷却流体ビームを噴射してクラッ
    クを発生させる冷却手段を具備することを特徴とする非
    メタル基板の切断装置。
  23. 【請求項２３】前記第２レーザビームは前記非メタル基
    板の溶融点以下の温度を有することを特徴とする請求項
    ２２に記載の非メタル基板の切断装置。
  24. 【請求項２４】前記レーザビーム発生手段は前記第１及
    び第２レーザビームを生成するレーザソースを含むこと
    を特徴とする請求項２２に記載の非メタル基板の切断装
    置。
  25. 【請求項２５】前記第１レーザビームの幅は前記第２レ
    ーザビームの幅よりは小さくて、前記冷却流体ビームの
    幅は前記第１レーザビームの幅より小さいことを特徴と
    する請求項２２に記載の非メタル基板の切断装置。
  26. 【請求項２６】前記第１レーザビームの幅は５ｍｍ未満
    であり、前記第２レーザビームの幅は第１レーザビーム
    の幅より大きくて２０ｍｍよりは小さいことを特徴とす
    る請求項２２に記載の非メタル基板の切断装置。
  27. 【請求項２７】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０より大きいことを特徴とする請求項２
    ２に記載の非メタル基板の切断装置。
  28. 【請求項２８】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ームの距離は２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求
    項２７に記載の非メタル基板の切断装置。
  29. 【請求項２９】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０より小さいことを特徴とする請求項２
    ２に記載の非メタル基板の切断装置。
  30. 【請求項３０】前記冷却流体ビームと前記第１レーザビ
    ーム間の距離が０であることを特徴とする請求項２２に
    記載の非メタル基板の切断装置。
  31. 【請求項３１】前記第２レーザビームの深さは前記第１
    レーザビームの深さより小さいことを特徴とする請求項
    ２２に記載の非メタル基板の切断装置。
  32. 【請求項３２】前記第２レーザビームは楕円形や円形で
    形成されるビームパターンに照射されることを特徴とす
    る請求項２２に記載の非メタル基板の切断装置。
JP2001084508A 2000-10-21 2001-03-23 レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置 Expired - Lifetime JP3787073B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000062131A KR100673073B1 (ko) 2000-10-21 2000-10-21 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
KR2000-62131 2000-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002144067A true JP2002144067A (ja) 2002-05-21
JP3787073B2 JP3787073B2 (ja) 2006-06-21

