JP2001176137A - 記録媒体の製造方法 - Google Patents

記録媒体の製造方法

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JP2001176137A JP35435699A JP35435699A JP2001176137A JP 2001176137 A JP2001176137 A JP 2001176137A JP 35435699 A JP35435699 A JP 35435699A JP 35435699 A JP35435699 A JP 35435699A JP 2001176137 A JP2001176137 A JP 2001176137A
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layer
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electromagnet
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Yoshihisa Usami
由久 宇佐美
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板上に光反射層をほぼ均一に形成し、ジッタ
の劣化を抑制するとともに、ターゲットの長寿命化を達
成する。 【解決手段】情報を記録することができる色素記録層２
０４上にスパッタ機構８８にて、該色素記録層２０４上
に光反射層２０８を形成する情報記録媒体の製造方法に
おいて、該スパッタ機構８８は、ターゲット５１８と、
該ターゲット５１８の水平方向に対向して配置されたソ
レノイドタイプの電磁石５２０と、該ターゲット５１８
の鉛直方向に対向して配置され、外周側がＮ極とされ、
内周側がＳ極とされている同軸円柱状の永久磁石５２２
とを有している。前記電磁石５２０は、該電磁石５２０
に流れる電流の強さを制御可能な制御装置５１９を介し
て直流電源５２１に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、情報を
記録することができる記録層と、光反射層とを有する記
録媒体の製造方法に関し、特に、該光反射層をスパッタ
リングにて形成する記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、情報を記録することができる記録
層を有する記録媒体に設けられる光反射層を形成する方
法としては、スパッタ機構１によるスパッタリングが採
用されている。このスパッタ機構１によるスパッタリン
グは、図１５に示すように、基板２の上方に、該基板２
と対向してその上部に永久磁石４が取り付けられたター
ゲット３（光反射層の材料）を配置し、該基板２と該タ
ーゲット３との間の空間に雰囲気ガス（例えば、Ａｒガ
ス）を導入して所定の電圧を印加することによりプラズ
マ７を発生させ、該プラズマ７により、例えば、Ａｒイ
オン５を前記ターゲット３に衝突させて、該ターゲット
３から飛び出した原子６を前記基板２上に堆積させる薄
膜形成法の一種である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
パッタリングによる方法では、永久磁石４により発生す
る磁界の強さ及び分布が一定であるため、Ａｒイオン５
がターゲット３の一定の箇所に集中して衝突してしまう
という不具合が生じている。
【０００４】このため、基板２上にターゲット３の原子
６が不均一に堆積し、該基板２上に形成される光反射層
の膜厚が不均一になってしまう。記録層上に形成される
光反射層の膜厚が不均一であると、レーザ光によるアク
セス位置によって熱の伝わり方等が変化し、アクセス位
置ごとに孔（ピット）の大きさが変わってしまう。これ
は、ジッタの劣化につながるという問題がある。さら
に、前記ターゲット３の寿命を縮めてしまうという不都
合がある。
【０００５】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、基板上に光反射層をほぼ均一に形成する
ことができ、ジッタの劣化を抑制することができるとと
もにターゲットの長寿命化を達成することを可能とした
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、情
報を記録することができる記録層と、光反射層とを有す
る記録媒体の製造方法において、永久磁石と電磁石とタ
ーゲットとを有するスパッタ機構にて該記録層上に該光
反射層を形成する際に、該永久磁石と該電磁石との作用
下に発生する磁界の強さ及び分布を制御装置により制御
することを特徴とする。
【０００７】本発明はさらに、基板上に、情報を記録す
ることができる記録層と、光反射層とを有する記録媒体
の製造方法において、永久磁石とターゲットとを有する
スパッタ機構にて該記録層上に該光反射層を形成する際
に、該基板に対して平行方向に該永久磁石を移動させる
ことにより、該永久磁石の作用下に発生する磁界の分布
を変化させることを特徴とする。
【０００８】本発明はさらにまた、基板上に、情報を記
録することができる記録層と、光反射層とを有する記録
媒体の製造方法において、電磁石とターゲットとを有す
るスパッタ機構にて該記録層上に該光反射層を形成する
際に、該電磁石の作用下に発生する磁界の強さ及び分布
を制御装置により制御することを特徴とする。
【０００９】これにより、基板上に光反射層をほぼ均一
に形成することができ、ジッタの劣化を抑制することが
できるとともにターゲットの長寿命化を達成できる。
【００１０】前記電磁石に流れる電流は、直流電流であ
ってもよく、前記永久磁石は、同軸円柱状、又は、棒状
であると好適である。また、前記棒状の永久磁石を、環
状に配置していてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る記録媒体の製
造方法を例えばＣＤ−Ｒ等の光ディスクを製造するシス
テムに適用した実施の形態例（以下、単に実施の形態に
係る製造システムと記す）を図１〜図１４を参照しなが
ら説明する。
【００１２】第１の実施の形態に係る製造システム１０
は、図１に示すように、例えば射出成形、圧縮成形又は
射出圧縮成形によって基板を作製する２つの成形設備
（第１及び第２の成形設備）１２Ａ及び１２Ｂと、基板
２０２の一主面上に色素塗布液を塗布して乾燥させるこ
とにより、該基板２０２上に色素記録層を形成する塗布
設備１４と、基板２０２の色素記録層上に光反射層をス
パッタリングにより形成し、その後、光反射層上にＵＶ
硬化液を塗布した後、ＵＶ照射して前記光反射層上に保
護層を形成する後処理設備１６とを有して構成されてい
る。
【００１３】第１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ
は、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形、圧縮
