JP2002020410A - セルロースエステルドープ組成物、セルロースエステルフィルムの製造方法、セルロースエステルフィルム及びそれを用いた偏光板 - Google Patents

セルロースエステルドープ組成物、セルロースエステルフィルムの製造方法、セルロースエステルフィルム及びそれを用いた偏光板

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルロースエステルフィルムの製造中にウェ
ブから析出物または揮発物が発生しにくいセルロースエ
ステルドープ組成物、また、欠陥を生じにくく、生産性
に優れたセルロースエステルフィルムの製造方法、歩留
まりのよい偏光板用保護フィルム、偏光板用保護フィル
ムが優れた紫外線吸収性を有し、かつ、高温多湿の環境
下でも伸縮性の非常に小さく、また保留性もよく、液晶
画像表示装置の品質を劣化させない偏光板用保護フィル
ムを提供する。 【解決手段】 セルロースエステルフィルムを溶液流延
製膜方法により作製する際に用いるセルロースエステル
ドープ組成物において、エチレン性不飽和モノマー及び
／または官能基を有するエチレン性不飽和モノマー及び
光重合開始剤を含有することを特徴とするセルロースエ
ステルドープ組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶画像表示装置の
偏光板用保護フィルムとして有用なセルロースエステル
フィルムの形成に用いるセルロースエステルドープ組成
物、セルロースエステルフィルム、及びその製造方法に
関し、更にこのセルロースエステルフィルムを使用した
偏光板に関する。
【０００２】
【従来の技術】セルローストリアセテートフィルムは透
明で、優れた物理的、機械的性質を有し、且つ温度湿度
変化に対する寸法変化が少なく、従来から写真フィルム
用支持体、製図トレーシングフィルム、電気絶縁材料な
どの広い分野で使用され、最近では液晶画像表示装置の
偏光板用保護フィルムとして使用されている。液晶画像
表示装置素子の偏光板に使用されるセルローストリアセ
テートフィルムには、優れた光透過性、光学的な無配向
性、偏光膜との良好な接着性、優れた平面性及び紫外線
吸収性等の性質が要求されている。紫外線吸収性につい
ては、セルローストリアセテートフィルムには紫外線を
吸収する性質はなく、液晶画像表示装置の紫外線による
劣化を防止するために、セルローストリアセテートフィ
ルム中に紫外線吸収剤が含有されている。また、セルロ
ーストリアセテートフィルムの可塑性と耐水性の向上の
ために、可塑剤が含有されている。何れもドープを調製
する段階で添加されている。
【０００３】近年、液晶画像表示装置は高精細化がます
ます進み、偏光板用保護フィルム中には欠陥や異物の存
在は許されず、そのために厳密に検査が行われ偏光板用
保護フィルム、あるいは偏光板の収率の低下の大きな原
因となっている。欠陥または異物の中には、セルロース
トリアセテートフィルム中に含まれている添加剤、例え
ばフィルム製造中に可塑剤や紫外線吸収剤が析出した
り、あるいは揮発したりしてフィルム表面に付着する汚
れがあり、これらを除去することが重要な問題となって
いる。
【０００４】従来、ドープ中に添加される添加剤には、
可塑剤として、リン酸エステル系化合物、フタル酸エス
テル系化合物、グリコール酸エステル系化合物等、また
紫外線吸収剤として、オキシベンゾフェノン系化合物、
ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化
合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系
化合物、ニッケル錯塩系化合物等、更に酸化防止剤とし
て、ヒンダードフェノール系の化合物、ヒドラジン系の
金属不活性剤、リン系加工安定剤等がある。これらの添
加剤は、無限移行する無端の金属支持体（以降、単に金
属支持体ということがある）上にドープを流延してか
ら、有機溶媒の蒸発と共にウェブの表面に移行し始め、
乾燥が終了するまでの間のあらゆるところで、ウェブ表
面に析出して接触するロールに転写したり、またウェブ
から揮発して、乾燥装置の壁などにコンデンスして蓄積
し、そこからたれ落ちウェブを汚染する。可塑剤はセル
ロースエステルフィルムの可塑剤として役に立っている
ばかりでなく、耐水性を付与している。特にリン酸エス
テル系化合物はその傾向がある。
【０００５】このような析出や揮発の現象は、これらの
可塑剤や紫外線吸収剤が低分子化合物のために移動し易
いと考えられており、これらが起こり難い高分子化合物
を可塑剤として使用した例が、例えば、特公昭４７−７
６０号、同４３−１６３０５号、同４４−３２６７２
号、特開平２−２９２３４２号、同５−１９７０７３号
公報、米国特許第３，０５４，６７３号、同３，２７
７，０３１号明細書に記載されている。これらの高分子
可塑剤としてのポリエステルエーテル、ポリエステルウ
レタン及びポリエステル等は、特開平５−１９７０７３
号公報にあるように、セルロースエステルフィルムに可
塑性を付与という機能はほぼ達成されるが、ポリマー自
体が長期保存下で、劣化し、着色したりするという欠点
がある。これらを予防するために、特開平５−１９７０
７３号公報では、劣化防止剤として、過酸化物分解剤、
ラジカル連鎖禁止剤、金属不活性化剤、酸捕捉剤から選
ばれる少なくとも１種をセルロースエステルフィルム、
下引層、バック層、現像処理液、後処理液に含有させる
技術が記載されている。しかしながら、これらのものを
セルロースエステルドープに添加することにより、新た
にこれらが揮散して汚染の原因となり易い。米国特許第
３，２７７，０３２号明細書にはポリメチルアクリレー
トあるいはメチルアクリレートのコポリマーをセルロー
ストリアセテートと混合させて溶解性、セルロースエス
テルフィルムの可塑性等を付与する技術が記載されてい
る。別の米国特許第３，７３８，９２４号明細書には、
ドープ中に重合可能なモノマーを添加し、剥離前にイオ
ン化照射を行い製膜速度を向上させる技術等が公開され
ているが、イオン化照射をすることにより、分子の切断
などが起こり不必要なあるいは有害な物質が生じ、後日
他に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００６】また、フィルム中あるいは表面にある欠陥
や異物の存在は収率の低下を来す。これらはフィルム製
造中あるいは製造後の取り扱い中に起こる帯電によりゴ
ミが付着するケースもある。このような帯電を防止する
ためには、一般に、ハロゲン化銀写真感光材料において
は、セルロースエステルフィルム表面に帯電防止層を塗
設することが行われているが、偏光板用保護フィルムの
場合には、後でフィルム表面をアルカリ鹸化したり、そ
の上に偏光膜を貼り合わせるため、帯電防止層を直接設
けることは出来ない。
【０００７】最近、液晶画像表示装置はカーナビゲーシ
ョンのように車両の中、あるいは小型液晶テレビのよう
に屋外でも使用されるようになって来た。そのため今ま
で要求されていない性質、例えば、夏の日中閉じられた
車内での高温多湿に耐える性質、また液晶の劣化を助長
する紫外線に対して更なる紫外線を吸収する性質等が要
求されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような欠陥を引
き起こすコンデンスを排除するためには、フィルム製造
ラインを止めて時間をかけて清掃しなければならいた
め、生産性が低下するばかりでなく、またフィルムに付
着した汚れ等欠陥をチェックする検査をしたり、欠陥の
ある箇所を切除する等の作業増、欠陥個所を切除するこ
とによる歩留まりの低下等、これら全てコストアップの
要因となる。また、高温多湿の条件下ではフィルムの劣
化はもとより、特に熱及び湿度に対してフィルムが収縮
したり延びたり、フィルム内の有効成分が減少（このこ
とを保留性という）したり、更に液晶画像表示装置が高
温多湿の状態で放置された場合、現在のドープ組成で形
成したセルロースエステルフィルムから作製した偏光板
は縁の部分から犯され縁の白抜けという現象が起こる可
能性があり、液晶画像表示装置の品質が問題となる虞が
ある。
【０００９】本発明は、上記の如き課題に対してなされ
たものであって、第一の目的は、セルロースエステルフ
ィルムの製造中にウェブから析出物または揮発物が発生
しにくいセルロースエステルドープ組成物を提供するこ
とにある。ま第二の目的は、欠陥を生じにくく、品質的
にまた生産性に優れ歩留まりの良いセルロースエステル
フィルムの製造方法、第三の目的は、吸水性が小さく、
高温多湿の環境下でも伸縮性の非常に小さく、保留性に
優れ、紫外線吸収性が劣化し難く、更に異物や欠陥の殆
どない偏光板用保護フィルムを提供することにある。そ
して第四の目的は、高温多湿の状態でも縁の白抜けが起
こり難く耐久性に優れ、異物や欠陥がほとんどない良質
の偏光板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成より
なる。
【００１１】（１） 溶液流延製膜方法によりセルロー
スエステルフィルムを形成する際に用いるセルロースエ
ステルドープ組成物において、エチレン性不飽和モノマ
ー及び／または官能基を有するエチレン性不飽和モノマ
ー及び光重合開始剤を含有することを特徴とするセルロ
ースエステルドープ組成物。
【００１２】（２） エチレン性不飽和モノマーがビニ
ルエステルを主とするものであることを特徴とする
（１）に記載のセルロースエステルドープ組成物。
【００１３】（３） ２〜３のエチレン性不飽和基を有
するエチレン性不飽和モノマーを含有することを特徴と
する（１）または（２）に記載のセルロースエステルド
ープ組成物。
【００１４】（４） 官能基が紫外線吸収性基及び／ま
たは帯電防止性基であることを特徴とする（１）乃至
（３）の何れか１項に記載のセルロースエステルドープ
組成物。
【００１５】（５） 溶液流延製膜方法によりセルロー
スエステルフィルムを形成する際に用いるセルロースエ
ステルドープ組成物において、エポキシ基を有する化合
物及び／またはエポキシ基と紫外線吸収性基を有する化
合物及び光重合開始剤を含有することを特徴とするセル
ロースエステルドープ組成物。
【００１６】（６） 微粒子を含有することを特徴とす
る（１）乃至（５）の何れか１項に記載のセルロースエ
ステルドープ組成物。
【００１７】（７） 該微粒子が、表面にメチル基を有
する酸化ケイ素を含有する化合物からなることを特徴と
する（６）に記載のセルロースエステルドープ組成物。
【００１８】（８） 溶液流延製膜方法によりセルロー
スエステルフィルムを形成する際に用いるセルロースエ
ステルドープ組成物において、ビニルエステル及びアク
リル酸エステルから選ばれるエチレン性不飽和モノマー
及び／または官能基を有するビニルエステル及びアクリ
ル酸エステルから選ばれるモノマーを主とするエチレン
性不飽和モノマーを重合したポリマーを含有することを
特徴とするセルロースエステルドープ組成物。
【００１９】（９） 官能基が紫外線吸収性基及び／ま
たは帯電防止性基であることを特徴とする（８）に記載
のセルロースエステルドープ組成物。
【００２０】（１０） 微粒子を含有することを特徴と
する（８）または（９）に記載のセルロースエステルド
ープ組成物。
【００２１】（１１） 該微粒子が、表面にメチル基を
有する酸化ケイ素を含有する化合物からなることを特徴
とする（１０）に記載のセルロースエステルドープ組成
物。
【００２２】（１２） （１）乃至（７）の何れか１項
に記載のセルロースエステルドープ組成物を溶液流延製
膜装置の無限移行する無端の金属支持体に流延してから
乾燥装置でウェブの乾燥が終了するまでの間において、
ウェブに紫外線を照射することを特徴とするセルロース
エステルフィルムの製造方法。
【００２３】（１３） セルロースエステルドープ組成
物を無限移行する無端の金属支持体に流延してから剥離
までの間で紫外線を照射することを特徴とする（１２）
に記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【００２４】（１４） （８）乃至（１１）の何れか１
項に記載のセルロースエステルドープ組成物を溶液流延
製膜方法によりセルロースエステルフィルムを形成する
ことを特徴とするセルロースエステルフィルムの製造方
法。
【００２５】（１５） （１２）乃至（１４）の何れか
１項に記載の方法で形成したことを特徴とするセルロー
スエステルフィルム。
【００２６】（１６） （１５）に記載のセルロースエ
ステルフィルムを用いたことを特徴とする偏光板。
【００２７】本発明を詳述する。始めに、本発明に係る
溶液流延製膜方法によるセルロースエステルフィルムの