Family

ID=19694742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001084508A Expired - Lifetime JP3787073B2 (ja) 2000-10-21 2001-03-23 レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6541730B2 (ja)
JP (1) JP3787073B2 (ja)
KR (1) KR100673073B1 (ja)
CN (1) CN1196562C (ja)
TW (1) TWI251519B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003008352A1 (en) * 2001-07-18 2003-01-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Device and method for scribing fragile material substrate
WO2003026861A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Procede pour ecrire sur un substrat de materiau friable et pointe a tracer
WO2004002705A1 (ja) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法
WO2004014625A1 (ja) * 2002-08-09 2004-02-19 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
JP2005263623A (ja) * 2004-03-13 2005-09-29 Schott Ag 脆い材料から製造された湾曲基板の自由形態切断方法
JP2008183599A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
JP2008246808A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
JP2009066613A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の分断装置および分断方法
JP2013136075A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136069A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置
JP2013136073A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
SG139508A1 (en) * 2001-09-10 2008-02-29 Micron Technology Inc Wafer dicing device and method
KR100794284B1 (ko) * 2001-09-29 2008-01-11 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법
SG102639A1 (en) * 2001-10-08 2004-03-26 Micron Technology Inc Apparatus and method for packing circuits
JP4408607B2 (ja) * 2002-06-11 2010-02-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法及びスクライブ装置
SG142115A1 (en) 2002-06-14 2008-05-28 Micron Technology Inc Wafer level packaging
AU2003247104A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of breaking a brittle substrate
JP4373922B2 (ja) * 2002-11-06 2009-11-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブライン形成装置及びスクライブライン形成方法
US6972391B2 (en) * 2002-11-21 2005-12-06 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of annular passive components
TWI248920B (en) * 2003-03-21 2006-02-11 Rorze Systems Corp Apparatus for cutting glass plate
SG119185A1 (en) 2003-05-06 2006-02-28 Micron Technology Inc Method for packaging circuits and packaged circuits
JP2005252196A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4440036B2 (ja) * 2004-08-11 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
CN1323817C (zh) * 2004-12-22 2007-07-04 孙春雨 一种能控制切割深度的刀轮
US20070039990A1 (en) * 2005-05-06 2007-02-22 Kemmerer Marvin W Impact induced crack propagation in a brittle material
JP2007067082A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの穿孔方法
CN100482398C (zh) * 2005-09-30 2009-04-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 激光切割装置与方法
KR100737705B1 (ko) * 2005-10-28 2007-07-10 케이 이엔지(주) 야그 레이저를 이용한 액정 패널의 초기 크랙 형성 장치 및 이를 이용한 액정 패널의 제조 방법
US20070138228A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Brown James W Method and apparatus for finishing a glass sheet
KR100972488B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 레이저를 이용한 액정표시소자 절단장치 및 절단방법, 이를이용한 액정표시소자 제조방법
JP4851795B2 (ja) * 2006-01-13 2012-01-11 株式会社ディスコ ウエーハの分割装置
KR100722961B1 (ko) * 2006-04-05 2007-05-30 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
CN101121220A (zh) * 2006-08-11 2008-02-13 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 脆性材料基板切割方法
US20080041833A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nicholas Dominic Cavallaro Thermal tensioning during thermal edge finishing
TWI298280B (en) * 2006-09-06 2008-07-01 Nat Applied Res Laboratories Method for cutting non-metal material
US7982162B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-19 Corning Incorporated Method and apparatus for scoring and separating a brittle material with a single beam of radiation
US7971012B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-28 Pitney Bowes Inc. Mail processing computer automatic recovery system and method
TWI341242B (en) * 2007-07-31 2011-05-01 Nat Applied Res Laboratories Device for cutting brittle material
JP5345334B2 (ja) * 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
US20110300692A1 (en) * 2008-10-29 2011-12-08 Oerlikon Solar Ag, Trubbach Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation
KR20120004456A (ko) * 2009-03-20 2012-01-12 코닝 인코포레이티드 정밀 레이저 스코어링
US8622625B2 (en) * 2009-05-29 2014-01-07 Corning Incorporated Fiber end face void closing method, a connectorized optical fiber assembly, and method of forming same
JP2012016735A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Mitsubishi Materials Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR101262923B1 (ko) 2010-08-17 2013-05-09 주식회사 이오테크닉스 레이저를 이용한 스크라이빙 방법 및 스크라이빙 장치
US8887529B2 (en) 2010-10-29 2014-11-18 Corning Incorporated Method and apparatus for cutting glass ribbon
WO2012075097A1 (en) * 2010-11-30 2012-06-07 Corning Incorporated Methods for separating a sheet of brittle material
CN102627396A (zh) * 2011-06-14 2012-08-08 胡伟 一种玻璃/陶瓷深加工成型方法及成型设备
US8635887B2 (en) * 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
EP3166895B1 (en) 2014-07-08 2021-11-24 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
JP6788571B2 (ja) 2014-07-14 2020-11-25 コーニング インコーポレイテッド 界面ブロック、そのような界面ブロックを使用する、ある波長範囲内で透過する基板を切断するためのシステムおよび方法
WO2016010949A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
EP3552753A3 (en) 2014-07-14 2019-12-11 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
US10335902B2 (en) 2014-07-14 2019-07-02 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
