JP2002069651A - Ａｌｄ薄膜蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents
Ａｌｄ薄膜蒸着装置及び蒸着方法Info
- Publication number
- JP2002069651A JP2002069651A JP2001189559A JP2001189559A JP2002069651A JP 2002069651 A JP2002069651 A JP 2002069651A JP 2001189559 A JP2001189559 A JP 2001189559A JP 2001189559 A JP2001189559 A JP 2001189559A JP 2002069651 A JP2002069651 A JP 2002069651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- valve
- flow
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/935—Gas flow control
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/4673—Plural tanks or compartments with parallel flow
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質な薄膜を効率的に形成するＡＬＤ薄膜
蒸着装置を提供する。 【解決手段】 蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着
される反応容器１００と、第１反応ガスを反応容器に供
給するための第１反応ガス供給部２１０と、第２反応ガ
スを反応容器に供給するための第２反応ガス供給部２３
０と、第１反応ガス供給部と反応容器とを連結する第１
反応ガス供給ライン２２０と、第２反応ガス供給部と反
応容器とを連結する第２反応ガス供給ライン２４０と、
不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを第１反応
ガス供給ラインに供給する第１不活性ガス供給ライン２
６０と、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを
第２反応ガス供給ラインに供給する第２不活性ガス供給
ライン２７０と、反応容器内のガスを外部に排出するた
めの排気ライン４００とを含む。
蒸着装置を提供する。 【解決手段】 蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着
される反応容器１００と、第１反応ガスを反応容器に供
給するための第１反応ガス供給部２１０と、第２反応ガ
スを反応容器に供給するための第２反応ガス供給部２３
０と、第１反応ガス供給部と反応容器とを連結する第１
反応ガス供給ライン２２０と、第２反応ガス供給部と反
応容器とを連結する第２反応ガス供給ライン２４０と、
不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを第１反応
ガス供給ラインに供給する第１不活性ガス供給ライン２
６０と、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを
第２反応ガス供給ラインに供給する第２不活性ガス供給
ライン２７０と、反応容器内のガスを外部に排出するた
めの排気ライン４００とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体、例えば、ウ
ェーハに薄膜を形成するためのＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ
Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）薄膜蒸着装置及び
薄膜蒸着方法に関する。
ェーハに薄膜を形成するためのＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ
Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）薄膜蒸着装置及び
薄膜蒸着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜蒸着装置は、反応容器内に収納され
たウェーハに反応ガスを供給することにより、ウェーハ
上に所定の薄膜を形成する装置である。この薄膜蒸着装
置としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＡＬＥ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙ
ｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ）など各種の方式によるものがあ
り、半導体を製造するための各種の分野で応用されてい
る。
たウェーハに反応ガスを供給することにより、ウェーハ
上に所定の薄膜を形成する装置である。この薄膜蒸着装
置としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＡＬＥ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙ
ｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ）など各種の方式によるものがあ
り、半導体を製造するための各種の分野で応用されてい
る。
【０００３】薄膜蒸着装置は、高集積度のチップを製作
するために、かつ、運転効率及び生産性を高めるために
持続的な改善がなされつつある。
するために、かつ、運転効率及び生産性を高めるために
持続的な改善がなされつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、その目的は、不純物が最大限
に除去された高純度、優れた電気特性、及びより優れた
ステップカーバレッジを有する薄膜が蒸着でき、しか
も、運転効率及び生産性を高めることのできるＡＬＤ薄
膜蒸着装置及び蒸着方法を提供することである。
みてなされたものであり、その目的は、不純物が最大限
に除去された高純度、優れた電気特性、及びより優れた
ステップカーバレッジを有する薄膜が蒸着でき、しか
も、運転効率及び生産性を高めることのできるＡＬＤ薄
膜蒸着装置及び蒸着方法を提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、薄膜蒸着の前後過程
においても持続的に目的とする工程圧力を保ち、反応容
器をポンピングする排気ラインを含むＡＬＤ薄膜蒸着装
置及び蒸着方法を提供することである。
においても持続的に目的とする工程圧力を保ち、反応容
器をポンピングする排気ラインを含むＡＬＤ薄膜蒸着装
置及び蒸着方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置は、ウェーハが内
蔵されて蒸着される反応容器と、第１反応ガスを前記反
応容器に供給するための第１反応ガス供給部と、第２反
応ガスを前記反応容器に供給するための第２反応ガス供
給部と、前記第１反応ガス供給部と前記反応容器とを連
結する第１反応ガス供給ラインと、前記第２反応ガス供
給部と前記反応容器とを連結する第２反応ガス供給ライ
ンと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを前
記第１反応ガス供給ラインに供給する第１不活性ガス供
給ラインと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガ
スを前記第２反応ガス供給ラインに供給する第２不活性
ガス供給ラインと、前記反応容器内のガスを外部に排出
するための排気ラインとを含む。
に、本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置は、ウェーハが内
蔵されて蒸着される反応容器と、第１反応ガスを前記反
応容器に供給するための第１反応ガス供給部と、第２反
応ガスを前記反応容器に供給するための第２反応ガス供
給部と、前記第１反応ガス供給部と前記反応容器とを連
結する第１反応ガス供給ラインと、前記第２反応ガス供
給部と前記反応容器とを連結する第２反応ガス供給ライ
ンと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを前
記第１反応ガス供給ラインに供給する第１不活性ガス供
給ラインと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガ
スを前記第２反応ガス供給ラインに供給する第２不活性
ガス供給ラインと、前記反応容器内のガスを外部に排出
するための排気ラインとを含む。
【０００７】前記目的を達成するために、本発明による
ＡＬＤ薄膜蒸着方法は、ウェーハが内蔵されて蒸着され
る反応容器と、第１反応ガスを前記反応容器に供給する
ための第１反応ガス供給部と、前記第１反応ガス供給部
と前記反応容器とを連結する第１反応ガス供給ライン
と、第２反応ガスを前記反応容器に供給するための第２
反応ガス供給部と、前記第２反応ガス供給部と前記反応
容器とを連結する第２反応ガス供給ラインと、流量制御
された不活性ガスを前記第１反応ガス供給ラインに供給
する第１不活性ガス供給ラインと、流量制御された不活
性ガスを前記第２反応ガス供給ラインに供給する第２不
活性ガス供給ラインと、反応容器のガスを外部に排出す
る排気ラインとを含む薄膜蒸着装置に適用するものであ
って、流量制御された第１反応ガス及び流量制御された
不活性ガスを混合して前記反応容器内のウェーハの上部
の表面に供給し、流量制御された第２反応ガス及び流量
制御された不活性ガスを混合して前記反応容器内のウェ
ーハの縁側に供給することを特徴とする。
ＡＬＤ薄膜蒸着方法は、ウェーハが内蔵されて蒸着され
る反応容器と、第１反応ガスを前記反応容器に供給する
ための第１反応ガス供給部と、前記第１反応ガス供給部
と前記反応容器とを連結する第１反応ガス供給ライン
と、第２反応ガスを前記反応容器に供給するための第２
反応ガス供給部と、前記第２反応ガス供給部と前記反応
容器とを連結する第２反応ガス供給ラインと、流量制御
された不活性ガスを前記第１反応ガス供給ラインに供給
する第１不活性ガス供給ラインと、流量制御された不活
性ガスを前記第２反応ガス供給ラインに供給する第２不
活性ガス供給ラインと、反応容器のガスを外部に排出す
る排気ラインとを含む薄膜蒸着装置に適用するものであ
って、流量制御された第１反応ガス及び流量制御された
不活性ガスを混合して前記反応容器内のウェーハの上部
の表面に供給し、流量制御された第２反応ガス及び流量
制御された不活性ガスを混合して前記反応容器内のウェ
ーハの縁側に供給することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるＡＬＤ薄膜
蒸着装置の第１実施形態を示した図である。第１実施形
態は、ウェーハにＴｉＮ、ＴａＮ薄膜を蒸着できるＡＬ
Ｄ薄膜蒸着装置に関するものである。次に、ＴｉＮ薄膜
の蒸着について述べる。ＴｉＮ薄膜を形成するために、
第１反応ガスとしてＴｉＣｌ4を、第２反応ガスとして
ＮＨ3を、そして不活性ガスとしてＡｒを使用する。
蒸着装置の第１実施形態を示した図である。第１実施形
態は、ウェーハにＴｉＮ、ＴａＮ薄膜を蒸着できるＡＬ
Ｄ薄膜蒸着装置に関するものである。次に、ＴｉＮ薄膜
の蒸着について述べる。ＴｉＮ薄膜を形成するために、
第１反応ガスとしてＴｉＣｌ4を、第２反応ガスとして
ＮＨ3を、そして不活性ガスとしてＡｒを使用する。
【０００９】図面を参照すれば、ＡＬＤ薄膜蒸着装置
は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器１００
と、反応容器１００に反応ガスを供給するガスジャング
ルと、反応容器１００内のガスを外部に排出する排気ラ
イン４００とを含む。
は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器１００
と、反応容器１００に反応ガスを供給するガスジャング
ルと、反応容器１００内のガスを外部に排出する排気ラ
イン４００とを含む。
【００１０】図２は、図１のＡＬＤ薄膜蒸着装置におい
て、反応容器１００の分解斜視図であり、図３は、図２
に採用される反応容器１００において、シャワーヘッド
と拡散板とを分離して示した斜視図であり、図４は、図
２の反応容器１００の断面図であり、図５は、図４の反
応容器１００の第１混合部１３４の拡大図である。
て、反応容器１００の分解斜視図であり、図３は、図２
に採用される反応容器１００において、シャワーヘッド
と拡散板とを分離して示した斜視図であり、図４は、図
２の反応容器１００の断面図であり、図５は、図４の反
応容器１００の第１混合部１３４の拡大図である。
【００１１】図面を参照すれば、反応容器１００は、ウ
ェーハｗが内蔵されるリアクターブロック１１０と、リ
アクターブロック１１０にヒンジ１２８、１２９により
結合されたシャワーヘッド板１２０と、シャワーヘッド
板１２０に設けられて反応ガス及び／又は不活性ガスを
噴射する拡散板１３０と、リアクターブロック１１０の
内部に設けられ、ウェーハｗが置かれるウェーハブロッ
ク１４０とを含む。シャワーヘッド板１２０には、後述
する第１接続パイプ１１１及び第２接続パイプ１１２と
各々接続される第１連結ライン１２１及び第２連結ライ
ン１２２が設けられている。
ェーハｗが内蔵されるリアクターブロック１１０と、リ
アクターブロック１１０にヒンジ１２８、１２９により
結合されたシャワーヘッド板１２０と、シャワーヘッド
板１２０に設けられて反応ガス及び／又は不活性ガスを
噴射する拡散板１３０と、リアクターブロック１１０の
内部に設けられ、ウェーハｗが置かれるウェーハブロッ
ク１４０とを含む。シャワーヘッド板１２０には、後述
する第１接続パイプ１１１及び第２接続パイプ１１２と
各々接続される第１連結ライン１２１及び第２連結ライ
ン１２２が設けられている。
【００１２】リアクターブロック１１０には第１接続パ
イプ１１１及び第２接続パイプ１１２が設けられてお
り、接続パイプ１１１、１１２は接続部１１３を通じて
前記第１、第２連結ライン１２１、１２２に各々接続さ
れる。接続部１１３にはＯリング１１３ａが設けられて
いて、シャワーヘッド板１２０がリアクターブロック１
１０を閉じるとき、第１、第２接続パイプ１１１、１１
２と第１、第２連結ライン１２１、１２２とを密封する
ように連結する。シャワーヘッド板１２０が回転してリ
アクターブロック１１０から分離されるときには、第
１、第２接続パイプ１１１、１１２と第１、第２連結ラ
イン１２１、１２２は分離される。
イプ１１１及び第２接続パイプ１１２が設けられてお
り、接続パイプ１１１、１１２は接続部１１３を通じて
前記第１、第２連結ライン１２１、１２２に各々接続さ
れる。接続部１１３にはＯリング１１３ａが設けられて
いて、シャワーヘッド板１２０がリアクターブロック１
１０を閉じるとき、第１、第２接続パイプ１１１、１１
２と第１、第２連結ライン１２１、１２２とを密封する
ように連結する。シャワーヘッド板１２０が回転してリ
アクターブロック１１０から分離されるときには、第
１、第２接続パイプ１１１、１１２と第１、第２連結ラ
イン１２１、１２２は分離される。
【００１３】また、リアクターブロック１１０の底面に
は、流入される不活性ガス及び／又は反応ガスが排出で
きる排気ホール１１７、１１８が２つ以上相互対称する
ように形成されている。リアクターブロック１１０の上
部にはシャワーヘッド板１２０を閉じるとき、リアクタ
ーブロック１１０とシャワーヘッド板１２０との間の密
封が確実になされるようにメインＯリング１１４が設け
られる。
は、流入される不活性ガス及び／又は反応ガスが排出で
きる排気ホール１１７、１１８が２つ以上相互対称する
ように形成されている。リアクターブロック１１０の上
部にはシャワーヘッド板１２０を閉じるとき、リアクタ
ーブロック１１０とシャワーヘッド板１２０との間の密
封が確実になされるようにメインＯリング１１４が設け
られる。
【００１４】シャワーヘッド板１２０は、リアクターブ
ロック１１０を覆ってリアクターブロック１１０の内部
を所定の圧力に一定に保ち、シャワーヘッド板１２０が
リアクターブロック１１０を覆うとき、拡散板１３０を
リアクターブロック１１０の内部に位置づける。
ロック１１０を覆ってリアクターブロック１１０の内部
を所定の圧力に一定に保ち、シャワーヘッド板１２０が
リアクターブロック１１０を覆うとき、拡散板１３０を
リアクターブロック１１０の内部に位置づける。
【００１５】拡散板１３０は、薄膜蒸着工程時にガスを
噴射する手段であって、拡散板１３０には第１連結ライ
ン１２１と連結されてウェーハｗの上部に第１反応ガス
及び／又は不活性ガスを噴射する多数の噴射口１３１
と、第２連結ライン１２２と連通された流路１３２と連
結され、第２反応ガス及び／又は不活性ガスをウェーハ
ｗの縁側に噴射可能にリアクターブロック１１０の内側
面に向かう多数のノズル１３３とが形成されている。
噴射する手段であって、拡散板１３０には第１連結ライ
ン１２１と連結されてウェーハｗの上部に第１反応ガス
及び／又は不活性ガスを噴射する多数の噴射口１３１
と、第２連結ライン１２２と連通された流路１３２と連
結され、第２反応ガス及び／又は不活性ガスをウェーハ
ｗの縁側に噴射可能にリアクターブロック１１０の内側
面に向かう多数のノズル１３３とが形成されている。
【００１６】拡散板１３０の内部の中心には、図４及び
図５に示されるように、第１反応ガス及び不活性ガスを
均一に混合して前記噴射口１３１に流す第１混合部１３
４が形成されている。第１連結ライン１２１に流れる第
１反応ガス及び不活性ガスは第１混合部１３４において
渦巻いて混合された後に拡散されて全ての噴射口１３１
から均一にウェーハ上に噴射される。
図５に示されるように、第１反応ガス及び不活性ガスを
均一に混合して前記噴射口１３１に流す第１混合部１３
４が形成されている。第１連結ライン１２１に流れる第
１反応ガス及び不活性ガスは第１混合部１３４において
渦巻いて混合された後に拡散されて全ての噴射口１３１
から均一にウェーハ上に噴射される。
【００１７】前記噴射口１３１は、図３ないし図５に示
されるように、第１混合部１３４に対応する拡散板１３
０の下部には形成されていない。そして、噴射口１３１
が形成された拡散板１３０の全体の面積は、望ましく
は、噴射されるガスがウェーハの全面に一様に噴射可能
に、ウェーハｗの面積よりも大きい。
されるように、第１混合部１３４に対応する拡散板１３
０の下部には形成されていない。そして、噴射口１３１
が形成された拡散板１３０の全体の面積は、望ましく
は、噴射されるガスがウェーハの全面に一様に噴射可能
に、ウェーハｗの面積よりも大きい。
【００１８】望ましくは、前記噴射口１３１の直径は１
ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲である。このような直径は何回
かに亘っての実験によって得られたものであり、この範
囲内であれば、ウェーハｗ上に優れた特性を有する薄膜
が蒸着可能になる。また、噴射口１３１は直径に応じて
約１００〜１、０００個形成される。この実施形態にお
いては、１６０個以上形成されている。また、噴射口１
３１と噴射口１３１との間の断面は凸状である。これ
は、ウェーハブロック１４０から伝わる熱エネルギーが
シャワーヘッド板１２０に円滑に伝わるようにして拡散
板１３０が過熱することを防止するためである。
ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲である。このような直径は何回
かに亘っての実験によって得られたものであり、この範
囲内であれば、ウェーハｗ上に優れた特性を有する薄膜
が蒸着可能になる。また、噴射口１３１は直径に応じて
約１００〜１、０００個形成される。この実施形態にお
いては、１６０個以上形成されている。また、噴射口１
３１と噴射口１３１との間の断面は凸状である。これ
は、ウェーハブロック１４０から伝わる熱エネルギーが
シャワーヘッド板１２０に円滑に伝わるようにして拡散
板１３０が過熱することを防止するためである。
【００１９】ノズル１３３は第２混合部１３５を中心と
して放射状に形成された流路１３２と連通されており、
図３に示されるように、リアクターブロック１１０の内
側面に向かうように斜めに形成されている。望ましく
は、ノズル１３３の数は約３０〜１００個以内である。
この実施形態においては、４８個のノズル１３３が形成
されている。
して放射状に形成された流路１３２と連通されており、
図３に示されるように、リアクターブロック１１０の内
側面に向かうように斜めに形成されている。望ましく
は、ノズル１３３の数は約３０〜１００個以内である。
この実施形態においては、４８個のノズル１３３が形成
されている。
【００２０】一方、第２連結ライン１２２とシャワーヘ
ッド板１２０との間には、図４に示されるように、第２
反応ガス及び不活性ガスを均一に混合するための第２混
合部１３５が形成されている。第２混合部１３５は、隔
壁１３５ａに穴１３５ｂが形成された構造となってい
る。
ッド板１２０との間には、図４に示されるように、第２
反応ガス及び不活性ガスを均一に混合するための第２混
合部１３５が形成されている。第２混合部１３５は、隔
壁１３５ａに穴１３５ｂが形成された構造となってい
る。
【００２１】リアクターブロック１１０の内部に設けら
れるウェーハブロック１４０はウェーハｗが置かれるも
のであり、蒸着作業がなされるとき所定温度以上に保た
れるようにヒーターＨが設けられる。
れるウェーハブロック１４０はウェーハｗが置かれるも
のであり、蒸着作業がなされるとき所定温度以上に保た
れるようにヒーターＨが設けられる。
【００２２】拡散板１３０とウェーハブロック１４０と
の間の間隔Ｄは、２０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲にある。図
６は薄膜蒸着時に、間隔Ｄと比抵抗との関係を示したグ
ラフである。これを参照すれば、拡散板１３０とウェー
ハブロック１４０との間の間隔Ｄが３０ｍｍである場
合、比抵抗が最も低いことが分かる。しかし、他の条
件、例えば、第１、第２反応ガスの種類及び流量、ウェ
ーハブロック１４０の温度などの条件を変えたとき、間
隔Ｄは略２０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内において低い比抵
抗値を示す。これから、間隔Ｄが優れた特性の薄膜を形
成する上で重要な構造的な特徴を有するという結論が得
られる。
の間の間隔Ｄは、２０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲にある。図
６は薄膜蒸着時に、間隔Ｄと比抵抗との関係を示したグ
ラフである。これを参照すれば、拡散板１３０とウェー
ハブロック１４０との間の間隔Ｄが３０ｍｍである場
合、比抵抗が最も低いことが分かる。しかし、他の条
件、例えば、第１、第２反応ガスの種類及び流量、ウェ
ーハブロック１４０の温度などの条件を変えたとき、間
隔Ｄは略２０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内において低い比抵
抗値を示す。これから、間隔Ｄが優れた特性の薄膜を形
成する上で重要な構造的な特徴を有するという結論が得
られる。
【００２３】この値は、従来のＣＶＤ反応容器におい
て、反応ガスが噴射される拡散板とウェーハが置かれる
ウェーハブロックとの間隔が略５０ｍｍ〜１００ｍｍで
あったのと対照される。この発明においては、従来に比
べて間隔Ｄが狭いため、噴射口１３１から噴射される第
１反応ガス及び／又は不活性ガスの噴射圧力によってウ
ェーハｗ上に密な第１反応ガス層が形成され、この第１
反応ガス層は以降に流入される第２反応ガスと反応し
て、より高純度及び電気特性に優れた薄膜の形成を可能
にする。
て、反応ガスが噴射される拡散板とウェーハが置かれる
ウェーハブロックとの間隔が略５０ｍｍ〜１００ｍｍで
あったのと対照される。この発明においては、従来に比
べて間隔Ｄが狭いため、噴射口１３１から噴射される第
１反応ガス及び／又は不活性ガスの噴射圧力によってウ
ェーハｗ上に密な第１反応ガス層が形成され、この第１
反応ガス層は以降に流入される第２反応ガスと反応し
て、より高純度及び電気特性に優れた薄膜の形成を可能
にする。
【００２４】ウェーハブロック１４０の外周にはポンピ
ングバッフル１５０が形成される。ポンピングバッフル
１５０には、ウェーハブロック１４０の側部に設けられ
た側壁１５０ａと、対称する穴１５０ｃが形成された底
壁１５０とｂが形成されている。このとき、ポンピング
バッフルの底壁１５０ｂの下部、すなわち、リアクター
ブロック１１０の底面には、排気ライン１１７、１１８
と連結されたドーナツ状のポンピングポート１１５が形
成されている。
ングバッフル１５０が形成される。ポンピングバッフル
１５０には、ウェーハブロック１４０の側部に設けられ
た側壁１５０ａと、対称する穴１５０ｃが形成された底
壁１５０とｂが形成されている。このとき、ポンピング
バッフルの底壁１５０ｂの下部、すなわち、リアクター
ブロック１１０の底面には、排気ライン１１７、１１８
と連結されたドーナツ状のポンピングポート１１５が形
成されている。
【００２５】ポンピングバッフル１５０において、側壁
１５０ａ及び底壁１５０ｂは、リアクターブロック１１
０の内側面に噴射される第２反応ガス及び／又は不活性
ガスがウェーハｗ上に形成された第１反応ガス層と均一
に反応可能にする空間を与える。穴１５０ｃは、薄膜蒸
着工程中に排出される工程副産物及び薄膜蒸着に利用で
きなかったガスを排出可能にし、このようなガスは排気
ホール１１７、１１８を経由し、ポンピングポート１１
５を通じて排気される。
１５０ａ及び底壁１５０ｂは、リアクターブロック１１
０の内側面に噴射される第２反応ガス及び／又は不活性
ガスがウェーハｗ上に形成された第１反応ガス層と均一
に反応可能にする空間を与える。穴１５０ｃは、薄膜蒸
着工程中に排出される工程副産物及び薄膜蒸着に利用で
きなかったガスを排出可能にし、このようなガスは排気
ホール１１７、１１８を経由し、ポンピングポート１１
５を通じて排気される。
【００２６】一方、薄膜蒸着工程を行うに当たって、反
応容器の内部の圧力は１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲
内に保つ必要があるが、このような圧力を観察及び制御
するために、反応容器１００には圧力測定部１６０が設
けられている。
応容器の内部の圧力は１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲
内に保つ必要があるが、このような圧力を観察及び制御
するために、反応容器１００には圧力測定部１６０が設
けられている。
【００２７】反応容器１００の内部及び外部には多数の
ヒーターＨが設けられていて、薄膜蒸着工程が行われる
時に反応容器１００を加熱する。この実施形態におい
て、リアクターブロック１１０の内側面の温度は約１２
０℃〜２００℃の範囲に、そして拡散板１３０は約１５
０℃〜２６０℃の範囲に保たれる。また、ウェーハブロ
ック１４０は約４２５℃〜６５０℃の範囲に、そしてポ
ンピングバッフル１５０は１５０℃〜２３０℃の範囲に
保たれる。そして、ウェーハｗを供給及び移送する移送
モジュール１０２と反応容器１００との間のバット弁１
０１の温度は約１４０℃〜１７０℃の範囲に保たれる。
ヒーターＨが設けられていて、薄膜蒸着工程が行われる
時に反応容器１００を加熱する。この実施形態におい
て、リアクターブロック１１０の内側面の温度は約１２
０℃〜２００℃の範囲に、そして拡散板１３０は約１５
０℃〜２６０℃の範囲に保たれる。また、ウェーハブロ
ック１４０は約４２５℃〜６５０℃の範囲に、そしてポ
ンピングバッフル１５０は１５０℃〜２３０℃の範囲に
保たれる。そして、ウェーハｗを供給及び移送する移送
モジュール１０２と反応容器１００との間のバット弁１
０１の温度は約１４０℃〜１７０℃の範囲に保たれる。
【００２８】前述のような反応容器１００は、ウェーハ
移送穴１１６を通じて移送されたウェーハｗがウェーハ
ブロック１４０に置かれ、所定の温度に加熱された状態
で、第１反応ガス及び／又は不活性ガスが第１接続パイ
プ１１１→第１連結ライン１２１を経由し、拡散板１３
０の噴射口１３１を通じてウェーハｗの上部に噴射され
る。また、第２反応ガス及び／又は不活性ガスが第２接
続パイプ１１２→第２連結ライン１２２→流路１３２を
経由し、ノズル１３３を通じてウェーハｗの縁側に噴射
される。これらの第１及び第２反応ガスはウェーハｗ上
に薄膜を形成し、工程副産物や薄膜蒸着に利用できなか
ったガスは排気ホール１１７、１１８及びポンピングポ
ート１１５を通じて外部に排出される。
移送穴１１６を通じて移送されたウェーハｗがウェーハ
ブロック１４０に置かれ、所定の温度に加熱された状態
で、第１反応ガス及び／又は不活性ガスが第１接続パイ
プ１１１→第１連結ライン１２１を経由し、拡散板１３
０の噴射口１３１を通じてウェーハｗの上部に噴射され
る。また、第２反応ガス及び／又は不活性ガスが第２接
続パイプ１１２→第２連結ライン１２２→流路１３２を
経由し、ノズル１３３を通じてウェーハｗの縁側に噴射
される。これらの第１及び第２反応ガスはウェーハｗ上
に薄膜を形成し、工程副産物や薄膜蒸着に利用できなか
ったガスは排気ホール１１７、１１８及びポンピングポ
ート１１５を通じて外部に排出される。
【００２９】ガスジャングルは、図１に示されるよう
に、第１反応ガスを反応容器１００に供給するための第
１反応ガス供給部２１０と、第２反応ガスを反応容器１
００に供給するための第２反応ガス供給部２３０とを含
む。
に、第１反応ガスを反応容器１００に供給するための第
１反応ガス供給部２１０と、第２反応ガスを反応容器１
００に供給するための第２反応ガス供給部２３０とを含
む。
【００３０】第１反応ガス供給部２１０は第１反応ガス
供給ライン２２０を通じて反応容器１００と連結され、
第２反応ガス供給部２３０は第２反応ガス供給ライン２
４０を通じて反応容器１００と連結される。
供給ライン２２０を通じて反応容器１００と連結され、
第２反応ガス供給部２３０は第２反応ガス供給ライン２
４０を通じて反応容器１００と連結される。
【００３１】不活性ガス供給源２５０から供給される不
活性ガスが流れる第１不活性ガス供給ライン２６０は第
１反応ガス供給ライン２２０と連結され、不活性ガス供
給源２５０から供給される不活性ガスが流れる第２不活
性ガス供給ライン２７０は第２反応ガス供給ライン２４
０と連結される。
活性ガスが流れる第１不活性ガス供給ライン２６０は第
１反応ガス供給ライン２２０と連結され、不活性ガス供
給源２５０から供給される不活性ガスが流れる第２不活
性ガス供給ライン２７０は第２反応ガス供給ライン２４
０と連結される。
【００３２】第１反応ガス供給部２１０は、第１反応原
料をガス化するバブラー２１１と、バブラー２１１から
供給される第１反応ガスの流量を制御する第１反応ガス
流量制御器（ＭＦＣ；Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｒ）２１２と、バブラー２１１と第１反応ガス流
量制御器２１２との間のラインに設けられて第１反応ガ
スの流れをオン／オフする第１弁Ｖ１及び第２弁Ｖ２を
含む。
料をガス化するバブラー２１１と、バブラー２１１から
供給される第１反応ガスの流量を制御する第１反応ガス
流量制御器（ＭＦＣ；Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｒ）２１２と、バブラー２１１と第１反応ガス流
量制御器２１２との間のラインに設けられて第１反応ガ
スの流れをオン／オフする第１弁Ｖ１及び第２弁Ｖ２を
含む。
【００３３】第１反応ガス供給ライン２２０には、第１
反応ガス流量制御器２１２により制御された第１反応ガ
スの流れをオン／オフする第３弁Ｖ３が設けられる。第
２反応ガス供給部２３０は、第２反応ガスの流れをオン
／オフする第４弁Ｖ４と、第４弁Ｖ４を経由した第２反
応ガスの流量を制御する第２反応ガス流量制御器２３２
とを含む。第２反応ガス供給ライン２４０には、第２反
応ガス流量制御器２３２により制御された第２反応ガス
の流れをオン／オフする第５弁Ｖ５が設けられる。
反応ガス流量制御器２１２により制御された第１反応ガ
スの流れをオン／オフする第３弁Ｖ３が設けられる。第
２反応ガス供給部２３０は、第２反応ガスの流れをオン
／オフする第４弁Ｖ４と、第４弁Ｖ４を経由した第２反
応ガスの流量を制御する第２反応ガス流量制御器２３２
とを含む。第２反応ガス供給ライン２４０には、第２反
応ガス流量制御器２３２により制御された第２反応ガス
の流れをオン／オフする第５弁Ｖ５が設けられる。
【００３４】第１不活性ガス供給ライン２６０には、供
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第６弁Ｖ６
と、前記第６弁Ｖ６を経由した不活性ガスの流量を制御
する第１不活性ガス流量制御器２６２と、第１不活性ガ
ス流量制御器２６２により制御された不活性ガスの流れ
をオン／オフする第７弁Ｖ７とが設けられる。
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第６弁Ｖ６
と、前記第６弁Ｖ６を経由した不活性ガスの流量を制御
する第１不活性ガス流量制御器２６２と、第１不活性ガ
ス流量制御器２６２により制御された不活性ガスの流れ
をオン／オフする第７弁Ｖ７とが設けられる。
【００３５】第２不活性ガス供給ライン２７０には、供
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第８弁Ｖ８
と、第８弁Ｖ８を経由した不活性ガスの流量を制御する
第２不活性ガス量制御器２７２と、第２不活性ガス流量
制御器２７２により制御された不活性ガスの流れをオン
／オフする第９弁Ｖ９とが設けられる。
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第８弁Ｖ８
と、第８弁Ｖ８を経由した不活性ガスの流量を制御する
第２不活性ガス量制御器２７２と、第２不活性ガス流量
制御器２７２により制御された不活性ガスの流れをオン
／オフする第９弁Ｖ９とが設けられる。
【００３６】ガスジャングルは、第１反応ガス及び／又
は不活性ガスを反応容器１００を経ずに直ちに排気ライ
ン４００に流すための第１バイパスライン２８０と、第
２反応ガス及び／又は不活性ガスを反応容器１００を経
ずに直ちに排気ライン４００に流すための第２バイパス
ライン２９０とを含む。
は不活性ガスを反応容器１００を経ずに直ちに排気ライ
ン４００に流すための第１バイパスライン２８０と、第
２反応ガス及び／又は不活性ガスを反応容器１００を経
ずに直ちに排気ライン４００に流すための第２バイパス
ライン２９０とを含む。
【００３７】第１バイパスライン２８０は、第１反応ガ
ス流量制御器２１２と第３弁Ｖ３との間のラインに連結
され、排気ライン４００への第１反応ガスの流れをオン
／オフする第１０弁Ｖ１０と、第１不活性ガス流量制御
器２６２と第７弁Ｖ７との間のラインに連結され、排気
ライン４００への不活性ガスの流れをオン／オフする第
１１弁Ｖ１１とを含む。
ス流量制御器２１２と第３弁Ｖ３との間のラインに連結
され、排気ライン４００への第１反応ガスの流れをオン
／オフする第１０弁Ｖ１０と、第１不活性ガス流量制御
器２６２と第７弁Ｖ７との間のラインに連結され、排気
ライン４００への不活性ガスの流れをオン／オフする第
１１弁Ｖ１１とを含む。
【００３８】第２バイパスライン２９０は、第２反応ガ
ス流量制御器２３２と第５弁Ｖ５との間のラインと連結
され、排気ライン４００への第２反応ガスの流れをオン
／オフする第１２弁Ｖ１２と、第２不活性ガス流量制御
器２７２と第９弁Ｖ９との間のラインと連結され、排気
ライン４００への不活性ガスの流れをオン／オフする第
１３弁Ｖ１３とを含む。
ス流量制御器２３２と第５弁Ｖ５との間のラインと連結
され、排気ライン４００への第２反応ガスの流れをオン
／オフする第１２弁Ｖ１２と、第２不活性ガス流量制御
器２７２と第９弁Ｖ９との間のラインと連結され、排気
ライン４００への不活性ガスの流れをオン／オフする第
１３弁Ｖ１３とを含む。
【００３９】第１、第２バイパスライン２８０、２９０
は、第１反応ガスや第２反応ガスまたは不活性ガスなど
の原料を詰め替えるときに流入される少量の空気を反応
容器１００を経ずに直ちに排気ライン４００に流す場合
に、またはライン内に汚染源が生じる場合に、またはガ
スジャングルを新しいものに取り替える場合に、ガスジ
ャングル内のラインをパージするために使用される。
は、第１反応ガスや第２反応ガスまたは不活性ガスなど
の原料を詰め替えるときに流入される少量の空気を反応
容器１００を経ずに直ちに排気ライン４００に流す場合
に、またはライン内に汚染源が生じる場合に、またはガ
スジャングルを新しいものに取り替える場合に、ガスジ
ャングル内のラインをパージするために使用される。
【００４０】このように、ライン内に残存する第１、第
２反応ガスや空気または汚染源などは不活性ガスによっ
て第１、第２バイパスライン２８０、２９０を通じて直
ちに排気ライン４００にパージされるので、反応容器１
００が汚染されることを防止できる。このため、これら
第１、第２バイパスライン２８０、２９０は、薄膜を蒸
着する工程などにおいては使用されず、特殊な場合に限
って使用される。
２反応ガスや空気または汚染源などは不活性ガスによっ
て第１、第２バイパスライン２８０、２９０を通じて直
ちに排気ライン４００にパージされるので、反応容器１
００が汚染されることを防止できる。このため、これら
第１、第２バイパスライン２８０、２９０は、薄膜を蒸
着する工程などにおいては使用されず、特殊な場合に限
って使用される。
【００４１】ガスジャングルは、ラインに残存するガス
及び／又は汚染源をパージするためのものであって、不
活性ガス供給源３１０からの不活性ガスを供給する別途
の不活性ガス供給ライン３２０をさらに含む。不活性ガ
ス供給ライン３２０は、第１反応ガス供給部２１０、第
２反応ガス供給部２３０、第１不活性ガス供給ライン２
６０、第２不活性ガス供給ライン２７０、第１バイパス
ライン２８０、第２バイパスライン２９０、排気ライン
４００などと有機的に連結されている。
及び／又は汚染源をパージするためのものであって、不
活性ガス供給源３１０からの不活性ガスを供給する別途
の不活性ガス供給ライン３２０をさらに含む。不活性ガ
ス供給ライン３２０は、第１反応ガス供給部２１０、第
２反応ガス供給部２３０、第１不活性ガス供給ライン２
６０、第２不活性ガス供給ライン２７０、第１バイパス
ライン２８０、第２バイパスライン２９０、排気ライン
４００などと有機的に連結されている。
【００４２】このような不活性ガス供給ライン３２０
は、第１反応ガス供給部２１０への不活性ガスの流れを
オン／オフするための第１４弁Ｖ１４と、第２反応ガス
供給部２３０への不活性ガスの流れをオン／オフするた
めの第１５弁Ｖ１５と、第１不活性ガス供給ライン２６
０への不活性ガスの流れをオン／オフするための第１６
弁Ｖ１６と、第２不活性ガス供給ライン２７０への不活
性ガスの流れをオン／オフするための第１７弁Ｖ１７
と、第１バイパスライン２８０への不活性ガスの流れを
オン／オフするための第１８弁Ｖ１８と、第２バイパス
ライン２９０への不活性ガスの流れをオン／オフするた
めの第１９弁Ｖ１９とを通じて、工程に必要な基本的な
ガスラインに接続される。
は、第１反応ガス供給部２１０への不活性ガスの流れを
オン／オフするための第１４弁Ｖ１４と、第２反応ガス
供給部２３０への不活性ガスの流れをオン／オフするた
めの第１５弁Ｖ１５と、第１不活性ガス供給ライン２６
０への不活性ガスの流れをオン／オフするための第１６
弁Ｖ１６と、第２不活性ガス供給ライン２７０への不活
性ガスの流れをオン／オフするための第１７弁Ｖ１７
と、第１バイパスライン２８０への不活性ガスの流れを
オン／オフするための第１８弁Ｖ１８と、第２バイパス
ライン２９０への不活性ガスの流れをオン／オフするた
めの第１９弁Ｖ１９とを通じて、工程に必要な基本的な
ガスラインに接続される。
【００４３】ガスジャングルは、反応容器１００をクリ
ーニングするために、第１、第２反応ガス供給ライン２
２０、２４０のうち少なくともいずれか一つと連結され
るクリーニングガス供給ライン３４０を含む。クリーニ
ングガス供給ライン３４０は、この実施形態において、
クリーニングガス供給部３３０からのクリーニングガス
を第１反応ガス供給ライン２２０を通じて反応容器１０
０に流す。
ーニングするために、第１、第２反応ガス供給ライン２
２０、２４０のうち少なくともいずれか一つと連結され
るクリーニングガス供給ライン３４０を含む。クリーニ
ングガス供給ライン３４０は、この実施形態において、
クリーニングガス供給部３３０からのクリーニングガス
を第１反応ガス供給ライン２２０を通じて反応容器１０
０に流す。
【００４４】クリーニングガス供給ライン３４０には、
供給されるクリーニングガスの流れをオン／オフする第
２１弁Ｖ２１と、第２１ガス弁Ｖ２１を経由したクリー
ニングガスの流量を制御するクリーニングガス流量制御
器３４２と、クリーニングガス流量制御器３４２により
制御されたクリーニングガスの流れをオン／オフする第
２２弁Ｖ２２とが設けられる。
供給されるクリーニングガスの流れをオン／オフする第
２１弁Ｖ２１と、第２１ガス弁Ｖ２１を経由したクリー
ニングガスの流量を制御するクリーニングガス流量制御
器３４２と、クリーニングガス流量制御器３４２により
制御されたクリーニングガスの流れをオン／オフする第
２２弁Ｖ２２とが設けられる。
【００４５】排気ライン４００には、反応容器１００及
び第１、第２バイパスライン２８０、２９０、クリーニ
ングガス供給ライン３４０などが連結されている。排気
ライン４００には、圧力測定部１６０において測定され
た反応容器１００内の圧力によって制御されるものであ
って、排出されるガス量を調節するスロットル弁ＴＶ
と、排気ガスの流れをオン／オフする第２３弁Ｖ２３、
第２４弁Ｖ２４、第２５弁Ｖ２５、排気ポンプ４１０な
どが設けられている。このとき、第１バイパスライン２
８０は第２３弁Ｖ２３と第２４弁Ｖ２４との間のライン
に連結され、第２バイパスライン２９０は第２５弁Ｖ２
５と排気ポンプ４１０との間のラインに連結されてい
る。
び第１、第２バイパスライン２８０、２９０、クリーニ
ングガス供給ライン３４０などが連結されている。排気
ライン４００には、圧力測定部１６０において測定され
た反応容器１００内の圧力によって制御されるものであ
って、排出されるガス量を調節するスロットル弁ＴＶ
と、排気ガスの流れをオン／オフする第２３弁Ｖ２３、
第２４弁Ｖ２４、第２５弁Ｖ２５、排気ポンプ４１０な
どが設けられている。このとき、第１バイパスライン２
８０は第２３弁Ｖ２３と第２４弁Ｖ２４との間のライン
に連結され、第２バイパスライン２９０は第２５弁Ｖ２
５と排気ポンプ４１０との間のラインに連結されてい
る。
【００４６】一方、前述のようなガスジャングルにおい
て、反応ガスが流れる時に望ましくない凝縮現象による
コールドスポットが形成される場合がある。コールドス
ポットは薄膜蒸着工程時に悪影響を及ぼすため、ライン
にはコールドスポットの発生を抑えるためのヒーター
（図示せず）が設けられる。望ましくは、これらヒータ
ーはライン別にできる限り領域区分けをして独立的に設
けられる。また、望ましくは、ライン内の全ての領域に
おいて温度勾配を形成する。この実施形態においては、
反応容器１００に行くほど温度勾配を４０℃〜２００℃
の範囲に設定される。
て、反応ガスが流れる時に望ましくない凝縮現象による
コールドスポットが形成される場合がある。コールドス
ポットは薄膜蒸着工程時に悪影響を及ぼすため、ライン
にはコールドスポットの発生を抑えるためのヒーター
（図示せず）が設けられる。望ましくは、これらヒータ
ーはライン別にできる限り領域区分けをして独立的に設
けられる。また、望ましくは、ライン内の全ての領域に
おいて温度勾配を形成する。この実施形態においては、
反応容器１００に行くほど温度勾配を４０℃〜２００℃
の範囲に設定される。
【００４７】次に、前述のような構造のＡＬＤ薄膜蒸着
装置の第１実施形態の動作について述べる。以上のよう
な構造を有する本実施形態の動作において、第１反応ガ
スとしてＴｉＣｌ4を、第２反応ガスとしてＮＨ3を、そ
して不活性ガスとしてＡｒを使用する。従って、バブラ
ー２１１には液状のＴｉＣｌ4が入れられている。
装置の第１実施形態の動作について述べる。以上のよう
な構造を有する本実施形態の動作において、第１反応ガ
スとしてＴｉＣｌ4を、第２反応ガスとしてＮＨ3を、そ
して不活性ガスとしてＡｒを使用する。従って、バブラ
ー２１１には液状のＴｉＣｌ4が入れられている。
【００４８】反応容器１００は、図７に示されるよう
に、ウェーハｗを供給及び移送する移送モジュール１０
２にバット弁１０１を挟んで装着される。ウェーハｗ
は、移送モジュール１０２のロボットアーム（図示せ
ず）によりウェーハ移送穴１１６を通じて反応容器１０
０の内部に移送されてウェーハブロック１４０に置かれ
る。
に、ウェーハｗを供給及び移送する移送モジュール１０
２にバット弁１０１を挟んで装着される。ウェーハｗ
は、移送モジュール１０２のロボットアーム（図示せ
ず）によりウェーハ移送穴１１６を通じて反応容器１０
０の内部に移送されてウェーハブロック１４０に置かれ
る。
【００４９】ウェーハｗがヒーターブロック１４０上に
置かれると、ウェーハブロック１４０の温度は４２５℃
〜６５０℃に上がってウェーハｗを４００℃〜６００℃
まで上昇させ、ウェーハの温度が安定化した後に反応容
器１００へのガス流入を行う。
置かれると、ウェーハブロック１４０の温度は４２５℃
〜６５０℃に上がってウェーハｗを４００℃〜６００℃
まで上昇させ、ウェーハの温度が安定化した後に反応容
器１００へのガス流入を行う。
【００５０】ガスの流入は、先ず第１弁Ｖ１、第６弁Ｖ
６、第８弁Ｖ８、第４弁Ｖ４を数秒間開くことで始ま
る。すると、バブリングされたＴｉＣｌ4ガスは第２弁
Ｖ２まで満たされ、Ａｒガスは第１、第２不活性ガス流
量制御器２６２、２７２によって適切に流量制御された
後、第７弁Ｖ７及び第９弁Ｖ９まで満たされ、ＮＨ3ガ
スは第２反応ガス流量制御器２３２によって適切に流量
制御された後、第５弁Ｖ５まで満たされる。
６、第８弁Ｖ８、第４弁Ｖ４を数秒間開くことで始ま
る。すると、バブリングされたＴｉＣｌ4ガスは第２弁
Ｖ２まで満たされ、Ａｒガスは第１、第２不活性ガス流
量制御器２６２、２７２によって適切に流量制御された
後、第７弁Ｖ７及び第９弁Ｖ９まで満たされ、ＮＨ3ガ
スは第２反応ガス流量制御器２３２によって適切に流量
制御された後、第５弁Ｖ５まで満たされる。
【００５１】次に、第７弁Ｖ７、第９弁Ｖ９を開いて不
活性ガスを反応容器１００の内部に流入させる。ガスが
流入される前に、反応容器１００の内部の圧力は１０-4
〜５×１０-3ｔｏｒに保たれるが、不活性ガスが流入さ
れるに伴い、反応容器１００の内部の圧力は１〜１０Ｔ
ｏｒｒとなる。このような圧力は、反応容器１００に設
けられた圧力測定部１６０が排気ライン４００のスロッ
トル弁ＴＶを適切に開くことで可能となる。ここで、第
７弁及び第９弁Ｖ７、Ｖ９を第６弁及び第８弁Ｖ６、Ｖ
８を開いた後で順次開く理由は、第７弁、第９弁Ｖ７、
Ｖ９を突然開く場合、これら弁を通じて反応容器１００
内のガスが逆流する場合があるからである。
活性ガスを反応容器１００の内部に流入させる。ガスが
流入される前に、反応容器１００の内部の圧力は１０-4
〜５×１０-3ｔｏｒに保たれるが、不活性ガスが流入さ
れるに伴い、反応容器１００の内部の圧力は１〜１０Ｔ
ｏｒｒとなる。このような圧力は、反応容器１００に設
けられた圧力測定部１６０が排気ライン４００のスロッ
トル弁ＴＶを適切に開くことで可能となる。ここで、第
７弁及び第９弁Ｖ７、Ｖ９を第６弁及び第８弁Ｖ６、Ｖ
８を開いた後で順次開く理由は、第７弁、第９弁Ｖ７、
Ｖ９を突然開く場合、これら弁を通じて反応容器１００
内のガスが逆流する場合があるからである。
【００５２】次に、薄膜蒸着工程時に生じるパーティク
ルの生成を防止するために、パーティクル生成防止段階
を行う。薄膜蒸着過程中に生じるパーティクルは薄膜の
品質を落とすため、パーティクルの生成を防止するパー
ティクル生成防止段階は極めて重要な段階である。パー
ティクル生成防止段階は、Ａｒガスを反応容器１００に
流入しつつ、ＴｉＣｌ4ガスを反応容器１００に流入す
る少なくとも数秒前に第５弁Ｖ５を開いてＮＨ3ガスを
反応容器１００に流入させることで行われる。
ルの生成を防止するために、パーティクル生成防止段階
を行う。薄膜蒸着過程中に生じるパーティクルは薄膜の
品質を落とすため、パーティクルの生成を防止するパー
ティクル生成防止段階は極めて重要な段階である。パー
ティクル生成防止段階は、Ａｒガスを反応容器１００に
流入しつつ、ＴｉＣｌ4ガスを反応容器１００に流入す
る少なくとも数秒前に第５弁Ｖ５を開いてＮＨ3ガスを
反応容器１００に流入させることで行われる。
【００５３】もし、ＮＨ3ガスよりもＴｉＣｌ4ガスが反
応容器１００に先に流入されると、ＴｉＣｌ4ガスの一
部が拡散板１３０の表面において反応し、その副産物と
してパーティクルが生じる。パーティクル生成防止段階
とは、このようなパーティクルの生成を防止する段階で
ある。パーティクルは拡散板１３０の表面に蒸着された
ＴｉＮｘＣｌｙ層、或いは拡散板の材質であるＡｌの極
めて微細な欠片であろう。
応容器１００に先に流入されると、ＴｉＣｌ4ガスの一
部が拡散板１３０の表面において反応し、その副産物と
してパーティクルが生じる。パーティクル生成防止段階
とは、このようなパーティクルの生成を防止する段階で
ある。パーティクルは拡散板１３０の表面に蒸着された
ＴｉＮｘＣｌｙ層、或いは拡散板の材質であるＡｌの極
めて微細な欠片であろう。
【００５４】したがって、ＴｉＣｌ4ガスが拡散板１３
０の表面においてパーティクルを生じないようにするた
め、ＴｉＣｌ4ガスが流入される数秒前にＮＨ3ガスを先
に流入させて、拡散板１３０の表面にＮＨ3層を予め形
成する。拡散板１３０の表面に形成されたＮＨ3ガス層
は、後続する本格的な薄膜蒸着工程中に流入されるＴｉ
Ｃｌ4ガスと反応して、ＴｉＣｌ4ガスが拡散板１３０の
表面においてパーティクルを生じることを最大限に抑え
る。
０の表面においてパーティクルを生じないようにするた
め、ＴｉＣｌ4ガスが流入される数秒前にＮＨ3ガスを先
に流入させて、拡散板１３０の表面にＮＨ3層を予め形
成する。拡散板１３０の表面に形成されたＮＨ3ガス層
は、後続する本格的な薄膜蒸着工程中に流入されるＴｉ
Ｃｌ4ガスと反応して、ＴｉＣｌ4ガスが拡散板１３０の
表面においてパーティクルを生じることを最大限に抑え
る。
【００５５】この理由は、拡散板１３０の表面に予め形
成されたＮＨ3ガス層がＴｉＣｌ4ガスと反応して後述す
る気相のＨＣｌを生成させることにより、ＴｉＣｌ4ガ
スが拡散板１３０の表面と反応したり、或いは瞬間エッ
チングできなくなり、その結果、微細なパーティクルの
生成が防止されることにある。前述した気相副産物は直
ちに排気ライン４００を通じて外部に排出される。反応
容器１００内において起こる一連の反応を化学式で表わ
せば、２ＮＨ3＋ＴｉＣｌ4→ＴｉＮ（ｓ）＋４ＨＣｌ
（ｇ）+Ｈ2（ｇ）＋０．５Ｎ2となる。
成されたＮＨ3ガス層がＴｉＣｌ4ガスと反応して後述す
る気相のＨＣｌを生成させることにより、ＴｉＣｌ4ガ
スが拡散板１３０の表面と反応したり、或いは瞬間エッ
チングできなくなり、その結果、微細なパーティクルの
生成が防止されることにある。前述した気相副産物は直
ちに排気ライン４００を通じて外部に排出される。反応
容器１００内において起こる一連の反応を化学式で表わ
せば、２ＮＨ3＋ＴｉＣｌ4→ＴｉＮ（ｓ）＋４ＨＣｌ
（ｇ）+Ｈ2（ｇ）＋０．５Ｎ2となる。
【００５６】パーティクル生成防止段階を行った後に、
反応容器１００へのＴｉＣｌ4ガス及びＮＨ3ガスの流入
量を調節することにより、ウェーハｗ上にＴｉＮ薄膜を
本格的に蒸着する。
反応容器１００へのＴｉＣｌ4ガス及びＮＨ3ガスの流入
量を調節することにより、ウェーハｗ上にＴｉＮ薄膜を
本格的に蒸着する。
【００５７】ＴｉＮ薄膜の蒸着は、反応容器１００内に
ＮＨ3ガス及びＴｉＣｌ4ガスを交互に流入させることに
より行われるが、どちらを先に流入させてもよい。例え
ば、ＴｉＣｌ4ガスを先に流入する場合には、反応容器
に、先ず第１段階としてＴｉＣｌ4ガス及びＡｒガスを
共に流入させ、所定時間経過後ＴｉＣｌ4ガスを排除さ
せる。すると、ウェーハｗ上にＴｉＣｌ4ガス層が形成
され、このガス層は流入され続けるＡｒガスによって圧
着される。
ＮＨ3ガス及びＴｉＣｌ4ガスを交互に流入させることに
より行われるが、どちらを先に流入させてもよい。例え
ば、ＴｉＣｌ4ガスを先に流入する場合には、反応容器
に、先ず第１段階としてＴｉＣｌ4ガス及びＡｒガスを
共に流入させ、所定時間経過後ＴｉＣｌ4ガスを排除さ
せる。すると、ウェーハｗ上にＴｉＣｌ4ガス層が形成
され、このガス層は流入され続けるＡｒガスによって圧
着される。
【００５８】次に、第２段階として、ＮＨ3ガス及びＡ
ｒガスを共に流入させておいて、ＮＨ3ガスの供給を所
定時間遮断する。ＮＨ3ガスは、既にウェーハｗ上に形
成されているＴｉＣｌ4ガス層と反応してウェーハｗに
ＴｉＮ薄膜を形成する。すなわち、第１、第２段階の連
続的な進行を通じてＴｉＮ＋ＮＨ3層が形成される。次
に、ＴｉＮ＋ＮＨ3層上に継続的な薄膜成長のために第
１段階を再び実施する。すると、ＴｉＮ＋ＮＨ3層はＴ
ｉＮ＋ＴｉＮ＋ＴｉＣｌ4層に変わる。次に、２段階の
実施によりＴｉＮ＋ＴｉＮ＋ＴｉＮ＋ＮＨ3層を形成
し、このような過程を繰り返すことにより所望の厚さの
ＴｉＮ薄膜が得られる。
ｒガスを共に流入させておいて、ＮＨ3ガスの供給を所
定時間遮断する。ＮＨ3ガスは、既にウェーハｗ上に形
成されているＴｉＣｌ4ガス層と反応してウェーハｗに
ＴｉＮ薄膜を形成する。すなわち、第１、第２段階の連
続的な進行を通じてＴｉＮ＋ＮＨ3層が形成される。次
に、ＴｉＮ＋ＮＨ3層上に継続的な薄膜成長のために第
１段階を再び実施する。すると、ＴｉＮ＋ＮＨ3層はＴ
ｉＮ＋ＴｉＮ＋ＴｉＣｌ4層に変わる。次に、２段階の
実施によりＴｉＮ＋ＴｉＮ＋ＴｉＮ＋ＮＨ3層を形成
し、このような過程を繰り返すことにより所望の厚さの
ＴｉＮ薄膜が得られる。
【００５９】このようなＴｉＮ薄膜蒸着過程は、第６、
第７弁Ｖ６、Ｖ７及び第８、第９弁Ｖ８、Ｖ９を開いて
Ａｒガスを反応容器１００内に流入しつつ、第１弁Ｖ１
及び第４弁Ｖ４を常に開いた状態で第３弁Ｖ３及び第５
弁Ｖ５を交互に開いたり閉めたりすることで行われる。
第７弁Ｖ６、Ｖ７及び第８、第９弁Ｖ８、Ｖ９を開いて
Ａｒガスを反応容器１００内に流入しつつ、第１弁Ｖ１
及び第４弁Ｖ４を常に開いた状態で第３弁Ｖ３及び第５
弁Ｖ５を交互に開いたり閉めたりすることで行われる。
【００６０】このとき、第２弁Ｖ２は第３弁Ｖ３が開く
前に開かれてＴｉＣｌ4ガスが第１反応ガス流量制御器
２１２を経由して第３弁Ｖ３まで満たされるようにし、
次に、第３弁Ｖ３を開いて第１反応ガスを反応容器１０
０に送るときに第２弁Ｖ２は閉じられるようにする。す
なわち、第１反応ガスは弁と弁との間を単位として順次
に第１反応ガス供給ライン２２０を流れる。そして、反
応過程によって生じた工程副産物は、排気ライン４００
のスロットル弁ＴＶ、常に開かれている第２３、第２
４、第２５弁Ｖ２３、Ｖ２４、Ｖ２５を経由して排出さ
れる。
前に開かれてＴｉＣｌ4ガスが第１反応ガス流量制御器
２１２を経由して第３弁Ｖ３まで満たされるようにし、
次に、第３弁Ｖ３を開いて第１反応ガスを反応容器１０
０に送るときに第２弁Ｖ２は閉じられるようにする。す
なわち、第１反応ガスは弁と弁との間を単位として順次
に第１反応ガス供給ライン２２０を流れる。そして、反
応過程によって生じた工程副産物は、排気ライン４００
のスロットル弁ＴＶ、常に開かれている第２３、第２
４、第２５弁Ｖ２３、Ｖ２４、Ｖ２５を経由して排出さ
れる。
【００６１】以上のような反応を要約すれば、ＴｉＣｌ
4ガスは第１、第２弁Ｖ１、Ｖ２を経て流量制御された
後、第３弁Ｖ３を通じて第１反応ガス供給ライン２２０
に流れ、Ａｒガスは流量制御された後、第７弁Ｖ７を経
て第１反応ガス供給ライン２２０においてＴｉＣｌ4ガ
スと混合されて反応容器１００に流れる。
4ガスは第１、第２弁Ｖ１、Ｖ２を経て流量制御された
後、第３弁Ｖ３を通じて第１反応ガス供給ライン２２０
に流れ、Ａｒガスは流量制御された後、第７弁Ｖ７を経
て第１反応ガス供給ライン２２０においてＴｉＣｌ4ガ
スと混合されて反応容器１００に流れる。
【００６２】次に、混合されたＴｉＣｌ4及びＡｒは、
第１接続パイプ１１１及び第１連結ライン１２１を経由
し、第１混合部１３４において再び均一に混合されて噴
射口１３１を通じてウェーハｗ上に一様に噴射される。
ＮＨ3反応ガスは第４弁Ｖ４を経て流量制御された後、
第５弁Ｖ５を通じて第２反応ガス供給ライン２４０に流
れ、Ａｒガスは流量制御された後、第９弁Ｖ９を経て第
２反応ガス供給ライン２４０においてＮＨ3ガスと混合
されて反応容器１００に流れる。
第１接続パイプ１１１及び第１連結ライン１２１を経由
し、第１混合部１３４において再び均一に混合されて噴
射口１３１を通じてウェーハｗ上に一様に噴射される。
ＮＨ3反応ガスは第４弁Ｖ４を経て流量制御された後、
第５弁Ｖ５を通じて第２反応ガス供給ライン２４０に流
れ、Ａｒガスは流量制御された後、第９弁Ｖ９を経て第
２反応ガス供給ライン２４０においてＮＨ3ガスと混合
されて反応容器１００に流れる。
【００６３】次に、混合されたＮＨ3ガス及びＡｒガス
は、第２接続パイプ１１２及び第２連結ライン１２２を
経由し、第２混合部１３５において再び混合された後、
ノズル１３３を通じてリアクターブロック１１０の内側
壁に向かって噴射される。
は、第２接続パイプ１１２及び第２連結ライン１２２を
経由し、第２混合部１３５において再び混合された後、
ノズル１３３を通じてリアクターブロック１１０の内側
壁に向かって噴射される。
【００６４】このとき、望ましくは、流量制御されるＴ
ｉＣｌ4ガスの流量を１ＳＣＣＭ以上、ＴｉＣｌ4ガスと
混合されるＡｒガスの流量を５０ＳＣＣＭ以上、ＮＨ3
の流量を５０ＳＣＣＭ以上、ＮＨ3ガスと混合されるＡ
ｒガスの流量を６０ＳＣＣＭ以上にする。この値は何回
かに亘っての実験によって得られたものであり、流量が
少なくとも前記値以上であるとき、高純度を有し、電気
特性が優秀であるほか、ステップカーバレッジが良好な
薄膜が得られる。
ｉＣｌ4ガスの流量を１ＳＣＣＭ以上、ＴｉＣｌ4ガスと
混合されるＡｒガスの流量を５０ＳＣＣＭ以上、ＮＨ3
の流量を５０ＳＣＣＭ以上、ＮＨ3ガスと混合されるＡ
ｒガスの流量を６０ＳＣＣＭ以上にする。この値は何回
かに亘っての実験によって得られたものであり、流量が
少なくとも前記値以上であるとき、高純度を有し、電気
特性が優秀であるほか、ステップカーバレッジが良好な
薄膜が得られる。
【００６５】この実施形態においては、ＴｉＣｌ4ガス
を排除した後、ＮＨ3ガスを流入させるまでには少なく
とも１秒以上の時間間隔をおいた。また、ＴｉＣｌ4ガ
ス及び不活性ガスを反応容器１００の内部に流入させる
時間と、その次に反応容器１００へＮＨ3ガスを流入さ
せる前に前記ＴｉＣｌ4ガスを排除する時間との比は
１：１．２以上にした。
を排除した後、ＮＨ3ガスを流入させるまでには少なく
とも１秒以上の時間間隔をおいた。また、ＴｉＣｌ4ガ
ス及び不活性ガスを反応容器１００の内部に流入させる
時間と、その次に反応容器１００へＮＨ3ガスを流入さ
せる前に前記ＴｉＣｌ4ガスを排除する時間との比は
１：１．２以上にした。
【００６６】また、第１不活性ガス供給ライン２６０を
通じて流入される不活性ガスの流量値と、第２不活性ガ
ス供給ライン２７０を通じて流入される不活性ガスの流
量値との比を１：１．２以上にして、拡散性の強いＴｉ
Ｃｌ4ガスが前記第２反応ガス供給ライン２４０を経由
して逆流できないようにした。
通じて流入される不活性ガスの流量値と、第２不活性ガ
ス供給ライン２７０を通じて流入される不活性ガスの流
量値との比を１：１．２以上にして、拡散性の強いＴｉ
Ｃｌ4ガスが前記第２反応ガス供給ライン２４０を経由
して逆流できないようにした。
【００６７】このような方式により行う薄膜蒸着は、反
応容器１００への連続的なガス噴射によりなされ、また
圧力測定部１６０及びスロットル弁を含む弁との適切な
信号交換及び制御により反応容器１００の工程圧力が一
定に保たれる。その結果、蒸着される薄膜の均一化など
が一層向上される。
応容器１００への連続的なガス噴射によりなされ、また
圧力測定部１６０及びスロットル弁を含む弁との適切な
信号交換及び制御により反応容器１００の工程圧力が一
定に保たれる。その結果、蒸着される薄膜の均一化など
が一層向上される。
【００６８】一方、ウェーハｗ上にＴｉＮ薄膜を蒸着す
る過程において、薄膜にＣｌが含まれ得る。Ｃｌは薄膜
の純度、電気特性などを悪くするため、Ｃｌを除去する
Ｃｌ除去段階もやはり重要である。Ｃｌ除去段階は、Ｔ
ｉＣｌ4ガスが流入されないように第３弁Ｖ３を閉じ、
第６、第７弁Ｖ６、Ｖ７、第８、第９弁Ｖ８、Ｖ９、第
４、第５弁Ｖ４、Ｖ５を開いておくことにより行われ
る。すなわち、反応容器１００にＡｒガス及びＮＨ3ガ
スだけを供給する。すると、ＮＨ3ガスがウェーハｗ上
に形成されたＴｉＮ薄膜内のＣｌと反応してＨＣｌが形
成され、次に反応容器１００の外部に排出される。この
ようなＣｌ除去段階は、薄膜のＣｌ含量が十分に低い場
合には省略できる。
る過程において、薄膜にＣｌが含まれ得る。Ｃｌは薄膜
の純度、電気特性などを悪くするため、Ｃｌを除去する
Ｃｌ除去段階もやはり重要である。Ｃｌ除去段階は、Ｔ
ｉＣｌ4ガスが流入されないように第３弁Ｖ３を閉じ、
第６、第７弁Ｖ６、Ｖ７、第８、第９弁Ｖ８、Ｖ９、第
４、第５弁Ｖ４、Ｖ５を開いておくことにより行われ
る。すなわち、反応容器１００にＡｒガス及びＮＨ3ガ
スだけを供給する。すると、ＮＨ3ガスがウェーハｗ上
に形成されたＴｉＮ薄膜内のＣｌと反応してＨＣｌが形
成され、次に反応容器１００の外部に排出される。この
ようなＣｌ除去段階は、薄膜のＣｌ含量が十分に低い場
合には省略できる。
【００６９】そして、第１反応ガスとしてＴａ元素を含
む化合物ガスを用い、第２反応ガスとしてＮを含む化合
物、例えばＮＨ3ガスを用いる場合にも、前記のような
方式を行うことでウェーハｗ上にＴａＮ薄膜を蒸着でき
る。
む化合物ガスを用い、第２反応ガスとしてＮを含む化合
物、例えばＮＨ3ガスを用いる場合にも、前記のような
方式を行うことでウェーハｗ上にＴａＮ薄膜を蒸着でき
る。
【００７０】次に、本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の
第２実施形態について説明する。図８は、本発明による
ＡＬＤ薄膜蒸着装置の第２実施形態を示した図である。
ここで、図１と同一の参照符号は同一の機能をする同一
の部材である。
第２実施形態について説明する。図８は、本発明による
ＡＬＤ薄膜蒸着装置の第２実施形態を示した図である。
ここで、図１と同一の参照符号は同一の機能をする同一
の部材である。
【００７１】第２実施形態が第１実施形態と異なる点
は、第１実施形態がウェーハｗ上にＴｉＮまたはＴａＮ
薄膜を蒸着できるのに比べ、第２実施形態においてはＷ
Ｎなどの薄膜を形成できる。これを可能にするために、
第１実施形態の構成のうち、第１反応ガス供給部２１０
が第１反応ガス供給部５１０に取り替えられる。
は、第１実施形態がウェーハｗ上にＴｉＮまたはＴａＮ
薄膜を蒸着できるのに比べ、第２実施形態においてはＷ
Ｎなどの薄膜を形成できる。これを可能にするために、
第１実施形態の構成のうち、第１反応ガス供給部２１０
が第１反応ガス供給部５１０に取り替えられる。
【００７２】第１反応ガス供給部５１０は、第１反応ガ
スの流れをオン／オフする第３１弁Ｖ３１と、第３１弁
Ｖ３１を経由した第１反応ガスの流量を制御する第１反
応ガス流量制御器５１２とを含む。この第１反応ガス供
給部５１０は第３弁Ｖ３と連結される。そして、第１反
応ガスの原料としてＷＦ6を使用し、第２反応ガスとし
てＮを含む化合物ガス、例えば、ＮＨ3を使用し、不活
性ガスとしてＡｒガスを使用する。
スの流れをオン／オフする第３１弁Ｖ３１と、第３１弁
Ｖ３１を経由した第１反応ガスの流量を制御する第１反
応ガス流量制御器５１２とを含む。この第１反応ガス供
給部５１０は第３弁Ｖ３と連結される。そして、第１反
応ガスの原料としてＷＦ6を使用し、第２反応ガスとし
てＮを含む化合物ガス、例えば、ＮＨ3を使用し、不活
性ガスとしてＡｒガスを使用する。
【００７３】ＷＮ薄膜を蒸着する場合には、反応容器１
００内にＮＨ3ガス及びＷＦ6ガスを交互に流入させるこ
とにより行われるが、例えば、ＷＦ6ガスを先に流入す
る場合には、先ず第１段階としてＷＦ6ガス及びＡｒガ
スを共に流入させておいて、所定時間ＷＦ6ガスを排除
させる。すると、ウェーハｗ上にＷＦ6ガス層が形成さ
れ、このガス層は継続して流入されるＡｒガスにより圧
着される。次に、第２段階としてＮＨ3ガス及びＡｒガ
スを共に流入させておいて、所定時間ＮＨ3ガスの流入
を遮断する。ＮＨ3ガスは既にウェーハｗ上に形成され
ているＷＦ6ガス層と反応してウェーハｗにＷＮ薄膜を
形成する。すなわち、第１、第２段階の連続的な進行を
通じて結局ＷＮ＋ＮＨ3層が形成される。
００内にＮＨ3ガス及びＷＦ6ガスを交互に流入させるこ
とにより行われるが、例えば、ＷＦ6ガスを先に流入す
る場合には、先ず第１段階としてＷＦ6ガス及びＡｒガ
スを共に流入させておいて、所定時間ＷＦ6ガスを排除
させる。すると、ウェーハｗ上にＷＦ6ガス層が形成さ
れ、このガス層は継続して流入されるＡｒガスにより圧
着される。次に、第２段階としてＮＨ3ガス及びＡｒガ
スを共に流入させておいて、所定時間ＮＨ3ガスの流入
を遮断する。ＮＨ3ガスは既にウェーハｗ上に形成され
ているＷＦ6ガス層と反応してウェーハｗにＷＮ薄膜を
形成する。すなわち、第１、第２段階の連続的な進行を
通じて結局ＷＮ＋ＮＨ3層が形成される。
【００７４】次に、ＷＮ＋ＮＨ3層上に継続的な薄膜成
長のために第１段階を再び実施する。すると、ＷＮ＋Ｎ
Ｈ3層はＷＮ＋ＷＮ＋ＷＦ6ガス層に変わる。次に、第２
段階の実施によりＷＮ＋ＷＮ＋ＷＮ＋ＮＨ3層を形成
し、これらの過程を繰り返すことにより所望の厚さのＷ
Ｎ薄膜が得られる。
長のために第１段階を再び実施する。すると、ＷＮ＋Ｎ
Ｈ3層はＷＮ＋ＷＮ＋ＷＦ6ガス層に変わる。次に、第２
段階の実施によりＷＮ＋ＷＮ＋ＷＮ＋ＮＨ3層を形成
し、これらの過程を繰り返すことにより所望の厚さのＷ
Ｎ薄膜が得られる。
【００７５】次に、本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の
第３実施形態について説明する。図９は、本発明による
ＡＬＤ薄膜蒸着装置の第３実施形態を示した図である。
ここで、図１と同一の参照符号は同一の機能をする同一
の部材である。
第３実施形態について説明する。図９は、本発明による
ＡＬＤ薄膜蒸着装置の第３実施形態を示した図である。
ここで、図１と同一の参照符号は同一の機能をする同一
の部材である。
【００７６】第３実施形態が第１実施形態と異なる点
は、第１実施形態がＴｉＮまたはＴａＮ薄膜を蒸着でき
るのに比べ、第３実施形態においては、ＴｉＮまたはＴ
ａＮはもちろん、Ｔｉ、ＴｉＡＩＮなどの薄膜を形成で
きる。これを可能にするために、第１実施形態の構成に
加え、第３反応ガスであるトリメチルアルミニウムガス
を第２反応ガス供給ライン２４０に供給する第３反応ガ
ス供給部６２０と、第４反応ガスであるＨ2ガスを前記
第２反応ガス供給ライン２４０に供給する第４反応ガス
供給部６１０とをさらに含む。
は、第１実施形態がＴｉＮまたはＴａＮ薄膜を蒸着でき
るのに比べ、第３実施形態においては、ＴｉＮまたはＴ
ａＮはもちろん、Ｔｉ、ＴｉＡＩＮなどの薄膜を形成で
きる。これを可能にするために、第１実施形態の構成に
加え、第３反応ガスであるトリメチルアルミニウムガス
を第２反応ガス供給ライン２４０に供給する第３反応ガ
ス供給部６２０と、第４反応ガスであるＨ2ガスを前記
第２反応ガス供給ライン２４０に供給する第４反応ガス
供給部６１０とをさらに含む。
【００７７】第４反応ガス供給部６１０は、供給するＨ
2の流れをオン／オフする第３２弁Ｖ３２、第３２弁Ｖ
３２を経由したＨ2の流量を制御する第４反応ガス流量
制御器６１２、第４反応ガス流量制御器６１２により制
御されたＨ2ガスの流れをオン／オフする第３３弁Ｖ３
３を含む。
2の流れをオン／オフする第３２弁Ｖ３２、第３２弁Ｖ
３２を経由したＨ2の流量を制御する第４反応ガス流量
制御器６１２、第４反応ガス流量制御器６１２により制
御されたＨ2ガスの流れをオン／オフする第３３弁Ｖ３
３を含む。
【００７８】第３反応ガス供給部６２０は、第３反応原
料をガス化するバブラー６２１と、流れる第３反応ガス
の流量を制御する第３反応ガス流量制御器６２２と、バ
ブラー６２１と第３反応ガス流量制御器６２２との間の
ラインに設けられて第３反応ガスの流れをオン／オフす
る第３４弁Ｖ３４と、第２反応ガス供給ライン２４０に
第３反応ガス流量制御器６２２により制御された第３反
応ガスの流れをオン／オフする第３５弁Ｖ３５とを含
む。
料をガス化するバブラー６２１と、流れる第３反応ガス
の流量を制御する第３反応ガス流量制御器６２２と、バ
ブラー６２１と第３反応ガス流量制御器６２２との間の
ラインに設けられて第３反応ガスの流れをオン／オフす
る第３４弁Ｖ３４と、第２反応ガス供給ライン２４０に
第３反応ガス流量制御器６２２により制御された第３反
応ガスの流れをオン／オフする第３５弁Ｖ３５とを含
む。
【００７９】すなわち、前記した構成において、第１反
応ガスとしてＴｉ、Ｔａ転移金属元素を含む化合物ガス
を使用し、不活性ガスとしてＡｒを、第３反応ガスとし
てＴＭＡガスを、そして第４反応ガスとしてＨ2ガスを
使用する。
応ガスとしてＴｉ、Ｔａ転移金属元素を含む化合物ガス
を使用し、不活性ガスとしてＡｒを、第３反応ガスとし
てＴＭＡガスを、そして第４反応ガスとしてＨ2ガスを
使用する。
【００８０】このような構造の薄膜蒸着装置の第３実施
形態は、前述した第１実施形態とほぼ同一なため、その
詳細な説明は省略する。前記各実施形態において、第１
反応ガスとしてＴｉＣｌ4やＴｉ、Ｔａ、Ｗなどの転移
金属元素を含む化合物ガスを使用したが、他のガスを使
用しても良い。同様に、不活性ガスとしてＡｒガスを使
用したが、これに限定されることなく、Ｈｅ、Ｎ2な
ど、他の種類のガスを使用しても良い。また、第２反応
ガスとしてＮＨ3ガスを使用したが、これに限定される
ことなく、Ｎを含む他の種類の化合物ガスを使用しても
良い。
形態は、前述した第１実施形態とほぼ同一なため、その
詳細な説明は省略する。前記各実施形態において、第１
反応ガスとしてＴｉＣｌ4やＴｉ、Ｔａ、Ｗなどの転移
金属元素を含む化合物ガスを使用したが、他のガスを使
用しても良い。同様に、不活性ガスとしてＡｒガスを使
用したが、これに限定されることなく、Ｈｅ、Ｎ2な
ど、他の種類のガスを使用しても良い。また、第２反応
ガスとしてＮＨ3ガスを使用したが、これに限定される
ことなく、Ｎを含む他の種類の化合物ガスを使用しても
良い。
【００８１】本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の第１、
第２、第３実施形態においては、薄膜蒸着工程において
共通的に中心となる第１、第２反応ガスに関し、混合さ
れた第１反応ガス及び不活性ガスをウェーハの上部に噴
射し、混合されたＮＨ3ガス及び不活性ガスをリアクタ
ーブロックの内側壁に噴射させる。そして、拡散板１３
０とウェーハブロック１４０との間の間隔を２０ｍｍ〜
５０ｍｍに近づけて様々な反応ガスをウェーハ上に順次
圧着させつつ反応させることにより、より優れた純度及
び電気特性を有し、ステップカーバレッジに優れたＴ
ｉ、ＴｉＡＩＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ膜などを蒸着で
きる。また、初期にＮＨ3ガスを第１反応ガスよりも数
秒前に予め反応容器に噴射させることにより、パーティ
クルの発生を抑えることができる。
第２、第３実施形態においては、薄膜蒸着工程において
共通的に中心となる第１、第２反応ガスに関し、混合さ
れた第１反応ガス及び不活性ガスをウェーハの上部に噴
射し、混合されたＮＨ3ガス及び不活性ガスをリアクタ
ーブロックの内側壁に噴射させる。そして、拡散板１３
０とウェーハブロック１４０との間の間隔を２０ｍｍ〜
５０ｍｍに近づけて様々な反応ガスをウェーハ上に順次
圧着させつつ反応させることにより、より優れた純度及
び電気特性を有し、ステップカーバレッジに優れたＴ
ｉ、ＴｉＡＩＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ膜などを蒸着で
きる。また、初期にＮＨ3ガスを第１反応ガスよりも数
秒前に予め反応容器に噴射させることにより、パーティ
クルの発生を抑えることができる。
【００８２】また、薄膜蒸着がなされた後、或いはなさ
れる過程において、ＮＨ3ガスを反応容器１００に噴射
することにより、薄膜内に存在するＣｌを除去して膜の
電気特性を高めることができる。
れる過程において、ＮＨ3ガスを反応容器１００に噴射
することにより、薄膜内に存在するＣｌを除去して膜の
電気特性を高めることができる。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
より優れた純度及び電気特性を有し、ステップカーバレ
ッジに優れた薄膜、すなわち高品質な薄膜を効率的に形
成できる。
より優れた純度及び電気特性を有し、ステップカーバレ
ッジに優れた薄膜、すなわち高品質な薄膜を効率的に形
成できる。
【図１】本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の第１実施形
態を示した図である。
態を示した図である。
【図２】図１のＡＬＤ薄膜蒸着装置において、反応容器
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図３】図２に採用される反応容器において、シャワー
ヘッドと拡散板とを分離して示した斜視図である。
ヘッドと拡散板とを分離して示した斜視図である。
【図４】図２の反応容器の断面図である。
【図５】図４の反応容器の第１混合部を拡大した図であ
る。
る。
【図６】薄膜形成時に、間隔Ｄと比抵抗との関係を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図７】反応容器が移送モジュールにバット弁を通じて
結合された状態を示した図である。
結合された状態を示した図である。
【図８】本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の第２実施形
態を示した図である。
態を示した図である。
【図９】本発明によるＡＬＤ薄膜蒸着装置の第３実施形
態を示した図である。
態を示した図である。
１００…反応容器、２１０，５１０…第１反応ガス供給
部、２１１…バブラー、２１２，５１２…第１反応ガス
流量制御部、２２０…第１反応ガス供給ライン、２３０
…第２反応ガス供給部、２３２…第２反応ガス流量制御
部、２４０…第２反応ガス供給ライン、２６０…第１不
活性ガス供給ライン、２６２…第１不活性ガス流量制御
部、２７０…第２不活性ガス供給ライン、２７２…第２
不活性ガス流量制御部、２８０…第１バイパスライン、
２９０…第２バイパスライン、４００…排気ライン、６
１０…第４反応ガス供給部、６１２…第４反応ガス流量
制御部、６２０…第３反応ガス供給部、６２１…バブラ
ー、６２２…第３反応ガス流量制御部、Ｖ１…第１弁、
Ｖ２…第２弁、Ｖ３…第３弁、Ｖ４…第４弁、Ｖ５…第
５弁、Ｖ６…第６弁、Ｖ７…第７弁、Ｖ８…第８弁、Ｖ
９…第９弁、Ｖ１０…第１０弁、Ｖ１１…第１１弁、Ｖ
１２…第１２弁、Ｖ１３…第１３弁、Ｖ３１…第３１
弁、Ｖ３２…第３２弁、Ｖ３３…第３３弁、Ｖ３４…第
３４弁、Ｖ３５…第３５弁。
部、２１１…バブラー、２１２，５１２…第１反応ガス
流量制御部、２２０…第１反応ガス供給ライン、２３０
…第２反応ガス供給部、２３２…第２反応ガス流量制御
部、２４０…第２反応ガス供給ライン、２６０…第１不
活性ガス供給ライン、２６２…第１不活性ガス流量制御
部、２７０…第２不活性ガス供給ライン、２７２…第２
不活性ガス流量制御部、２８０…第１バイパスライン、
２９０…第２バイパスライン、４００…排気ライン、６
１０…第４反応ガス供給部、６１２…第４反応ガス流量
制御部、６２０…第３反応ガス供給部、６２１…バブラ
ー、６２２…第３反応ガス流量制御部、Ｖ１…第１弁、
Ｖ２…第２弁、Ｖ３…第３弁、Ｖ４…第４弁、Ｖ５…第
５弁、Ｖ６…第６弁、Ｖ７…第７弁、Ｖ８…第８弁、Ｖ
９…第９弁、Ｖ１０…第１０弁、Ｖ１１…第１１弁、Ｖ
１２…第１２弁、Ｖ１３…第１３弁、Ｖ３１…第３１
弁、Ｖ３２…第３２弁、Ｖ３３…第３３弁、Ｖ３４…第
３４弁、Ｖ３５…第３５弁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA04 AA11 AA13 AA17 BA02 BA17 BA18 BA20 CA04 CA12 HA15 JA05 JA09 JA10 JA11 KA11 KA41 4M104 BB14 BB29 BB30 BB32 BB33 DD44 DD45 HH13
Claims (27)
- 【請求項１】 ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容
器と、第１反応ガスを前記反応容器に供給するための第
１反応ガス供給部と、第２反応ガスを前記反応容器に供
給するための第２反応ガス供給部と、前記第１反応ガス
供給部と前記反応容器とを連結する第１反応ガス供給ラ
インと、前記第２反応ガス供給部と前記反応容器とを連
結する第２反応ガス供給ラインと、不活性ガス供給源か
ら供給される不活性ガスを前記第１反応ガス供給ライン
に供給する第１不活性ガス供給ラインと、不活性ガス供
給源から供給される不活性ガスを前記第２反応ガス供給
ラインに供給する第２不活性ガス供給ラインと、前記反
応容器内のガスを外部に排出するための排気ラインとを
含むことを特徴とするＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項２】 前記第１反応ガス供給部は、第１反応原
料をガス化するバブラーと、前記バブラーから供給され
る第１反応ガスの流量を制御する第１反応ガス流量制御
器と、前記バブラーと前記第１反応ガス流量制御器との
間のラインに設けられて第１反応ガスの流れをオン／オ
フする第１弁及び第２弁とを含むことを特徴とする請求
項１に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項３】 前記第１反応ガス供給ラインに設けられ
て、前記第１反応ガス流量制御器により制御された第１
反応ガスの流れをオン／オフする第３弁をさらに含むこ
とを特徴とする請求項２に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項４】 前記第２反応ガス供給部は、第２反応ガ
スの流れをオン／オフする第４弁と、前記第４弁を経由
した第２反応ガスの流量を制御する第２反応ガス流量制
御器とを含むことを特徴とする請求項１に記載のＡＬＤ
薄膜蒸着装置。 - 【請求項５】 前記第２反応ガス供給ラインに設けられ
て、前記第２反応ガス流量制御器により制御された第２
反応ガスの流れをオン／オフする第５弁をさらに含むこ
とを特徴とする請求項４に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項６】 前記第１不活性ガス供給ラインには、供
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第６弁と、
前記第６弁を経由した不活性ガスの流量を制御する第１
不活性ガス流量制御器と、第１不活性ガス流量制御器に
より制御された不活性ガスの流れをオン／オフする第７
弁とが設けられたことを特徴とする請求項１に記載のＡ
ＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項７】 前記第２不活性ガス供給ラインには、供
給される不活性ガスの流れをオン／オフする第８弁と、
前記第８弁を経由した不活性ガスの流量を制御する第２
不活性ガス流量制御器と、前記第２不活性ガス流量制御
器により制御された不活性ガスの流れをオン／オフする
第９弁とが設けられたことを特徴とする請求項１に記載
のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項８】 前記第１反応ガス及び／又は不活性ガス
を前記反応容器を経ずに直ちに前記排気ラインに流すた
めのものであって、前記排気ラインへの第１反応ガスの
流れをオン／オフする第１０弁及び前記排気ラインへの
不活性ガスの流れをオン／オフする第１１弁を有する第
１バイパスラインと、前記第２反応ガス及び／又は不活
性ガスを前記反応容器を経ずに直ちに前記排気ラインに
流すためのものであって、前記排気ラインへの第２反応
ガスの流れをオン／オフする第１２弁及び前記排気ライ
ンへの不活性ガスの流れをオン／オフする第１３弁を有
する第２バイパスラインとをさらに含むことを特徴とす
る請求項１に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項９】 ラインに残存するガス及び／又は汚染源
をパージ排気するためのものであって、前記第１反応ガ
ス供給部、第２反応ガス供給部、第１不活性ガス供給ラ
イン、第２不活性ガス供給ライン、第１バイパスライ
ン、第２バイパスライン、排気ラインと有機的に連結さ
れた別途の不活性ガス供給ラインをさらに含むことを特
徴とする請求項１に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項１０】 前記第１反応ガスはＴｉＣｌ4またはＴ
ａ元素を含む化合物ガスであり、第２反応ガスはＮＨ3
であることを特徴とする請求項１に記載のＡＬＤ薄膜蒸
着装置。 - 【請求項１１】 前記第１反応ガス供給部は、第１反応
ガスの流れをオン／オフする第３１弁と、前記第３１弁
を経由した第１反応ガスの流量を制御する第１反応ガス
流量制御器とを含むことを特徴とする請求項１に記載の
ＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項１２】 前記第１反応ガスはＷＦ6であり、第２
反応ガスはＮＨ3であることを特徴とする請求項１１に
記載のＡＬＤ薄膜蒸着装置。 - 【請求項１３】 第３反応ガスを前記第２反応ガス供給
ラインに供給する第３反応ガス供給部と、第４反応ガス
を前記第２反応ガス供給ラインに供給する第４反応ガス
供給部とをさらに含み、前記第４反応ガス供給部は、第
４反応ガスの流れをオン／オフする第３２弁と、前記第
３２弁を経由した第４反応ガスの流量を制御する第４反
応ガス流量制御器と、前記第４反応ガス流量制御器によ
り制御された第４反応ガスの流れをオン／オフする第３
３弁とを有することを特徴とする請求項１に記載のＡＬ
Ｄ薄膜蒸着装置。 - 【請求項１４】 前記第３反応ガス供給部は、第３反応
原料をガス化するバブラーと、前記バブラーから供給さ
れる第３反応ガスの流量を制御する第３反応ガス流量制
御器と、前記バブラーと前記第３反応ガス流量制御器と
の間のラインに設けられて第３反応ガスの流れをオン／
オフする第３４弁と、前記第２反応ガス供給ラインに、
前記第３反応ガス流量制御器により制御された第３反応
ガスの流れをオン／オフする第３５弁とをさらに含むこ
とを特徴とする請求項１３に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装
置。 - 【請求項１５】 前記第１反応ガスはＴｉ、Ｔａ、Ｗ転
移金属元素を含む化合物ガスであり、第２反応ガスはＮ
Ｈ3であることを特徴とする請求項１４に記載のＡＬＤ
薄膜蒸着装置。 - 【請求項１６】 前記第３反応ガスはトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡＴ）であり、第４反応ガスはＨ2である
ことを特徴とする請求項１４に記載のＡＬＤ薄膜蒸着装
置。 - 【請求項１７】 ウェーハが内蔵されて蒸着される反応
容器と、第１反応ガスを前記反応容器に供給するための
第１反応ガス供給部と、前記第１反応ガス供給部と前記
反応容器とを連結する第１反応ガス供給ラインと、第２
反応ガスを前記反応容器に供給するための第２反応ガス
供給部と、前記第２反応ガス供給部と前記反応容器とを
連結する第２反応ガス供給ラインと、流量制御された不
活性ガスを前記第１反応ガス供給ラインに供給する第１
不活性ガス供給ラインと、流量制御された不活性ガスを
前記第２反応ガス供給ラインに供給する第２不活性ガス
供給ラインと、反応容器のガスを外部に排出する排気ラ
インとを含む薄膜蒸着装置に適用するものであって、流
量制御された第１反応ガス及び流量制御された不活性ガ
スを混合して前記反応容器内のウェーハの上部の表面に
供給し、流量制御された第２反応ガス及び流量制御され
た不活性ガスを混合して前記反応容器内のウェーハの縁
側に供給することを特徴とするＡＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項１８】 前記第１反応ガスとしてＣｌ元素を含
む化合物ガスを使用し、前記第２反応ガスとしてＮＨ3
を使用する場合、薄膜蒸着工程時にパーティクルの生成
を防止するために、初期の第１反応ガスを前記反応容器
に流入させる少なくとも数秒前に前記ＮＨ3ガスを反応
容器の内部に流入させるパーティクル生成防止段階を含
むことを特徴とする請求項１７に記載のＡＬＤ薄膜蒸着
方法。 - 【請求項１９】 前記反応容器に前記第１反応ガス及び
不活性ガスを混合して流入させていて前記第１反応ガス
を所定時間排除させる第１段階と、前記反応容器に前記
第２反応ガス及び不活性ガスを流入させていて前記第２
反応ガスを所定時間排除させる第２段階を繰り返して行
うことを特徴とする請求項１７に記載のＡＬＤ薄膜蒸着
方法。 - 【請求項２０】 前記第１反応ガスとしてＴｉ、Ｔａ、
Ｗ転移金属元素を含む化合物ガスを使用し、第２反応ガ
スとしてＮＨ3ガスを使用する場合、薄膜蒸着工程時に
前記ウェーハの温度を４００℃〜６００℃の範囲に保
ち、前記反応容器に連結されるラインの温度を４０℃〜
２００℃の範囲に保つことを特徴とする請求項１９に記
載のＡＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項２１】 流量制御される第１反応ガスの流量は
１ＳＣＣＭ以上であり、前記第１反応ガスと混合される
不活性ガスの流量制御された流量は５０ＳＣＣＭ以上で
あり、流量制御されるＮＨ3の流量は５０ＳＣＣＭ以上
であり、前ＮＨ3ガスと混合される不活性ガスの流量制
御された流量は６０ＳＣＣＭ以上であることを特徴とす
る請求項２０に記載のＡＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項２２】 前記第１反応ガスとしてＣｌ元素を含
む化合物ガスを使用する場合、蒸着されるウェーハ上の
薄膜からＣｌを除去するために、反応容器に不活性ガス
及びＮＨ3ガスだけを流入させるＣｌ除去段階をさらに
含むことを特徴とする請求項１７に記載のＡＬＤ薄膜蒸
着方法。 - 【請求項２３】 前記第１、第２反応ガス及び／又は不
活性ガスが反応容器の内部に流入されるとき、前記反応
容器内の圧力が１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲にある
ことを特徴とする請求項２１に記載のＡＬＤ薄膜蒸着方
法。 - 【請求項２４】 前記第１反応ガスとしてＴｉＣｌ4を使
用し、第２反応ガスとしてＮＨ3ガスを使用する場合、
前記ＴｉＣｌ4ガスの排除後に前記ＮＨ3ガスを流入させ
るまでは少なくとも１秒以上の時間間隔をおくことを特
徴とする請求項１９に記載のＡＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項２５】 前記ＴｉＣｌ4ガス及び不活性ガスを反
応容器の内部に流入させる時間と、その次に反応容器へ
のＮＨ3ガス流入前まで前記ＴｉＣｌ4ガスを排除する時
間との比は１：１．２以上であることを特徴とする請求
項２４に記載のＡＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項２６】 前記第１不活性ガス供給ラインを通じ
て流入される不活性ガスの流量値と、前記第２不活性ガ
ス供給ラインを通じて流入される不活性ガスの流量値と
の比を１：１．２以上にして、拡散性の強いＴｉＣｌ4
ガスが前記第２反応ガス供給ラインを経由して逆流でき
ないようにすることを特徴とする請求項２５に記載のＡ
ＬＤ薄膜蒸着方法。 - 【請求項２７】 前記第１反応ガス供給部が第１反応原
料をガス化するバブラーと、流れる第１反応ガスの流量
を制御する第１反応ガス流量制御器と、前記バブラーと
前記第１反応ガス流量制御器との間に設けられて第１反
応ガスの流れをオン／オフする第１及び第２弁とを含
み、前記第１反応ガス供給ラインが前記第１反応ガス流
量制御器により制御された第１反応ガスの流れをオン／
オフする第３弁を含む場合、前記第１及び第２弁を開い
て前記第１反応ガスを前記第１反応ガス流量制御器を経
由させて第３弁まで所定時間満たした後、第３弁を開い
て第１反応ガスを反応容器に送るときに前記第２弁を閉
じることを特徴とする請求項１７に記載のＡＬＤ薄膜蒸
着方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR00-35100 | 2000-06-24 | ||
| KR1020000035100A KR100332313B1 (ko) | 2000-06-24 | 2000-06-24 | Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002069651A true JP2002069651A (ja) | 2002-03-08 |
| JP3631984B2 JP3631984B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=19673714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001189559A Expired - Fee Related JP3631984B2 (ja) | 2000-06-24 | 2001-06-22 | Ａｌｄ薄膜蒸着方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6579372B2 (ja) |
| EP (1) | EP1167569B1 (ja) |
| JP (1) | JP3631984B2 (ja) |
| KR (1) | KR100332313B1 (ja) |
| AT (1) | ATE367458T1 (ja) |
| DE (1) | DE60129380T2 (ja) |
| SG (1) | SG90250A1 (ja) |
| TW (1) | TW531796B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112114A1 (ja) * | 2003-06-16 | 2004-12-23 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および成膜装置 |
| JP2006009152A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高速原子層堆積装置及び使用方法 |
| JP2007535819A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 高速ガス切換能力を有するガス分配システム |
| US9758867B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling gas supply apparatus and substrate processing system |
| JP2019161227A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 反応器、反応器を含むシステム、並びにこれを製造する方法及び使用する方法 |
Families Citing this family (195)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671223B2 (en) * | 1996-12-20 | 2003-12-30 | Westerngeco, L.L.C. | Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer |
| US6861356B2 (en) * | 1997-11-05 | 2005-03-01 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a barrier film and method of forming wiring structure and electrodes of semiconductor device having a barrier film |
| US7829144B2 (en) * | 1997-11-05 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a metal film for electrode |
| JPH11195621A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Tokyo Electron Ltd | バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法 |
| US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
| US6824825B2 (en) * | 1999-09-13 | 2004-11-30 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing metallic nitride series thin film |
| US6319766B1 (en) * | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US6620723B1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US6936538B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| KR100444149B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
| DE10043601A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
| US20020036780A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-03-28 | Hiroaki Nakamura | Image processing apparatus |
| US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| KR100399067B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층 증착 장치 |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7378127B2 (en) | 2001-03-13 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6697079B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-02-24 | Apple Computer, Inc. | Color palette providing cross-platform consistency |
| US6596643B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | CVD TiSiN barrier for copper integration |
| US6821378B1 (en) * | 2001-05-25 | 2004-11-23 | Lam Research Corporation | Pump baffle and screen to improve etch uniformity |
| US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| JP2005518088A (ja) * | 2001-07-16 | 2005-06-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | タングステン複合膜の形成 |
| US20030198754A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-10-23 | Ming Xi | Aluminum oxide chamber and process |
| JP3990881B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
| US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| JP2005504885A (ja) * | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
| US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
| US7085616B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| JP3886424B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-02-28 | 鹿児島日本電気株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
| US6718126B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
| KR100434493B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 그 구동 방법 |
| TW589684B (en) * | 2001-10-10 | 2004-06-01 | Applied Materials Inc | Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques |
| US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US6916398B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7204886B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
| US6773507B2 (en) * | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
| US7081271B2 (en) | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| US6809026B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a metal film |
| US6939801B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material |
| JP4071968B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2008-04-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
| US7229666B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method |
| US7175713B2 (en) * | 2002-01-25 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6866746B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
| JP4074461B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2008-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置、半導体装置の製造方法 |
| US6827978B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
| US6787185B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| DE10208450B4 (de) * | 2002-02-27 | 2004-09-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Abscheiden dünner Schichten mittels ALD/CVD-Prozessen in Verbindung mit schnellen thermischen Prozessen |
| US6972267B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
| JP3828821B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-04 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置 |
| US7220312B2 (en) * | 2002-03-13 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating semiconductor substrates |
| US6720027B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US20030235961A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-12-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical sequential deposition of multicomponent films |
| US6861094B2 (en) * | 2002-04-25 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces |
| US7468104B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus and deposition method |
| US20050121143A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-06-09 | Lam Research Corporation | Pump baffle and screen to improve etch uniformity |
| US6838114B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7041335B2 (en) * | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
| KR100474972B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-03-10 | 주식회사 아이피에스 | 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
| TWI278532B (en) * | 2002-06-23 | 2007-04-11 | Asml Us Inc | Method for energy-assisted atomic layer deposition and removal |
| US7118783B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces |
| US6821347B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US6838125B2 (en) * | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US20040013803A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
| US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
| US7066194B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Valve design and configuration for fast delivery system |
| US6772072B2 (en) | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
| US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
| US6924235B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-08-02 | Unaxis Usa Inc. | Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discrete gas switching method |
| US20040050325A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Samoilov Arkadii V. | Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| JP4204840B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2009-01-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処埋装置 |
| US6916374B2 (en) * | 2002-10-08 | 2005-07-12 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools |
| US20040069227A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
| US6905737B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
| KR100496903B1 (ko) * | 2002-10-12 | 2005-06-28 | 주식회사 아이피에스 | Ａｌｄ 박막증착장치 및 그를 이용한 박막증착방법 |
| KR100496906B1 (ko) * | 2002-10-21 | 2005-06-28 | 주식회사 아이피에스 | Ａｌｄ 박막증착장치 |
| US7262133B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| WO2004064147A2 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Applied Materials, Inc. | Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials |
| US6753248B1 (en) | 2003-01-27 | 2004-06-22 | Applied Materials, Inc. | Post metal barrier/adhesion film |
| US6994319B2 (en) | 2003-01-29 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Membrane gas valve for pulsing a gas |
| US6868859B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Rotary gas valve for pulsing a gas |
| US20040178175A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Pellin Michael J. | Atomic layer deposition for high temperature superconductor material synthesis |
| US20040177813A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Applied Materials, Inc. | Substrate support lift mechanism |
| US7342984B1 (en) | 2003-04-03 | 2008-03-11 | Zilog, Inc. | Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character |
| US20040198069A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
| KR20060079144A (ko) * | 2003-06-18 | 2006-07-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배리어 물질의 원자층 증착 |
| US7282239B2 (en) * | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US20050067103A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Applied Materials, Inc. | Interferometer endpoint monitoring device |
| US7205247B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-04-17 | Aviza Technology, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric |
| JP4235076B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2009-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
| JP2005322668A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Renesas Technology Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| ATE444380T1 (de) * | 2004-06-28 | 2009-10-15 | Cambridge Nanotech Inc | Atomlagenabscheidungssystem und -verfahren |
| JP2006022354A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| US7241686B2 (en) * | 2004-07-20 | 2007-07-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA |
| WO2006023501A2 (en) * | 2004-08-16 | 2006-03-02 | Aviza Technology, Inc. | Direct liquid injection system and method for forming multi-component dielectric films |
| KR100632037B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2006-10-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학기상증착장비의 가스분배방법 |
| US7966969B2 (en) * | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| KR100555575B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 방법 |
| US7429402B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
| WO2006098792A2 (en) * | 2004-12-30 | 2006-09-21 | Msp Corporation | High accuracy vapor generation and delivery for thin film deposition |
| US8486845B2 (en) * | 2005-03-21 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US20060264066A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-11-23 | Aviza Technology, Inc. | Multilayer multicomponent high-k films and methods for depositing the same |
| JP4911555B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-04-04 | 国立大学法人東北大学 | 成膜装置および成膜方法 |
| US20070049043A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement |
| US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
| US7464917B2 (en) * | 2005-10-07 | 2008-12-16 | Appiled Materials, Inc. | Ampoule splash guard apparatus |
| TW200737307A (en) | 2005-11-04 | 2007-10-01 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US8603580B2 (en) * | 2005-11-28 | 2013-12-10 | Msp Corporation | High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition |
| KR100721017B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 그의 형성 방법 |
| JP4782585B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-09-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置及び方法 |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| US7601648B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors |
| US7521379B2 (en) * | 2006-10-09 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers |
| US8158526B2 (en) | 2006-10-30 | 2012-04-17 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
| US20080099436A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Michael Grimbergen | Endpoint detection for photomask etching |
| US7775508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
| US7692222B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-04-06 | Raytheon Company | Atomic layer deposition in the formation of gate structures for III-V semiconductor |
| US7897495B2 (en) * | 2006-12-12 | 2011-03-01 | Applied Materials, Inc. | Formation of epitaxial layer containing silicon and carbon |
| US20080206987A1 (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-28 | Gelatos Avgerinos V | Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly |
| US9064960B2 (en) * | 2007-01-31 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Selective epitaxy process control |
| US8074677B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
| US7775236B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
| US7846497B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
| KR100872312B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-12-05 | 주식회사 디엠에스 | 에칭가스 제어시스템 |
| US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
| US20090004877A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2009076881A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
| US7678298B2 (en) * | 2007-09-25 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes |
| US7585762B2 (en) * | 2007-09-25 | 2009-09-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials |
| US7824743B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum |
| US20110020187A1 (en) * | 2008-03-06 | 2011-01-27 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Surface treatment apparatus |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| JP4961381B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
| US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
| KR101039382B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2011-06-08 | (주)대성에너지오 | 흡입수단을 구비한 스캐너 |
| KR101136728B1 (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치와 그의 분해 및 조립방법 |
| US8778204B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process |
| US9695510B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-07-04 | Kurt J. Lesker Company | Atomic layer deposition apparatus and process |
| CN103620734B (zh) * | 2011-06-30 | 2017-02-15 | 应用材料公司 | 用于快速气体交换、快速气体切换以及可编程的气体输送的方法与装置 |
| DE102011113406A1 (de) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Amf Gmbh | Dampfquelle zur Abscheidung dünner Schichten |
| US8961804B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for photomask etching |
| US9017481B1 (en) * | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8808559B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for reflective multi-material layers etching |
| US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
| KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US9805939B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-10-31 | Applied Materials, Inc. | Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks |
| US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
| US11004663B2 (en) * | 2013-03-15 | 2021-05-11 | Applied Materials, Inc. | Chamber design for semiconductor processing |
| JP6007143B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
| CN103343329B (zh) * | 2013-07-25 | 2016-03-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 |
| DE102013109696B3 (de) * | 2013-09-05 | 2015-02-26 | Von Ardenne Gmbh | Beschichtungsverfahren und Beschichtungsvorrichtung |
| US11414759B2 (en) * | 2013-11-29 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus |
| CN103882409B (zh) * | 2014-03-13 | 2016-04-20 | 中国科学院半导体研究所 | 源输送混合比可调气路装置 |
| JP5837962B1 (ja) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 |
| US9837254B2 (en) * | 2014-08-12 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Differentially pumped reactive gas injector |
| US9406535B2 (en) | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
| US10825652B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etch without need for wafer tilt or rotation |
| KR102297567B1 (ko) | 2014-09-01 | 2021-09-02 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비 |
| US9536748B2 (en) | 2014-10-21 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure |
| JP5968996B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US10167552B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-01-01 | Lam Research Ag | Spin chuck with rotating gas showerhead |
| TWI548773B (zh) * | 2015-10-14 | 2016-09-11 | 財團法人工業技術研究院 | 氣體分佈裝置 |
| US9779955B2 (en) | 2016-02-25 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etching utilizing cryogenic wafer temperatures |
| CN107419239A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于镀膜的喷头、设备和相应方法 |
| KR20200141003A (ko) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| EP3786321A3 (de) * | 2019-08-27 | 2021-03-17 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer schicht und damit versehenes substrat |
| DE102020116271A1 (de) | 2020-06-19 | 2021-12-23 | Apeva Se | Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen eines organischen Pulvers |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163279A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-23 | Nec Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US5769950A (en) * | 1985-07-23 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming deposited film |
| JPS62136885A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光起電力素子、その製造方法及びその製造装置 |
| EP0251764B1 (en) * | 1986-06-30 | 1996-03-27 | Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapour deposition methods and apparatus |
| US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
| JPH01306565A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-11 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
| JPH02230722A (ja) | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 化合物半導体の気相成長方法 |
| JP2888253B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
| US5250323A (en) * | 1989-10-30 | 1993-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap |
| US5637153A (en) * | 1993-04-30 | 1997-06-10 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning reaction tube and exhaustion piping system in heat processing apparatus |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| US6004618A (en) | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
| JP3667024B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体 |
| US5653807A (en) * | 1996-03-28 | 1997-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low temperature vapor phase epitaxial system for depositing thin layers of silicon-germanium alloy |
| US5993555A (en) * | 1997-01-16 | 1999-11-30 | Seh America, Inc. | Apparatus and process for growing silicon epitaxial layer |
| US5849092A (en) * | 1997-02-25 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | Process for chlorine trifluoride chamber cleaning |
| US6197683B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact of semiconductor device using the same |
| KR19990074809A (ko) | 1998-03-14 | 1999-10-05 | 윤종용 | 박막 제조 방법 |
| TW589398B (en) * | 1998-05-20 | 2004-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Filtering technique for CVD chamber process gases and the same apparatus |
| US6200893B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
| KR100347379B1 (ko) | 1999-05-01 | 2002-08-07 | 주식회사 피케이엘 | 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치 |
| US6998152B2 (en) * | 1999-12-20 | 2006-02-14 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods utilizing ionic liquids |
| US6342445B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-01-29 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating an SrRuO3 film |
| KR100444149B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
-
2000
- 2000-06-24 KR KR1020000035100A patent/KR100332313B1/ko active IP Right Review Request
-
2001
- 2001-05-03 US US09/848,579 patent/US6579372B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-14 TW TW090111464A patent/TW531796B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-25 SG SG200103201A patent/SG90250A1/en unknown
- 2001-06-05 DE DE60129380T patent/DE60129380T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-05 EP EP01304922A patent/EP1167569B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-05 AT AT01304922T patent/ATE367458T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-06-22 JP JP2001189559A patent/JP3631984B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-07 US US10/094,571 patent/US6573184B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112114A1 (ja) * | 2003-06-16 | 2004-12-23 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および成膜装置 |
| JP2007535819A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 高速ガス切換能力を有するガス分配システム |
| JP2014042041A (ja) * | 2004-04-30 | 2014-03-06 | Lam Research Corporation | 高速ガス切換能力を有するガス分配システム及びプラズマ処理装置 |
| JP2006009152A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高速原子層堆積装置及び使用方法 |
| JP4713241B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 高速原子層堆積装置及び使用方法 |
| US9758867B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling gas supply apparatus and substrate processing system |
| JP2019161227A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 反応器、反応器を含むシステム、並びにこれを製造する方法及び使用する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100332313B1 (ko) | 2002-04-12 |
| DE60129380T2 (de) | 2008-04-10 |
| EP1167569B1 (en) | 2007-07-18 |
| DE60129380D1 (de) | 2007-08-30 |
| US6579372B2 (en) | 2003-06-17 |
| KR20020001073A (ko) | 2002-01-09 |
| US6573184B2 (en) | 2003-06-03 |
| TW531796B (en) | 2003-05-11 |
| JP3631984B2 (ja) | 2005-03-23 |
| ATE367458T1 (de) | 2007-08-15 |
| SG90250A1 (en) | 2002-07-23 |
| US20020052097A1 (en) | 2002-05-02 |
| EP1167569A1 (en) | 2002-01-02 |
| US20020094689A1 (en) | 2002-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002069651A (ja) | Ａｌｄ薄膜蒸着装置及び蒸着方法 | |
| JP3705426B2 (ja) | クリーニング装置を備えたａｌｄ薄膜蒸着装置及びそのクリーニング方法 | |
| US20100263588A1 (en) | Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials | |
| US7691757B2 (en) | Deposition of complex nitride films | |
| JP4546060B2 (ja) | 原子層堆積法および化学気相成長法の均一性および再現性を向上するパッシベーション方法 | |
| US6461436B1 (en) | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance | |
| US6773507B2 (en) | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition | |
| KR100979575B1 (ko) | 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법 | |
| US20050136657A1 (en) | Film-formation method for semiconductor process | |
| US20030198754A1 (en) | Aluminum oxide chamber and process | |
| US20030017268A1 (en) | .method of cvd titanium nitride film deposition for increased titanium nitride film uniformity | |
| JP2000212752A (ja) | 反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワ―ヘッド | |
| US7163719B2 (en) | Method of depositing thin film using hafnium compound | |
| US6863021B2 (en) | Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (GMDS) with atomic layer deposition (ALD) | |
| CN112695294A (zh) | 半导体沉积反应器歧管 | |
| WO2003034477A1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor ddeposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate | |
| JP4356943B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0458530A (ja) | 半導体製造装置 | |
| Toprac et al. | Step Coverage and Material Properties of CVD Titanium Nitride Films from TDMAT and TDEAT Organic Precursors | |
| JP2005243963A (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040524 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071224 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |