CN1349875A - 用激光束切割非金属衬底的方法和装置 - Google Patents

用激光束切割非金属衬底的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1349875A
CN1349875A CN01112150A CN01112150A CN1349875A CN 1349875 A CN1349875 A CN 1349875A CN 01112150 A CN01112150 A CN 01112150A CN 01112150 A CN01112150 A CN 01112150A CN 1349875 A CN1349875 A CN 1349875A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser beam
cutting
width
cold fluid
route
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01112150A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1196562C (zh
Inventor
南亨佑
秋大镐
全栢均
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1349875A publication Critical patent/CN1349875A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1196562C publication Critical patent/CN1196562C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0736—Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

一种切割非金属衬底的装置和方法。一个激光束产生装置向在衬底内的切割路线产生第一激光束用来加热切割路线,形成一划痕线。激光束产生装置还产生第二激光束,它与第一激光束间隔一预定距离,沿第一激光束的发射路线形成一光栅。一冷却装置将一冷流体束施加在切割路线上形成一个裂缝,用一光栅切割非金属衬底,所以使光学系统简单化。在划痕线中产生一个大的张力,立刻完全切割厚的非金属衬底。

Description

用激光束切割非金属衬底 的方法和装置
本发明涉及一种用以将非金属材料制成的平面型非金属衬底精确地切割为若干片的方法和装置，非金属衬底比如是玻璃或硅。更具体地说，本发明涉及一种用来切割非金属衬底的方法和装置，其中，在一个切割路线内产生一个切割激光束，切割激光束沿着激光束划线切割由如玻璃或硅的非金属材料制成的非金属衬底，以便沿着预定的切割路线精确地切割非金属衬底。
最近，随着半导体薄膜制造技术的发展，用来制造高集成和高性能半导体产品的半导体工业不断前进。在半导体产品中，好几万个半导体器件通过薄膜制造程序被集成在一个高纯度的衬底上。与晶片有关的衬底由单晶体硅制成，单晶体硅是一种非金属材料。半导体产品储存数字信号形式的数据，并且在瞬间用算术处理储存的数据。
另外，作为半导体工业的一个应用，液晶显示(LCD)技术迅速发展起来，该技术是通过在一个数据处理单元将被处理的模拟信号转换为一个数字信号来显示一个图像。在液晶显示装置中，液晶分子充满两个透明衬底之间。液晶显示装置通过将一电场加在液晶分子上将液晶分子的排列变为某一特定的排列。通过改变液晶分子的排列，液晶元件的光学特性比如双折射、拱极化(circumpolarization)、二色性和光散射等特性被改变，从而以不同方式显示图像。
半导体装置和液晶显示装置通常形成在非金属衬底上，比如高纯度的硅衬底或玻璃衬底上。虽然非金属衬底防止外部撞击的能力较差，但是非金属衬底有以下优点：形成于晶片或玻璃衬底上的若干半导体小片或若干晶体单元可以容易地切成单个半导体小片或晶体单元。
在半导体器件的情形下，好几百个半导体小片同时在一个晶片上形成。然后，由切割程序单独切割半导体小片。之后，根据半导体小片完成包装过程从而形成半导体产品。
在液晶显示装置的情形下，在用做母板的玻璃衬底上同时形成至少两个LCD晶体单元。然后，由切割程序从母板上切割LCD晶体单元后，再执行一个装配过程。
这时，由于切割程序几乎是制造工序中的最终步骤，因此，如果失误即切割错误发生在切割程序中，产品的成品率就会下降。具体地说，用在液晶显示装置中的母板由玻璃制成，所以母板没有晶体结构。因而，母板比硅晶片脆。为了这个原因，如果切割过程中在母板的边缘部位形成一个细小裂纹，应力就会沿细小裂纹增大，从而当进行后面的切割过程时就会切割母板的不希望的部分。
通常，金刚石刀片与切割路线接触以便沿切割路线在衬底上形成预定深度的划痕线，在金刚石刀片中，将精细的金刚石固定在盘的周边部分上并且使金刚石刀片高速旋转。然后，从外部冲击衬底，以便沿划痕线出现一个裂纹。从而从晶片或玻璃母板上切割出半导体小片或LCD晶体单元。
当用金刚石刀片执行切割程序时，在晶片或玻璃母板上要留出预定的切割边缘，所以如果不是精确执行切割程序，则从晶片上得到的半导体小片的数量受到限制。
在液晶显示装置的情形下，对由金刚石刀片切割的切割平面进行粗加工，以便应力集中在切割平面上。因此，当从外部冲击切割平面时，就会在切割平面内形成裂纹和碎片部分。
另外，金刚石刀片产生许多玻璃颗粒，所以需要单独的清洁和干燥程序以清除这些玻璃颗粒。
为了解决上述问题，已经开发了各种采用激光束的切割方法和装置。例如，美国专利号4467168公开了一种用激光的切割方法和一种用激光制造物品的方法。另外，美国专利号4682003公开了一种用激光束切割玻璃的方法，美国专利号5622540公开了一种切割玻璃衬底的方法。