製造方法を説明する。
【００２８】本発明に係るセルロースエステルはアシル
基の置換度が２．５〜３．０のもので、アシル基がアセ
チル基、プロピオニル基及びブチリル基から選ばれる少
なくとも一つのものである。具体的にはセルローストリ
アセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セ
ルロースアセテートブチレート、セルロースプロピオネ
ート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプ
ロピオネートブチレート等を挙げることが出来、本発明
においては、セルローストリアセテート、セルロースア
セテートプロピオネート及びセルロースアセテートブチ
レート、セルロースアセテートプロピオネートブチレー
トが好ましい。アセチル基を含む場合は機械的性質を維
持するために、アセチル基の置換度が１．４以上である
ことが好ましい。セルロースエステルはその原料となる
セルロースは特に限定はなく、綿花リンター、木材パル
プ、ケナフなどを用いることが出来る。これらを混合し
て使用してもよい。ベルトやドラムからの剥離性が良い
綿花リンターから合成されたセルロースエステルを多く
使用した方が生産効率が高く好ましい。綿花リンターか
ら合成されたセルロースエステルの比率が６０質量％以
上で、剥離性の効果が顕著になるため６０質量％以上が
好ましく、より好ましくは８５質量％以上、更には、単
独で使用することが最も好ましい。セルロースエステル
の合成方法は、特に限定はないが、例えば、特開平１０
−４５８０４号公報に記載の方法で合成することが出来
る。アシル基の置換度の測定方法は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１
７−９６により測定することが出来る。セルロースエス
テルの数平均分子量は、偏光板用保護フィルムとして好
ましい機械的強度を得るためには、７００００〜３００
０００が好ましく、更に８００００〜２０００００が好
ましい。
【００２９】本発明のセルロースエステルドープ中には
従来から使用されている低分子の可塑剤、紫外線吸収
剤、帯電防止剤等を本質的に含まず、ポリマーを含有す
るセルロースエステルドープまたはウェブ中で光重合し
て形成するポリマーを含有するようなドープ組成物を製
膜する。従って、本発明の特徴は、可塑剤、紫外線吸収
剤、帯電防止剤等がウェブからの析出や揮発は起こらな
いことである。しかし若干の量であれば、低分子の可塑
剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等を析出しない程度に補
助的に添加してもかまわない。本発明において補助的に
添加出来る低分子可塑剤としては、特に限定されない
が、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑
剤、グリコレート系可塑剤などを好ましく用いることが
出来る。リン酸エステル系可塑剤として、トリフェニル
ホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジ
フェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェー
ト、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチル
ホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エ
ステル系可塑剤として、ジエチルフタレート、ジメトキ
シエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチル
フタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキ
シルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジベンジ
ルフタレート、グリコレート系可塑剤として、ブチルフ
タリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリ
コレート、メチルフタリルエチルグリコレート等を好ま
しく用いることができる。これらの可塑剤は単独あるい
は２種以上混合して用いることが出来る。また本発明に
おいて、補助的に添加出来る紫外線吸収剤としては、特
に限定されないが、例えば、オキシベンゾフェノン系化
合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステ
ル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレ
ート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることが
出来るが、着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物が
好ましい。光に対しする安定性を有するベンゾトリアゾ
ール系紫外線吸収剤やベンゾフェノン系紫外線吸収剤が
好ましく、不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール
系紫外線吸収剤が特に好ましい。例えばチバ・スペシャ
ルティ・ケミカルズ（株）製のＴＩＮＵＶＩＮ１０９
（ＵＶ−１とする）、ＴＩＮＵＶＩＮ１７１、ＴＩＮＵ
ＶＩＮ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ３２７、ＴＩＮＵＶＩＮ
３２８等を好ましく用いることが出来るが、低分子の紫
外線吸収剤は使用量によっては可塑剤同様に製膜中にウ
ェブに析出したり、揮発する虞があるので、その添加量
は３〜１０質量％程度である。
【００３０】本発明に係るセルロースエステルドープの
調製方法は、セルロースエステルを溶解し得る有機溶媒
（良溶媒）に溶解してドープを形成する。セルロースエ
ステルのフレークに対する良溶媒を主とする有機溶媒に
溶解釜中で該フレークを攪拌しながら溶解し、ドープを
形成する。溶解には、常圧で行う方法、主溶媒の沸点以
下で行う方法、主溶媒の沸点以上で加圧して行う方法、
特開平９−９５５４４号、同９−９５５５７号または同
９−９５５３８号公報に記載の如き冷却溶解法で行う方
法、特開平１１−２１３７９号公報に記載の如き高圧で
行う方法等種々の溶解方法を用いることが出来る。溶解
後ドープを濾材で濾過し、脱泡してポンプで次工程に送
る。ドープ中のセルロースエステルの濃度は１０〜３５
質量％が好ましい。
【００３１】本発明において、ドープ組成物を形成する
際に用いるセルロースエステルの良溶媒としては、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、ギ酸エチル、アセト
ン、シクロヘキサノン、アセト酢酸メチル、テトラヒド
ロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサ
ン、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，
３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパノール、１，３−
ジフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパ
ノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プ
ロパノール、ニトロエタン、塩化メチレン等を挙げるこ
とが出来る。中でも酢酸メチル、エチレンクロリドが好
ましく使用し出来る。また、これらの有機溶媒に、メタ
ノール、エタノール、ブタノール等の低級アルコールを
併用すると、セルロースエステルの有機溶媒への溶解性
が向上したりドープ粘度を低減出来るので好ましい。特
に沸点が低く、毒性の少ないエタノールが好ましい。ま
た上記のセルロースエステルを溶解し得る有機溶媒に、
上記の低級アルコールやシクロヘキサンのセルロースエ
ステルに対する貧溶媒を５〜３０質量％混合して用いる
ことによって金属支持体上に流延した後にドープ膜をゲ
ル化（固化）することが出来、早く金属支持体から剥離
出来、製膜速度を速めることが出来る。
【００３２】本発明のセルロースエステルドープ組成物
は、大きく分けて三つある。その一つは、エチレン性不
飽和モノマー及び／または官能基を有するエチレン性不
飽和モノマー及び光重合開始剤を含有するセルロースエ
ステルドープ組成物である。二つ目は、エポキシ基を有
する化合物及び／またはエポキシ基と官能基を有する化
合物及び光重合開始剤を含有するセルロースエステルド
ープ組成物である。上記二つのドープ組成物を無限移行
する無端の金属支持体上に流延し、その流延直後から乾
燥終了までの間でウェブに紫外線照射により光重合させ
ウェブ中にポリマーを形成させることの出来るドープ組
成物である。他の一つのドープ組成物は、ビニルエステ
ル及びアクリル酸エステルから選ばれるモノマーを主と
するエチレン性不飽和モノマー及び／または官能基を有
するビニルエステル及びアクリル酸エステルから選ばれ
るエチレン性不飽和モノマーを予め重合しておいたポリ
マーをセルロースエステルと共に有機溶媒に溶解したポ
リマーを含有しているセルロースエステルドープ組成物
である。
【００３３】本発明のセルロースエステルドープ組成物
に用いられるポリマー、またはウェブ中に光重合して形
成するポリマーは、ウェブまたはフィルム中で、凝集し
たり、海島構造のような相分離状態とはなりにくく、元
のセルロースエステルフィルムと同等またはそれ以上の
機械的性質や光学的性質を有するようなものなら制限な
く使用出来る。本発明のセルロースエステルフィルム中
に含有されるポリマーのガラス転移点（以降Ｔｇとする
場合がある）は５０℃以下のものが好ましい。また、本
発明のセルロースエステルフィルム中に含有されるポリ
マーはセルロースエステルとかなり相溶性がよいもの
で、セルロースエステルフィルムに対して耐水性や耐透
湿性等を発現させるものが好ましい。本発明に有用なポ
リマーは、数平均分子量が１０００〜３０００００、好
ましくは１５００〜２５００００、より好ましくは２０
００〜１０００００であり、分子量の小さい方はブリー
ドアウトしにくい程度の分子量範囲を持つのものが好ま
しい。
【００３４】最初の本発明はセルロースエステルドープ
組成物にエチレン性不飽和モノマー及び／または官能基
を有するエチレン性不飽和モノマーと光重合開始剤を含
有するものである。流延後ウェブ内でエチレン性不飽和
モノマー及び／または官能基を有するエチレン性不飽和
モノマーが光重合してポリマーを生成し、そのポリマー
が出来上がったセルロースエステルフィルムに耐水性を
付与することが出来る。本発明に有用な光重合ポリマー
を形成するエチレン性不飽和モノマーとしては、例え
ば、ビニルエステル類として、酢酸ビニル、プロピオン
酸ビニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、バレリアン酸
ビニル、ピバリン酸ビニル、カプロン酸ビニル、エナン
ト酸ビニル、カプリル酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラ
ウリン酸ビニル、ミリスチン酸ビニル、パルミチン酸ビ
ニル、ステアリン酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸
ビニル、ソルビン酸ビニル、安息香酸ビニル等、アクリ
ル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類（以降、
アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類
を、（メタ）アクリル酸エステル類のように略して記載
することがある）として、メチル（メタ）アクリレー
ト、エチルアクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレ
ート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−メチルブチ
ル（メタ）アクリレート、３−メチルブチル（メタ）ア
クリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、３−メト
キシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチ
ル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）
