JP2009541548A - 有機半導体としてのジケトピロロピロールポリマー - Google Patents

Abstract

本発明は、式（Ｉ）の反復単位を含むポリマー、並びに有機デバイス、特にダイオード、有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池における、又はダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池を含むデバイスにおける、有機半導体としてのそれらの使用に関する。本発明のポリマーは、有機溶媒における優れた溶解性及び優れた皮膜形成特性を有する。加えて、本発明のポリマーを半導体デバイス又は有機光起電性（ＰＶ）デバイス（太陽電池）に使用すると、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性が観察されうる。

Description

本発明は、式（Ｉ）の反復単位を含むポリマー、並びに有機デバイス、特にダイオード、有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池における、又はダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池を含むデバイスにおける、有機半導体としてのそれらの使用に関する。本発明のポリマーは、有機溶媒における優れた溶解性及び優れた皮膜形成特性を有する。加えて、本発明のポリマーを半導体デバイス又は有機光起電性（ＰＶ）デバイス（太陽電池）に使用すると、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性が観察されうる。

M. Smet et al., Tetrahedron Lett. 42 (2001) 6527-6530は、臭素化１，４−ジオキソ−３，６−ジフェニルピロロ〔３，４−ｃ〕ピロール（ＤＰＰ）誘導体及び１，４−ジブロモ−２，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼンをモノマーとして使用するスズキカップリングの段階的なシーケンスによる、棒状ジケトピロロピロールオリゴマーの調製を記載する。

M. Horn et. al, Eur. Polymer J. 38 (2002) 2197-2205は、主鎖における２，５−ジヒドロピロロ〔３，４−ｃ〕ピロール単位によるサーモメソジェニックポリシロキサンの合成及び特性解析を記載する。

ＥＰ−Ａ−７８７，７３０は、式Ｉａ：

〔式中、Ｑ_１及びＱ_４は、互いに独立して、重合しうる反応性基を表し、そして、
Ｑ_２及びＱ_３は、互いに独立して、水素、Ｃ_１２〜Ｃ_２４アルキル、Ｏ若しくはＳで１回以上中断されるＣ_６〜Ｃ_２４アルキルを表すか、又は下記式：

（式中、Ｑ_５は、Ｃ_４〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_５〜Ｃ_１０シクロアルキルである）
の基である〕
で示されるＤＰＰの重合により得られるポリアクリレート及びポリウレタンを記載する。

化合物Ｉａを光伝導性及び導電性ポリマーの調製に使用できることが記述されているが、対応する実施例が提示されていない。更に、ＤＰＰに基づいたポリマーを含むＥＬデバイスをどのように調製するか及びＤＰＰポリマーに対応する適切なＤＰＰモノマーをどのように選択するかについの教示が提示されていない。

Macromol. Chem. Phys. 200 (1999) 106-112は、二官能性モノマーＤＰＰ誘導体の共重合により得られる蛍光ＤＰＰポリマーを記載し、ここで官能基は、ジイソシアネート又はジオール又は二酸によりＤＰＰ分子のＮ原子に結合している。
J. Am. Chem. Soc. 117 (1995) 12426-12435は、官能性ポリマーの合成のためのパラジウム触媒スチル型カップリング反応の探求に関する。スキーム７において、以下のポリマーの合成が提示されている：

記載されたポリマーをＥＬデバイスに使用することができるかについての教示は提示されていない。

J. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 11735-11743は、光屈折力を実証する、すなわち光伝導性及び二次非線形光学活性を示すＤＰＰポリマーを記載する。このデバイスにおいて、光伝導特性は、レーザビームによりデバイスを照射し、次いでこの照射によりもたらされた電流を測定することにより決定され、エレクトロルミネセンスに関して測定は実施されなかった。

更に、他のＤＰＰポリマーをどのように選択するかについての教示は提示されていない。

Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2489-2491において、更なる研究、すなわちJ. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 11735-11743に開示されたポリマーを使用する２ビームカップリング実験が光屈折性を研究するために実施されている。２ビームカップリング実験は、ゼロ磁場での非対称エネルギー交換、すなわちJ. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 11735-11743に開示されているポリマーの光屈折性を実証した。

ＵＳ−Ｂ−６４５１４５９（B. Tieke et al., Synth. Met. 130 (2002) 115-119; Macromol. Rapid Commun. 21 (4) (2000) 182-189参照）は、以下の単位：

〔ここで、ｘは、０．００５〜１、好ましくは０．０１〜１の範囲から選択され、ｙは、０．９９５〜０、好ましくは０．９９〜０の範囲から選択され、ｘ＋ｙ＝１であり、
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、互いに独立して、下記：

を表し、
ｍ、ｎは、１〜１０の数であり、
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、ペルフルオロ−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、非置換Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ若しくはハロゲンで１〜３回置換されているＣ_６〜Ｃ_１２アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル−Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール、又はＣ_６〜Ｃ_１２アリール−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルであり、
Ｒ^３及びＲ^４は、好ましくは、水素、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ、非置換Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ若しくはハロゲンで１〜３回置換されているＣ_６〜Ｃ_１２アリール、又はペルフルオロ−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルであり、そして、
Ｒ^５は、好ましくは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ、非置換Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール、又はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ若しくはハロゲンで１〜３回置換されているＣ_６〜Ｃ_１２アリール、又はペルフルオロ−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルである〕を含むジケトピロロピロールに基づいているポリマー及びコポリマー、並びにＥＬデバイスにおけるそれらの使用を記載する。以下のポリマー：

が、Tieke et al., Synth. Met. 130 (2002) 115-119に明示的に開示されている。以下のポリマー：

が、Macromol. Rapid Commun. 21 (4) (2000) 182-189に明示的に開示されている。

ＷＯ０５／０４９６９５は、ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）に基づいたポリマー及びＰＬＥＤ、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）又は有機レーザダイオードにおけるそれらの使用を開示するが、特定のＤＰＰに基づいた式Ｉのポリマーを開示していない。実施例１２において、以下のポリマーの調製が記載されている：

本発明の目的は、例えば、半導体デバイス、フォトダイオード又は有機光起電性（ＰＶ）デバイス（太陽電池）において使用したときに、高効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性のような優れた性能を示す新規ポリマーを提供することである。

前記目的は、下記式：

〔式中、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、０〜２００、特に０、１、２又は３であり；
Ａｒ^１及びＡｒ^１′は、互いに独立して、下記式：

の基であり、
Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、互いに独立して、下記式：

の基であり、
ｐは、可能であれば、０、１、２、３又は４を表し、
Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なっていてもよく、水素、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキル基、アルケニル基、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいアルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるアリル基；Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８チオアルコキシ若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるシクロアルキル基、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン、ニトロ若しくはシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより１若しくは２回縮合されていることができるシクロアルキル基；シクロアルケニル基、ケトン若しくはアルデヒド基、エステル基、カルバモイル基、シリル基、シロキサニル基、Ａｒ^１０又は−ＣＲ^５Ｒ^６−（ＣＨ_２）_ｇ−Ａｒ^１０から選択され、ここで
Ｒ^５及びＲ^６は、互いに独立して、水素、フッ素、シアノ、又はフッ素、塩素若しくは臭素で置換されていることができるＣ_１〜Ｃ_４アルキル、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるフェニルを表し、
Ａｒ^１０は、場合よりＧで置換されていてもよい、アリール又はヘテロアリール、特にＣ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８チオアルコキシ及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルを表し、ｇは、０、１、２、３又は４を表し、
Ｒ^３は、１つの基の内で同一又は異なっていてもよく、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２４アリール、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、アラルキルのａｒ（＝アリール）が場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_２５アラルキル、又は−ＣＯ−Ｒ^２８から選択されるか、或いは互いに隣接する２つ以上の基Ｒ^３は、環を形成し；
Ｒ^４、Ｒ^４′、Ｒ^７及びＲ^７′は、互いに独立して、水素、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２４アリール、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、アラルキルのａｒ（＝アリール）が場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_２５アラルキル、又は−ＣＯ−Ｒ^２８を表すか；或いはＲ^４及びＲ^４′は、環を形成し；
Ｄは、−ＣＯ−；−ＣＯＯ−；−Ｓ−；−ＳＯ−；−ＳＯ_２−；−Ｏ−；−ＮＲ^２５−；−ＣＲ^２３＝ＣＲ^２４−；又は−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｅは、−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＮ；又はハロゲンであり、Ｇは、Ｅ、Ｄで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、又はＥで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、ここで
Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６は、互いに独立して、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり；
Ｒ^２７及びＲ^２８は、互いに独立して、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
Ｒ^２９は、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｇで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、又はＣ_７〜Ｃ_２５アラルキルであるか、或いは
Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、一緒になって、式：＝ＣＲ^１００Ｒ^１０１の基を形成し、ここで、
Ｒ^１００及びＲ^１０１は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、又はＧで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリールであるか、或いは
Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、一緒になって、場合によりＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｇで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｃ_７〜Ｃ_２５アラルキル又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^１８で置換されていることができる、５員又は６員環を形成し、
Ｒ^１１１は、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキル基、Ｃ_４〜Ｃ_１８シクロアルキル基、互いに近接していない１個以上の炭素原子を−Ｏ−、−Ｓ−若しくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−に代えることができる及び／又は１個以上の水素原子をＦに代えることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルコキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール基、又は１個以上の炭素原子をＯ、Ｓ若しくはＮに代えることができる及び／又は１つ以上の非芳香族基Ｒ^１１１で置換することができるＣ_６〜Ｃ_２４アリールオキシ基であり；
ｍは、それぞれの場合に同一又は異なっていることができ、０、１、２又は３、特に０、１又は２、とりわけ０又は１であり；
Ｘ^１は、水素原子又はシアノ基であるが、
但し、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：

の基であり、ａ及びｄが両方とも１であり、Ａｒ^２及びＡｒ^２′が下記式：

の基と異なる場合、
Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：

の基である場合、ａ及びｄは０ではなく、そして下記式：

のポリマーは除く〕
で示される反復単位を含むポリマーにより達成される。

Ｒ^１及び／又はＲ^２が水素であるポリマーは、重合の後で除去することができる保護基を使用して得ることができる（例えば、ＥＰ−Ａ−０６４８７７０、ＥＰ−Ａ−０６４８８１７、ＥＰ−Ａ−０７４２２５５、ＥＰ−Ａ−０７６１７７２、ＷＯ９８／３２８０２、ＷＯ９８／４５７５７、ＷＯ９８／５８０２７、ＷＯ９９／０１５１１、ＷＯ００／１７２７５、ＷＯ００／３９２２１、ＷＯ００／６３２９７及びＥＰ−Ａ−１０８６９８４を参照すること）。顔料前駆体の顔料形態への変換は、既知の条件下、例えば熱的に、場合により追加的な触媒、例えばＷＯ００／３６２１０に記載されている触媒の存在下でのフラグメンテーションにより実施される。

そのような保護基の例は、下記式：

〔式中、Ｌは、溶解性を付与するのに適している任意の所望の基である〕で示される基である。
Ｌは、好ましくは下記式：

〔式中、Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、
Ｙ^４及びＹ^８は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、酸素、硫黄若しくはＮ（Ｙ^１２）_２で中断されているＣ_１〜Ｃ_６アルキル、又は非置換か若しくはＣ_１〜Ｃ_６アルキル−、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ−、ハロ−、シアノ−若しくはニトロ置換のフェニル又はビフェニルであり、
Ｙ^５、Ｙ^６及びＹ^７は、互いに独立して、水素又はＣ_１〜Ｃ_６アルキルであり、
Ｙ^９は、水素、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル又は下記式：

の基であり、
Ｙ^１０及びＹ^１１は、互いに独立して水素、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｎ（Ｙ^１２）_２、又は非置換か若しくはハロ−、シアノ−、ニトロ−、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル−若しくはＣ_１〜Ｃ_６アルコキシ置換のフェニルであり、
Ｙ^１２及びＹ^１３は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、Ｙ^１４は、水素又はＣ_１〜Ｃ_６アルキルであり、Ｙ^１５は、水素、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル、又は非置換か若しくはＣ_１〜Ｃ_６アルキル置換のフェニルであり、
Ｑは、非置換か又はＣ_１〜Ｃ_６アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルチオ若しくはＣ_２〜Ｃ_１２ジアルキルアミノにより一置換若しくは多置換されているｐ，ｑ−Ｃ_２〜Ｃ_６アルキレンであり、ここでｐ及びｑは、異なる位置番号であり、
Ｘは、窒素、酸素及び硫黄からなる群より選択されるヘテロ原子であり、Ｘが酸素真亜は硫黄である場合、ｍは０の数であり、Ｘが窒素である場合、ｍは１の数であり、そして
Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、非置換か又はモノ−若しくはポリ−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ−、−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ−、−Ｃ_２〜Ｃ_２４アルキルアミノ−、−Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールオキシ−、−Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールチオ−、−Ｃ_７〜−Ｃ_２４アルキルアリールアミノ−若しくは−Ｃ_１２〜Ｃ_２４ジアリールアミノ置換のＣ_１〜Ｃ_６アルキル又は〔−（ｐ′，ｑ′−Ｃ_２〜Ｃ_６アルキレン）−Ｚ−〕_ｎ′−Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルであり、ｎ′は、１〜１０００の数であり、ｐ′及びｑ′は異なる位置番号であり、Ｚは、それぞれ他と独立して、ヘテロ原子の酸素、硫黄又はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル置換窒素であり、反復〔−Ｃ_２〜Ｃ_６アルキレン−Ｚ−〕単位におけるＣ_２〜Ｃ_６アルキレンは、同一又は異なっていることが可能であり、
Ｌ^１及びＬ^２は、飽和又は１〜１０回不飽和であってもよく、非中断又は−（Ｃ＝Ｏ）−及び−Ｃ_６Ｈ_４−からなる群より選択される１〜１０個の基により任意の位置で中断されていてもよく、更なる置換基を有さないか又はハロゲン、シアノ及びニトロからなる群より選択される１〜１０個の更なる置換基を有してもよい〕で示される基である。最も好ましいＬは、下記式：

の基である。

本発明のポリマーは、電荷転送、半導体、導電性、光伝導性、発光材料、表面改質材料、電池の電極材、アラインメント層として、又はＯＦＥＴ、ＩＣ、ＴＦＴ、ディスプレイ、ＲＦＩＴＤタグ、エレクトロ−若しくはフォトルミネセンスデバイス、ディスプレイのバックライト、光起電性若しくはセンサデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、メモリデバイス（例えば、ＦｅＦＥＴ）、平坦化層、帯電防止剤、伝導性基板若しくはパターン、光伝導体、若しくは電子写真用途（記録）において使用することができる。

本発明のポリマーは、例えば式Ｉａ及びＩｄの反復単位のような、式Ｉの１つ又はそれ以上の（異なる）反復単位を含むことができる。

式Ｉの反復単位は、非対称構造を有することができるが、好ましくは対称構造：ａ＝ｄ；ｂ＝ｅ；ｃ＝ｆ；Ａｒ^１＝Ａｒ^１′；Ａｒ^２＝Ａｒ^２′；Ａｒ^３＝Ａｒ^３′；Ａｒ^４＝Ａｒ^４′を有する。

Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なっていてもよく、好ましくは、水素、場合により１個以上の酸素原子で中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_２５ペルフルオロアルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるアリル基；Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８チオアルコキシ若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるシクロアルキル基、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン、ニトロ若しくはシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより１若しくは２回縮合されていることができるシクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、ハロアルキニル基、ハロアルケニル基、ハロアルキニル基、ケトン若しくはアルデヒド基、エステル基、カルバモイル基、ケトン基、シリル基、シロキサニル基、Ａｒ^１０又は−ＣＲ^５Ｒ^６−（ＣＨ_２）_ｇ−Ａｒ^１０から選択され、ここで
Ｒ^５及びＲ^６は、互いに独立して、水素、フッ素、シアノ、又はフッ素、塩素若しくは臭素で置換されていることができるＣ_１〜Ｃ_４アルキル、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるフェニルを表す。

Ｒ^１及びＲ^２は、より好ましくは、場合により１個以上の酸素原子で中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキル、特にシクロヘキシル、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン、ニトロ若しくはシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルにより、１又は２回縮合されていることができるＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキル、特にシクロヘキシル、又は−ＣＲ^５Ｒ^６−（ＣＨ_２）_ｇ−Ａｒ^１０から選択され、ここで、Ｒ^３及びＲ^４は、水素を表し、Ａｒ^１０は、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／又はＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルを表し、そしてｇは、０又は１を表す。−Ｏ−により１回以上中断されているアルキル基は、直鎖又は分岐鎖のＣ_２〜Ｃ_２５アルキルラジカルであることが理解され、これは−Ｏ−により１回以上、例えば−Ｏ−により１、２又は３回中断されていてもよく、例えば、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ_３）_２、−〔ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ〕_Ｙ１−ＣＨ_３（ここでＹ１＝１〜１０）、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＨ_３及び−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_３のような構造単位をもたらす。

最も好ましいＲ^１及びＲ^２は、ｎ−ブチル、sec.−ブチル、イソブチル、tert.−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル及び２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、２−ヘキシルデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、エイコシル、ヘネイコシル、ドコシル、テトラコシル又はペンタコシルのような、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキル基、特にＣ_４〜Ｃ_２５アルキル基であり、有益な基は、下記式：

〔式中、ｍ１＝ｎ１＋４であり、そしてｍ１＋ｎ１≦２２である〕により表すことができる。

Ｒ^１及びＲ^２のようなキラル側基は、ホモキラル又はラセミ体のいずれかであることができ、これはポリマーの形態学に影響を与えることができる。

本発明は、
Ｒ^１及びＲ^２が、互いに独立して、１個以上酸素原子で中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルキル基、特にＣ_４〜Ｃ_１２アルキル基であり、
Ａｒ^１及びＡｒ^１′が、下記式：

の基であり、
ここでＲ^６が、水素、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、Ｒ^３２が、メチル、Ｃｌ又はＯＭｅであり、
ａ＝ｂ＝ｃ＝ｆ＝０であり；ｄ＝ｅ＝１であり；
Ａｒ^２′が、下記：

から選択され、
ここで、
Ｒ^６が、水素、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、そして
Ａｒ^３′が、下記：

から選択され、
ここで、
Ｘ^１が、水素原子又はシアノ基である
式Ｉのポリマーを含まない。

Ａｒ^１及びＡｒ^１′は、異なっていることができるが、好ましくは同一であり、下記式：

の基であり、
Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、互いに独立して、下記式：

〔式中、
ｐは、０、１又は２を表し、Ｒ^３は、１つの基の内で同一又は異なっていてもよく、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル又は場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、Ｒ^４は、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよいフェニル、ナフチル若しくはビフェニリルのようなＣ_６〜Ｃ_１４アリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルコキシ、又はａｒが場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_１５アラルキルから選択され、
Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−、−ＮＲ^２５−であり、ここでＲ^２５は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル又はsec−ブチルのようなＣ_１〜Ｃ_１２アルキルであり；
Ｅは、−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２５；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２５；又は−ＣＮであり；ここでＲ^２５、Ｒ^２７、Ｒ^２８及びＲ^２９は、互いに独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、ヘキシル、オクチル若しくは２−エチル−ヘキシルのようなＣ_１〜Ｃ_１２アルキル、又はフェニル、ナフチル若しくはビフェニリルのようなＣ_６〜Ｃ_１４アリールであり、
Ｇは、Ｅと同じ選択肢を有するか、又はメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、ヘキシル、オクチル若しくは２−エチルヘキシルのような、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、特にＣ_１〜Ｃ_１２アルキルである〕
で示される基である。

下記の単位：

は、異なっていてもよいが、好ましくは同一であり、下記式：

〔式中、
下記：

は、ジケトピロロピロール骨格への結合を示し、Ｒ^４は、上記で定義されたとおりであり、そしてＲ^４′は、Ｒ^４の意味を有する〕
で示される基である。

本発明の別の好ましい実施態様において、下記の単位：

は、異なっていてもよいが、好ましくは同一であり、下記式：

〔式中、Ｒ^４は、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルである〕で示される基である。

本発明の別の好ましい実施態様において、ポリマーは、下記式：

〔式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^１、Ａｒ^１′、Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は上記で定義されたとおりであり、
ｈは、１であり、そして
Ａｒ^５は、下記式：

の基であり、
ここでＲ^７及びＲ^７′は、上記で同義されたとおりである〕で示される反復単位を含むか、或いは
ポリマーは、下記式：

〔式中、第１「反復単位」は、式Ｉの反復単位であり、
「分岐単位」は、２つを超える架橋部位を有する単位であり、そして、
ｑ及びｔは、整数であり、ここでｑ／ｔは、式Ｉの反復単位と「分岐単位」の比率である〕
で示される構造を有する。

式ＩＩの反復単位は、有利には対称構造：ａ＝ｄ；ｂ＝ｅ；ｃ＝ｆ；Ａｒ^１＝Ａｒ^１′；Ａｒ^２＝Ａｒ^２′；Ａｒ^３＝Ａｒ^３′；Ａｒ^４＝Ａｒ^４′を有する。

「分岐単位」は、２つを超える架橋部位を有する単位である。分岐単位の例は、例えば、Dendrimers and Other Dendritic Polymers, D. A. Tomalia, J. M. J. Frechet (Eds), John Wiley & Sons, Ltd. 2002; Star and Hyperbranched Polymers, M. K. Mishra and S. Kobayashi (Eds), Marcel Dekker 2000に記載されている。

特に適切な「分岐」単位の例は、下記に示されている：

ここでＢ及びＣは、互いに独立して、場合により縮合されている芳香族又は芳香族複素環、例えば、下記：

であり、
下記：

は、ＤＰＰ主鎖への結合であり、
特に、下記：

（ここで、Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、互いに独立して、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_２５アルキルである）、

である。
多官能単位（「分岐単位」）の使用は、下記に（例示の目的のみで）２つの多官能単位が例示されているような分岐鎖ポリマー材料をもたらす：

（Ａは、式Ｉの反復単位であり、ｏ、ｑ、ｒ及びｔは、０〜５００である）又は

下記式：

の「分岐単位」及びそれから誘導されるポリマーは、新規であり、本発明の更なる態様を形成する。

本発明の別の好ましい実施態様において、ポリマーは、下記式：

〔式中、
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキルであり、
Ｒ^３及びＲ^３′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルであり、
Ｒ^４及びＲ^４′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルであり、そして
Ｒ^７及びＲ^７′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルである〕
で示される反復単位を含む。

本発明の別の好ましい実施態様において、ポリマーは、下記式：

〔式中、
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_２５アルキルであり、そして
Ｒ^４は、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルである〕
で示されるポリマーである。

一つの実施態様において、本発明のポリマーは、式Ｉの１種類以上の反復単位だけで構成される。好ましい実施態様において、本発明のポリマーは、式Ｉのまさに１種類の反復単位から構成される（ホモポリマー）。

本発明によると、用語「ポリマー」は、ポリマーもオリゴマーも含み、ここで、ポリマーは比較的高分子量の分子であり、その構造は、実質的に、比較的低分子量の分子から実際に又は概念的に誘導されている単位の反復を含み、オリゴマーは中程度の分子量の分子であり、その構造は、実質的に、比較的低分子量の分子から実際に又は概念的に誘導されている複数の単位を小数含む。分子は、１個又は数個の単位を取り除いてもあまり実質的に変わらない特性を有する場合に、比較的高分子量を有すると考慮される。分子は、１個又は数個の単位を取り除くと有意に変わる特性を有する場合に、中程度の分子量を有すると考慮される。

本発明によると、ホモポリマーは、１種の（実際の、潜在的な又は仮定の）モノマーから誘導されるポリマーである。多くのポリマーが、相補的なモノマーの相互反応により作製される。これらのモノマーは、反応させて「潜在的なモノマー」を与えるようにして、容易に可視化することができ、その単独重合は実際の生成物を与え、それをホモポリマーと考慮することができる。幾つかのポリマーは、得られるポリマーを構成する高分子の構造が仮定のモノマーの単独重合により形成されたと考えることができるような、他のポリマーの化学的改質により得られる。

したがって、コポリマーは、２種以上のモノマーから誘導されるポリマー、例えば、ビポリマー、ターポリマー、クオーターポリマーなどである。

本発明のオリゴマーは、＜２，０００ダルトンの重量平均分子量を有する。本発明のポリマーは、好ましくは、２，０００ダルトン以上、特に２，０００〜２，０００，０００ダルトン、より好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、最も好ましくは１０，０００〜７５０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する。分子量は、ポリスチレン標準を使用してゲル浸透クロマトグラフィにより測定する。

好ましい実施態様において、本発明のポリマーは、式Ｉの反復単位を含むホモポリマーであり、これは下記式：

〔式中、Ａは、式Ｉの反復単位である〕により表すことができる。前記態様において、ポリマーは、好ましくは式Ｉａ〜Ｉｉの反復単位のうちの１つを含み、ここで式Ｉｅ、Ｉｄ、Ｉｈ及びＩｉの反復単位が特に好ましい。

式Ｉの反復単位及びＣＯＭ^１又はＣＯＭ^２に関わる式ＶＩＩのコポリマー（ｖ＝０．９９５〜０．００５、ｗ＝０．００５〜０．９９５）を、ニッケルカップリング反応のようなカップリング反応により得ることもできる：

ここで、Ａは、上記で定義されたとおりであり、−ＣＯＭ^１−は、下記式：

〔式中、Ｒ^７及びＲ^７′は上記で定義されたとおりであり
Ｒ^４４及びＲ^４１は、水素、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、
Ｒ^４５は、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル又はＥで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、特に−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、ここでＤ及びＥは、上記で定義されたとおりである〕
で示される反復単位から選択され、そして
−ＣＯＭ^２−は、下記式：

〔式中、
Ｒ^１１６及びＲ^１１７は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＯで中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、又は場合によりＯで中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、
Ｒ^１１９及びＲ^１２０は、互いに独立して、Ｈ、場合によりＯで中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであるか、或いは
Ｒ^１１９及びＲ^１２０は、一緒になって、式：＝ＣＲ^１００Ｒ^１０１の基を形成し、ここで、
Ｒ^１００及びＲ^１０１は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルであるか、或いは
Ｒ^１１９及びＲ^１２０は、一緒になって、場合によりＣ₁〜Ｃ_１８アルキルで置換されていることができる５員又は６員環を形成する〕
で示される基である。

前記実施態様において、ポリマーは、下記式：

〔式中、
Ａ、ＣＯＭ^１及びＣＯＭ^２は、上記で定義されたとおりであり、
ｏは、１であり、
ｐは、０又は１であり、
ｑは、０．００５〜１であり、
ｒは、０又は１であり、
ｓは、０又は１であり、ここでｄが０の場合、ｅは１ではなく、
ｔは、ｃとｆの合計が１の場合、０．９９５〜０である〕
で示されるポリマーである。

式ＶＩＩのホモポリマーは、例えば、ニッケルカップリング反応、特にヤマモト反応により得られる：

ここでＡは、式Ｉの反復単位である。

ジハロ−官能反応体のみが関わる重合プロセスは、ニッケルカップリング反応を使用して実施してもよい。一つのそのようなカップリング反応は、ColonらによりJ. Pol. Sci., Part A, Polymer Chemistry Edition 28 (1990) 367において及びColonらによりJ. Org. Chem. 51 (1986) 2627において記載された。反応は、典型的には、極性で非プロトン性の溶媒（例えば、ジメチルアセトアミド）中、触媒量のニッケル塩、相当量のトリフェニルホスフィン及び多量の過剰亜鉛末を用いて実施される。このプロセスの変形が、IoydaらによりBull. Chem. Soc. Jpn, 63 (1990) 80において記載され、そこでは、有機可溶性ヨウ化物が促進剤として使用された。

別のニッケルカップリング反応が、YamamotoによりProgress in Polymer Science 17 (1992)において記載され、そこでは、ジハロ芳香族化合物の混合物が、過剰量のニッケル（１，５−シクロオクタンジエン）錯体により不活性溶媒中で処理された。全てのニッケルカップリング反応を、２つ以上の芳香族二ハロゲン化物の反応体混合物に適用すると、実質的にランダムコポリマーを生じる。そのような重合反応は、少量の水を重合反応混合物に加えることにより停止してもよく、それにより末端ハロゲン基が水素基に代わる。あるいは、単官能ハロゲン化アリールをそのような反応に連鎖停止剤として使用してもよく、それにより末端アリール基の形成がもたらされる。

ニッケルカップリング重合は、実質的に、ＤＰＰ基含有単位及び他のコモノマーから誘導される単位を含むホモポリマー又はランダムコポリマーを生じる。

式ＶＩＩｄ又はＶＩＩｅのホモポリマーは、例えばスズキ反応により得ることができる：

ここで、Ａ、ＣＯＭ^１及びＣＯＭ^２は、上記で定義されたとおりである。式ＶＩＩｄ又はＶＩＩｅの好ましいホモポリマーの例が、下記に示されている。

式ＶＩＩｄのホモポリマーの別の例は、下記式：

〔式中、
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_２５アルキルであり、そして
Ｒ^４は、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルである〕
で示されるポリマーである。

一般に「スズキ反応」と呼ばれる、芳香族ボロネートとハロゲン化物、特に臭化物との縮合反応は、N. Miyaura及びA. SuzukiがChemical Reviews, Vol. 95, pp. 457-2483 (1995)において報告しているように、多様な有機官能基の存在を許容する。好ましい触媒は、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２′，６′−ジ−アルコキシビフェニル／パラジウム（ＩＩ）アセテートである。特に好ましい触媒は、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２′，６′−ジ−メトキシビフェニル（ｓＰｈｏｓ）／パラジウム（ＩＩ）アセテートである。この反応を、高分子量のポリマー及びコポリマーの調製に適用することができる。

式ＶＩＩｄ又はＶＩＩｅに対応するポリマーを調製するために、二臭化物又は二塩化物、特に、下記式：

に対応する二臭化物のような二ハロゲン化物を、下記式：

〔式中、Ｘ^１１は、それぞれの場合に独立して、−Ｂ（ＯＨ）_２、−Ｂ（ＯＹ^１）_２、又は下記：

であり、ここで、Ｙ^１は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、そしてＹ^２は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_２〜Ｃ_１０アルキレン基であり、例えば、−ＣＹ^３Ｙ^４−ＣＹ^５Ｙ^６−又は−ＣＹ^７Ｙ^８−ＣＹ^９Ｙ^１０−ＣＹ^１１Ｙ^１２−であり、ここで、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、Ｙ^１０、Ｙ^１１及びＹ^１２は、互いに独立して、水素又はＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、特に−Ｃ（ＣＨ_３）_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−又は−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−である〕で示される等モル量のジボロン酸又はジボロネートと、Ｐｄ及びトリフェニルホスフィンの触媒作用下で反応させる。反応は、典型的には、トルエンのような芳香族炭化水素溶媒中、約７０℃〜１８０℃で実施される。ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランのような他の溶媒も、単独又は芳香族炭化水素との混合物で使用することができる。水性塩基、好ましくは炭酸ナトリウム又は重炭酸ナトリウムがＨＢｒスカベンジャーとして使用される。反応体の反応性に応じて、重合反応は２〜１００時間かかることがある。例えば水酸化テトラアルキルアンモニウムのような有機塩基、及び例えばＴＢＡＢのような相間移動触媒は、ホウ素の活性を促進することができる（例えば、Leadbeater & Marco; Angew. Chem. Int. Ed. 42 (2003) 1407及びそこで引用されている参考文献を参照すること）。反応条件の他の変形は、T. I. Wallow及びB. M. NovakによりJ. Org. Chem. 59 (1994) 5034-5037において、並びにM. Remmers、M. Schulze及びG. WegnerによりMacromol. Rapid Commun. 17 (1996) 239-252において提示されている。

望ましい場合は、単官能ハロゲン化アリール又はアリールボロネートをそのような反応に連鎖停止剤として使用してもよく、それにより末端アリール基の形成がもたらされる。

スズキ反応におけるモノマー供給の順序及び組成を制御することにより、得られるコポリマーにおいてモノマー単位の配列を制御することが可能である。

本発明のポリマーは、スチル型カップリングにより合成することもできる（例えば、Babudri et al, J. Mater. Chem., 2004, 14, 11-34; J. K. Stille, Angew. Chemie Int. Ed. Engl. 1986, 25, 508を参照すること）。式ＶＩＩｄ又はＶＩＩｅに対応するポリマーを調製するために、二臭化物又は二塩化物、特に式：

に対応する二臭化物のような二ハロゲン化物を、下記式：

〔式中、Ｘ^１１は、基−ＳｎＲ^２０７Ｒ^２０８ Ｒ^２０９である〕で示される化合物と、不活性雰囲気化、０℃〜２００℃の温度で、パラジウム含有触媒の存在下において反応させる。ここでは、使用される全てのモノマーの総量が、有機スズ官能基とハロゲン官能基の極めて平衡した比率を有することを確実にしなければならない。加えて、あらゆる過剰な反応性基を、単官能試薬用いるエンドキャッピング（end-capping）により反応の終了時に除去することが有益であることが実証される場合がある。このプロセスを実施するために、スズ化合物及びハロゲン化合物を、好ましくは１つ以上の不活性有機溶媒に導入し、０〜２００℃、好ましくは３０〜１７０℃の温度で１時間から２００時間、好ましくは５時間から１５０時間撹拌する。粗生成物を、当業者に既知であり、それぞれのポリマーに適切な方法、例えば反復再沈殿により又はさらには透析により精製することができる。

記載されたプロセスに適切な有機溶媒は、例えば、エーテル、例えばジエチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、ジイソプロピルエーテル及びtert−ブチルメチルエーテル、炭化水素、例えばヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン及びキシレン、アルコール、例えばメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、エチレングリコール、１−ブタノール、２−ブタノール及びtert−ブタノール、ケトン、例えばアセトン、エチルメチルケトン及びイソブチルメチルケトン、アミド、例えばジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン、ニトリル、例えばアセトニトリル、プロピロにトリル及びブチロニトリル、並びにこれらの混合物である。

パラジウム及びホスフィン化合物は、スズキ変形についての記載と同様にして選択されるべきである。

あるいは、本発明のポリマーは、亜鉛試薬（Ａ−（ＺｎＸ^１２）_２、ここでＸ^１２はハロゲンである）及びハロゲン化物又はトリフレート（ＣＯＭ^１−（Ｘ^１１）_２、ここでＸ^１１はハロゲン又はトリフレートである）を使用するネギシ反応により合成することもできる。例えば、E. Negishi et al., Heterocycles 18 (1982) 117-22が参照される。

加えて、ＤＰＰのハロゲン誘導体は、酸化的に（例えばＦｅＣｌ_３を使用して、とりわけ、P. Kovacic et al., Chem. Ber. 87 (1987) 357 to 379; M. Wenda et al., Macromolecules 25 (1992) 5125を参照すること）又は電気化学的に（とりわけ、N. Saito et al., Polym. Bull. 30 (1993) 285を参照すること）重合することができる。

下記式：

で示されるモノマーは、新規であり、本発明の更なる態様を形成し、
ここでＢ及びＣは、互いに独立して、場合により縮合されている芳香族又は芳香族複素環であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、Ａｒ^１、Ａｒ^１′、Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＸは、ＺｎＸ^１２、−ＳｎＲ^２０７Ｒ^２０８Ｒ^２０９であり、ここでＲ^２０７、Ｒ^２０８及びＲ^２０９は、同一又は異なり、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_６アルキルであり、２つのラジカルは、場合により共通の環を形成し、これらのラジカルは、場合により分岐鎖又は非分岐鎖であり、Ｘ^１２は、ハロゲン原子、とりわけＩ若しくはＢｒ、又は−ＯＳ（Ｏ）_２ＣＦ_３、−ＯＳ（Ｏ）_２−アリールであり、特に、下記：

−ＯＳ（Ｏ）_２ＣＨ_３、−Ｂ（ＯＨ）_２、−Ｂ（ＯＹ^１）_２、下記：

−ＢＦ_４Ｎ又は−ＢＦ_４Ｋであり、ここで、Ｙ^１は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、そしてＹ^２は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_２〜Ｃ_１０アルキレン基であり、例えば、−ＣＹ^３Ｙ^４−ＣＹ^５Ｙ^６−又は−ＣＹ^７Ｙ^８−ＣＹ^９Ｙ^１０−ＣＹ^１１Ｙ^１２−であり、ここで、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、Ｙ^１０、Ｙ^１１及びＹ^１２は、互いに独立して、水素又はＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、特に−Ｃ（ＣＨ_３）_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−又は−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−であるが、
但し、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：

の基である場合、ａ及びｄは０ではなく、Ａｒ^２及びＡｒ^２′は下記式：

の基と異なり、
更に、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：

の基である場合、ａ及びｄは０ではない。

本発明の更なる態様は、本発明のポリマー及び材料の酸化と還元の両方の形態に関する。高度に伝導性である高度に非局在化されたイオン形態の形成によって、電子の放出又は獲得のいずれかがもたらされる。このことは、一般的なドーパントへの暴露によって生じうる。適切なドーパント及びドーピングの方法は、例えばＥＰ０５２８６６２、ＵＳ５，１９８，１５３又はＷＯ９６／２１６５９によって、当業者に知られている。

ドーピングプロセスは、典型的には、レドックス反応における酸化又は還元試薬による半導体材料の処理によって、材料に非局在化イオン中心を形成することを意味し、対応する対イオンが適用されたドーパントから誘導される。適切なドーピング方法は、例えば、大気圧下又は減圧下でのドーピング蒸気への暴露、ドーパントを含有する溶液中での電気化学ドーピング、熱的に拡散されたドーパントと半導体材料とを接触させること、及び半導体材料へのドーパントのイオン注入を含む。

電子が担体として使用される場合、適切なドーパントは、例えば、ハロゲン（例は、Ｉ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、ＩＣｌ、ＩＣｌ_３、ＩＢｒ及びＩＦ）、ルイス酸（例は、ＰＦ_５、ＡｓＦ_５、ＳｂＦ_５、ＢＦ_３、ＢＣｌ_３、ＳｂＣｌ_５、ＢＢｒ_３及びＳＯ_３）、プロトン酸、有機酸又はアミノ酸（例は、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ_３、Ｈ_２ＳＯ_４、ＨＣｌＯ_４、ＦＳＯ_３Ｈ及びＣｌＳＯ_３Ｈ）、遷移金属化合物（例は、ＦｅＣｌ_３、ＦｅＯＣｌ、Ｆｅ（ＣｌＯ_４）_３、Ｆｅ（４−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_３）_３、ＴｉＣｌ_４、ＺｒＣｌ_４、ＨｆＣｌ_４、ＮｂＦ_５、ＮｂＣｌ_５、ＴａＣｌ_５、ＭｏＦ_５、ＭｏＣｌ_５、ＷＦ_５、ＷＣｌ_６、ＵＦ_６及びＬｎＣｌ_３（ここでＬｎはランタノイドである））、アニオン（例は、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｉ^３−、ＨＳＯ_４ ⁻、ＳＯ^２−、ＮＯ^３−、ＣｌＯ^４−、ＢＦ^４−、ＰＦ^６−、ＡｓＦ^６−、ＳｂＦ^６−、ＦｅＣｌ^４−、Ｆｅ（ＣＮ）_６ ^３−、アリール−ＳＯ_３ ⁻のような多様なスルホン酸のアニオン）である。

正孔が担体として使用される場合、ドーパントの例は、カチオン（例えば、Ｈ^＋、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋及びＣｓ^＋）、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ）、アルカリ土類金属（例えば、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ）、Ｏ_２、ＸｅＯＦ_４、（ＮＯ_２ ^＋）（ＳｂＦ_６ ⁻）、（ＮＯ_２ ^＋）（ＳｂＣｌ_６ ⁻）、（ＮＯ_２ ^＋）（ＢＦ_４ ⁻）、ＡｇＣｌＯ_４、Ｈ_２ＩｒＣｌ_６、Ｌａ（ＮＯ_３）_３・６Ｈ_２Ｏ、ＦＳＯ_２ＯＯＳＯ_２Ｆ、Ｅｕ、アセチルコリン、Ｒ_４Ｎ^＋（Ｒはアルキル基である）、Ｒ_４Ｐ^＋（Ｒはアルキル基である）、Ｒ_６Ａｓ^＋（Ｒはアルキル基である）、並びにＲ_３Ｓ^＋（Ｒはアルキル基である）である。

本発明の化合物及び材料の伝導性形態を、用途において有機「金属」として使用することができ、例えば、有機発光ダイオード用途における電荷注入層及びＩＴＯ平坦化層、フラットパネルディスプレイ及びタッチスクリーン用のフィルム、帯電防止膜、印刷回路基板及びコンデンサーのような電子用途における印刷伝導性基板、パターン又は経路であるが、これらに限定されない。

ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素である。

Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキルは、可能であれば、典型的には直鎖又は分岐鎖である。例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec.−ブチル、イソブチル、tert.−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル及び２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、エイコシル、ヘネイコシル、ドコシル、テトラコシル又はペンタコシルである。Ｃ_１〜Ｃ_８アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec.−ブチル、イソブチル、tert.−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチル−プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル及び２−エチルヘキシルである。Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec.−ブチル、tert.−ブチルである。

Ｃ_１〜Ｃ_２５アルコキシ基は、直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ又はtert−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシ及びオクタデシルオキシである。Ｃ_１〜Ｃ_８アルコキシの例は、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、sec．−ブトキシ、イソブトキシ、tert．−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、２−ペントキシ、３−ペントキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキシ、ｎ−オクトキシ、１，１，３，３−テトラメチルブトキシ及び２−エチルヘキソキシであり、好ましくは、典型的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、sec．−ブトキシ、イソブトキシ、tert．−ブトキシのようなＣ_１〜Ｃ_４アルコキシである。用語「アルキルチオ基」は、エーテル架橋において酸素原子が硫黄原子に代えられていることを除いて、アルコキシ基と同じ基を意味する。

Ｃ_２〜Ｃ_２５アルケニル基は、例えばビニル、アリル、メタリル、イソプロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、イソブテニル、ｎ−ペンタ−２，４−ジエニル、３−メチル−ブタ−２−エニル、ｎ−オクタ−２−エニル、ｎ−ドデカ−２−エニル、イソドデセニル、ｎ−ドデカ−２−エニル又はｎ−オクタデカ−４−エニルのような、直鎖又は分岐鎖のアルケニル基である。

Ｃ_２−２４アルキニルは直鎖状は分岐鎖であり、好ましくはＣ_２−８アルキニルであり、これは非置換であるか又は置換されていてもよく、例えばエチニル、１−プロピン−３−イル、１−ブチン−４−イル、１−ペンチン−５−イル、２−メチル−３−ブチン−２−イル、１，４−ペンタジイン−３−イル、１，３−ペンタジイン−５−イル、１−ヘキシン−６−イル、シス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、トランス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、１，３−ヘキサジイン−５−イル、１−オクチン−８−イル、１−ノニン−９−イル、１−デシン−１０−イル又は１−テトラコシン−２４−イルである。

用語「ハロアルキル、ハロアルケニル及びハロアルキニル」は、トリフルオロメチルなどのように、上記のアルキル基、アルケニル基及びアルキニル基がハロゲンにより部分的又は完全に置換されている基を意味する。「アルデヒド基、ケトン基、エステル基、カルバモイル基及びアミノ基」には、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は複素環基により置換されているものが含まれ、ここでアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基及び複素環基は、非置換であるか又は置換されていてもよい。用語「シリル基」は、トリメチルシリル基のような、式：−ＳｉＲ^６２Ｒ^６３Ｒ^６４の基を意味し、式中、Ｒ^６２、Ｒ^６３及びＲ^６４は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、特にＣ_１〜Ｃ_４アルキル基、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール基又はＣ_７〜Ｃ_１２アラルキル基である。

用語「シクロアルキル基」は、典型的には、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロウンデシル、シクロドデシル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル又はシクロオクチルのようなＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキルであり、これは非置換であるか又は置換されていてもよい。用語「シクロアルケニル基」は、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセニルなどのような、１つ以上の二重結合を含有する不飽和脂環式炭化水素基を意味し、これは非置換であるか又は置換されていてもよい。シクロアルキル基、特にシクロヘキシル基は、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン及びシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより１又は２回縮合されることができる。そのような縮合シクロヘキシル基の例は、下記：

であり、ここで、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５及びＲ^５６は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８アルコキシ、ハロゲン及びシアノであり、特に水素である。

用語「アリール基」は、典型的には、フェニル、インデニル、アズレニル、ナフチル、ビフェニル、ａｓ−インダセニル、ｓ−インダセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナントリル、フルオランテニル、トリフェンレニル、クリセニル、ナフタセン、ピセニル、ペリレニル、ペンタフェニル、ヘキサセニル、ピレニル又はアントラセニル、好ましくはフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、４−ビフェニル、９−フェナントリル、２−又は９−フルオレニル、３−又は４−ビフェニルのようなＣ_６〜Ｃ_２４アリールであり、これは非置換であるか又は置換されていてもよい。Ｃ_６〜Ｃ_１２アリールの例は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、３−若しくは４−ビフェニル、２−若しくは９−フルオレニル又は９−フェナントリルであり、これらは非置換であるか又は置換されていてもよい。

用語「アラルキル基」は、典型的には、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシル、ω−フェニル−オクタデシル、ω−フェニル−エイコシル又はω−フェニル−ドデシルのようなＣ_７〜Ｃ_２７アラルキル、好ましくは、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシル又はω−フェニル−オクタデシルのようなＣ_７〜Ｃ_１８アラルキル、特に好ましくは、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル又はω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチルのようなＣ_７〜Ｃ_１２アラルキであり、ここで脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基の両方とも非置換であるか又は置換されていてもよい。

用語「アリールエーテル基」は、典型的には、Ｃ_６−２４アリールオキシ基であり、すなわち、例えばフェノキシ又は４−メトキシフェニルのようなＯ−Ｃ_６−２４アリールである。用語「アリールチオエーテル基」は、典型的には、Ｃ_６−２４アリールチオ基であり、すなわち、例えばフェニルチオ又は４−メトキシフェニルチオのようなＳ−Ｃ_６−２４アリールである。用語「カルバモイル基」は、典型的には、Ｃ_１−１８カルバモイルラジカル、好ましくはＣ_１−８カルバモイルラジカルであり、これは非置換であるか又は置換されていてもよく、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、tert−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルバモイル又はピロリジノカルバモイルである。

アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルアリールアミノ基、アリールアミノ基及びジアリール基における用語「アリール」及び「アルキル」は、典型的には、それぞれＣ_１〜Ｃ_２５アルキル及びＣ_６〜Ｃ_２4アリールである。

アルキルアリールは、アルキル置換アリールラジカル、特にＣ_７〜Ｃ_１２アルキルアリールを意味する。例は、３−メチル−若しくは４−メチルフェニルのようなトリル、又は３，４−ジメチルフェニル若しくは３，５−ジメチルフェニルのようなキシリルである。

ヘテロアリールは、典型的にはＣ_２〜Ｃ_２６ヘテロアリールであり、すなわち、窒素、酸素又は硫黄が考えられるヘテロ原子である、５〜７個の環原子を持つ環であるか、又は縮合環系であり、典型的には、少なくとも６個の共役π電子を有する５〜３０個の原子を持つ不飽和複素環式基であり、例えば、チエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チエニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、カルボリニル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、フェナントリジニル、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、フェナジニル、イソチアゾリル、フェノチアジニル、イソオキサゾリル、フラザニル又はフェノキサジニルであり、これらは非置換であるか又は置換されていることができる。

上記の基のために可能である置換基は、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、ヒドロキシル基、メルカプト基、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキルチオ、ハロゲン、ハロ−Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、シアノ基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基又シリル基である。

上記に記載されているように、前述の基は、Ｅで置換されていてもよい、及び／又は、望ましい場合は、Ｄで中断されていてもよい。中断は、当然のことながら、基が、単結合により互いに結合している少なくとも２つの炭素原子を含有する場合にのみ可能であり；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリールは中断されておらず；中断されているアリールアルキル又はアルキルアリールは、アルキル部分にＤ単位を含有している。１つ以上のＥで置換されている及び／又は１つ以上の単位Ｄで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルは、例えば、（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_１−９−Ｒ^ｘ（ここで、Ｒ^ｘは、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_１０アルキル若しくはＣ_２〜Ｃ_１０アルカノイル（例は、ＣＯ−ＣＨ（Ｃ_２Ｈ_５）Ｃ_４Ｈ_９）である）、ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＲ^ｙ′）−ＣＨ_２−Ｏ−Ｒ^ｙ（ここで、Ｒ^ｙは、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２シクロアルキル、フェニル、Ｃ_７〜Ｃ_１５フェニルアルキルであり、そしてＲ^ｙ′は、Ｒ^ｙと同じ定義を包含するか又はＨである）；
Ｃ_１〜Ｃ_８アルキレン−ＣＯＯＲ^ｚ、例は、ＣＨ_２ＣＯＯＲ^ｚ、ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯＲ^ｚ、Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＯＯＲ^ｚ（ここで、Ｒ^ｚは、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_１−９−Ｒ^ｘであり、そしてＲ^ｘは、上記で示された定義を包含する）；
ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ_２；ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２である。

本発明のポリマーを、半導体デバイスにおいて半導体層として使用することができる。したがって、本発明は、また、式Ｉのポリマーを含む半導体デバイスに関する。半導体デバイスは、特に、ダイオード、有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池、又はダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池を含むデバイスである。多くの種類の半導体デバイスがある。全てに共通なことは、１つ以上の半導体材料の存在である。半導体デバイスは、例えば、S. M. Sze in Physics of Semiconductor Devices, 2^nd edition, John Wiley and Sons, New York (1981)に記載されている。そのようなデバイスには、整流管、トランジスタ（これには、ｐ−ｎ−ｐ、ｎ−ｐ−ｎ及び薄膜トランジスタを含む多くの種類がある）、発光半導体デバイス（例えば、ディスプレイ用途における有機発光ダイオード、又は例えば液晶ディスプレイにおけるバックライト）、光伝導体、電流リミッタ、太陽電池、サーミスタ、ｐ−ｎ接合、電界効果ダイオード、ショットキーダイオードなどが含まれる。それぞれの半導体デバイスにおいて、半導体材料を１つ以上の金属及び／又は絶縁体と組み合わせてデバイスを形成する。半導体デバイスは、例えば、Peter Van ZantによりMicrochip Fabrication, Fourth Edition, McGraw-Hill, New York (2000)において記載されているような既知の方法によって調製又は製造することができる。特に、有機電子部品は、D.R. GamotaによりPrinted Organic and Molecular Electronics, Kluver Academic Publ., Boston, 2004において記載されているように製造することができる。

特に有用な種類のトランジスタデバイスである薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、一般に、ゲート電極、ゲート電極上にゲート誘電体、ソース電極及びゲート誘電体に隣接するドレイン電極、並びに、ゲート誘電体に隣接し、ソース及びドレイン電極に隣接する半導体層を含む（例えば、S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2.sup.nd edition, John Wiley and Sons, page 492, New York (1981)を参照すること）。これらの構成要素を多様な配置で組み立てることができる。より詳細には、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、有機半導体層を有する。

典型的には、基板は、製造、試験及び／又は使用の際にＯＴＦＴを支持する。場合により、基板は、ＯＴＦＴに電気的機能を提供することができる。有用な基板材料には、有機及び無機材料が含まれる。例えば、基板は、多様な形態のケイ素が含まれるケイ素材料、無機ガラス、セラミックホイル、ポリマー材料（例えば、アクリル、ポリエステル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリ（オキシ−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレンカルボニル−１，４−フェニレン）（時々、ポリ（エーテルエーテルケトン）又はＰＥＥＫと呼ばれる）、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＥＮ）、ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（フェニレンスルフィド）（ＰＰＳ））、充填ポリマー材料（例えば、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ））及び被覆金属ホイルを含むことができる。

ゲート電極は、あらゆる有用な伝導性材料のものであることができる。例えば、ゲート電極は、ドープケイ素、又はアルミニウム、クロム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、タンタル及びチタンのような金属を含むことができる。インジウムスズ酸化物のような伝導性酸化物、又はカーボンブラック／グラファイト若しくは場合によりポリマー結合剤を含有するコロイド状銀分散体から構成される伝導性インク／ペーストを使用することができる。伝導性ポリマー、例えば、ポリアニリン又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を使用することもできる。加えて、これらの材料の合金、組み合わせ及び多層も有用であることができる。幾つかのＯＴＦＴにおいて、同じ材料が、ゲート電極機能を提供し、基板の支持機能も提供することができる。例えば、ドープケイ素が、ゲート電極として機能し、ＯＴＦＴを支持することができる。

ゲート誘電体は、一般にゲート電極上に提供される。このゲート誘電体は、ゲート電極をＯＴＦＴデバイスの平衡から電気的に絶縁する。ゲート誘電体に有用な材料は、例えば、電気的に絶縁する無機材料を含むことができる。

ゲート電極（絶縁体）は、例えばJ. Veres et al. Chem. Mat. 2004, 16, 4543 or A. Facchetti et al. Adv. Mat. 2005, 17, 1705に記載されているように、酸化物、窒化物のような材料であることができるか、又は強誘電性絶縁体のファミリー（例えば、ポリ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン）若しくはポリ（ｍ−キシレンアジパミド）のような有機材料）から選択される材料であることできるか、又は有機ポリマー絶縁体（例えば、ポリ（メタクリレート）、ポリ（アクリレート）、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パリレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート）であることができる。ゲート誘電体に有用な材料の特定の例には、ストロンチウム酸塩、タンタル酸塩、チタン酸塩、ジルコン酸塩、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、セレン化亜鉛及び硫化亜鉛が挙げられ、ＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３（ＰＺＴ）、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２、ＢａＭｇＦ_４、Ｂａ（Ｚｒ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏ_３（ＢＺＴ）が含まれるが、これらに限定されない。加えて、合金、ハイブリッド材料（例えば、ポリシロキサン又はナノ粒子充填ポリマー）の組み合わせ、及びこれらの材料の多層をゲート誘電体のために使用することができる。誘電体層の厚さは、例えば、約１０〜１０００nmであり、より特定の厚さは、約１００〜５００nmであり、０．１〜１００ナノファラド(nF）の範囲の静電容量をもたらす。

ソース電極及びドレイン電極は、ゲート誘電体によりゲート電極から離れており、一方、有機半導体層は、ソース電極及びドレイン電極の上側又は下側にあることができる。ソース及びドレイン電極は、半導体層に低い抵抗オーム性接触をもたらすのに好適なあらゆる有用な伝導性材料のものであることができる。有用な材料には、ゲート電極について上記に記載された材料のほとんどが含まれ、例えば、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、チタン、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、他の伝導性ポリマー、それらの合金、それらの組み合わせ、及びそれらの多層である。これらの材料のうちの幾つかは、ｎ型半導体材料での使用に適切であり、他は、ｐ型半導体材料での使用に適切であり、これは当該技術において知られている。

薄膜電極（すなわち、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極）を、物理的な蒸着（例えば、熱蒸着若しくはスパッタリング）又は（インクジェット）印刷法のような任意の有用な方法により提供することができる。これらの電極のパターン形成は、シャドーマスキング、付加フォトリソグラフィ、減法フォトリソグラフィ、印刷、ミクロ接触印刷及びパターン被覆のような既知の方法により達成することができる。

本発明は、更に、
基板に配置された複数の導電性ゲート電極と；
前記導電性ゲート電極に配置されたゲート絶縁体層と；
それぞれの前記セットがそれぞれの前記ゲート電極と一直線になるように、前記絶縁体層に配置された導電性ソース及びドレイン電極の複数のセットと；
前記ゲート電極を実質的に覆う前記絶縁体層におけるソースとドレインの電極の間のチャンネルに配置された有機半導体層とを含み、前記有機半導体層が、式Ｉのポリマー又は式Ｉのポリマーを含有する混合物を含む
薄膜トランジスタデバイスを提供する。

本発明は、更に、
複数の導電性ゲート電極を基板に付着する工程と；
ゲート絶縁体層を前記導電性ゲート電極に付着する工程と；
それぞれの前記セットがそれぞれの前記ゲート電極と一直線になるように、前記絶縁体層に導電性ソース及びドレイン電極の複数のセットを付着する工程と；
式Ｉの化合物又は式Ｉのポリマーを含有する混合物の前記層が、前記ゲート電極を実質的に覆うように、前記絶縁体層に式Ｉのポリマーの層を付着する工程とを含み、それによって薄膜トランジスタデバイスを製造する
薄膜トランジスタデバイスを調製するプロセスを提供する。

式Ｉのポリマーを含有する混合物は、式Ｉのポリマー（典型的には、５重量％〜９９．９９９９重量％、特に２０〜８５重量％）及び少なくとも別の材料を含む半伝導性層をもたらす。他の材料は、異なる分子量を有する式Ｉの同じポリマーの画分、式Ｉの別のポリマー、半伝導性ポリマー、有機小型分子、カーボンナノチューブ、フラーレン誘導体、無機粒子（量子ドット、量子ロッド、量子トライポッド、ＴｉＯ_２、ＺｎＯなど）、伝導性粒子（Ａｕ、Ａｇなど）、ゲート電極において記載されているような絶縁体材料（ＰＥＴ、ＰＳなど）であることができるが、これらに限定されない。

ヘテロ接点太陽電池では、活性層は、好ましくは、式Ｉのポリマーと、［６０］ＰＣＢＭ（＝６，６−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル）又は［７０］ＰＣＢＭのようなフラーレンとの１：１〜１：３の重量比の混合物を含む。

あらゆる適切な基板を使用して、本発明のポリマーの薄膜を調製することができる。好ましくは、上記の薄膜の調製に使用される基板は、金属、ケイ素、プラスチック、紙、被覆紙、繊維、ガラス又は被覆ガラスである。

あるいは、ＴＦＴは、例えば、熱成長させた酸化物層で覆われている高度にドープされたケイ素基板にポリマーを溶液付着すること、続いてソース及びドレイン電極を蒸着及びパターン形成することより作製される。

なお別の手法では、ＴＦＴは、熱成長させた酸化物層で覆われている高度にドープされたケイ素基板にソース及びドレイン電極を付着し、次いでポリマーを溶液付着して薄膜を形成することによって作製される。

ゲート電極は、また、基板上のパターン形成金属ゲート電極又は伝導性ポリマーのような伝導性材料のものであることができ、次いでこれは、パターン形成ゲート電極に溶液被覆若しくは蒸着のいずれかにより適用された絶縁体で被覆される。

不活性であり、従来の乾燥手段（例えば、熱、減圧、空気流の適用など）により基板から部分的に又は完全に除去することができる限り、あらゆる適切な溶媒を使用して、本発明の用途のポリマーを溶解及び／又は分散することができる。本発明の半導体を加工するのに適した有機溶媒には、クロロホルム、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、テトラリン、アニソール、キシレン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びこれらの混合物のような、芳香族又は脂肪族炭化水素、塩素化又はフッ素化炭化水素のようなハロゲン化炭化水素、エステル、エーテル、アミドが含まれるが、これらに限定されない。次いで溶液及び／又は分散体を、スピンコーティング、ディップコーティング、スクリーン印刷、ミクロ接触印刷、ドクターブレーディング又は当該技術に既知の他の溶液適用技術のような方法により、基板に適用して、半導体材料の薄膜を得る。

用語「分散体」は、溶媒に完全に溶解していない、本発明の半導体材料を含むあらゆる組成物を網羅する。分散は、少なくとも式Ｉのポリマー又は式Ｉのポリマーを含有する混合物を含む組成物及び溶媒を選択することにより実施することができ、ここでポリマーは、溶媒中、室温で低い溶解性を示すが、溶媒中、上昇した温度でより大きな溶解性を示し、上昇した温度を、撹拌することなく第１の低温に下げると、組成物はゲル化する；
−上昇した温度で、溶媒中、ポリマーの少なくとも一部を溶解し；上昇した温度から第１の低温に組成物の温度を下げ；組成物を撹拌してあらゆるゲル化を中断させ（ここで撹拌は、組成物の上昇した温度を第１の低温に下げる前、それと同時に又はその後に開始する）；組成物の層を付着し（ここで組成物は、上昇した温度よりも低い第２の低温である）；そして層を少なくとも部分的に乾燥する。

分散体は、（ａ）溶媒、結合剤樹脂及び場合により分散剤を含む連続相と、（ｂ）本発明の式Ｉのポリマー又は式Ｉのポリマーを含有する混合物を含む分散相から構成することもできる。

溶媒中の式Ｉのポリマーの溶解度は、例えば、０％〜約２０％の溶解性、特に０％〜約５％の溶解性に変わることができる。

好ましくは、有機半導体層の厚さは約５〜約１０００nmの範囲であり、特に、厚さは約１０〜約１００nmの範囲である。

本発明のポリマーを、半導体デバイスの有機半導体層として単独で又は組み合わせて使用することができる。層を、例えば、蒸着（比較的低分子量の材料）及び印刷技術のような任意の有用な方法により提供することができる。本発明の化合物は、有機溶媒中で十分な可溶性があり、溶液付着及びパターン形成することができる（例えば、ピンコーティング、ディップコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、ミクロ接触（波動）印刷、ドロップ及びゾーンキャスティング、又は他の既知の技術により）。

本発明のポリマーを、複数のＯＴＦＴを含む集積回路、並びに多様な電子物品に使用することができる。そのような物品には、例えば、無線ＩＣ（ＲＦＩＤ）タグ、フレキシブルディスプレイのバックプレーン（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話若しくは携帯用デバイスにおいて使用される）、スマートカード、記憶デバイス、センサ（例は、光、画像、バイオ、化学、機械若しくは温度センサ）、特にフォトダイオード、又は機密保護デバイスなどが含まれる。両極性のために、材料は、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）に使用することもできる。

本発明は、本発明のポリマーを含む有機光起電性（ＰＶ）デバイス（太陽電池）を提供する。

ＰＶデバイスは、この順番で、下記を含む：
（ａ）陰極（電極）、
（ｂ）アルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムのような任意の遷移層、
（ｃ）光活性層、
（ｄ）任意の平滑層、
（ｅ）陽極（電極）、
（ｆ）基板。

光活性層は、本発明のポリマーを含む。好ましくは、光活性層は、電子供与体として本発明の共役ポリマー及び電子受容体としてフラーレン、特に機能化フラーレンＰＣＢＭのような受容体材料から作製される。

本発明に有用なフラーレンは、広範囲なサイズ（分子１つあたりの炭素原子の数）を有することができる。本明細書で使用されるとき、フラーレンという用語には、バックミンスターフラーレン（Ｃ_６０）を含む純粋な炭素の種々のかごのような分子、及び関連する「球状」フラーレン、並びにカーボンナノチューブが含まれる。フラーレンは、例えばＣ_２〜Ｃ_１０００の範囲の当該技術で既知のものから選択することができる。好ましくは、フラーレンは、Ｃ_６０〜Ｃ_９６の範囲から選択される。最も好ましくは、フラーレンは、［６０］ＰＣＢＭ又は［７０］ＰＣＢＭのようなＣ_６０又はＣ_７０である。改質されたフラーレンが受容体型及び電子移動特性を保持する限り、化学的に改質されたフラーレンを用いることも許容される。受容体材料は、ポリマーが受容体型及び電子移動特性を保持する限り、式Ｉの別のポリマー又は任意の半伝導性ポリマー、有機小型分子、カーボンナノチューブ、無機粒子（量子ドット、量子ロッド、量子トライポッド、ＴｉＯ_２、ＺｎＯなど）からなる群より選択される材料であることもできる。

電極は、好ましくは、金属又は「金属代替物」から構成される。本明細書において、用語「金属」は、元素的に純粋な金属、例えばＭｇから構成される材料と、また、２つ以上の元素的に純粋な金属から構成される材料、例えばＭｇ及びＡｇを一緒にしたＭｇ：Ａｇと示される材料の両方を包含するのに使用される。ここで、用語「金属代替物」は、通常の定義内では金属ではないが、特定の適切な用途に望ましい金属様特性を有する材料を意味する。電極及び電荷移動層に慣用的に使用される金属代替物には、ドープされた広いバンドギャップの半導体、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）及び亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）のような、透明な伝導性酸化物が含まれる。別の適切な金属代替物は、透明な伝導性ポリマーのポリアナリン（ＰＡＮＩ）及びその化学関連物、すなわちＰＥＤＯＴ：ＰＳＳである。金属代替物は、広範囲の非金属材料から更に選択することができ、ここで用語「非金属」は、材料が化学的に未結合形態の金属を含有していない限り、広範囲の材料を包含することが意図される。極めて透明であり、非金属性で、低い抵抗性の陰極、又は極めて効率的であり、低い抵抗性の金属／非金属化合物の陰極が、例えば、ＵＳ−Ｂ−６，４２０，０３１及びＵＳ−Ｂ−５，７０３，４３６に開示されている。

基板は、例えば、プラスチック（柔軟な基板）又はガラス基板であることができる。

本発明の別の好ましい実施態様において、平滑層は、陽極と光活性層の間に位置している。この平滑層に好ましい材料は、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）又は３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の膜を含む。

本発明の好ましい実施態様において、光ボルタ電池は、例えばＵＳ−Ｂ−６，９３３，４３６に記載されているように、透明なガラス担体を含み、その上にインジウム／スズ酸化物（ＩＴＯ）から作製される電極層が適用される。この電極層は、一般に、相対的に粗い表面構造を有するので、ドーピングにより導電性にされたポリマー、典型的にはＰＥＤＯＴから作製される平滑層で覆われる。光活性層は、２つの構成成分から作製され、例えば適用方法に応じて１００nmから数μmの層厚を有し、この平滑層の上に適用される。光活性層は、電子供与体として本発明の共役ポリマー及び電子受容体としてフラーレン、特に機能化フラーレンＰＣＢＭから作製される。これらの２つの構成成分は、溶媒により混合され、例えばスピンコーティング法、キャスティング法、ラングミュア−ブロジェット（「ＬＢ」）法、インクジェット印刷法及びドリッピング法により、溶液として平滑層に適用される。スキージー又は印刷法を使用して、大きな表面をそのような光活性層で被覆することもできる。典型的であるトルエンの代わりに、好ましくはクロロベンゼンのような分散剤が溶媒として使用される。これらの方法のなかで、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェットプリント法及びキャスティング法が、操作の容易さ及び費用の観点から特に好ましい。

スピンコーティング法、キャスティング法及びインクジェット印刷法を使用して層を形成する場合、被覆は、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、アニソール、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン及びこれらの混合物のような適切な有機溶媒中、組成物を０．０１〜９０重量％の濃度で溶解又は分散することにより調製する溶液及び／又は分散体を使用して、実施することができる。

対電極を適用する前に、電気的に絶縁でなければならず、例えば０．６nmの層厚を有する薄遷移層を、光活性層に適用する。この例示的な実施態様において、この遷移層は、２・１０^−６torrの真空下、０．２nm／分の速度で蒸着したアルカリハロゲン化物、すなわちフッ化リチウムにより作製されている。

ＩＴＯを正孔集電極として使用する場合、電気的に絶縁している遷移層に蒸着されているアルミニウムが電子集電極として使用される。遷移層の電気絶縁特性は、特に光活性層から遷移層への遷移領域において、電荷担体の交差が有効であることを妨げる影響を明らかに防止する。

本発明の更なる実施態様において、１つ以上の層を、次の層を付着する前にプラズマにより処理してもよい。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を、次の層を付着する前に穏やかなプラズマ処理に付すことが、特に有益である。

有機光起電性（ＰＶ）デバイスは、太陽スペクトルをより多く吸収するために、互いに重ねて加工した多重接合太陽電池から構成することもできる。そのような構造は、例えば、App. Phys. Let. 90, 143512 (2007), Adv. Funct. Mater. 16, 1897-1903 (2006)及びＷＯ２００４／１１２１６１に記載されている。

いわゆる「タンデム太陽電池」は、この順番で下記を含む：
（ａ）陰極（電極）、
（ｂ）アルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムのような任意の遷移層、
（ｃ）光活性層、
（ｄ）任意の平滑層、
（ｅ）中間電極（例えば、Ａｕ、Ａｌ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２など）、
（ｆ）エネルギーレベルに合わせるための任意の追加の電極、
（ｇ）アルカリハロゲン化物、特にフッ化リチウムのような任意の遷移層、
（ｈ）光活性層、
（ｉ）任意の平滑層、
（ｊ）陽極（電極）、
（ｋ）基板。

ＰＶデバイスは、例えばＵＳ２００７００７９８６７及びＵＳ２００６００１３５４９に記載されているように、繊維に加工することもできる。

優れた自己組織化特性のために、本発明の化合物、材料又は膜は、例えばＵＳ２００３／００２１９１３に記載されているように、ＬＣＤ又はＯＬＥＤデバイスにおけるアラインメント層の中に又はアラインメント層として、単独で又は他の材料と一緒に使用することもできる。

下記の実施例は、例示の目的のみのために含まれるものであり、請求項の範囲を制限しない。特に記述のない限り、全ての部及び百分率は重量に基づく。
重量平均分子量（Ｍ_ｗ）及び多分散性（Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎ＝ＰＤ）は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）〔器具：屈折率（ＲＩ）、低角度光散乱（ＬＡＬＳ）、直角光散乱（ＲＡＬＳ）及び示差粘度（ＤＰ）測定の反応形態を生じる、Viscotek (Houston, TX, USA)からのGPC_max＋TDA 302〕により決定した。クロマトグラフ条件：カラム：Laboratories (Church Stretton, UK）からの約１×１０^３〜約２．５×１０^６Daの分子量範囲を含むPL_gel混合C（３００×７．５nm、５μmの粒子）；移動相：５g/lのトルフルオロ酢酸ナトリウムを含有するテトラヒドロフラン；移動相流速：０．５又は０．７ml/分；溶質濃度：約１〜２mg/ml；注入量：１００μl；検出：ＲＩ、ＬＡＬＳ、ＲＡＬＳ、ＤＰ。分子量較正の手順：相対的較正は、１，９３０，０００Da〜５，０５０Daの分子量範囲、すなわち、ＰＳ１，９３０，０００、ＰＳ１，４６０，０００、ＰＳ１，０７５，０００、ＰＳ５６０，０００、ＰＳ３３０，０００、ＰＳ９６，０００、ＰＳ５２，０００、ＰＳ３０，３００、ＰＳ１０，１００、ＰＳ５，０５０Daにわたる、Polymer Laboratories (Church Stretton, UK)から得られた１０個のポリスチレン較正標準のセットを使用して実施する。絶対較正は、ＬＡＬＳ、ＲＡＬＳ及びＤＰの反応に基づいて実施する。大量の調査からの経験により、この組み合わせが分子量データの最適な計算をもたらす。通常、ＰＳ９６，０００が分子量較正標準として使用されるが、一般に、決定される分子量範囲にある他の全てのＰＳ標準を、この目的のために選択することができる。
下記の実施例に提示されている全てのポリマー構造は、記載された重合手順により得られたポリマー生成物の理想化された表示である。２つを超える構成成分が互いに重合する場合、ポリマーにおける順序は、重合条件に応じて交互又はランダムのいずれかであることができる。

実施例
実施例１

ａ）Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）６０ml中のＤＰＰ１ ４．５ｇ、Ｋ_２ＣＯ_３ ６．２３ｇ及び１−ブロモ−２−エチル−ヘキシル８．６８ｇの溶液を、１４０℃に６時間加熱した。混合物を水で洗浄し、ジクロロメタンで抽出した。次いで、有機層を、濃縮する前に、乾燥し、シリカゲルとHyflo（登録商標）（CAS 91053-39-3; Fluka 56678）の二重層で濾過した。残渣をクロロホルム１００mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮した。次いで化合物をシリカゲルカラムで精製して、紫色の粉末のＤＰＰ２ １．９０ｇを得た。

ｂ）無水トルエン３０ml中の二臭素化ＤＰＰ２ ５００mg、スズ誘導体９９０mg及びＰｄ（ＰＰｈ_３）_４ ８５mgの溶液を、不活性条件下で一晩環流した。冷却した後、混合物をシリカゲル／Hyflo（登録商標）二重層で濾過し、濃縮し、メタノールで沈殿させた。沈殿物を濾過し、メタノールですすいで、青色の固体のＤＰＰ３ ５３０mgを得た。

ｃ）クロロベンゼン中の対応するモノマー３ ２．５５ｇの溶液をアルゴンにより５０℃で１５分間脱気した。次いでＦｅＣｌ_３ １．６ｇをニトロメタンに加え、混合物を、脱気しながら、５０℃で４時間撹拌した。次いで溶液をメタノールに注ぎ、次いで青色の沈殿物を濾過し、メタノールで洗浄した。次いで固体を、メタノール及びヘキサンを精製に使用し、クロロホルムを抽出に使用するsoxhlet抽出により精製して、ポリマー画分（４）２ｇを得た。
Ｍ_ｗ＝１３３０１
Ｆｅ含有量＝７５ppm

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールして、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶスペクトル：

８００nmでのバンドの成長は、アニーリングしている間の強力な凝集作用の出現を示した。

適用例１ａ−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
ｐ−Ｓｉゲートを有するボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を、全ての実験で使用した。高品質の熱ＳｉＯ_２層は、単位面積あたりＣ_ｉ＝３２．６nF/cm^２の静電容量のゲート絶縁体として作用した。ソース及びドレイン電極を、ゲート酸化物に直接フォトリソグラフィによりパターン形成した（ボトム接触配置）。それぞれの基板において、異なる長さのチャンネルを画定するＡｕソース／ドレイン電極を有する１６個のトランジスタが存在した。有機半導体を付着する前に、ＳｉＯ_２表面を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）又はオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）により誘導体化した。膜は、実施例１で得られたポリマーを異なる溶媒でスピンコーティングするか又はドロップキャスティングして作製した。トランジスタの動作は、CSEMにより作製された自動化試験機Transistor Prober TP-10で測定した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、明確なｐ型トランジスタの動作を示した。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、０．１５cm^２/Vsの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約０V〜５Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、１０^４〜１０^７の良好なオン／オフ電流比を示した。
試料のアニーリングは、性能（特に移動度）の著しい増加をもたらし、これは、固体の状態におけるポリマーのより良好な凝集と相関する可能性がある。空気条件下で２か月暴露した後で１セットのＯＦＥＴを試験すると、顕著な安定性を示し、移動度はほぼ一定であった。通常は最も被害を被るオン／オフ比は、係数の１０しか低減しなかった。

適用例１ｂ
ＤＰＰポリマーに基づいたバルクヘテロ接点太陽電池
ａ）実験：
太陽電池は以下の構造を有した：Ａｌ電極／ＬｉＦ層／本発明のポリマーを含む有機層／〔ポリ（３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）（ＰＥＤＯＴ）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＳＳ）〕／ＩＴＯ電極／ガラス基板。太陽電池は、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの層を、ガラス基板上の予めパターン形成したＩＴＯにスピンコーティングすることにより作製した。次いで、実施例１のポリマー（０．５重量％）：［６０］ＰＣＢＭ（置換Ｃ_６０フラーレン：

）の１：４混合物をスピンコートした（有機層）。ＬｉＦ及びＡｌを、シャドウマスクを介して高真空下で昇華させた。

ｂ）太陽電池の性能：
太陽電池は、太陽光線シミュレーターによって測定した。次いで外部量子効率（ＥＱＥ）グラフを用いて、電流をＡＭ１．５条件下で推定した。
これは、アニーリングする前に測定した推定総合効率の１．６２％で、Ｊ_ｓｃ＝４．１mA/cm^２、ＦＦ＝０．５３９及びＶ_ｏｃ＝０．７３３Vの値をもたらした。１００℃で１０分後、推定効率は２％に増大した。付着溶媒、ポリマー［６０］ＰＣＢＭ比などを変えることにより活性層の形状を最適化した後、デバイスの性能を、３．０６％まで押し上げることができた（Ｊ_ｓｃ＝９．５mA/cm^２、ＦＦ＝０．４６及びＶ_ｏｃ＝０．７V）。

実施例２

ａ）Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）３００ml中のＤＰＰ１ ２５ｇ、Ｋ_２ＣＯ_３ ４６．０７ｇ及び１−ブロモ−２−ヘキシル−デシル７５ｇの溶液を、１４０℃に６時間加熱した。混合物を水で洗浄し、ジクロロメタンで抽出した。次いで、有機層を、濃縮する前に、乾燥し、シリカゲルとHyflo（登録商標）の二重層で濾過した。残渣をクロロホルム１００mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮した。次いで化合物をシリカゲルカラムで精製して、紫色の粉末のＤＰＰ５ １９ｇを得た。

ｂ）無水トルエン２５０ml中の二臭素化ＤＰＰ５ １８．５ｇ、スズ誘導体２７．４７ｇ及びＰｄ（ＰＰｈ_３）_４ ２．３６ｇの溶液を、不活性条件下で一晩環流した。冷却した後、混合物をシリカゲルカラム（ＣＨＣｌ_３／ヘキサン ３／７）で精製して、青色の固体のＤＰＰ６ ２０．２ｇを得た。

ｃ）ＤＰＰ誘導体６ １０ｇの溶液をクロロホルム３００mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮し、メタノールで沈殿させた。沈殿物を濾過し、メタノールですすいで、青色の固体のＤＰＰ７ １０ｇを得た。

シュレンク管中で、トルエン１０ml中のＮｉ（ＣＯＤ）_２ ２４０mg及びビピリジン１４０mgの溶液を１５分間脱気した。対応する二臭素化モノマー７ １ｇをこの溶液に加え、次いで混合物を８０℃に加熱し、一晩激しく撹拌した。溶液を、１／１／１ メタノール／ＨＣｌ／アセトン混合物１００mlに注ぎ、１時間撹拌した。次いで沈殿物を濾過し、ＣＨＣｌ_３に溶解し、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）四ナトリウム塩の水溶液により、６０℃で更に１時間激しく撹拌した。有機相を水で洗浄し、濃縮し、メタノールに沈殿させた。残渣を、メタノール及びヘキサンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをＣＨＣｌ_３で抽出して、紫色の繊維２５０mgを得た。
Ｍ_ｗ＝７７４６５
Ｎｉ含有量＝６５ppm
溶解度＞トルエン中１０重量％

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールし、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶ：

８００nmでのバンドの成長は、アニーリングしている間の強力な凝集作用の出現を示した。

適用例２ａ−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
実施例１で得られたポリマーの代わりに、実施例２で得られたポリマーを使用する以外は、適用例１ａを繰り返した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、明確なｐ型トランジスタの動作を示した。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、０．０１３cm^２/Vsまでの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約０V〜４Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、１０^５〜１０^７の良好なオン／オフ電流比を示した。空気条件下で７日間暴露した後で１セットのＯＦＥＴを試験すると、顕著な安定性を示し、移動度はさらに良好にほぼ一定であり、通常は最も被害を被るオン／オフ比は、係数の５しか低減しなかった。
この化合物は、通常の設定において１０^−３cm^２/Vsまでの電子移動度を示した。トップ接触型トランジスタを使用してこの設定を最適化した後、このポリマーの両極性は更により顕著になり、正孔及び電子は０．１cm^２/Vsまで同様な移動度を有した。

実施例３

ａ）Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）３００ml中のＤＰＰ１ ２５ｇ、Ｋ_２ＣＯ_３ ４６．０７ｇ及び１−ブロモ−２−ブチル−ヘキシル５５ｇの溶液を、１４０℃に６時間加熱した。混合物を水で洗浄し、ジクロロメタンで抽出した。次いで、有機層を、濃縮する前に、乾燥し、シリカゲルとHyflo（登録商標）の二重層で濾過した。残渣をクロロホルム１００mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮した。次いで化合物をシリカゲルカラムで精製して、紫色の粉末のＤＰＰ８ ９．５ｇを得た。

ｂ）無水トルエン５０ml中の二臭素化ＤＰＰ８ ２．２４ｇ、スズ誘導体４．１１ｇ及びＰｄ（ＰＰｈ_３）_４ ３５１mgの溶液を、不活性条件下で一晩環流した。冷却した後、混合物をシリカゲルカラム（ＣＨＣｌ_３／ヘキサン ３／７）で精製して、青色の固体のＤＰＰ９ ２．３７ｇを得た。

ｃ）ＤＰＰ誘導体９ １．２７ｇの溶液をクロロホルム６０mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮し、メタノールで沈殿させた。沈殿物を濾過し、メタノールですすいで、青色の固体のＤＰＰ１０ １．３２ｇを得た。

ｄ）シュレンク管中で、トルエン１０ml中のＮｉ（ＣＯＤ）_２ ２４４mg及びビピリジン１４２mgの溶液を１５分間脱気した。対応する二臭素化モノマー１０ １ｇをこの溶液に加え、次いで混合物を８０℃に加熱し、一晩激しく撹拌した。溶液を、１／１／１ メタノール／ＨＣｌ／アセトン混合物１００mlに注ぎ、１時間撹拌した。次いで沈殿物を濾過し、ＣＨＣｌ_３に溶解し、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）四ナトリウム塩の水溶液により、６０℃で更に１時間激しく撹拌した。有機相を水で洗浄し、濃縮し、メタノールに沈殿させた。残渣を、メタノール及びヘキサンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをＣＨＣｌ_３で抽出して、紫色の繊維６５０mgを得た。
Ｍ_ｗ＝３００００
Ｎｉ含有量＝５２ppm
溶解度＝ＣＨＣｌ_３トルエン中０．５重量％

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールし、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶ：

８１０nmのバンドは、強力な凝集作用に起因した。

適用例３−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
実施例１で得られたポリマーの代わりに、実施例３で得られたポリマーを使用する以外は、適用例１ａを繰り返した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、明確なｐ型トランジスタの動作を示した。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、０．１cm^２/Vsまでの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約６Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、１０^４〜１０^５の良好なオン／オフ電流比を示した。

実施例４

ａ）Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）６０ml中のＤＰＰ１１ ３．５ｇ、Ｋ_２ＣＯ_３ ３．０４ｇ及び１−ブロモ−２−ヘキシル−デシル４．１３ｇの溶液を、１４０℃に６時間加熱した。混合物を水で洗浄し、ジクロロメタンで抽出した。次いで、有機層を、濃縮する前に、乾燥し、シリカゲルとHyflo（登録商標）の二重層で濾過した。残渣をクロロホルム１００mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮した。次いで化合物をシリカゲルカラムで精製して、紫色の粉末のＤＰＰ１２ １．７ｇを得た。

ｂ）無水トルエン６０ml中の二臭素化ＤＰＰ１２ １．６ｇ、スズ誘導体０．６５ｇ及びＰｄ（ＰＰｈ_３）_４ １５０mgの溶液を、不活性条件下で一晩環流した。冷却した後、混合物をシリカゲルカラム（ＣＨＣｌ_３／ヘキサン ３／７）で精製して、青色の固体のＤＰＰ１３ １．２７ｇを得た。

ｃ）ＤＰＰ誘導体１３ １．２７ｇの溶液をクロロホルム５０mlに溶解し、０℃に冷却し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを１時間かけて少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮し、メタノールで沈殿させた。沈殿物を濾過し、メタノールですすいで、青色の固体のＤＰＰ１４ １．２２ｇを得た。

ｄ）シュレンク管中で、トルエン１０ml中のＮｉ（ＣＯＤ）_２ ２９２mg及びビピリジン１７０mgの溶液を１５分間脱気した。対応する二臭素化モノマー１４ １．２ｇをこの溶液に加え、次いで混合物を６５℃に加熱し、４１時間激しく撹拌した。溶液を、１／１／１ メタノール／ＨＣｌ／アセトン混合物１００mlに注ぎ、１時間撹拌した。次いで沈殿物を濾過し、ＣＨＣｌ_３に溶解し、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）四ナトリウム塩の水溶液により、６０℃で更に１時間激しく撹拌した。有機相を水で洗浄し、濃縮し、メタノールに沈殿させた。残渣を、メタノール及びヘキサンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをＣＨＣｌ_３で抽出して、紫色の繊維７３０mgを得た。
Ｍ_ｗ＝３００００
Ｎｉ含有量＝１４ppm
溶解度＝ＣＨＣｌ_３トルエン中０．５重量％

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールし、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶ：

８００nmのバンドは、強力な凝集作用に起因した。

適用例４−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
実施例１で得られたポリマーの代わりに、実施例４で得られたポリマーを使用する以外は、適用例１ａを繰り返した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、明確なｐ型トランジスタの動作を示した。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、０．０１３cm^２/Vsまでの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約４V〜８Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、１０^４〜１０^５の良好なオン／オフ電流比を示した。空気条件下で２か月暴露した後で１セットのＯＦＥＴを試験すると、顕著な安定性を示し、移動度はさらに良好であり（０．０２８cm^２/Vsまで)、通常は最も被害を被るオン／オフ比も係数の５〜１０増加し、閾値は０V〜４Vの範囲であった。

実施例５

三首フラスコにおいて、トルエン６０ml、ジオキサン２０ml及び水１０ml中の７ ５ｇ、１，４−ベンゼンジボロン酸ビス（ピナコール）エステル１．１８５ｇ、Ｋ_３ＰＯ_４ ３．７７３ｇ、ｓＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２′，６′−ジメトキシビフェニル）８８．５mg及び酢酸パラジウム８０．６mgの脱気溶液を９０℃の加熱し、一晩激しく撹拌した。次いで過剰量のブロモベンゼンを加え、同じ雰囲気下で２時間後、次いで過剰量のフェニルボロン酸ピナコールエステルを加えて、ポリマーをエンドキャップした。２時間後、エンドキャッピングを完了させるために、水中ＮａＣＮ（１重量％）１００mLを加え、混合物を９０℃で３時間撹拌した。有機相を抽出し、メタノールに沈殿させた。残渣をトルエンに再溶解し、ＮａＣＮ処理に再び付し、有機相をメタノールに沈殿させた。残渣を、アセトン及びＥｔ_２Ｏを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをＣＨＣｌ_３で抽出して、紫色の繊維２．５ｇを得た。
Ｍ_ｗ＝２７０００
Ｐｄ含有量＝３０ppm
溶解度＝ＣＨＣｌ_３トルエン中１重量％

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールし、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶ：

６８０nmのバンドは、強力な凝集作用に起因した。

実施例６

乾燥し、窒素でフラッシュしたフラスコ中で、７ １ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（１０mol％）８２mg及びヨウ化銅（１０mol％）１３．５mgをジエチルアミン（０．８５ml）及びＴＨＦ（２ml）に溶解した。次いでフラスコを真空下に置き、窒素でフラッシュし、これを３回繰り返した。次いでジアセチレン誘導体３２８mgを加え、フラスコを窒素下で密封し、８５℃までに加熱し、一晩撹拌した。反応混合物をＣＨＣｌ_３ ５０mlに溶解し、ＭｅＯＨ ５００mlで粉砕し、濾過した。この動作を１回繰り返した。次いで固体を、ＭｅＯＨ、アセトン及びヘプタンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをＣＨＣｌ_３で抽出して、紫色の繊維０．５ｇ（Ｍ_ｗ＝３８０００；溶解度＝ＣＨＣｌ_３中０．５重量％）を得た。

光物性

高温クロロベンゼン溶液により作製し、異なる温度でアニールし、ガラス基板にスピンコーティングした膜のＵＶ：

７００nmのバンドは、強力な凝集作用に起因した。

実施例７

ａ）Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）２００ml中のＤＰＰ１５ １７．３ｇ、ＫＯＨ（水５mlに溶解）８．１８ｇ及び１−ヨード−２−ヘキシル−デシル５２ｇの溶液を、１４０℃に６時間加熱した。混合物を室温に冷却し、濾過した。プレスケーキをメタノールで洗浄し、次いでジクロロメタンに溶解し、ＤＭＳＯに沈殿させた。沈殿物を濾過し、乾燥した。沈殿物９．５ｇをヘキサン１６０mlに溶解し、次いで２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを少量ずつ加えた。この反応混合物に、過塩素酸（水中７０％）０．７５mlを加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮した。次いで化合物を、ジクロロメタンに溶解し、メタノールに沈殿させることにより精製して、紫色の粉末のＤＰＰ１６ ９．４ｇを得た。

ｂ）三首フラスコにおいて、トルエン３０ml、ジオキサン３０ml及び水１８ml中の１６ ５ｇ、４−ヘキシルチオフェン−２−ボロン酸ビス（ピナコール）エステル２．４６ｇ、Ｋ_３ＰＯ_４ ^＊Ｈ_２Ｏ ５．６４ｇ、ｓＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２′，６′−ジメトキシビフェニル）１１４mg及び酢酸パラジウム５２．２mgの脱気溶液を９０℃に加熱し、一晩激しく撹拌した。反応混合物を水で洗浄し、乾燥し、濃縮した。残渣をジクロロメタンに溶解し、メタノールに沈殿させて、青色の固体のＤＰＰ１７ ５．６７ｇを得た。

ｃ）ＤＰＰ誘導体１７ ４ｇの溶液をヘキサン１００mlに溶解し、次いで過塩素酸（水中７０％）０．５ml及び２当量のＮ−ブロモスクシンイミドを少量ずつ加えた。反応が完了した後、混合物を水で洗浄した。有機相を抽出し、乾燥し、濃縮し、メタノールで沈殿させた。沈殿物を濾過し、メタノールですすいで、青色の固体のＤＰＰ１８ ３．９ｇを得た。

ｄ）シュレンク管中で、トルエン３０ml中のＮｉ（ＣＯＤ）_２ ６００mg及びビピリジン４２０mgの溶液を１５分間脱気した。対応する二臭素化モノマー１８ ２ｇをこの溶液に加え、次いで混合物を８０℃に加熱し、一晩激しく撹拌した。溶液を、１／１／１ メタノール／ＨＣｌ／アセトン混合物１００mlに注ぎ、１時間撹拌した。次いで沈殿物を濾過し、ＣＨＣｌ_３に溶解し、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）四ナトリウム塩の水溶液により、６０℃で更に１時間激しく撹拌した。有機相を水で洗浄し、濃縮し、メタノールに沈殿させた。残渣を、ペンタンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをシクロヘキサンで抽出して、紫色の繊維５００mg（Ｍ_ｗ＝８３，０００）を得た。

実施例８

三首フラスコにおいて、トルエン１０ml、ジオキサン１０ml及び水６ml中の７ ２ｇ、２，５−チオフェンボロン酸ビス（ピナコール）エステル０．４７７ｇ、Ｋ_３ＰＯ_４ １．７４ｇ、ｓＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２′，６′−ジメトキシビフェニル）３５mg及び酢酸パラジウム１６mgの脱気溶液を９０℃に加熱し、一晩激しく撹拌した。有機相を抽出し、メタノールに沈殿させた。残渣を、アセトン及びペンタンを使用するsoxhlet抽出により精製し、次いでポリマーをシクロヘキサンで抽出して、紫色の繊維０．３ｇ（Ｍ_ｗ＝１６０００）を得た。

適用例８−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
実施例１で得られたポリマーの代わりに、実施例８で得られたポリマーを使用する以外は、適用例１ａを繰り返した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、明確なｐ型トランジスタの動作を示した。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、０．０２９cm^２/Vsまでの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約０V〜−３Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、およそ１０^４の適正なオン／オフ電流比を示した。

比較例１−ＤＰＰポリマーに基づいた電界効果トランジスタ
ａ）実験：
実施例１で得られたポリマーの代わりに、ＷＯ２００５０４９６９５の実施例１２で得られたポリマーを使用する以外は、適用例１ａを繰り返した。

ｂ）トランジスタの性能：
薄膜トランジスタは、極めて劣ったトランジスタ性能を示した（ほとんど測定不可能であった）。飽和伝達特性の線形適合から平方根まで、最大１．１×１０^−８cm^２/Vsの電界効果移動度を決定することができた。このトランジスタは、約３．５Vの閾値電圧を示した。このトランジスタは、極めて劣ったオン／オフ電流比を示し、最大１０^３（平均値５５）であった。

Claims (10)

1. 下記式：
   

   

   
   〔式中、
   ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、０〜２００、特に０、１、２又は３であり；
   Ａｒ^１及びＡｒ^１′は、互いに独立して、下記式：
   

   

   
   の基であり、
   Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、互いに独立して、下記式：
   

   

   
   の基であり、
   ｐは、可能であれば、０、１、２、３又は４を表し、
   Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なっていてもよく、水素、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキル基、アルケニル基、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいアルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるアリル基、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル；Ｃ_１〜Ｃ_８チオアルコキシ若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるシクロアルキル基；又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン、ニトロ若しくはシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより１若しくは２回縮合されていることができるシクロアルキル基；シクロアルケニル基；ケトン若しくはアルデヒド基、エステル基、カルバモイル基、シリル基、シロキサニル基、Ａｒ^１０又は−ＣＲ^５Ｒ^６−（ＣＨ_２）_ｇ−Ａｒ^１０から選択され、ここで
   Ｒ^５及びＲ^６は、互いに独立して、水素、フッ素、シアノ、又はフッ素、塩素若しくは臭素で置換されていることができるＣ_１〜Ｃ_４アルキル、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキルで１〜３回置換されていることができるフェニルを表し、
   Ａｒ^１０は、場合よりＧで置換されていてもよい、アリール又はヘテロアリール、特にＣ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８チオアルコキシ及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルを表し、ｇは、０、１、２、３又は４を表し、
   Ｒ^３は、１つの基の内で同一又は異なっていてもよく、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２４アリール、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、アラルキルのａｒ（＝アリール）が場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_２５アラルキル、又は−ＣＯ−Ｒ^２８から選択されるか、或いは互いに隣接する２つ以上の基Ｒ^３は、環を形成し；
   Ｒ^４、Ｒ^４′、Ｒ^７及びＲ^７′は、互いに独立して、水素、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２４アリール、場合によりＧで置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、アラルキルのａｒ（＝アリール）が場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_２５アラルキル、又は−ＣＯ−Ｒ^２８を表すか、或いはＲ^４及びＲ^４′は、環を形成し；
   Ｄは、−ＣＯ−；−ＣＯＯ−；−Ｓ−；−ＳＯ−；−ＳＯ_２−；−Ｏ−；−ＮＲ^２５−；−ＣＲ^２３＝ＣＲ^２４−；又は−Ｃ≡Ｃ−であり；
   Ｅは、−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２６；−ＣＮ；又はハロゲンであり、Ｇは、Ｅ、Ｄで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、又はＥで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシであり、ここで
   Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６は、互いに独立して、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり；
   Ｒ^２７及びＲ^２８は、互いに独立して、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
   Ｒ^２９は、Ｈ；Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシで置換されているＣ_６〜Ｃ_１８アリール；Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル；又は−Ｏ−で中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであり、
   Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｇで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、又はＣ_７〜Ｃ_２５アラルキルであるか、或いは
   Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、一緒になって、式：＝ＣＲ^１００Ｒ^１０１の基を形成し、ここで、
   Ｒ^１００及びＲ^１０１は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、又はＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、又はＧで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリールであるか、或いは
   Ｒ^１０９及びＲ^１１０は、一緒になって、場合によりＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｇで置換されているＣ_６〜Ｃ_２４アリール、Ｃ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｇで置換されているＣ_２〜Ｃ_２０ヘテロアリール、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルケニル、Ｃ_２〜Ｃ_１８アルキニル、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｅで置換されている及び／若しくはＤで中断されているＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシ、Ｃ_７〜Ｃ_２５アラルキル又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^１８で置換されていることができる、５員又は６員環を形成し、
   Ｒ^１１１は、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキル基、Ｃ_４〜Ｃ_１８シクロアルキル基、互いに近接していない１個以上の炭素原子を−Ｏ−、−Ｓ−若しくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−に代えることができる及び／又は１個以上の水素原子をＦに代えることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルコキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_２４アリール基、又は１個以上の炭素原子をＯ、Ｓ若しくはＮに代えることができる及び／又は１つ以上の非芳香族基Ｒ^１１１で置換することができるＣ_６〜Ｃ_２４アリールオキシ基であり；
   ｍは、それぞれの場合に同一又は異なっていることができ、０、１、２又は３、特に０、１又は２、とりわけ０又は１であり；
   Ｘ^１は、水素原子又はシアノ基であるが、
   但し、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：
   

   

   
   の基であり、ａ及びｄが両方とも１であり、Ａｒ^２及びＡｒ^２′が下記式：
   

   

   
   の基と異なる場合、
   Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：
   

   

   
   の基である場合、ａ及びｄは０ではなく、そして下記式：
   

   

   
   のポリマーは除く〕
   で示される（反復）単位を含むポリマー。
2. Ｒ^１及びＲ²が、互いに独立して、水素、場合により１個以上の酸素原子で中断されていることができるＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキル、特にシクロヘキシル、又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル、ハロゲン、ニトロ若しくはシアノで１〜３回置換されていることができるフェニルにより、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルにより、１又は２回縮合されていることができるＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキル、特にシクロヘキシル、又は−ＣＲ^５Ｒ^６−（ＣＨ_２）_ｇ−Ａｒ^１０から選択され、ここで、Ｒ^５及びＲ^６が、水素を表し、Ａｒ^１０が、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル及び／若しくはＣ_１〜Ｃ_８アルコキシで１〜３回置換されていることができるフェニル又は１−若しくは２−ナフチルを表し、そしてｇが、０又は１を表す、請求項１記載のポリマー。
3. Ａｒ^１及びＡｒ^１′が同一であり、下記式：
   

   

   
   の基であり、
   Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′が、互いに独立して、下記式：
   

   

   
   〔式中、
   ｐは、０、１又は２を表し、Ｒ^３は、１つの基の内で同一又は異なっていてもよく、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルキル、又は場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_１８アルコキシから選択され；
   Ｒ^４は、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキル、場合によりＧで置換されていてもよい、フェニル、ナフチル若しくはビフェニリルのようなＣ_６〜Ｃ_１４アリール、場合によりＥで置換されていてもよい及び／若しくはＤで中断されていてもよいＣ_１〜Ｃ_２５アルコキシ、又はａｒが場合によりＧで置換されていてもよいＣ_７〜Ｃ_１５アラルキルであり、
   Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−、−ＮＲ^２５−であり、ここでＲ^２５は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル又はsec−ブチルのようなＣ_１〜Ｃ_１２アルキルであり、
   Ｅは、−ＯＲ^２９；−ＳＲ^２９；−ＮＲ^２５Ｒ^２５；−ＣＯＲ^２８；−ＣＯＯＲ^２７；−ＣＯＮＲ^２５Ｒ^２５；又は−ＣＮであり；ここでＲ^２５、Ｒ^２７、Ｒ^２８及びＲ^２９は、互いに独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、ヘキシル、オクチル若しくは２−エチル−ヘキシルのようなＣ_１〜Ｃ_１２アルキル、又はフェニル、ナフチル若しくはビフェニリルのようなＣ_６〜Ｃ_１４アリールであり、
   Ｇは、Ｅと同じ選択肢を有するか、又はメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、ヘキシル、オクチル若しくは２−エチルヘキシルのような、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、特にＣ_１〜Ｃ_１２アルキルである〕
   で示される基である、請求項１又は２記載のポリマー。
4. 下記：
   

   

   
   が、異なっていてもよいが、好ましくは同一であり、下記式：
   

   

   
   〔式中、
   下記：
   

   

   
   は、ジケトピロロピロール骨格への結合を示し、Ｒ^４は、請求項３で定義されたとおりであり、そしてＲ^４′は、Ｒ^４の意味を有する〕
   で示される基である、請求項３記載のポリマー。
5. ポリマーが、下記式：
   

   

   
   〔式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^１、Ａｒ^１′、Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、請求項１で定義されたとおりであり、
   ｈは、１であり、そして
   Ａｒ^５は、下記式：
   

   

   
   の基であり、
   ここでＲ^７及びＲ^７′は請求項１で定義されたとおりである〕
   で示される反復単位を含むか、或いは
   ポリマーが、下記式：
   

   

   
   〔式中、第１反復単位は、請求項１記載の反復単位であり、
   分岐単位は、２つを超える架橋部位を有する単位であり、そして、
   ｑ及びｔは整数である〕
   で示される構造を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載のポリマー。
6. 下記式：
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   〔式中、
   Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２５アルキルであり、
   Ｒ^３及びＲ^３′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルであり、
   Ｒ^４及びＲ^４′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルであり、そして
   Ｒ^７及びＲ^７′は、互いに独立して、場合により１個以上の酸素原子で中断されていてもよいＣ_６〜Ｃ_２５アルキルである〕
   で示される反復単位を含む、請求項１〜５のいずれか１項記載のポリマー。
7. 請求項１記載の式Ｉのポリマーを含む半導体デバイス、特に、ダイオード、フォトダイオード、有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池、又はダイオード及び／若しくはフォトダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスタ及び／若しくは太陽電池を含むデバイス。
8. 有機半導体デバイスを調製する方法であって、有機溶媒中の請求項１記載の式Ｉのポリマーの溶液及び／又は分散体を、適切な基板に適用すること及び溶媒を除去することを含む方法。
9. 下記式：
   

   

   
   〔式中、
   Ｂ及びＣは、互いに独立して、場合により縮合されている芳香族又は芳香族複素環であり、
   ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^１、Ａｒ^１′、Ａｒ^２、Ａｒ^２′、Ａｒ^３、Ａｒ^３′、Ａｒ^４及びＡｒ^４′は、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＸは、ＺｎＸ^１２、−ＳｎＲ^２０７Ｒ^２０８Ｒ^２０９であり、ここでＲ^２０７、Ｒ^２０８及びＲ^２０９は、同一又は異なり、Ｈ又はＣ_１〜Ｃ_６アルキルであり、２つのラジカルは、場合により共通の環を形成し、これらのラジカルは、場合により分岐鎖又は非分岐鎖であり、Ｘ^１２は、ハロゲン原子、とりわけＩ若しくはＢｒ；又は−ＯＳ（Ｏ）_２ＣＦ_３、−ＯＳ（Ｏ）_２−アリールであり、特に、下記：
   

   

   
   −ＯＳ（Ｏ）_２ＣＨ_３、−Ｂ（ＯＨ）_２、−Ｂ（ＯＹ^１）_２、下記：
   

   

   
   −ＢＦ_４Ｎ又は−ＢＦ_４Ｋであり、ここで、Ｙ^１は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、そしてＹ^２は、それぞれの場合に独立して、Ｃ_２〜Ｃ_１０アルキレン基であり、例えば、−ＣＹ^３Ｙ^４−ＣＹ^５Ｙ^６−又は−ＣＹ^７Ｙ^８−ＣＹ^９Ｙ^１０−ＣＹ^１１Ｙ^１２−であり、ここで、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、Ｙ^１０、Ｙ^１１及びＹ^１２は、互いに独立して、水素又はＣ_１〜Ｃ_１０アルキル基であり、特に−Ｃ（ＣＨ_３）_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−又は−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−であるが、
   但し、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：
   

   

   
   の基である場合、ａ及びｄは０ではなく、Ａｒ^２及びＡｒ^２′は下記式：
   

   

   
   基と異なり、
   更に、Ａｒ^１及びＡｒ^１′が下記式：
   

   

   
   の基である場合、ａ及びｄは０ではない〕
   で示されるモノマー。
10. 電荷転送、半導体、導電性、光伝導性、発光材料、表面改質材料、電池の電極材、アラインメント層として、又はＯＦＥＴ、ＩＣ、ＴＦＴ、ディスプレイ、ＲＦＩＴＤタグ、エレクトロ−若しくはフォトルミネセンスデバイス、ディスプレイのバックライト、光起電性若しくはセンサデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、メモリデバイス（例えば、ＦｅＦＥＴ）、平坦化層、帯電防止剤、伝導性基板若しくはパターン、光伝導体、若しくは電子写真用途（記録）における、請求項１〜７のいずれか１項記載の式Ｉのポリマーの使用。