成形又は射出圧縮成形して、一主面にトラッキング用溝
又はアドレス信号等の情報を表すグルーブ（凹凸）２０
０が形成された基板２０２を作製する成形機２０と、該
成形機２０から取り出された基板２０２を冷却する冷却
部２２と、冷却後の基板２０２を段積みして保管するた
めのスタックポール２４が複数本設置された集積部２６
（スタックポール回転台）を有する。
【００１４】塗布設備１４は、３つの処理部３０、３２
及び３４から構成され、第１の処理部３０には、前記第
１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂから搬送された
スタックポール２４を収容するためのスタックポール収
容部４０と、該スタックポール収容部４０に収容された
スタックポール２４から１枚ずつ基板２０２を取り出し
て次工程に搬送する第１の搬送機構４２と、該第１の搬
送機構４２によって搬送された１枚の基板２０２に対し
て静電気の除去を行う静電ブロー機構４４とを有する。
【００１５】第２の処理部３２は、第１の処理部３０に
おいて静電ブロー処理を終えた基板２０２を次工程に順
次搬送する第２の搬送機構４６と、該第２の搬送機構４
６によって搬送された複数の基板２０２に対してそれぞ
れ色素塗布液を塗布する色素塗布機構４８と、色素塗布
処理を終えた基板２０２を１枚ずつ次工程に搬送する第
３の搬送機構５０とを有する。この色素塗布機構４８は
６つのスピンコート装置５２を有して構成されている。
【００１６】第３の処理部３４は、前記第３の搬送機構
５０にて搬送された１枚の基板２０２の裏面を洗浄する
裏面洗浄機構５４と、裏面洗浄を終えた基板２０２を次
工程に搬送する第４の搬送機構５６と、該第４の搬送機
構５６によって搬送された基板２０２に対してロット番
号等の刻印を行う番号付与機構５８と、ロット番号等の
刻印を終えた基板２０２を次工程に搬送する第５の搬送
機構６０と、該第５の搬送機構６０によって搬送された
基板２０２に対して欠陥の有無並びに色素記録層の膜厚
の検査を行う検査機構６２と、該検査機構６２での検査
結果に応じて基板２０２を正常品用のスタックポール６
４、あるいはＮＧ用のスタックポール６６に選別する選
別機構６８とを有する。
【００１７】第１の処理部３０と第２の処理部３２との
間に第１の仕切板７０が設置され、第２の処理部３２と
第３の処理部３４との間にも同様に第２の仕切板７２が
設置されている。第１の仕切板７０の下部には、第２の
搬送機構４６による基板２０２の搬送経路を塞がない程
度の開口（図示せず）が形成され、第２の仕切板７２の
下部には、第３の搬送機構５０による基板２０２の搬送
経路を塞がない程度の開口（図示せず）が形成されてい
る。
【００１８】後処理設備１６は、塗布設備１４から搬送
された正常品用のスタックポール６４を収容するための
スタックポール収容部８０と、該スタックポール収容部
８０に収容されたスタックポール６４から１枚ずつ基板
２０２を取り出して次工程に搬送する第６の搬送機構８
２と、該第６の搬送機構８２によって搬送された１枚の
基板２０２に対して静電気の除去を行う第１の静電ブロ
ー機構８４と、静電ブロー処理を終えた基板２０２を次
工程に順次搬送する第７の搬送機構８６と、該第７の搬
送機構８６によって搬送された基板２０２の一主面に光
反射層をスパッタリングにて形成するスパッタ機構８８
と、光反射層のスパッタリングを終えた基板２０２を次
工程に順次搬送する第８の搬送機構９０と、該第８の搬
送機構９０によって搬送された基板２０２の周縁（エッ
ジ部分）を洗浄するエッジ洗浄機構９２とを有する。
【００１９】また、この後処理設備１６は、エッジ洗浄
を終えた基板２０２に対して静電気の除去を行う第２の
静電ブロー機構９４と、静電ブロー処理を終えた基板２
０２の一主面に対してＵＶ硬化液を塗布するＵＶ硬化液
塗布機構９６と、ＵＶ硬化液の塗布を終えた基板２０２
を高速回転させて基板２０２上のＵＶ硬化液の塗布厚を
均一にするスピン機構９８と、ＵＶ硬化液の塗布及びス
ピン処理を終えた基板２０２に対して紫外線を照射する
ことによりＵＶ硬化液を硬化させて基板２０２の一主面
に保護層を形成するＵＶ照射機構１００と、前記基板２
０２を第２の静電ブロー機構９４、ＵＶ硬化液塗布機構
９６、スピン機構９８及びＵＶ照射機構１００にそれぞ
れ搬送する第９の搬送機構１０２と、ＵＶ照射された基
板２０２を次工程に搬送する第１０の搬送機構１０４
と、該第１０の搬送機構１０４によって搬送された基板
２０２に対して塗布面と保護層面の欠陥を検査するため
の欠陥検査機構１０６と、基板２０２に形成されたグル
ーブによる信号特性を検査するための特性検査機構１０
８と、これら欠陥検査機構１０６及び特性検査機構１０
８での検査結果に応じて基板２０２を正常品用のスタッ
クポール１１０、あるいはＮＧ用のスタックポール１１
２に選別する選別機構１１４とを有する。
【００２０】ここで、１つのスピンコート装置５２の構
成について図２〜図６を参照しながら説明する。
【００２１】このスピンコート装置５２は、図２及び図
３に示すように、塗布液付与装置４００、スピナーヘッ
ド装置４０２及び飛散防止壁４０４を有して構成されて
いる。塗布液付与装置４００は、塗布液が充填された加
圧タンク（図示せず）と、該加圧タンクからノズル４０
６に引き回されたパイプ（図示せず）と、ノズル４０６
から吐出される塗布液の量を調整するための吐出量調整
バルブ４０８とを有し、塗布液は前記ノズル４０６を通
してその所定量が基板２０２の表面上に滴下されるよう
になっている。この塗布液付与装置４００は、ノズル４
０６を下方に向けて支持する支持板４１０と該支持板４
１０を水平方向に旋回させるモータ４１２とを有するハ
ンドリング機構４１４によって、待機位置から基板２０
２の上方の位置に旋回移動できるように構成されてい
る。
【００２２】スピナーヘッド装置４０２は、前記塗布液
付与装置４００の下方に配置されており、着脱可能な固
定具４２０により基板２０２が水平に保持されると共
に、駆動モータ（図示せず）により軸回転が可能なよう
に構成されている。
【００２３】スピナーヘッド装置４０２により水平に保
持された状態で回転している基板２０２上に、上記の塗
布液付与装置４００のノズル４０６から滴下した塗布液
は、基板２０２の表面上を外周側に流延する。そして、
余分な塗布液は基板２０２の外周縁部で振り切られ、そ
の外側に放出され、次いで塗膜が乾燥されることによ
り、基板２０２の表面上に塗膜（色素記録層２０４）が
形成される。
【００２４】飛散防止壁４０４は、基板２０２の外周縁
部から外側に放出された余分な塗布液が周辺に飛散する
のを防止するために設けられており、上部に開口４２２
が形成されるようにスピナーヘッド装置４０２の周囲に
配置されている。飛散防止壁４０４を介して集められた
余分な塗布液はドレイン４２４を通して回収されるよう
になっている。
【００２５】また、第２の処理部３２（図１参照）にお
ける各スピンコート装置５２の局所排気は、前記飛散防
止壁４０４の上方に形成された開口４２２から取り入れ