图1示出一种传统的用激光束切割玻璃衬底的装置。
参考图1，激光束1沿玻璃母板2的切割路线3发射，以便迅速加热切割路线3。然后，温度大大低于被加热玻璃母板2的温度的冷流体束4沿切割路线3发射，以便利用玻璃母板2的迅速膨胀和收缩而引起的张力沿切割路线3切割玻璃母板2。
图1所示的切割装置可以立即切割较薄的玻璃母板。近来，要求液晶显示装置有大的尺寸，这样也就增加了玻璃母板的表面积和厚度。具体地说，现有玻璃母板的厚度超过0.5mm。因此，为了立即切割厚度超过0.5mm的玻璃母板，就要求激光束1有非常高的能量值。
当发射在玻璃母板2上的激光束1的能量值增加时，玻璃母板2的切割路线3与切割路线3周围部分之间的温差大大增加。因此，在冷流体束4冷却切割路线2之前，在玻璃母板2的局部产生裂纹，在该局部母板中的温差大大增加，这样可以切割到玻璃母板2的不希望的部分。
为了解决上述问题，已经开发出一种不用高能量激光束切割玻璃衬底的装置。该切割装置如图2所示。
参考图2，为了迅速加热切割路线12，沿玻璃母板10的切割路线12发射划痕线激光束13。然后，沿切割路线12施加温度大大低于被加热的玻璃母板10的温度的冷流体束14。然后，迅速冷却玻璃母板10，这样在玻璃母板10的表面上形成预定深度的裂纹，从而形成划痕线15。之后，在划痕线15周围迅速加热玻璃母板10的两侧。因此，玻璃母板10的两侧迅速膨胀，从而在划痕线15处产生巨大的张力。结果，沿划痕线15完全切割玻璃母板10。
根据图2所示的切割装置，即使当被加热的切割路线12与被冷却的切割路线12之间的温差不很大时，也可以形成划痕线15。另外，由于剪切应力随划痕线15与划痕线15周边部分之间的温差增加而增加，所以切割装置可以立即切割较厚的玻璃母板。
但是，由于图2所示的切割装置在发射冷流体束后用至少两个光栅切割玻璃母板，所以要求调节光栅的量和强度。另外，为了线性切割玻璃母板就必须对称调节光栅。而对称调节光栅需要许多时间。另外，由于激光束必须形成至少两个光栅，所以需要一个独立装置例如分光器，这样就使光学系统复杂化。
因此，本发明的第一个目的是提供一种用结构简单的光学系统切割玻璃或硅制成的非金属衬底的方法。
本发明的第二个目的是为合适地执行该切割方法的装置。
为了实现本发明的第一个目的，提供一种切割非金属衬底的方法，该方法包括下列步骤。
通过向非金属衬底上预先确定的切割路线发射第一激光束迅速加热该切割路线的第一区。通过向被加热的切割路线施加冷流体束形成一个深度预定的划痕线。然后，通过沿第一激光束的发射路线发射第二激光束迅速加热该划痕线，从而完全切割非金属衬底。
为了实现本发明的第二个目的，提供一种切割非金属衬底的装置，该装置包括一个向非金属衬底内形成的切割路线上产生第一激光束并且用来产生第二激光束的第一装置，第一激光束用来加热切割路线，以便在切割路线上形成一划痕线，第二激光束与第一激光束相隔一预定距离，以这样一种方式，即沿第一激光束的发射路线形成一个光栅。第二装置通过将冷流体束施加在切割路线上形成一个裂纹，该切割路线形成于第一激光束和第二激光束之间。
为了实现本发明的第二个目的，根据本发明的另一个实施例，这里提供一种切割非金属衬底的装置，该装置包括一个第一装置，该第一装置向非金属衬底内形成的切割路线上产生第一激光束，加热切割路线以便在切割路线上形成一划痕线以及向该划痕线上产生第二激光束，该第二激光束与第一激光束保持一个预定距离。第二装置通过将冷流体束施加在切割路线上形成一个裂纹，该切割路线形成于第一激光束和第二激光束之间。
根据本发明，在施加冷流体束后，用一个光栅切割非金属衬底，所以简化了光学系统。另外，减小了调节光栅和激光强度的时间。
本发明的上述目的和其他优点通过参考附图对最佳实施例的详细说明而变得更加清楚，其中：
图1是一个用激光束切割玻璃衬底的传统装置示意图；
图2是另一个用激光束切割玻璃衬底的传统装置示意图；
图3是根据本发明一个实施例的玻璃衬底切割装置的切割机理示意图；
图4是由图3所示的切割激光束引起的在玻璃衬底中的热分布简图；
图5A-5C是表示切割激光束的各种光栅的平面图。
下面结合附图描述本发明的优选实施例。
图3是根据本发明一个实施例的玻璃衬底切割装置的切割机理示意图。
参考图3，玻璃衬底切割装置有一个用来产生加热玻璃母板100的切割路线200的激光束的激光束产生装置110，一个为在玻璃母板100上沿切割路线(Y-轴方向)形成一裂纹而将一冷流体束作用在被加热玻璃母板100上的冷却装置120，和用来相对于玻璃母板100传送激光束产生装置110和冷却装置120的传送装置(未示)。
具体地说，激光束产生装置110包括用来产生划痕线激光束130的第一激光束产生装置140和用来产生切割激光束150的第二激光束产生装置160。第一激光束产生装置140和第二激光束产生装置150分别有一个激光源。可选择的是，可以用一个分光器将从一个激光源产生的激光束分开。
第一激光束产生装置140产生的划痕线激光束130有一个长椭圆形状的光栅，该椭圆有一主轴和一副轴。当划痕线激光束130的主轴与玻璃母板100的切割路线200对齐时，将划痕线激光束130发射进玻璃母板100中。
第二激光束产生装置160产生的切割激光束150与划痕线激光束130保持距离并沿划痕线激光束130的发射路线发射进玻璃母板100内。切割激光束150最好也有一个长椭圆形状的光栅，该椭圆有一主轴和一副轴。当切割激光束150的主轴与玻璃母板100的切割路线200对齐时，将切割激光束150发射进玻璃母板100中。这时，切割激光束150的温度低于或等于玻璃母板100的熔点。