アクリレート、２−エチルブチル（メタ）アクリレー
ト、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、３−エ
トキシプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル
（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレ
ート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソミリスチ
ル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メ
タ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アク
リレート、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレート、
ベンジル（メタ）アクリレート、フェネチル（メタ）ア
クリレート、４−シアノブチル（メタ）アクリレート、
２−シアノエチル（メタ）アクリレート等、ビニルエー
テル類として、メチルビニルエーテル、エチルビニルエ
ーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテ
ル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ヘキシルビニ
ルエーテル等、スチレン類として、スチレン、４−
〔（２−ブトキシエトキシ）メチル〕スチレン、４−ブ
トキシメトキシスチレン、４−ブチルスチレン、４−デ
シルスチレン、４−（２−エトキシメチル）スチレン、
４−（１−エチルヘキシルオキシメチル）スチレン、４
−ヒドロキシメチルスチレン、４−ヘキシルスチレン、
４−ノニルスチレン、４−オクチルオキシメチルスチレ
ン、２−オクチルスチレン、４−オクチルスチレン、４
−プロポキシメチルスチレン、マレイン酸類として、ジ
メチルマレイン酸、ジエチルマレイン酸、ジプロピルマ
レイン酸、ジブチルマレイン酸、ジシクロヘキシルマレ
イン酸、ジ−２−エチルヘキシルマレイン酸、ジノニル
マレイン酸、ジベンジルマレイン酸等を挙げることが出
来るが、これらに限定されない。
【００３５】上記モノマーの他にも、エチレン、プロピ
レン、ブタジエン、１−ブチレン、アクリロニトリル、
Ｎ−ビニルピロリドン、無水マレイン酸、アクリル酸、
上記以外のビニルモノマーとして、塩化ビニル、エチレ
ン、プロピレン、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ-ビニ
ルピロリドン、（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、
クロトン酸、イタコン酸等を１０質量％以下で上記モノ
マーとコポリマーを形成してもよい。これらのモノマー
のうち、そのホモポリマーのＴｇが５０℃以下のものは
セルロースエステルに対して可塑性を付与し得るが、そ
れ以上のＴｇを有するホモポリマーを形成するモノマー
の場合には、コポリマーのＴｇが５０℃以下になるよう
にコモノマーを選択してコポリマーを形成させればよ
い。また、そのＴｇ以下のモノマーでも任意の割合でコ
ポリマーを形成するのが好ましい。
【００３６】ポリマーのＴｇは、種々な方法で測定出来
るが、ＰＯＬＹＭＥＲ ＨＡＮＤＢＯＯＫ（ＴＨＩＲＤ
ＥＤＩＴＩＯＮ）Ｊ．ＢＲＡＮＤＲＵＯＰ ＆ Ｅ．
Ｈ．ＩＭＭＥＲＧＵＴ編集（ＪＨＯＮ ＷＩＬＥＹ ＆
ＳＯＮＳ発行）のVI−２０９頁に掲載されているホモ
ポリマーのＴｇにより知ることが出来、更にコポリマー
のＴｇは、Ｊ．ＢＲＡＮＤＲＵＯＰら編集、ＰＯＬＹＭ
ＥＲ ＨＡＮＤＢＯＯＫ（１９６６）III−１３９〜１
７９頁、（ＪＨＯＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ発行）
に記載の方法で求めたものである。コポリマーのＴｇ
（°Ｋで表される）は下記の式でも求められる。
【００３７】Ｔｇ（コポリマー）＝ｖ1Ｔｇ1＋ｖ2Ｔｇ2
＋……＋ｖnＴｇn 式中、ｖ1、ｖ2……ｖnはコポリマー中の各モノマーの
質量分率を表し、Ｔｇ1，Ｔｇ2……Ｔｇnはコポリマー
中の各モノマーのホモポリマーのＴｇを表す。
【００３８】本発明においてより好ましいモノマーとし
ては、ビニルエステルであり、具体的には、酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、プロピオン酸ビ
ニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、バレリアン酸ビニ
ル、ピバリン酸ビニル、カプロン酸ビニル、エナント酸
ビニル、カプリル酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリ
ン酸ビニル、ミリスチン酸ビニル、パルミチン酸ビニ
ル、ステアリン酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビ
ニル、ソルビン酸ビニルであり、また、その他メチルル
アクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレ
ート、ジメチルマレイン酸、ジエチルマレイン酸、プロ
ピルマレイン酸、ブチルマレイン酸も好ましいモノマー
である。本発明の構成（８）でいうビニルエステル及び
アクリル酸エステルから選ばれるエチレン性不飽和モノ
マーを主とするというのは、ビニルエステル及び／また
はアクリル酸エステルが全体のエチレン性不飽和モノマ
ー中４０質量％以上を占めることで、５０質量％以上が
好ましく、より好ましくは６０質量％以上、更に好まし
くは７０質量％以上である。ここでいうビニルエステル
は上記の他、下記紫外線吸収性基あるいは下記帯電防止
性基を有するビニルエステル及び／またはアクリル酸エ
ステルも含む。
【００３９】本発明に有用な官能基を有するエチレン性
不飽和モノマーとしては、ポリマーの側鎖に紫外線吸収
性基や帯電防止性基を有しているものが好ましい。コポ
リマーとしてＴｇが５０℃以下になるような基であれば
制限なく用いられる。官能基を有するエチレン性不飽和
モノマーのエチレン性基としては、ビニル基、アクリロ
イル基またはメタクリロイル基で、これらは好ましく用
いられる。
【００４０】本発明に有用な紫外線吸収性基を有するエ
チレン性不飽和モノマーの紫外線吸収性基としては、ベ
ンゾトリアゾール基、サリチル酸エステル基、ベンゾフ
ェノン基、オキシベンゾフェノン基、シアノアクリレー
ト基等を挙げることが出来、本発明においては何れも好
ましく用いることが出来る。特に光反応性が少なく、且
つ殆ど着色のないベンゾトリアゾール基を有するモノマ
ーが好ましい。
【００４１】下記に本発明に有用な紫外線吸収性基を有
するエチレン性不飽和モノマーを例示する。この他に、
本発明において、特開平６−１４８４３０号公報に記載
の紫外線吸収性ポリマーを構成する紫外線吸収性モノマ
ーも好ましく用いることが出来る。
【００４２】
【化１】
【００４３】
【化２】
【００４４】
【化３】
【００４５】本発明において、紫外線吸収性基を有する
エチレン性不飽和モノマーの市販品を用いてもよいし、
合成をして得てもよい。市販品としては、例えば、上記
ＵＶＭ−１は、１−ヒドロオキシ−２−（２−ベンゾト
リアゾール）−４−（２−メタクリロイルオキシエチ
ル）ベンゼンであり、大塚化学社製の反応型紫外線吸収
剤ＲＵＶＡ−９３として市販されている。また、１−ヒ
ドロオキシ−２−（２−ベンゾトリアゾール）−４−
（２−アクリロイルオキシエチル）ベンゼンも同様に本
発明で好ましく用いることが出来る。
【００４６】本発明に有用な紫外線吸収性基を有するエ
チレン性不飽和モノマーについて下記に合成例を示す。 合成例 （ＵＶＭ−１の合成）トルエン８００ｍｌ中に１−ヒド
ロオキシ−２−（２−ベンゾトリアゾール）−４−（２
−ヒドロキシエチル）ベンゼン（化合物Ａ）２５．５ｇ
（０．１ｍｏｌ）とピリジン１７ｍｌ（０．２１ｍｏ
ｌ）を加え、そこへトルエン１０ｍｌに溶かしたメタク
ロイルクロリド１３ｍｌ（０．１２８ｍｏｌ）を約３０
分かけて滴下した。室温で約１時間撹拌後、反応液に水
を加え酢酸エチルで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリ
ウムで反応液を乾燥させた後、濾別して、減圧濃縮し
た。残査をメタノールとメチレンクロリドの混合溶媒か
ら再結晶し、ＵＶＭ−１を２２．３ｇを得た。目的物の
構造は1Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。 （ＵＶＭ−６の合成）トルエン中に１−ヒドロオキシ−
２−（２−ベンゾトリアゾール）−４−（２−ヒドロキ
シカルボニルエチル）ベンゼン（化合物Ｂ）２８．３ｇ
（０．１ｍｏｌ）とジメチルホルムアミド０．２ｍｌを
加えた。次いでオキザリルクロリド１３．０ｍｌ（０．
１５ｍｏｌ）を室温で滴下した。約１時間撹拌した後、
減圧濃縮を行い、白色固体を得た。この白色固体をピリ
ジン８．９ｍｌ（０．１１ｍｏｌ）とテトラヒドロフラ
ン２００ｍｌに溶解し、そこへテトラヒドロフラン５０
ｍｌに溶解させた４−ヒドロキシ安息香酸ビニルエステ
ル１８．０ｇ（０．１１ｍｏｌ）を約３０分かけて滴下
した。約１時間ご撹拌した後、反応液に水を加え酢酸エ
チルで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥さ
せ、濾別して、減圧濃縮を行いシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製し、ＵＶＭ−６を２１．８ｇを得た。目的
物の構造は1Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。
【００４７】本発明における光重合したポリマーを構成
する紫外線吸収性基を有するモノマー単位の割合は、ポ
リマーのセルロースエステルとの相溶性、セルロースエ
ステルフィルムの機械的性質または物理的性質が同等ま
たはそれ以上の性質、あるいは十分な紫外線吸収性能を
有するのであれば、如何なるものであってもよく（１〜
１００質量％の範囲でよく）、ホモポリマーでもコポリ
マーであってもよい。
【００４８】本発明に有用な帯電防止性基を有するエチ
レン性不飽和モノマーの帯電防止性基としては、４級ア
ンモニウム基、スルホン酸塩の基、ポリエチレンオキサ
イド基等を挙げることが出来るが、溶解性や帯電性能の
観点から４級アンモニウム基が好ましい。
【００４９】下記に本発明に有用な帯電防止性基を有す
るエチレン性不飽和モノマーを例示する。
【００５０】
【化４】
【００５１】
【化５】
【００５２】下記に本発明に有用な帯電防止性基を有す
るエチレン性不飽和モノマーの合成例を例示する。 合成例 （ＡＳＭ−１の合成）封管中にトルエン５０ｍｌと４−
ビニルベンジリルクロリド１４．２ｍｌ（０．１ｍｏ
ｌ）とトリメチルアミン９．０ｍｌ（０．１ｍｏｌ）と
ｔ−ブチルカテコール１．７ｇ（０．０１ｍｏｌ）を入
れ、約７０℃で４８時間加熱した。固体を濾過して取り
出し、アセトンで洗浄し、ＡＳＭ−１を１２．１ｇを得
た。目的物の構造は1Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。 （ＡＳＭ−２の合成）封管中にトルエン５０ｍｌとトリ
エチレンジアミン（ＤＡＢＣＯ）１１．２ｇ（０．１ｍ
ｏｌ）とエチルクロリド７．２ｍｌ（０．１ｍｏｌ）を
入れ、約７０℃で７２時間加熱した。固体を濾過し、エ
チルエーテルで洗浄し、Ｎ−エチルトリエチレンジアミ
ン・モノアンモニウムクロリド（化合物Ｃ）を得た。エ
タノール５０ｍｌ中に４−ビニルベンジルクロリド７．
１ｍｌ（０．０５ｍｏｌ）と化合物Ｃ１０．６ｇ（０．
０５ｍｏｌ）とｔ−ブチルカテコール０．９ｇ（０．０
０５ｍｏｌ）を加え、４８時間加熱環流した。固体を濾
過し、アセトンで洗浄し、ＡＳＭ−２を７．３ｇ得た。
目的物構造は1Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。 （ＡＳＭ−４の合成）テトラヒドロフラン２００ｍｌ中
に２−クロロエタノール６．７ｍｌ（０．１ｍｏｌ）と
ピリジン８．９ｍｌ（０．２ｍｏｌ）を加え、そこへテ
トラヒドロフラン５０ｍｌに溶かしたメタクリルクロリ
ド１０．７ｍｌ（０．１１ｍｏｌ）を約３０分かけて滴
下した。室温で約１時間撹拌した後、反応液に水を加え
酢酸エチルで抽出した。濾別し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥させた後、減圧濃縮を行い、２−クロロエチルメタ
