JP5887928B2 - 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法 - Google Patents
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Description
まず、本実施の形態に係る加工(分断加工)の基本原理について説明する。本実施の形態において行う分断加工は、概略、被加工物(分断対象物)Wの分断予定位置に対して第1のレーザ光(スクライブ用レーザ光)を照射することによってスクライブラインSLを形成した後、第2のレーザ光(加熱用レーザ光)の照射による加熱(レーザ加熱)を行うことで該スクライブラインSL近傍に応力場を生じさせ、これによって初期亀裂であるスクライブラインSLから亀裂(クラック)を進展させることで、被加工物を分断するというものである。
例えば加熱用レーザ光LBhとしてCO2レーザを用いる場合、連続発振モードとパルス発振モードとの2通りの発振モードで加熱用レーザ光LBhを照射することができる。そして、この発振モードに応じて、被加工物Wの分断面の形状に違いが生じることが確認されている。具体的には、連続発振モードの場合、クラック進展によって形成される分断面は非常に滑らかな平坦面となる。一方、パルス発振モードの場合、分断面には、パルスの発振周期に応じた周期的なうねり(凹凸)が形成される。図2は、加熱用レーザ光LBhとしてCO2レーザを用い、サファイア基板を分断した時の分断面のSEM(走査電子顕微鏡)像である。図中、”Fracture surface”が分断面であり、Grooveはスクライブラインであり、”Feed direction”はサファイア基板の移動方向(レーザ光の走査方向の反対方向)である。図2に示す場合においては、分断面は透明ではあるものの、数十μmピッチでうねりが形成されてなる。一般に、被加工物Wの分断面は平坦面であることが好まれるため、多くの場合は、加熱用レーザ光LBhの照射は連続発振モードで行われる。
次に、上述した加工原理に基づいて被加工物の分断を行う分断装置について説明する。図4は、分断装置100の構成を概略的に示す図である。
以下、上述の原理を応用した種々の分断処理の態様について、順次に説明する。図7および図8は、加熱用レーザ光LBhによって被加工物Wの非スクライブ面W2を走査する態様を模式的に示す図である。図7は、スクライブラインSLの延在方向に垂直な被加工物Wの断面図であり、図8は、スクライブラインSLに沿った被加工物Wの断面図である。
引張応力場SF2におけるクラックCRの進展をより効果的に引き起こす手法として引張応力場SF2を冷却する手法がある。
図14は、非スクライブ面W2に対して加熱用レーザ光LBhを照射する別態様について示す図である。上述の実施の形態においては、非スクライブ面W2を上側に向け、上方から加熱用レーザ光LBhを照射することによって、非スクライブ面W2に対して加熱用レーザ光LBhを照射する態様を示しているが、これに代わり、図14に示すように、非スクライブ面W2を下側に向けたままで、下方から非スクライブ面W2に向けて加熱用レーザ光LBhを照射することによって、スクライブラインSLに引張応力TSを作用させるようにしてもよい。これは例えば、分断装置100において、加工用ステージ12を加熱用レーザ光LBhを透過させる材質にて形成し、加工用ステージ12の下方に加熱用レーザ光学系30を設けることによって実現することが出来る。
11 XYステージ
12 加工用ステージ
13 冷却機構
20 スクライブ用レーザ光学系
21 レーザ発振器
21a シャッター
22 アッテネータ
23 対物レンズ
24 ミラー
30 加熱用レーザ光学系
31 レーザ発振器
31a シャッター
32 アッテネータ
33 ビーム調整機構
34 対物レンズ
35 ミラー
36 ノズル
37 冷却ガス供給源
38 供給管
40 光学系
50 制御系
60 反転機構
61 チャック
62 昇降部
63 反転部
100、200 分断装置
CG 冷却ガス
CR クラック
L0 分断予定位置
LBh 加熱用レーザ光
LBs スクライブ用レーザ光
SF1 圧縮応力場
SF2 引張応力場
SL スクライブライン
TS 引張応力
W 被加工物
W1 (被加工物の)スクライブ面
W2 (被加工物の)非スクライブ面
Claims (2)
- 被加工物を分断する方法であって、
第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、
第2の出射源から第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の反対面である非スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、
を備え、
前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光がCO2レーザであり、前記スクライブ面が冷却媒体と接触するように前記被加工物を前記冷却媒体上に載置した状態で前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることにより、前記非スクライブ面への前記第2のレーザ光の照射によって前記スクライブ面を含む前記被加工物の内部であって前記スクライブラインの近傍に形成される引張応力場を移動させるとともに冷却し、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記被加工物を分断し、前記第2のレーザ光をパルス発振モードにて照射し、前記被加工物が分断されることで形成される個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、
ことを特徴とする被加工物の分断方法。 - 表面に光学素子パターンが2次元的に形成された光学素子パターン付き基板を分断する方法であって、
第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記光学素子パターン付き基板のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、
第2の出射源からCO2レーザである第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記光学素子パターン付き基板を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、
を備え、
前記照射加熱工程においては、
前記光学素子パターン付き基板において前記第2のレーザ光の照射により照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記光学素子パターン付き基板を分断するとともに、
前記第2のレーザ光をパルス発振モードで出射させることにより、前記被加工物が分断されることで形成される光学素子個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、
ことを特徴とする光学素子パターン付き基板の分断方法。
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