JP2000146855A - 光情報記録媒体の欠陥検査装置及びその方法並びに欠陥サイズ決定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光情報記録媒体の製造段階において、その後の
保存の状況によって成長しそうな欠陥を検出して、この
ような欠陥を有する光情報記録媒体を事前に排除する。 【解決手段】検出レベルＶｉとハレー欠陥検出用のしき
い値Ｖａとを比較してハレー欠陥の有無を検出する第１
のコンパレータ５０２と、検出レベルＶｉと異物検出用
のしきい値Ｖｂとを比較して異物の有無を検出する第２
のコンパレータ５０４と、検出レベルＶｉと第１のサイ
ズ検出用レベルＶｃとに基づいてハレー欠陥のサイズを
求め、得られたサイズが２００μｍ以上を示す場合に、
基板を不良として判定する第１の判定回路５２０と、検
出レベルＶｉと第２のサイズ検出用レベルＶｄとに基づ
いて異物のサイズを求め、得られたサイズが５０μｍ以
上を示す場合に、基板を不良として判定する第２の判定
回路５２６とを有して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、レーザ
光の照射により情報を記録することができる記録層を有
するヒートモード型の光情報記録媒体の欠陥を検査する
ための光情報記録媒体の欠陥検査装置及びその方法並び
に欠陥サイズ決定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、レーザ光により１回限りの情報
の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）として
は、追記型ＣＤ（いわゆるＣＤ−Ｒ）やＤＶＤ−Ｒなど
があり、従来のＣＤ（コンパクトディスク）の作製に比
べて少量のＣＤを手頃な価格でしかも迅速に市場供給で
きるという利点を有しており、最近のパーソナルコンピ
ュータなどの普及に伴ってその需要も増している。

【０００３】ＣＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の代表的な構
造は、厚みが約１．２ｍｍの透明な円盤状基板上に有機
色素からなる記録層、金や銀などの金属からなる光反射
層、更に樹脂製の保護層をこの順に積層したものであ
る。

【０００４】また、ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体は、
２枚の円盤状基板（厚みが約０．６ｍｍ）を各情報記録
面をそれぞれ内側に対向させて貼り合わせた構造を有
し、記録情報量が多いという特徴を有する。

【０００５】そして、これら光情報記録媒体への情報の
書き込み（記録）は、近赤外域のレーザ光（ＣＤ−Ｒで
は通常７８０ｎｍ付近、ＤＶＤ−Ｒでは６３５ｎｍ付近
の波長のレーザ光）を照射することにより行われ、色素
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
し、物理的あるいは化学的な変化（例えばピットの生
成）が生じて、その光学的特性を変えることにより情報
が記録される。

【０００６】一方、情報の読み取り（再生）も、通常、
記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射すること
により行われ、色素記録層の光学的特性が変化した部位
（ピットの生成による記録部分）と変化しない部位（未
記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報
が再生される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＤ−ＲＯ
Ｍのような円盤状記録媒体においては、小さな欠陥があ
ってもエラー訂正機能によって訂正されるため問題とな
らない。例えばコンパクトディスク（ＣＤ）のフォーマ
ットでは６００μｍ長程度までの欠陥であれば、前記エ
ラー訂正機能によって訂正される。従って、これより小
さな塵埃が少々あっても問題とならなかった。

【０００８】しかし、色素を含有する記録層が形成され
た光ディスクの場合は、６００μｍ以下の塵埃であった
としても、その後の保存の状況によって、欠陥が成長
し、６００μｍ以上のサイズになる場合があった。この
場合、読取りエラーや記録エラーを引き起こすおそれが
ある。

【０００９】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、光情報記録媒体の製造段階において、そ
の後の保存の状況によって成長しそうな欠陥を検出し
て、このような欠陥を有する光情報記録媒体を事前に排
除することができる光情報記録媒体の欠陥検査装置及び
その方法並びに欠陥サイズ決定方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、レ
ーザ光の照射により情報を記録することができる記録層
を有するヒートモード型の光情報記録媒体の欠陥を検査
するための光情報記録媒体の欠陥検査装置において、前
記記録層の形成前又は形成中に付着した異物と、該異物
に基づく記録層の形成不良欠陥とを区別して検査するた
めの個別検査手段を有し、前記異物のサイズが５０μｍ
以上を示す場合、あるいは前記形成不良欠陥のサイズが
少なくとも３００μｍ以上を示す場合に、前記基板を不
良として判定することを特徴とする。

【００１１】これにより、異物の存在とその判定基準に
基づく光情報記録媒体の良品／不良品判定と、記録層の
形成不良欠陥の存在とその判定基準に基づく光情報記録
媒体の良品／不良品判定をそれぞれ個別に行うことがで
きる。即ち、異物に対する判定基準を厳しくし、形成不
良欠陥に対する判定基準を緩やかにするなど、光情報記
録媒体に対する判定において、その特性に応じて柔軟な
対応をとることができる。

【００１２】本発明では、前記異物のサイズが５０μｍ
以上を示す場合、あるいは前記形成不良欠陥のサイズが
少なくとも３００μｍ以上を示す場合に、前記基板を不
良として判定するようにしている。

【００１３】ここで、少なくとも３００μｍ以上とは、
形成不良欠陥のサイズが３００μｍ以上であれば必ず排
除されることを示し、形成不良欠陥のサイズが３００μ
ｍ未満であっても光情報記録媒体の特性によっては、排
除される場合もあることを示すものである。

【００１４】その結果、光情報記録媒体の製造段階にお
いて、その後の保存の状況によって成長しそうな欠陥を
確実に検出することができ、このような欠陥を有する光
情報記録媒体を事前に排除することができる。また、問
題となる欠陥はなく、その後の保存の状況によっても成
長しない欠陥があった場合は、良品として処理すること
ができ、検査に伴う歩留まりの低下を回避することがで
きる。

【００１５】前記個別検査手段としては、前記記録層が
形成された基板に対して光を照射する光照射手段と、前
記基板を透過する光を検出する透過光検出手段と、前記
透過光検出手段からの検出信号に基づいて前記異物と前
記記録層の形成不良欠陥とを区別して検出する欠陥検出
手段とを有して構成することができる。

【００１６】この場合、まず、光照射手段によって、前
記記録層が形成された基板に対して光が照射される。該
基板を透過する光は、透過光検出手段によって検出さ
れ、該透過光検出手段から例えば光量に応じた検出信号
が出力される。そして、後段の欠陥検出手段において、
前記透過光検出手段からの検出信号に基づいて前記異物
と前記記録層の形成不良欠陥とが区別して検出されるこ
とになる。

【００１７】また、前記個別検査手段としては、前記記
録層と該記録層上に光反射層が形成された基板に対して
光を照射する光照射手段と、前記基板を反射する光を検
出する反射光検出手段と、前記反射光検出手段からの検
出信号に基づいて前記異物と前記記録層の形成不良欠陥
とを区別して検出する欠陥検出手段とを有して構成する
ことができる。

【００１８】この場合、まず、光照射手段によって、前
記記録層と該記録層上に光反射層が形成された基板に対
して光が照射される。該基板を反射する光は、反射光検
出手段によって検出され、該反射光検出手段から例えば
光量に応じた検出信号が出力される。そして、後段の欠
陥検出手段において、前記透過光検出手段からの検出信
号に基づいて前記異物と前記記録層の形成不良欠陥とが
区別して検出されることになる。

【００１９】そして、前記欠陥検出手段としては、入力
される検出信号のレベルと予め設定された形成不良欠陥
検出用のしきい値とを比較して形成不良欠陥の有無を検
出する形成不良欠陥検出手段と、入力される検出信号の
レベルと予め設定された異物検出用のしきい値とを比較
して異物の有無を検出する異物検出手段とを有して構成
することができる。

【００２０】前記形成不良欠陥検査手段は、前記形成不
良欠陥を検出した場合に、前記検出信号のレベルと所定
の第１のサイズ検出用レベルとに基づいて前記形成不良
欠陥のサイズを求める形成不良欠陥サイズ検出手段を有
して構成することができる。

【００２１】この場合、前記形成不良欠陥サイズ検出手
段にて得られた形成不良欠陥のサイズが少なくとも３０
０μｍ以上を示す場合に、前記基板を不良として判定す
る形成不良欠陥用判定手段を有するようにしてもよい。

【００２２】一方、前記異物検査手段は、前記異物を検
出した場合に、前記検出信号のレベルと所定の第２のサ
イズ検出用レベルとに基づいて前記異物のサイズを求め
る異物サイズ検出手段を有して構成することができる。