DE102014213775B4 (de) * 2014-07-15 2018-02-15 Innolas Solutions Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen, kristallinen Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
EP3708548A1 (en) 2015-01-12 2020-09-16 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multiphoton absorption method
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
GB201505042D0 (en) * 2015-03-25 2015-05-06 Nat Univ Ireland Methods and apparatus for cutting a substrate
JP2018516215A (ja) 2015-03-27 2018-06-21 コーニング インコーポレイテッド 気体透過性窓、および、その製造方法
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
EP3319911B1 (en) 2015-07-10 2023-04-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
CN107849631B (zh) * 2015-07-28 2021-12-28 杰富意钢铁株式会社 线状槽形成方法及线状槽形成装置
JP6124425B1 (ja) * 2015-10-26 2017-05-10 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置整流装置およびレーザ処理装置
WO2017192835A1 (en) 2016-05-06 2017-11-09 Corning Incorporated Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
CN109803934A (zh) 2016-07-29 2019-05-24 康宁股份有限公司 用于激光处理的装置和方法
WO2018044843A1 (en) 2016-08-30 2018-03-08 Corning Incorporated Laser processing of transparent materials
US10730783B2 (en) 2016-09-30 2020-08-04 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
EP3848333A1 (en) 2016-10-24 2021-07-14 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
CN109732223A (zh) * 2019-01-30 2019-05-10 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆片切割的装置
CN110625267A (zh) * 2019-08-22 2019-12-31 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种加工蓝宝石衬底led晶圆的方法及激光装置
KR20210132772A (ko) 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111299866B (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 佛山市联动科技股份有限公司 晶圆片的激光全切割方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5290274A (en) * 1992-06-16 1994-03-01 Laser Medical Technology, Inc. Laser apparatus for medical and dental treatments
JPH07323382A (ja) * 1994-06-02 1995-12-12 Souei Tsusho Kk 割断加工方法
KR100300418B1 (ko) * 1999-01-18 2001-09-22 김순택 비금속 재료의 절단방법 및 그 장치
KR100300417B1 (ko) * 1999-01-18 2001-09-22 김순택 투명도전막이 형성된 유리의 절단장치
JP2000233936A (ja) * 1999-02-10 2000-08-29 Mitsuboshi Diamond Kogyo Kk ガラス切断装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003008352A1 (en) * 2001-07-18 2003-01-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Device and method for scribing fragile material substrate
US7772522B2 (en) 2001-09-21 2010-08-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for scribing substrate of brittle material and scriber
WO2003026861A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Procede pour ecrire sur un substrat de materiau friable et pointe a tracer
WO2004002705A1 (ja) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法
WO2004014625A1 (ja) * 2002-08-09 2004-02-19 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
CN1298523C (zh) * 2002-08-09 2007-02-07 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的划线方法及划线装置
JP2005263623A (ja) * 2004-03-13 2005-09-29 Schott Ag 脆い材料から製造された湾曲基板の自由形態切断方法
JP2008183599A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
JP2008246808A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
JP2009066613A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の分断装置および分断方法
KR101211427B1 (ko) * 2007-09-11 2012-12-12 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성재료기판의 절단장치 및 절단방법
JP2013136075A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136069A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置
JP2013136073A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置
CN109553289B (zh) * 2017-09-27 2022-12-16 塔工程有限公司 基板切割装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020031573A (ko) 2002-05-02
US6541730B2 (en) 2003-04-01
CN1349875A (zh) 2002-05-22
KR100673073B1 (ko) 2007-01-22
US20020046997A1 (en) 2002-04-25
JP3787073B2 (ja) 2006-06-21
CN1196562C (zh) 2005-04-13
TWI251519B (en) 2006-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002144067A (ja) レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置
KR100701013B1 (ko) 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP4394354B2 (ja) 非金属基板の切断方法及び装置
JP2019064916A (ja) 透明及び半透明な基板をレーザ切断する方法及び装置
US20080035617A1 (en) Method for processing brittle substrates without micro-cracks
JP4414473B2 (ja) 切断方法
JP2005086111A (ja) 半導体基板の切断方法
WO2006101091A1 (ja) レーザ加工方法
JP2008056507A (ja) 貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法
US7015118B2 (en) Method for forming a scribe line on a semiconductor device and an apparatus for forming the scribe line
JP2003117921A (ja) 非金属基板切断方法
JP2011000605A (ja) 脆性材料基板の割断方法
WO2004014625A1 (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
JP5969214B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2004035315A (ja) 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置
KR100659931B1 (ko) 레이저를 이용한 기판 절단 장치 및 그 방법
JPH06326337A (ja) レーザ加工装置
JP4432103B2 (ja) 板状部材の分割方法及び分割装置
KR100371011B1 (ko) 비금속 재료의 절단방법 및 절단장치
JP2008062547A (ja) レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。
KR100631304B1 (ko) 레이저 빔을 이용한 유리기판 절단 장치 및 그 방법
KR100822198B1 (ko) 비금속 재료의 절단 장치 및 절단 방법
JP2006150642A (ja) セル及びセルの製造方法
JP2009262408A (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法および装置
JP2013157449A (ja) 半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050427

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050506

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050721

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060105

TRDD Decision of grant or rejection written
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060314

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060323

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331

Year of fee payment: 8

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250