JP7456604B2 - スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置 - Google Patents
スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7456604B2 JP7456604B2 JP2019509179A JP2019509179A JP7456604B2 JP 7456604 B2 JP7456604 B2 JP 7456604B2 JP 2019509179 A JP2019509179 A JP 2019509179A JP 2019509179 A JP2019509179 A JP 2019509179A JP 7456604 B2 JP7456604 B2 JP 7456604B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribe line
- glass substrate
- forming step
- scribe
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 51
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
- C03B33/033—Apparatus for opening score lines in glass sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
特許文献1に示す技術では、収束レーザビームは、基板内にフィラメントを作り出すように選択されたエネルギー及びパルス持続時間を有するパルスで構成される。そして、複数のフィラメントによって、基板を劈開するためのスクライブラインが形成される。
◎レーザ装置を用いたパルスによるガラス基板の内部加工を平面方向に断続的に行うことでスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程
◎スクライブライン形成工程後に、レーザ装置を用いたパルスによるガラス基板の内部加工を平面方向に断続的に行うことで、スクライブラインに沿ってブレイクラインを形成するブレイクライン形成工程
この方法では、ブレイクラインが形成されるときに、ガラス基板の内部では、加工された部分の構造が崩壊し、さらにスクライブラインに対して衝撃が作用する。この衝撃によって、スクライブラインに亀裂が生じ又は進展する。この結果、スクライブラインの分離が容易になる。
この方法では、構造の崩壊がスクライブラインまで到達しないように設定することで、スクライブラインへの衝撃を十分に大きくできる。
この方法では、スクライブラインに対して全体的に衝撃を与えることができる。
この方法では、ブレイクライン形成工程においてスクライブラインに十分な衝撃を与えることができるような集光状態でブレイクラインを形成できる。
この方法では、1台のレーザ装置でスクライブラインとブレイクラインを加工できるので、製造コストが低くなる。
この方法では、1台のレーザ装置でスクライブラインとブレイクラインを加工できるので、製造コストが低くなる。
(1)全体構成
図1に、本発明の一実施形態によるガラス基板切断用のレーザ加工装置1の全体構成を示す。図1は、本発明の第1実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
レーザ加工装置1は、ガラス基板Gをフルカット加工するための装置である。
ガラス基板Gは、ソーダガラスであり、厚みが例えば1.8mmであり、1.1~3mmの範囲にある。
レーザ装置3は、レーザ光を後述する機械駆動系に伝送する伝送光学系5を有している。伝送光学系5は、例えば、集光レンズ19、複数のミラー(図示せず)、プリズム(図示せず)等を有する。
レーザ加工装置1は、レンズの位置を光軸方向に移動させることによって、レーザ光の集光角を変更する駆動機構11を有している。
制御部9は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
図2~図6を用いて、レーザ加工装置1によるスクライブ加工方法を説明する。図2は、第1実施形態のガラス基板の平面図である。図3は、ガラス基板の模式的断面図である。図4は、パルス加工の状態を説明するためのガラス基板の平面図である。図5は、スクライブライン形成工程におけるガラス基板の模式的平面図である。図6は、ブレイクライン形成工程におけるガラス基板の模式的断面図である。
スクライブ加工方法は、下記の工程を備えている。
◎レーザ装置3を用いたパルスL1によるガラス基板Gの内部加工を平面方向に断続的に行うことでスクライブライン31を形成するスクライブライン形成工程(特に、図3~図5を参照)。
◎スクライブライン形成工程後に、レーザ装置3を用いたパルスL2によるガラス基板Gの内部加工を平面方向に断続的に行うことで、スクライブライン31に沿ってブレイクライン33を形成するブレイクライン形成工程(特に、図3~4及び図6を参照)。
上記のブレイクライン形成工程では、レーザ照射部分にはガラス基板G内部に部分的な加工痕が形成される。
この方法では、ブレイクライン33が形成されるときに、ガラス基板G内部では、加工された部分の構造が崩壊し、さらにスクライブライン31に対して衝撃が作用する。この衝撃によって、スクライブライン31に亀裂が生じ又は進展する。この結果、スクライブライン31の分離が容易になる。
図2では、ガラス基板Gにおいて、スクライブライン31は環状に形成され、ブレイクライン33はスクライブライン31の外側に環状に形成されている。ただし、ブレイクラインはスクライブラインの内側に形成されていてもよい。また、スクライブライン及びブレイクラインは環状以外の形状でもよい。
具体的には、ブレイクライン形成工程では、ブレイクライン33はスクライブライン31とは平面視で異なる位置に形成される。そのため、構造の崩壊がスクライブライン31まで到達しないように設定することで、ブレイクライン33の形成によってスクライブライン31への衝撃を十分に大きくできる。
ブレイクライン33の加工によってスクライブライン31の分離が容易になる理由は、下記の通りである。つまり、スクライブライン31の横にブレイクライン33を形成すると、ガラス基板G内部では、加工を行った部分の構造の崩壊とスクライブ部分への衝撃が加わる。その衝撃によって、スクライブ部分に亀裂が生じて、スクライブライン31の分離が容易になる。
上記距離が短くなりすぎると、衝撃が加わる範囲が狭くなり、構造の崩壊がスクライブライン31まで到達するので、スクライブの一部が崩れてしまい、スクライブライン31へ与える衝撃が小さくなる。そのため、スクライブライン31の分離が固くなる。
上記距離が長くなりすぎると、衝撃が加わる範囲が広くなりすぎて、スクライブライン31へ与える衝撃が小さくなる。
例えば、スクライブライン31の加工条件は下記の通りである。
1)パルスエネルギー:400μJ(200μJ以上が好ましい)
2)加工ピッチ:4μm(1~6μmの範囲が好ましい)
この場合、パルスL1のビームウェストはガラス基板Gの内部にある。以上の結果、ガラス基板Gの上面から下面に延びる加工痕が形成される。
1)パルスエネルギー:150μJ(100μJ以上が好ましい)
2)加工ピッチ:1μm(0.5~3μmの範囲が好ましい)
この場合、パルスL2の焦点はガラス基板Gの厚み方向中間になっており、スクライブライン31の加工条件に比較すれば、パルスエネルギーは小さく、集光角は大きい。以上の結果、ガラス基板Gの厚み方向中間に部分的な加工痕が形成される。
図7~図11用いて、複数実験例を説明する。図7は、参考例のスクライブラインに沿った断面写真である。図8及び図11は、比較例のスクライブラインに沿った断面図である。図9~図11は、実施例のスクライブラインに沿った断面写真である。
図7は、参考例を示しており、スクライブラインのみを形成している例である。つまり、ブレイクラインは形成されておらず、したがって、ブレイクラインに起因する加工痕は見られない。
図8は、比較例を示しており、距離D3が0μmである。この場合、構造の崩壊がスクライブラインまで到達しており、スクライブラインの一部が崩れてしまっている。この結果、スクライブラインの分断が難しくなっている。
図10は、第2実施例を示しており、距離D3が45μmである。ブレイクライン形成で生じた加工痕が切断面に表れている。複数の加工痕は、第1実施例に比べて、上下方向に短くなっている。
図11は、第3実施例を示しており、距離D3が50μmである。この場合は、ブレイクライン形成で生じた加工痕が切断面に表れていない。
スクライブライン形成工程とブレイクライン形成工程とでは、空間光変調で集光状態を変更してもよい。
そのような実施形態を図12を用いて説明する。図12は、第2実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
この方法では、1台のレーザ装置3でスクライブラインとブレイクラインを加工することが可能なので、製造コストが低くなる。
第1実施形態の変形例として、ブレイクラインのピッチを変更した第3実施形態を説明する。それ以外の条件は第1実施形態と同じである。
この実施形態では、スクライブライン31を構成するパルス照射位置S1のピッチD1は、1~6μmの範囲である。そして、第1実施形態とは異なり、ブレイクライン33を構成するパルス照射位置S2のピッチD2は、ピッチD1と同じ程度である。具体的には、ピッチD2は、1~6μmの範囲である。
例えば、スクライブライン31の加工条件は下記の通りである。
1)パルスエネルギー:667μJ
2)加工ピッチ:4μm(加工速度が600mm/s、繰返し周波数が150kHz)
この場合、パルスL1のビームウェストはガラス基板Gの内部にある。以上の結果、ガラス基板Gの上面から下面に延びる加工痕が形成される。
1)パルスエネルギー:667μJ
2)加工ピッチ:4μm(加工速度が600mm/s、繰り返し周波数が150kHz)
この場合、パルスL2の焦点はガラス基板Gの厚み方向中間になっており、スクライブライン31の加工条件に比較すれば、パルスエネルギーは小さく、集光角は大きい。以上の結果、ガラス基板Gの厚み方向中間に部分的な加工痕が形成される。
上記の実施形態でも、第1実施形態と同じ効果が得られる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施例及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
上記実施形態では、パルスレーザを照射することによりスクライブライン及びブレイクラインを形成することとしたが、これに代えて、バーストモードで発振したパルスレーザ群を照射することとしてもよい。
3 :レーザ装置
5 :伝送光学系
7 :加工テーブル
9 :制御部
11 :駆動機構
13 :テーブル駆動部
15 :レーザ発振器
17 :レーザ制御部
19 :集光レンズ
21 :空間光変調器
23 :駆動部
31 :スクライブライン
33 :ブレイクライン
Claims (7)
- ガラス基板をスクライブラインに沿って分離することにより切断するために前記ガラス 基板をスクライブ加工する方法であって、
レーザ装置を用いたパルスによるガラス基板の内部加工を平面方向に断続的に行うことでスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、
前記スクライブライン形成工程後に、前記レーザ装置を用いたパルスによるガラス基板の内部加工を平面方向に断続的に行うことで、前記スクライブラインに沿ってブレイクラインを形成するブレイクライン形成工程とを備え、
前記ブレイクラインは、前記スクライブラインとは平面視で5~300μm離れており、
前記スクライブライン形成工程では、前記ガラス基板の表面間に長く伸びた加工痕が形成され、前記ブレイクライン形成工程では、前記ガラス基板内に部分的な加工痕が形成される、
スクライブ加工方法。 - 前記スクライブラインと前記ブレイクラインとの距離が、5~70μmの範囲である、請求項1に記載のスクライブ加工方法。
- 前記ブレイクラインは前記スクライブラインと実質的に平行に形成される、請求項2に記載のスクライブ加工方法。
- 前記スクライブライン形成工程と前記ブレイクライン形成工程とでは、集光状態が異なる、請求項1~3のいずれかに記載のスクライブ加工方法。
- 前記スクライブライン形成工程と前記ブレイクライン形成工程とでは、レンズ操作で集光状態を変更する、請求項4に記載のスクライブ加工方法。
- 前記スクライブライン形成工程と前記ブレイクライン形成工程とでは、空間光変調で集光状態を変更する、請求項4に記載のスクライブ加工方法。
- レーザ装置と、
請求項1~6のいずれかに記載のスクライブ加工方法を前記レーザ装置に実行させる制 御部と、
を備えたスクライブ加工装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071342 | 2017-03-31 | ||
JP2017071342 | 2017-03-31 | ||
JP2017072757 | 2017-03-31 | ||
JP2017072757 | 2017-03-31 | ||
PCT/JP2018/009450 WO2018180417A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-12 | スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018180417A1 JPWO2018180417A1 (ja) | 2020-03-05 |
JP7456604B2 true JP7456604B2 (ja) | 2024-03-27 |
Family
ID=63677422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019509179A Active JP7456604B2 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-12 | スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7456604B2 (ja) |
KR (1) | KR20190129914A (ja) |
CN (1) | CN110475754B (ja) |
TW (1) | TW201841840A (ja) |
WO (1) | WO2018180417A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6420678B1 (en) | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
CN103771694A (zh) | 2014-01-08 | 2014-05-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 激光切割方法及激光切割系统 |
JP2015506902A (ja) | 2012-02-01 | 2015-03-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 非金属材料を分離するためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007185664A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | レーザ内部スクライブ方法 |
KR100876502B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2008-12-31 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 초단파 레이저 빔을 이용한 기판 절단장치 및 그 절단방법 |
JP5525601B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2014-06-18 | コアレイズ オーワイ | レーザを用いた基板加工方法 |
EP2593266A4 (en) | 2010-07-12 | 2017-04-26 | Rofin-Sinar Technologies, Inc. | Method of material processing by laser filamentation |
JP5887928B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-03-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法 |
JP5991860B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-09-14 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ガラス基板の加工方法 |
AT13206U1 (de) * | 2012-07-17 | 2013-08-15 | Lisec Maschb Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas |
CN102898013A (zh) * | 2012-09-07 | 2013-01-30 | 东莞光谷茂和激光技术有限公司 | 一种紫外激光切割玻璃基板的方法 |
EP2781296B1 (de) * | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
US9776906B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-10-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser machining strengthened glass |
-
2018
- 2018-03-12 WO PCT/JP2018/009450 patent/WO2018180417A1/ja active Application Filing
- 2018-03-12 KR KR1020197029366A patent/KR20190129914A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-03-12 JP JP2019509179A patent/JP7456604B2/ja active Active
- 2018-03-12 CN CN201880022170.6A patent/CN110475754B/zh active Active
- 2018-03-28 TW TW107110638A patent/TW201841840A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6420678B1 (en) | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
JP2015506902A (ja) | 2012-02-01 | 2015-03-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 非金属材料を分離するためのシステム及び方法 |
CN103771694A (zh) | 2014-01-08 | 2014-05-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 激光切割方法及激光切割系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018180417A1 (ja) | 2018-10-04 |
CN110475754A (zh) | 2019-11-19 |
CN110475754B (zh) | 2022-07-15 |
JPWO2018180417A1 (ja) | 2020-03-05 |
TW201841840A (zh) | 2018-12-01 |
KR20190129914A (ko) | 2019-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102380747B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP7182362B2 (ja) | 複合材の分断方法 | |
JP5410250B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
KR101757937B1 (ko) | 가공대상물 절단방법 | |
JP4322881B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP6258787B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP6272145B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP7146770B2 (ja) | レーザ加工装置における光学部品の寿命を延ばすための方法及びシステム | |
JP5905274B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
US9821408B2 (en) | Laser machining method and laser machining device | |
US20110132885A1 (en) | Laser machining and scribing systems and methods | |
JP2009072829A (ja) | 超短パルスレーザービームを利用した基板切断装置及びその切断方法 | |
JP2007000931A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2006123228A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP6715632B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2007021514A (ja) | スクライブ形成方法、分割予定線付き基板 | |
JP5117806B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2010026041A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
CN104944756A (zh) | 激光加工强化玻璃 | |
WO2012063348A1 (ja) | レーザ加工方法及び装置 | |
JP2007021557A (ja) | レーザ照射装置、レーザスクライブ方法 | |
JP2007015169A (ja) | スクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板 | |
JP7456604B2 (ja) | スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置 | |
JP2006248075A (ja) | レーザ光を用いた基板の加工方法および加工装置 | |
TWI587960B (zh) | Laser processing method and laser processing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190927 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221206 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230220 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20230221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230220 |
|
C116 | Written invitation by the chief administrative judge to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C116 Effective date: 20230317 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20230317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7456604 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |