JP2000040255A - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光情報記録媒体の製造コストの低廉化と光反射
率の向上を図る。 【解決手段】基板２０２上に、レーザ光の照射により情
報を記録することができる色素記録層２０４を有し、該
色素記録層２０４上に光反射層２０８及び保護層２１０
を有するヒートモード型の光ディスクＤの製造方法にお
いて、光反射層２０８を銀を含む材料で構成し、更に、
光反射層２０８の成膜後に２秒以上、５分以内で保護層
２１０を形成して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
情報の記録及び再生を行うことができるヒートモード型
の光情報記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、レーザ光により１回限りの情報
の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）として
は、追記型ＣＤ（いわゆるＣＤ−Ｒ）やＤＶＤ−Ｒなど
があり、従来のＣＤ（コンパクトディスク）の作製に比
べて少量のＣＤを手頃な価格でしかも迅速に市場供給で
きる利点を有しており、最近のパーソナルコンピュータ
などの普及に伴ってその需要も増している。

【０００３】ＣＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の代表的な構
造は、厚みが約１．２ｍｍの透明な円盤状基板上に有機
色素からなる記録層、金などの金属からなる光反射層、
更に樹脂製の保護層をこの順に積層したものである（例
えば特開平６−１５０３７１号公報参照）。

【０００４】また、ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体は、
２枚の円盤状基板（厚みが約０．６ｍｍ）の各情報記録
面をそれぞれ内側に対向させて貼り合わせた構造を有
し、記録情報量が多いという特徴を有する。

【０００５】そして、これら光情報記録媒体への情報の
書き込み（記録）は、近赤外域のレーザ光（ＣＤ−Ｒで
は通常７８０ｎｍ付近、ＤＶＤ−Ｒでは６３５ｎｍ付近
の波長のレーザ光）を照射することにより行われ、色素
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
し、物理的あるいは化学的な変化（例えばピットの生
成）が生じて、その光学的特性を変えることにより情報
が記録される。

【０００６】一方、情報の読み取り（再生）も、通常、
記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射すること
により行われ、色素記録層の光学的特性が変化した部位
（ピットの生成による記録部分）と変化しない部位（未
記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報
が再生される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光反射
層をＡｕを含む材料で構成した場合、製造コストが高く
なると共に、該Ａｕを含む材料は一般に光反射率が低い
ことから、記録密度が高くなるにつれて読み込みエラー
が発生する可能性がある。

【０００８】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、製造コストの低廉化と光反射率の向上を
図ることができる光情報記録媒体及びその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、レ
ーザ光の照射により情報を記録することができる記録層
を有し、該記録層上に光反射層及び保護層を有するヒー
トモード型の光情報記録媒体において、前記光反射層を
銀を含む材料で構成し、前記光反射層の成膜後に２秒以
上、５分以内で前記保護層を形成して構成する。具体的
には、前記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前
記保護層を形成するための材料塗布を行うことである。
これにより、光反射層の成膜後に、該光反射層が酸化さ
れるのを有効に防止することができ、光反射率の向上、
エラーの発生率の低下を促進させることができる。

【００１０】そして、前記光反射層の層厚としては、１
０〜８００ｎｍの範囲が適当であり、好ましくは２０〜
５００ｎｍの範囲、更に好ましくは５０〜３００ｎｍの
範囲である。また、保護層２１０の層厚としては、０．
１〜１００μｍの範囲が適当である。

【００１１】次に、本発明は、基板上に、レーザ光の照
射により情報を記録することができる記録層を有し、該
記録層上に光反射層及び保護層を有するヒートモード型
の光情報記録媒体の製造方法において、銀を含む材料で
前記光反射層を形成し、前記光反射層の成膜後に２秒以
上、５分以内で前記保護層を形成する。具体的には、前
記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前記保護層
を形成するための材料塗布を行うことが好ましい。これ
により、光反射率の向上、エラーの発生率の低下を促進
させることができる。

【００１２】そして、前記光反射層を厚み１０〜８００
ｎｍの範囲で形成することが適当であり、好ましくは２
０〜５００ｎｍの範囲、更に好ましくは５０〜３００ｎ
ｍの範囲で形成することである。また、保護層を厚み
０．１〜１００μｍの範囲で形成することが適当であ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光情報記録媒
体及びその製造方法を例えばＣＤ−Ｒ等の光ディスクを
製造するシステムに適用した実施の形態例（以下、単に
実施の形態に係る製造システムと記す）を図１〜図１０
を参照しながら説明する。

【００１４】本実施の形態に係る製造システム１０は、
図１に示すように、例えば射出成形、圧縮成形又は射出
圧縮成形によって基板を作製する２つの成形設備（第１
及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ）と、基板の一主
面上に色素塗布液を塗布して乾燥させることにより、該
基板上に色素記録層を形成する塗布設備１４と、基板の
色素記録層上に光反射層を例えばスパッタリングにより
形成し、その後、光反射層上にＵＶ硬化液を塗布した
後、ＵＶ照射して前記光反射層上に保護層を形成する後
処理設備１６とを有して構成されている。