クリレートを得た。一方、エタノール１００ｍｌにＤＡ
ＢＣＯ１１．２ｇ（０．１ｍｏｌ）とベンジルクロリド
１１．５ｍｌ（１０．１ｍｏｌ）を加え２４時間加熱環
流した。固体を濾過し、アセトンで洗浄し、Ｎ−エチル
−ＤＡＢＣＯ・モノアンモニウムクロリド（化合物Ｄ）
を得た。エタノール中に化合物Ｄ１１．９ｇ（０．０５
ｍｏｌ）と２−クロロエチルメタクリレート７．４ｇ
（０．０５ｍｏｌ）とｔ−ブチルカテコール０．９ｇ
（０．００５ｍｏｌ）を加え、４８時間加熱環流した。
固体を濾過し、アセトンで洗浄し、ＡＳＭ−４を１０．
５が得た。目的物の構造は1Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認
した。
【００５３】本発明における光重合して得られるポリマ
ーに対する帯電防止性基を有するエチレン性不飽和モノ
マーの割合は、セルロースエステルフィルムの吸水性、
耐久性、可塑性、必要な帯電防止性等から４０質量％以
下でよく、好ましくは５〜３０質量％である。
【００５４】本発明に有用な光重合開始剤としては、エ
チレン性不飽和モノマーがウェブ中で光重合し得る開始
剤であれば制限なく使用できるが、これらの光重合開始
剤は公知のものを使用し得る。また光増感剤も使用出来
る。具体的には、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ン−ｎ−プロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエ
ーテル、ベンゾインシリルエーテル、メチルベンゾイン
ホルメート、ベンジル、ベンゾフェノン、ヒドロキシベ
ンゾフェノン、ｐ−メチルベンゾフェノン、α−ヒドロ
キシイソブチルフェノン、ｐ−イソプロピル−α−ヒド
ロキシイソブチルフェノン、アセトフェノン、ミヒラー
ズケトン、α，α′−ジクロロ−４−フェノキシアセト
フェノン、１−ヒドロキシ−１−シクロヘキシルアセト
フェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフ
ェノン、ジアセチル、エオシン、チオニン、２−メチル
−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリ
ノプロペン、ジクロロチオキサントン、ジイソプロピル
チオキサントン、フェニルジスルフィド−２−ニトロソ
フルオレン、ブチロイン、アニソインエチルエーテル、
ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、ベンゾイルチアゾリルス
ルフィド、α−アミロキシムエステル、アゾビスイソブ
チロニトリル、テトラメチルチウラムジスルフィド等を
挙げることが出来る。本発明において、セルロースエス
テルドープ組成物中にエチレン性不飽和モノマーと共に
光重合開始剤を混合するが、セルロースエステルに対し
てエチレン性不飽和モノマーを５〜３０質量％、また光
重合開始剤をエチレン性不飽和モノマーに対して１〜３
０質量％程度加えるのがよい。本発明においては、光重
合性のエチレン性不飽和モノマーをセルロースエステル
ドープ組成物流延後、有機溶媒を多く含むウェブにおい
ても、またかなり乾燥が進んでいてもウェブ内で光重合
を起こさせることが出来るが、金属支持体上で、紫外線
を照射して重合させるのが好ましい。
【００５５】本発明のエチレン性不飽和モノマーと光重
合開始剤を含有するセルロースエステルドープ組成物に
二つのエチレン性不飽和基を有する架橋性モノマーを含
有させることにより、光重合後、しなやかさと強靱性を
兼ね備えたセルロースエステルフィルムを得ることが出
来る。この二つのエチレン性不飽和基を有する架橋性モ
ノマーとしては、ポリエステルジ（メタ）アクリレー
ト、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート等を挙げるこ
とが出来る。市販品として、東亜合成社製のウレタンア
クリレート（商品名、Ｍ−１３１０）があり、このもの
を好ましく用いることが出来る。以下にこれらの化合物
を例示する。
【００５６】
【化６】
【００５７】
【化７】
【００５８】これらのポリエステルまたはポリウレタン
のジ（メタ）アクリレートは、数平均分子量として、６
０００〜１０００００、好ましくは１０００〜８０００
０のものである。ここでｎは繰り返し単位の繰り返し数
である。
【００５９】第２の本発明は、セルロースエステルドー
プ組成物がエポキシ基を有する化合物及び光重合開始剤
を含有するものである。上記の発明と同様に、これらの
エポキシ基を有する化合物もウェブ内で光重合させるこ
とが出来、出来上がったフィルムに可塑性を付与するこ
とが出来る。エポキシ基を有する化合物としては、通常
接着剤等に使用し得るものを使用することが出来る。本
発明に有用なエポキシ基を有する化合物を例示すると、
芳香族エポキシ化合物（多価フェノールのポリグリシジ
ルエーテル）としては、水素添加ビスフェノールＡまた
はビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応物の
グリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂（例え
ば、クレゾールノボラックポリグリシジルエーテル、フ
ェノールノボラックポリグリシジルエーテル）、レゾー
ルエポキシ樹脂、レゾルシノールジグリシジルエーテル
等、脂肪族エポキシ樹脂としては、脂肪族多価アルコー
ルまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポリグリシ
ジルエーテル、脂肪族長鎖多塩基酸のポリグリシジルエ
ステル、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリ
レートのホモポリマー、コポリマーなどがあり、その代
表例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ジエ
チレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレン
グリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリ
コールグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジ
グリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリ
シジルエーテル、ノナプロピレングリコールジグリシジ
ルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエー
テル、グリセリントリグリシジルエーテル、ジグリセロ
ールトリグリシジルエーテル、ジグリセロールテトラグ
リシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシ
ジルエーテル、ペンタエリスリトールトリグリシジルエ
ーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテ
ル、ソルビトールのポリグリシジルエーテル、脂環式エ
ポキシ化合物、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−３′，４′−エポキシシクロヘキサンカルボ
キシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−
５，５−スピロ−３′，４′−エポキシ）シクロヘキサ
ン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロ
ヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンジ
オキサイド、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシク
ロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル−３′，４′−エポキシ−６−
メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス
（３，４−エポキシシクロヘキサン）ジシクロペンタジ
エンジエポキサイド、エチレングリコールのジ（３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレン
ビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、トリス
（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのジグリシ
ジルエーテル、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシ
アヌレートのトリグリシジルエーテル、ポリグリシジル
アクリレート、ポリグリシジルメタクリレート、グリシ
ジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートと他
のモノマーとの共重合物、ポリ−２−グリシジルオキシ
エチルアクリレート、ポリ−２−グリシジルオキシエチ
ルメタクリレート、２−グリシジルオキシエチルアクリ
レート、２−グリシジルオキシエチルアクリレートまた
は２−グリシジルオキシエチルメタクリレートと他のモ
ノマーとの共重合物、ビス−２，２−ヒドロキシシクロ
ヘキシルプロパンジグリシジルエーテル等を挙げること
が出来、２種以上組み合わせて使用することが出来る。
本発明においては、上記の化合物に限定せず、これらか
ら類推される化合物も含むものである。
【００６０】また、本発明において、エポキシ基を分子
内に２つ以上有するもの以外に、モノエポキサイドも所
望の性能に応じて配合して使用することが出来る。
【００６１】本発明における紫外線重合性のエポキシ基
を有する化合物は、ラジカル重合によるのではなく、カ
チオン重合により重合物、架橋構造物または網目構造物
を形成する。ラジカル重合と異なり反応系中の酸素に影
響を受けないため誘導期間がなく重合を速く行うことが
出来る。
【００６２】本発明に有用なエポキシ基を有する化合物
は、紫外線照射によりカチオン重合を開始する物質を放
出する化合物が触媒になってイオン重合反応が進行す
る。紫外線照射によりカチオン重合を開始するものとし
てはルイス酸を放出するオニウム塩の複塩の一群が特に
好ましい。
【００６３】かかる代表的なものは下記一般式（Ｉ）で
表される化合物である。 一般式（Ｉ） 〔（Ｒ1）a（Ｒ2）b（Ｒ3）c（Ｒ4）dＺ〕+w〔ＭｅＸ
v+w〕-w ここで、式中、カチオンはオニウムであり、ＺはＳ、Ｓ
ｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、ハロゲン（例え
ばＩ、Ｂｒ、Ｃｌ）、またはＮ＝Ｎ（ジアゾ）であり、
Ｒ1 a、Ｒ2 b、Ｒ3 c、Ｒ4 dは同一であっても異なっていて
もよい有機の基である。ａ、ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ０〜
３の整数であって、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄはＺの価数に等し
い。Ｍｅはハロゲン化物錯体の中心原子である金属また
は半金属（ｍｅｔａｌｌｏｉｄ）であり、Ｂ、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ等である。Ｘは
ハロゲンであり、ｗはハロゲン化錯体イオンの正味の電
荷であり、ｖはハロゲン化錯体イオン中のハロゲン原子
の数である。
【００６４】上記一般式（Ｉ）の陰イオン〔Ｍｅ
Ｘv+w〕-wの具体例としては、テトラフルオロボレート
（ＢＦ4 -）、ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ6 -）、
ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ6 -）、ヘキサフ
ルオロアルセネート（ＡｓＦ6 -）、ヘキサクロロアンチ
モネート（ＳｂＣｌ6 -）等を挙げることが出来る。
【００６５】更に一般式ＭＸn（ＯＨ）-の陰イオンも用
いることが出来る。また、その他の陰イオンとしては過
塩素酸イオン（ＣｌＯ4 -）、トリフルオロメチル亜硫酸
イオン（ＣＦ3ＳＯ3 -）、フルオロスルホン酸イオン
（ＦＳＯ3 -）、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロ
ベンゼン酸陰イオン等を挙げることが出来る。
【００６６】このようなオニウム塩の中でも特に芳香族
オニウム塩をカチオン重合開始剤として使用するのが、
特に有効であり、中でも特開昭５０−１５１９９６号、
同５０−１５８６８０号公報等に記載の芳香族ハロニウ
ム塩、特開昭５０−１５１９９７号、同５２−３０８９
９号、同５９−５５４２０号、同５５−１２５１０５号
公報等に記載のVIＡ族芳香族オニウム塩、特開昭５６−
８４２８号、同５６−１４９４０２号、同５７−１９２
４２９号公報等に記載のオキソスルホキソニウム塩、特
公昭４９−１７０４０号公報等に記載の芳香族ジアゾニ
ウム塩、米国特許第４，１３９，６５５号明細書等に記
載のチオピリリウム塩等が好ましい。また、アルミニウ
ム錯体や光分解性ケイ素化合物系重合開始剤等を挙げる
ことが出来る。上記カチオン重合開始剤と、前記ベンゾ
フェノン及びその誘導体、前記ベンゾイン及びその誘導
体、前記チオキサントン及びその誘導体等の光増感剤を
併用することが出来る。この増感剤は近紫外線領域から
可視光線領域に吸収極大のあるものが好ましい。
【００６７】本発明において、セルロースエステルドー
プ中にエポキシ基を有する化合物と共に光重合開始剤及
び／または光増感剤を混合するが、セルロースエステル
に対してエポキシ基を有する化合物が５〜３０質量％、
また光重合開始剤がエポキシ基を有する化合物に対して
１〜３０質量％、好ましくは１〜１０質量％である。
【００６８】本発明に有用なエポキシ基と紫外線吸収剤
を有する化合物を光重合開始剤と混合してドープとして
もよいし、エポキシ基を有する化合物と共に混合してド
ープとしてもよい。
【００６９】本発明に有用なエポキシ基と紫外線吸収性
基を有する化合物の紫外線吸収性基としては、ベンゾト
リアゾール基、サリチル酸エステル基、ベンゾフェノン
基、オキシベンゾフェノン基、シアノアクリレート基等
を挙げることが出来、本発明においては何れも好ましく
用いることが出来る。特に光反応性が少なく、且つ殆ど
着色のないベンゾトリアゾール基が好ましい。
【００７０】下記に本発明に有用なエポキシ基と紫外線
吸収性基を有する化合物を例示する。
【００７１】
【化８】
【００７２】本発明に係るエポキシ基と紫外線吸収性基
を有する化合物を含有するセルロースエステルドープを
溶液流延製膜過程において製膜し、紫外線照射したウェ
ブからは、紫外線吸収剤が析出あるいは揮発することが
ないため生産性よく、品質にが優れた液晶画像表示装置
用の偏光板用保護フィルムを得ることが出来る。また、
このエポキシ基と紫外線吸収性基を有する化合物のポリ
マーが前記の如くセルロースエステルに対して耐水性を
合わせ持つことがより好ましく、ポリマーのＴｇを５０
℃以下とすることが好ましい。
【００７３】本発明における光重合したポリマーを構成
する紫外線吸収性基を有する化合物単位の割合は、ポリ
マーのセルロースエステルとの相溶性、セルロースエス
テルフィルムの機械的性質または物理的性質が同等また
はそれ以上の性質、あるいは十分な紫外線吸収性能を有
するのであれば、如何なるものであってもよい（１〜１
００質量％の範囲でよい）。
【００７４】本発明において、紫外線吸収性基を有しエ
ポキシ基を有する化合物の合成例について下記に例示す
る。 合成例 （ＵＶＥ−１の合成）トリメチロールプロパントリグリ
シジルエーテル（化合物Ｃ）３０．２ｇ（０．１ｍｏ
ｌ）、化合物Ａ１２．８ｇ（０．０５ｍｏｌ）及びテト
ラメチルアンモニウムクロリド０．２４ｇ（２．５ｍｏ
ｌ）をトルエン５０ｍｌに溶かし、約２時間加熱環流を
行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出を行っ
た。この液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧
濃縮を行い、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製
し、ＵＶＥ−１を得た。目的物の構造は1Ｈ−ＮＭＲ及
びＩＲで確認した。
【００７５】本発明において、セルロースエステルドー
プ中にエポキシ基を有する化合物と共に光重合開始剤
（場合によっては光増感剤も）を混合するが、セルロー
スエステルに対してエポキシ基を有する化合物が５〜３
０質量％、また光重合開始剤がエポキシ基を有する化合
物に対して１〜３０質量％、好ましくは１〜１０質量％
である。
【００７６】ここで、本発明のセルロースエステルフィ
ルムを溶液流延製膜装置により製膜する方法、特に製膜
中に紫外線を照射する方法について説明する。
【００７７】上記の如きエチレン性不飽和モノマーまた
はエポキシ基を有する化合物を含有するセルロースエス
テルドープ組成物をダイから金属支持体表面にドープ膜
として流延して、金属支持体上で有機溶媒を蒸発させて
ウェブ（流延以降をドープ膜をウェブという）とし、ウ
ェブを金属支持体が流延から１周する前（残留溶媒量と
して３０〜１５０質量％の時）で剥離する。金属支持体
は、研磨された鏡面を有するステンレスベルトまたはド
ラムである。金属支持体上でのウェブの加熱は、ウェブ
の表面に熱風を与えたり、金属支持体裏面から気体伝熱
また金属支持体の裏面からの液体伝熱によって行われ
る。また、金属支持体を２０℃以下に冷却してドープ膜
を固化してあまり乾燥させずに金属支持体から剥離する
方法もある。
【００７８】なお、残留溶媒量は下記の式で表せる。 残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００ ここで、Ｍはウェブの任意時点での質量、ＮはＭを１１
０℃で３時間乾燥させた時の質量である。
【００７９】ウェブを剥離後、千鳥状に配置したロール
にウェブを通して搬送する乾燥機及び／またはウェブの
両端をクリッピングして搬送する乾燥機でウェブを乾燥
してセルロースエステルフィルムを作製する。乾燥装置
内でのウェブの乾燥温度は８０〜１５０℃で行うが、ウ
ェブの収縮などからその時点での剥離残留溶媒量が少な
くなるのに応じて高くするのがよい。加熱方法として
は、熱風を吹き付ける方法、赤外線照射、加熱ロール接
触、マイクロ波照射等を挙げることが出来、適宜使い分
ければよい。剥離後にロール乾燥装置ばかりでなく、ウ
ェブの両端を把持するテンター乾燥装置でウェブを幅方
向を縮まないように保持するか、若干延伸してもよい。
テンター乾燥装置としては、ピンテンター方式またはク
リップテンター方式のいずれでもよく、液晶表示装置用
のセルロースエステルフィルムとしては、テンター乾燥
装置を使用して、０．５〜５％程度横方向に延伸するの
が好ましい。本発明の光重合用の紫外線照射は、ドープ
を流延してから、ウェブの乾燥が終了するまでの間の任
意の場所で行えばよく、特にウェブが金属支持体上にあ
る時に照射することが好ましく、有機溶媒がウェブ中に
適度に存在することにより分子の移動が容易で、重合が
スムースに進行し易い。
【００８０】本発明に係るエチレン性不飽和モノマー及
びエポキシ基を有する化合物を光重合させる紫外線照射
源は低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、カーボンアー
ク、メタルハライドランプ、太陽光線等を挙げることが
出来る。紫外線を照射による光重合は、空気または不活
性気体中で行うことが出来るが、エチレン性不飽和モノ
マーを使用する場合には、空気中でもよいが、重合の誘
導期を短くするために出来るだけ酸素濃度が少ない気体
が好ましい。照射する紫外線の照射強度は０．１〜１０
０ｍＷ／ｃｍ2程度が良く、照射量は１００〜２０００
０ｍＪ／ｃｍ2程度が好ましい。
【００８１】次に、更なる他の本発明の予めエチレン性
不飽和モノマーを重合して得たポリマーを含有するセル
ロースエステルドープ組成について述べる。
【００８２】これらのポリマーを構成するエチレン性不
飽和モノマーとしては、前記のエチレン性モノマーと同
様なものを挙げることが出来る。これらのうち特にビニ
ルエステルを主とするモノマーが好ましい。エチレン性
不飽和モノマーとしては、前記と同様であるが、アクリ
ルエステル、ビニルエステル、マレイン酸ジエステルを
使用することが出来るが、特にはビニルエステルを主と
するものが好ましい。ポリマーをセルロースエステルド
ープに添加混合する際、ポリマーがセルロースエステル
ドープ中に均一に混合することが出来、セルロースエス
テルフィルムとなった後においても相溶性がよく、相分
離しにくいものが好ましい。これらのエチレン性不飽和
モノマーの重合方法としては、通常のラジカル重合ある
いはカチオン重合による溶液重合、塊状重合、懸濁重
合、乳化重合等の方法で行うことが出来る。また重合
後、何れの重合方法も一旦はポリマーを沈殿させて精製
した後に溶液にしてドープに添加してもよいが、溶液重
合の場合は、重合溶液をそのままドープに添加して用い
ることが出来る。ポリマーはセルロースエステルドープ
組成物に使用する有機溶媒に溶解することが必要であ
る。そのような有機溶媒としては、メチレンクロリド、
エチレンクロリド、クロロホルム、酢酸メチル、ギ酸メ
チル、ギ酸エチル、フルオロアルコール等を挙げること
が出来る。特にメチレンクロリド及び酢酸メチルが好ま
しい。
【００８３】本発明に有用なポリマーのラジカル重合開
始剤としては、ベンゾイルペルオキシド、アセチルペル
オキシド、ｔ−ブチルヒドロキシペルオキシド、ｔ−ブ
チルペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ジ−ｔ
−ブチルペルオキシド、ジクメンペルオキシド、アゾビ
スイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボ
ニトリル、過酸化水素、過硫酸カリウム、過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム−と亜硫酸水素ナトリウム、ベ
ンゾイルペルオキシド−硫酸第一鉄アンモニウム、過硫
酸アンモニウム−メタ亜硫酸ナトリウム、過硫酸アンモ
ニウム−チオ硫酸ナトリウム等通常用いられる開始剤を
用いることが出来る。また、カチオン重合開始剤として
は、ＢＦ3、ＡｌＣｌ3、ＴｉＣｌ4、ＳｎＣｌ2、ＳｎＣ
ｌ4等のルイス酸と水、アルコール、カルボン酸、エー
テル、ハロゲン化炭化水素等の不対電子を有する共触
媒、硫酸、リン酸、トリクロル酢酸、トリフルオロ酢酸
等のプロトン酸、あるいは、Ｉ2、ＢＦ3Ｏ（Ｃ
2Ｈ5）2、ＡｇＣｌＯ4＜（Ｃ6Ｈ5）3ＣＣｌ等のカチオ
ンを生成し易い物質を挙げることが出来る。
【００８４】溶液重合の場合の有機溶媒としては、連鎖
移動を起こし難いものであれば何れも用いることが出来
る。例えば、メタノール、エタノール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
１，３−ジオキソラン、酢酸メチル、酢酸エチル、メチ
レンクロリド等を挙げることが出来る。乳化重合の場合
には、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチ
オン界面活性剤何れも使用出来、またポリビニルアルコ
ールのような水溶性ポリマー等も使用出来る。
【００８５】重合容器は耐圧性のもので、撹拌機、滴下
ロート、窒素気流導入管等が付いているものがよい。重
合条件は、窒素により空気を置換した系で行うのがよ
く、重合温度は重合様式により異なるが、ラジカル重合
では−１０〜１００℃の範囲が適切である。カチオン重
合では、重合反応が激しいため、極低温例えば−１５０
〜−５０℃で行うことが多い。
【００８６】下記に本発明に有用なポリマーを示すが、
これらに限定されない。
【００８７】
【化９】
【００８８】
【化１０】
【００８９】
【化１１】
【００９０】ここで、ｘ、ｙ、ｚは１〜１００の正の整
数であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。但しＰ−４〜８
及びＵＶＰ−７のｙは１〜５０である。
【００９１】本発明においては、上記の紫外線吸収性基
を有するポリマー（ＵＶＰ−１〜７）の他に特開平６−
１４８４３０号公報に記載のものも本発明において好ま
しく用いられる。 （重合例） （Ｐ−１の重合）酢酸ビニルモノマー３６ｇとラウリン
酸ビニルモノマー４ｇを１００ｍｌの三頭コルベンに入
れ、真空ポンプにより、減圧にした後窒素置換を３回行
った。窒素下脱水テトラヒドロフラン６０ｍｌに溶解
し、加熱環流した。この溶液にα，α′アゾビスイソブ
チロニトリル（ＡＩＢＮ）３０ｍｇのテトラヒドロフラ
ン溶液を添加し、３時間加熱環流し重合を行った。反応
溶液の溶媒を減圧留去した後、最小のテトラヒドロフラ
ンに溶解し、水で再沈殿した。析出物を濾取し、Ｐ−１
を得た。Ｐ−１の各モノマー単位の質量比（酢酸ビニル
／ラウリン酸ビニル）は９０／１０であった。またＰ−
１の重量平均分子量をＧＰＣにより測定した結果１６８
００であった。 （ＵＶＰ−１の重合）酢酸ビニルモノマー１６ｇ、ラウ
リン酸ビニルモノマー８ｇ及び１６ｇのＵＶＭ−１モノ
マーを１００ｍｌの三頭コルベンに入れ、真空ポンプに
より、減圧にした後窒素置換を３回行った。窒素下脱水
テトラヒドロフラン６０ｍｌに溶解し、加熱環流した。
この溶液にＡＩＢＮ３０ｍｇのテトラヒドロフラン溶液
を添加し、３時間加熱環流し重合を行った。反応溶液の
溶媒を減圧留去した後、最小のテトラヒドロフランに溶
解し、水で再沈殿した。析出物を濾取し、ＵＶＰ−１を
得た。ＵＶＰ−１のモノマー単位の質量比（ｘ／ｙ／
ｚ）は４０／２０／４０であった。ＵＶＰ−１の重量平
均分子量をＧＰＣにより測定した結果２４４００であっ
た。 （ＡＳＰ−１の重合）酢酸ビニルモノマー２４ｇ、１６
ｇのＡＳＭ−１モノマーを１００ｍｌの三頭コルベンに
入れ、真空ポンプにより、減圧にした後窒素置換を３回
行った。窒素下脱水テトラヒドロフラン６０ｍｌに溶解
し、加熱環流した。この溶液にＡＩＢＮ３０ｍｇのテト
ラヒドロフラン溶液を添加し、３時間加熱環流し重合を
行った。反応溶液の溶媒を減圧留去した後、最小のテト
ラヒドロフランに溶解し、水で再沈殿した。析出物を濾
取し、ＡＳＰ−１を得た。ＡＳＰ−１のモノマー単位の
質量比（ｘ、ｙ）は６０／４０であった。ＡＳＰ−１の
重量平均分子量をＧＰＣにより測定した結果３２０００
であった。
【００９２】本発明のセルロースエステルフィルムは、
低分子可塑剤や紫外線吸収剤を実質的に含有しないた
め、製造中のウェブから析出または揮発するものがない
ので、ウェブを汚すこともなく、また液晶表示装置とな
った後、密閉された自動車内の高温多湿状態においても
ほとんどフィルムから析出または揮発することもないの
で、理想的なフィルムといえる。
【００９３】高温多湿条件でフィルムから物質が析出や
揮発することによる質量の変化を示す保留性は、ほとん
ど零であることが好ましいが、フィルム中に残留溶媒が
あるため、若干の質量の減少はやむを得ない。本発明に
おける保留性は１．０％以下が良く、好ましくは０．５
％以下、より好ましくは０．１％以下である。
【００９４】また、高温多湿に対するセルロースエステ
ルフィルムの寸法安定性も改良され、発明のポリマーを
含有しないセルロースエステルフィルムより寸法変化率
が小さくなっている。本発明のセルロースエステルフィ
ルムの寸法変化率は８０℃、９０％ＲＨの高温高湿下、
５０時間の処理において、±１．０％以内であることが
好ましく、より好ましくは±０．５％以内、更に好まし
くは±０．４％以内であり、特に好ましくは±０．３％
以内であることが特に好ましい。
【００９５】上記のような高温高湿の性質は、基本的に
は、それが全てではないが、吸水性に左右される場合が
多い。本発明のポリマーを含有するセルロースエステル
フィルムはそれらを含まないフィルムより吸水性が小さ
く優れた性質を有している。一般にセルロースエステル
フィルムの吸水率は高湿下で約３質量％弱であるに対し
て、本発明のセルロースエステルフィルムは２質量％以
下であることが特徴となっている。
【００９６】紫外線吸収基を有するポリマーを含有する
本発明のセルロースエステルフィルムは、紫外線吸収性
物質の減少がなく、有効に紫外線をカット出来る。また
高温高湿下においても紫外線吸収性能の劣化のない。
【００９７】また、本発明のセルロースエステルフィル
ムが帯電防止基を有するポリマーを含有することによっ
て、製造中または取り扱い中におけるゴミなどの異物を
吸着し難く、歩留まりのよいフィルムを提供出来る。
【００９８】本発明のセルロースエステルフィルムがポ
リマーを含有することによって、フィルムの厚さを増す
ことなくレターデーションが改良され、優れたレターデ
ーションを示すこともわかった。
【００９９】更に、セルロースエステルフィルム製造過
程において、従来の製造中における可塑剤のフィルムの
厚み方向への移動が起因しているフィルムのカールも、
本発明のポリマーを含有するセルロースエステルフィル
ムは、移動がないためカールも発現しにくく、良好な平
面性を持つことが出来る。
【０１００】本発明のポリマーを含有するセルロースエ
ステルフィルムは、上記の他、ポリマーを含有しない通
常のセルロースエステルフィルムと物理的、機械的また
は化学的な性質が同等またはそれ以上の性質を有してい
る。
【０１０１】本発明全てのセルロースエステルドープ組
成物に、微粒子のマット剤を含有させることが好まし
く、製膜した後の偏光板用保護フィルムとしてのセルロ
ースエステルフィルムに、微粒子のマット剤が存在する
ことによって、適度の滑りと耐擦り傷が付与させる。微
粒子のマット剤はセルロースエステルドープ中に混合・
分散して用いる。微粒子のマット剤としては、例えば二
酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成
ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アル
ミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の
無機微粒子や架橋高分子微粒子を含有させることが好ま
しい。中でも二酸化ケイ素がフィルムのヘイズを小さく
出来るので好ましい。微粒子の２次粒子の平均粒径は
０．０１〜１．０μｍの範囲で、その含有量はセルロー
スエステルに対して０．００５〜０．３質量％が好まし
い。二酸化ケイ素のような微粒子には有機物、特にメチ
ル基を有する化合物により表面処理されている場合が多
いが、このようなものはフィルムのヘイズを低下出来る
ため本発明においては好ましい。表面処理で好ましい有
機物としては、ハロシラン類、アルコキシシラン類（特
にメトキシシラン）、シラザン、シロキサンなどがあげ
られる。微粒子の平均粒径が大きい方がマット効果は大
きく、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れるた
め、好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は５〜５０ｎ
ｍで、より好ましくは７〜１４ｎｍである。これらの微
粒子はセルロースエステルフィルム中では、通常、凝集
体として存在しセルロースエステルフィルム表面に０．
０１〜１．０μｍの凹凸を生成させることが好ましい。
二酸化ケイ素の微粒子としてはアエロジル（株）製のＡ
ＥＲＯＳＩＬ ２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、
Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２，ＯＸ５
０、ＴＴ６００等を挙げることが出来、好ましくはＡＥ
ＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０
２、Ｒ８１２である。これらのマット剤は２種以上併用
してもよい。２種以上併用する場合、任意の割合で混合
して使用することが出来る。この場合、平均粒径や材質
の異なるマット剤、例えばＡＥＲＯＳＩＬ２００ＶとＲ
９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜９９．９〜０．
１の範囲で使用出来る。
【０１０２】更に、本発明のセルロースエステルフィル
ム中には、酸化防止剤を含有させることが好ましく、酸
化防止剤としては、ヒンダードフェノール系の化合物が
好ましく用いられ、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレ
ゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３
−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート〕、１，６−ヘキサンジオール−ビス
〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕、２，４−ビス−（ｎ−オクチ
ルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブ
チルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２，２−チ
オ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデ
シル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−
２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレ
イト等を挙げることが出来る。特に２，６−ジ−ｔ−ブ
チル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキ
ス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−
ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート〕が好ましい。また例え
ば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン等
のヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−ジ−
ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト等のリン系加工安
定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量は、セ
ルロースエステルに対して質量割合で１ｐｐｍ〜１．０
％が好ましく、１０〜１０００ｐｐｍが更に好ましい。
【０１０３】本発明に係る偏光膜は、例えばポリビニル
アルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体等の
ポリビニルアルコール系ポリマーの水溶液を製膜し、こ
れを一軸延伸させてヨウ素や二色性色素で染色したもの
を更に一軸延伸してから、ホウ素化合物のような架橋剤
で耐水性処理を行ったものである。
【０１０４】本発明の偏光板は、前述のように、表面を
鹸化した本発明のセルロースエステルフィルムを前記偏
光膜の少なくとも片面に張り合わせたものである。
【０１０５】本発明に係る偏光膜の作製と偏光膜への張
り合わせ方の１例を示すと、２枚の鹸化処理したセルロ
ースエステルフィルムの各々の片面に接着剤液としての
ポリビニルアルコール水溶液を塗布して、その面に、一
軸延伸ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素溶液中に
浸漬してから更に一軸延伸した偏光膜をサンドウィッチ
して貼り合わせる。接着剤液としては、ポリビニルアル
コール水溶液、ポリビニルブチラール溶液等のポリビニ
ルアルコール系の接着剤液やブチルアクリレートなどの
ビニル重合系ラテックス等を挙げることが出来るが、好
ましくは完全鹸化ポリビニルアルコール水溶液である。
セルロースエステルフィルムと延伸されたポリビニルア
ルコールとを貼り合わせた偏光板において、ゴミがある
ことによって、歩留まりが低下するが、偏光クロスニコ
ルの暗視野状態で異物は光って観察されるので、異物の
存在が明確になり、このような状態は偏光板としては好
ましくない。偏光板中に異物が実質的に全くないことが
好ましいが、面積２５０ｍｍ2当たり、実質的には５〜
５０μｍの大きさの異物が２００個以下で５０μｍ、以
上の異物が零個であることが許容範囲であり、好ましく
５〜５０μｍの異物が１００個以下、より好ましくは５
０個以下である。フィルムに存在する異物の一部は製膜
する前のドープの濾過精度にも依存する。
【０１０６】また、偏光板を高温高湿の状態に曝した場
合、偏光板の縁から白くなることがあるが、本発明にお
いてはほとんどこのような現象が起こらない。
【０１０７】本発明のセルロースエステルフィルムの厚
さは、液晶画像表示装置に用いられる偏光板の薄膜化、
軽量化等の要望から、３０〜１５０μｍで、好ましくは
３５〜８５μｍである。本発明のセルロースエステルフ
ィルムは液晶画像表示装置に使用される部材、例えば、
偏光板、偏光板用保護フィルム、位相差板、反射板、視
野角向上フィルム、防眩フィルム、無反射フィルム、帯
電防止フィルム等である。その中でも寸法安定性に対し
て厳しい要求のある偏光板、偏光板用保護フィルム、位
相差板、視野角向上フィルムに適している。
【０１０８】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
【０１０９】 〔実施例１〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ５質量部 ラウリン酸ビニル ５質量部 ベンゾイン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例２〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ４質量部 ステアリン酸ビニル ５質量部 ＵＶＭ−１ ３質量部 ジエトキシベンゾフェノン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例３〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 ＵＶＭ−５ ７質量部 ＵＶＭ−１ ３質量部 ベンゾイン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例４〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 メチルアクリレート ５質量部 酪酸ビニル ２質量部 ＡＳＭ−２ ３質量部 ベンゾイン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例５〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ４質量部 ステアリン酸ビニル ３質量部 ベンジルアクリレート ２質量部 メチルアクリレート １質量部 ジエトキシベンゾフェノン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例６〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ５質量部 ＡＳＭ−４ ３質量部 ＡＳＭ−１ ２質量部 ベンジルアクリレート ０．５質量部 ジエトキシベンゾフェノン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例７〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ４質量部 ステアリン酸ビニル ３質量部 ＵＶＭ−１ ３質量部 Ｍ−１３１０（ウレタンアクリレート、東亜合成社製） １質量部 メチルアクリレート ０．５質量部 ジエトキシベンゾフェノン １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例８〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート） ７質量部 トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル ５質量部 ４，４′−ビス（ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ） フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例９〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル ７質量部 エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート） ４質量部 ＵＶＥ−１ ２質量部 ４，４′−ビス（ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ） フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート ３質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１０〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル ５質量部 エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート） ４質量部 ＵＶＥ−１ ３質量部 ４，４′−ビス（ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ） フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート ３質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１１〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 ＵＶＥ−１ ８質量部 ４，４′−ビス（ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ） フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート ３質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１２〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 Ｐ−１ １０質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１３〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 ＵＶＰ−１ １０質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１４〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 ＡＳＰ−１ １０質量部 ＡＥＯＳＩＬ Ｒ−９７２ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１５〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 Ｐ−３（質量比ｘ／ｙ＝８０／２０）（重量平均分子量５６０００） ４質量部 ＵＶＰ−３（質量比ｘ／ｙ＝６０／４０）（重量平均分子量３５０００） ４質量部 ＡＳＰ−２（質量比ｘ／ｙ＝６０／４０）（重量平均分子量２１０００） ３質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１６〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 Ｐ−３（質量比ｘ／ｙ＝８０／２０）（重量平均分子量５６０００） ７質量部 ＡＳＰ−１ ３質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１７〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 Ｐ−１１（重量平均分子量５４０００） １０質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔実施例１８〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 Ｐ−１２（重量平均分子量３８５００） １０質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔比較例１〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 トリフェニルホスフェート １０質量部 エチルフタリルエチルグリコレート ２質量部 チヌビン３２６（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製） １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔比較例２〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 トリフェニルホスフェート １０質量部 エチルフタリルエチルグリコレート ２質量部 トリメチルセチルアンモニウムクロリド ８質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ ２００Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔比較例３〕 アセチル置換度２．８８のセルローストリアセテート（数平均分子量１５０ ０００） １００質量部 酢酸ビニル ５質量部 ラウリン酸ビニル ５質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 メチレンクロリド ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔比較例４〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート） ８質量部 トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル ６質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 〔比較例５〕 アセチル基の置換度２．００、プロピオニル基の置換度０．８０、数平均分 子量１０００００のセルロースアセテートプロピオネート １００質量部 トリフェニルホスフェート １０質量部 エチルフタリルエチルグリコレート ２質量部 チヌビン３２６（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製） １質量部 ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド １質量部 ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２Ｖ ０．１質量部 酢酸メチル ４７５質量部 エタノール ２５質量部 （製膜）実施例１〜１８及び比較例１〜５の処方のドー
プ組成物を下記のように調製した。各々を加圧密閉容器
に投入し、４５℃に加温して容器内圧力を１．２気圧と
し、撹拌しながらセルロースエステルを完全に溶解させ
ドープ組成物（以降ドープとする）を得た。ドープ温度
を３５℃まで下げて一晩静置し、このドープを安積濾紙
（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過した
後、更に一晩静置し脱泡した。次いで日本精線（株）製
のファインメットＮＭ（絶対濾過精度１００μｍ）、フ
ァインポアＮＦ（絶対濾過精度５０μｍ、１５μｍ、５
μｍの順に順次濾過精度を上げて使用）を使用して濾過
圧力１．０×１０6Ｐａで濾過し製膜に供した。濾過し
て得られた３５℃のドープを用いてハンガータイプのダ
イから２２℃の無限移行する無端のステンレスベルト上
に流延して製膜した。実施例１〜１１については、ステ
ンレスベルト上でウェブに、４０℃の風を当てながら、
８個の２ｋＷの高圧水銀灯を１５ｃｍ離れた距離から照
射し、光重合を起こさせウェブ中にポリマーを生成させ
た。この高圧水銀灯には、反射板及び冷却装置が付いて
いる。ステンレスベルト上でのウェブの任意の位置の全
照射量を３００ｍｊ／ｃｍ2とした。実施例１２〜１
８、及び比較例１〜５については、ステンレスベルト上
のダイがある側の空気側から４０℃、風速１０ｍ／秒を
風を進行方向に向けて斜め４０°の角度で当てた。全て
のウェブについて、残留溶媒量２５質量％でウェブを剥
離後、３本のロールを通した後、特開昭６２−１１５０
３５号公報に記載されているようなピンクリップでウェ
ブの両端を把持するテンター乾燥装置にウェブを導入し
て９０〜１１５℃で乾燥し、次にロール乾燥装置で１１
０〜１３０℃で乾燥し、乾燥されたウェブを残留溶媒量
を０．２質量％で巻き取り、６０μｍのセルロースエス
テルフィルムを得た。 （偏光板の作製）製膜した全てのセルロースエステルフ
ィルムを、４０℃の２．５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウ
ム水溶液で６０秒間表面鹸化処理を行い、３分間水洗し
て乾燥させた。別に１２０μｍの厚さのポリビニルアル
コールをヨウ素１質量部、ホウ酸４質量部を含む水溶液
１００質量部に浸漬し、５０℃で４倍に立て方向に延伸
した偏光膜を用意した。この偏光膜の両面に上記表面鹸
化処理したセルロースエステルフィルムを完全鹸化型の
ポリビニルアルコール５質量％水溶液を粘着剤として貼
り合わせ偏光板を作製した。 〔評価〕 （寸法安定性の測定）鹸化前のセルロースエステルフィ