た空気を基板２０２の表面上に流通させた後、各スピナ
ーヘッド装置４０２の下方に取り付けられた排気管４２
６を通じて排気されるようになっている。
【００２６】塗布液付与装置４００のノズル４０６は、
図４及び図５に示すように、軸方向に貫通孔４３０が形
成された細長い円筒状のノズル本体４３２と、該ノズル
本体４３２を支持板４１０（図３参照）に固定するため
の取付部４３４を有する。ノズル本体４３２は、その先
端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又は内
側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表面を
有する。このフッ素化合物としては、例えばポリテトラ
フルオロエチレンやポリテトラフルオロエチレン含有物
等を使用することができる。
【００２７】この第１の実施の形態で用いられる好まし
いノズル４０６の例としては、例えば、図５に示すよう
に、ノズル本体４３２の先端面及びその先端面から１ｍ
ｍ以上の範囲をフッ素化合物を用いて形成したノズル４
０６や、図６に示すように、ノズル本体４３２の先端面
４４０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上の範囲の外
側又は内側、あるいは両方の壁面４４２及び４４４をフ
ッ素化合物を用いて被覆したノズル４０６を挙げること
ができる。
【００２８】ノズル本体４３２の先端面及びその先端面
から１ｍｍ以上の範囲をフッ素化合物で形成する場合、
強度などを考慮すると、実用的には、例えばノズル本体
４３２をステンレススチールで形成し、その先端面及び
その先端面から最大で５ｍｍの範囲をフッ素化合物で形
成することが好ましい。
【００２９】また、図６に示すように、ノズル本体４３
２の先端面４４０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上
の範囲の外側又は内側、あるいは両方の壁面４４２及び
４４４をフッ素化合物で被覆する場合、ノズル本体４３
２の先端面４４０から１０ｍｍ以上、更に好ましくは、
ノズル本体４３２の全領域をフッ素化合物で被覆するこ
とが好ましい。被覆する場合のその厚みは、特に制限は
ないが、５〜５００μｍの範囲内が適当である。また、
ノズル本体４３２の材質としては、上記のように、ステ
ンレススチールが好ましい。ノズル本体４３２に形成さ
れた貫通孔４３０の径は、一般的には０．５〜１．０ｍ
ｍの範囲内である。
【００３０】次に、光反射層２０８を形成するスパッタ
機構８８について図７を参照しながら説明する。
【００３１】このスパッタ機構８８は、図７に示すよう
に、内部に回転テーブル５００が設置され、かつ、上部
に開口が設けられた筒状のチャンバ５０２と、該チャン
バ５０２の前記開口に対して開閉自在に設けられたスパ
ッタ源５０４とを有する。
【００３２】前記スパッタ源５０４をチャンバ５０２に
対して閉状態としたとき、回転テーブル５００上にスパ
ッタ空間５０６が形成されるようになっており、このス
パッタ空間５０６は、図示しない排気孔を通じて排気さ
れることで所定の真空度に設定される。前記回転テーブ
ル５００上には基板２０２が載置され、回転されるよう
になっている。
【００３３】スパッタ源５０４の下部には、基板２０２
に対するスパッタ処理に対して基板２０２の外周部分を
マスクするアウターマスク５０８と、基板２０２に対す
るスパッタ処理に対して基板２０２の中央部分をマスク
するインナーマスク５１０と、アウターマスク５０８上
に設置されたアッパーマスク５１２と、これらアウター
マスク５０８、インナーマスク５１０及びアッパーマス
ク５１２を固定支持する支持部材５１４と、前記回転テ
ーブル５００に載置された基板２０２に対向し、かつ、
前記各種マスク５０８、５１０及び５１２や絶縁リング
５１６等によって絶縁されて支持された例えばＡｇによ
るターゲット５１８と、該支持部材５１４と該絶縁リン
グ５１６との境目上に該ターゲット５１８の水平方向に
対向して配置されたソレノイドタイプの電磁石５２０と
が設けられている。
【００３４】前記各種マスク５０８、５１０及び５１２
や支持部材５１４は共に金属製、例えば銅製とされてい
る。また、前記電磁石５２０は、該電磁石５２０に流れ
る電流の強さを制御可能な制御装置５１９を介して直流
電源５２１に接続されている。
【００３５】スパッタ源５０４の上部には、前記ターゲ
ット５１８の鉛直方向に対向して配置された同軸円柱状
の永久磁石５２２が設けられている。この永久磁石５２
２は、その外周側がＮ極とされ、その内周側がＳ極とさ
れている。
【００３６】アウターマスク５０８は、下部開口５２４
の径が、基板２０２の外径よりも僅かに小径に設定され
ている。また、スパッタ空間５０６の下部が、前記下部
開口５２４から上方に向かって広くなるようにアウター
マスク５０８の下部内壁にテーパ面５２６や水平面５２
８が形成されている。
【００３７】具体的には、アウターマスク５０８の内壁
のうち、下部開口５２４から上方に向かって高さＡにわ
たる部分が鉛直方向に沿って立ち上がる第１の垂直面５
３０とされ、該第１の垂直面５３０の上端部分から上方
に向かって距離Ｂにわたる部分が前記テーパ面５２６と
され、更に、テーパ面５２６の上端部分から所定距離だ
け水平方向に広がるように形成された前記水平面５２８
と、該水平面５２８の終端からアウターマスク５０８の
上端にわたる部分が鉛直方向に沿って立ち上がる第２の
垂直面５３２とされている。前記第１の垂直面５３０の
高さＡとしては、例えば０．４ｍｍが好ましい。
【００３８】アウターマスク５０８とアッパーマスク５
１２との間にはガス導入孔５３４が形成され、該ガス導
入孔５３４に接続されたガス導入管５３６及びガス導入
孔５３４を通じて雰囲気ガス（例えばＡｒガス）がスパ
ッタ空間５０６に導入されるようになっている。
【００３９】そして、各種マスク５０８、５１０及び５
１２を陽極とし、ターゲット５１８を陰極として所定の
電圧（４００〜５００Ｖ）が印加されるようになってい
る。
【００４０】ここで、簡単に前記スパッタ機構８８によ
る光反射層２０８の形成について説明すると、ガス導入
孔５３４を通じてスパッタ空間５０６に導入された雰囲
気ガス（例えばＡｒガス）はスパッタ空間５０６におい
てＡｒイオンと電子に電離し、プラズマが発生する。
【００４１】電離したＡｒイオンは、陰極であるターゲ
ット５１８に飛び込む。ターゲット５１８は、飛び込ん
だエネルギー（Ａｒイオンの入射エネルギー）を受けて
玉突きのように原子から原子に伝わり、表面近くのター
ゲット５１８の原子はスパッタ空間５０６（真空）に飛
び出して、基板２０２並びに各種マスク５０８、５１０
及び５１２の表面に到達し、これによって、基板２０２
上に例えばＡｇによる光反射層２０８が形成されること
になる。
【００４２】このとき、ターゲット５１８からの電子は
電磁石５２０及び永久磁石５２２によって発生する磁界
によってインナーマスク５１０に収束され、陽極（アウ
ターマスク５０８やインナーマスク５１０）に集められ
る。雰囲気ガスとしては、スパッタ中に目的金属（ター
ゲット５１８の金属）と反応しないもの、例えば前記Ａ
ｒガスやＮ２ ガス等が好ましい。
【００４３】そして、本発明の第１の実施の形態では、
スパッタ機構８８の後段に配置された特性検査機構１０
８によって基板２０２に形成されたグルーブによる信号
特性が検査される。その検査結果によって光反射層２０
８の膜厚に不均一が認められた場合、制御装置５１９に
よって電磁石５２０に流れる電流の強さが制御される。
この制御は、手動で行ってもよいし、自動制御により行
うようにしてもよい。
【００４４】これにより、電磁石５２０及び永久磁石５
２２によって発生する磁界の強さ及び分布を所望のもの
に制御でき、スパッタ空間５０６内で発生したプラズマ
によるイオンをターゲット５１８の表面の一定箇所に集
中して飛び込むことを防止することができる。従って、
イオンが前記ターゲット５１８の表面にほぼ均一に飛び
込むことが可能となり、図８に示すように、該ターゲッ
ト５１８の侵食部分５１８ａはほぼ均一となり、その結
果、色素記録層２０４上に光反射層２０８をほぼ均一に
形成でき、ジッタの劣化を抑制できる。
【００４５】さらに、前記ターゲット５１８の表面がほ
ぼ均一に侵食されると、該ターゲット５１８の体積利用
率が増加され、該ターゲット５１８の長寿命化が達成で
きる。
【００４６】また、第１の実施の形態では、光反射層２
０８における膜厚の面内変動が１０％以内となるよう
に、少なくとも雰囲気ガスの流量とチャンバ５０２内の
圧力とを設定して光反射層２０８を形成する。
【００４７】雰囲気ガスの流量としては、０．５〜９０
ＳＣＣＭがよく、好ましくは１〜７０ＳＣＣＭであり、
更に好ましくは２〜６０ＳＣＣＭである。また、前記チ
ャンバ５０２内の圧力としては、０．１〜１８Ｐａがよ
く、好ましくは０．５〜１５Ｐａであり、更に好ましく
は１〜１２Ｐａである。また、スパッタ出力を２〜５ｋ
Ｗとし、スパッタ時間を４〜５秒とすることが好まし
い。
【００４８】さらに、光反射層２０８の安定した成膜、
光反射層２０８の連続成膜、並びに歩留まりの向上を図
るための手法としては、例えば以下に示す方法が挙げら
れる。
【００４９】（１） 例えばアウターマスク５０８の下
部開口５２４を基板２０２の外径よりも僅かに小さくし
て、基板２０２の径を例えば１２０ｍｍとしたとき、外
径が例えば１１９ｍｍの光反射層２０８を形成する。 （２） アウターマスク５０８やインナーマスク５１０
に付着したスパッタ層をメンテナンス作業において除去
しやすくするために、アウターマスク５０８の表面とイ
ンナーマスク５１０の表面にめっき処理やカーボン塗布
を施す。めっき処理としては、例えばＮｉ−Ｚｎめっき
が好ましい。 （３） アウターマスク５０８の内壁面のうち、スパッ
タ層が付着しやすい箇所である水平面５２８から第２の
垂直面５３２にわたる部分に例えばステンレス製の防着
板５３８を取り付けて、アウターマスク５０８へのスパ
ッタ層の付着を回避する。防着板５３８に付着したスパ
ッタ層はメンテナンス作業において簡単に除去すること
ができる。 （４） スパッタ空間５０６の高さを標準の高さ（３０
ｍｍ）よりも高い４０ｍｍに設定している。これによ
り、スパッタレートが標準の場合よりも低下するが、基
板２０２に形成される光反射層２０８の膜厚分布を良好
にすることができる。 （５） 基板２０２やターゲット５１８などスパッタに
かかわる部材を手で触れないようにする。 （６） チャンバ５０２の内部を大気に解放した場合、
次にスパッタを行う際に、予めプリスパッタを行ってチ
ャンバ５０２内をスパッタに適した環境に保持させる。 （７） 酸素を除去した環境でターゲット５１８を保存
する。
【００５０】次に、この製造システム１０によって光デ
ィスクＤを製造する過程について図９Ａ〜図１０Ｂの工
程図も参照しながら説明する。
【００５１】まず、第１及び第２の成形設備１２Ａ及び
１２Ｂにおける成形機２０において、ポリカーボネート
などの樹脂材料が射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形
されて、図９Ａに示すように、一主面にトラッキング用
溝又はアドレス信号等の情報を表すグルーブ（凹凸）２
００が形成された基板２０２が作製される。
【００５２】前記基板２０２の材料としては、例えばポ
リカーボネート、ポリメタルメタクリレート等のアクリ
ル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化
ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン及びポリエステルなどを挙げることができ、所望に
よりそれらを併用してもよい。上記の材料の中では、耐
湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネー
トが好ましい。また、グルーブ２００の深さは、０．０
１〜０．３μｍの範囲内であることが好ましく、その半
値幅は、０．２〜０．９μｍの範囲であることが好まし
い。
【００５３】成形機２０から取り出された基板２０２
は、後段の冷却部２２において冷却された後、一主面が
下側に向けられてスタックポール２４に積載される。ス
タックポール２４に所定枚数の基板２０２が積載された
段階で、スタックポール２４はこの成形設備１２Ａ及び
１２Ｂから取り出されて、次の塗布設備１４に搬送さ
れ、該塗布設備１４におけるスタックポール収容部４０
に収容される。この搬送は、台車で行ってもよいし、自
走式の自動搬送装置で行うようにしてもよい。
【００５４】スタックポール２４がスタックポール収容
部４０に収容された段階で、第１の搬送機構４２が動作
し、スタックポール２４から１枚ずつ基板２０２を取り
出して、後段の静電ブロー機構４４に搬送する。静電ブ
ロー機構４４に搬送された基板２０２は、該静電ブロー
機構４４において静電気が除去された後、第２の搬送機
構４６を介して次の色素塗布機構４８に搬送され、６つ
のスピンコート装置５２のうち、いずれか１つのスピン
コート装置５２に投入される。スピンコート装置５２に
投入された基板２０２は、その一主面上に色素塗布液が
塗布された後、高速回転されて塗布液の厚みが均一にさ
れた後、乾燥処理が施される。これによって、図９Ｂに
示すように、基板２０２の一主面上に色素記録層２０４
が形成されることになる。
【００５５】即ち、スピンコート装置５２に投入された
基板２０２は、図２に示すスピナーヘッド装置４０２に
装着され、固定具４２０により水平に保持される。次
に、加圧式タンクから供給された塗布液は、吐出量調整
バルブ４０８によって所定量が調整され、基板２０２上
の内周側にノズル４０６を通して滴下される。
【００５６】このノズル４０６は、上述したように、そ
の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表
面を有しているため、塗布液の付着が生じにくく、ま
た、該塗布液が乾燥することによる色素の析出やその堆
積物が発生することが抑制される。従って、塗膜を塗膜
欠陥などの障害を伴うことなくスムーズに形成させるこ
とができる。
【００５７】なお、塗布液としては色素を適当な溶剤に
溶解した色素溶液が用いられる。塗布液中の色素の濃度
は、一般的には０．０１〜１５重量％の範囲内にあり、
好ましくは０．１〜１０重量％の範囲内、特に好ましく
は０．５〜５重量％の範囲内、最も好ましくは０．５〜
３重量％の範囲内である。
【００５８】スピナーヘッド装置４０２は、駆動モータ
によって高速回転が可能である。基板２０２上に滴下さ
れた塗布液は、スピナーヘッド装置４０２の回転によ
り、基板２０２の表面上を外周方向に流延し、塗膜を形
成しながら基板２０２の外周縁部に到達する。外周縁部
に到達した余分な塗布液は、更に遠心力により振り切ら
れ、基板２０２の縁部の周囲に飛散する。飛散した余分
な塗布液は飛散防止壁４０４に衝突し、更にその下方に
設けられた受皿に集められた後、ドレイン４２４を通し
て回収される。塗膜の乾燥はその形成過程及び塗膜形成
後に行われる。塗膜（色素記録層２０４）の厚みは、一
般的には２０〜５００ｎｍの範囲内に、好ましくは５０
〜３００ｎｍの範囲内に設けられる。
【００５９】色素記録層２０４に用いられる色素は特に
限定されない。使用可能な色素の例としては、シアニン
系色素、フタロシアニン系色素、イミダゾキノキサリン
系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレ
ニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなど
の金属錯塩系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノ
ン系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系
色素、トリフェニルメタン系色素、メロシアニン系色
素、オキソノール系色素、アミニウム系・ジインモニウ
ム系色素及びニトロソ化合物を挙げることができる。こ
れらの色素のうちでは、シアニン系色素、フタロシアニ
ン系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色
素、オキソノール系色素及びイミダゾキノキサリン系色
素が好ましい。
【００６０】色素記録層２０４を形成するための塗布剤
の溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテー
トなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの
塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；
シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノー
ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，
２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなどの
フッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエー
テル類などを挙げることができる。
【００６１】前記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮し
て単独または二種以上を適宜併用することができる。好
ましくは、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロ
パノールなどのフッ素系溶剤である。なお、塗布液中に
は、所望により退色防止剤や結合剤を添加してもよい
し、更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、そして潤滑
剤など各種の添加剤を、目的に応じて添加してもよい。
【００６２】退色防止剤の代表的な例としては、ニトロ
ソ化合物、金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩
を挙げることができる。これらの例は、例えば、特開平
２−３００２８８号、同３−２２４７９３号、及び同４
−１４６１８９号等の各公報に記載されている。
【００６３】結合剤の例としては、ゼラチン、セルロー
ス誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機
高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・
ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹
脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポ
キシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・
ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物な
どの合成有機高分子を挙げることができる。
【００６４】結合剤を使用する場合に、結合剤の使用量
は、色素１００重量部に対して、一般的には２０重量部
以下であり、好ましくは１０重量部以下、更に好ましく
は５重量部以下である。
【００６５】なお、色素記録層２０４が設けられる側の
基板２０２の表面には、平面性の改善、接着力の向上お
よび色素記録層２０４の変質防止などの目的で、下塗層
を設けるようにしてもよい。
【００６６】下塗層の材料としては例えば、ポリメチル
メタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、
スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコ
ール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニ
ルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、
ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフ
ィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビ
ニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子
物質、およびシランカップリング剤などの表面改質剤を
挙げることができる。
【００６７】下塗層は、前記物質を適当な溶剤に溶解ま
たは分散して塗布液を調整した後、この塗布液をスピン
コート、ディップコート、エクストルージョンコートな
どの塗布法を利用して基板２０２の表面に塗布すること
により形成することができる。下塗層の層厚は、一般的
には０．００５〜２０μｍの範囲内、好ましくは０．０
１〜１０μｍの範囲内に設けられる。
【００６８】色素記録層２０４が形成された基板２０２
は、第３の搬送機構５０を介して次の裏面洗浄機構５４
に搬送され、基板２０２の一主面の反対側の面（裏面）
が洗浄される。その後、基板２０２は、第４の搬送機構
５６を介して次の番号付与機構５８に搬送され、基板２
０２の一主面又は裏面に対してロット番号等の刻印が行
われる。
【００６９】その後、基板２０２は、第５の搬送機構６
０を介して次の検査機構６２に搬送され、基板２０２の
欠陥の有無や色素記録層２０４の膜厚の検査が行われ
る。この検査は、基板２０２の裏面から光を照射してそ
の光の透過状態を例えばＣＣＤカメラで画像処理するこ
とによって行われる。この検査機構６２での検査結果は
次の選別機構６８に送られる。
【００７０】上述の検査処理を終えた基板２０２は、そ
の検査結果に基づいて選別機構６８によって正常品用の
スタックポール６４か、ＮＧ用のスタックポール６６に
選別される。
【００７１】正常品用のスタックポール６４に所定枚数
の基板２０２が積載された段階で、正常品用のスタック
ポール６４はこの塗布設備１４から取り出されて、次の
後処理設備１６に搬送され、該後処理設備１６のスタッ
クポール収容部８０に収容される。この搬送は、台車で
行ってもよいし、自走式の自動搬送装置で行うようにし
てもよい。
【００７２】正常品用のスタックポール６４がスタック
ポール収容部８０に収容された段階で、第６の搬送機構
８２が動作し、スタックポール６４から１枚ずつ基板２
０２を取り出して、後段の第１の静電ブロー機構８４に
搬送する。第１の静電ブロー機構８４に搬送された基板
２０２は、該第１の静電ブロー機構８４において静電気
が除去された後、第７の搬送機構８６を介して次のスパ
ッタ機構８８に搬送される。スパッタ機構８８に投入さ
れた基板２０２は、図９Ｃに示すように、その一主面
中、周縁部分（エッジ部分）２０６を除く全面に光反射
層２０８がスパッタリングによって形成される。
【００７３】光反射層２０８の材料である光反射性物質
はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例と
しては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属ある
いはステンレス鋼を挙げることができる。
【００７４】これらのうち、好ましいものは、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼で
ある。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは
二種以上を組み合わせて用いてもよい。または合金とし
て用いてもよい。特に好ましくはＡｇもしくはその合金
である。
【００７５】光反射層２０８は、例えば、前記光反射性
物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティン
グすることにより色素記録層２０４の上に形成すること
ができる。光反射層２０８の層厚は、一般的には１０〜
８００ｎｍの範囲内、好ましくは２０〜５００ｎｍの範
囲内、更に好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲内に設け
られる。
【００７６】光反射層２０８が形成された基板２０２
は、第８の搬送機構９０を介して次のエッジ洗浄機構９
２に搬送され、図１０Ａに示すように、基板２０２の一
主面中、エッジ部分２０６が洗浄されて、該エッジ部分
２０６に形成されていた色素記録層２０４が除去され
る。その後、基板２０２は、第９の搬送機構１０２を介
して次の第２の静電ブロー機構９４に搬送され、静電気
が除去される。
【００７７】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介してＵＶ硬化液塗布機構９６に搬送
され、基板２０２の一主面の一部分にＵＶ硬化液が滴下
される。その後、基板２０２は、同じく前記第９の搬送
機構１０２を介して次のスピン機構９８に搬送され、高
速回転されることにより、基板２０２上に滴下されたＵ
Ｖ硬化液の塗布厚が基板２０２の全面において均一にさ
れる。
【００７８】第１の実施の形態においては、前記光反射
層２０８の成膜後から前記ＵＶ硬化液の塗布までの時間
が２秒以上、５分以内となるように時間管理されてい
る。
【００７９】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介して次のＵＶ照射機構１００に搬送
され、基板２０２上のＵＶ硬化液に対して紫外線が照射
される。これによって、図１０Ｂに示すように、基板２
０２の一主面上に形成された色素記録層２０４と光反射
層２０８を覆うようにＵＶ硬化樹脂による保護層２１０
が形成されて光ディスクＤとして構成されることにな
る。
【００８０】保護層２１０は、色素記録層２０４などを
物理的及び化学的に保護する目的で光反射層２０８の上
に設けられる。保護層２１０は、基板２０２の色素記録
層２０４が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高
める目的で設けてもよい。保護層２１０で使用される材
料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２ 、ＭｇＦ２、
ＳｎＯ２ 、Ｓｉ３ Ｎ４ 等の無機物質、及び熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、そしてＵＶ硬化性樹脂等の有機物
質を挙げることができる。
【００８１】保護層２１０は、例えば、プラスチックの
押出加工で得られたフイルムを接着剤を介して光反射層
２０８上及び／または基板２０２上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これら
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調整したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥させることによっても形成すること
ができる。
【００８２】ＵＶ硬化性樹脂の場合には、上述したよう
に、そのまま、もしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を
調整したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬
化させることによって形成することができる。これらの
塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収
剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護
層２１０の層厚は、一般的には０．１〜１００μｍの範
囲内に設けられる。
【００８３】その後、光ディスクＤは、第１０の搬送機
構１０４を介して次の欠陥検査機構１０６と特性検査機
構１０８に搬送され、色素記録層２０４の面と保護層２
１０の面における欠陥の有無や光ディスクＤの基板２０
２に形成されたグルーブ２００による信号特性が検査さ
れる。これらの検査は、光ディスクＤの両面に対してそ
れぞれ光を照射してその反射光を例えばＣＣＤカメラで
画像処理することによって行われる。これらの欠陥検査
機構１０６及び特性検査機構１０８での各検査結果は次
の選別機構１１４に送られる。
【００８４】上述の欠陥検査処理及び特性検査処理を終
えた光ディスクＤは、各検査結果に基づいて選別機構１
１４によって正常品用のスタックポール１１０、あるい
はＮＧ用のスタックポール１１２に選別される。
【００８５】正常品用のスタックポール１１０に所定枚
数の光ディスクＤが積載された段階で、該スタックポー
ル１１０が後処理設備１６から取り出されて図示しない
ラベル印刷工程に投入される。
【００８６】なお、この第１の実施の形態においては、
色素記録層２０４上に光反射層２０８を形成したが、最
初に光反射層２０８を形成し、その後、該光反射層２０
８上に色素記録層２０４を形成するようにしてもよい。
後述する第２及び第３の実施の形態においても同様であ
る。
【００８７】第１の実施の形態におけるスパッタ機構８
８で用いられる永久磁石５２２としては、同軸円柱状の
ものを用いたが、その他、図１１の変形例にも示すよう
に、棒状の永久磁石５５０を環状に配置するようにして
もよい。この変形例は、後述する第２の実施の形態に係
る製造システム１０におけるスパッタ機構８８において
も用いることができる。
【００８８】次に、第２の実施の形態に係る製造システ
ム１０について、図１２を参照しながら説明する。この
第２の実施の形態に係る製造システム１０において、第
１の実施の形態に係る製造システム１０における構成要
素と同一の構成要素には同じ参照符号を付し、その詳細
な説明を省略するとともに、以下の実施の形態において
も同様とする。
【００８９】この第２の実施の形態に係る製造システム
１０は、第１の実施の形態に係る製造システム１０とほ
ぼ同様の構成を有するが、スパッタ機構８８の構成が一
部異なっている。
【００９０】この第２の実施の形態に係る製造システム
１０おけるスパッタ機構８８は、図１２に示すように、
スパッタ源５０４の上部に、ターゲット５１８の鉛直方
向に対向して配置された同軸円柱状の永久磁石５２２
と、該永久磁石５２２を基板２０２に対して平行方向に
移動可能とする移動装置６０４とが設けられて構成され
ている。この永久磁石５２２は、その外周側がＮ極とさ
れ、その内周側がＳ極とされている。
【００９１】この移動装置６０４は、前記永久磁石５２
２を保持する保持部材６０６と、該保持部材６０６を介
して該永久磁石５２２を基板２０２に対して平行方向に
移動させる駆動部６０８とを有している。前記駆動部６
０８が前記保持部材６０６を駆動することにより、前記
永久磁石５２２がスパッタ源５０４内を基板２０２に対
して平行方向に移動することになる。これにより、前記
永久磁石５２２によって発生する磁界の分布を変化させ
ることができる。
【００９２】第２の実施の形態に係る製造システム１０
の作用及び効果については、上述した第１の実施の形態
に係る製造システム１０の作用及び効果と略同様であ
る。
【００９３】次に、第３の実施の形態に係る製造システ
ム１０について、図１３を参照しながら説明する。この
第３の実施の形態に係る製造システム１０は、第１の実
施の形態に係る製造システム１０とほぼ同様の構成を有
するが、スパッタ機構８８の構成が一部異なっている。
【００９４】前記第３の実施の形態に係る製造システム
１０おけるスパッタ機構８８は、図１３に示すように、
ソレノイドタイプの電磁石５２０がターゲット５１８上
に配置されている。前記電磁石５２０は、該電磁石５２
０に流れる電流の強さを制御可能な制御装置５１９を介
して直流電源５２１に接続されている。
【００９５】前記制御装置５１９により前記電磁石５２
０に流れる直流電流を制御することにより該電磁石５２
０によって発生する磁界の強さ及び分布を所望のものに
制御することができる。
【００９６】第３の実施の形態に係る製造システム１０
の作用及び効果については、上述した第１の実施の形態
に係る製造システム１０の作用及び効果と略同様であ
る。
【００９７】このように、第１〜第３の実施の形態に係
る製造システム１０、特に光反射層２０８を形成する方
法においては、色素記録層２０４上に光反射層２０８を
形成する際に、電磁石５２０、及び／又は、永久磁石５
２２によって発生する磁界の強さ及び分布を制御して光
反射層２０８を形成するようにしたので、基板２０２上
に光反射層２０８をほぼ均一に形成することができ、ジ
ッタの劣化を抑制することができる。
【００９８】
【実施例】次に、１つの実験例について説明する。この
実験例では、実施例１、２及び比較例１、２においてサ
ンプルをそれぞれ用意し、図１に示す製造システム１０
にて光ディスクＤを作製する場合において、光反射層２
０８を形成するためのスパッタ機構８８の構成を一部変
化させて、該光反射層２０８の膜厚と１１Ｔランドジッ
タとをみたものである。膜厚の測定個所は、基板２０２
の中心から２５ｍｍ（内周）の箇所及び５５ｍｍ（外
周）の箇所の２箇所である。
【００９９】各サンプルの作製法は以下の通りである。
まず、厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状
のグルーブ２００（深さ１６０ｎｍ、幅０．４μｍ、ト
ラックピッチ１．６μｍ）を有する基板２０２を用意す
る。
【０１００】下記の一般式（１）で表されるベンゾイン
ドレニン骨格を有するシアニン系色素に、下記の一般式
（２）で表される退色防止剤を前記色素に対して１０％
添加し、これらを下記の一般式（３）で表される２，
２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに混
ぜ、２時間超音波を当てて溶解して色素記録層２０４を
形成するための色素塗布液を調製した。
【０１０１】
【化１】
【化２】
【化３】 この色素塗布液をスピンコート法により回転数を３００
ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させながら基板２０
２のグルーブ２００が有する面上に塗布した。
【０１０２】その後、色素記録層２０４上にＡｇをスパ
ッタして光反射層２０８を形成し、その後、ＵＶ硬化樹
脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３１８」）をス
ピンコート法により３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍま
で変化させながら塗布した後、高圧水銀灯にて紫外線を
照射して硬化させ、膜厚が約１０μｍの保護層２１０を
形成した。
【０１０３】このようにして、基板２０２、色素記録層
２０４、光反射層２０８及び保護層２１０からなるサン
プルを作製した。ここでは、ターゲット５１８の金属を
Ａｇ、雰囲気ガスをＡｒガスとした。
【０１０４】実施例１では、第１の実施の形態における
スパッタ機構８８により光反射層２０８を形成した。光
反射層２０８の形成開始から最初１０秒間は電磁石５２
０には通電せず、次の１０秒間は、該電磁石５２０に通
電した。
【０１０５】実施例２では、第２の実施の形態における
スパッタ機構８８により光反射層２０８を形成した。光
反射層２０８の形成開始から最初の１０秒間は、永久磁
石５２２を基板２０２の内周部に対向する位置に配置
し、次の１０秒間は、該永久磁石５２２を基板２０２の
外周部に対向する位置に配置した。
【０１０６】比較例１では、従来のスパッタ機構１（図
１５参照）により２０秒間で光反射層２０８を形成し
た。比較例２では、従来のスパッタ機構１（図１５参
照）により２５秒間で光反射層２０８を形成した。
【０１０７】この実験例の実験結果を図１４に示す。こ
の実験結果から諒解されるように、電磁石５２０及び永
久磁石５２２によって発生する磁界の強さ及び分布を制
御装置５１９により制御することにより、又は、永久磁
石５２２を基板２０２に対して平行方向に移動装置６０
４により移動させ該永久磁石５２２によって発生する磁
界の分布を変化させることにより、基板２０２上に光反
射層２０８をほぼ均一に形成することができ、ジッタの
劣化を抑制することができる。
【０１０８】なお、この発明に係る記録媒体の製造方法
は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱
することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんで
ある。
【０１０９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る記録
媒体の製造方法によれば、基板上に光反射層をほぼ均一
に形成することができ、ジッタの劣化を抑制することが
できるとともにターゲットの長寿命化を達成できるとい
う特有の効果が得られ。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１〜第３の実施の形態に係る製造システムの
一例を示す構成図である。
【図２】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
構成図である。
【図３】前記スピンコート装置を示す斜視図である。
【図４】前記スピンコート装置のノズルを示す平面図で
ある。
【図５】前記ノズルの一例を示す側面図である。
【図６】前記ノズルの他の例を一部省略して示す拡大断
面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る製造システムにおける
スパッタ機構を示す構成図である。
【図８】光反射層形成後のターゲットを示す縦断面図で
ある。
【図９】図９Ａは基板にグルーブを形成した状態を示す
工程図であり、図９Ｂは基板上に色素記録層を形成した
状態を示す工程図であり、図９Ｃは基板上に光反射層を
形成した状態を示す工程図である。
【図１０】図１０Ａは基板のエッジ部分を洗浄した状態
を示す工程図であり、図１０Ｂは基板上に保護層を形成
した状態を示す工程図である。
【図１１】変形例の永久磁石を示す斜視図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る製造システムにおけ
るスパッタ機構を示す構成図である。
【図１３】第３の実施の形態に係る製造システムにおけ
るスパッタ機構を示す構成図である。
【図１４】実験例の結果を表す表図である。
【図１５】従来のスパッタ機構を示す構成図である。
【符号の説明】
１０…製造システム ８８…スパッタ機
構 ２０２…基板 ２０４…色素記録
層 ２０８…光反射層 ２１０…保護層 ５０２…チャンバ ５０４…スパッタ
源 ５０６…スパッタ空間 ５０８…アウター
マスク ５１０…インナーマスク ５１２…アッパー
マスク ５１８…ターゲット ５１９…制御装置 ５２０…電磁石 ５２２…永久磁石 ５２４…下部開口 ５２６…テーパ面 ５２８…水平面 ５３０…第１の垂
直面 ５３２…第２の垂直面 ５３８…防着板 ６０４…移動装置 Ｄ…光ディスク

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に、情報を記録することができる記
    録層と、光反射層とを有する記録媒体の製造方法におい
    て、 永久磁石と電磁石とターゲットとを有するスパッタ機構
    にて前記記録層上に前記光反射層を形成する際に、 前記永久磁石と前記電磁石との作用下に発生する磁界の
    強さ及び分布を制御装置により制御することを特徴とす
    る記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項２】基板上に、情報を記録することができる記
    録層と、光反射層とを有する記録媒体の製造方法におい
    て、 永久磁石とターゲットとを有するスパッタ機構にて前記
    記録層上に前記光反射層を形成する際に、 前記基板に対して平行方向に前記永久磁石を移動させる
    ことにより、該永久磁石の作用下に発生する磁界の分布
    を変化させることを特徴とする記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項３】基板上に、情報を記録することができる記
    録層と、光反射層とを有する記録媒体の製造方法におい
    て、 電磁石とターゲットとを有するスパッタ機構にて前記記
    録層上に前記光反射層を形成する際に、 前記電磁石の作用下に発生する磁界の強さ及び分布を制
    御装置により制御することを特徴とする記録媒体の製造
    方法。
  4. 【請求項４】請求項１又は３記載の記録媒体の製造方法
    において、 前記電磁石に流れる電流は、直流電流であることを特徴
    とする記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項５】請求項１又は２記載の記録媒体の製造方法
    において、 前記永久磁石は、同軸円柱状であることを特徴とする記
    録媒体の製造方法。
  6. 【請求項６】請求項１又は２記載の記録媒体の製造方法
    において、 前記永久磁石は、棒状であることを特徴とする記録媒体
    の製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６記載の記録媒体の製造方法におい
    て、 前記永久磁石は、環状に配置されていることを特徴とす
    る記録媒体の製造方法。
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