【００１５】第１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ
は、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形、圧縮
成形又は射出圧縮成形して、一主面にトラッキング用溝
又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）が形
成された基板を作製する成形機２０と、該成形機２０か
ら取り出された基板を冷却する冷却部２２と、冷却後の
基板を段積みして保管するためのストックポール２４が
複数本設置された集積部２６（ストックポール回転台）
を有する。

【００１６】塗布設備１４は、３つの処理部３０、３２
及び３４から構成され、第１の処理部３０には、前記第
１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂから搬送された
ストックポール２４を収容するためのストックポール収
容部４０と、該ストックポール収容部４０に収容された
ストックポール２４から１枚ずつ基板を取り出して次工
程に搬送する第１の搬送機構４２と、該第１の搬送機構
４２によって搬送された１枚の基板に対して静電気の除
去を行う静電ブロー機構４４とを有する。

【００１７】第２の処理部３２は、第１の処理部３０に
おいて静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送
する第２の搬送機構４６と、該第２の搬送機構４６によ
って搬送された複数の基板に対してそれぞれ色素塗布液
を塗布する色素塗布機構４８と、色素塗布処理を終えた
基板を１枚ずつ次工程に搬送する第３の搬送機構５０と
を有する。この色素塗布機構４８は６つのスピンコート
装置５２を有して構成されている。

【００１８】第３の処理部３４は、前記第３の搬送機構
５０にて搬送された１枚の基板の裏面を洗浄する裏面洗
浄機構５４と、裏面洗浄を終えた基板を次工程に搬送す
る第４の搬送機構５６と、該第４の搬送機構５６によっ
て搬送された基板に対してロット番号等の刻印を行う番
号付与機構５８と、ロット番号等の刻印を終えた基板を
次工程に搬送する第５の搬送機構６０と、該第５の搬送
機構６０によって搬送された基板に対して欠陥の有無並
びに色素記録層の膜厚の検査を行う検査機構６２と、該
検査機構６２での検査結果に応じて基板を正常品用のス
トックポール６４あるいはＮＧ用のストックポール６６
に選別する選別機構６８とを有する。

【００１９】第１の処理部３０と第２の処理部３２との
間に第１の仕切板７０が設置され、第２の処理部３２と
第３の処理部３４にも同様の第２の仕切板７２が設置さ
れている。第１の仕切板７０の下部には、第２の搬送機
構４６による基板の搬送経路を塞がない程度の開口（図
示せず）が形成され、第２の仕切板７２の下部には、第
３の搬送機構５０による基板の搬送経路を塞がない程度
の開口（図示せず）が形成されている。

【００２０】後処理設備１６は、塗布設備１４から搬送
された正常品用のストックポール６４を収容するための
ストックポール収容部８０と、該ストックポール収容部
８０に収容されたストックポール６４から１枚ずつ基板
を取り出して次工程に搬送する第６の搬送機構８２と、
該第６の搬送機構８２によって搬送された１枚の基板に
対して静電気の除去を行う第１の静電ブロー機構８４
と、静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送す
る第７の搬送機構８６と、該第７の搬送機構８６によっ
て搬送された基板の一主面に光反射層をスパッタリング
にて形成するスパッタ機構８８と、光反射層のスパッタ
リングを終えた基板を次工程に順次搬送する第８の搬送
機構９０と、該第８の搬送機構９０によって搬送された
基板の周縁（エッジ部分）を洗浄するエッジ洗浄機構９
２とを有する。

【００２１】また、この後処理設備１６は、エッジ洗浄
を終えた基板に対して静電気の除去を行う第２の静電ブ
ロー機構９４と、静電ブロー処理を終えた基板の一主面
に対してＵＶ硬化液を塗布するＵＶ硬化液塗布機構９６
と、ＵＶ硬化液の塗布を終えた基板を高速に回転させて
基板上のＵＶ硬化液の塗布厚を均一にするスピン機構９
８と、ＵＶ硬化液の塗布及びスピン処理を終えた基板に
対して紫外線を照射することによりＵＶ硬化液を硬化さ
せて基板の一主面に保護層を形成するＵＶ照射機構１０
０と、前記基板を第２の静電ブロー機構９４、ＵＶ硬化
液塗布機構９６、スピン機構９８及びＵＶ照射機構１０
０にそれぞれ搬送する第９の搬送機構１０２と、ＵＶ照
射された基板を次工程に搬送する第１０の搬送機構１０
４と、該第１０の搬送機構１０４によって搬送された基
板に対して塗布面と保護層面の欠陥を検査するための欠
陥検査機構１０６と、基板に形成されたグルーブによる
信号特性を検査するための特性検査機構１０８と、これ
ら欠陥検査機構１０６及び特性検査機構１０８での検査
結果に応じて基板を正常品用のストックポール１１０あ
るいはＮＧ用のストックポール１１２に選別する選別機
構１１４とを有する。