【００２３】この場合、前記異物サイズ検出手段にて得
られた異物のサイズが５０μｍ以上を示す場合に、前記
基板を不良として判定する異物用判定手段を有するよう
にしてもよい。

【００２４】次に、本発明は、基板上に、レーザ光の照
射により情報を記録することができる記録層を有するヒ
ートモード型の光情報記録媒体の欠陥を検査するための
光情報記録媒体の欠陥検査方法において、前記記録層の
形成前又は形成中に付着した異物と、該異物に基づく記
録層の形成不良欠陥とを区別して検査することを特徴と
する。

【００２５】これにより、光情報記録媒体の製造段階に
おいて、その後の保存の状況によって成長しそうな欠陥
を確実に検出することができ、このような欠陥を有する
光情報記録媒体を事前に排除することができる。また、
問題となる欠陥はなく、その後の保存の状況によっても
成長しない欠陥があった場合は、良品として処理するこ
とができ、検査に伴う歩留まりの低下を回避することが
できる。

【００２６】そして、前記方法において、前記記録層が
形成された基板に対して光を照射し、前記基板を透過す
る光を検出し、前記透過光の検出に基づく検出信号に基
づいて前記異物と前記記録層の形成不良欠陥とを区別し
て検出するようにしてもよい。

【００２７】あるいは、前記記録層と該記録層上に光反
射層が形成された基板に対して光を照射し、前記基板を
反射する光を検出し、前記反射光の検出に基づく検出信
号に基づいて前記異物と前記記録層の形成不良欠陥とを
区別して検出するようにしてもよい。

【００２８】そして、入力される検出信号のレベルと予
め設定された形成不良欠陥検出用のしきい値とを比較し
て形成不良欠陥の有無を検出し、入力される検出信号の
レベルと予め設定された異物検出用のしきい値とを比較
して異物の有無を検出するようにしてもよい。

【００２９】また、前記形成不良欠陥を検出した場合
に、前記検出信号のレベルと所定の第１のサイズ検出用
レベルとに基づいて前記形成不良欠陥のサイズを求める
ようにしてもよい。この場合、得られた形成不良欠陥の
サイズが少なくとも３００μｍ以上を示す場合に、前記
基板を不良として判定するようにしてもよい。

【００３０】一方、前記異物を検出した場合に、前記検
出信号のレベルと所定の第２のサイズ検出用レベルとに
基づいて前記異物のサイズを求めるようにしてもよい。
この場合、得られた異物のサイズが５０μｍ以上を示す
場合に、前記基板を不良として判定するようにしてもよ
い。

【００３１】次に、本発明は、基板上に、レーザ光の照
射により情報を記録することができる記録層を有するヒ
ートモード型の光情報記録媒体に発生し得る欠陥のサイ
ズを決定する方法において、前記光情報記録媒体を温度
約８０℃、湿度約８５％で、もはや前記記録層の性能が
発揮できなくなり、前記欠陥のサイズに依存せずに記録
上のエラーが発生する時間だけ保存した後における欠陥
のサイズを最終欠陥サイズとすることを特徴とする。

【００３２】これにより、製造工程で成長する欠陥と成
長しない欠陥を確実に見つけ出すためのサイズ上の指標
を得ることができ、欠陥検査工程の精度の向上並びに光
情報記録媒体の品質の向上を図ることができる。

【００３３】なお、上述の欠陥サイズ決定方法で、サイ
ズが例えば２００μｍの欠陥で問題となることがわかっ
たとしても、２００μｍそのものを欠陥検査におけるサ
イズ上の指標にするとは限らず、安全を見て１５０μｍ
以上を示す場合に不良として判定したり、少しぐらいの
量であれば問題が発生してもよいという考えで、２５０
μｍ以上を示す場合に不良として判定する場合もある。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光情報記録媒
体の欠陥検査装置及びその方法並びに欠陥サイズ決定方
法を例えばＣＤ−Ｒ等の光ディスクを製造するシステム
に適用した実施の形態例（以下、単に実施の形態に係る
欠陥検査装置と記す）を図１〜図１５を参照しながら説
明する。

【００３５】まず、本実施の形態に係る欠陥検査装置が
適用される光ディスクの製造システム１０について図１
〜図６を参照しながら説明する。

【００３６】この製造システム１０は、図１に示すよう
に、例えば射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形によっ
て基板を作製する２つの成形設備（第１及び第２の成形
設備１２Ａ及び１２Ｂ）と、基板の一主面上に色素塗布
液を塗布して乾燥させることにより、該基板上に色素記
録層を形成する塗布設備１４と、基板の色素記録層上に
光反射層を例えばスパッタリングにより形成し、その
後、光反射層上にＵＶ硬化液を塗布した後、ＵＶ照射し
て前記光反射層上に保護層を形成する後処理設備１６と
を有して構成されている。

【００３７】第１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ
は、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形、圧縮
成形又は射出圧縮成形して、一主面にトラッキング用溝
又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）が形
成された基板を作製する成形機２０と、該成形機２０か
ら取り出された基板を冷却する冷却部２２と、冷却後の
基板を段積みして保管するためのスタックポール２４が
複数本設置された集積部２６（スタックポール回転台）
とを有する。

【００３８】塗布設備１４は、３つの処理部３０、３２
及び３４から構成され、第１の処理部３０には、前記第
１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂから搬送された
スタックポール２４を収容するためのスタックポール収
容部４０と、該スタックポール収容部４０に収容された
スタックポール２４から１枚ずつ基板を取り出して次工
程に搬送する第１の搬送機構４２と、該第１の搬送機構
４２によって搬送された１枚の基板に対して静電気の除
去を行う静電ブロー機構４４とを有する。

【００３９】第２の処理部３２は、第１の処理部３０に
おいて静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送
する第２の搬送機構４６と、該第２の搬送機構４６によ
って搬送された複数の基板に対してそれぞれ色素塗布液
を塗布する色素塗布機構４８と、色素塗布処理を終えた
基板を１枚ずつ次工程に搬送する第３の搬送機構５０と
を有する。この色素塗布機構４８は６つのスピンコート
装置５２を有して構成されている。

【００４０】第３の処理部３４は、前記第３の搬送機構
５０にて搬送された１枚の基板の裏面を洗浄する裏面洗
浄機構５４と、裏面洗浄を終えた基板を次工程に搬送す
る第４の搬送機構５６と、該第４の搬送機構５６によっ
て搬送された基板に対してロット番号等の刻印をインク
ジェット印刷にて行う番号付与機構５８と、ロット番号
等の刻印を終えた基板を次工程に搬送する第５の搬送機
構６０と、該第５の搬送機構６０によって搬送された基
板に対して欠陥の有無並びに色素記録層の膜厚の検査を
行う第１の実施の形態に係る欠陥検査装置６２と、該欠
陥検査装置６２での検査結果に応じて基板を正常品用の
スタックポール６４あるいはＮＧ用のスタックポール６
６に選別する選別機構６８とを有する。

【００４１】第１の処理部３０と第２の処理部３２との
間に第１の仕切板７０が設置され、第２の処理部３２と
第３の処理部３４との間にも同様に第２の仕切板７２が
設置されている。第１の仕切板７０の下部には、第２の
搬送機構４６による基板の搬送経路を塞がない程度の開
口（図示せず）が形成され、第２の仕切板７２の下部に
は、第３の搬送機構５０による基板の搬送経路を塞がな
い程度の開口（図示せず）が形成されている。

【００４２】後処理設備１６は、塗布設備１４から搬送
された正常品用のスタックポール６４を収容するための
スタックポール収容部８０と、該スタックポール収容部
８０に収容されたスタックポール６４から１枚ずつ基板
を取り出して次工程に搬送する第６の搬送機構８２と、
該第６の搬送機構８２によって搬送された１枚の基板に
対して静電気の除去を行う第１の静電ブロー機構８４
と、静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送す
る第７の搬送機構８６と、該第７の搬送機構８６によっ
て搬送された基板の一主面に光反射層をスパッタリング
にて形成するスパッタ機構８８と、光反射層のスパッタ
リングを終えた基板を次工程に順次搬送する第８の搬送
機構９０と、該第８の搬送機構９０によって搬送された
基板の周縁（エッジ部分）を洗浄するエッジ洗浄機構９
２とを有する。

