JP2000315339A

JP2000315339A - 記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2000315339A
Application number: JP11125237A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Usami; 由久宇佐美; Koichi Kawai; 晃一河合
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-04-30
Filing date: 1999-04-30
Publication date: 2000-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に光反射層をほぼ均一に形成することが
できるようにして、ジッタの劣化を抑制する。【解決手段】基板上に、情報を記録することができる記
録層を有し、該記録層上に光反射層を有する記録媒体の
製造方法において、前記記録層上に光反射層を形成する
際に、前記光反射層における膜厚の面内変動が１０％以
内となるように、少なくとも雰囲気ガスの流量とチャン
バ内の圧力を設定して前記光反射層を形成する。この場
合、前記雰囲気ガスの流量としては、０．５〜９０ＳＣ
ＣＭがよく、好ましくは１〜７０ＳＣＣＭであり、更に
好ましくは２〜６０ＳＣＣＭである。また、前記チャン
バ内の圧力としては、０．１〜１８Ｐａがよく、好まし
くは０．５〜１５Ｐａであり、更に好ましくは１〜１２
Ｐａである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、情報を
記録することができる記録層を有し、該記録層上に光反
射層を有する記録媒体の製造方法に関し、特に、レーザ
光を用いて情報の記録及び再生を行うことができるヒー
トモード型の光情報記録媒体の製造方法に使用して好適
な記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、レーザ光により１回限りの情報
の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）として
は、追記型ＣＤ（いわゆるＣＤ−Ｒ）やＤＶＤ−Ｒなど
があり、従来のＣＤ（コンパクトディスク）の作製に比
べて少量のＣＤを手頃な価格でしかも迅速に市場に供給
できる利点を有しており、最近のパーソナルコンピュー
タなどの普及に伴ってその需要も増している。

【０００３】ＣＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の代表的な構
造は、厚みが約１．２ｍｍの透明な円盤状基板上に有機
色素からなる記録層、金などの金属からなる光反射層、
更に樹脂製の保護層をこの順に積層したものである（例
えば特開平６−１５０３７１号公報参照）。

【０００４】また、ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体は、
２枚の円盤状基板（厚みが約０．６ｍｍ）の各情報記録
面をそれぞれ内側に対向させて貼り合わせた構造を有
し、記録情報量が多いという特徴を有する。

【０００５】そして、これら光情報記録媒体への情報の
書き込み（記録）は、近赤外域のレーザ光（ＣＤ−Ｒで
は通常７８０ｎｍ付近、ＤＶＤ−Ｒでは６３５ｎｍ付近
の波長のレーザ光）を照射することにより行われ、色素
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
し、物理的あるいは化学的な変化（例えばピットの生
成）が生じて、その光学的特性を変えることにより情報
が記録される。

【０００６】一方、情報の読み取り（再生）も、通常、
記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射すること
により行われ、色素記録層の光学的特性が変化した部位
（ピットの生成による記録部分）と変化しない部位（未
記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報
が再生される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録層
上に形成される光反射層の膜厚が不均一であると、レー
ザ光によるアクセス位置によって熱の伝わり方等が変化
し、アクセス位置ごとに孔（ピット）の大きさが変わっ
てしまう。これは、ジッタの劣化につながるという問題
がある。

【０００８】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、基板上に光反射層をほぼ均一に形成する
ことができ、ジッタの劣化を抑制することができる記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、情
報を記録することができる記録層を有し、該記録層上に
光反射層を有する記録媒体の製造方法において、前記記
録層上に光反射層を形成する際に、前記光反射層におけ
る膜厚の面内変動が１０％以内となるように、少なくと
も雰囲気ガスの流量とチャンバ内の圧力を設定して前記
光反射層を形成することを特徴とする。

【００１０】これにより、基板上に光反射層をほぼ均一
に形成することができ、ジッタの劣化を抑制することが
できる。

【００１１】そして、前記雰囲気ガスの流量としては、
０．５〜９０ＳＣＣＭがよく、好ましくは１〜７０ＳＣ
ＣＭであり、更に好ましくは２〜６０ＳＣＣＭである。

【００１２】また、前記チャンバ内の圧力としては、
０．１〜１８Ｐａがよく、好ましくは０．５〜１５Ｐａ
であり、更に好ましくは１〜１２Ｐａである。

【００１３】また、前記光反射層をスパッタ法にて形成
する際に、スパッタ出力を２〜５ｋＷとし、スパッタ時
間を４〜５秒とすることが好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る記録媒体の製
造方法を例えばＣＤ−Ｒ等の光ディスクを製造するシス
テムに適用した実施の形態例（以下、単に実施の形態に
係る製造システムと記す）を図１〜図２０を参照しなが
ら説明する。

【００１５】本実施の形態に係る製造システム１０は、
図１に示すように、例えば射出成形、圧縮成形又は射出
圧縮成形によって基板を作製する２つの成形設備（第１
及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ）と、基板の一主
面上に色素塗布液を塗布して乾燥させることにより、該
基板上に色素記録層を形成する塗布設備１４と、基板の
色素記録層上に光反射層を例えばスパッタリングにより
形成し、その後、光反射層上にＵＶ硬化液を塗布した
後、ＵＶ照射して前記光反射層上に保護層を形成する後
処理設備１６とを有して構成されている。

【００１６】第１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂ
は、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形、圧縮
成形又は射出圧縮成形して、一主面にトラッキング用溝
又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）が形
成された基板を作製する成形機２０と、該成形機２０か
ら取り出された基板を冷却する冷却部２２と、冷却後の
基板を段積みして保管するためのスタックポール２４が
複数本設置された集積部２６（スタックポール回転台）
を有する。

【００１７】塗布設備１４は、３つの処理部３０、３２
及び３４から構成され、第１の処理部３０には、前記第
１及び第２の成形設備１２Ａ及び１２Ｂから搬送された
スタックポール２４を収容するためのスタックポール収
容部４０と、該スタックポール収容部４０に収容された
スタックポール２４から１枚ずつ基板を取り出して次工
程に搬送する第１の搬送機構４２と、該第１の搬送機構
４２によって搬送された１枚の基板に対して静電気の除
去を行う静電ブロー機構４４とを有する。

