JP2001098054A - Dpp含有共役ポリマ−及びエレクトロルミネセンス装置 - Google Patents

Dpp含有共役ポリマ−及びエレクトロルミネセンス装置

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JP2001098054A
JP2001098054A JP2000251032A JP2000251032A JP2001098054A JP 2001098054 A JP2001098054 A JP 2001098054A JP 2000251032 A JP2000251032 A JP 2000251032A JP 2000251032 A JP2000251032 A JP 2000251032A JP 2001098054 A JP2001098054 A JP 2001098054A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光−及び電子伝導性ポリマー、すなわちエレ
クトロルミネッセンス(EL)装置に用いることができ
るポリマーを提供すること。 【解決手段】 下記式1及び2の単位を含む、ポリマー
又はコポリマーに基づくジケトピロロピロール。 【化30】 (x=0.005〜1、y=0.995〜0、x+y=
1;Ar1及びAr2は、上記式の基;m及びnは、1〜
10の数;R1〜R4は、H、C1−C18アルキル、−C
(O)O−C1−C18アルキル、ペルフルオロ−C1−C
12アルキル、非置換C6−C12アリールなど;R5は、好
適にはC1−C12アルキル、C1−C12アルコキシなどを
表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、下記式:
【0002】
【化8】
【0003】(式中、xは、0.005〜1、好適には
0.01〜1の範囲で選択され、yは、0.995〜0、
好適には0.99〜0の範囲で選択され、そしてx+y
は、1であり、そしてAr1及びAr2は、互いに独立し
て、下記式:
【0004】
【化9】
【0005】の基のいずれかを表し、そしてm及びn
は、1〜10の数であり、そしてR1及びR2は、互いに
独立して、H、C1−C18アルキル、−C(O)O−C1
−C18アルキル、ペルフルオロ−C1−C12アルキル、
非置換C6−C12アリール又はC1−C12アルキル、C1
−C12アルコキシ若しくはハロゲンの1〜3個で置換さ
れたC6−C12アリール、あるいはC1−C12アルキル−
6−C12アリール又はC6−C12アリール−C1−C12
アルキルを表し、R3及びR4は、好適には水素、C1
12アルキル、C1−C12アルコキシ、非置換C6−C12
アリール又はC1−C12アルキル、C1−C12アルコキシ
若しくはハロゲンの1〜3個で置換されたC6−C12
リール、あるいはペルフルオロ−C1−C12アルキルを
表し、そしてR5は、好適にはC1−C12アルキル、C1
−C12アルコキシ、非置換C6−C12アリール又はC1
12アルキル、C1−C12アルコキシ若しくはハロゲン
の1〜3個で置換されたC6−C12アリール、あるいは
ペルフルオロ−C1−C12アルキルを表す)で示される
単位を含むことを特徴とする、ジケトピロロピロールを
ベースとするポリマー又はコポリマー、そのようなポリ
マー又はコポリマーの配合物、そのようなポリマー又は
コポリマーを含むエレクトロルミネッセンス(「E
L」)装置(類)の使用又は製造に関する。
【0006】EP−A 787,730は、下記式(I
a):
【0007】
【化10】
【0008】(式中、Q1及びQ2は、互いに独立して、
重合性反応基を表し、そしてQ3及びQ4は、互いに独立
して、水素、C12−C24アルキル、C6−C24アルキル
(これはO又はSにより、1箇所以上中断されている)
を表すか、又は下記式:
【0009】
【化11】
【0010】(式中、Q5は、C4−C18アルキル又はC
5−C10シクロアルキルを表す)の基である)で示され
るDPPの重合により得ることができるポリアクリラー
ト及びポリウレタンを記載している。
【0011】化合物Iaは、光−及び電子伝導性ポリマ
ーの製造のために用いることができることが述べられて
いるが、相当する例は与えられていない。更に、DPP
に基づくポリマーを含むEL装置をどのように製造する
かについて、及びそれぞれのDPP−モノマーをそれぞ
れのDPP−ポリマーにどのように選択するかについて
教示されていない。
【0012】Macromol. Chem. Phys. 200 (1999) 106-1
12は、2官能性モノマーのDPP−誘導体類(ここで、
官能基は、DPP−分子のN−原子に結合している)
と、ジイソシアナート類又はジオール類又はジカルボン
酸類との共重合により得ることができる蛍光DDP−ポ
リマーを記載している。記載されたポリマーがEL装置
で用いることができるかどうかは教示されていない。
【0013】JACS 115(1993) 11735-11743は、光屈折
性、すなわち表示光導電性、及び2次非線形光学活性を
示すDPP−ポリマーを記載している。光導電性は、E
L装置に類似の装置を用いて測定、すなわちレーザービ
ームで装置を照射し、次いでこの照射から得られた電流
を測定するけれども、エレクトロルミネッセンスに関し
ては測定されていない。更に、他のDPP−ポリマーを
どのように選択するかについて教示していない。
【0014】Adv. Mater 4(1992) 36-37は、ポリ(p−
フェニレン)に基づく、青光を発光するEL装置を記載
している。しかしながら、用いたポリマーをどのように
改変するかについて教示していない。更にエレクトロル
ミネッセンスのλmaxは、青色の領域である。
【0015】したがって、本発明の目的は、好適には青
色領域ではないエレクトロルミネッセンスのλmax、す
なわち400〜470nでなく、好適には500〜80
0、更に好適には600〜750nmであるエレクトロル
ミネッセンスのλmaxを示す、新規なDPP−に基づく
ポリマー及びコポリマー、並びに電子及び光子装置、例
えば、ダイオード類、発光ダイオード類、光ダイオード
類、場効果トランジスター、ポリマー格子トリオード
類、発光電子化学電池、光カップラー及びレーザー中で
のその使用を提供することである。更に、新規なポリマ
ーのエレクトロルミネッセンスの強度は、ポリ(1,4
−フェニレン)に関して改善されるべきである。更に、
新規なポリマーの、スピン被覆及び溶液被覆により薄い
フィルムへの加工性は、ポリ(1,4−フェニレン)に
関して改善されるべきである。
【0016】したがって、上述のDDPに基づくポリマ
ーが見出された。
【0017】更に、本発明のポリマー類を含む配合物、
本発明のポリマー類を含むEL装置及びDPPIの使用
並びにそのポリマー類もまた見出されている。
【0018】好適には、Ar1は、下記式:
【0019】
【化12】
【0020】の基、好適には下記式:
【0021】
【化13】
【0022】の基、更に好適には下記式:
【化14】
【0023】の基を表し、そしてAr2は、下記式:
【0024】
【化15】
【0025】の基、好適には下記式:
【0026】
【化16】
【0027】の基を表す。
【0028】好適には、R1及びR2は、互いに独立し
て、H、C1−C12アルキル、−C(O)O−C1−C12
アルキル、ペルフルオロ−C1−C12アルキル、非置換
6−C12アリール又はC1−C12アルキル、C1−C12
アルコキシ、若しくはハロゲンの1〜3個で置換された
6−C12アリール、あるいはC1−C12アルキル−C6
−C12アリール又はC6−C12アリール−C1−C12アル
キルを表し、
【0029】R3及びR4は、好適には水素、C1−C12
アルキル、C1−C12アルコキシ、非置換C6−C12アリ
ール、又はC1−C12アルキル、C1−C12アルコキシ、
若しくはハロゲンの1〜3個で置換されたC6−C12
リール、あるいはペルフルオロ−C1−C12アルキルを
表し、そしてR5は、好適には、C1−C12アルキル、C
1−C12アルコキシ、非置換C6−C 12アリール又はC1
−C12アルキル、C1−C12アルコキシ、若しくはハロ
ゲンの1〜3個で置換されたC6−C12アリール、ある
いはペルフルオロ−C1−C12アルキルを表す。
【0030】好適な実施態様は、下記式:
【0031】
【化17】
【0032】(式中、R6及びR7は、互いに独立して、
水素、C1−C12アルキル、C1−C12アルコキシ、非置
換C6−C12アリール又はC1−C12アルキル、C1−C
12アルコキシ、若しくはハロゲンの1〜3個で置換され
たC6−C12アリール、あるいはペルフルオロ−C1−C
12アルキルを表す)の単位、更に好適には、下記式:
【0033】
【化18】
【0034】(式中、C1−C18アルキルは、メチル、
エチル、n−、i−プロピル、n−、i−、sec.−、tert.
−ブチル、n−、i−、ネオ−ペンチル、n−ヘキシル、n
−ヘプチル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、n−ノ
ニル、n−デシル、3,7−ジメチルオクチル、n−ウン
デシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシ
ル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデ
シル、n−オクタデシルを表し、好適にはC1−C12アル
キル、例えばメチル、エチル、n−、i−プロピル、n
−、i−、sec.−、tert.−ブチル、n−、i−、ネオ−ペ
ンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、2
−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、3,7−ジ
メチルオクチル、n−ウンデシル又はn−ドデシルを表
す)の単位を含むコポリマーに関する。
【0035】ペルフルオロ−C1−C12アルキルは、全
部又は部分的なフルオロ化C1−C12アルキル、例えば
フルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロ
エチル、ヘプタフルオロプロピル又はノナフルオロブチ
ルを表す。
【0036】C1−C12アルコキシは、メトキシ、エト
キシ、n−、i−プロポキシ、n−、i−、sec.−若しく
はtert.−ブトキシ、n−、i−ペントキシ、n−ヘキソキ
シ、n−ヘプトキシ−、n−オクトキシ、2−エチルヘキ
ソキシ、n−ノノキシ、n−デコキシ、3,7−ジメチル
オクトキシ、n−ウンデコキシ、n−ドデコキシ、好適に
はC4−C12アルコキシ、例えばn−、i−、sec.−若し
くはtert.−ブトキシ、n−、i−ペントキシ、n−ヘキソ
コシ、n−ヘプトキシ−、n−オクトキシ、2−エチルヘ
キソキシ、n−ノノキシ、n−デコキシ、3,7−ジメチ
ルオクトキシ、n−ウンデコキシ、n−ドデコキシを表
す。
【0037】C6−C12アリールは、典型的にはフェニ
ル、1−ナフチル、2−ナフチル、又は4−ビフェニル
である。
【0038】C1−C12アルキル−C6−C12アリール
は、例えば2−、3−、4−メチル−フェニル、2−、
3−、4−エチル−フェニル、2−、3−、4−n−プ
ロピル−フェニル、2−、3−、4−i−プロピル−フ
ェニル、2−、3−、4−n−ブチル−フェニル、2
−、3−、4−tert.−ブチル−フェニル、1−、2−
メチル−ナフチル、1−、2−エチル−ナフチル、1
−、2−n−プロピル−ナフチル、1−、2−i−プロ
ピル−ナフチル、1−、2−n−ブチル−ナフチル、1
−、2−tert.−ブチル−フェニルを表す。
【0039】C6−C12アリール−C1−C12アルキル
は、例えばベンジル、2−ベンジル−2−プロピル、β
−フェニル−エチル、α,α−ジメチルベンジル、ω−
フェニル−ブチル、ω,ω−ジメチル−ω−フェニル−
ブチル、ω−フェニル−ドデシル、ω−フェニル−オク
タデシル、ω−フェニル−エイコシル又はω−フェニル
−ドデシル、好適にはC7−C18アラルキル、例えばベ
ンジル、2−ベンジル−2−プロピル、β−フェニル−
エチル、α,α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブ
チル、ω,ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−
フェニル−ドデシル又はω−フェニル−オクタデシル、
特に好適にはC7−C12アラルキル、例えばベンジル、
2−ベンジル−2−プロピル、β−フェニル−エチル、
α,α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、又
はω,ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチルを表す。
【0040】本発明のポリマー及びコポリマー(以後、
用語、ポリマーは、コポリマーも含む)は、通常、1,
000〜1,000,000g/mol、好適には2,00
0〜100,000g/mol、最も好適には2,000〜
50,000g/molの分子量M wを有する。
【0041】本発明の好適な実施態様は、下記式:
【0042】
【化19】
【0043】の単位を含むDPPポリマーを製造するた
めの方法であって、式(II):
【0044】
【化20】
【0045】{式中、R1及びR2は、上記と同義であ
り、そしてR8は、ハロゲン、例えばクロロ若しくはブ
ロモ、好適にはブロモ又は下記式:
【0046】
【化21】
【0047】(式中、aは、2又は3である)のEを意
味する}のDPP誘導体を、下記式(III):
【0048】
【化22】
【0049】のホウ酸誘導体と反応させるか、あるいは
−R8がハロゲンでないとき−、下記式(IIIa):
【0050】
【化23】
【0051】(式中、Halは、ハロゲンを表し、そし
てR3及びR4は、請求項1と同義である)で示される化
合物と反応させ、そして場合により、下記式(IV):
【0052】
【化24】
【0053】(式中、Halは、ハロゲンを表し、そし
てR6及びR7は、互いに独立して、水素、C1−C12
ルキル、C1−C12アルコキシ、非置換C6−C12アリー
ル又はC1−C12アルキル、C1−C12アルコキシ若しく
はハロゲンの1〜3個で置換されたC6−C12アリー
ル、あるいはペルフルオロ−C1−C12アルキルを表
す)で示されるジハロフェニル化合物と反応させること
を含む方法に関する。
【0054】好適には、この反応は、有機溶媒、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水
素、テトラヒドロフラン若しくはジオキサン、又はそれ
らの混合物、最も好適にはトルエンの存在下に実施され
る。通常、溶媒の量は、ホウ酸誘導体IIIの1モル当り
1〜10リットルの範囲から選択される。
【0055】反応は、窒素又はアルゴンのような不活性
雰囲気下に実施するのもまた好適である。
【0056】更に、反応を、アルカリ金属水酸化物又は
炭酸塩、例えばNaOH、KOH、Na2CO3、K2
3などの水性塩基の存在下に行うのが好適であり、好
適には水性K2CO3溶液が選択される。通常、化合物II
Iに対する塩基のモル比は、0.5:1〜50:1の範囲で
選択される。
【0057】一般に、反応温度は、40〜180℃の範
囲で選択され、好適には還流条件下である。
【0058】好適には、反応時間は、1〜80時間の範
囲から選択され、更に好適には20〜72時間から選択
される。
【0059】好適な実施態様において、結合反応又は重
縮合反応のための通常の触媒が用いられ、好適にはPd
に基づく触媒、例えば既知のテトラキス(トリアリール
ホスホニウム)−パラジウム、好適には(ph3P)4
d及びその誘導体である。通常、触媒は、100:1〜
10:1、好適には50:1〜30:1の触媒に対する
本発明のDPPポリマーのモル比で加えられる。
【0060】また好適には、触媒は、溶液又は懸濁液で
加えられる。好適には、適切な有機溶媒、例えば上述し
たもの、好適にはベンゼン、トルエン、キシレン、TH
F、ジオキサン、最も好適にはトルエン、又はその混合
物が用いられる。溶媒の量は、通常、ホウ酸誘導体III
のモル当り1〜10リットルの範囲で選択される。
【0061】得られた本発明のDPPポリマーは、周知
の方法で単離することができる。好適には、反応混合物
を室温に冷却した後、それをアセトン中へ注ぎ、次いで
得られた沈殿物を好適には濾別し、洗浄し、次いで乾燥
する。
【0062】DPP誘導体IIは既知であり、当分野の既
知の方法、例えばUS 4,579,949又はUS 4,585,878に記載
されている方法、例えば適切なニトリル又はシッフ塩基
の2モルとコハク酸ジエステルの1モルとを塩基及び有
機溶媒の存在下に反応させることにより、製造すること
ができる。
【0063】本発明の別の実施態様は、本発明のポリマ
ーを含むエレクトロルミネッセンス装置に関する。
【0064】最も最近の有機エレクトロルミネッセンス
装置の典型的な構成は: (i)アノード/孔輸送層/電子輸送層/カソード、こ
こで、本発明のポリマーは、正孔輸送化合物(それは、
発光及び孔輸送層を形成するように利用される)として
か、又は電子輸送化合物(それは、発光及び孔輸送層を
形成するように利用することができる)としてかのいず
れかとして用いられる、及び(ii)アノード/孔輸送層
/発光層/場合により電子輸送層/カソード、ここで、
本発明のポリマーは、それらがこの構成において正孔又
は電子輸送特性又は電子輸送特性を示すかどうかにかか
わらず、発光層を形成する。
【0065】発光層は、エネルギー供与体(類)及び電
子受容体(類)のための、2種以上の本発明のポリマー
からなることができる。
【0066】この装置は、数種の方法で製造することが
できる。通常、真空蒸発は、製造のために広く用いられ
る。好適には、有機層は、商業的に入手し得るインジュ
ーム−スズ−オキシド(「ITO」)又はフルオロ化−
スズ−オキシド(「FTO」)ガラス基質上に室温で上
記の順序で薄層化され、それはこの構成においてアノー
ドとして働く。膜厚は、好適には、1〜10,000n
m、更に好適には、1〜5,000nm、更に好適には、
1〜1,000nm、より好適には1〜500nmの範囲で
ある。カソード金属、例えばAl、Ca、Mg/Ag合
金及び30〜200nmの二層システムは、有機層のトッ
プ上に薄層化される。付着の間の真空は、好適には0.
1333Pa(1×10-3トル)、更に好適には1.3
33×10 -3Pa(1×10-5トル)、より好適には
1.333×10-4Pa(1×10-6トル)である。
【0067】アノードとして、金属、例えば金、銀、
銅、アルミニウム、インジウム、鉄、亜鉛、錫、クロ
ム、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、鉛、マ
ンガン、タングステンなど、金属の合金、例えばマグネ
シウム/銅、マグネシウム/銀、マグネシウム/アルミ
ニウム、アルミニウム/インジウムなど、半導体、例え
ばSi、Ge、GaAsなど、金属酸化物、例えばIT
O、FTO、ZnOなど、金属化合物、例えばCuIな
ど、更に電気伝導性ポリマー、例えばポリアセチレン、
ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパ
ラフェニレンなど、好適にはITO又はFTO、最も好
適にはガラス基質上のITO又はFTOのような高い作
用を有する通常のアノード材料を用いることができる。
【0068】それらの電極材料のうち、金属、金属合金
及び金属化合物が、例えばスパッタリングの方法により
電極へ転換される。電極のための材料として金属又は金
属合金を用いる場合に、電極は、真空付着の方法によっ
ても形成することができる。電極を形成する材料として
金属又は金属合金を用いる場合に、電極は、更に、化学
メッキ(例えば、電気化学ハンドブック、383〜38
7頁、丸善 1985参照)により形成することができ
る。導電性ポリマーを用いる場合に、電極は、陰極酸化
重合方法の手段により導電性被覆で予め準備されている
基質の上のフィルム中にそれを形成させることにより製
造することができる。基質上に形成されるべき電極の厚
さは、特定の値に限定されないが、基質が発光板として
用いられるときには、電極の厚さは、透明性を保証する
ために、好適には1nm〜100nm、更に好適には5〜5
0nmの範囲である。
【0069】好適な実施態様において、ITOは、10
nm(100Å)〜1μ(10000Å)、好適には20
nm(200Å)〜500nm(5000Å)の範囲のIT
Oフィルムを有する基質上で用いられる。一般的に、I
TOフィルムのシート抵抗は、100Ω/cm2以下、好適
には50Ω/cm2以下の範囲から選択される。そのような
アノードは、商業的に、例えば Geomatech Co.Ltd.,Sa
nyo Vacuum Co. Ltd.,Nippon Sheet Glass Co. Ltd.の
ような日本の製造社から入手できる。
【0070】基質として、導電性又は電気的絶縁性材料
のいずれかを用いることができる。導電性基質を用いる
場合、発光層又は正孔輸送層は、直接にその上に形成さ
れるが、一方電気的絶縁基質を用いる場合、電極は、初
めにその上に形成され、次いで発光層又は正孔輸送層
が、重ねられる。
【0071】基質は、透明、半−透明又は不透明のいず
れかであり得る。しかしながら、表示平面として、基質
を用いる場合に、基質は、透明又は半−透明でなければ
ならない。
【0072】透明な電気的絶縁基質は、例えば無機化合
物、例えばガラス、石英など、有機ポリマー化合物、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタク
リラート、ポリアクリロニトリル、ポリエステル、ポリ
カーボナート、ポリビニルクロリド、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルアセタートなどである。それらの基質
のそれぞれは、電極を有するそれを上述の方法の一つに
より準備することにより、透明な導電基質へ転換するこ
とができる。
【0073】半−透明な電気絶縁基質の例として、無機
化合物、例えばアルミナ、YSZ(イットリウム安定化
ジルコニウム)など、有機ポリマー化合物、例えばポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、エポキシ樹
脂などが存在する。それらの基質のそれぞれは、電極を
有するそれを上述の方法の一つにより準備することによ
り、半−透明な導電基質へ転換することができる。
【0074】不透明な電気絶縁基質の例として、金属、
例えばアルミニウム、インジウム、鉄、ニッケル、亜
鉛、錫、クロム、チタン、銅、銀、金、白金など、金属
合金、例えばブロンズ、ステンレス鋼など、半導体、例
えばSi、Ge、GaAsなど、導電性ポリマー、例え
ばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ
アセチレン、ポリパラフェニレンなどが存在する。
【0075】基質は、上に記載した材料の一つを所望の
寸法に形成することにより得ることができる。基質は、
滑らか表面を有することが好適である。しかしながら、
粗い表面であっても、20μm未満でない曲率を有する
丸い非平面を有するならば、実際の使用にはどのような
問題もない。基質の厚さとして、それが十分な機械的強
度を保証する限り、制限はない。
【0076】カソードとして、例えばアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、13属の元素、銀及び銅、並びにそれ
らの合金又は混合物、例えばナトリウム、リチウム、カ
リウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マ
グネシウム−銀合金、マグネシウム−銅合金、マグネシ
ウム−アルミニウム合金、マグネシウム−インジウム合
金、アルミニウム、アルミニウム−アルミニウムオキシ
ド合金、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、カ
ルシウムのような低い作用効果を有する材料、及びEP−
A 499,011に例示されている材料、例えば導電性ポリマ
ー、例えばポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリアセチレンなど、好適にはAl、Ga、Mg/
Ag合金、又はLi−Al組成物が用いることができ
る。
【0077】そのようなカソードは、上述した既知の真
空付着技法により、前述の電子輸送層上に析出させるこ
とができる。
【0078】本発明の好適な実施態様において、発光層
は、孔輸送層と電子輸送層(場合により)それぞれカソ
ードの間で用いることができる。通常、孔輸送層の上に
本発明のDPPポリマーの薄いフィルムを形成させるこ
とにより製造される。
【0079】該薄いフィルムを形成する方法として、例
えば真空付着法、スピン−被覆法、流延法、ラングミュ
ア−ブロジェット(LB)法などがある。それらの方法
のうち、真空付着法、スピン−被覆法及び流延法は、操
作及びコストの点から、特に好適である。
【0080】本発明のDPPポリマーを用い、真空付着
法により薄いフィルムを形成する場合に、真空析出が実
施される条件は、通常、化合物の特性、形状及び結晶状
態に強く依存する。しかしながら、最適条件は、例えば
加熱ボートの温度、100〜400℃の範囲、基質温度
−100〜350℃、圧力1.33×104Pa(1×1
2トル)〜1.33×10-4Pa(1X10-6トル)及
び付着速度1pm〜6nm/secの範囲で選択される。
【0081】有機EL素子において、それの発光層の厚
さは、その発光特性を決定するファクターの一つであ
る。例えば、発光層が十分に厚くなければ、該発光層を
挟む二つの電極の間に、短い回路が容易に生起すること
ができ、EL発光は得られない。一方、発光層が過剰に
厚ければ、その高い電気抵抗のために、発光層の内部に
大きな電圧低下が起こり、そのためにEL発光のための
閾値電圧が増大する。したがって、有機発光層の厚さを
5nm〜5μmの範囲に制限することが必要である。好適
な厚さは、10nm〜500nmの範囲である。
【0082】スピン被覆法及び流延法を用いて発光層を
形成する場合に、被覆は、本発明のDPPポリマーを、
適切な有機溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレ
ン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、
N,N−ジメチル孔ムアミド、ジクロロメタン、ジメチ
ルスルホキシドなどに0.0001〜90重量%の濃度
で溶解することにより調製した溶液を用いて実施するこ
とができる。ここで、本発明のDPPポリマーの濃度が
高ければ、得られたフィルムの厚さは厚くなり、一方濃
度が低ければ、得られたフィルムはより薄くなる。しか
しながら、濃度が90重量%を超えると、溶液は、通常
粘稠であり、もはや平滑かつ均一なフィルムを形成しな
い。一方、概して、濃度が0.0001%未満であれ
ば、フィルムを形成する効率が低すぎて経済的ではな
い。したがって、本発明のDPPポリマーの好適な濃度
は、0.01〜80重量%の範囲内である。
【0083】スピン被覆又は流延法を用いる場合に、発
光層を形成するための溶液中にポリマー結合剤を加える
ことにより、得られた層の均一性及び機械的強度を更に
改善することができる。それが、DPPIが溶解する溶
媒中に溶解されるならば、原理的に、どのようなポリマ
ー結合剤も用いることができる。そのようなポリマー結
合剤の例は、ポリカーボナート、ポリビニルアルコー
ル、ポリメタクリラート、ポリメチルメタクリラート、
ポリエステル、ポリビニルアセタート、エポキシ樹脂な
どである。発光層を形成するための溶液は、本発明のD
PPポリマー、ポリマー結合剤及び溶媒のどのような濃
度であってもよい。しかしながら、もし、ポリマー結合
剤及び本発明のポリマーの固体含量が、99重量%を超
えるならば、溶液の流動性は、通常低いので、均一性に
おいて優れた発光層を形成することはできない。他方、
もし本発明のDPPの含量が、ポリマー結合剤のそれよ
りも実質的に小さいならば、一般的に、該層の電気抵抗
は非常に大きいので高い電圧がそれに印加されないかぎ
り、光を発光しない。更に、層中の本発明のDPPポリ
マーの濃度がこの場合小さいので、その発光効率は、比
較的低い。したがって、ポリマー結合剤の本発明のDP
Pポリマーに対する好適な組成比は、10:1〜1:5
0重量での範囲から選択され、溶液中での両方の成分か
らなる固体含量は、好適には、0.01〜80重量%、
更に好適には約0.1〜60重量%の範囲である。
【0084】スピン被覆又は流延法により発光層を形成
する場合に、該層の厚さは、真空付着法により発光層を
形成する場合と同じ方法で選択することができる。すな
わち、層の厚さは、好適には5nm〜5μm、更に好適に
は10nm〜500μmの範囲から選択される。
【0085】正孔輸送層として、既知の有機孔輸送化合
物、例えばポリビニルカルバゾール:
【0086】
【化25】
【0087】J. Amer. Chem. Soc. 90 (1968) 3925に開
示されたトリフェニルアミン誘導体(TPD)
【0088】
【化26】
【0089】(式中、Z1及びZ2は、それぞれ水素原子
又はメチルを表す) J. Appl. Phys. 65(9) (1989) 3610に開示された化合
物:
【0090】
【化27】
【0091】スチルベンに基づく化合物:
【0092】
【化28】
【0093】(式中、T及びT1は、有機基を表す) ポリ(ジオキシエチレンチエニレン)(PEDOT)ヒ
ドラゾンに基づく化合物:
【0094】
【化29】
【0095】などである。
【0096】正孔輸送材料として用いられる化合物は、
上記の表に限定されない。正孔を輸送する特性を有する
いかなる化合物も、トリアゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェ
ニレン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カル
コン誘導体、オキサゾール誘導体、スチルベンアントラ
セン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、
スチルベン誘導体、アニリン誘導体のコポリマー、電子
伝導性オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー、ポリフ
ィリン化合物、芳香族第三アミン化合物、スチルベニル
アミン化合物などのような正孔輸送材料として用いるこ
とができる。
【0097】特に、芳香族第三アミン化合物、例えば
N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジア
ミノビフェニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビ
ス(3−メチルフェニル)−4,4′−ジアミノビフェ
ニル(TPD)、2,2′−ビス(ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)プロパン、1,1′−ビス(4−ジ−トリ
ルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビ
ス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニ
ルメタン、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)
フェニル−メタン、N,N′−ジフェニル−N,N′−
ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,
4′ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ビス(ジ
フェニルアミノ)クオータフェニル、N,N,N−トリ
(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)
−4′−[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ス
チルベン、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフ
ェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4′−N,N
−ジフェニルアミノスチルベン、N−フェニルカルバゾ
ールなどを用いることができる。
【0098】更に、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(US 5,061,569
に開示されている)、3つのトリフェニルアミン単位
が、星の輝きのように窒素に結合している化合物、例え
ば4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニ
ル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(EP−
A508,562に記載されている)。
【0099】正孔輸送層は、アノード上に少なくとも1
種の正孔輸送材料を含む有機フィルムにより形成するこ
とができる。正孔輸送層は、真空付着法、スピン被覆
法、流延法、LB法などにより製造することができる。
それらの方法のうち、真空付着法、スピン被覆法及び流
延法は、容易さとコストの点から特に好適である。
【0100】真空付着法を用いる場合に、付着のための
条件は、発光層の形成のために記載したのと同じ方法で
選択される(上記参照)。一つ以上の正孔輸送材料から
なる正孔輸送層を形成することが所望ならば、所望の化
合物を用いて共付着方法を実施することができる。
【0101】スピン被覆法又は流延法により正孔輸送層
を形成する場合に、層は、発光層の形成のために記載し
た条件下で形成することができる(上記参照)。
【0102】ポリマー結合剤を含む溶液を用いて発光層
を形成する場合に、平滑な、かつより均一な正孔輸送層
は、結合剤及び少なくとも1種の正孔輸送材料を含む溶
液を用いて形成することができる。そのような溶液を用
いる被覆は、ポリマー結合剤を用いる発光層の形成の場
合と同じ方法で実施することができる。少なくとも1種
の正孔輸送材料が溶解する溶媒にそれが溶解するなら
ば、いかなるポリマー結合剤も用いることができる。適
切なポリマー結合剤及び適切かつ好適な濃度は、発光層
の形成を記載したときに上に与えた。正孔輸送層の厚さ
は、好適には0.5〜1000nm、好適には1〜100n
m、更に好適には2〜50nmの範囲で選択される。
【0103】電子−輸送層のための電子輸送材料とし
て、カソードから高い電子注入効率及び高い電子移動性
を有することが好適である。以下の材料が、電子輸送材
料のために例示することができる:トリス(8−ヒドロ
キシキノリノアト)−アルミニウム(III)及びその誘
導体、ビス(10−ヒドロキシベンゾ〔h〕キノリノー
ルアト)ベリリウム(II)及びその誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、例えば2−(4−ビフェニル)−5−
(4−tert.−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール及びその二量体システム、例えば1,3−ビ
ス(4−tert.−ブチルフェニル−1,3,4)オキサ
ジアゾリル)−ビフェニレン及び1,3−ビス(4−te
rt.−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリ
ル)フェニレン、トリアゾール誘導体、フェナントロリ
ン誘導体又はペリレンテトラカルボン酸誘導体、例えば
Appl. Phys. Lett. 48 (2) (1986) 183に記載されてい
るもの。
【0104】電子輸送層は、正孔輸送層又は発光層上に
少なくとも1種の電子輸送材料を含む有機フィルムを調
製することにより形成することができる。電子輸送層
は、真空付着法、スピン被覆法、流延法、LB法などに
より形成することができる。
【0105】ポリマー結合剤を含む溶液を用いて、発光
層又は正孔輸送層を形成する場合に、平滑かつより均一
な電子輸送層は、結合剤及び少なくとも1種の輸送材料
を含む溶液を用いて形成することができる。
【0106】一般的に、本発明のポリマーは、103
106[103cm2mol-1]のモル吸光係数を示す。
【0107】更に好適な実施態様は、電子及び光子装
置、例えば、ダイオード、発光ダイオード、光ダイオー
ド、磁場−効果トランジスター、ポリマー格子トリオー
ド、発光電子化学電池、光カップラー及びレーザーでの
本発明のポリマーの使用に関する。
【0108】本発明の別の実施態様は、本発明のポリマ
ーを含む、電子及び光子装置、例えばダイオード、発光
ダイオード、光ダイオード、磁場−効果トランジスタ
ー、ポリマー格子トリオード、発光電子化学電池、光カ
ップラー及びレーザーに関する。
【0109】本発明のポリマーは、改善された加工性及
び改善されたエレクトロルミネッセンス強度(ポリ
(1,4−フェニレン)に関して102〜104のファク
ター)を示す。
【0110】
【実施例】実施例1:xモルの1,4−ジケト−2,5
−ジ(n−ヘキシル)−3,6−ジ(4−ブロモフェニ
ル)ピロロ−[3.4−c]ピロール(US 4,579,949の例
えば実施例25又は44に記載された方法により調製さ
れた)、(x+y)モルの2,5−ジ−n−ヘキシルベ
ンゼン−1,4−ビス(ボロン酸)(Makromol. Chem.
191 (1990) 1991により調製された)yモルの2,5−
ジブロモ−1,4−ジ−n−ヘキシルベンゼン(Synthe
sis (1988) 386-388)をトルエン(5ml/mmolボロン酸
誘導体)中に窒素下で溶解し、1Nの水中の炭酸カリウ
ム溶液(5ml/mmolボロン酸誘導体)を加えた。この溶
液を還流まで加熱し、トルエン中のテトラキストリフェ
ニル−ホスフィノ−Pd(0)(x/35モル)(5ml/
mmolボロン酸誘導体)を加えた。この混合物を、24時
間還流し、室温に冷却し、アセトン中へ注いだ。ろ過し
た後、ポリマーを、アセトン及び水性HClで順次洗浄
した。最後に、固体、粉末を得た。これは、クロロホル
ム、トルエン及びキシレンに溶解する。熱特性:融点な
し、250℃以上で徐徐に分解。組成及び特徴的性質
は、下記表1を参照:
【0111】1H−NMR;(CDCl3):δ(pp
m):0.7−1.8(n−ヘキシルのCH2、C
3)、2.63(DPPのとなりのフェニレンのn−ヘ
キシルのα−CH2)、2.42(別のフェニレンのとな
りのフェニレンのn−ヘキシルのα−CH2)、3.84
(DPPのn−ヘキシルのα−CH2)、7.19
(m、フェニレンのCH)、7.55(d、DPPのC
H)、7.93(d、DPPのCH)。 UV/VIS吸収(CHCl3):λmax=488nm ホトルミネッセンス(CHCl3):λmax=544nm
【0112】実施例2:433.9mgの1,4−ジケト
−2,5−ジ(i−ペンチル)−3,6−ジ(4−ブロ
モフェニル)ピロロ−[3.4−c]ピロール、500.
0mgの2,5−ジ−i−ペントキシベンゼン−1,4−
ビス(ホウ酸)及び302.0mgの2,5−ジブロモ−
1,4−ジ−i−ペントキシベンゼンを、テトラヒドロ
フラン20ml中に窒素雰囲気下で溶解し、水中のNaH
CO3の1N溶液20mlを加えた。この溶液を還流まで
加熱し、テトラヒドロフラン5ml中の17mgのテトラキ
ストリフェニルホスフィノ−Pd(0)を加えた。この
混合物を72時間還流し、室温に冷却した後、メタノー
ル中へ注いだ。ろ過した後、ポリマーを水で洗浄し、メ
タノールを添加してクロロホルムから再結晶した。Mw
=4500g/molの分子量を有する粉末を得た(ポリマ
ー11:表1参照)
【0113】1H−NMR(CDCl3):δ(ppm):
0.7−1.6(i−ペンチルのCH2、CH3)、3.8
9(DPPでのi−ペンチルのα−CH2)、3.95
(フェニレンのi−ペントキシのα−CH2)、6.9並
びに7.0、7.6、7.76及び7.9(DPP及びフェ
ニレンの芳香族プロトン)。 UV/VIS吸収(CHCl3):λmax=493、30
5nm フルオレセンス:λmax=558nm
【0114】表1:(コ)ポリマーの組成及び特徴的性
【0115】
【表1】
【0116】Pwは、Mw/Mとして定義され、ここで、
Mは、x及びyによる秤量したモノマーのそれぞれの相
当するモノマーの分子量である。xは、CDCl3中で
の本発明のポリマーの1H−NMRスペクトロスコピー
により決定した。分子量は、サイズ排除クロマトグラフ
ィ(「SEC」)(Waters/Millipore UV detector 481
及びSECカラム組み合せLatek/styragel 50/100
0nm pore size)を用いて決定した。全ての測定は、テ
トラヒドロフラン中、45℃で実施した。カラムは、商
業的に入手し得るポリスチレン標準により測定した。
【0117】実施例3:83mgのポリマー1を、4.5m
lのクロロホルムに溶解した。インジウム−スズ−オキ
シド(ITO)(100nm)及びポリ(ジオキシエチレ
ンチエニレン)(「PEDOT」)/PSS(バイトロ
ンP(Baytron)P(商標):Bayer AGから)(50n
m)で被覆したガラス基質を用い、そしてスピン被覆を
用いて、ポリマー1のフィルム(フィルムの厚さ:10
0nm)で被覆した;被覆条件は、1500回転/分、1
0秒、加速時間は、1秒、2000回転/分、20秒、
加速時間1秒、そして1000回転/分、30秒、減速
時間2秒。続いて、このフィルムを、付着法(圧力:6
・10-6mbar)を用いて、厚さ50nmのAlの層で
被覆した。
【0118】エレクトロルミネッセンス測定は、自作の
サンプルホルダーを有するHP 16442A試験固定装置を用
いて、窒素雰囲気下で実施した。電圧は、0〜20Vの
範囲から選択し、電流は、HP 4155A半導体パラメーター
アナライザーで検出し、光力は、Hamamatsu S2281-01シ
リコンホトダイオードを用いて測定した。エレクトロル
ミネッセンススペクトルは、150g/mmの光格子を有す
るLN/CCD検出器を用いて測定した。15Vで、光
力は、3・10-2mW/cm2、電流密度:2・10 -1A/cm
2であり、そしてλmax=623nm。
【0119】実施例4:120mgのポリマー2を、5.
5mlのクロロホルムに溶解し、スピン−被覆を用いて、
100nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及び
PEDOT(50nm)上に調製した;被覆条件は、15
00回転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回
転/分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/
分、30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、
付着法(圧力:6・10 -6mbar)を用いて、厚さ5
0nmのAlの層で被覆した。
【0120】エレクトロルミネッセンス特性は、実施例
2記載のように測定した。15Vで、光力は、8・10
-2mW/cm2、電流密度:5・10-2A/cm2であり、そし
てλmax=623nm。
【0121】実施例5:80mgのポリマー3を6mlのク
ロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、100
nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPED
OT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1200回
転/分、10秒、加速時間は、3秒、1800回転/
分、20秒、加速時間3秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0122】エレクトロルミネッセンス特性は、実施例
2記載のように測定した。15Vで、光力は、5・10
-3mW/cm2、電流密度:5.5・10-2A/cm2であり、そ
してλmax=623nm。
【0123】実施例6:83mgのポリマー5を6mlのク
ロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、100
nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPED
OT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1800回
転/分、10秒、加速時間は、1秒、2200回転/
分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0124】エレクトロルミネッセンス特性は、実施例
2記載のように測定した。15Vで、光力は、8・10
-4mW/cm2、電流密度:2・10-3A/cm2であり、そして
λma x=623nm。
【0125】実施例7:120mgのポリマー6を6mlの
クロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、10
0nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPE
DOT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1500
回転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回転/
分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0126】エレクトロルミネッセンス特性は、実施例
2記載のように測定した。15Vで、光力は、5・10
-4mW/cm2、電流密度:1.5・10-3A/cm2であり、そ
してλmax=623nm。
【0127】実施例8:実施例3の同じ方法を、Alに
代えてCa(100nm)析出したことを除いて、実施し
た。
【0128】エレクトロルミネッセンス特性は、実施例
2記載のように測定した。15Vで、光力は、4・10
-3mW/cm2、電流密度:3・10-3A/cm2であり、そして
λma x=623nm。
【0129】実施例9:85mgのポリマー1を、5mlの
クロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、10
0nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPE
DOT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1800
回転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回転/
分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0130】14Vでのエレクトロルミネッセンス特性
(窒素下)は、λmax=623nm、光力:3・10-3mW/
cm2、電流密度:9・10-1A/cm2
【0131】実施例10:70mgのポリマー3を6mlの
クロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、75
nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPED
OT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1500回
転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回転/
分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0132】20Vでのエレクトロルミネッセンス特性
(窒素下)は、λmax=623nm、光力:4・10-4mW/
cm2、電流密度:4・10-2A/cm2
【0133】実施例11:100mgのポリマー2を、
5.5mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用
いて、75nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)
及びPEDOT(50nm)上に調製した;被覆条件は、
1800回転/分、10秒、加速時間は、1秒、220
0回転/分、20秒、加速時間1秒、そして1000回
転/分、30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルム
を、付着法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚
さ50nmのAlの層で被覆した。
【0134】20Vでのエレクトロルミネッセンス特性
(窒素下)は、λmax=623nm、光力:2・10-4mW/
cm2、電流密度:6・10-2A/cm2
【0135】実施例12:88mgのポリマー1を4mlの
クロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、10
0nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPE
DOT(〜50nm)上に調製した;被覆条件は、150
0回転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回転
/分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/
分、30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、
付着法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ5
0nmのAlの層で被覆した。
【0136】20Vでのエレクトロルミネッセンス特性
(窒素下)は、λmax=727nmを有する広いEI−ス
ペクトル、光力:2・10-4mW/cm2、電流密度:1・1
-1A/cm2
【0137】実施例13:88mgのポリマー1を4mlの
クロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、10
0nmの厚さのフィルムを、ITO(100nm)及びPE
DOT(50nm)上に調製した;被覆条件は、1500
回転/分、10秒、加速時間は、1秒、2000回転/
分、20秒、加速時間1秒、そして1000回転/分、
30秒、減速時間2秒。続いて、このフィルムを、付着
法(圧力:6・10-6mbar)を用いて、厚さ50nm
のAlの層で被覆した。
【0138】20Vでのエレクトロルミネッセンス特性
(窒素下)は、λmax=727nmを有する広いEI−ス
ペクトル、光力:1.5・10-4mW/cm2、電流密度:3
・10-1A/cm2
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス バイエルライン ドイツ国 50737 ケルン ノイゼール シュトラーセ 548 (72)発明者 ヴォルフガング ブリュッティング ドイツ国 91344 ヴァイシェンフェルト ナンケンドルフ 18 (72)発明者 シュテファン フォレロ−レンガー ドイツ国 95448 バイロイト ブランデ ンブルガー シュトラーセ 30

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式: 【化1】 (式中、 xは、0.005〜1、好適には0.01〜1の範囲で選
    択され、 yは、0.995〜0、好適には0.99〜0の範囲で選
    択され、そしてx+yは、1であり、そしてAr1及び
    Ar22は、互いに独立して、下記式: 【化2】 の基のいずれかを表し、そしてm及びnは、1〜10の
    数であり、そしてR1及びR2は、互いに独立して、H、
    1−C18アルキル、−C(O)O−C1−C18アルキ
    ル、ペルフルオロ−C1−C12アルキル、非置換C6−C
    12アリール又はC1−C12アルキル、C1−C12アルコキ
    シ若しくはハロゲンの1〜3個で置換されたC6−C12
    アリール、あるいはC1−C12アルキル−C6−C12アリ
    ール又はC6−C12アリール−C1−C12アルキルを表
    し、 R3及びR4は、好適には水素、C1−C12アルキル、C1
    −C12アルコキシ、非置換C6−C12アリール又はC1
    12アルキル、C1−C12アルコキシ若しくはハロゲン
    の1〜3個で置換されたC6−C12アリール、あるいは
    ペルフルオロ−C1−C12アルキルを表し、そしてR
    5は、好適にはC1−C12アルキル、C1−C12アルコキ
    シ、非置換C6−C12アリール又はC1−C12アルキル、
    1−C12アルコキシ若しくはハロゲンの1〜3個で置
    換されたC6−C12アリール、あるいはペルフルオロ−
    1−C12アルキルを表す)で示される単位を含むこと
    を特徴とする、ジケトピロロピロールをベースとしたポ
    リマー又はコポリマー。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のDPPポリマーを製造す
    るための方法であって、 式(II): 【化3】 {式中、 R1及びR2は、請求項1と同義であり、そしてR8は、
    ハロゲン又は下記式: 【化4】 (式中、 aは、2又は3である)のEを意味する}で示されるD
    PP誘導体を、下記式(III): 【化5】 のホウ酸誘導体と反応させるか、 −R8が、ハロゲンでないとき−、下記式(IIIa): 【化6】 (式中、 Halは、ハロゲンを表し、そしてR3及びR4は、請求
    項1と同義である)で示される化合物と反応させ、そし
    て場合により、下記式(IV): 【化7】 (式中、 Halは、ハロゲンを表し、そしてR6及びR7は、互い
    に独立して、水素、C1−C12アルキル、C1−C12アル
    コキシ、非置換C6−C12アリール又はC1−C12アルキ
    ル、C1−C12アルコキシ若しくはハロゲンの1〜3個
    で置換されたC6−C12アリール、あるいはペルフルオ
    ロ−C1−C12アルキルを表す)で示されるジハロフェ
    ニル化合物と反応させることを含むをことを特徴とする
    方法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のポリマーまたはコポリマ
    ーを含む電子及び光子装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007516315A (ja) * 2003-10-28 2007-06-21 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド 新規ジケトピロロピロールポリマー
JP2009062537A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Xerox Corp ジケトピロロピロール系ポリマーおよびその形成方法
JP2009541548A (ja) * 2006-06-30 2009-11-26 チバ ホールディング インコーポレーテッド 有機半導体としてのジケトピロロピロールポリマー
JP2012528214A (ja) * 2009-05-27 2012-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア (複素環式)芳香族化合物の重合方法
JP2013525514A (ja) * 2010-03-20 2013-06-20 ポリエラ コーポレイション ピロロ[3,2−b]ピロール半導体化合物およびそれを組み込んだデバイス
JP2015507644A (ja) * 2011-12-07 2015-03-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 有機半導体デバイスにおいて使用するためのジケトピロロピロールポリマー
JP2020100785A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 東洋インキScホールディングス株式会社 蛍光標識剤

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW545079B (en) * 2000-10-26 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6680570B2 (en) * 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
CN1259388C (zh) * 2001-12-03 2006-06-14 东洋油墨制造株式会社 有机电致发光器件用组合物和使用该组合物的有机电致发光器件
AU2003257464A1 (en) * 2002-07-22 2004-02-09 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Polymerisable diketopyrrolopyrroles, use of such compounds in colour filters and polymers prepared from these compounds
US7501076B2 (en) * 2003-04-10 2009-03-10 Ciba Specialty Chemicals Corporation Fluorescent diketopyrrolopyrroles
CA2587781A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fluorescent diketopyrrolopyrroles
JP4247263B2 (ja) * 2006-09-29 2009-04-02 株式会社日立製作所 半導体放射線検出器および放射線検出装置
US20080237650A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode structure for fringe field charge injection
US7910684B2 (en) * 2007-09-06 2011-03-22 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based derivatives for thin film transistors
CA2700713A1 (en) 2007-10-09 2009-04-16 Zhimin Hao Pyrrolopyrrole derivatives, their manufacture and use
KR101164753B1 (ko) * 2008-04-18 2012-07-12 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 탄소 섬유 스레드의 제조 장치 및 제조 방법
US8975359B2 (en) * 2008-10-31 2015-03-10 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices
EP3456756A3 (en) 2008-10-31 2019-05-01 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors
US10224484B2 (en) 2008-10-31 2019-03-05 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors
KR101754432B1 (ko) 2009-03-23 2017-07-05 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
EP2435500B1 (en) 2009-05-27 2019-10-30 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices
JP2013533895A (ja) 2010-05-19 2013-08-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 有機半導体デバイスにおいて使用するためのジケトピロロピロール系ポリマー
WO2011161078A1 (en) 2010-06-24 2011-12-29 Basf Se An organic field effect transistor with improved current on/off ratio and controllable threshold shift
US20110315967A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Basf Se Organic field effect transistor with improved current on/off ratio and controllable threshold shift
US8946376B2 (en) 2010-09-29 2015-02-03 Basf Se Semiconductors based on diketopyrrolopyrroles
US9187600B2 (en) 2010-11-01 2015-11-17 Basf Se Polyimides as dielectric
KR101421913B1 (ko) 2010-11-01 2014-07-22 바스프 에스이 유전체로서의 폴리이미드
WO2012084757A1 (en) 2010-12-22 2012-06-28 Basf Se Semiconductor structure and method for its production
JP6305918B2 (ja) 2011-05-30 2018-04-04 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se カップリング反応を用いるポリマーの製造方法
CN103619855B (zh) 2011-06-22 2017-08-08 巴斯夫欧洲公司 用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物
TW201321427A (zh) * 2011-08-19 2013-06-01 Univ Washington 基於二酮吡咯並吡咯之新型聚(雜亞芳基亞乙烯基)
US9209412B2 (en) 2011-09-02 2015-12-08 Basf Se Diketopyrrolopyrrole oligomers and compositions, comprising diketopyrrolopyrrole oligomers
KR20140101788A (ko) 2011-11-15 2014-08-20 바스프 에스이 유기 반도체 소자 및 이의 제조 방법
JP6157497B2 (ja) 2011-12-07 2017-07-05 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 有機電界効果トランジスタ
WO2013089323A1 (ko) * 2011-12-15 2013-06-20 경상대학교산학협력단 신규한 다이케토피를로피롤 중합체 및 이를 이용한 유기 전자 소자
US8563851B2 (en) * 2012-03-19 2013-10-22 Xerox Corporation Method to increase field effect mobility of donor-acceptor semiconductors
US8558109B2 (en) * 2012-03-19 2013-10-15 Xerox Corporation Semiconductor composition for high performance organic devices
WO2013149897A1 (en) 2012-04-02 2013-10-10 Basf Se Phenanthro[9,10-b]furan polymers and small molecules for electronic applications
CN104334610A (zh) 2012-04-04 2015-02-04 巴斯夫欧洲公司 二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子
EP2875028A1 (en) 2012-07-23 2015-05-27 Basf Se Dithienobenzofuran polymers and small molecules for electronic application
CN104797624B (zh) 2012-12-04 2018-08-10 巴斯夫欧洲公司 用于电子应用的官能化苯并二噻吩聚合物
US8575477B1 (en) 2012-12-27 2013-11-05 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based polymers containing a diene group for semiconductors
WO2014180704A1 (en) 2013-05-06 2014-11-13 Basf Se Soluble cyclic imides containing polymers as dielectrics in organic electronic applications
WO2014206916A1 (en) 2013-06-27 2014-12-31 Basf Se Metathesis polymers as dielectrics
JP6214768B2 (ja) 2013-07-08 2017-10-18 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se アジド系架橋剤
US9761803B2 (en) * 2013-07-22 2017-09-12 Xerox Corporation Semiconductor composition
US9399698B2 (en) 2014-01-31 2016-07-26 Xerox Corporation Processes for purifying diketopyrrolopyrrole copolymers
KR102303315B1 (ko) 2016-05-25 2021-09-23 주식회사 클랩 반도체
US10934481B2 (en) * 2017-05-22 2021-03-02 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Self-assembly method for core/shell nanoparticles with enhanced emission
WO2020240336A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Ngai Sai Ming Organic conducting polymers and uses thereof
CN114383514B (zh) * 2021-12-30 2022-09-02 广州市合熠智能科技股份有限公司 一种cmos接触位移传感器及测量方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58210084A (ja) * 1982-05-17 1983-12-07 チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト ピロロ〔3,4−c〕ピロ−ルの製法
JPH03181569A (ja) * 1989-11-28 1991-08-07 Ciba Geigy Ag ジケトピロロピロールを基剤とする新規組成物
JPH04372632A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Nippon Kayaku Co Ltd ポリオレフィン系樹脂用着色剤及びそれにより着色されたポリオレフィン系樹脂着色物
JPH07196883A (ja) * 1993-12-01 1995-08-01 Ciba Geigy Ag ジケトピロロピロールとアミノアルキルアクリレート樹脂との顔料組成物
JPH0881546A (ja) * 1994-09-01 1996-03-26 Hoechst Ag ポリ(4,5,9,10−テトラヒドロピレン−2,7−ジイル)誘導体およびそれらのエレクトロルミネセンス材料としての使用
JPH09323993A (ja) * 1996-01-30 1997-12-16 Ciba Specialty Chem Holding Inc 重合可能なジケトピロロピロールおよびそれから製造された重合体
JPH11144874A (ja) * 1997-11-06 1999-05-28 Fukui Prefecture Sangyo Shinko Zaidan 有機電界発光素子
JPH11152323A (ja) * 1997-09-10 1999-06-08 Basf Ag ポリセレノフェン、その製造方法およびその用途

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0499011A1 (en) 1991-02-12 1992-08-19 Japat Ltd Organic electroluminescent element
DE4331401A1 (de) * 1993-09-15 1995-03-16 Hoechst Ag Verwendung von Polymeren mit isolierten Chromophoren als Elektrolumineszenzmaterialen

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58210084A (ja) * 1982-05-17 1983-12-07 チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト ピロロ〔3,4−c〕ピロ−ルの製法
JPH03181569A (ja) * 1989-11-28 1991-08-07 Ciba Geigy Ag ジケトピロロピロールを基剤とする新規組成物
JPH04372632A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Nippon Kayaku Co Ltd ポリオレフィン系樹脂用着色剤及びそれにより着色されたポリオレフィン系樹脂着色物
JPH07196883A (ja) * 1993-12-01 1995-08-01 Ciba Geigy Ag ジケトピロロピロールとアミノアルキルアクリレート樹脂との顔料組成物
JPH0881546A (ja) * 1994-09-01 1996-03-26 Hoechst Ag ポリ(4,5,9,10−テトラヒドロピレン−2,7−ジイル)誘導体およびそれらのエレクトロルミネセンス材料としての使用
JPH09323993A (ja) * 1996-01-30 1997-12-16 Ciba Specialty Chem Holding Inc 重合可能なジケトピロロピロールおよびそれから製造された重合体
JPH11152323A (ja) * 1997-09-10 1999-06-08 Basf Ag ポリセレノフェン、その製造方法およびその用途
JPH11144874A (ja) * 1997-11-06 1999-05-28 Fukui Prefecture Sangyo Shinko Zaidan 有機電界発光素子

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007516315A (ja) * 2003-10-28 2007-06-21 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド 新規ジケトピロロピロールポリマー
JP4908222B2 (ja) * 2003-10-28 2012-04-04 チバ ホールディング インコーポレーテッド 新規ジケトピロロピロールポリマー
KR101153240B1 (ko) * 2003-10-28 2012-06-07 시바 홀딩 인크 신규한 디케토피롤로피롤 중합체
JP2009541548A (ja) * 2006-06-30 2009-11-26 チバ ホールディング インコーポレーテッド 有機半導体としてのジケトピロロピロールポリマー
JP2009062537A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Xerox Corp ジケトピロロピロール系ポリマーおよびその形成方法
JP2012528214A (ja) * 2009-05-27 2012-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア (複素環式)芳香族化合物の重合方法
JP2013525514A (ja) * 2010-03-20 2013-06-20 ポリエラ コーポレイション ピロロ[3,2−b]ピロール半導体化合物およびそれを組み込んだデバイス
JP2015507644A (ja) * 2011-12-07 2015-03-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 有機半導体デバイスにおいて使用するためのジケトピロロピロールポリマー
JP2020100785A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 東洋インキScホールディングス株式会社 蛍光標識剤
JP7151468B2 (ja) 2018-12-25 2022-10-12 東洋インキScホールディングス株式会社 蛍光標識剤

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Publication number Publication date
US6451459B1 (en) 2002-09-17
DE60008981T2 (de) 2004-08-12
KR20010050214A (ko) 2001-06-15
JP4719341B2 (ja) 2011-07-06
KR100671725B1 (ko) 2007-01-22
DE60008981D1 (de) 2004-04-22
TWI290164B (en) 2007-11-21

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