【００４３】また、この後処理設備１６は、エッジ洗浄
を終えた基板に対して静電気の除去を行う第２の静電ブ
ロー機構９４と、静電ブロー処理を終えた基板の一主面
に対してＵＶ硬化液を塗布するＵＶ硬化液塗布機構９６
と、ＵＶ硬化液の塗布を終えた基板を高速回転させて基
板上のＵＶ硬化液の塗布厚を均一にするスピン機構９８
と、ＵＶ硬化液の塗布及びスピン処理を終えた基板に対
して紫外線を照射することによりＵＶ硬化液を硬化させ
て基板の一主面に保護層を形成するＵＶ照射機構１００
と、前記基板を第２の静電ブロー機構９４、ＵＶ硬化液
塗布機構９６、スピン機構９８及びＵＶ照射機構１００
にそれぞれ搬送する第９の搬送機構１０２と、ＵＶ照射
された基板を次工程に搬送する第１０の搬送機構１０４
と、該第１０の搬送機構１０４によって搬送された基板
に対して記録層塗布面と保護層面の欠陥を検査するため
の第２の実施の形態に係る欠陥検査装置１０６と、基板
に形成されたグルーブによる信号特性を検査するための
特性検査機構１０８と、これら欠陥検査装置１０６及び
特性検査機構１０８での検査結果に応じて基板を正常品
用のスタックポール１１０あるいはＮＧ用のスタックポ
ール１１２に選別する選別機構１１４とを有する。

【００４４】ここで、１つのスピンコート装置５２の構
成について図２〜図６を参照しながら説明する。

【００４５】このスピンコート装置５２は、図２及び図
３に示すように、塗布液付与装置４００、スピナーヘッ
ド装置４０２及び飛散防止壁４０４を有して構成されて
いる。塗布液付与装置４００は、塗布液が充填された加
圧タンク（図示せず）と、該加圧タンクからノズル４０
６に引き回されたパイプ（図示せず）と、ノズル４０６
から吐出される塗布液の量を調整するための吐出量調整
バルブ４０８とを有し、塗布液は前記ノズル４０６を通
してその所定量が基板２０２の表面上に滴下されるよう
になっている。この塗布液付与装置４００は、ノズル４
０６を下方に向けて支持する支持板４１０と該支持板４
１０を水平方向に旋回させるモータ４１２とを有するハ
ンドリング機構４１４によって、待機位置から基板２０
２の上方の位置に旋回移動できるように構成されてい
る。

【００４６】スピナーヘッド装置４０２は、前記塗布液
付与装置４００の下方に配置されており、着脱可能な固
定具４２０により基板２０２が水平に保持されると共
に、駆動モータ（図示せず）により軸回転が可能とされ
ている。

【００４７】固定具４２０により水平に保持された状態
で回転している基板２０２上に、上記の塗布液付与装置
４００のノズル４０６から滴下した塗布液は、基板２０
２の表面上を外周側に流延する。そして、余分の塗布液
は基板２０２の外周縁部で振り切られ、その外側に放出
され、次いで塗膜が乾燥されることにより、基板２０２
の表面上に塗膜（色素記録層２０４）が形成される。

【００４８】飛散防止壁４０４は、基板２０２の外周縁
部から外側に放出された余分の塗布液が周辺に飛散する
のを防止するために設けられており、上部に開口４２２
が形成されるようにスピナーヘッド装置４０２の周囲に
配置されている。飛散防止壁４０４を介して集められた
余分の塗布液はドレイン４２４を通して回収されるよう
になっている。

【００４９】また、第２の処理部３２（図１参照）にお
ける各スピンコート装置５２の局所排気は、前記飛散防
止壁４０４の上方に形成された開口４２２から取り入れ
た空気を基板２０２の表面上に流通させた後、各スピナ
ーヘッド装置４０２の下方に取り付けられた排気管４２
６を通じて排気されるようになっている。

【００５０】塗布液付与装置４００のノズル４０６は、
図４及び図５に示すように、軸方向に貫通孔４３０が形
成された細長い円筒状のノズル本体４３２と、該ノズル
本体４３２を支持板４１０（図３参照）に固定するため
の取付部４３４を有する。ノズル本体４３２は、その先
端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又は内
側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表面を
有する。このフッ素化合物としては、例えばポリテトラ
フルオロエチレンやポリテトラフルオロエチレン含有物
等を使用することができる。

【００５１】この実施の形態で用いられる好ましいノズ
ル４０６の例としては、例えば、図５に示すように、ノ
ズル本体４３２の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上
の範囲をフッ素化合物を用いて形成したノズル４０６
や、図６に示すように、ノズル本体４３２の先端面４４
０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面４４２及び４４４をフッ素
化合物を用いて被覆したノズル４０６を挙げることがで
きる。

【００５２】ノズル本体４３２の先端面及びその先端面
から１ｍｍ以上の範囲をフッ素化合物で形成する場合、
強度などを考慮すると、実用的には、例えばノズル本体
４３２をステンレススチールで形成し、その先端面及び
その先端面から最大で５ｍｍの範囲をフッ素化合物で形
成することが好ましい。

【００５３】また、図６に示すように、ノズル本体４３
２の先端面４４０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上
の範囲の外側又は内側、あるいは両方の壁面４４２及び
４４４をフッ素化合物で被覆する場合、ノズル本体４３
２の先端面４４０から１０ｍｍ以上、更に好ましくは、
ノズル本体４３２の全領域をフッ素化合物で被覆するこ
とが好ましい。被覆する場合のその厚みは、特に制限は
ないが、５〜５００μｍの範囲内が適当である。また、
ノズル本体４３２の材質としては、上記のように、ステ
ンレススチールが好ましい。ノズル本体４３２に形成さ
れた貫通孔４３０の径は一般に０．５〜１．０ｍｍの範
囲である。

【００５４】次に、この製造システム１０によって光デ
ィスクを製造する過程について図７Ａ〜図８Ｂの工程図
も参照しながら説明する。

【００５５】まず、第１及び第２の成形設備１２Ａ及び
１２Ｂにおける成形機２０において、ポリカーボネート
などの樹脂材料が射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形
されて、図７Ａに示すように、一主面にトラッキング用
溝又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）２
００が形成された基板２０２が作製される。

【００５６】前記基板２０２の材料としては、例えばポ
リカーボネート、ポリメタルメタクリレート等のアクリ
ル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化
ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン及びポリエステルなどを挙げることができ、所望に
よりそれらを併用してもよい。上記の材料の中では、耐
湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネー
トが好ましい。また、グルーブ２００の深さは、０．０
１〜０．３μｍの範囲内であることが好ましく、その半
値幅は、０．２〜０．９μｍの範囲内であることが好ま
しい。

【００５７】成形機２０から取り出された基板２０２
は、後段の冷却部２２において冷却された後、一主面が
下側に向けられてスタックポール２４に積載される。ス
タックポール２４に所定枚数の基板２０２が積載された
段階で、スタックポール２４はこの成形設備１２Ａ及び
１２Ｂから取り出されて、次の塗布設備１４に搬送さ
れ、該塗布設備１４におけるスタックポール収容部４０
に収容される。この搬送は、台車で行ってもよいし、自
走式の自動搬送装置で行うようにしてもよい。

【００５８】スタックポール２４がスタックポール収容
部４０に収容された段階で、第１の搬送機構４２が動作
し、スタックポール２４から１枚ずつ基板２０２を取り
出して、後段の静電ブロー機構４４に搬送する。静電ブ
ロー機構４４に搬送された基板２０２は、該静電ブロー
機構４４において静電気が除去された後、第２の搬送機
構４６を介して次の色素塗布機構４８に搬送され、６つ
のスピンコート装置５２のうち、いずれか１つのスピン
コート装置５２に投入される。スピンコート装置５２に
投入された基板２０２は、その一主面上に色素塗布液が
塗布された後、高速に回転されて塗布液の厚みが均一に
された後、乾燥処理が施される。これによって、図７Ｂ
に示すように、基板２０２の一主面上に色素記録層２０
４が形成されることになる。

【００５９】即ち、スピンコート装置５２に投入された
基板２０２は、図２に示すスピナーヘッド装置４０２に
装着され、固定具４２０により水平に保持される。次
に、加圧式タンクから供給された塗布液は、吐出量調整
バルブ４０８によって所定量が調整され、基板２０２上
の内周側にノズル４０６を通して滴下される。

【００６０】このノズル４０６は、上述したように、そ
の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表
面を有しているため、塗布液の付着が生じにくく、ま
た、これが乾燥して色素の析出やその堆積物が生じにく
く、従って、塗膜を塗膜欠陥などの障害を伴うことなく
スムーズに形成させることができる。

【００６１】なお、塗布液としては色素を適当な溶剤に
溶解した色素溶液が用いられる。塗布液中の色素の濃度
は一般に０．０１〜１５重量％の範囲内、好ましくは
０．１〜１０重量％の範囲内、特に好ましくは０．５〜
５重量％の範囲内、最も好ましくは０．５〜３重量％の
範囲内である。

【００６２】駆動モータによってスピナーヘッド装置４
０２は高速回転が可能である。基板２０２上に滴下され
た塗布液は、スピナーヘッド装置４０２の回転により、
基板２０２の表面上を外周方向に流延し、塗膜を形成し
ながら基板２０２の外周縁部に到達する。外周縁部に到
達した余分の塗布液は、更に遠心力により振り切られ、
基板２０２の縁部の周囲に飛散する。飛散した余分の塗
布液は飛散防止壁４０４に衝突し、更にその下方に設け
られた受皿に集められた後、ドレイン４２４を通して回
収される。塗膜の乾燥はその形成過程及び塗膜形成後に
行われる。塗膜（色素記録層）２０４の厚みは、一般に
２０〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは５０〜３００ｎ
ｍの範囲内に設けられる。

【００６３】色素記録層２０４に用いられる色素は特に
限定されない。使用可能な色素の例としては、シアニン
色素、フタロシアニン系色素、イミダゾキノキサリン系
色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレニ
ウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなどの
金属錯塩系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色
素、トリフェニルメタン系色素、メロシアニン系色素、
オキソノール系色素、アミニウム系・ジインモニウム系
色素及びニトロソ化合物を挙げることができる。これら
の色素のうちでは、シアニン色素、フタロシアニン系色
素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、オキ
ソノール系色素及びイミダゾキノキサリン系色素が好ま
しい。

【００６４】色素記録層２０４を形成するための塗布剤
の溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテー
トなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの
塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；
シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノー
ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，
２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノールなどのフ
ッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル
類などを挙げることができる。

【００６５】前記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮し
て単独または二種以上を適宜併用することができる。好
ましくは、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパ
ノールなどのフッ素系溶剤である。なお、塗布液中に
は、所望により退色防止剤や結合剤を添加してもよい
し、更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、そして潤滑
剤など各種の添加剤を、目的に応じて添加してもよい。

【００６６】退色防止剤の代表的な例としては、ニトロ
ソ化合物、金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩
を挙げることができる。これらの例は、例えば、特開平
２−３００２８８号、同３−２２４７９３号、及び同４
−１４６１８９号等の各公報に記載されている。

【００６７】結合剤の例としては、ゼラチン、セルロー
ス誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機
高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・
ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹
脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポ
キシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・
ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物な
どの合成有機高分子を挙げることができる。

【００６８】結合剤を使用する場合に、結合剤の使用量
は、色素１００重量部に対して、一般に２０重量部以下
であり、好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５
重量部以下である。

【００６９】なお、色素記録層２０４が設けられる側の
基板表面には、平面性の改善、接着力の向上および記録
層の変質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよ
い。

【００７０】下塗層の材料としては例えば、ポリメチル
メタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、
スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコ
ール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニ
ルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、
ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフ
ィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビ
ニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子
物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤を
挙げることができる。

【００７１】下塗層は、前記物質を適当な溶剤に溶解ま
たは分散して塗布液を調整した後、この塗布液をスピン
コート、ディップコート、エクストルージョンコートな
どの塗布法を利用して基板表面に塗布することにより形
成することができる。下塗層の層厚は一般に０．００５
〜２０μｍの範囲内、好ましくは０．０１〜１０μｍの
範囲内に設けられる。

【００７２】色素記録層２０４が形成された基板２０２
は、第３の搬送機構５０を介して次の裏面洗浄機構５４
に搬送され、基板２０２の一主面の反対側の面（裏面）
が洗浄される。その後、基板２０２は、第４の搬送機構
５６を介して次の番号付与機構５８に搬送され、基板２
０２の一主面又は裏面に対してロット番号等の刻印が行
われる。

【００７３】その後、基板２０２は、第５の搬送機構６
０を介して次の第１の実施の形態に係る欠陥検査装置６
２に搬送され、基板２０２の欠陥の有無や色素記録層２
０４の膜厚の検査が行われる。この検査は、基板２０２
の裏面から光を照射してその光の透過状態を例えばＣＣ
Ｄカメラで画像処理することによって行われる。この欠
陥検査装置６２での検査結果は次の選別機構６８に送ら
れる。この欠陥検査装置６２の構成及びその処理動作の
説明は、後で詳述する。

【００７４】上述の検査処理を終えた基板２０２は、そ
の検査結果に基づいて選別機構６８によって正常品用の
スタックポール６４か、ＮＧ用のスタックポール６６に
搬送選別される。

【００７５】正常品用のスタックポール６４に所定枚数
の基板２０２が積載された段階で、正常品用のスタック
ポール６４はこの塗布設備１４から取り出されて、次の
後処理設備１６に搬送され、該後処理設備１６のスタッ
クポール収容部８０に収容される。この搬送は、台車で
行ってもよいし、自走式の自動搬送装置で行うようにし
てもよい。

【００７６】正常品用のスタックポール６４がスタック
ポール収容部８０に収容された段階で、第６の搬送機構
８２が動作し、スタックポール６４から１枚ずつ基板２
０２を取り出して、後段の第１の静電ブロー機構８４に
搬送する。第１の静電ブロー機構８４に搬送された基板
２０２は、該第１の静電ブロー機構８４において静電気
が除去された後、第７の搬送機構８６を介して次のスパ
ッタ機構８８に搬送される。スパッタ機構８８に投入さ
れた基板２０２は、図７Ｃに示すように、その一主面
中、周縁部分（エッジ部分）２０６を除く全面に光反射
層２０８がスパッタリングによって形成される。

【００７７】光反射層２０８の材料である光反射性物質
はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例と
しては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属ある
いはステンレス鋼を挙げることができる。

【００７８】これらのうち、好ましいものは、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼で
ある。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは
二種以上を組み合わせて用いてもよい。または合金とし
て用いてもよい。特に好ましくはＡｕ、Ａｇもしくはそ
の合金である。

【００７９】光反射層２０８は、例えば、前記光反射性
物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティン
グすることにより記録層の上に形成することができる。
反射層の層厚は、一般的には１０〜８００ｎｍの範囲
内、好ましくは２０〜５００ｎｍの範囲内、更に好まし
くは５０〜３００ｎｍの範囲内に設けられる。

【００８０】光反射層２０８が形成された基板２０２
は、第８の搬送機構９０を介して次のエッジ洗浄機構９
２に搬送され、図８Ａに示すように、基板２０２の一主
面中、エッジ部分２０６が洗浄されて、該エッジ部分２
０６に形成されていた色素記録層２０４が除去される。
その後、基板２０２は、第９の搬送機構１０２を介して
次の第２の静電ブロー機構９４に搬送され、静電気が除
去される。

【００８１】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介してＵＶ硬化液塗布機構９６に搬送
され、基板２０２の一主面の一部分にＵＶ硬化液が滴下
される。その後、基板２０２は、同じく前記第９の搬送
機構１０２を介して次のスピン機構９８に搬送され、高
速に回転されることにより、基板２０２上に滴下された
ＵＶ硬化液の塗布厚が基板全面において均一にされる。

【００８２】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介して次のＵＶ照射機構１００に搬送
され、基板２０２上のＵＶ硬化液に対して紫外線が照射
される。これによって、図８Ｂに示すように、基板２０
２の一主面上に形成された色素記録層２０４と光反射層
２０８を覆うようにＵＶ硬化樹脂による保護層２１０が
形成されて光ディスクＤとして構成されることになる。

【００８３】保護層２１０は、色素記録層２０４などを
物理的及び化学的に保護する目的で光反射層２０８上に
設けられる。保護層２１０は、基板２０２の色素記録層
２０４が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高め
る目的で設けることができる。保護層２１０で使用され
る材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、Ｍｇ
Ｆ ₂ 、ＳｎＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の無機物質、及び熱可塑
性樹脂、熱硬化性樹脂、そしてＵＶ硬化性樹脂等の有機
物質を挙げることができる。

【００８４】保護層２１０は、例えば、プラスチックの
押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層
２０８上及び／または基板２０２上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これら
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調整したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥させることによっても形成すること
ができる。

【００８５】ＵＶ硬化性樹脂の場合には、上述したよう
に、そのまま、もしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を
調整したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬
化させることによって形成することができる。これらの
塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収
剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護
層２１０の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲内
に設けられる。

【００８６】その後、光ディスクＤは、第１０の搬送機
構１０４を介して次の第２の実施の形態に係る欠陥検査
装置１０６と特性検査機構１０８に搬送され、色素記録
層２０４の面と保護層２１０の面における欠陥の有無や
光ディスクＤの基板２０２に形成されたグルーブ２００
による信号特性が検査される。これらの検査は、光ディ
スクＤの両面に対してそれぞれ光を照射してその反射光
を例えばＣＣＤカメラで画像処理することによって行わ
れる。これらの欠陥検査装置１０６及び特性検査機構１
０８での各検査結果は次の選別機構１１４に送られる。
第２の実施の形態に係る欠陥検査装置１０６の構成及び
その処理動作は、後で詳述する。

【００８７】上述の欠陥検査処理及び特性検査処理を終
えた光ディスクＤは、各検査結果に基づいて選別機構１
１４によって正常品用のスタックポール１１０か、ＮＧ
用のスタックポール１１２に搬送選別される。

【００８８】正常品用のスタックポール１１０に所定枚
数の光ディスクＤが積載された段階で、該スタックポー
ル１１０が後処理設備１６から取り出されて図示しない
ラベル印刷工程に投入される。

【００８９】次に、第１及び第２に実施の形態に係る欠
陥検査装置６２及び１０６について図９〜図１５を参照
しながら説明する。

【００９０】これら第１及び第２の実施の形態に係る欠
陥検査装置６２及び１０６は、図９に示すように、同様
の構成を有し、基台３００上に３つの部屋３０２、３０
４及び３０６が積み上げられた形態の外観を有する。

【００９１】中段の部屋３０４の外側には、基板２０２
を水平状態にしたまま回転自在に保持するチャッキング
機構３０８が設置されている。このチャッキング機構３
０８は、基板２０２の中央を真空吸着するための吸引部
３１０と、該吸引部３１０を回転自在に支持するハウジ
ング部３１２とを有し、前記吸引部３１０にはハウジン
グ部３１２の下方まで延びる回転軸３１４が設けられて
いる。

【００９２】中段の部屋３０４内には、基板２０２を回
転駆動するための駆動モータ３１６が設置され、前記吸
引部３１０の回転軸３１４には、前記駆動モータ３１６
の駆動力を伝達させるためのベルト３１８が掛けられて
いる。

【００９３】下段の部屋３０２内には、基台３００上に
固定された支持台３２０と、該支持台３２０上に固定さ
れ、かつ、光照射手段としての例えばハロゲンランプユ
ニット３２２と、該ハロゲンランプユニット３２２から
出射された光Ｌを上方に導く全反射ミラーユニット３２
４と、該全反射ミラーユニット３２４によって導かれた
光Ｌを基板２０２に集光させるコリメータレンズユニッ
ト３２６と、基板２０２からの反射光Ｌｒの光路に沿っ
て設置された支持板３２８と、該支持板３２８に取り付
けられ、かつ、受光面が基板２０２側に向けて設置され
た例えばＣＣＤによる反射光検出ユニット３３０と、前
記支持板３２８に取り付けられ、かつ、前記基板２０２
からの反射光Ｌｒを前記反射光検出ユニット３３０に結
像させる結像レンズユニット３３２とが設置されてい
る。

【００９４】一方、上段の部屋３０６内には、例えばＣ
ＣＤによる透過光検出ユニット３３４と、基板２０２を
透過した光Ｌｔを前記透過光検出ユニット３３４に導く
全反射ミラーユニット３３６と、基板２０２からの透過
光Ｌｔを前記全反射ミラーユニット３３６に集光させる
コリメータレンズユニット３３８とが設置されている。

【００９５】下段の部屋３０２の上部のうち、前記ハロ
ゲンランプユニット３２２から出射された光Ｌの光路と
交わる部分にはガラス等の透光板３４０が例えば嵌め殺
し方式で固定され、上段の部屋３０６の下部のうち、前
記基板２０２からの透過光Ｌｔの光路と交わる部分には
ガラス等の透光板３４２が例えば嵌め殺し方式で固定さ
れている。

【００９６】なお、基台３００の下部には、この欠陥検
査装置６２又は１０６への不要な振動の伝達を防ぐため
の防振ゴム３４４が設置されている。

【００９７】次に、この第１及び第２の実施の形態に係
る欠陥検査装置６２及び１０６の処理動作について説明
する。

【００９８】まず、第１の実施の形態に係る欠陥検査装
置６２においては、第５の搬送機構６０（図１参照）を
介して当該欠陥検査装置６２に搬送された基板２０２
が、チャッキング機構３０８の吸引部３１０にてその中
央部分が吸着され、駆動モータ３１６によって一方向に
回転駆動される。

【００９９】この段階で、ハロゲンランプユニット３２
２から光Ｌが出射され、全反射ミラーユニット３２４及
びコリメータレンズユニット３２６を介して前記光Ｌが
基板２０２に照射される。この製造段階においては、色
素記録層２０４（図７Ｂ参照）の上に光反射層２０８
（図８Ａ参照）が形成されていないため、光Ｌはそのま
ま色素記録層２０４を透過し、透過光Ｌｔとしてコリメ
ータレンズユニット３３８及び全反射ミラーユニット３
３６を介して透過光検出ユニット３３４に入射される。

【０１００】そして、この透過光検出ユニット３３４に
おいて、前記入射された透過光Ｌｔの光量に応じた例え
ば電圧レベルを有する検出信号Ｓ１が取り出されること
になる（図１０Ｂ参照）。

【０１０１】一方、第２の実施の形態に係る欠陥検査装
置１０６においては、第１０の搬送機構１０４（図１参
照）を介して当該欠陥検査装置１０６に搬送された基板
２０２が、チャッキング機構３０８の吸引部３１０にて
その中央部分が吸着され、駆動モータ３１６によって一
方向に回転駆動される。

【０１０２】この段階で、ハロゲンランプユニット３２
２から光Ｌが出射され、全反射ミラーユニット３２４及
びコリメータレンズユニット３２６を介して前記光Ｌが
基板２０２に照射される。この製造段階においては、色
素記録層２０４の上に光反射層２０８（図８Ａ参照）が
形成されているため、光Ｌは色素記録層２０４と光反射
層２０８との界面で反射し、反射光Ｌｒとして結像レン
ズユニット３３２を介して反射光検出ユニット３３０に
入射される。

【０１０３】そして、この反射光検出ユニット３３０に
おいて、前記入射された反射光Ｌｒの光量に応じた例え
ば電圧レベルを有する検出信号Ｓ２（図１０Ｂ参照）が
取り出されることになる。

【０１０４】ところで、図１０Ａに示すように、基板２
０２に形成された色素記録層２０４内、あるいはこれに
接して異物６００が存在すると、異物６００を核に欠陥
が大きく成長することがあり、この欠陥のサイズが１０
０μｍ以下であっても、最終的に６００μｍ以上になる
ことがある。この図１０Ａにおいて、一点鎖線で示す枠
は、透過光検出ユニット３３４あるいは反射光検出ユニ
ット３３０において１回のスキャンで撮像される領域を
示す。

【０１０５】また、欠陥のサイズが１００μｍ以上であ
っても、最終的に６００μｍ以上に成長しない場合もあ
る。これは、一般にハレーやコメットと呼ばれる欠陥
（以下、便宜的にハレー欠陥と記す）６０２で、色素塗
布時に異物６００が存在すると、その周辺の色素塗布液
の流れに乱れが生じ、欠陥となるものである。

【０１０６】つまり、このハレー欠陥６０２は、色素記
録層２０４が未形成である欠陥として認識することがで
きる。

【０１０７】もっとも、ハレー欠陥６０２においても、
その中心に異物６００が存在し、この異物６００のサイ
ズが大きいと、最終的に６００μｍ以上の欠陥になるこ
ともある。

【０１０８】この関係を調べたところ、図１１に示すよ
うな結果となった。これにより、異物６００のサイズが
５０μｍ以上であると欠陥が大きく成長することがわか
った（サンプルｅ及びｆ参照）。ハレー欠陥６０２の場
合には、そのサイズが５０μｍ以上であっても異物６０
０のサイズが５０μｍ以下であれば問題はない（サンプ
ルａ、ｃ及びｄ参照）。

【０１０９】異物６００が成長するメカニズムは、色素
の結晶化か、異物６００からの不純物の染み出しによる
色素記録層２０４の劣化と考えられる。

【０１１０】図１１において、最終欠陥サイズとは、光
ディスクＤを温度約８０℃、湿度約８５％で保存した後
の欠陥サイズである。最終というのは、もはや色素記録
層２０４の性能が発揮できなくなり、欠陥のサイズに依
存せずに記録上のエラーが発生する時間である。この例
では５００時間であった。

【０１１１】色素記録層２０４の種類によって最終まで
の時間は異なってくるし、欠陥の成長の度合いも変わっ
てくるが、光ディスクＤを温度約８０℃、湿度約８５％
で、もはや色素記録層２０４の性能が発揮できなくな
り、欠陥のサイズに依存せずに記録上のエラーが発生す
る時間だけ保存した後における欠陥のサイズを最終欠陥
サイズとすることにより、光ディスクＤの製造工程で成
長する欠陥と成長しない欠陥を確実に見つけ出すための
サイズ上の指標を得ることができ、欠陥検査工程の精度
の向上並びに光ディスクＤの品質の向上を図ることがで
きる。

【０１１２】そして、上述の方法で見つけ出したサイズ
上の指標に基づいて、色素塗布後に、第１及び第２の実
施の形態に係る欠陥検査装置６２及び１０６によって、
問題となる欠陥がある基板２０２を排除することによ
り、良好な特性を有する光ディスクＤを得ることができ
る。

【０１１３】この場合、異物６００のみについては、例
えば５０μｍ以上の欠陥がある基板２０２を排除すれば
よい。確実性を期すためには、ハレー欠陥６０２につい
ては、少なくとも３００μｍ以上のハレー欠陥６０２を
有する基板２０２を排除すればよい。ここで、少なくと
も３００μｍ以上とは、ハレー欠陥６０２のサイズが３
００μｍ以上であれば必ず排除されることを示し、ハレ
ー欠陥６０２のサイズが３００μｍ未満であっても光デ
ィスクＤの特性によっては、排除される場合もあること
を示すものである。

【０１１４】なお、上述の欠陥サイズ決定方法で、サイ
ズが例えば２００μｍ以上のハレー欠陥６０２が問題と
なることがわかったとしても、２００μｍ以上を欠陥検
査におけるサイズ上の指標にするとは限らず、安全を見
て１５０μｍ以上を示す場合に不良として判定したり、
少しぐらいの量であれば問題が発生してもよいという場
合は、例えば２５０μｍ以上を示す場合に不良として判
定することもある。

【０１１５】ハレー欠陥６０２と異物６００は、後述す
るように信号処理系５００（図１２参照）にて区別する
ことができる。この場合、第１及び第２の実施の形態に
示すように、ＣＣＤセンサによる欠陥検査を用いること
が好ましい。

【０１１６】即ち、ＣＣＤセンサによる検査方式を用い
た場合、基板２０２をライン状にスキャンし、透過率あ
るいは反射率の変動を検知してハレー欠陥６０２や異物
６００の有無を判断することができるからである。ハレ
ー欠陥６０２と異物６００とでは、検出信号Ｓ１及びＳ
２のプロファイルが異なるため、簡単に区別することが
できる。

【０１１７】次に、この第１及び第２の実施の形態に係
る欠陥検査装置６２及び１０６の信号処理系のうち、特
に欠陥検査に関する信号処理系５００について図１２〜
図１５を参照しながら説明する。

【０１１８】この欠陥検査に関する信号処理系５００
は、図１２に示すように、透過光検出ユニット３３４あ
るいは反射光検出ユニット３３０からの検出信号Ｓ１あ
るいはＳ２の電圧レベルＶｉ（以下、単に検出レベルＶ
ｉと記す）とハレー欠陥検出用のしきい値Ｖａとを比較
し、検出レベルＶｉが該しきい値Ｖａよりも大きい期間
において高レベルの信号Ｓａを出力する第１のコンパレ
ータ５０２と、検出レベルＶｉと異物検出用のしきい値
Ｖｂとを比較し、検出レベルＶｉが該しきい値Ｖｂより
も大きい期間において高レベルの信号Ｓｂを出力する第
２のコンパレータ５０４と、検出レベルＶｉと第１のサ
イズ検出用レベルＶｃとを比較し、検出レベルＶｉが第
１のサイズ検出用レベルＶｃよりも大きい期間において
高レベルの信号Ｓｃを出力する第３のコンパレータ５０
６と、検出レベルＶｉと第２のサイズ検出用レベルＶｄ
とを比較し、検出レベルＶｉが第２のサイズ検出用レベ
ルＶｄよりも大きい期間において高レベルの信号Ｓｄを
出力する第４のコンパレータ５０８とを有する。

【０１１９】ハレー欠陥検出用のしきい値Ｖａは、図１
３に示すように、正規の厚みを有する色素記録層２０４
からの透過光のレベルあるいは反射光のレベルを１００
％としたとき、例えば１１０％のレベルが選ばれ、異物
検出用のしきい値Ｖｂは、例えば９０％のレベルが選ば
れる。

【０１２０】第１のサイズ検出用レベルＶｃは、正規の
厚みを有する色素記録層２０４からの透過光のレベルあ
るいは反射光のレベルを１００％としたとき、例えば１
０２％のレベルが選ばれ、第２のサイズ検出用レベルＶ
ｄは、例えば９８％のレベルが選ばれる。

【０１２１】また、この信号処理系５００は、前記第３
のコンパレータ５０６の後段に接続され、かつ、該第３
のコンパレータ５０６の出力Ｓｃが高レベルになった時
点ｔ１から基準クロックＰｃの計数を開始し、リセット
端子Ｒに高レベルの信号が入力された時点で前記計数を
終了して該計数値Ｄａを出力すると同時に計数値Ｄａを
リセットする第１のカウンタ５１０と、前記第４のコン
パレータ５０８の後段にＮＯＴ回路５１２を介して接続
され、該ＮＯＴ回路５１２の出力Ｓｅが高レベル（第４
のコンパレータ５０８の出力Ｓｄが低レベル）になった
時点ｔ２から基準クロックＰｃの計数を開始し、リセッ
ト端子Ｒに高レベルの信号が入力された時点で前記計数
を終了して該計数値Ｄｂを出力すると同時に計数値Ｄｂ
をリセットする第２のカウンタ５１４とを有する。

【０１２２】また、この信号処理系５００は、前記第１
のカウンタ５１０の後段に、該第１のカウンタ５１０か
ら供給される計数値Ｄａに基づいてサイズデータＤｃに
換算する計数値／サイズ換算回路５１６と、該計数値／
サイズ換算回路５１６からのサイズデータＤｃと、第１
の参照レジスタ５１８に格納されているハレー欠陥６０
２のしきいサイズデータＤｄとを比較して、前記サイズ
データＤｃが示す値が前記しきいサイズデータＤｄが示
す値よりも小さい場合に、良品を示す高レベル信号Ｓｆ
（論理的に「１」）を出力し、前記サイズデータＤｃが
示す値が前記しきいサイズデータＤｄが示す値以上の場
合に、不良品を示す低レベル信号Ｓｆ（論理的に
「０」）を出力する第１の判定回路５２０が接続されて
いる。

【０１２３】第１の参照レジスタ５１８に格納されてい
るハレー欠陥６０２のしきいサイズデータＤｄが示す値
は、基板２０２を不良品として認めるハレー欠陥６０２
のサイズの下限値（基準値）であり、例えば３００μ
ｍ、２５０μｍ、２００μｍ等の値が使用される。

【０１２４】一方、第２のカウンタ５１４の後段には、
該第２のカウンタ５１４から供給される計数値Ｄｂに基
づいてサイズデータＤｅに換算する計数値／サイズ換算
回路５２２と、該計数値／サイズ換算回路５２２からの
サイズデータＤｅと、第２の参照レジスタ５２４に格納
されている異物６００のしきいサイズデータＤｆとを比
較して、前記サイズデータＤｅが示す値が前記しきいサ
イズデータＤｆが示す値よりも小さい場合に、良品を示
す高レベル信号Ｓｇ（論理的に「１」）を出力し、前記
サイズデータＤｅが示す値が前記しきいサイズデータＤ
ｆが示す値以上の場合に、不良品を示す低レベル信号Ｓ
ｇ（論理的に「０」）を出力する第２の判定回路５２６
が接続されている。

【０１２５】第２の参照レジスタ５２４に格納されてい
る異物６００のしきいサイズデータＤｆが示す値は、基
板２０２を不良品として認める異物６００のサイズの下
限値（基準値）であり、例えば１００μｍ、７０μｍ、
５０μｍ等の値が使用される。

【０１２６】また、この信号処理系５００は、第１のコ
ンパレータ５０２の後段に例えばＳＲフリップフロップ
回路からなる第１のラッチ回路５３０が接続され、第２
のコンパレータ５０４の後段にもＮＯＴ回路５３２を介
して例えばＳＲフリップフロップ回路からなる第２のラ
ッチ回路５３４が接続されている。

【０１２７】具体的には、第１のラッチ回路５３０のセ
ット端子Ｓには第１のコンパレータ５０２の出力Ｓａが
入力され、第２のラッチ回路５３４のセット端子Ｓに第
２のコンパレータ５０４の出力Ｓｂが入力され、各ラッ
チ回路５３０及び５３４のリセット端子Ｒに第４のコン
パレータ５０８の出力Ｓｄが遅延回路５３６を介して入
力されるように配線接続されている。

【０１２８】つまり、前記第１のラッチ回路５３０は、
図１３に示すように、第１のコンパレータ５０２の出力
Ｓａが高レベルとなってハレー欠陥６０２が検出された
時点ｔ１でその出力が高レベルとされ、異物６００のサ
イズの検出が終了した時点ｔ４から遅延回路５３６での
遅延時間τを加算した時間が経過した時点ｔ５において
低レベルとなる信号Ｗ１を出力する。

【０１２９】遅延時間τとしては、例えば計数値／サイ
ズ換算回路５１６及び５２２と判定回路５２０及び５２
６での処理時間を考慮した時間（例えば数ｎｓｅｃ〜数
μｓｅｃ）に設定される。この第１のラッチ回路５３０
から出力される信号Ｗ１は、ハレー欠陥６０２が検出さ
れたことを示すウィンドウパルスとして使用される。

【０１３０】前記第２のラッチ回路５３４は、第２のコ
ンパレータ５０４の出力Ｓｂが高レベルとなって異物６
００が検出された時点ｔ３でその出力が高レベルとさ
れ、異物６００のサイズの検出が終了した時点ｔ４から
遅延回路５３６での遅延時間τを加算した時間が経過し
た時点ｔ５において低レベルとなる信号Ｗ２を出力す
る。この第２のラッチ回路５３４から出力される信号Ｗ
２は、異物６００が検出されたことを示すウィンドウパ
ルスとして使用される。なお、遅延回路５３６として
は、数個のＮＯＴ回路を直列接続したものを使用するこ
とができる。

【０１３１】そして、第１のラッチ回路５３０の出力
（信号）Ｗ１と前記第１の判定回路５２０の出力Ｓｆが
それぞれ第１のＡＮＤ回路５４０に入力され、第２のラ
ッチ回路５３４の出力（信号）Ｗ２と前記第２の判定回
路５２６の出力Ｓｇがそれぞれ第２のＡＮＤ回路５４２
に入力され、これら第１及び第２のＡＮＤ回路５４０及
び５４２からの出力Ｓｈ及びＳｉがそれぞれＯＲ回路５
４４に入力されるように配線接続され、このＯＲ回路５
４４からの出力Ｓｊがこの信号処理系５００の出力とし
て取り出されるようになっている。

【０１３２】そして、図１４に示すように、検出レベル
Ｖｉがハレー欠陥検出用のしきい値Ｖａ未満でハレー欠
陥６０２が小さい場合は、第１のラッチ回路５３０から
出力される信号Ｗ１は低レベル（論理的に「０」）とな
るため、第１の判定回路５２０の出力Ｓｆに拘わらずハ
レー欠陥６０２についての判定は「良」となる。

【０１３３】検出レベルＶｉがハレー欠陥検出用のしき
い値Ｖａ以上でハレー欠陥６０２が大きい場合は、第１
のラッチ回路５３０から出力される信号Ｗ１は高レベル
（論理的に「１」）となるため、第１の判定回路５２０
から出力されるハレー欠陥６０２のサイズに応じた判定
結果がそのままハレー欠陥６０２についての判定結果と
される。例えばハレー欠陥６０２のサイズが第１のサイ
ズ検出用レベルＶｃが示すサイズ（例えば２００μｍ）
未満であれば「良」として判定され、２００μｍ以上で
あれば「不良」として判定される。

【０１３４】また、図１５に示すように、検出レベルＶ
ｉが異物検出用のしきい値Ｖｂ未満で異物６００が小さ
い場合は、第２のラッチ回路５３４から出力される信号
Ｗ２は低レベル（論理的に「０」）となるため、第２の
判定回路５２６の出力に拘わらず異物６００についての
判定は「良」となる。

【０１３５】検出レベルＶｉが異物検出用のしきい値Ｖ
ｂ以上で異物６００が大きい場合は、第２のラッチ回路
５３４から出力される信号Ｗ２は高レベル（論理的に
「１」）となるため、第２の判定回路５２６から出力さ
れる異物６００のサイズに応じた判定結果がそのまま異
物６００についての判定結果とされる。例えば異物６０
０のサイズが第２のサイズ検出用レベルＶｄが示すサイ
ズ（例えば５０μｍ）未満であれば「良」として判定さ
れ、５０μｍ以上であれば「不良」として判定される。

【０１３６】そして、これらの判定結果が後段のＯＲ回
路５４４にて論理和され、ハレー欠陥６０２について
「良」判定であっても、異物６００について「不良」判
定であれば、「不良」として判定され、また、異物６０
０について「良」判定であっても、ハレー欠陥６０２に
ついて「不良」判定であれば、「不良」として判定さ
れ、当該検査対象の基板２０２は、後段の選別機構６８
及び１１４（図１参照）によってＮＧ用のスタックポー
ル６６及び１１２に搬送されて排除される。つまり、ハ
レー欠陥６０２及び異物６００について共に「良」とし
て判定された基板２０２のみ後段の選別機構６８及び１
１４によって正常品用のスタックポール６４及び１１０
に搬送されることになる。

【０１３７】このように、第１及び第２の実施の形態に
係る欠陥検査装置６２及び１０６においては、色素記録
層２０４の形成前に付着した異物６００と、該異物６０
０に基づく色素記録層２０４の形成不良欠陥（ハレー欠
陥６０２）とを区別して検査するようにしたので、異物
６００の存在とその判定基準に基づく光ディスクＤの良
品／不良品判定と、ハレー欠陥６０２の存在とその判定
基準に基づく光ディスクＤの良品／不良品判定とをそれ
ぞれ個別に行うことができる。即ち、例えば異物６００
に対する判定基準を厳しくし、ハレー欠陥６０２に対す
る判定基準を緩やかにするなど、光ディスクＤに対する
判定において、その特性に応じて柔軟な対応をとること
ができる。

【０１３８】その結果、光ディスクＤの製造段階におい
て、その後の保存の状況によって成長しそうな欠陥を確
実に検出することができ、このような欠陥を有する光デ
ィスクＤを事前に排除することができる。また、問題と
なる欠陥はなく、その後の保存の状況によっても成長し
ない欠陥があった場合は、良品として処理することがで
き、検査に伴う歩留まりの低下を回避することができ
る。

【０１３９】なお、この発明に係る光情報記録媒体の欠
陥検査装置及びその方法並びに欠陥サイズ決定方法は、
上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱する
ことなく、種々の構成を採り得ることはもちろんであ
る。

【０１４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光情
報記録媒体の欠陥検査装置及びその方法並びに欠陥サイ
ズ決定方法によれば、光情報記録媒体の製造段階におい
て、その後の保存の状況によって成長しそうな欠陥を確
実に検出することができ、このような欠陥を有する光情
報記録媒体を事前に排除することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る欠陥検査装置が適用される
光ディスクの製造システムの一例を示す構成図である。

【図２】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
構成図である。

【図３】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
斜視図である。

【図４】スピンコート装置のノズルを示す平面図であ
る。

【図５】スピンコート装置のノズルの一例を示す側面図
である。

【図６】スピンコート装置のノズルの他の例を一部省略
して示す拡大断面図である。

【図７】図７Ａは基板にグルーブを形成した状態を示す
工程図であり、図７Ｂは基板上に色素記録層を形成した
状態を示す工程図であり、図７Ｃは基板上に光反射層を
形成した状態を示す工程図である。

【図８】図８Ａは基板のエッジ部分を洗浄した状態を示
す工程図であり、図８Ｂは基板上に保護層を形成した状
態を示す工程図である。

【図９】第１及び第２の実施の形態に係る欠陥検査装置
を示す構成図である。

【図１０】図１０Ａは基板上に付着した異物と、異物に
基づくハレー欠陥を示す説明図であり、図１０Ｂは異物
及びハレー欠陥を撮像した場合の検出信号の波形を示す
説明図である。

【図１１】異物サイズ、ハレー欠陥サイズ及び最終欠陥
サイズの因果関係を示す図表である。

【図１２】第１及び第２の実施の形態に係る欠陥検査装
置の信号処理系を示すブロック図である。

【図１３】第１及び第２の実施の形態に係る欠陥検査装
置の信号処理系での信号処理を示すタイミングチャート
である。

【図１４】ハレー欠陥の検出状態とハレー欠陥のサイズ
に応じた判定結果を示す図表である。

【図１５】異物の検出状態と異物のサイズに応じた判定
結果を示す図表である。

【符号の説明】

１０…製造システム ６２、１０６…欠
陥検査装置 ２０２…基板 ２０４…色素記録
層 ２０８…光反射層 ３２２…ハロゲン
ランプユニット ３３０…反射光検出ユニット ３３４…透過光検
出ユニット ５００…信号処理系 ５０２…第１のコ
ンパレータ ５０４…第２のコンパレータ ５０６…第３のコ
ンパレータ ５０８…第４のコンパレータ ５２０…第１の判
定回路 ５２６…第２の判定回路 ５３０…第１のラ
ッチ回路 ５３４…第２のラッチ回路 ６００…異物 ６０２…ハレー欠陥 Ｄ…光ディスク

フロントページの続き (72)発明者 赤羽 陽介 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2G051 AA71 AB02 AB20 AC02 AC12 BA01 BA05 BA20 CA03 CB01 CB02 DA01 DA08 DA13 EA04 EA11 EB01 EB02 EB09 EC01 5D121 HH01 HH18

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、レーザ光の照射により情報を記
   録することができる記録層を有するヒートモード型の光
   情報記録媒体の欠陥を検査するための光情報記録媒体の
   欠陥検査装置において、 前記記録層の形成前又は形成中に付着した異物と、該異
   物に基づく記録層の形成不良欠陥とを区別して検査する
   ための個別検査手段を有し、 前記異物のサイズが５０μｍ以上を示す場合、あるいは
   前記形成不良欠陥のサイズが少なくとも３００μｍ以上
   を示す場合に、前記基板を不良として判定することを特
   徴とする光情報記録媒体の欠陥検査装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の光情報記録媒体の欠陥検査
   装置において、 前記個別検査手段は、 前記記録層が形成された基板に対して光を照射する光照
   射手段と、 前記基板を透過する光を検出する透過光検出手段と、 前記透過光検出手段からの検出信号に基づいて前記異物
   と前記記録層の形成不良欠陥とを区別して検出する欠陥
   検出手段とを有することを特徴とする光情報記録媒体の
   欠陥検査装置。
3. 【請求項３】請求項１記載の光情報記録媒体の欠陥検査
   装置において、 前記個別検査手段は、 前記記録層と該記録層上に光反射層が形成された基板に
   対して光を照射する光照射手段と、 前記基板を反射する光を検出する反射光検出手段と、 前記反射光検出手段からの検出信号に基づいて前記異物
   と前記記録層の形成不良欠陥とを区別して検出する欠陥
   検出手段とを有することを特徴とする光情報記録媒体の
   欠陥検査装置。
4. 【請求項４】請求項２又は３記載の光情報記録媒体の欠
   陥検査装置において、 前記欠陥検出手段は、 入力される検出信号のレベルと予め設定された形成不良
   欠陥検出用のしきい値とを比較して形成不良欠陥の有無
   を検出する形成不良欠陥検出手段と、 入力される検出信号のレベルと予め設定された異物検出
   用のしきい値とを比較して異物の有無を検出する異物検
   出手段とを有することを特徴とする光情報記録媒体の欠
   陥検査装置。
5. 【請求項５】請求項４記載の光情報記録媒体の欠陥検査
   装置において、 前記形成不良欠陥検査手段は、 前記形成不良欠陥を検出した場合に、前記検出信号のレ
   ベルと所定の第１のサイズ検出用レベルとに基づいて前
   記形成不良欠陥のサイズを求める形成不良欠陥サイズ検
   出手段を有することを特徴とする光情報記録媒体の欠陥
   検査装置。
6. 【請求項６】請求項５記載の光情報記録媒体の欠陥検査
   装置において、 前記形成不良欠陥サイズ検出手段にて得られた形成不良
   欠陥のサイズが少なくとも３００μｍ以上を示す場合
   に、前記基板を不良として判定する形成不良欠陥用判定
   手段を有することを特徴とする光情報記録媒体の欠陥検
   査装置。
7. 【請求項７】請求項４〜６のいずれか１項に記載の光情
   報記録媒体の欠陥検査装置において、 前記異物検査手段は、 前記異物を検出した場合に、前記検出信号のレベルと所
   定の第２のサイズ検出用レベルとに基づいて前記異物の
   サイズを求める異物サイズ検出手段を有することを特徴
   とする光情報記録媒体の欠陥検査装置。
8. 【請求項８】請求項７記載の光情報記録媒体の欠陥検査
   装置において、 前記異物サイズ検出手段にて得られた異物のサイズが５
   ０μｍ以上を示す場合に、前記基板を不良として判定す
   る異物用判定手段を有することを特徴とする光情報記録
   媒体の欠陥検査装置。
9. 【請求項９】基板上に、レーザ光の照射により情報を記
   録することができる記録層を有するヒートモード型の光
   情報記録媒体の欠陥を検査するための光情報記録媒体の
   欠陥検査方法において、 前記記録層の形成前又は形成中に付着した異物と、該異
   物に基づく記録層の形成不良欠陥とを区別して検査し、 前記異物のサイズが５０μｍ以上を示す場合、あるいは
   前記形成不良欠陥のサイズが少なくとも３００μｍ以上
   を示す場合に、前記基板を不良として判定することを特
   徴とする光情報記録媒体の欠陥検査方法。
10. 【請求項１０】請求項９記載の光情報記録媒体の欠陥検
    査方法において、 前記記録層が形成された基板に対して光を照射し、 前記基板を透過する光を検出し、 前記透過光の検出に基づく検出信号に基づいて前記異物
    と前記記録層の形成不良欠陥とを区別して検出すること
    を特徴とする光情報記録媒体の欠陥検査方法。
11. 【請求項１１】請求項９記載の光情報記録媒体の欠陥検
    査方法において、 前記記録層と該記録層上に光反射層が形成された基板に
    対して光を照射し、 前記基板を反射する光を検出し、 前記反射光の検出に基づく検出信号に基づいて前記異物
    と前記記録層の形成不良欠陥とを区別して検出すること
    を特徴とする光情報記録媒体の欠陥検査方法。
12. 【請求項１２】請求項１０又は１１記載の光情報記録媒
    体の欠陥検査方法において、 入力される検出信号のレベルと予め設定された形成不良
    欠陥検出用のしきい値とを比較して形成不良欠陥の有無
    を検出し、 入力される検出信号のレベルと予め設定された異物検出
    用のしきい値とを比較して異物の有無を検出することを
    特徴とする光情報記録媒体の欠陥検査方法。
13. 【請求項１３】請求項１２記載の光情報記録媒体の欠陥
    検査方法において、 前記形成不良欠陥を検出した場合に、前記検出信号のレ
    ベルと所定の第１のサイズ検出用レベルとに基づいて前
    記形成不良欠陥のサイズを求めることを特徴とする光情
    報記録媒体の欠陥検査方法。
14. 【請求項１４】請求項１２又は１３記載の光情報記録媒
    体の欠陥検査方法において、 前記異物を検出した場合に、前記検出信号のレベルと所
    定の第２のサイズ検出用レベルとに基づいて前記異物の
    サイズを求めることを特徴とする光情報記録媒体の欠陥
    検査方法。
15. 【請求項１５】基板上に、レーザ光の照射により情報を
    記録することができる記録層を有するヒートモード型の
    光情報記録媒体に発生し得る欠陥のサイズを決定する方
    法において、 前記光情報記録媒体を温度約８０℃、湿度約８５％で、
    もはや前記記録層の性能が発揮できなくなり、前記欠陥
    のサイズに依存せずに記録上のエラーが発生する時間だ
    け保存した後における欠陥のサイズを最終欠陥サイズと
    することを特徴とする欠陥サイズ決定方法。