ルムを２３℃、５５％ＲＨの部屋で２４時間調湿後、同
部屋で、セルロースエステルフィルム表面にフィルムの
長手方向及びび幅手方向に１００ｍｍ間隔で２個の十文
字の印を付けその寸法を正確に計りその距離をａとし、
８０℃、９０％ＲＨで５０時間の熱処理を行い、再び２
３℃、５５％ＲＨの部屋で２４時間調湿して２個の印の
間の距離をカセトメーターで測定しその値をｂとして、
下記式により寸法安定性を寸法変化率として求めた。
【０１１０】 寸法変化率（％）＝〔（ｂ−ａ）／ａ〕×１００ （吸水率）鹸化前のセルロースエステルフィルムを３０
℃、８５％ＲＨの雰囲気に３時間調湿した後にその雰囲
気で秤量した質量をｄとし、その試料を１１０℃で３時
間加熱して水分をすわないようにして冷却してから秤量
した質量をｃとして下記式により水分率を求めた。
【０１１１】 水分率（質量％）＝〔（ｄ−ｃ）／ｃ〕×１００ （レターデーションの測定）自動複屈折計ＫＯＢＲＡ−
２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）を用いて、２３
℃、５５％ＲＨの環境下で、波長５９０ｎｍにおいて、
３次元屈折率測定を行い、縦、横、厚さの各方向の屈折
率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚを求める。下記式 Ｒｔ値（ｎｍ）＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ に従って、レターデーション値（Ｒｔ値）を算出する。
ここで、ｎｘはフィルムの製膜方向に平行な方向での屈
折率、ｎｙは製膜方向に対して幅方向に水平な方向での
屈折率、ｎｚはフィルムの厚さ方向での屈折率を表す。 （紫外線吸収性能）製膜したセルロースエステルフィル
ムの３５０ｎｍの波長の吸収率を１００として、それに
対する８０℃、９０％ＲＨの雰囲気に５０時間曝したセ
ルロースエステルフィルムの同様な吸収率の比を％で示
し、紫外線吸収性能を評価した。なお、表１において、
紫外線吸収基または紫外線吸収剤を含有していないセル
ロースエステルフィルムについては評価しなかった。 （異物・汚れの観察）セルロースエステルフィルムから
全幅で長手方向に１ｍの長さに切り出し、この試料にシ
ャーカステン上で光を透過させながらルーペで異物・汚
れの有無及び大きさを観察し、下記グレードで評価し
た。
【０１１２】Ａ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れは
なく、５０μｍ未満のものが、０〜１０個観察された Ｂ：５０μｍ以上の大きさの異物・汚れはなく、５０μ
ｍ未満のものが１１〜３０個観察された Ｃ：５０μｍ以上の大きさの異物・汚れが１〜１０個観
察され、５０μｍ以下のものが３１〜５０個観察された Ｄ：５０μｍ以上の大きさの異物・汚れが１１〜３０個
観察され、５０μｍ以下のものが５１〜９９個観察され
た Ｅ：５０μｍ以上の大きさの異物・汚れが３１個以上観
察され、５０μｍ以下のものが、１００個以上観察され
た。 （偏光板耐久性）各々の偏光板から１００ｍｍ×１００
ｍｍの大きさの試料を２枚切り出し、８０℃、９０％Ｒ
Ｈの雰囲気に５０時間曝し、クロスニコルにより偏光板
の縁に発生する白抜けの面積を全体の面積に対する面積
比として観察して、下記のグレードで評価した。
【０１１３】Ａ：白抜け部分が全くなかった Ｂ：白抜けが全体の面積に対して２％未満 Ｃ：白抜け部分が全体の面積に対して２％以上５％未満 Ｄ：白抜け部分が全体の面積に対して５％以上１０％未
満 Ｅ：白抜け部分が全体の面積に対して１０％以上あっ
た。 （偏光板の異物・欠陥）２５ｃｍ×２５ｃｍの大きさに
切りだした試料を１試料につき５枚準備し、３０ｃｍ×
３０ｃｍの大きさのクロスニコルを用意して、異物等に
よる暗黒面に現れる輝きスポット数を観察し、５枚の異
物の数の平均を下記のレベルで評価した。
【０１１４】Ａ：全く輝きスポットがなかった Ｂ：小さな輝きスポットが１〜５個観察された Ｃ：小さな輝きスポットが６〜５０個観察された Ｄ：輝きスポットが５１〜９９個観察された Ｅ：輝きスポットが１００個以上観察された。
【０１１５】上記各評価の結果を表１に示す。
【０１１６】
【表１】
【０１１７】（結果）本発明のエチレン性不飽和モノマ
ーまたはエポキシ基を有する化合物及び光重合開始剤を
含有するドープ組成物を流延したウェブに光を照射する
ことによりポリマーを含有させたセルロースエステルフ
ィルム、または予め重合してあるポリマーを含有したド
ープ組成物を流延して乾燥させたセルロースエステルフ
ィルムは、ポリマーを含有することによりリターデーシ
ョンが優れ、高湿下での吸収した水分率が小さく、寸法
安定性において収縮率が小さく、偏光板とした時の高温
高湿に曝した状態での耐久性に優れていることがわかっ
た。また、低分子の可塑剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤
を含まないため、それらが析出したり、揮発して引き起
こす汚れや異物についても、本発明の紫外線吸収性ポリ
マー、帯電防止性ポリマーはフィルム外への移動はな
く、汚れや異物は極端に少ないことがわかった。紫外線
吸収性については、低分子のそれよりも少ない分子で同
等あるいはそれ以上の性質を示すこともわかった。帯電
防止性については、吸湿性の基を含有するため若干水分
率は高めになるが、低分子のものより吸水性は小さい。
また帯電防止性能は、低分子のそれよりも効果的で、異
物や欠陥を非常に低減出来ることもわかった。ポリマー
を構成するエチレン性不飽和モノマーの種類としては、
アクリル系よりもビニルエステル系の方が、若干いろい
ろな性質がよいことがわかった。
【０１１８】
【発明の効果】製造工程を汚さず、フィルム自体の汚れ
や異物が少なく、高温高湿したでも安定な、且つ歩留ま
りに優れたセルロースエステルフィルムを開発し、液晶
表示装置用のセルロースエステルフィルム、特に偏光板
用保護フィルムに有用なセルロースエステルフィルムを
提供出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 251/02 Ｃ０８Ｆ 251/02 ４Ｊ０２６ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＰ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＰ Ｃ０８Ｋ 9/06 Ｃ０８Ｋ 9/06 Ｃ０８Ｌ 1/10 Ｃ０８Ｌ 1/10 31/02 31/02 33/08 33/08 63/00 63/00 Ａ Ｇ０２Ｂ 1/04 Ｇ０２Ｂ 1/04 5/30 5/30 Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA27 BB00 BB17 BB18 BB33 BB43 BC01 BC05 BC22 2H091 FA08X FA08Z GA16 LA06 4F071 AA09 AA22 AA28 AA30 AA33 AA36 AA42 AB18 AB21 AB25 AB26 AB30 AC19 AG15 AH19 BA02 BB02 BC01 4J002 AB02W BC10Z BF01Z BF02X BG04X BG04Z BG07Z BH02X BN01W BQ00Z CD00Y CD06Y DE096 DE136 DE146 DE236 DH046 DJ006 DJ016 DJ036 DJ046 EL027 EL037 EU157 FB116 FB126 FB146 GP00 GP03 4J011 AA01 AA05 PA07 PA10 PA13 PA53 PA68 PA69 PA70 PB16 PB22 PB40 QA02 QA03 QA05 QA08 QA09 QA32 QA34 QA35 QA36 QA37 QA38 QA39 QA40 QA44 QB14 QB24 QC05 QC06 QC10 RA03 RA04 RA10 SA01 SA21 SA31 SA64 SA76 SA79 SA83 SA87 UA01 WA02 4J026 AA02 BA05 BA08 BA16 BA19 BA20 BA27 BA29 BA30 BA34 BA37 BA39 BA40 DB36 GA06 GA07

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 溶液流延製膜方法によりセルロースエス
    テルフィルムを形成する際に用いるセルロースエステル
    ドープ組成物において、エチレン性不飽和モノマー及び
    ／または官能基を有するエチレン性不飽和モノマー及び
    光重合開始剤を含有することを特徴とするセルロースエ
    ステルドープ組成物。
  2. 【請求項２】 エチレン性不飽和モノマーがビニルエス
    テルを主とするものであることを特徴とする請求項１に
    記載のセルロースエステルドープ組成物。
  3. 【請求項３】 ２〜３のエチレン性不飽和基を有するエ
    チレン性不飽和モノマーを含有することを特徴とする請
    求項１または２に記載のセルロースエステルドープ組成
    物。
  4. 【請求項４】 官能基が紫外線吸収性基及び／または帯
    電防止性基であることを特徴とする請求項１乃至３の何
    れか１項に記載のセルロースエステルドープ組成物。
  5. 【請求項５】 溶液流延製膜方法によりセルロースエス
    テルフィルムを形成する際に用いるセルロースエステル
    ドープ組成物において、エポキシ基を有する化合物及び
    ／またはエポキシ基と紫外線吸収性基を有する化合物及
    び光重合開始剤を含有することを特徴とするセルロース
    エステルドープ組成物。
  6. 【請求項６】 微粒子を含有することを特徴とする請求
    項１乃至５の何れか１項に記載のセルロースエステルド
    ープ組成物。
  7. 【請求項７】 該微粒子が、表面にメチル基を有する酸
    化ケイ素を含有する化合物からなることを特徴とする請
    求項６に記載のセルロースエステルドープ組成物。
  8. 【請求項８】 溶液流延製膜方法によりセルロースエス
    テルフィルムを形成する際に用いるセルロースエステル
    ドープ組成物において、ビニルエステル及びアクリル酸
    エステルから選ばれるエチレン性不飽和モノマー及び／
    または官能基を有するビニルエステル及びアクリル酸エ
    ステルから選ばれるモノマーを主とするエチレン性不飽
    和モノマーを重合したポリマーを含有することを特徴と
    するセルロースエステルドープ組成物。
  9. 【請求項９】 官能基が紫外線吸収性基及び／または帯
    電防止性基であることを特徴とする請求項８に記載のセ
    ルロースエステルドープ組成物。
  10. 【請求項１０】 微粒子を含有することを特徴とする請
    求項８または９に記載のセルロースエステルドープ組成
    物。
  11. 【請求項１１】 該微粒子が、表面にメチル基を有する
    酸化ケイ素を含有する化合物からなることを特徴とする
    請求項１０に記載のセルロースエステルドープ組成物。
  12. 【請求項１２】 請求項１乃至７の何れか１項に記載の
    セルロースエステルドープ組成物を溶液流延製膜装置の
    無限移行する無端の金属支持体に流延してから乾燥装置
    でウェブの乾燥が終了するまでの間において、ウェブに
    紫外線を照射することを特徴とするセルロースエステル
    フィルムの製造方法。
  13. 【請求項１３】 セルロースエステルドープ組成物を無
    限移行する無端の金属支持体に流延してから剥離までの
    間で紫外線を照射することを特徴とする請求項１２に記
    載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項８乃至１１の何れか１項に記載
    のセルロースエステルドープ組成物を溶液流延製膜方法
    によりセルロースエステルフィルムを形成することを特
    徴とするセルロースエステルフィルムの製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２乃至１４の何れか１項に記
    載の方法で形成したことを特徴とするセルロースエステ
    ルフィルム。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載のセルロースエステ
    ルフィルムを用いたことを特徴とする偏光板。
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