【００１８】第２の処理部３２は、第１の処理部３０に
おいて静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送
する第２の搬送機構４６と、該第２の搬送機構４６によ
って搬送された複数の基板に対してそれぞれ色素塗布液
を塗布する色素塗布機構４８と、色素塗布処理を終えた
基板を１枚ずつ次工程に搬送する第３の搬送機構５０と
を有する。この色素塗布機構４８は６つのスピンコート
装置５２を有して構成されている。

【００１９】第３の処理部３４は、前記第３の搬送機構
５０にて搬送された１枚の基板の裏面を洗浄する裏面洗
浄機構５４と、裏面洗浄を終えた基板を次工程に搬送す
る第４の搬送機構５６と、該第４の搬送機構５６によっ
て搬送された基板に対してロット番号等の刻印を行う番
号付与機構５８と、ロット番号等の刻印を終えた基板を
次工程に搬送する第５の搬送機構６０と、該第５の搬送
機構６０によって搬送された基板に対して欠陥の有無並
びに色素記録層の膜厚の検査を行う検査機構６２と、該
検査機構６２での検査結果に応じて基板を正常品用のス
タックポール６４あるいはＮＧ用のスタックポール６６
に選別する選別機構６８とを有する。

【００２０】第１の処理部３０と第２の処理部３２との
間に第１の仕切板７０が設置され、第２の処理部３２と
第３の処理部３４にも同様の第２の仕切板７２が設置さ
れている。第１の仕切板７０の下部には、第２の搬送機
構４６による基板の搬送経路を塞がない程度の開口（図
示せず）が形成され、第２の仕切板７２の下部には、第
３の搬送機構５０による基板の搬送経路を塞がない程度
の開口（図示せず）が形成されている。

【００２１】後処理設備１６は、塗布設備１４から搬送
された正常品用のスタックポール６４を収容するための
スタックポール収容部８０と、該スタックポール収容部
８０に収容されたスタックポール６４から１枚ずつ基板
を取り出して次工程に搬送する第６の搬送機構８２と、
該第６の搬送機構８２によって搬送された１枚の基板に
対して静電気の除去を行う第１の静電ブロー機構８４
と、静電ブロー処理を終えた基板を次工程に順次搬送す
る第７の搬送機構８６と、該第７の搬送機構８６によっ
て搬送された基板の一主面に光反射層をスパッタリング
にて形成するスパッタ機構８８と、光反射層のスパッタ
リングを終えた基板を次工程に順次搬送する第８の搬送
機構９０と、該第８の搬送機構９０によって搬送された
基板の周縁（エッジ部分）を洗浄するエッジ洗浄機構９
２とを有する。

【００２２】また、この後処理設備１６は、エッジ洗浄
を終えた基板に対して静電気の除去を行う第２の静電ブ
ロー機構９４と、静電ブロー処理を終えた基板の一主面
に対してＵＶ硬化液を塗布するＵＶ硬化液塗布機構９６
と、ＵＶ硬化液の塗布を終えた基板を高速に回転させて
基板上のＵＶ硬化液の塗布厚を均一にするスピン機構９
８と、ＵＶ硬化液の塗布及びスピン処理を終えた基板に
対して紫外線を照射することによりＵＶ硬化液を硬化さ
せて基板の一主面に保護層を形成するＵＶ照射機構１０
０と、前記基板を第２の静電ブロー機構９４、ＵＶ硬化
液塗布機構９６、スピン機構９８及びＵＶ照射機構１０
０にそれぞれ搬送する第９の搬送機構１０２と、ＵＶ照
射された基板を次工程に搬送する第１０の搬送機構１０
４と、該第１０の搬送機構１０４によって搬送された基
板に対して塗布面と保護層面の欠陥を検査するための欠
陥検査機構１０６と、基板に形成されたグルーブによる
信号特性を検査するための特性検査機構１０８と、これ
ら欠陥検査機構１０６及び特性検査機構１０８での検査
結果に応じて基板を正常品用のスタックポール１１０あ
るいはＮＧ用のスタックポール１１２に選別する選別機
構１１４とを有する。

【００２３】ここで、１つのスピンコート装置５２の構
成について図２〜図６を参照しながら説明する。

【００２４】このスピンコート装置５２は、図２及び図
３に示すように、塗布液付与装置４００、スピナーヘッ
ド装置４０２及び飛散防止壁４０４を有して構成されて
いる。塗布液付与装置４００は、塗布液が充填された加
圧タンク（図示せず）と、該加圧タンクからノズル４０
６に引き回されたパイプ（図示せず）と、ノズル４０６
から吐出される塗布液の量を調整するための吐出量調整
バルブ４０８とを有し、塗布液は前記ノズル４０６を通
してその所定量が基板２０２の表面上に滴下されるよう
になっている。この塗布液付与装置４００は、ノズル４
０６を下方に向けて支持する支持板４１０と該支持板４
１０を水平方向に旋回させるモータ４１２とを有するハ
ンドリング機構４１４によって、待機位置から基板２０
２の上方の位置に旋回移動できるように構成されてい
る。

【００２５】スピナーヘッド装置４０２は、前記塗布液
付与装置４００の下方に配置されており、着脱可能な固
定具４２０により、基板２０２が水平に保持されると共
に、駆動モータ（図示せず）により軸回転が可能とされ
ている。

【００２６】スピナーヘッド装置４０２により水平に保
持された状態で回転している基板２０２上に、上記の塗
布液付与装置４００のノズル４０６から滴下した塗布液
は、基板２０２の表面上を外周側に流延する。そして、
余分の塗布液は基板２０２の外周縁部で振り切られ、そ
の外側に放出され、次いで塗膜が乾燥されることによ
り、基板２０２の表面上に塗膜（色素記録層２０４）が
形成される。

【００２７】飛散防止壁４０４は、基板２０２の外周縁
部から外側に放出された余分の塗布液が周辺に飛散する
のを防止するために設けられており、上部に開口４２２
が形成されるようにスピナーヘッド装置４０２の周囲に
配置されている。飛散防止壁４０４を介して集められた
余分の塗布液はドレイン４２４を通して回収されるよう
になっている。

【００２８】また、第２の処理部３２（図１参照）にお
ける各スピンコート装置５２の局所排気は、前記飛散防
止壁４０４の上方に形成された開口４２２から取り入れ
た空気を基板２０２の表面上に流通させた後、各スピナ
ーヘッド装置４０２の下方に取り付けられた排気管４２
６を通じて排気されるようになっている。

【００２９】塗布液付与装置４００のノズル４０６は、
図４及び図５に示すように、軸方向に貫通孔４３０が形
成された細長い円筒状のノズル本体４３２と、該ノズル
本体４３２を支持板４１０（図３参照）に固定するため
の取付部４３４を有する。ノズル本体４３２は、その先
端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又は内
側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表面を
有する。このフッ素化合物としては、例えばポリテトラ
フルオロエチレンやポリテトラフルオロエチレン含有物
等を使用することができる。

【００３０】この実施の形態で用いられる好ましいノズ
ル４０６の例としては、例えば、図５に示すように、ノ
ズル本体４３２の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上
の範囲をフッ素化合物を用いて形成したノズル４０６
や、図６に示すように、ノズル本体４３２の先端面４４
０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面４４２及び４４４をフッ素
化合物を用いて被覆したノズル４０６を挙げることがで
きる。

【００３１】ノズル本体４３２の先端面及びその先端面
から１ｍｍ以上の範囲をフッ素化合物で形成する場合、
強度などを考慮すると、実用的には、例えばノズル本体
４３２をステンレススチールで形成し、その先端面及び
その先端面から最大で５ｍｍの範囲をフッ素化合物で形
成することが好ましい。

【００３２】また、図６に示すように、ノズル本体４３
２の先端面４４０及びその先端面４４０から１ｍｍ以上
の範囲の外側又は内側、あるいは両方の壁面４４２及び
４４４をフッ素化合物で被覆する場合、ノズル本体４３
２の先端面４４０から１０ｍｍ以上、更に好ましくは、
ノズル本体４３２の全領域をフッ素化合物で被覆するこ
とが好ましい。被覆する場合のその厚みは、特に制限は
ないが、５〜５００μｍの範囲が適当である。また、ノ
ズル本体４３２の材質としては、上記のように、ステン
レススチールが好ましい。ノズル本体４３２に形成され
た貫通孔４３０の径は一般に０．５〜１．０ｍｍの範囲
である。

【００３３】次に、光反射層を形成するスパッタ機構８
８について図７を参照しながら説明する。

【００３４】このスパッタ機構８８は、図７に示すよう
に、内部に回転テーブル５００が設置され、かつ、上部
に開口が設けられた筒状のチャンバ５０２と、該チャン
バ５０２の前記開口に対して開閉自在に設けられたスパ
ッタ源５０４とを有する。

【００３５】前記スパッタ源５０４をチャンバ５０２に
対して閉状態としたとき、回転テーブル５００上にスパ
ッタ空間５０６が形成されるようになっており、このス
パッタ空間５０６は、図示しない排気孔を通じて排気さ
れることで所定の真空度に設定される。前記回転テーブ
ル５００上には基板２０２が載置され、回転されるよう
になっている。

【００３６】スパッタ源５０４の下部には、基板２０２
に対するスパッタ処理に対して基板２０２の外周部分を
マスクするアウターマスク５０８と、基板２０２に対す
るスパッタ処理に対して基板２０２の中央部分をマスク
するインナーマスク５１０と、アウターマスク５０８上
に設置されたアッパーマスク５１２と、これらアウター
マスク５０８、インナーマスク５１０及びアッパーマス
ク５１２を固定支持する支持部材５１４と、前記回転テ
ーブル５００に載置された基板２０２に対向し、かつ、
前記各種マスク５０８、５１０及び５１２や支持部材５
１４と絶縁リング５１６等によって絶縁されて支持され
た例えばＡｇによるターゲット５１８とが設けられてい
る。前記各種マスク５０８、５１０及び５１２や支持部
材５１４は共に金属製、例えば銅製とされている。な
お、スパッタ源５０４の上部には、マグネット５２０と
モータ５２２が設けられている。

【００３７】アウターマスク５０８は、下部開口５２４
の径が、基板２０２の外径よりも僅かに小に設定されて
いる。また、スパッタ空間５０６の下部が、前記下部開
口５２４から上方に向かって広くなるようにアウターマ
スク５０８の下部内壁にテーパ面５２６や水平面５２８
が形成されている。

【００３８】具体的には、アウターマスク５０８の内壁
のうち、下部開口５２４から上方に向かって高さＡにわ
たる部分が鉛直方向に沿って立ち上がる第１の垂直面５
３０とされ、該第１の垂直面５３０の上端部分から上方
に向かって距離Ｂにわたる部分が前記テーパ面５２６と
され、更に、テーパ面５２６の上端部分から所定距離だ
け水平方向に広がるように形成された前記水平面５２８
と、該水平面５２８の終端からアウターマスク５０８の
上端にわたる部分が鉛直方向に沿って立ち上がる第２の
垂直面５３２とされている。前記第１の垂直面５３０の
高さＡとしては、例えば０．４ｍｍが好ましい。

【００３９】アウターマスク５０８とアッパーマスク５
１２との間にはガス導入孔５３４が形成され、該ガス導
入孔５３４に接続されたガス導入管５３６及びガス導入
孔５３４を通じて雰囲気ガス（例えばＡｒガス）がスパ
ッタ空間５０６に導入されるようになっている。

【００４０】そして、各種マスク５０８、５１０及び５
１２を陽極とし、ターゲット５１８を陰極として所定の
電圧（４００〜５００Ｖ）が印加されるようになってい
る。

【００４１】ここで、簡単に前記スパッタ機構８８によ
る光反射層２０８の形成について説明すると、ガス導入
孔５３４を通じてスパッタ空間５０６に導入された雰囲
気ガス（例えばＡｒガス）はスパッタ空間５０６におい
てＡｒイオンと電子に電離し、プラズマが発生する。

【００４２】電離したＡｒイオンは、陰極であるターゲ
ット５１８に飛び込む。ターゲット５１８は、飛び込ん
だエネルギー（Ａｒイオンの入射エネルギー）を受けて
玉突きのように原子から原子に伝わり、表面近くのター
ゲット５１８の原子はスパッタ空間５０６（真空）に飛
び出して、基板２０２並びに各種マスク５０８、５１０
及び５１２の表面に到達し、これによって、基板２０２
上に例えばＡｇによる光反射層２０８が形成されること
になる。

【００４３】このとき、ターゲット５１８からの電子は
マグネット５２０の磁界によってインナーマスク５１０
に収束され、陽極（アウターマスク５０８やインナーマ
スク５１０）に集められる。雰囲気ガスとしては、スパ
ッタ中に目的金属（ターゲット５１８の金属）と反応し
ないもの、例えば前記ＡｒガスやＮ₂ガス等が好まし
い。

【００４４】そして、本実施の形態では、光反射層２０
８における膜厚の面内変動が１０％以内となるように、
少なくとも雰囲気ガスの流量とチャンバ５０２内の圧力
とを設定して光反射層２０８を形成する。

【００４５】雰囲気ガスの流量としては、０．５〜９０
ＳＣＣＭがよく、好ましくは１〜７０ＳＣＣＭであり、
更に好ましくは２〜６０ＳＣＣＭである。また、前記チ
ャンバ５０２内の圧力としては、０．１〜１８Ｐａがよ
く、好ましくは０．５〜１５Ｐａであり、更に好ましく
は１〜１２Ｐａである。また、スパッタ出力を２〜５ｋ
Ｗとし、スパッタ時間を４〜５秒とすることが好まし
い。

【００４６】更に、光反射層２０８の安定した成膜、光
反射層２０８の連続成膜、並びに歩留まりの向上を図る
ための手法としては、例えば以下に示す方法が挙げられ
る。

【００４７】（１）例えばアウターマスク５０８の下
部開口５２４を基板２０２の外径よりも僅かに小さくし
て、基板２０２の径を例えば１２０ｍｍとしたとき、外
径が例えば１１９ｍｍの光反射層２０８を形成する。

【００４８】（２）アウターマスク５０８やインナー
マスク５１０に付着したスパッタ層をメンテナンス作業
において除去しやすくするために、アウターマスク５０
８の表面とインナーマスク５１０の表面にめっき処理や
カーボン塗布を施す。めっき処理としては、例えばＮｉ
−Ｚｎめっきが好ましい。

【００４９】（３）アウターマスク５０８の内壁面の
うち、スパッタ層が付着しやすい箇所である水平面５２
８から第２の垂直面５３２にわたる部分に例えばステン
レス製の防着板５３８を取り付けて、アウターマスク５
０８へのスパッタ層の付着を回避する。防着板５３８に
付着したスパッタ層はメンテナンス作業において簡単に
除去することができる。

【００５０】（４）スパッタ空間５０６の高さを標準
の高さ（３０ｍｍ）よりも高い４０ｍｍに設定してい
る。これにより、スパッタレートが標準の場合よりも低
下するが、基板２０２に形成される光反射層２０８の膜
厚分布を良好にすることができる。

【００５１】（５）定期的に光反射層２０８の成膜の
状態を監視する。例えば１５０枚単位に視認にて監視す
る。そして、光反射層２０８の成膜状態が悪ければアウ
ターマスク５０８等を交換する。

【００５２】（６）基板２０２やターゲット５１８な
どスパッタにかかわる部材を手で触らないようにする。

【００５３】（７）チャンバ５０２の内部を大気に解
放した場合、次にスパッタを行う際に、予めプリスパッ
タを行ってチャンバ５０２内をスパッタに適した環境に
保持させる。

【００５４】（８）酸素を除去した環境でターゲット
５１８を保存する。

【００５５】次に、この製造システム１０によって光デ
ィスクＤを製造する過程について図８Ａ〜図９Ｂの工程
図も参照しながら説明する。

【００５６】まず、第１及び第２の成形設備１２Ａ及び
１２Ｂにおける成形機２０において、ポリカーボネート
などの樹脂材料が射出成形、圧縮成形又は射出圧縮成形
されて、図８Ａに示すように、一主面にトラッキング用
溝又はアドレス信号等の情報を表す凹凸（グルーブ）２
００が形成された基板２０２が作製される。

【００５７】前記基板２０２の材料としては、例えばポ
リカーボネート、ポリメタルメタクリレート等のアクリ
ル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化
ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン及びポリエステルなどを挙げることができ、所望に
よりそれらを併用してもよい。上記の材料の中では、耐
湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネー
トが好ましい。また、グルーブ２００の深さは、０．０
１〜０．３μｍの範囲であることが好ましく、その半値
幅は、０．２〜０．９μｍの範囲であることが好まし
い。

【００５８】成形機２０から取り出された基板２０２
は、後段の冷却部２２において冷却された後、一主面が
下側に向けられてスタックポール２４に積載される。ス
タックポール２４に所定枚数の基板２０２が積載された
段階で、スタックポール２４はこの成形設備１２Ａ及び
１２Ｂから取り出されて、次の塗布設備１４に搬送さ
れ、該塗布設備１４におけるスタックポール収容部４０
に収容される。この搬送は、台車で行ってもよいし、自
走式の自動搬送装置で行うようにしてもよい。

【００５９】スタックポール２４がスタックポール収容
部４０に収容された段階で、第１の搬送機構４２が動作
し、スタックポール２４から１枚ずつ基板２０２を取り
出して、後段の静電ブロー機構４４に搬送する。静電ブ
ロー機構４４に搬送された基板２０２は、該静電ブロー
機構４４において静電気が除去された後、第２の搬送機
構４６を介して次の色素塗布機構４８に搬送され、６つ
のスピンコート装置５２のうち、いずれか１つのスピン
コート装置５２に投入される。スピンコート装置５２に
投入された基板２０２は、その一主面上に色素塗布液が
塗布された後、高速に回転されて塗布液の厚みが均一に
された後、乾燥処理が施される。これによって、図８Ｂ
に示すように、基板２０２の一主面上に色素記録層２０
４が形成されることになる。

【００６０】即ち、スピンコート装置５２に投入された
基板２０２は、図２に示すスピナーヘッド装置４０２に
装着され、固定具４２０により水平に保持される。次
に、加圧式タンクから供給された塗布液は、吐出量調整
バルブ４０８によって所定量が調整され、基板２０２上
の内周側にノズル４０６を通して滴下される。

【００６１】このノズル４０６は、上述したように、そ
の先端面及びその先端面から１ｍｍ以上の範囲の外側又
は内側、あるいは両方の壁面がフッ素化合物からなる表
面を有しているため、塗布液の付着が生じにくく、ま
た、これが乾燥して色素の析出やその堆積物が生じにく
く、従って、塗膜を塗膜欠陥などの障害を伴うことなく
スムーズに形成させることができる。

【００６２】なお、塗布液としては色素を適当な溶剤に
溶解した色素溶液が用いられる。塗布液中の色素の濃度
は一般に０．０１〜１５重量％の範囲にあり、好ましく
は０．１〜１０重量％の範囲、特に好ましくは０．５〜
５重量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３重量％の範
囲にある。

【００６３】駆動モータによってスピナーヘッド装置４
０２は高速回転が可能である。基板２０２上に滴下され
た塗布液は、スピナーヘッド装置４０２の回転により、
基板２０２の表面上を外周方向に流延し、塗膜を形成し
ながら基板２０２の外周縁部に到達する。外周縁部に達
した余分の塗布液は、更に遠心力により振り切られ、基
板２０２の縁部の周囲に飛散する。飛散した余分の塗布
液は飛散防止壁４０４に衝突し、更にその下方に設けら
れた受皿に集められた後、ドレイン４２４を通して回収
される。塗膜の乾燥はその形成過程及び塗膜形成後に行
われる。塗膜（色素記録層２０４）の厚みは、一般に２
０〜５００ｎｍの範囲で、好ましくは５０〜３００ｎｍ
の範囲で設けられる。

【００６４】色素記録層２０４に用いられる色素は特に
限定されない。使用可能な色素の例としては、シアニン
系色素、フタロシアニン系色素、イミダゾキノキサリン
系色素、ピリリウム系・チオピリリウム系色素、アズレ
ニウム系色素、スクワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなど
の金属錯塩系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノ
ン系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系
色素、トリフェニルメタン系色素、メロシアニン系色
素、オキソノール系色素、アミニウム系・ジインモニウ
ム系色素及びニトロソ化合物を挙げることができる。こ
れらの色素のうちでは、シアニン色素、フタロシアニン
系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、
オキソノール系色素及びイミダゾキノキサリン系色素が
好ましい。

【００６５】色素記録層２０４を形成するための塗布剤
の溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテー
トなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの
塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；
シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、
エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノー
ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノ
ール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，
２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノールなどのフ
ッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル
類などを挙げることができる。

【００６６】前記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮し
て単独または二種以上を適宜併用することができる。好
ましくは、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパ
ノールなどのフッ素系溶剤である。なお、塗布液中に
は、所望により退色防止剤や結合剤を添加してもよい
し、更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、そして潤滑
剤など各種の添加剤を、目的に応じて添加してもよい。

【００６７】退色防止剤の代表的な例としては、ニトロ
ソ化合物、金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩
を挙げることができる。これらの例は、例えば、特開平
２−３００２８８号、同３−２２４７９３号、及び同４
−１４６１８９号等の各公報に記載されている。

【００６８】結合剤の例としては、ゼラチン、セルロー
ス誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機
高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・
ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹
脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポ
キシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・
ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物な
どの合成有機高分子を挙げることができる。

【００６９】結合剤を使用する場合に、結合剤の使用量
は、色素１００重量部に対して、一般に２０重量部以下
であり、好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５
重量部以下である。

【００７０】なお、色素記録層２０４が設けられる側の
基板２０２表面には、平面性の改善、接着力の向上およ
び記録層２０４の変質防止などの目的で、下塗層が設け
られてもよい。

【００７１】下塗層の材料としては例えば、ポリメチル
メタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、
スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコ
ール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニ
ルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、
ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフ
ィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビ
ニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子
物質、およびシランカップリング剤などの表面改質剤を
挙げることができる。

【００７２】下塗層は、前記物質を適当な溶剤に溶解ま
たは分散して塗布液を調整した後、この塗布液をスピン
コート、ディップコート、エクストルージョンコートな
どの塗布法を利用して基板２０２の表面に塗布すること
により形成することができる。下塗層の層厚は一般に
０．００５〜２０μｍの範囲、好ましくは０．０１〜１
０μｍの範囲で設けられる。

【００７３】色素記録層２０４が形成された基板２０２
は、第３の搬送機構５０を介して次の裏面洗浄機構５４
に搬送され、基板２０２の一主面の反対側の面（裏面）
が洗浄される。その後、基板２０２は、第４の搬送機構
５６を介して次の番号付与機構５８に搬送され、基板２
０２の一主面又は裏面に対してロット番号等の刻印が行
われる。

【００７４】その後、基板２０２は、第５の搬送機構６
０を介して次の検査機構６２に搬送され、基板２０２の
欠陥の有無や色素記録層２０４の膜厚の検査が行われ
る。この検査は、基板２０２の裏面から光を照射してそ
の光の透過状態を例えばＣＣＤカメラで画像処理するこ
とによって行われる。この検査機構６２での検査結果は
次の選別機構６８に送られる。

【００７５】上述の検査処理を終えた基板２０２は、そ
の検査結果に基づいて選別機構６８によって正常品用の
スタックポール６４か、ＮＧ用のスタックポール６６に
搬送選別される。

【００７６】正常品用のスタックポール６４に所定枚数
の基板２０２が積載された段階で、正常品用のスタック
ポール６４はこの塗布設備１４から取り出されて、次の
後処理設備１６に搬送され、該後処理設備１６のスタッ
クポール収容部８０に収容される。この搬送は、台車で
行ってもよいし、自走式の自動搬送装置で行うようにし
てもよい。

【００７７】正常品用のスタックポール６４がスタック
ポール収容部８０に収容された段階で、第６の搬送機構
８２が動作し、スタックポール６４から１枚ずつ基板２
０２を取り出して、後段の第１の静電ブロー機構８４に
搬送する。第１の静電ブロー機構８４に搬送された基板
２０２は、該第１の静電ブロー機構８４において静電気
が除去された後、第７の搬送機構８６を介して次のスパ
ッタ機構８８に搬送される。スパッタ機構８８に投入さ
れた基板２０２は、図８Ｃに示すように、その一主面
中、周縁部分（エッジ部分）２０６を除く全面に光反射
層２０８がスパッタリングによって形成される。

【００７８】光反射層２０８の材料である光反射性物質
はレーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例と
しては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属ある
いはステンレス鋼を挙げることができる。

【００７９】これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼で
ある。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは
二種以上を組み合わせて用いてもよい。または合金とし
て用いてもよい。特に好ましくはＡｇもしくはその合金
である。

【００８０】光反射層２０８は、例えば、前記光反射性
物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティン
グすることにより記録層の上に形成することができる。
反射層の層厚は、一般的には１０〜８００ｎｍの範囲、
好ましくは２０〜５００ｎｍの範囲、更に好ましくは５
０〜３００ｎｍの範囲で設けられる。

【００８１】光反射層２０８が形成された基板２０２
は、第８の搬送機構９０を介して次のエッジ洗浄機構９
２に搬送され、図９Ａに示すように、基板２０２の一主
面中、エッジ部分２０６が洗浄されて、該エッジ部分２
０６に形成されていた色素記録層２０４が除去される。
その後、基板２０２は、第９の搬送機構１０２を介して
次の第２の静電ブロー機構９４に搬送され、静電気が除
去される。

【００８２】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介してＵＶ硬化液塗布機構９６に搬送
され、基板２０２の一主面の一部分にＵＶ硬化液が滴下
される。その後、基板２０２は、同じく前記第９の搬送
機構１０２を介して次のスピン機構９８に搬送され、高
速に回転されることにより、基板２０２上に滴下された
ＵＶ硬化液の塗布厚が基板全面において均一にされる。

【００８３】この実施の形態においては、前記光反射層
２０８の成膜後から前記ＵＶ硬化液の塗布までの時間が
２秒以上、５分以内となるように時間管理されている。

【００８４】その後、基板２０２は、同じく前記第９の
搬送機構１０２を介して次のＵＶ照射機構１００に搬送
され、基板２０２上のＵＶ硬化液に対して紫外線が照射
される。これによって、図９Ｂに示すように、基板２０
２の一主面上に形成された色素記録層２０４と光反射層
２０８を覆うようにＵＶ硬化樹脂による保護層２１０が
形成されて光ディスクＤとして構成されることになる。

【００８５】保護層２１０は、色素記録層２０４などを
物理的及び化学的に保護する目的で光反射層２０８の上
に設けられる。保護層２１０は、基板２０２の色素記録
層２０４が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高
める目的で設けることもできる。保護層２１０で使用さ
れる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ
₂、ＳｎＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機物質、及び熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、そしてＵＶ硬化性樹脂等の有機物
質を挙げることができる。

【００８６】保護層２１０は、例えば、プラスチックの
押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層
２０８上及び／または基板２０２上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これら
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調整したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥することによっても形成することが
できる。

【００８７】ＵＶ硬化性樹脂の場合には、上述したよう
に、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調
整したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化
させることによって形成することができる。これらの塗
布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤
等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層
２１０の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲で設
けられる。

【００８８】その後、光ディスクＤは、第１０の搬送機
構１０４を介して次の欠陥検査機構１０６と特性検査機
構１０８に搬送され、色素記録層２０４の面と保護層２
１０の面における欠陥の有無や光ディスクＤの基板２０
２に形成されたグルーブ２００による信号特性が検査さ
れる。これらの検査は、光ディスクＤの両面に対してそ
れぞれ光を照射してその反射光を例えばＣＣＤカメラで
画像処理することによって行われる。これらの欠陥検査
機構１０６及び特性検査機構１０８での各検査結果は次
の選別機構１１４に送られる。

【００８９】上述の欠陥検査処理及び特性検査処理を終
えた光ディスクＤは、各検査結果に基づいて選別機構１
１４によって正常品用のスタックポール１１０か、ＮＧ
用のスタックポール１１２に搬送選別される。

【００９０】正常品用のスタックポール１１０に所定枚
数の光ディスクＤが積載された段階で、該スタックポー
ル１１０が後処理設備１６から取り出されて図示しない
ラベル印刷工程に投入される。

【００９１】このように、本実施の形態に係る製造シス
テム１０、特に光反射層２０８を形成する方法において
は、記録層２０４上に光反射層２０８を形成する際に、
光反射層２０８における膜厚の面内変動が１０％以内と
なるように、少なくとも雰囲気ガスの流量とチャンバ５
０２内の圧力を設定して、光反射層２０８を形成するよ
うにしたので、基板２０２上に光反射層２０８をほぼ均
一に形成することができ、ジッタの劣化を抑制すること
ができる。

【００９２】

【実施例】次に、４つの実験例について説明する。ま
ず、第１の実験例は、図１に示す製造システム１０にて
光ディスクＤを作製する場合において、実施例１〜７に
係るサンプル並びに比較例１〜３に係るサンプルに関
し、雰囲気ガスの流量とチャンバ５０２内の圧力をそれ
ぞれ変えたときの光反射層２０８の膜厚の面内変動とジ
ッタをみたものである。

【００９３】各サンプルの作製法は以下の通りである。
まず、厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状
のグルーブ（深さ１６０ｎｍ、幅０．４μｍ、トラック
ピッチ１．６μｍ）を有する基板２０２を用意する。

【００９４】下記の一般式（１）で表されるベンゾイン
ドレニン骨格を有するシアニン系色素に、下記の一般式
（２）で表される退色防止剤を前記色素に対して１０％
添加し、これらを下記の一般式（３）で表される２，
２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに混
ぜ、２時間超音波を当てて溶解して色素記録層２０４を
形成するための色素塗布液を調製した。

【００９５】

【化１】

【００９６】

【化２】

【００９７】

【化３】

【００９８】この色素塗布液をスピンコート法により回
転数を３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させな
がら基板２０２のグルーブが有する面上に塗布した。

【００９９】その後、色素記録層２０４上にＡｇをスパ
ッタして光反射層２０８を形成し、その後、ＵＶ硬化樹
脂（大日本インキ化学工業社製ＳＤ−３１８）をスピン
コート法により３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変
化させながら塗布した後、高圧水銀灯にて紫外線を照射
して硬化させ、膜厚が約１０μｍの保護層２１０を形成
した。

【０１００】このようにして、基板２０２、色素記録層
２０４、光反射層２０８及び保護層２１０からなるサン
プルを作製した。

【０１０１】光反射層２０８は、芝浦メカトロニクス社
製のスパッタ装置（ＭＣＤ−５０００）を使い、ターゲ
ット５１８の金属をＡｇ、雰囲気ガスをＡｒガスとし
て、目標膜厚１５０ｎｍだけ成膜した。実施例７のみ目
標膜厚を３００ｎｍとしている。

【０１０２】第１の実験例の結果を図１０に示す。この
実験結果から、雰囲気ガスの流量が２〜６０ＳＣＣＭの
範囲にあって、かつ、チャンバ５０２内の圧力が１〜１
２Ｐａの範囲にある実施例１〜７においては、膜厚の面
内変動が１０未満であり、膜厚分布が良好になってお
り、それに伴ってジッタも改善されていることがわか
る。また、スパッタレート（速度）も３０〜３３の範囲
にあり、比較例１や３と比べて速くなっている。

【０１０３】実施例１〜７並びに比較例１〜３につい
て、雰囲気ガスの流量とチャンバ５０２内の圧力との関
係でプロットすると、図１１に示すようになる。そし
て、上述の結果からスパッタの条件として好適な範囲
は、雰囲気ガスの流量については０．５〜９０ＳＣＣＭ
の範囲であり、好ましくは、１〜７０ＳＣＣＭの範囲で
あり、更に好ましくは２〜６０ＳＣＣＭの範囲である。
チャンバ５０２内の圧力については０．１〜１８Ｐａの
範囲であり、好ましくは０．５〜１５Ｐａの範囲であ
り、更に好ましくは１〜１２Ｐａの範囲である。

【０１０４】次に、第２の実験例は、スパッタ出力とス
パッタ時間を一定にし、雰囲気ガスの流量を５〜１００
ＳＣＣＭに変化させたときの光反射層２０８の膜厚分布
をみたものである。スパッタ出力は２．５ｋＷであり、
スパッタ時間は１秒である。

【０１０５】図１２にスパッタ速度（ＯＰＤ）について
の最大値、最小値及び平均値の分布をプロットした特性
を示し、図１３にスパッタ速度の面内変動（最大値−最
小値／平均値）をプロットした特性を示し、図１４に膜
厚の面内変動（％）をプロットした特性を示し、図１５
に膜厚の周内変動（％）をプロットした特性を示す。

【０１０６】この実験例でのスパッタ速度（ＯＰＤ）と
膜厚の関係は、１ＯＰＤ＝３５ｎｍである。また、図１
５において、半径位置２３ｍｍの周内変動を曲線Ａで示
し、半径位置４２ｍｍの周内変動を曲線Ｂで示す。

【０１０７】この第２の実験例から、スパッタ速度が最
大になるのは、雰囲気ガスの流量が２０ＳＣＣＭであっ
て、流量が５〜２０ＳＣＣＭではスパッタ速度の変動は
ほとんどない。流量が２０ＳＣＣＭを超えると急激にス
パッタ速度が低下することがわかる。

【０１０８】膜厚の面内変動は、雰囲気ガスの流量が２
０ＳＣＣＭ以上で大きくなり、流量が５〜１０ＳＣＣＭ
ではほぼ一定となる。これは周内変動においても同様の
傾向がある。

【０１０９】次に、第３の実験例は、雰囲気ガスの流量
とスパッタ時間を一定にし、スパッタ出力を１、２．
５、３．３及び５ｋＷに変化させたときの光反射層の膜
厚分布をみたものである。雰囲気ガスの流量は１０ＳＣ
ＣＭであり、スパッタ時間は２ｋＷ・秒となるように設
定した。

【０１１０】図１６にスパッタ速度（ＯＰＤ）について
の最大値、最小値及び平均値の分布をプロットした特性
を示し、図１７にスパッタ速度の面内変動（最大値−最
小値／平均値）をプロットした特性を示し、図１８に膜
厚の面内変動（％）を示し、図１９に膜厚の周内変動
（％）を示す。図１９において、半径位置２３ｍｍの周
内変動を曲線Ａで示し、半径位置４２ｍｍの周内変動を
曲線Ｂで示す。

【０１１１】この第３の実験例から、スパッタ速度が最
大になるのは３．３ｋＷである。スパッタ出力が２．５
〜３．３ｋＷではスパッタ速度の変化はほとんどない。
スパッタ出力が２ｋＷ以下や４ｋＷ以上で急激にスパッ
タ速度が低下する。

【０１１２】スパッタ出力が１ｋＷでの面内変動は大き
い。半径方向の変動が特に著しい。スパッタ出力を上げ
すぎると、基板温度が上昇し、基板が変形する懸念があ
り、スパッタ出力を下げすぎると、タクトタイムが遅く
なるというデメリットがある。

【０１１３】そこで、上述の実験結果から、スパッタ出
力として、２．５〜３．３ｋＷであれば、スパッタ速度
も高く、周内変動も小さいため、良好な範囲と考えられ
る。

【０１１４】次に、第４の実験例は、雰囲気ガスの流量
とスパッタ出力を一定にし、スパッタ出力を０．９４秒
（３．７６秒）〜１．４秒（５．６秒）に変化させたと
きの光反射層の膜厚分布をみたものである。

【０１１５】スパッタ時間として、実際は４秒程度必要
であるが、その時間では、ＯＰＤが高すぎ、膜厚の測定
が困難となるため、通常のスパッタ時間の１／４程度の
時間でスパッタを行った。

【０１１６】従って、通常の目標膜厚は１５０ｎｍであ
るが、この実験では、その１／４を目標膜厚とした。つ
まり、３７．５ｎｍが目標膜厚であり、これをＯＰＤ値
に換算すると、１．１４９である。なお、雰囲気ガスの
流量は１０ＳＣＣＭであり、スパッタ出力は２．５ｋＷ
である。

【０１１７】図２０に、スパッタ時間に対するスパッタ
速度（ＯＰＤ）の最小値の変化を示す。この図２０か
ら、スパッタ時間の変数をｘとし、スパッタ速度の最小
値の変数をｙとしたとき、ｙ＝１．４２７２ｘ−０．３７６３の直線的な関係となる。

【０１１８】この直線の式からＯＰＤが１．１４９にな
る条件を求めると、スパッタ時間＝（１．１４９＋０．３７６３）／１．４２７２＝１．０６８７秒である。実際には、この４倍の時間が必要で、４．２７
秒を標準のスパッタ時間として定義した。そして、この
標準のスパッタ時間を中心にして前後３０秒程度の範囲
（４〜５秒）を好適なスパッタ時間としてとらえること
ができる。

【０１１９】なお、この発明に係る記録媒体の製造方法
は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱
することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんで
ある。

【０１２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る記録
媒体の製造方法によれば、基板上に光反射層をほぼ均一
に形成することができ、ジッタの劣化を抑制することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る製造システムの一例を示す
構成図である。

【図２】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
構成図である。

【図３】塗布設備に設置されるスピンコート装置を示す
斜視図である。

【図４】スピンコート装置のノズルを示す平面図であ
る。

【図５】スピンコート装置のノズルの一例を示す側面図
である。

【図６】スピンコート装置のノズルの他の例を一部省略
して示す拡大断面図である。

【図７】本実施の形態に係る製造システムにおけるスパ
ッタ機構を示す構成図である。

【図８】図８Ａは基板にグルーブを形成した状態を示す
工程図であり、図８Ｂは基板上に色素記録層を形成した
状態を示す工程図であり、図８Ｃは基板上に光反射層を
形成した状態を示す工程図である。

【図９】図９Ａは基板のエッジ部分を洗浄した状態を示
す工程図であり、図９Ｂは基板上に保護層を形成した状
態を示す工程図である。

【図１０】第１の実験例（雰囲気ガスの流量とチャンバ
内の圧力をそれぞれ変えたときの光反射層の膜厚の面内
変動とジッタをみた実験例）の結果を示す表図である。

【図１１】実施例１〜７並びに比較例１〜３について、
雰囲気ガスの流量とチャンバの圧力との関係でプロット
した特性図である。

【図１２】第２の実験例において、スパッタ速度（ＯＰ
Ｄ）についての最大値、最小値及び平均値の分布をプロ
ットした特性を示す図である。

【図１３】第２の実験例において、スパッタ速度の面内
変動（最大値−最小値／平均値）をプロットした特性を
示す図である。

【図１４】第２の実験例において、膜厚の面内変動
（％）をプロットした特性を示す図である。

【図１５】第２の実験例において、膜厚の周内変動
（％）をプロットした特性を示す図である。

【図１６】第３の実験例において、スパッタ速度（ＯＰ
Ｄ）についての最大値、最小値及び平均値の分布をプロ
ットした特性を示す図である。

【図１７】第３の実験例において、スパッタ速度の面内
変動（最大値−最小値／平均値）をプロットした特性を
示す図である。

【図１８】第３の実験例において、膜厚の面内変動
（％）をプロットした特性を示す図である。

【図１９】第３の実験例において、膜厚の周内変動
（％）をプロットした特性を示す図である。

【図２０】第４の実験例において、スパッタ時間に対す
るスパッタ速度（ＯＰＤ）の最小値の変化を示す特性図
である。

【符号の説明】

１０…製造システム８８…スパッ
タ機構２０２…基板２０４…色素
記録層２０８…光反射層２１０…保護
層５０２…チャンバ５０４…スパ
ッタ源５０６…スパッタ空間５０８…アウ
ターマスク５１０…インナーマスク５１２…アッ
パーマスク５１８…ターゲット５２４…下部
開口５２６…テーパ面５２８…水平
面５３０…第１の垂直面５３２…第２
の垂直面５３８…防着板Ｄ…光ディス
ク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、情報を記録することができる記
録層を有し、該記録層上に光反射層を有する記録媒体の
製造方法において、前記記録層上に光反射層を形成する際に、前記光反射層における膜厚の面内変動が１０％以内とな
るように、少なくとも雰囲気ガスの流量とチャンバ内の
圧力とを設定して前記光反射層を形成することを特徴と
する記録媒体の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の記録媒体の製造方法におい
て、前記雰囲気ガスの流量が０．５〜９０ＳＣＣＭであるこ
とを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の記録媒体の製造方法におい
て、前記チャンバ内の圧力が０．１〜１８Ｐａであることを
特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録
媒体の製造方法において、前記光反射層をスパッタ法にて形成する際に、スパッタ
出力を２〜５ｋＷとすることを特徴とする記録媒体の製
造方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の記録
媒体の製造方法において、前記光反射層をスパッタ法にて形成する際に、スパッタ
時間を４〜５秒とすることを特徴とする記録媒体の製造
方法。