另外，切割激光束150的宽度(x2)大于划痕线激光束130的宽度(x1)。具体地说，划痕线激光束130的宽度(x1)不超过5mm，切割激光束150的宽度(x2)大于划痕线激光束130的宽度(x1)并且不超过20mm。
切割激光束150的深度(z2)浅于划痕线激光束130的深度(z1)。激光束的深度意味着单位面积的激光束强度。因此，划痕线激光束130必须深而窄地发射到玻璃母板100上以便在切割路线200上形成裂纹。另一方面，切割激光束150必须浅而宽地发射到玻璃母板100上，以这样一种方式，即不会在玻璃母板100上形成不想要的裂纹。
图4示出在玻璃母板100内由切割激光束150引起的热分布。
参照图4，切割激光束150发射到一划痕线210上，该划痕线由划痕线激光束130和一冷流体束170在切割路线200内形成。因此，切割激光束150对划痕线210产生一巨大的张力。同时，由于切割激光束150直接照在划痕线210上面，所以如果划痕线210被加热到玻璃熔点之上，裂纹部分就会粘结。因此，切割激光束的温度低于玻璃的熔点。
图5A到5C是表示切割激光束150的各种光栅的平面图。
图5A表示的是垂直椭圆形状的光栅。该光栅适合用来增加切割速度至约150mm/sec。
图5B表示的是圆形形状的光栅以及图5C表示的是水平椭圆形状的光栅。图5B和5C中的光栅适合用来增加切割精度。
由于切割激光束150只形成一个光栅，所以用一个圆柱形透镜可以转换激光束的轮廓，在透镜中一个凹镜和一个凸镜相互配合，这样就不需要一个像分光镜一样的额外透镜。因此，可以简化光学系统。
例如，在一个圆柱形的透镜中，透镜的上表面有一个激光束入射在其中的凹透镜，透镜的下表面有一个凸透镜，如果有圆点形状的激光束被入射进凹透镜中，则激光束的形状被转换为长椭圆形状。然后，如果已转换的激光束穿过凸透镜，则椭圆的副轴被进一步缩短而主轴被进一步拉长。
冷却装置120将冷流体束170作用在切割路线200上，该切割路线在划痕线激光束130和切割激光束150之间形成。冷流体束170为圆点状并且利用冷却水或低温冷却气体，比如包括液氦、氮和氩的低温惰性气体。另外，为了实现优良的冷却效果，可以同时使用冷却水和冷却气体。冷流体束170的宽度(x3)最好小于划痕线激光束130的宽度(x1)。
这时，冷流体束170的位置对于立即切割厚玻璃母板100来讲非常重要。
图3中，冷流体束170被安置在与划痕线激光束130主轴的下端的距离为L1的位置处，并且与切割激光束150主轴的上端的距离为L2。
冷流体束170在由划痕线激光束130加热的切割路线200上引起裂纹，从而在假设的(想象的)切割路线上形成划痕路线210。当在切割路线200上形成划痕线210时，切割激光束150发射进划痕线210中。因此，在划痕线210中产生一个大的张力，这样可以完全沿着划痕线210切割玻璃母板100。
这时，如果冷流体束170的位置偏向划痕线激光束130，即，如果距离L2大于距离L1，则由划痕线激光束130加热的玻璃母板100的温度迅速被冷却下来以便容易形成划痕线210。因此，最好将冷流体束170施加在与划痕线激光束130的主轴的低端(即L1＝0)接触的那一部分，或者施加在位置仅低于划痕线激光束130的主轴的低端的那一部分(即L1＞0)。可选择的，冷却的流体激光束170可以施加在划痕激光束30的一个区域上(即L1＜0)。以这种方式把冷流体束170施加到玻璃母板100上后，则通过迅速加热和迅速冷却就使玻璃母板100的局部温差达到最大。
另外，最好使冷流体束170和切割激光束50之间尽可能形成最短的距离L2。随着距离L2变短，由切割激光束150加热的切割路线210与其周围部分之间的温差加大，从而也增加了剪切应力。因此，能够方便迅速地完全切割厚玻璃母板100。
虽然切割激光束150和冷流体束170可以根据切割速度和其他条件而变化，但最好让切割激光束150和冷流体束170相互邻近地形成。最好将冷流体束170和切割激光束150之间的距离L2保持在25mm以下。例如，当切割速度为200到250mm/sec时，距离L2被设置为16mm。
在下文中，将要描述一种用来利用图3所示的切割装置切割玻璃母板100的方法。
首先，划痕线激光束130沿切割路线200发射到玻璃母板100上，从而迅速加热切割路线200的第一区。然后沿划痕线激光束130施加冷却气体、冷却水、或其混合物，因此迅速冷却切割路线200。即将冷流体束170加在切割路线200的紧邻第一区的第二区或加在切割路线200的第三区，该区以预先确定的距离与第一区隔开。可替换地，可以将冷流体束170加在形成于切割路线200的第一区内的第四区。
因此，如图3所示，被划痕线激光束130加热的玻璃母板100被冷流体束170迅速冷却，从而在玻璃母板100的表面上产生深度预定的裂纹，并且沿切割路线200形成划痕线210。
当沿切割路线200移动划痕线激光束130和冷流体束170时，切割激光束150沿切痕线激光束130的发射路线发射到玻璃母板100上，从而再一次迅速加热划痕线210。这时，切割激光束150仅发射在划痕线210上面。
通过将切割激光束150正好发射在划痕线210上面，则在形成有裂纹的划痕线210内产生巨大的张力，因此，裂纹沿划痕线210线性延伸到玻璃母板100的下侧，从而完全切割玻璃母板100。
如上所述，根据本发明，在沿划痕线施加冷流体束之后，用一光栅切割玻璃母板，可以减小调节光栅尺寸和光束强度的时间。另外，由于利用一个如分光镜的光学透镜而不用增加透镜来形成一个光栅，从而简化了光学系统。另外，通过将切割激光束直接发射进入划痕线而在划痕线内产生巨大张力，所以可以立即完全切割厚玻璃母板。
虽然已经详细描述了本发明，但应当理解的是，可以进行各种变化、替代和改变而不背离下面权利要求限定的本发明的精神和范围。

Claims (32)

1.一种切割非金属衬底的方法，包括步骤：
