JP2001519363A5

JP2001519363A5 -

Info

Publication number: JP2001519363A5
Application number: JP2000515437A
Authority: JP
Filing date: 1998-10-07
Publication date: 2006-01-05

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】式Ｉ：
【化１】

［式中、
Ｒ₁は、−(ＣＲ₄Ｒ₅)_nＣ(Ｏ)Ｏ(ＣＲ₄Ｒ₅)_mＲ₆、−(ＣＲ₄Ｒ₅)_nＣ(Ｏ)ＮＲ₄(ＣＲ₄Ｒ₅)_mＲ₆、−(ＣＲ₄Ｒ₅)_nＯ(ＣＲ₄Ｒ₅)_mＲ₆、または−(ＣＲ₄Ｒ₅)_rＲ₆ であり（ここで、アルキル部分は、１個またはそれ以上のハロゲンで置換されていてもよい）；
ｍは、０ないし２であり；
ｎは、１ないし４であり；
ｒは、０ないし６であり；
Ｒ₄およびＲ₅は、独立して、水素またはＣ_1-2アルキルから選択され；
Ｒ₆は、水素、メチル、ヒドロキシル、アリール、ハロ置換アリール、アリールオキシＣ_1-3アルキル、ハロ置換アリールオキシＣ_1-3アルキル、インダニル、インデニル、Ｃ_7-11ポリシクロアルキル、テトラヒドロフラニル、フラニル、テトラヒドロピラニル、ピラニル、テトラヒドロチエニル、チエニル、テトラヒドロチオピラニル、チオピラニル、Ｃ_3-6シクロアルキル、または１もしくは２つの不飽和結合を有するＣ_4-6シクロアルキルであり（ここで、シクロアルキルおよび複素環基は、１ないし３個のメチル基または１個のエチル基により置換されていてもよい）（ただし、
ａ）Ｒ₆がヒドロキシルである場合、ｍは、２であるか；または
ｂ）Ｒ₆がヒドロキシルである場合、ｒは、２ないし６であるか；または
ｃ）Ｒ₆が２−テトラヒドロピラニル、２−テトラヒドロチオピラニル、２−テトラヒドロフラニル、または２−テトラヒドロチエニルである場合、ｍは、１または２であるか；または
ｄ）Ｒ₆が２−テトラヒドロピラニル、２−テトラヒドロチオピラニル、２−テトラヒドロフラニル、または２−テトラヒドロチエニルである場合、ｒは、１ないし６であり；
ｅ）−(ＣＲ₄Ｒ₅)_nＯ(ＣＲ₄Ｒ₅)_mＲ₆において、ｎが１であり、ｍが０である場合、Ｒ₆は、Ｈ以外である）；
Ｘは、ＹＲ₂、ハロゲン、ニトロ、ＮＨ₂、またはホルミルアミンであり；
Ｘ₂は、ＯまたはＮＲ₈であり；
Ｙは、ＯまたはＳ(Ｏ)_m'であり；
ｍ'は、０、１、または２であり；
Ｒ₂は、独立して、１個またはそれ以上のハロゲンにより置換されていてもよい−ＣＨ₃または−ＣＨ₂ＣＨ₃から選択され；
Ｒ₃は、水素、ハロゲン、Ｃ_1-4アルキル、ＣＨ₂ＮＨＣ(Ｏ)Ｃ(Ｏ)ＮＨ₂、ハロ置換Ｃ_1-4アルキル、−ＣＨ＝ＣＲ_8'Ｒ_8'、Ｒ_8'により置換されていてもよいシクロプロピル、ＣＮ、ＯＲ₈、ＣＨ₂ＯＲ₈、ＮＲ₈Ｒ₁₀、ＣＨ₂ＮＲ₈Ｒ₁₀、Ｃ(Ｚ')Ｈ、Ｃ(Ｏ)ＯＲ₈、Ｃ(Ｏ)ＮＲ₈Ｒ₁₀、またはＣ≡ＣＲ_8'であり；
Ｒ₈は、水素、または１ないし３個のフッ素により置換されていてもよいＣ_1-4アルキル；
Ｒ_8'は、Ｒ₈またはフッ素であり；
Ｒ₁₀は、ＯＲ₈またはＲ₁₁であり；
Ｒ₁₁は、水素、または１ないし３個のフッ素により置換されていてもよいＣ_1-4アルキルであり；
Ｚ'は、Ｏ、ＮＲ₉、ＮＯＲ₈、ＮＣＮ、Ｃ(−ＣＮ)₂、ＣＲ₈ＣＮ、ＣＲ₈ＮＯ₂、ＣＲ₈Ｃ(Ｏ)ＯＲ₈、ＣＲ₈Ｃ(Ｏ)ＮＲ₈Ｒ₈、Ｃ(−ＣＮ)ＮＯ₂、Ｃ(−ＣＮ)Ｃ(Ｏ)ＯＲ₉、またはＣ(−ＣＮ)Ｃ(Ｏ)ＮＲ₈Ｒ₈であり；
Ｒ'およびＲ”は、独立して、水素または−Ｃ(Ｏ)ＯＸであり（ここで、Ｘは、水素または金属もしくはアンモニウム陽イオンである）；
で示される化合物の製造方法であって、
ａ）Ｉａ族またはＩＩａ族の金属のハロゲン化物を、非プロトン性双極性アミドをベースとする溶媒および水ならびに式ＩＩ（ａ）またはＩＩ（ｂ）：
【化２】

［式中、Ｒ₁、Ｒ₃、Ｘ₂およびＸは、式（Ｉ）についての定義と同じである］
で示される化合物と合せ、
ｂ）該混合物を、少なくとも約６０°の温度まで数時間、所望により不活性雰囲気下で、加熱し；
ｃ）該混合物に強塩基を添加して式（Ｉ）で示される化合物を沈殿させ；
ｄ）該沈殿物から該アミドをベースとする溶媒および水を除去し、次いで、所望により、
１）該沈殿物をさらに精製するか、または
２）該沈殿物を酸性化して遊離酸を得る
ことを含む製造方法。
【請求項２】生成物が、Ｒ₁が−ＣＨ₂−シクロプロピル、シクロペンチル、３−ヒドロキシシクロペンチル、メチルまたはＣＦ₂Ｈであり；ＸがＹＲ₂であり；Ｙが酸素であり；Ｘ₂が酸素であり；Ｒ₂がＣＦ₂Ｈまたはメチルであり；Ｒ₃がＣＮである化合物である請求項１記載の方法。
【請求項３】Ｉａ族またはＩＩａ族の金属のハロゲン化物がハロゲン化リチウムまたはハロゲン化マグネシウムである請求項１または２記載の方法。
【請求項４】Ｉａ族またはＩＩａ族の金属のハロゲン化物が臭化リチウムまたは臭化マグネシウムである請求項１ないし３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】非プロトン性双極性アミドをベースとする溶媒がジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、またはＮ−メチルピロリジノンである請求項１ないし４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】Ｉａ族またはＩＩａ族の金属のハロゲン化物が臭化リチウムであり、アミドをベースとする溶媒がジメチルホルムアミドである請求項１ないし５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】水が反応器中の内容物の０.１％ｗｔ／ｗｔよりも多く存在する請求項１ないし６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】強塩基が水酸化リチウムである請求項１ないし７いずれか１項記載の方法。
【請求項９】式ＩＩ（ａ）またはＩＩ（ｂ）で示される化合物がシス−６−[３−(シクロペンチルオキシ)−４−メトキシフェニル)]−１−オキサスピロ[２.５]オクタン−２,６−ジカルボニトリルである請求項１ないし８いずれか１項記載の方法。
【請求項１０】シス−リチウム−４−シアノ−４−(３−シクロペンチルオキシ−４−メトキシフェニル)−ｒ−１−シクロヘキサンカルボキシレートである請求項１ないし９いずれか１項記載の方法からの生成物。
【請求項１１】シス−リチウム−４−シアノ−４−(３−シクロペンチルオキシ−４−メトキシフェニル)−ｒ−１−シクロヘキサンカルボキシレートである化合物。
【請求項１２】実質的に純粋なシス−リチウム−４−シアノ−４−(３−シクロペンチルオキシ−４−メトキシフェニル)−ｒ−１−シクロヘキサンカルボキシレートを含む物質の組成物。