【００２２】ここで、１つのスピンコート装置５２の構
成について図２〜図６を参照しながら説明する。

【００２３】このスピンコート装置５２は、図２及び図
３に示すように、塗布液付与装置４００、スピナーヘッ
ド装置４０２及び飛散防止壁４０４を有して構成されて
いる。塗布液付与装置４００は、塗布液が充填された加
圧タンク（図示せず）と、該加圧タンクからノズル４０
６に引き回されたパイプ（図示せず）と、ノズル４０６
から吐出される塗布液の量を調整するための吐出量調整
バルブ４０８とを有し、塗布液は前記ノズル４０６を通
してその所定量が基板２０２の表面上に滴下されるよう
になっている。この塗布液付与装置４００は、ノズル４
０６を下方に向けて支持する支持板４１０と該支持板４
１０を水平方向に旋回させるモータ４１２とを有するハ
ンドリング機構４１４によって、待機位置から基板２０
２の上方の位置に旋回移動できるように構成されてい
る。

【００２４】スピナーヘッド装置４０２は、前記塗布液
付与装置４００の下方に配置されており、着脱可能な固
定具４２０により、基板２０２が水平に保持されると共
に、駆動モータ（図示せず）により軸回転が可能とされ
ている。

【００２５】スピナーヘッド装置４０２により水平に保
持された状態で回転している基板２０２上に、上記の塗
布液付与装置４００のノズル４０６から滴下した塗布液
は、基板２０２の表面上を外周側に流延する。そして、
余分の塗布液は基板２０２の外周縁部で振り切られ、そ
の外側に放出され、次いで塗膜が乾燥されることによ
り、基板２０２の表面上に塗膜（色素記録層２０４）が
形成される。

【００２６】飛散防止壁４０４は、基板２０２の外周縁
部から外側に放出された余分の塗布液が周辺に飛散する
のを防止するために設けられており、上部に開口４２２
が形成されるようにスピナーヘッド装置４０２の周囲に
配置されている。飛散防止壁４０４を介して集められた
余分の塗布液はドレイン４２４を通して回収されるよう
になっている。

【００２７】また、第２の処理部３２（図１参照）にお
ける各スピンコート装置５２の局所排気は、前記飛散防
止壁４０４の上方に形成された開口４２２から取り入れ
た空気を基板２０２の表面上に流通させた後、各スピナ
ーヘッド装置４０２の下方に取り付けられた排気管４２
６を通じて排気されるようになっている。

【００２８】塗布液付与装置４００のノズル４０６は、
図４及び図５に示すように、軸方向に貫通孔４３０が形
成された細長い円筒状のノズル本体４３２と、該ノズル
本体４３２を支持板４１０（図３参照）に固定するため
の取付部４３４を有する。ノズル本体４３２は、その先
端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又は内
側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表面を
有する。このフッ素化合物としては、例えばポリテトラ
フルオロエチレンやポリテトラフルオロエチレン含有物
等を使用することができる。

【００２９】この実施の形態で用いられる好ましいノズ
ル４０６の例としては、例えば、図５に示すように、ノ
ズル本体４３２の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上
の範囲をフッ素化合物を用いて形成したノズル４０６
や、図６に示すように、ノズル本体４３２の先端面４４
０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面４４２及び４４４をフッ素
化合物を用いて被覆したノズル４０６を挙げることがで
きる。

【００３０】ノズル本体４３２の先端面及びその先端面
から１ｍｍ以上の範囲をフッ素化合物で形成する場合、
強度などを考慮すると、実用的には、例えばノズル本体
４３２をステンレススチールで形成し、その先端面及び
その先端面から最大で５ｍｍの範囲をフッ素化合物で形
成することが好ましい。

【００３１】また、図６に示すように、ノズル本体４３
２の先端面４４０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上
の範囲の外側又は内側、あるいは両方の壁面４４２及び
４４４をフッ素化合物で被覆する場合、ノズル本体４３
２の先端面４４０から１０ｍｍ以上、更に好ましくは、
ノズル本体４３２の全領域をフッ素化合物で被覆するこ
とが好ましい。被覆する場合のその厚みは、特に制限は
ないが、５〜５００μｍの範囲が適当である。また、ノ
ズル本体４３２の材質としては、上記のように、ステン
レススチールが好ましい。ノズル本体４３２に形成され
た貫通孔４３０の径は一般に０．５〜１．０ｍｍの範囲
である。

【００３２】次に、この製造システム１０によって光デ
ィスクを製造する過程について図７Ａ〜図８Ｂの工程図
も参照しながら説明する。

【００３３】まず、第１及び第２の成形設備１２Ａ及び
１２Ｂにおける成形機２０において、ポリカーボネート
などの樹脂材料が射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形
されて、図７Ａに示すように、一主面にトラッキング用
溝又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）２
００が形成された基板２０２が作製される。

【００３４】前記基板２０２の材料としては、例えばポ
リカーボネート、ポリメタルメタクリレート等のアクリ
ル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化
ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン及びポリエステルなどを挙げることができ、所望に
よりそれらを併用してもよい。上記の材料の中では、耐
湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネー
トが好ましい。また、グルーブ２００の深さは、０．０
１〜０．３μｍの範囲であることが好ましく、その半値
幅は、０．２〜０．９μｍの範囲であることが好まし
い。

【００３５】成形機２０から取り出された基板２０２
は、後段の冷却部２２において冷却された後、一主面が
下側に向けられてストックポール２４に積載される。ス
トックポール２４に所定枚数の基板２０２が積載された
段階で、ストックポール２４はこの成形設備１２Ａ及び
１２Ｂから取り出されて、次の塗布設備１４に搬送さ
れ、該塗布設備１４におけるストックポール収容部４０
に収容される。この搬送は、台車で行ってもよいし、自
走式の自動搬送装置で行うようにしてもよい。

【００３６】ストックポール２４がストックポール収容
部４０に収容された段階で、第１の搬送機構４２が動作
し、ストックポール２４から１枚ずつ基板２０２を取り
出して、後段の静電ブロー機構４４に搬送する。静電ブ
ロー機構４４に搬送された基板２０２は、該静電ブロー
機構４４において静電気が除去された後、第２の搬送機
構４６を介して次の色素塗布機構４８に搬送され、６つ
のスピンコート装置５２のうち、いずれか１つのスピン
コート装置５２に投入される。スピンコート装置５２に
投入された基板２０２は、その一主面上に色素塗布液が
塗布された後、高速に回転されて塗布液の厚みが均一に
された後、乾燥処理が施される。これによって、図７Ｂ
に示すように、基板２０２の一主面上に色素記録層２０
４が形成されることになる。

【００３７】即ち、スピンコート装置５２に投入された
基板２０２は、図２に示すスピナーヘッド装置４０２に
装着され、固定具４２０により水平に保持される。次
に、加圧式タンクから供給された塗布液は、吐出量調整
バルブ４０８によって所定量が調整され、基板２０２上
の内周側にノズル４０６を通して滴下される。

【００３８】このノズル４０６は、上述したように、そ
の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表
面を有しているため、塗布液の付着が生じにくく、ま
た、これが乾燥して色素の析出やその堆積物が生じにく
く、従って、塗膜を塗膜欠陥などの障害を伴うことなく
スムーズに形成させることができる。

【００３９】なお、塗布液としては色素を適当な溶剤に
溶解した色素溶液が用いられる。塗布液中の色素の濃度
は一般に０．０１〜１５重量％の範囲にあり、好ましく
は０．１〜１０重量％の範囲、特に好ましくは０．５〜
５重量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３重量％の範
囲にある。

【００４０】駆動モータによってスピナーヘッド装置４
０２は高速回転が可能である。基板２０２上に滴下され
た塗布液は、スピナーヘッド装置４０２の回転により、
基板２０２の表面上を外周方向に流延し、塗膜を形成し
ながら基板２０２の外周縁部に到達する。外周縁部に達
した余分の塗布液は、更に遠心力により振り切られ、基
板２０２の縁部の周囲に飛散する。飛散した余分の塗布
液は飛散防止壁４０４に衝突し、更にその下方に設けら
れた受皿に集められた後、ドレイン４２４を通して回収
される。塗膜の乾燥はその形成過程及び塗膜形成後に行
われる。塗膜（色素記録層２０４）の厚みは、一般に２
０〜５００ｎｍの範囲で、好ましくは５０〜３００ｎｍ
の範囲で設けられる。

【００４１】色素記録層２０４に用いられる色素は特に
限定されない。使用可能な色素の例としては、シアニン
色素、フタロシアニン系色素、イミダゾキノキサリン系
色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレニ
ウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなどの
金属錯塩系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、メロシアニン系色素、
オキソノール系色素、アミニウム系・ジインモニウム系
色素及びニトロソ化合物を挙げることができる。これら
の色素のうちでは、シアニン色素、フタロシアニン系色
素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、オキ
ソノール系色素及びイミダゾキノキサリン系色素が好ま
しい。

【００４２】色素記録層２０４を形成するための塗布剤
の溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテー
トなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの
塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；
シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノー
ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，
２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノールなどのフ
ッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル
類などを挙げることができる。

【００４３】前記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮し
て単独または二種以上を適宜併用することができる。好
ましくは、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパ
ノールなどのフッ素系溶剤である。なお、塗布液中に
は、所望により退色防止剤や結合剤を添加してもよい
し、更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、そして潤滑
剤など各種の添加剤を、目的に応じて添加してもよい。

【００４４】退色防止剤の代表的な例としては、ニトロ
ソ化合物、金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩
を挙げることができる。これらの例は、例えば、特開平
２−３００２８８号、同３−２２４７９３号、及び同４
−１４６１８９号等の各公報に記載されている。

【００４５】結合剤の例としては、ゼラチン、セルロー
ス誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機
高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・
ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹
脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポ
キシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・
ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物な
どの合成有機高分子を挙げることができる。

【００４６】結合剤を使用する場合に、結合剤の使用量
は、色素１００重量部に対して、一般に２０重量部以下
であり、好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５
重量部以下である。

【００４７】なお、色素記録層が設けられる側の基板表
面には、平面性の改善、接着力の向上および記録層の変
質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよい。

【００４８】下塗層の材料としては例えば、ポリメチル
メタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、
スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコ
ール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニ
ルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、
ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフ
ィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビ
ニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子
物質、およびシランカップリング剤などの表面改質剤を
挙げることができる。

【００４９】下塗層は、前記物質を適当な溶剤に溶解ま
たは分散して塗布液を調整した後、この塗布液をスピン
コート、ディップコート、エクストルージョンコートな
どの塗布法を利用して基板表面に塗布することにより形
成することができる。下塗層の層厚は一般に０．００５
〜２０μｍの範囲、好ましくは０．０１〜１０μｍの範
囲で設けられる。

【００５０】色素記録層２０４が形成された基板２０２
は、第３の搬送機構５０を介して次の裏面洗浄機構５４
に搬送され、基板２０２の一主面の反対側の面（裏面）
が洗浄される。その後、基板２０２は、第４の搬送機構
５６を介して次の番号付与機構５８に搬送され、基板２
０２の一主面又は裏面に対してロット番号等の刻印が行
われる。

【００５１】その後、基板２０２は、第５の搬送機構６
０を介して次の検査機構６２に搬送され、基板２０２の
欠陥の有無や色素記録層２０４の膜厚の検査が行われ
る。この検査は、基板２０２の裏面から光を照射してそ
の光の透過状態を例えばＣＣＤカメラで画像処理するこ
とによって行われる。この検査機構６２での検査結果は
次の選別機構６８に送られる。

【００５２】上述の検査処理を終えた基板２０２は、そ
の検査結果に基づいて選別機構６８によって正常品用の
ストックポール６４か、ＮＧ用のストックポール６６に
搬送選別される。

【００５３】正常品用のストックポール６４に所定枚数
の基板２０２が積載された段階で、正常品用のストック
ポール６４はこの塗布設備１４から取り出されて、次の
後処理設備１６に搬送され、該後処理設備１６のストッ
クポール収容部８０に収容される。この搬送は、台車で
行ってもよいし、自走式の自動搬送装置で行うようにし
てもよい。

【００５４】正常品用のストックポール６４がストック
ポール収容部８０に収容された段階で、第６の搬送機構
８２が動作し、ストックポール６４から１枚ずつ基板２
０２を取り出して、後段の第１の静電ブロー機構８４に
搬送する。第１の静電ブロー機構８４に搬送された基板
２０２は、該第１の静電ブロー機構８４において静電気
が除去された後、第７の搬送機構８６を介して次のスパ
ッタ機構８８に搬送される。スパッタ機構８８に投入さ
れた基板２０２は、図７Ｃに示すように、その一主面
中、周縁部分（エッジ部分）２０６を除く全面に光反射
層２０８がスパッタリングによって形成される。

【００５５】光反射層２０８の材料である光反射性物質
はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例と
しては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属ある
いはステンレス鋼を挙げることができる。

【００５６】これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼で
ある。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは
二種以上を組み合わせて用いてもよい。または合金とし
て用いてもよい。特に好ましくはＡｇもしくはその合金
である。

【００５７】光反射層２０８は、例えば、前記光反射性
物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティン
グすることにより記録層の上に形成することができる。
反射層の層厚は、一般的には１０〜８００ｎｍの範囲、
好ましくは２０〜５００ｎｍの範囲、更に好ましくは５
０〜３００ｎｍの範囲で設けられる。

【００５８】光反射層２０８が形成された基板２０２
は、第８の搬送機構９０を介して次のエッジ洗浄機構９
２に搬送され、図８Ａに示すように、基板２０２の一主
面中、エッジ部分２０６が洗浄されて、該エッジ部分２
０６に形成されていた色素記録層２０４が除去される。
その後、基板２０２は、第９の搬送機構１０２を介して
次の第２の静電ブロー機構９４に搬送され、静電気が除
去される。

【００５９】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介してＵＶ硬化液塗布機構９６に搬送
され、基板２０２の一主面の一部分にＵＶ硬化液が滴下
される。その後、基板２０２は、同じく前記第９の搬送
機構１０２を介して次のスピン機構９８に搬送され、高
速に回転されることにより、基板２０２上に滴下された
ＵＶ硬化液の塗布厚が基板全面において均一にされる。

【００６０】この実施の形態においては、前記光反射層
の成膜後から前記ＵＶ硬化液の塗布までの時間が２秒以
上、５分以内となるように時間管理されている。

【００６１】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介して次のＵＶ照射機構１００に搬送
され、基板２０２上のＵＶ硬化液に対して紫外線が照射
される。これによって、図８Ｂに示すように、基板２０
２の一主面上に形成された色素記録層２０４と光反射層
２０８を覆うようにＵＶ硬化樹脂による保護層２１０が
形成されて光ディスクＤとして構成されることになる。

【００６２】保護層２１０は、色素記録層２０４などを
物理的及び化学的に保護する目的で光反射層２０８の上
に設けられる。保護層２１０は、基板２０２の色素記録
層２０４が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高
める目的で設けることもできる。保護層２１０で使用さ
れる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＦ
₂ 、ＳｎＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の無機物質、及び熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、そしてＵＶ硬化性樹脂等の有機物
質を挙げることができる。

【００６３】保護層２１０は、例えば、プラスチックの
押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層
２０８上及び／または基板２０２上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これら
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調整したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥することによっても形成することが
できる。

【００６４】ＵＶ硬化性樹脂の場合には、上述したよう
に、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調
整したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化
させることによって形成することができる。これらの塗
布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤
等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層
２１０の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲で設
けられる。

【００６５】その後、光ディスクＤは、第１０の搬送機
構１０４を介して次の欠陥検査機構１０６と特性検査機
構１０８に搬送され、色素記録層２０４の面と保護層２
１０の面における欠陥の有無や光ディスクＤの基板２０
２に形成されたグルーブ２００による信号特性が検査さ
れる。これらの検査は、光ディスクＤの両面に対してそ
れぞれ光を照射してその反射光を例えばＣＣＤカメラで
画像処理することによって行われる。これらの欠陥検査
機構１０６及び特性検査機構１０８での各検査結果は次
の選別機構１１４に送られる。

【００６６】上述の欠陥検査処理及び特性検査処理を終
えた光ディスクＤは、各検査結果に基づいて選別機構１
１４によって正常品用のストックポール１１０か、ＮＧ
用のストックポール１１２に搬送選別される。

【００６７】正常品用のストックポール１１０に所定枚
数の光ディスクＤが積載された段階で、該ストックポー
ル１１０が後処理設備１６から取り出されて図示しない
ラベル印刷工程に投入される。

【００６８】このように、本実施の形態に係る製造シス
テム１０で製造される光ディスクＤは、その光反射層が
銀を含む材料で構成されているため、製造コストの低廉
化と光反射率の向上を図ることができる。

【００６９】特に本実施の形態では、前記光反射層２０
８の成膜後に２秒以上、５分以内で保護層を形成するよ
うにしており、具体的には、光反射層２０８の成膜後に
２秒以上、５分以内でＵＶ硬化液を塗布するようにして
いる。このため、光反射層２０８の成膜後に、該光反射
層２０８が酸化されるのを有効に防止することができ、
光反射率の向上、エラーの発生率の低下を更に促進させ
ることができる。

【００７０】本実施の形態に係る光ディスクＤは、図１
に示す製造システム１０のほか、図９に示す製造システ
ム６００でも製造することができる。

【００７１】この図９に示す製造システム６００は、例
えば射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形によって基板
を作製する２つの成形設備（第１及び第２の成形設備６
０２Ａ及び６０２Ｂ）と、基板の一主面上に色素塗布液
を塗布して乾燥させることにより、該基板上に色素記録
層を形成する２つの塗布設備（第１及び第２の塗布設備
６０４Ａ及び６０４Ｂ）と、これら塗布設備６０４Ａ及
び６０４Ｂにおいて形成された色素記録層に対して検査
を行う検査設備６０６と、基板の色素記録層上に光反射
層を例えばスパッタリングにより形成し、その後、光反
射層上にＵＶ硬化液を塗布した後、ＵＶ照射して前記光
反射層上に保護層を形成する後処理設備６０８とを有し
て構成されている。

【００７２】第１及び第２の成形設備６０２Ａ及び６０
２Ｂは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形、
圧縮成形又は射出圧縮成形して、一主面にトラッキング
用溝又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）
が形成された基板を作製する成形機６１０と、該成形機
６１０から取り出された基板を搬送しながら冷却する冷
却コンベア６１２とを有し、冷却コンベア６１２の終端
には冷却後の基板を段積みして保管するためのストック
ポール６１４が設置されている。

【００７３】第１及び第２の塗布設備６０４Ａ及び６０
４Ｂは、色素塗布とエッジ洗浄を行うための３つのスピ
ンコート装置６１６と、第１及び第２の成形設備６０２
Ａ及び６０２Ｂにおけるストックポール６１４に集積さ
れた基板を１枚ずつ取り出して、いずれかのスピンコー
ト装置６１６に搬送する多関節ロボット６１８とを有し
て構成されている。

【００７４】検査設備６０６は、第１の塗布設備６０４
Ａでの処理を終えた基板を次工程に搬送するための第１
の搬送コンベア６２０と、第２の塗布設備６０４Ｂでの
処理を終えた基板を次工程に搬送するための第２の搬送
コンベア６２２と、第１及び第２の搬送コンベア６２０
及び６２２を介して搬送された基板に対してロット番号
等の刻印を行う番号付与機構６２４と、ロット番号等の
刻印を終えた基板を次工程に搬送する第１の搬送機構６
２６と、該第１の搬送機構６２６によって搬送された基
板に対して欠陥の有無並びに色素記録層の膜厚の検査を
行う検査機構６２８とを有する。

【００７５】後処理設備６０８は、検査機構６２８での
検査処理を終えた基板を受け入れる基板搬入機構６３０
と、該基板搬入機構６３０によって搬入された基板の一
主面に光反射層をスパッタリングにて形成するスパッタ
機構６３２と、光反射層のスパッタリングを終えた基板
を次工程に順次搬送する第２の搬送機構６３４と、該第
２の搬送機構６３４を介して搬送された基板に対してＵ
Ｖ硬化液を塗布した後、高速に回転させて基板上のＵＶ
硬化液の塗布厚を均一にする２つの塗布スピン機構（第
１及び第２の塗布スピン機構６３６Ａ及び６３６Ｂ）
と、第１及び第２の塗布スピン機構６３６Ａ及び６３６
Ｂのいずれかで処理を終えた基板を次工程に搬送する第
３の搬送機構６３８と、該第３の搬送機構６３８を介し
て搬送された基板に対して紫外線を照射することにより
ＵＶ硬化液を硬化させて基板の一主面に保護層を形成す
るＵＶ照射機構６４０と、ＵＶ照射された基板を次工程
に搬送する第４の搬送機構６４２と、該第４の搬送機構
６４２によって搬送された基板に対して塗布面と保護層
面の欠陥を検査するための欠陥検査機構６４４と、欠陥
検査機構６４４での検査結果に応じて基板を正常品用の
ストックポール６４６あるいはＮＧ用のストックポール
６４８に選別する選別機構６５０とを有する。

【００７６】この製造システム６００においても、光反
射層を銀を含む材料で形成するように設定され、更に、
光反射層の成膜後から前記ＵＶ硬化液の塗布までの時間
が２秒以上、５分以内となるように時間管理されてい
る。そのため、製造コストの低廉化と光反射率の向上を
図ることができる。

【００７７】上述の製造システム１０及び６００におい
ては、光反射層２０８の成膜後に、基板２０２を連続し
て搬送して、光反射層２０８上に保護層形成のためのＵ
Ｖ硬化液を滴下するようにしているが、光反射層２０８
を成膜した基板２０２を一旦集積して、例えば枚葉方式
で基板２０２上にＵＶ硬化液を滴下するようにしてもよ
い。この場合、光反射層２０８が成膜された基板２０２
をストックポールに集積して、これを次の例えばＵＶ硬
化液塗布工程に運搬するようにしてもよいが、光反射層
２０８の形成工程と、ＵＶ硬化液塗布工程とが連続した
ラインになっていることが好ましい。

【００７８】

【実施例】次に、１つの実験例について説明する。この
実験例は、図１に示す製造システム１０にて光ディスク
Ｄを作製する場合において、実施例１〜３並びに比較例
１、２に関し、光反射層の成膜後からＵＶ硬化液の塗布
までの時間（以下、便宜的に成膜後時間と記す）をそれ
ぞれ変えたときの光ディスクＤのブロックエラーレート
及び光反射率をみたものである。

【００７９】ここで、光反射率は、グルーブにピットを
形成しないとき、即ち、無記録状態のときの光反射率を
示す。実際の光ディスクＤに対する再生時の光反射率と
しては、６５％以上であることが規定されているため、
無記録状態での光反射率としては７０％以上あればよ
い。

【００８０】また、ブロックエラーレートは訂正可能な
エラーの頻度である。これが増加すると、訂正不可能な
エラー出現確率が増加する。ブロックエラーレートは、
１倍速再生時には、２２０．５個／ｓが規格とされてい
るが、これを越えなくても訂正不可能なエラーが発生す
ることもあり、少ないことが望ましい。

【００８１】比較例１（図１０参照）の２０個程度のブ
ロックエラーでも規格は十分満たしているが、再生条件
が厳しくなると、訂正不可能なエラーが発生する確率が
増し、好ましくない。再生条件が厳しいというのは、再
生時の温湿度が極端に高かったり、低かったりするだけ
でなく、基板表面に微細なきずがついてしまったり、基
板が反ってしまったりすることを含む。好ましくは、実
施例１〜３のように５分未満程度がよい。

【００８２】なお、色素記録層の形成は以下の通りであ
る。下記の一般式（Ａ１）で表されるシアニン色素化合
物２．６５ｇと下記の一般式（Ａ２）で表される退色防
止剤０．２６５ｇを組み合わせて配合し、これらを下記
の一般式（Ａ３）で表される２，２，３，３−テトラフ
ロロ−１−プロパノール１００ｃｃに溶解して記録層形
成用の塗布液を調製した。

【００８３】

【化１】

【００８４】

【化２】

【００８５】

【化３】

【００８６】この塗布液を表面にスパイラル状のグルー
ブ（トラックピッチ：１．６μｍ、グルーブ幅：０．４
μｍ、グルーブの深さ：０．１６μｍ）が射出成形によ
り形成されたポリカーボネート基板（直径：１２０ｍ
ｍ、厚さ：１．２ｍｍ）のそのグルーブ側の表面に、回
転数を３００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍまで変化させなが
らスピンコートにより塗布し、色素記録層（厚さ（グル
ーブ内）：約２００ｎｍ）を形成した。このとき、塗布
設備への給気と塗布設備からの排気によって、上方から
基板に向かって空気が流れることになるが、その風速を
０．１ｍ／ｓｅｃに設定した。

【００８７】また、光反射層は、実施例１〜３及び比較
例１、２に関し、すべて同様の材料、即ち、銀を含む材
料で形成した。

【００８８】そして、成膜後時間として実施例１では２
秒、実施例２では１分、実施例３では５分とし、比較例
１では１０分、比較例２では１時間とした。

【００８９】この実験結果を図１０に示す。この実験結
果から、成膜後時間を２秒〜５分に設定した実施例１〜
３は、比較例１、２の場合と比べてブロックエラーレー
ト及び光反射率において良好な結果が得られていること
がわかる。

【００９０】ブロックエラーレートと反射率の測定方法
は、次のようにして行った。即ち、上述の実施例１〜３
及び比較例１、２の光ディスクに、パルステック社製の
評価機「ＯＭＴ２０００」を用いてレーザ光の波長７８
０ｎｍ（ＮＡ０．５にピックアップ）、定線速度１．２
ｍ／ｓｅｃ、ＥＦＭ変調信号を記録パワー７ｍＷで記録
した。その後、記録レーザ光と同じ波長のレーザ光を用
いて０．５ｍＷのレーザ出力で信号を再生し、反射率と
ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）を測定した。

【００９１】反射率測定は、グルーブトラッキングをか
けたときの戻り光の強度を測定して行った。エラーは前
記評価機内蔵のデコーダでデコードするときのブロック
エラーレート（ＢＬＥＲ）を測定して行った。

【００９２】なお、この発明に係る光情報記録媒体及び
その製造方法は、上述の実施の形態に限らず、この発明
の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ること
はもちろんである。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光情
報記録媒体によれば、基板上に、レーザ光の照射により
情報を記録することができる記録層を有し、該記録層上
に光反射層及び保護層を有するヒートモード型の光情報
記録媒体において、前記光反射層を銀を含む材料で構成
するようにしている。このため、製造コストの低廉化と
光反射率の向上を図ることができる。

【００９４】また、本発明に係る光情報記録媒体の製造
方法によれば、基板上に、レーザ光の照射により情報を
記録することができる記録層を有し、該記録層上に光反
射層及び保護層を有するヒートモード型の光情報記録媒
体の製造方法において、銀を含む材料で前記光反射層を
形成するようにしている。このため、製造コストの低廉
化と光反射率の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る製造システムの一例を示す
構成図である。

【図２】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
構成図である。

【図３】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
斜視図である。

【図４】スピンコート装置のノズルを示す平面図であ
る。

【図５】スピンコート装置のノズルの一例を示す側面図
である。

【図６】スピンコート装置のノズルの他の例を一部省略
して示す拡大断面図である。

【図７】図７Ａは基板にグルーブを形成した状態を示す
工程図であり、図７Ｂは基板上に色素記録層を形成した
状態を示す工程図であり、図７Ｃは基板上に光反射層を
形成した状態を示す工程図である。

【図８】図８Ａは基板のエッジ部分を洗浄した状態を示
す工程図であり、図８Ｂは基板上に保護層を形成した状
態を示す工程図である。

【図９】本実施の形態に係る製造システムの他の例を示
す構成図である。

【図１０】実験例の結果を示す図表である。

【符号の説明】

１０、６００…製造システム １２Ａ…第１の成
形設備 １２Ｂ…第２の成形設備 １４…塗布設備 １６…後処理設備 ３０…第１の処理
部 ３２…第２の処理部 ３４…第３の処理
部 ４８…色素塗布機構 ５２…スピンコー
ト装置 ７０…第１の仕切板 ７２…第２の仕切
板 ２００…グルーブ（凹凸） ２０２…基板 ２０４…色素記録層 ２０８…光反射層 ２１０…保護層 Ｄ…光ディスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 晃一 東京都羽村市神明台２丁目10番地８ 富士 マグネディスク株式会社内 (72)発明者 杉山 勝美 東京都羽村市神明台２丁目10番地８ 富士 マグネディスク株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JB50 LB03 LB07 MA13 MA14 5D121 AA04 AA05 EE21

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、レーザ光の照射により情報を記
   録することができる記録層を有し、該記録層上に光反射
   層及び保護層を有するヒートモード型の光情報記録媒体
   において、 前記光反射層が銀を含む材料で構成され、 前記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前記保護
   層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】請求項１記載の光情報記録媒体において、 前記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前記保護
   層を形成するための材料塗布が行われていることを特徴
   とする光情報記録媒体。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の光情報記録媒体にお
   いて、 前記光反射層の厚みが１０〜８００ｎｍの範囲であるこ
   とを特徴とする光情報記録媒体。
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情
   報記録媒体において、 前記保護層の厚みが０．１〜１００μｍの範囲であるこ
   とを特徴とする光情報記録媒体。
5. 【請求項５】基板上に、レーザ光の照射により情報を記
   録することができる記録層を有し、該記録層上に光反射
   層及び保護層を有するヒートモード型の光情報記録媒体
   の製造方法において、 銀を含む材料で前記光反射層を形成し、 前記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前記保護
   層を形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方
   法。
6. 【請求項６】請求項５記載の光情報記録媒体の製造方法
   において、 前記光反射層の成膜後に２秒以上、５分以内で前記保護
   層を形成するための材料塗布を行うことを特徴とする光
   情報記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】請求項５又は６記載の光情報記録媒体の製
   造方法において、 前記光反射層を厚み１０〜８００ｎｍの範囲で形成する
   ことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】請求項５〜７のいずれか１項に記載の光情
   報記録媒体の製造方法において、 前記保護層を厚み０．１〜１００μｍの範囲で形成する
   ことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。