i)通过向非金属衬底上预先确定的切割路线发射第一激光束迅速加热该切割路线的第一区；
ii)通过向被加热的切割路线发射冷流体束形成一个深度预先确定的划痕线；和
iii)通过沿第一激光束的发射路线发射第二光束迅速加热该划痕线，从而完全切割非金属衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二激光束仅发射在划痕线上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二激光束的温度低于非金属衬底的熔点。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一激光束的宽度小于第二激光束的宽度，冷流体束的宽度小于第一激光束的宽度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一激光束的宽度小于5mm，第二激光束的宽度大于第一激光束的宽度并且小于20mm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷流体束发射在切割路线的第二区，第二区与切割路线的第一区相邻。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷流体束施加在切割路线的第三区上，第三区与切割路线的第一区间隔一预定距离。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，冷流体束和第一激光束之间的距离不大于25mm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷流体束发射在切割路线的第四区上，该区位于第一区的内部，第一激光束发射在第一区。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，发射第二激光束以便有一个圆形形状或椭圆形状。
11.一种切割非金属衬底的装置，包括：
一个第一装置，该装置用来向非金属衬底内形成的切割路线上产生第一激光束以及用来产生第二激光束，第一激光束用来加热切割路线，以便在切割路线上形成一划痕线，第二激光束与第一激光束相隔一预定距离，以这样一种方式即，沿第一激光束的发射路线形成一个光栅；和
一个第二装置，该装置通过将冷流体束施加到在第一激光束和第二激光束之间形成的切割路线上而形成一个裂纹。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第二激光束的温度低于非金属衬底的熔点。
13.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第一装置包括一个用来产生第一和第二激光束的激光源。
14.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第一激光束的宽度小于第二激光束的宽度，冷却激光束的宽度小于第一激光束的宽度。
15.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第一激光束的宽度小于5mm，第二激光束的宽度大于第一激光束的宽度并且小于20mm。
16.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第一激光束与冷流体束之间的距离大于0。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，第一激光束与冷流体束之间的距离不大于25mm。
18.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，冷流体束与第一激光束之间的距离小于0。
19.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，冷流体束与第一激光束之间的距离等于0。
20.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第二激光束的深度比第一激光束的深度浅。
21.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，第二激光束为圆形或椭圆形。
22.一种切割非金属衬底的装置，包括：
一个第一装置，该装置用来向非金属衬底内形成的切割路线上产生第一激光束，以加热该切割路线，以便在该切割路线上形成一划痕线，以及用来向该划痕线上产生第二激光束，该第二激光束与第一激光束保持一个预定距离；和
一个第二装置，用来通过将冷流体束施加到该在第一激光束和第二激光束之间形成的切割路线上面而形成一个裂纹。
23.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第二激光束的温度低于非金属衬底的熔点。
24.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第一装置包括一个用来产生第一和第二激光束的激光源。
25.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第一激光束的宽度小于第二激光束的宽度，冷却激光束的宽度小于第一激光束的宽度。
26.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第一激光束的宽度不大于5mm，第二激光束的宽度大于第一激光束的宽度并且不大于20mm。
27.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第一激光束与冷流体束之间的距离大于0。
28.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，第一激光束与冷流体束之间的距离不大于25mm。
29.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，冷流体束与第一激光束之间的距离小于0。
30.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，冷流体束与第一激光束之间的距离等于0。
31.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第二激光束的深度比第一激光束的深度浅。
32.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，第二激光束为圆形或椭圆形。
CNB011121505A 2000-10-21 2001-03-30 用激光束切割非金属衬底的方法和装置 Expired - Fee Related CN1196562C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR62131/2000 2000-10-21
KR1020000062131A KR100673073B1 (ko) 2000-10-21 2000-10-21 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
KR62131/00 2000-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1349875A true CN1349875A (zh) 2002-05-22
CN1196562C CN1196562C (zh) 2005-04-13

Family

ID=19694742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011121505A Expired - Fee Related CN1196562C (zh) 2000-10-21 2001-03-30 用激光束切割非金属衬底的方法和装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6541730B2 (zh)
JP (1) JP3787073B2 (zh)
KR (1) KR100673073B1 (zh)
CN (1) CN1196562C (zh)
TW (1) TWI251519B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323817C (zh) * 2004-12-22 2007-07-04 孙春雨 一种能控制切割深度的刀轮
CN100404192C (zh) * 2002-11-21 2008-07-23 圣明纳-Sci公司 用于电阻器的激光微调的方法和系统
CN100431108C (zh) * 2002-06-11 2008-11-05 三星钻石工业股份有限公司 划线方法和划线装置
CN100482398C (zh) * 2005-09-30 2009-04-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 激光切割装置与方法
CN101000864B (zh) * 2006-01-13 2010-08-11 株式会社迪斯科 晶片的分割方法和晶片的分割装置
CN102627396A (zh) * 2011-06-14 2012-08-08 胡伟 一种玻璃/陶瓷深加工成型方法及成型设备
CN101602230B (zh) * 2002-11-06 2015-06-10 三星钻石工业股份有限公司 划线形成方法
CN107787260A (zh) * 2015-03-25 2018-03-09 爱尔兰戈尔韦国立大学 切割基板的方法及装置
CN108349044A (zh) * 2015-10-26 2018-07-31 株式会社日本制钢所 激光处理装置整流装置及激光处理装置
CN109732223A (zh) * 2019-01-30 2019-05-10 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆片切割的装置
CN110625267A (zh) * 2019-08-22 2019-12-31 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种加工蓝宝石衬底led晶圆的方法及激光装置
CN111299866A (zh) * 2020-05-15 2020-06-19 佛山市联动科技股份有限公司 晶圆片的激光全切割方法

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
CN1264768C (zh) * 2001-07-18 2006-07-19 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基片的划线装置以及划线方法
SG139508A1 (en) * 2001-09-10 2008-02-29 Micron Technology Inc Wafer dicing device and method
TW568809B (en) 2001-09-21 2004-01-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method for scribing substrate of brittle material and scriber
KR100794284B1 (ko) * 2001-09-29 2008-01-11 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법
SG102639A1 (en) * 2001-10-08 2004-03-26 Micron Technology Inc Apparatus and method for packing circuits
SG142115A1 (en) * 2002-06-14 2008-05-28 Micron Technology Inc Wafer level packaging
WO2004002705A1 (ja) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法
TWI277612B (en) * 2002-08-09 2007-04-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method and device for scribing fragile material substrate
WO2004018144A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of breaking a brittle substrate
JP4337059B2 (ja) * 2003-03-21 2009-09-30 ローツェ システムズ コーポレーション ガラス板切断装置
SG119185A1 (en) * 2003-05-06 2006-02-28 Micron Technology Inc Method for packaging circuits and packaged circuits
JP2005252196A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
DE102004012402B3 (de) * 2004-03-13 2005-08-25 Schott Ag Verfahren zum Freiformschneiden von gewölbten Substraten aus sprödbrüchigem Material
JP4440036B2 (ja) * 2004-08-11 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US20070039990A1 (en) * 2005-05-06 2007-02-22 Kemmerer Marvin W Impact induced crack propagation in a brittle material
JP2007067082A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの穿孔方法
KR100737705B1 (ko) * 2005-10-28 2007-07-10 케이 이엔지(주) 야그 레이저를 이용한 액정 패널의 초기 크랙 형성 장치 및 이를 이용한 액정 패널의 제조 방법
US20070138228A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Brown James W Method and apparatus for finishing a glass sheet
KR100972488B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 레이저를 이용한 액정표시소자 절단장치 및 절단방법, 이를이용한 액정표시소자 제조방법
KR100722961B1 (ko) * 2006-04-05 2007-05-30 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
CN101121220A (zh) * 2006-08-11 2008-02-13 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 脆性材料基板切割方法
US20080041833A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nicholas Dominic Cavallaro Thermal tensioning during thermal edge finishing
TWI298280B (en) * 2006-09-06 2008-07-01 Nat Applied Res Laboratories Method for cutting non-metal material
JP2008183599A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
JP2008246808A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Japan Steel Works Ltd:The 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置
US7982162B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-19 Corning Incorporated Method and apparatus for scoring and separating a brittle material with a single beam of radiation
US7971012B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-28 Pitney Bowes Inc. Mail processing computer automatic recovery system and method
TWI341242B (en) * 2007-07-31 2011-05-01 Nat Applied Res Laboratories Device for cutting brittle material
JP5060880B2 (ja) * 2007-09-11 2012-10-31 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断装置および分断方法
JP5345334B2 (ja) * 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
WO2010048733A1 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation
US9302346B2 (en) * 2009-03-20 2016-04-05 Corning, Incorporated Precision laser scoring
US8622625B2 (en) * 2009-05-29 2014-01-07 Corning Incorporated Fiber end face void closing method, a connectorized optical fiber assembly, and method of forming same
JP2012016735A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Mitsubishi Materials Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR101262923B1 (ko) 2010-08-17 2013-05-09 주식회사 이오테크닉스 레이저를 이용한 스크라이빙 방법 및 스크라이빙 장치
TWI576320B (zh) 2010-10-29 2017-04-01 康寧公司 用於裁切玻璃帶之方法與設備
TW201231421A (en) * 2010-11-30 2012-08-01 Corning Inc Methods for separating a sheet of brittle material
US8635887B2 (en) * 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
JP5887929B2 (ja) * 2011-12-28 2016-03-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP5887928B2 (ja) * 2011-12-28 2016-03-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP5887927B2 (ja) * 2011-12-28 2016-03-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 分断装置
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) * 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
EP3169635B1 (en) 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
EP3169477B1 (en) 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
DE102014213775B4 (de) * 2014-07-15 2018-02-15 Innolas Solutions Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen, kristallinen Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
EP3848334A1 (en) 2015-03-24 2021-07-14 Corning Incorporated Alkaline earth boro-aluminosilicate glass article with laser cut edge
JP2018516215A (ja) 2015-03-27 2018-06-21 コーニング インコーポレイテッド 気体透過性窓、および、その製造方法
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
CN107835794A (zh) 2015-07-10 2018-03-23 康宁股份有限公司 在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品
MX2018001081A (es) * 2015-07-28 2018-05-07 Jfe Steel Corp Metodo de formacion de ranuras lineales y dispositivo de formacion de ranuras lineales.
EP3452418B1 (en) 2016-05-06 2022-03-02 Corning Incorporated Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
CN109803934A (zh) 2016-07-29 2019-05-24 康宁股份有限公司 用于激光处理的装置和方法
EP3507057A1 (en) 2016-08-30 2019-07-10 Corning Incorporated Laser processing of transparent materials
CN113399816B (zh) 2016-09-30 2023-05-16 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
KR102582734B1 (ko) * 2017-09-27 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
KR20210132772A (ko) 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5290274A (en) * 1992-06-16 1994-03-01 Laser Medical Technology, Inc. Laser apparatus for medical and dental treatments
JPH07323382A (ja) * 1994-06-02 1995-12-12 Souei Tsusho Kk 割断加工方法
KR100300418B1 (ko) * 1999-01-18 2001-09-22 김순택 비금속 재료의 절단방법 및 그 장치
KR100300417B1 (ko) * 1999-01-18 2001-09-22 김순택 투명도전막이 형성된 유리의 절단장치
JP2000233936A (ja) * 1999-02-10 2000-08-29 Mitsuboshi Diamond Kogyo Kk ガラス切断装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100431108C (zh) * 2002-06-11 2008-11-05 三星钻石工业股份有限公司 划线方法和划线装置
CN101602230B (zh) * 2002-11-06 2015-06-10 三星钻石工业股份有限公司 划线形成方法
CN100404192C (zh) * 2002-11-21 2008-07-23 圣明纳-Sci公司 用于电阻器的激光微调的方法和系统
CN1323817C (zh) * 2004-12-22 2007-07-04 孙春雨 一种能控制切割深度的刀轮
CN100482398C (zh) * 2005-09-30 2009-04-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 激光切割装置与方法
CN101000864B (zh) * 2006-01-13 2010-08-11 株式会社迪斯科 晶片的分割方法和晶片的分割装置
CN102627396A (zh) * 2011-06-14 2012-08-08 胡伟 一种玻璃/陶瓷深加工成型方法及成型设备
CN107787260A (zh) * 2015-03-25 2018-03-09 爱尔兰戈尔韦国立大学 切割基板的方法及装置
CN108349044A (zh) * 2015-10-26 2018-07-31 株式会社日本制钢所 激光处理装置整流装置及激光处理装置
CN109732223A (zh) * 2019-01-30 2019-05-10 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆片切割的装置
CN110625267A (zh) * 2019-08-22 2019-12-31 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种加工蓝宝石衬底led晶圆的方法及激光装置
CN111299866A (zh) * 2020-05-15 2020-06-19 佛山市联动科技股份有限公司 晶圆片的激光全切割方法
CN111299866B (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 佛山市联动科技股份有限公司 晶圆片的激光全切割方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020031573A (ko) 2002-05-02
KR100673073B1 (ko) 2007-01-22
TWI251519B (en) 2006-03-21
CN1196562C (zh) 2005-04-13
US20020046997A1 (en) 2002-04-25
JP3787073B2 (ja) 2006-06-21
US6541730B2 (en) 2003-04-01
JP2002144067A (ja) 2002-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1349875A (zh) 用激光束切割非金属衬底的方法和装置
CN1268466C (zh) 利用激光束切割非金属基片的方法及装置
KR100849696B1 (ko) 취성재료의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치
US7566636B2 (en) Method of scribing stuck mother substrate and method of dividing stuck mother substrate
US8791385B2 (en) High speed laser scribing method of fragile material
CN106914697B (zh) 激光加工方法
KR101193872B1 (ko) 취성재료기판의 챔퍼링 방법
KR100833339B1 (ko) 웨이퍼 및 웨이퍼 분단방법
KR101769158B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
CN206153760U (zh) 一种对射式多焦点激光分离脆性透射材料的装置
JP5320395B2 (ja) 面取り加工装置
KR20100087371A (ko) 취성 재료 기판의 모따기 가공 방법 및 모따기 가공 장치
CN108028189A (zh) 激光加工方法
CN106392337A (zh) 一种对射式多焦点激光分离脆性透射材料方法及装置
WO2004002705A1 (ja) 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法
CN111986986B (zh) 一种晶圆的剥离方法及剥离装置
JP2004035315A (ja) 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置
JP2009134131A (ja) 偏光子と製造方法並びに光アイソレータ
KR100659931B1 (ko) 레이저를 이용한 기판 절단 장치 및 그 방법
JP2001026435A (ja) 硬質脆性板の割断方法
EP0431685A1 (en) Method of forming thin defect-free strips of monocrystalline silicon on insulators
JPH11104868A (ja) 脆性材料の割断方法および割断装置
JPH11352354A (ja) 光ファイバアレイ及びその作製方法
KR20030093017A (ko) 비금속 재료의 절단 장치 및 절단 방법
JP2000167680A (ja) 非金属材料の加工方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121029

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121029

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050413

Termination date: 20200330

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee