JP6214768B2 - アジド系架橋剤 - Google Patents

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Description

本発明は、ビス−アジド系化合物、前記化合物の製造方法、前記化合物を含有する溶液、前記溶液を用いた素子の製造方法、前記方法により得られる素子、および架橋剤としての前記ビス−アジド系化合物の使用に関する。
電子素子、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子、発光素子（ＬＥＤ）および光起電力（ＰＶ）素子の作製は、通常は、種々の膜の施与と、パターン形成とも称される構造化とを含み、これには、例えば電極の施与および構造化、並びに半導体膜、絶縁膜および他の膜、例えば障壁膜の施与および構造化が含まれる。
電極材料は通常は蒸着により施与され、次いで該電極材料はフォトリソグラフィ法を用いて構造化される。これには、フォトレジスト膜の施与、マスクを用いた該フォトレジスト膜の放射線への曝露、放射線に曝露されていないフォトレジストの除去、露出した電極材料のエッチングおよび残留フォトレジストの除去が含まれる。
半導体膜、絶縁膜および他の膜、例えば障壁膜を施与するための最も簡便な方法は、溶液処理技術、例えばスピンコーティングまたは印刷によるものである。液体処理技術が用いられる場合には、施与されるべき膜の溶液が、素子中にすでに存在している膜を溶解しないことが重要である。従って、すでに存在している膜を溶解させない溶媒、いわゆる直交溶媒を使用すること、あるいは素子中にすでに存在している膜を施与されるべき次の膜の溶媒に対して不溶性にするかまたは溶解しにくくすることのいずれかが必要である。高分子膜を施与されるべき次の膜の溶媒に対して不溶性にするかまたは溶解しにくくするための１つの方法に、該高分子膜の架橋がある。使用される架橋剤に応じて、架橋は、熱処理によって、または放射線処理によって開始されることができる。放射線処理は、熱処理に比べて、マスクの使用によって高分子膜の一部のみが架橋されるため、架橋ステップと構造化ステップとを１ステップにまとめることができるという利点を有する。未架橋のポリマーは適した溶媒での洗浄によって容易に除去可能であるのに対して、熱処理により架橋された高分子膜の構造化は、通常は、電極の施与および構造化に関して上記で概説したような一連のステップを含むフォトリソグラフィ法を用いて行われる。
ビス−アジド系化合物は、放射線処理により活性化されうる架橋剤である。いくつかのビス−アジド系化合物および電子素子の製造におけるその適用が、すでに記載されている。
Cai, S.X.: Glenn, D.J.:Kanskar, M.:Wybourne, M.N.:Keana, J.F.W. Chem. Mater. 1994, 6, 1822-1829には、以下のビス−アジド系化合物が記載されている：
Figure 0006214768
上記のポリスチレン混合物含有架橋剤は、深ＵＶおよび電子線レジストとして評価された。
Yan, M.:Cai, S.X.:Wybourne, M.N.:Keana, J.F.W.J.Mater. Chem. 1996, 6, 1249-1252には、以下のビス−アジド系化合物が記載されている：
Figure 0006214768
上記のポリイミド混合物含有架橋剤は、ネガ型レジストとして評価された。
Touwslager, F.J.; Willard, N.P.; Leeuw, D.M. Applied Physics Letters 2002, 81, 4556には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）から膜を形成させるためのリソグラフィ法が記載されている。この完全に水性のプロセスは、以下のビス−アジド系化合物を用いた光架橋ＰＥＤＯＴに基づくものである：
Figure 0006214768
この技術は、あらゆる高分子電界効果トランジスタおよび集積回路の作製に適用されている。
国際公開第０４／１００２８２号には、（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部を含む溶液を基板上に堆積させて膜を形成させるステップ、（ｉｉ）ステップ（ｉ）で形成された膜を条件下に硬化させて不溶性架橋ポリマーを形成させるステップを含む高分子素子を形成する方法であって、前記架橋部が、前記溶液中の前記ポリマーまたはオリゴマーおよび前記架橋部の繰返し単位の総モル数を基準にして０．０５〜５モル％の範囲の量でステップ（ｉ）において存在することを特徴とする前記方法が記載されている。高分子素子には電界効果トランジスタが含まれる。前記架橋部が深紫外線において狭い透過範囲で吸収を示すことが好ましい。典型的にはこれは２００〜３００ｎｍの範囲である。国際公開第０４／１００２８２号には、以下の架橋部が例示されている：
Figure 0006214768
国際公開第２００７／００４９９５号には架橋性化合物群が記載されており、前記化合物は（ｉ）１つ以上のフッ素化芳香族基および（ｉｉ）１つ以上のイオン性基を含み、その際、前記架橋性化合物は少なくとも１つの極性溶媒に可溶である。前記架橋性化合物群の一般式は式Ｎ3−ＡｒFＺ（Ｒ）−Ｎ3（Ｉ）によって与えられ、ここで、ＡｒFＺは１つ以上のフッ素化芳香族基を含み、かつＲは１つ以上のイオン性基を含み、その際、前記架橋性化合物は少なくとも１つの極性溶媒に可溶である。国際公開第２００７／００４９９５号にもポリマーを含む素子を形成する方法が提供されており、前記方法は、（ｉ）ポリマーおよび架橋性化合物を含む溶液から基板上に膜を形成させるステップ、および（ｉｉ）前記膜を１００〜１３０℃の温度でソフトベークするステップ、および（ｉｉｉ）ステップ（ｉｉ）における溶液を２５０〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に曝露させるステップを含む。以下の式の架橋性化合物が例示されている：
Figure 0006214768
ここで、Ｘは、Ｉ、ＰＦ6、ＢＦ4、ＣｌＯ4およびＣＦ3ＣＯＯから選択される。
国際公開第２００９／０６８８８４号には、担持された高分子ヘテロ構造体および製造方法が記載されている。前記ヘテロ構造は、半導体素子、例えば光起電力素子および発光ダイオード素子を必要とする用途範囲での使用に適している。例えば、トルエン中のポリ（９，９'−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ'−（４−ブチルフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）、ポリスチレンおよび以下のビス−アジド系光架橋剤
Figure 0006214768
 の溶液を調製し、前記溶液を支持体上にスピンコーティングし、ポリスチレンをメチルエチルケトン処理により除去し、かつ残留する試料をＵＶ光（２５４ｎｍ）に曝露させるステップを含む方法が記載されている。
Png, R.-Q.; Chia, P.-J.; Tang, J.-C; Liu, B.; Sivaramakrishnan S.; Zhou, M.; Khong, S.-H.; Chan, H.S.O.; Burroughes, J.H.; Chua, L.-L; Friend, R.H .; Ho, P.K.H. Nature Materials 2010, 9(2), 152-152には、立体障害ビス（フルオロフェニルアジド）を概して高分子有機半導体中に混合することによって、深紫外光（波長２５４ｎｍ）への曝露時に光架橋を生じさせうることが記載されている。立体障害ビス（フルオロフェニルアジド）の一例は、以下のものである：
Figure 0006214768
例えば、ｐ++−Ｓｉバックゲートを有するオクタデシルトリクロロシリル化熱酸化物ゲート絶縁体およびリソグラフィ法によりパターン形成されたＡＵソース−ドレイン電極上でポリ２，５−ビス（３−テトラデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン）膜を光架橋させるステップを含むＯＦＥＴの製造が記載されている。
国際公開第２０１１／０６８４８２号には一般式Ｎ3−ＡｒF−Ｗ（Ｉ）を有する架橋部が記載されており、その際、ＡｒFはフッ素化フェニルアジド基であって、前記アジド基に対してメタ位にフッ素よりも嵩高い少なくとも１つの非フッ素置換基を有する前記フッ素化フェニルアジド基を含み、Ｗは電子吸引性基を含む。国際公開第２０１１／０６８４８２号にも架橋部および任意にポリマーまたはオリゴマーを含む溶液が記載されている。国際公開第２０１１／０６８４８２号にもポリマー素子を形成する方法が記載されており、前記方法は、（ａ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部を含む溶液を基板上に堆積させて膜を形成させるステップ、および（ｂ）前記膜を硬化させて不溶性の架橋ポリマーを形成させるステップを含む。前記素子は高分子ＦＥＴ素子であってもよい。例えば国際公開第２０１１／０６８４８２号の実施例３には、以下の架橋部が記載されている：
Figure 0006214768
上記の引用文献に記載のビス−アジド系化合物は、通常は２５４ｎｍの波長で吸収を示す。
しかしながら電子素子の作製においては、電極材料膜または他の膜の構造化の際に使用されるフォトレジスト膜は、通常は３００〜４５０ｎｍの範囲の波長で、特に３６５ｎｍ、４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの波長で露光され、これはＨｇランプのいわゆるｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）およびｇ線（４３６ｎｍ）に相当する。従って、３００〜４５０ｎｍの範囲の波長でも吸収を示すビス−アジド系化合物、好ましくは３６５ｎｍ、４０５ｎｍ若しくは４３６ｎｍの波長またはその近傍の波長でその吸収極大を示すビス−アジド系化合物を有することが、極めて好都合である。これによって、光学装置の波長の調整も、さらには該光学装置の高分子膜架橋に適した放射装置への交換をも必要とすることなく、フォトレジスト膜と高分子膜の架橋とに対して同一の波長を用いた素子の作製が可能となる。
従って、３００〜４５０ｎｍの範囲の波長で吸収を示し、かつ必須ではないが理想的には、フォトリソグラフィ法において通常使用される波長、例えば３６５ｎｍ、４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの近傍または近接でその吸収極大を示すビス−アジド系化合物を提供することが本発明の目的であった。
前記目的は、請求項１に記載の化合物、請求項８に記載の方法、請求項９に記載の溶液、請求項１２に記載の方法および請求項１５に記載の素子により解決される。
本発明の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、
ａは、０、１または２であり、
ｂは、１、２、３または４であり、
ｃは、０または１であり、
ｄは、０、１、２、３または４であり、
ｅは、０、１または２であり、
ｘは、０、１または２であり、
ｙは、０、１または２であり、
ｚは、０、１または２であり、
ｗは、０、１または２であり、
ｎは、０または１であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれ芳香族部または複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれＨ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれフェニル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ11Ｒ12、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ12Ｒ13、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒabで置換されていてよく、
ここで、Ｒ12およびＲ13は、互いに独立して、かつそれぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、
Ｌ1およびＬ3は、互いに独立して、かつそれぞれ、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれＨ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれＨ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれフェニル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒbで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒcで置換されていてよく、
ここで、Ｒ22およびＲ23は、互いに独立して、かつそれぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであるか、
または、Ｌ1またはＬ3が
Figure 0006214768
 である場合には、
Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成し、
Ｌ2は、連結部Ａであり、
かつ、
Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、かつそれぞれＨ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ30、ＣＯＮＲ30Ｒ31、ＣＯＲ30、ＳＯ3Ｒ30、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ30、ＳＲ30、ＮＲ30Ｒ31、ＯＣＯＲ30またはＮＲ30ＣＯＲ31であり、
ここで、Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、かつそれぞれＨ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれフェニル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒdで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒeで置換されていてよく、
ここで、Ｒ32およびＲ33は、互いに独立して、かつそれぞれＣ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルである］
の化合物である。
芳香族部の例は、Ｃ6〜14−芳香族部、例えば
Figure 0006214768
 である。
複素芳香族部の例は、５ないし１４員の複素芳香族部、例えば
Figure 0006214768
 であり、ここで、Ｒ100は、Ｃ1〜10−アルキルである。
Ｃ1〜10−アルキルおよびＣ1〜20−アルキルは、分岐状であっても非分岐状であってもよい。Ｃ1〜10−アルキルの例は、メチル、エチル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、１，１−ジメチル−３，３−ジメチルブチル、ノニルおよびデシルである。Ｃ1〜20−アルキルの例は、Ｃ1〜10−アルキル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシルおよびエイコシルである。Ｃ3〜6−アルキルの例は、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルおよびイソペンチルである。
Ｃ5〜8−シクロアルキルの例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルおよびシクロオクチルである。
Ｃ6〜14−アリールの例は、フェニルおよびナフチルである。
５ないし１２員のヘテロアリールの例は、
Figure 0006214768
 である。
ハロゲンの例は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩである。
Ｌ1およびＬ3（ここで、Ｌ1およびＬ3は、
Figure 0006214768
 であり、Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成するものとする）の例は、
Figure 0006214768
 である。
連結部Ａの例は、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンであり、これらは、それぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ40、ＣＯＮＲ40Ｒ41、ＣＯＲ40、ＳＯ3Ｒ40、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ40、ＳＲ40、ＮＲ40Ｒ41、ＯＣＯＲ40およびＮＲ40ＣＯＲ41からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfで置換されていてよく、
ここで、Ｒ40およびＲ41は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfbで置換されていてよく、
ここで、Ｒ42およびＲ43は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ、
Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
連結部Ｂの例は、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されていてよいＣ1〜4−アルキレンであり、ここで、Ｃ1〜4−アルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ60、ＳＯ2−ＮＲ60、ＮＲ60、ＮＲ60Ｒ61、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ60およびＲ61は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
Ｃ1〜4−アルキレンの例は、メチレン、エチレン、プロピレンおよびブチレンである。Ｃ1〜10−アルキレンの例は、Ｃ1〜4−アルキレン並びにペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレンおよびデシレンである。
Ｃ2〜4−アルケニレンの例は、メチレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンである。Ｃ2〜10−アルケニレンの例は、Ｃ2〜4−アルケニレン並びにペンテニレン、ヘキセニレン、ヘプテニレン、オクテニレン、ノネニレンおよびデセニレンである。
Ｃ5〜8−シクロアルキレンの例は、シクロペンチレン、シクロヘキシレン、シクロヘプチレンおよびシクロオクチレンである。
好ましくは、
ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
ｂは、１、２または３であり、
ｃは、０または１であり、かつ
ｄは、０、１、２または３である。
さらに好ましくは、
ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
ｂは、１であり、
ｃは、０または１であり、かつ
ｄは、０または１である。
好ましくは、
ｘおよびｙは、同一であり、かつ０、１または２であり、かつ
ｚおよびｗは、同一であり、かつ０、１または２である。
さらに好ましくは、
ｘおよびｙは、同一であり、かつ０または１であり、かつ
ｚおよびｗは、同一であり、かつ１または２である。
最も好ましくは、
ｘおよびｙは、同一であり、かつ０であり、
ｚおよびｗは、同一であり、かつ２である。
好ましくは、ｎは０である。
好ましくは、Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、芳香族部または複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂである。
さらに好ましくは、Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ6〜14の芳香族部または５ないし１２員の複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂである。
その上さらに好ましくは、Ａｒ1およびＡｒ2は、同一であり、かつ、Ｃ6〜14の芳香族部または５ないし１２員の複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキルおよびＯＲ10からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキルであり、かつ
ここで、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されていてよいＣ1〜4−アルキレンである。
最も好ましくは、Ａｒ1およびＡｒ2は、同一であり、かつ、
Figure 0006214768
 であり、これらは、Ｃ1〜10−アルキルおよびＯＲ10からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、かつ
ここで、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されたメチレンである。
好ましくは、Ｌ1およびＬ3は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであるか、
または、Ｌ1またはＬ3が
Figure 0006214768
 である場合には、
Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成する。
さらに好ましくは、Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールである。
その上さらに好ましくは、Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、ＨまたはＣ1〜20−アルキルである。
最も好ましくは、Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、Ｈである。
好ましくは、Ｌ2は連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、これらは、それぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ40、ＣＯＮＲ40Ｒ41、ＣＯＲ40、ＳＯ3Ｒ40、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ40、ＳＲ40、ＮＲ40Ｒ41、ＯＣＯＲ40およびＮＲ40ＣＯＲ41からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfで置換されていてよく、
ここで、Ｒ40およびＲ41は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfbで置換されていてよく、
ここで、Ｒ42およびＲ43は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ、
Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
さらに好ましくは、Ｌ2は連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、これらは、それぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ40、ＣＯＮＲ40Ｒ41、ＣＯＲ40、ＳＯ3Ｒ40、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ40、ＳＲ40、ＮＲ40Ｒ41、ＯＣＯＲ40およびＮＲ40ＣＯＲ41からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfで置換されていてよく、
ここで、Ｒ40およびＲ41は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
その上さらに好ましくは、Ｌ2は連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
最も好ましくは、Ｌ2は連結部Ａであり、ここで、前記連結部ＡはＣ1〜10−アルキレンであり、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
好ましくは、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ30、ＣＯＮＲ30Ｒ31、ＣＯＲ30、ＳＯ3Ｒ30、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ30、ＳＲ30、ＮＲ30Ｒ31、ＯＣＯＲ30またはＮＲ30ＣＯＲ31であり、
ここで、Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールである。
さらに好ましくは、Ｒ1およびＲ2は、同一であり、かつＨ、Ｃ1〜20−アルキルまたはＣ5〜8−シクロアルキルである。
最も好ましくは、Ｒ1およびＲ2は、同一であり、かつ分岐状Ｃ3〜6−アルキルである。
式（１）の好ましい化合物において、ｎ＝０であり、かつ前記化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、
ａは、０、１または２であり、
ｂは、１、２、３または４であり、
ｃは、０または１であり、
ｄは、０、１、２、３または４であり、
ｅは、０、１または２であり、
ｘは、０、１または２であり、
ｙは、０、１または２であり、
ｚは、０、１または２であり、
ｗは、０、１または２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、芳香族部または複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ11Ｒ12、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ12Ｒ13、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒabで置換されていてよく、
ここで、Ｒ12およびＲ13は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、
Ｌ1およびＬ3は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒbで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒcで置換されていてよく、
ここで、Ｒ22およびＲ23は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであるか、
または、Ｌ1またはＬ3が
Figure 0006214768
 である場合には、
Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成し、
Ｌ2は、連結部Ａであり、
かつ、
Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ30、ＣＯＮＲ30Ｒ31、ＣＯＲ30、ＳＯ3Ｒ30、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ30、ＳＲ30、ＮＲ30Ｒ31、ＯＣＯＲ30またはＮＲ30ＣＯＲ31であり、
ここで、Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒdで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒeで置換されていてよく、
ここで、Ｒ32およびＲ33は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルである］
の化合物である。
式（１）のさらに好ましい化合物において、ｎ＝０であり、かつ前記化合物は式（１'）の化合物であり、ここで、
ａは、０、１または２であり、
ｂは、１、２、３または４であり、
ｃは、０または１であり、
ｄは、０、１、２、３または４であり、
ｅは、０、１または２であり、
ｘは、０、１または２であり、
ｙは、０、１または２であり、
ｚは、０、１または２であり、
ｗは、０、１または２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、芳香族部または複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、かつ、
Ｌ1およびＬ3は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであるか、
または、Ｌ1またはＬ3が
Figure 0006214768
 である場合には、
Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成し、
Ｌ2は、連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、これらは、それぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ40、ＣＯＮＲ40Ｒ41、ＣＯＲ40、ＳＯ3Ｒ40、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ40、ＳＲ40、ＮＲ40Ｒ41、ＯＣＯＲ40およびＮＲ40ＣＯＲ41からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfで置換されていてよく、
ここで、Ｒ40およびＲ41は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ42、ＣＯＮＲ42Ｒ43、ＣＯＲ42、ＳＯ3Ｒ42、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ42、ＳＲ42、ＮＲ42Ｒ43、ＯＣＯＲ42およびＮＲ42ＣＯＲ43からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfbで置換されていてよく、
ここで、Ｒ42およびＲ43は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ、
Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、かつ、
Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ30、ＣＯＮＲ30Ｒ31、ＣＯＲ30、ＳＯ3Ｒ30、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ30、ＳＲ30、ＮＲ30Ｒ31、ＯＣＯＲ30またはＮＲ30ＣＯＲ31であり、
ここで、Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールである。
式（１）のその上さらに好ましい化合物において、ｎ＝０であり、かつ前記化合物は式（１'）の化合物であり、ここで、
ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
ｂは、１、２または３であり、
ｃは、０または１であり、かつ
ｄは、０、１、２または３であり、
ｘおよびｙは、同一であり、かつ０、１または２であり、かつ
ｚおよびｗは、同一であり、かつ０、１または２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ6〜14の芳香族部または５ないし１２員の複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、
Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
Ｌ2は、連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、これらは、それぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ40、ＣＯＮＲ40Ｒ41、ＣＯＲ40、ＳＯ3Ｒ40、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ40、ＳＲ40、ＮＲ40Ｒ41、ＯＣＯＲ40およびＮＲ40ＣＯＲ41からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒfで置換されていてよく、
ここで、Ｒ40およびＲ41は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、かつ、
Ｒ1およびＲ2は、同一であり、かつＨ、Ｃ1〜20−アルキルまたはＣ5〜8−シクロアルキルである。
式（１）の最も好ましい化合物において、ｎ＝０であり、かつ前記化合物は式（１'）の化合物であり、ここで、
ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
ｂは、１であり、
ｃは、０または１であり、かつ
ｄは、０または１であり、
ｘおよびｙは、同一であり、かつ０または１であり、かつ
ｚおよびｗは、同一であり、かつ１または２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、同一であり、かつ、Ｃ6〜14の芳香族部または５ないし１２員の複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキルおよびＯＲ10からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜20−アルキルであり、かつ
ここで、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されていてよいＣ1〜4−アルキレンであり、
Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、ＨまたはＣ1〜20−アルキルであり、
Ｌ2は、連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ5〜8−シクロアルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン−フェニレン−Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜4−アルケニレン−Ｃ5〜8−シクロアルキレン−Ｃ2〜4−アルケニレンおよびＣ2〜4−アルケニレン−フェニレン−Ｃ2〜4−アルケニレンからなる群から選択され、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレン、Ｃ1〜4−アルキレン、Ｃ2〜10−アルケニレン、Ｃ2〜4−アルケニレンおよび／またはＣ5〜8−シクロアルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、かつ、
Ｒ1およびＲ2は、同一であり、かつ分岐状Ｃ3〜6−アルキルである。
式（１）の特に好ましい化合物において、ｎ＝０であり、かつ前記化合物は式（１'）の化合物であり、ここで、
ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
ｂは、１であり、
ｃは、０または１であり、かつ
ｄは、０または１であり、
ｘおよびｙは、０であり、かつ
ｚおよびｗは、２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、同一であり、かつ
Figure 0006214768
 であり、これらは、Ｃ1〜10−アルキルおよびＯＲ10からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、かつ
ここで、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されたメチレンであり、
Ｌ1およびＬ3は、同一であり、かつ
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、Ｈであり、かつ
Ｌ2は、連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレンであり、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
Ｌ2は、連結部Ａであり、ここで、前記連結部Ａは、Ｃ1〜10−アルキレンであり、
ここで、Ｃ1〜10−アルキレンの１つ以上のＣＨ2基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ50、ＳＯ2−ＮＲ50、ＮＲ50、ＮＲ50Ｒ51、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルであり、
ここで、Ｒ50およびＲ51は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキルである。
式（１'）の化合物の製造方法も、本発明の一部である。
式
Figure 0006214768
 ［式中、
ａは、０、１または２であり、
ｂは、１、２、３または４であり、
ｃは、０または１であり、
ｄは、０、１、２、３または４であり、
ｅは、０、１または２であり、
ｘは、０、１または２であり、
ｙは、０、１または２であり、
ｚは、０、１または２であり、
ｗは、０、１または２であり、
Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、芳香族部または複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ10、ＣＯＮＲ10Ｒ11、ＣＯＲ10、ＳＯ3Ｒ10、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ10、ＳＲ10、ＮＲ10Ｒ11、ＯＣＯＲ10およびＮＲ10ＣＯＲ11からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
ここで、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ11Ｒ12、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaaで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ12、ＣＯＮＲ12Ｒ13、ＣＯＲ12、ＳＯ3Ｒ12、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ12、ＳＲ12、ＮＲ12Ｒ13、ＯＣＯＲ12およびＮＲ12ＣＯＲ13からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒabで置換されていてよく、
ここで、Ｒ12およびＲ13は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであり、かつ
ここで、少なくとも２つの隣接するＡｒ1、少なくとも２つの隣接するＡｒ2、および／または、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、
Ｌ1およびＬ3は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、
Figure 0006214768
 であり、ここで、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ20、ＣＯＮＲ20Ｒ21、ＣＯＲ20、ＳＯ3Ｒ20、ＣＮ、ＮＯ2またはハロゲンであり、
ここで、Ｒ20およびＲ21は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒbで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ22、ＣＯＮＲ22Ｒ23、ＣＯＲ22、ＳＯ3Ｒ22、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ22、ＳＲ22、ＮＲ22Ｒ23、ＯＣＯＲ22およびＮＲ22ＣＯＲ23からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒcで置換されていてよく、
ここで、Ｒ22およびＲ23は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルであるか、
または、Ｌ1またはＬ3が
Figure 0006214768
 である場合には、
Ｒ3およびＲ4は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５ないし７員の非芳香族の環系Ａを形成し、
Ｌ2は、連結部Ａであり、
かつ、
Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、ＣＯＯＲ30、ＣＯＮＲ30Ｒ31、ＣＯＲ30、ＳＯ3Ｒ30、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ30、ＳＲ30、ＮＲ30Ｒ31、ＯＣＯＲ30またはＮＲ30ＣＯＲ31であり、
ここで、Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜20−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜20−アルキルおよびＣ5〜8−シクロアルキルは、それぞれの出現において、フェニル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒdで置換されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ＣＯＯＲ32、ＣＯＮＲ32Ｒ33、ＣＯＲ32、ＳＯ3Ｒ32、ＣＮ、ＮＯ2、ハロゲン、ＯＲ32、ＳＲ32、ＮＲ32Ｒ33、ＯＣＯＲ32およびＮＲ32ＣＯＲ33からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒeで置換されていてよく、
ここで、Ｒ32およびＲ33は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはフェニルである］
の化合物の製造方法は、式
Figure 0006214768
 ［式中、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｌ1、Ｌ3、Ｌ2、Ｒ1およびＲ2は、式（１）の化合物について示されている通りである］
の化合物を、Ｍm+（Ｎ3 -）m
［式中、ｍは１、２または３であり、かつＭは金属である］
と反応させるステップを含む。
Ｍは任意の金属であってよく、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属または遷移金属であってよい。好ましくは、前記金属はアルカリ金属であり、さらに好ましくはナトリウムである。
前記反応は、通常は溶媒または溶媒混合物中で行われる。好ましくは、前記反応は、水と有機溶媒、例えばジメチルホルムアミドとの混合物中で行われる。前記反応は、通常は高められた温度で、例えば８０〜９０℃の範囲の温度で行われる。
式（２）の化合物の種類に応じて、式（２）の化合物は様々な方法により製造されることができる。
式（２）［式中、ａおよびｅは１であり、Ｌ1およびＬ3は同一であってかつ
Figure 0006214768
 であり、Ｒ1およびＲ2は同一であり、ｘおよびｙは同一であり、かつｚおよびｗは同一である］の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、Ｘはハロゲンであり、好ましくはＢｒであり、かつｂ、ｃ、ｄ、Ａｒ1、Ｌ2、Ａｒ2は式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物を、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、式（１）の化合物に関して示された通りであるが、ただし、ｘおよびｙは同一であり、ｚおよびｗは同一であり、かつＲ1およびＲ2は同一である］
の化合物と反応させることにより製造されることができる。
前記反応は、通常は適した触媒、例えばＰｄ（ＯＡｃ）2／トリ（ｏ−トリル）ホスフィンの存在下に行われる。前記反応は、通常は適した溶媒、例えばジメチルホルムアミド中で行われる。前記反応は、通常は高められた温度で、例えば８０〜１１０℃の範囲の温度で行われる。
式（２）［式中、ａおよびｅは０であり、Ｒ1およびＲ2は同一であり、ｘおよびｙは同一であり、かつｚおよびｗは同一である］の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、Ｘはハロゲンであり、好ましくはＢｒであり、かつｂ、ｃ、ｄ、Ａｒ1、Ｌ2、Ａｒ2は式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物を、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、Ｒ1およびＲ2は、式（１）の化合物に関して示された通りであるが、ただし、ｘおよびｙは同一であり、ｚおよびｗは同一であり、かつＲ1およびＲ2は同一である］
の化合物と反応させることにより製造されることができる。
前記反応は、通常は適した触媒、例えばＰｄ（ＰＰｈ3）4およびＡｇ2Ｏの存在下に行われる。前記反応は、通常は適した溶媒、例えばジメチルホルムアミド中で行われる。前記反応は、通常は高められた温度で、例えば７０〜１１０℃の範囲の温度で行われる。
式（２）［式中、ａおよびｅは１であり、Ｌ1およびＬ3は同一であってかつ
Figure 0006214768
 であり、Ｒ1およびＲ2は同一であり、ｘおよびｙは同一であり、かつｚおよびｗは同一である］の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｂ、ｃ、ｄ、Ａｒ1、Ｌ2、Ａｒ2は、式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物を、式
Figure 0006214768
 ［式中、Ｘはハロゲンであり、好ましくはＢｒであり、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、Ｒ1およびＲ2は、式（１）の化合物に関して示された通りであるが、ただし、ｘおよびｙは同一であり、ｚおよびｗは同一であり、かつＲ1およびＲ2は同一である］
の化合物と反応させることにより製造されることができる。
前記反応は、通常は適した触媒、例えばＰｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2およびＣｕＩの存在下に行われる。前記反応は、通常は適した溶媒中で行われる。前記反応は、通常は高められた温度で、例えば６０〜１００℃の範囲の温度で行われる。
式（６）の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｂ、ｃ、ｄ、Ａｒ1、Ａｒ2およびＬ2は、式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物を塩基で処理することにより製造されることができる。
前記塩基は水酸化カリウムであることができる。前記反応は、通常は適した溶媒、例えばテトラヒドロフランおよびメタノール中で行われる。前記反応は、通常は周囲温度で、例えば１５〜３０℃の範囲の温度で行われる。
式（７）の化合物は、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｂ、ｃ、ｄ、Ａｒ1、Ａｒ2およびＬ2は、式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物を、エチニルトリメチルシランと反応させることにより製造されることができる。
前記反応は、通常は適した触媒、例えばＰｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2およびＣｕＩの存在下に行われる。前記反応は、通常は適した溶媒中で行われる。前記反応は、通常は高められた温度で、例えば６０〜１００℃の範囲の温度で行われる。
式（３）［式中、Ａｒ1およびＡｒ2は同一であり、ｂおよびｄは１であり、ｃは１であり、ＸはＢｒであり、かつＬ2は式（１）の化合物に関して示された通りである］の化合物は、式
Figure 0006214768
 の化合物を、式
Figure 0006214768
 ［式中、ｃは１であり、かつＬ2は式（１）の化合物に関して示された通りである］
の化合物と反応させることにより製造されることができる。
１種以上の式（１）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有する溶液も、本発明の一部である。
ポリマーとは、少なくとも２つの繰返し単位を含む化合物と定義される。好ましくは、前記ポリマーは１０，０００Ｄａ〜３０００万Ｄａの分子量を有する。さらに好ましくは、前記ポリマーは２０，０００Ｄａ〜１０００万Ｄａの分子量を有する。
前記ポリマーは、電子素子における使用に適した任意のポリマーであることができ、例えば誘電性ポリマー、半導体ポリマー、または不動態化膜、封入膜若しくは平坦化膜の形成に適したポリマーであることができる。
好ましくは、前記ポリマーは誘電性ポリマーである。
誘電性ポリマーの例は、スチレン系ポリマー、ポリ（Ｃ1〜6−アルキルメタクリレート）、例えばポリ（メチルメタクリレート）およびポリ（ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート）、ポリ（Ｃ1〜6−アルキルアクリレート）およびポリイミド、例えば国際公開第２０１２／０５９３８６号およびＰＣＴ／ＩＢ２０１３／０５２４２６号に記載のポリイミドである。
スチレン系ポリマーは、ポリスチレンまたはスチレン単位を含む共重合体である。スチレン系ポリマーの例は、ポリスチレン、ポリ（４−メトキシスチレン）およびスチレン−ブタジエンブロック共重合体である。好ましいスチレン系ポリマーは、ポリスチレンである。
好ましくは、前記１種以上のポリマーは、誘電性ポリマーである。さらに好ましくは、前記１種以上のポリマーは、スチレン系ポリマーである。最も好ましくは、前記１種以上のポリマーは、ポリスチレンである。
半導体ポリマーの例は、ポリチオフェン、例えばポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリフルオレン、ポリジアセチレン、ポリ２，５−チエニレンビニレン、ポリｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）およびジケトピロロピロール基を有する繰返し単位を含むポリマー（ＤＰＰポリマー）である。
好ましくは、前記半導体材料は、ジケトピロロピロール基を有する単位を含むポリマー（ＤＰＰポリマー）である。
ＤＰＰポリマーおよびその合成の例は、例えば米国特許６，４５１，４５９号明細書、国際公開第２００５／０４９６９５号、国際公開第２００８／０００６６４号、国際公開第２０１０／０４９３２１号、国際公開第２０１０／０４９３２３号、国際公開第２０１０／１０８８７３号、国際公開第２０１０／１１５７６７号、国際公開第２０１０／１３６３５３号および国際公開第２０１０／１３６３５２号に記載されている。
好ましくは、前記ＤＰＰポリマーは、以下：
Figure 0006214768
 からなる群から選択される単位を含み、好ましくは主に前記単位からなり、ここで、
ｎ'は、４〜１０００であり、
ｘ'は、０．９９５〜０．００５であり、
ｙ'は、０．００５〜０．９９５であり、
ｘ'＋ｙ'＝１であり；
ｒ'は、０．９８５〜０．００５であり、
ｓ'は、０．００５〜０．９８５であり、
ｔ'は、０．００５〜０．９８５であり、
ｕ'は、０．００５〜０．９８５であり、
ｒ'＋ｓ'＋ｔ'＋ｕ'＝１であり；
Ａは、式
Figure 0006214768
 の基であり、
ここで、
ａ'は、１、２または３であり、
ａ''は、０、１、２または３であり、
ｂ'は、０、１、２または３であり、
ｂ''は、０、１、２または３であり、
ｃ'は、０、１、２または３であり、
ｃ''は、０、１、２または３であり、
ｄ'は、０、１、２または３であり、
ｄ''は、０、１、２または３であるが、
ただし、ａ''が０である場合にはｂ''は０でないものとし；
Ｒ400およびＲ410は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜30−アルキル、Ｃ5〜8−シクロアルキル、Ｃ6〜14−アリール、ＣＯＯＲ500およびＣ（Ｏ）ＮＨ2からなる群から選択され、
ここで、Ｒ500は、Ｃ1〜30−アルキルであり、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルは、それぞれの出現において、ハロゲン、ＯＨ、ＮＯ2、ＣＮ、Ｃ6〜14−アリールおよびＣ5〜8−シクロアルキルからなる群から選択される１つ以上のＲkで置換されていてよく；かつ／または、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＣＯまたはＳにより中断されていてよく、
ここで、Ｃ5〜8−シクロアルキルおよびＣ6〜14−アリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキルおよびハロゲンからなる群から選択される１つ以上のＲlで置換されていてよく、
Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ30、Ａｒ31、Ａｒ40およびＡｒ41は、互いに独立して、複素芳香環系または芳香環系であり、
Ｂ、ＤおよびＥは、互いに独立して、式
Figure 0006214768
 の基、または式（２４）の基であるが、
ただし、Ｂ、ＤおよびＥが式（２４）の基である場合には、これらはＡとは異なるものとし、ここで、
ｋ'は、１であり、
ｌ'は、０または１であり、
ｒ'は、０または１であり、
ｚ'は、０または１であり、かつ
Ａｒ51、Ａｒ52、Ａｒ53およびＡｒ54は、互いに独立して、式
Figure 0006214768
 の基であり、ここで、
Ｒ420は、それぞれの出現において、ＨまたはＣ1〜30−アルキルであり、ここで、Ｃ1〜30−アルキルは１つ以上のＯにより中断されていてよい。
好ましくは、
ｎ'は、４〜２００であり、さらに好ましくは５〜１００であり、
ｘ'は、０．２〜０．８であり、
ｙ'は、０．８〜０．２であり、かつ
ｘ'＋ｙ'＝１である。
好ましくは、Ａｒ10、Ａｒ20、Ａｒ30、Ａｒ40、Ａｒ11、Ａｒ21、Ａｒ31およびＡｒ41は、互いに独立して、以下のものからなる群から選択される、複素芳香環系または芳香環系である：
Figure 0006214768
 ここで、
Ｒ430は、それぞれの出現において、Ｈ、Ｃ1〜30−アルキル、ハロゲンまたはＯ−Ｃ1〜30−アルキルであり、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルは、１つ以上のＣ6〜14−アリールおよびＣ5〜8−シクロアルキルで置換されていてよく、かつ／または、１つ以上のＯまたはＳにより中断されていてよく、
Ｒ431は、Ｃ1〜30−アルキル、Ｃ6〜14−アリール、Ｏ−Ｃ1〜30−アルキルまたはＣＯＯＲ440であり、
ここで、Ｒ440はＣ1〜30−アルキルであり、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルは、フェニル、ハロゲンまたはＣＯＯＲ441で置換されていてよく、かつ／または、１つ以上のＯまたはＳにより中断されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールは、Ｃ1〜10−アルキル、Ｃ1〜10−ペルハロゲノアルキルまたはＯＣ1〜10−アルキルで置換されていてよく、かつ、
Ｒ432およびＲ433は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜30−アルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、Ｃ2〜10−アルケニル、Ｃ2〜10−アルキニルまたはＯ−Ｃ1〜30−アルキルであり、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルおよびＯ−Ｃ1〜30−アルキルは、それぞれの出現において、フェニル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ441Ｒ442、ＣＯＮＲ441Ｒ442およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒmで置換されていてよく；かつ／または、１つ以上のＣＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＯまたはＮＲ443により中断されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ441Ｒ442、ＣＯＮＲ441Ｒ442およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒnで置換されていてよく；
ここで、Ｒ441、Ｒ442およびＲ443は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキルまたはフェニルであるか、
または、
Ｒ432およびＲ433は、一緒になって式ＣＲ450Ｒ451の基を形成し、
ここで、Ｒ450およびＲ451は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜30−アルキル、Ｃ6〜14−アリールまたは５ないし１２員のヘテロアリールであり、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルは、それぞれの出現において、フェニル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ452Ｒ453、ＣＯＮＲ452Ｒ453およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒpで置換されていてよく；かつ／または、１つ以上のＣＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＯまたはＮＲ454により中断されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ452Ｒ453、ＣＯＮＲ452Ｒ453およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒqで置換されていてよく；
ここで、Ｒ452、Ｒ453およびＲ454は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキルまたはフェニルであるか、
または、
Ｒ432およびＲ433は、これらが結合しているＣ原子と一緒に、５員環または６員環を形成し、ここで、前記５員環ないし６員環は、Ｃ1〜30−アルキル、Ｃ6〜14−アリール、５ないし１２員のヘテロアリール、Ｃ2〜10−アルケニル、Ｃ2〜10−アルキニルおよびＯ−Ｃ1〜30−アルキルからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒrで置換されていてよく、
ここで、Ｃ1〜30−アルキルおよびＯ−Ｃ1〜30−アルキルは、それぞれの出現において、フェニル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ460Ｒ461、ＣＯＮＲ460Ｒ461およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上のＲsで置換されていてよく；かつ／または、１つ以上のＣＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＯまたはＮＲ462により中断されていてよく、
ここで、Ｃ6〜14−アリールおよび５ないし１２員のヘテロアリールは、それぞれの出現において、Ｃ1〜10−アルキル、Ｓ−Ｃ1〜10−アルキル、Ｏ−Ｃ1〜10−アルキル、ＣＮ、ＮＲ460Ｒ461、ＣＯＮＲ460Ｒ461およびハロゲンからなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒtで置換されていてよく；
ここで、Ｒ460、Ｒ461およびＲ462は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜10−アルキルまたはフェニルである。
さらに好ましくは、前記ＤＰＰポリマーは、以下の式：
Figure 0006214768
 のポリマー単位からなる群から選択される単位を含み、好ましくは主に前記単位からなり、ここで、
ｎ'は、４〜１００であり、かつ
Ａは、式
Figure 0006214768
 の基であり、ここで、
ａ'は、１であり、
ａ''は、２であり、
ｂ'、ｂ''、ｃ'、ｃ''、ｄ'およびｄ''は、０であり、
Ｒ400およびＲ410は、互いに独立して、Ｃ1〜30−アルキルであり、かつ
Ａｒ10およびＡｒ11は、以下
Figure 0006214768
 の複素芳香環系または芳香環系であり、ここで、
Ｒ430は、それぞれの出現においてＨである。
好ましくは、前記溶液は、１種以上の式（１）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有し、その際、前記溶液は以下のものを含有する：
ｉ）前記組成物１ｍｌ中に前記１種以上のポリマーを０．１〜５００ｍｇ、および
ｉｉ）前記１種以上のポリマーの質量を基準にして前記１種以上の式（１）の化合物を０．１〜２０質量％。
さらに好ましくは、前記溶液は、１種以上の式（１）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有し、その際、前記溶液は以下のものを含有する：
ｉ）前記組成物１ｍｌ中に前記１種以上のポリマーを１．０〜２５０ｍｇ、および
ｉｉ）前記１種以上のポリマーの質量を基準にして前記１種以上の式（１）の化合物を０．５〜１５質量％。
最も好ましくは、前記溶液は、１種以上の式（１）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有し、その際、前記溶液は以下のものを含有する：
ｉ）前記組成物１ｍｌ中に前記１種以上のポリマーを５〜１００ｍｇ、および
ｉｉ）前記１種以上のポリマーの質量を基準にして前記１種以上の式（１）の化合物を１〜１０質量％。
特に、前記溶液は、１種以上の式（１）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有し、その際、前記溶液は以下のものを含有する：
ｉ）前記組成物１ｍｌ中に前記１種以上のポリマーを５〜６０ｍｇ、および
ｉｉ）前記１種以上のポリマーの質量を基準にして前記１種以上の式（１）の化合物を２〜８質量％。
前記ポリマーがポリスチレンである場合、前記溶媒は好ましくはＣ1〜10−アルキルＣ1〜10−アルカノエート、例えば酢酸ブチルである。
前記ポリマーがＤＰＰポリマーである場合、前記溶媒は好ましくは芳香族溶媒、例えばトルエンである。
素子の製造方法であって、（ｉ）本発明の溶液を支持体上に堆積させることによって膜を形成させるステップ、および（ｉｉ）ステップ（ｉ）の膜を放射線に曝露させることによって高分子膜を形成させるステップを含む前記方法もまた、本発明の一部である。
好ましくは、前記素子は電子素子である。電子素子の例は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子、光起電力（ＰＶ）素子、光検出器素子、感知素子および無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグである。
より好ましくは、前記素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子または光起電力（ＰＶ）素子である。
最も好ましくは、前記素子は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子である。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子は、絶縁膜、半導体膜、基板、ゲート電極およびソース／ドレイン電極を含む。
本発明の素子が電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子である場合、前記高分子膜は半導体膜または絶縁膜であることできる。好ましくは、これは絶縁膜である。
前記高分子膜が絶縁膜である場合、高分子電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の半導体膜は、上述の１種以上の半導体ポリマーから、または小分子から形成されることができる。好ましくは、これは１種以上のＤＰＰポリマーから形成される。
前記高分子膜が半導体膜である場合、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の絶縁膜は、上述の１種以上の誘電性ポリマーから、または小分子から形成されることができる。好ましくは、これは１種以上のスチレン系ポリマーから形成される。
前記絶縁膜は、５〜２０００ｎｍ、好ましくは１０〜１０００ｎｍの厚さを有することができる。前記半導体膜は、５〜２０００ｎｍ、好ましくは１０〜１０００ｎｍの厚さを有することができる。
前記基板は、任意の適した基板、例えばガラス基板、またはプラスチック基板、例えばポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートであることができる。
前記ゲート電極および前記ソース／ドレイン電極は、任意の適した金属、例えば金、銀、タンタル、アルミニウム、タングステンまたは酸化インジウムスズから形成されることができる。前記ゲート電極および前記ソース／ドレイン電極は、１〜２００ｎｍ、好ましくは５〜１００ｎｍの厚さを有することができる。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子は、様々な設計を有することができる。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置の可能な設計の一つは、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の設計である。この設計を図９に示す。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の他の可能な設計は、トップゲート−ボトムコンタクト型の設計である。この設計を図１０に示す。
前記支持体は、本発明の溶液の１種以上のポリマーに依存する。
前記素子がトップゲート−ボトムコンタクト型高分子電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子であり、かつ前記１種以上のポリマーが誘電性ポリマーである場合、前記支持体はＦＥＴの半導体膜である。
前記素子がトップゲート−ボトムコンタクト型高分子電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子であり、かつ前記１種以上のポリマーが半導体ポリマーである場合、前記支持体はＦＥＴの基板である。
本発明の溶液は、様々な方法で前記支持体上に堆積されることができる。好ましくは、前記溶液は、液体処理技術、例えばスピンコーティング、溶液キャスティング、インクジェット、フレキソ印刷、グラビア印刷またはスロットダイコーティングにより堆積される。
好ましくは、ステップ（ｉ）の前記膜は、ステップ（ｉｉ）の前に５０〜１５０℃の範囲の温度に加熱される。より好ましくは、ステップ（ｉ）の前記膜は、ステップ（ｉｉ）の前に８０〜１３０℃の範囲の温度に加熱される。
好ましくは、ステップ（ｉｉ）の前記放射線は、３００〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する。例えば、前記放射線は３６５ｎｍ、４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの波長を有することができる。
ステップ（ｉｉ）において使用される放射線の線量は、１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であることができる。好ましくはこれは５〜３００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であり、最も好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ2の範囲である。
ステップ（ｉｉ）は、不活性ガス雰囲気、例えば窒素またはアルゴン雰囲気下に行われることができる。
５０〜１５０℃の範囲、特に８０〜１３０℃の範囲の温度を、ステップ（ｉｉ）の間に適用することができる。
例えば、前記高分子膜が絶縁膜であり、かつ前記素子がトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子である場合、前記素子は以下の通り製造されることができる：適した基板、例えばガラス上で、適したソース／ドレイン材料、例えば金をリソグラフィ法によりパターン形成させることによって、ソースおよびドレイン電極を形成させることができる。次いでこの基板上に、適した溶媒、例えばトルエン中の半導体ポリマー、例えばＤＰＰポリマーの溶液をスピンコーティングすることによって、このソース／ドレイン電極を半導体膜で被覆することができる。この湿った半導体膜を加熱することができる。その後、この半導体膜上で、１種以上の本発明の式（１）の化合物、１種以上の誘電性ポリマー、例えばポリスチレンを適した溶媒、例えば酢酸ブチル中に含有する溶液のスピンコーティングによって、この半導体膜を絶縁膜で被覆することができる。この湿った絶縁膜を８０〜１００℃に加熱し、次いで放射線によって硬化させることができる。次いで、例えば適したソース／ドレイン材料、例えば金の蒸着によって、この絶縁膜上にゲート電極を堆積させることができる。
本発明の方法により得られる素子もまた、本発明の一部である。
１種以上のポリマーを架橋させるための架橋剤としての式（１）の化合物の使用もまた、本発明の一部である。
本発明の式（１）の化合物は、この式（１）の化合物が３００〜４５０ｎｍの範囲の波長において吸収を示すという点で有利である。具体的には、前記化合物は、３６５ｎｍ、４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの波長で活性化されることができ、これらの波長は、現在ディスプレイ用制御電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のような素子の作製に使用される工業用のフォトリソグラフィ法で用いられている波長である。式（１）の化合物によって、フォトリソグラフィ法と高分子膜の架橋とに対して同一の波長を用いる素子の作製が可能となる。従って、素子の作製プロセスの間に、光学装置の波長の調整も、さらには該光学装置の高分子架橋に適した放射装置への交換も不要である。
式（１）の化合物は、低い放射線量、例えば５〜３００ｍＪ／ｃｍ2の範囲、または１０〜１００ｍＪ／ｃｍ2の範囲の放射線量が用いられる場合であっても、前記化合物が３００〜４５０ｎｍの範囲の波長で有効な架橋剤であるという点で有利である。式（１）の化合物は、絶縁膜、例えばポリスチレン系高分子膜のための特に有効な架橋剤である。架橋後、前記高分子膜は、前記膜の施与に用いられた溶媒にはもはやほとんど不溶である。従って、前記高分子膜が溶解することなく、次の膜、例えば電極材料膜または障壁膜を施与することができる。式（１）の化合物の効果的な架橋によって、フォトマスクを用いた前記高分子膜の構造化（パターン形成）も可能となる。
さらに、式（１）の化合物は有機溶媒に可溶であり、かつ有機溶媒は素子の作製において通常使用されている。施与されるべき高分子膜に応じて、施与されるべき高分子膜に使用される溶媒に式（１）の化合物が可溶であるように、式（１）の化合物を選択することができる。例えば、前記溶媒が比較的極性の高い有機溶媒、例えば酢酸ブチルである場合には、比較的極性の高い有機溶媒への溶解度を高めるために、理想的には、式（１）［式中、Ａｒ1およびＡｒ2は１つ以上の置換基Ｃ1〜20−アルキルで置換されている］の化合物が選択される。
図１に、配合物Ｂから形成された絶縁膜を含む実施例６のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を示す。 図２に、配合物Ｂから形成された絶縁膜を含む実施例６のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を示す。 図３に、配合物Ｃから形成された絶縁膜を含む実施例７のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を示す。 図４に、配合物Ｃから形成された絶縁膜を含む実施例７のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を示す。 図５に、配合物Ｅから形成された半導体膜を含む実施例８のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を示す。 図６に、配合物Ｅから形成された半導体膜を含む実施例８のトップゲート−ボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型電界効果トランジスタに関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を示す。 図７に、Axio Imager顕微鏡を用いて撮影された、配合物Ｃから形成された実施例９の光パターン形成された絶縁膜の顕微鏡画像を示す。 図８に、Axio Imager顕微鏡を用いて撮影された、配合物Ｄから形成された実施例１０の光パターン形成された半導体膜の顕微鏡画像を示す。 図９に、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子のボトムゲート−ボトムコンタクト型の設計を示す。 図１０に、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子のトップゲート−ボトムコンタクト型の設計を示す。 図１１に、配合物Ｃから形成された高分子絶縁膜に関する放射線照射量と膜保持率（ｄ１／ｄ２）との相関関係を示す。
実施例
化合物１ａの製造
Figure 0006214768
化合物２ａの製造
トリエチルアミン（０．８７ｍＬ）中の２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン（３ａ）（４９２ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（４Ａａ／４Ｂａ）（５２４ｍｇ、２．７ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｏ−トリル）3（１２ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＯＡｃ）2（４．５ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）の混合物を、Ｎ2下に９０℃で１日間加熱した。この反応混合物を室温に冷却し、ジクロロメタン（１５ｍＬ×３回）で抽出した。最後に、有機層を水（３０ｍＬ×３回）で洗浄した。その後、有機相をＭｇＳＯ4上で乾燥させ、減圧下に蒸発させた。溶離液としてヘキサンを用いたカラムクロマトグラフィーにより粗生成物を精製することにより、化合物２ａを淡黄色の固体（３７０ｍｇ、６４％）として得た。
化合物１ａの製造
出発物質がＴＬＣによりモニター監視されなくなるまでＤＭＦ（９．０ｍＬ）および水（１．４ｍＬ）中のＮａＮ3（７３ｍｇ、１．１ｍｍｏｌ）および化合物２ａ（３６７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）の混合物を９０℃に加熱した。この反応混合物を室温に冷却し、水で希釈し、酢酸エチルで抽出し、かつ水（３０ｍＬ×３回）で洗浄した。有機層をＭｇＳＯ4上で乾燥させ、かつ溶媒を減圧下に除去した。固形物をカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン：ヘキサン ５：９５）により精製することにより、化合物１ａを橙色の固体（１１５ｍｇ、３５％）として得た。λmax＝３８６および４０８ｎｍ。
実施例２
化合物１ｂの製造
Figure 0006214768
化合物２ｂの製造
ＤＭＦ（３０ｍＬ）中の２，５−ジブロモチオフェン（３ｂ）（１．０ｇ、４．１ｍｍｏｌ）、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニルボロン酸（５Ａａ／５Ｂａ）（２．１ｇ、１０．３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（７６３ｍｇ、０．７ｍｍｏｌ）、Ａｇ2Ｏ（１．９ｇ、８．２ｍｍｏｌ）およびＫ3ＰＯ4三水和物（７．０２５ｇ）の混合物を、８５℃で一晩撹拌した。次いで、この混合物をセライトを通して濾過し、水に注ぎ、かつジクロロメタン（２５ｍＬ×３回）で抽出した。合一した有機層を、水で洗浄し（３回）、ＭｇＳＯ4で乾燥させ、かつ溶媒を減圧下に除去した。溶離液としてヘキサンを用いたカラムクロマトグラフィーにより粗生成物を精製することにより、化合物２ｂを白色の粉末（７６７ｍｇ、４５％）として得た。
化合物１ｂの製造
ＤＭＦ（２０ｍＬ）および水（３ｍＬ）中のＮａＮ3（１７１ｍｇ、２．６ｍｍｏｌ）および化合物２ｂ（５００ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）の混合物を、９０℃で加熱した。この反応をＴＬＣによりモニター監視した。この反応混合物を室温に冷却し、水で希釈し、酢酸エチルで抽出し、かつ水（２５ｍＬ×３回）で洗浄した。抽出物をＭｇＳＯ4上で乾燥させ、かつ溶媒を減圧下に除去した。グラジエント溶出（ヘキサン：ヘキサン／ジクロロメタン ７５：２５）でのカラムクロマトグラフィーにより粗生成物を精製することにより、化合物１ｂを帯褐色の橙色の固体（３８２ｍｇ、６９％）として得た。λmax＝３８６ｎｍ。
実施例３
化合物１ｃの製造
Figure 0006214768
化合物３ｃの製造
無水ＤＣＭ（５ｍＬ）中の２−ブロモ−３−ヘキシルチオフェン（９Ａａ／９Ｂａ）（３．０ｍＬ、１４．８ｍｍｏｌ）および塩化スクシニル（８ａ）（０．７３ｍＬ、６．４ｍｍｏｌ）の混合物を、無水ＤＣＭ（５ｍＬ）中のＡｌＣｌ3（２．１ｇ、１５．５ｍｍｏｌ）の冷却された（０℃）懸濁液に滴加した。次いで、この反応混合物を室温で２．５時間撹拌し、最後に３０分間還流させた。この反応混合物を氷に注ぎ、次いで濃ＨＣｌを添加し、かつ１時間撹拌した。水層をＤＣＭ（３０ｍＬ×３回）で抽出し、ＨＣｌ溶液（１０％）、水および飽和ＮａＨＣＯ3溶液で洗浄した。最後に、有機層をＮａ2ＳＯ4上で乾燥させ、かつ溶媒を減圧下に除去した。熱エタノールでの洗浄により粗固体を精製することによって、化合物３ｃが橙色の固体（０．８７ｇ、収率：３０％）として得られた。
化合物２ｃの製造
トリエチルアミン（１．１８ｍＬ、８．５０ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（３ｍＬ）中の化合物３ｃ（０．６ｇ、１．０ｍｍｏｌ）、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（４Ａａ／４Ｂａ）（０．４ｍＬ、２．７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（６ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）およびトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（０．０１５ｇ、０．０５ｍｍｏｌ）の混合物を、９０℃で一晩加熱した。出発物質が観察されなくなるまで、この反応をＴＬＣおよびＬＣ／ＭＳによってモニター監視し、かつ加熱した。トリエチルアミンを減圧下に除去し、かつ反応混合物をＤＣＭ（３０ｍＬ×３回）で抽出した。有機層を水（１００ｍＬ）およびブライン（１００ｍＬ）で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、かつ溶媒を減圧下に除去した。溶離液としてヘキサン／ＤＣＭ（１：１）を用いたカラムクロマトグラフィーにより粗生成物を精製することによって、化合物２ｃを橙色の固体（０．１７ｇ、収率：２６％）として得た。
化合物１ｃの製造
化合物２ｃ（１５０ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（３．５０ｍＬ）中に溶解させ、次いで水（０．５０ｍＬ）中のアジ化ナトリウム（９０ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を９０℃で３時間加熱し、かつＴＬＣによりモニター監視した。この反応混合物に水を添加し、これを酢酸エチル（２５ｍＬ×３回）で抽出し、かつＭｇＳＯ4上で乾燥させた。減圧下に溶媒を除去した後、溶離液としてＤＣＭ／メタノール（１０：１）を用いたカラムクロマトグラフィーにより粗生成物を精製した。最後に、化合物１ｃをヘキサン中で沈殿させることにより、赤色の沈殿物を得た。この固体をブフナーフィルター上で濾過することにより、化合物１ｃを収率２０％で得た。λmax＝４０５ｎｍ。
実施例４
化合物１ｄの製造
Figure 0006214768
Figure 0006214768
化合物７ａの製造
トリエチルアミン（８ｍＬ）中のエチニルトリメチルシラン（０．６０ｍＬ、４．２５ｍｍｏｌ）の溶液を、トリエチルアミン（２０ｍＬ）中の化合物３ｄ（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）、（ＰＰｈ3）2ＰｄＣｌ2（０．０６８ｇ、０．１０ｍｍｏｌ）およびヨウ化銅（０．０２ｇ、０．１０ｍｍｏｌ）の溶液にゆっくりと添加した。得られた混合物を、７０℃で一晩加熱した。この反応を、溶離液としてヘキサンを使用したＴＬＣによりモニター監視した。後処理：トリエチルアミンを減圧下に蒸発させ、かつ残留物をシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物７ａを黄色の固体として収率９５％（０．９７ｇ、１．８ｍｍｏｌ）で得た。
化合物６ａの製造
２０％ＫＯＨ水溶液（２．５０ｍｌ）をメタノール（１０ｍＬ）で希釈し、かつＴＨＦ（１８ｍＬ）中の化合物７ａ（０．９７ｇ、１．７５ｍｍｏｌ）の溶液に添加した。その後、出発物質がＴＬＣ（溶離液：ヘキサン）によって観察されなくなるまで、この反応混合物を室温で撹拌した。粗反応混合物をヘキサン（１５ｍＬ×３回）で抽出し、かつ有機相を水（２５ｍＬ×１回）で洗浄し、かつＮａ2ＳＯ4上で乾燥させた。減圧下に溶媒を除去した後、溶離液としてヘキサンを用いたカラムクロマトグラフィーにより残留物を精製することによって、化合物６ａが定量的収量（０．７ｇ、１．８ｍｍｏｌ）で黄色の油として得られ、これをいかなる後精製をも行わずに後続のステップにおいて直接使用した。
化合物２ｄの製造
トリエチルアミン（１ｍＬ）中の化合物６ａ（０．２０ｇ、０．５０ｍｍｏｌ）の溶液を、トリエチルアミン（１１ｍＬ）中のブロモペンタフルオロベンゼン（４Ａａ／４Ｂａ）（０．１４ｍＬ、１．０９ｍｍｏｌ）、（ＰＰｈ3）2ＰｄＣｌ2（０．０１７ｇ、０．０２ｍｍｏｌ）およびヨウ化銅（０．００５ｇ、０．０２ｍｍｏｌ）の溶液にゆっくりと添加した。次いで、この反応混合物を７０℃で一晩加熱し、かつＴＬＣによりモニター監視した。後処理：トリエチルアミンを減圧下に除去し、かつシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン）により残留物を精製することにより、化合物２ｄを収率５９％（０．２１ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）で白色固体として得た。
化合物１ｄの製造
水（１ｍＬ）中のアジ化ナトリウム（０．１５ｇ、２．３０ｍｍｏｌ）を化合物２ｄ（０．２１ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液（５ｍＬ）に添加し、この混合物を９０℃で３時間加熱した。後処理：この反応混合物に水を添加し、次いでこれを酢酸エチル（１０ｍＬ×３回）で抽出した。有機相を集め、かつＭｇＳＯ4上で乾燥させた。減圧下に溶媒を除去した後、シリカゲル上でのカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン）により残留物を精製することにより、化合物１ｄを収率５０％（０．１１ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）で黄色の固体として得た。λmax＝３６５ｎｍ。
実施例５
配合物Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤおよびＥの調製
配合物Ａは、酢酸ブチル／トルエン（体積比２３／２）中の４０ｍｇ／ｍｌのポリスチレン（Ｍw約２，０００，０００、Pressure Chemical社により供給）の溶液であり、さらにポリスチレンの質量を基準にして２質量％の化合物１ｂを含む。化合物１ｂを実施例２に記載した通りに製造する。
配合物Ｂは、酢酸ブチル中の４０ｍｇ／ｍｌのポリスチレン（Ｍw約２，０００，０００、Pressure Chemical社により供給）の溶液であり、さらにポリスチレンの質量を基準にして４質量％の化合物１ａを含む。化合物１ａを実施例１に記載した通りに製造する。
配合物Ｃは、酢酸ブチル中の４０ｍｇ／ｍｌのポリスチレン（Ｍw約２，０００，０００、Pressure Chemical社により供給）の溶液であり、さらにポリスチレンの質量を基準にして４質量％の化合物１ｄを含む。化合物１ｄを実施例４に記載した通りに製造する。
配合物Ｄは、トルエン中の国際公開第２０１０／０４９３２１号の実施例１のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの２０ｍｇ／ｍｌの溶液であり、さらに前記ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの質量を基準にして４質量％の化合物１ｂを含む。化合物１ｂを実施例２に記載した通りに製造する。
配合物Ｅは、トルエン中の国際公開第２０１０／０４９３２１号の実施例１のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５質量％の溶液であり、さらに前記ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの質量を基準にして４質量％の化合物１ｂを含む。化合物１ｂを実施例２に記載した通りに製造する。
室温で、ポリスチレンとジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーと溶媒中の架橋剤とをそれぞれ混合することによって、配合物Ａ〜Ｅを調製した。
実施例６
配合物Ｂから形成された絶縁膜を含むトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の作製
シャドウマスクを通した熱蒸着によりガラス基板上に金を堆積させ、それにより膜厚約６０ｎｍのソース／ドレイン電極（チャネル長：５０μｍ、チャネル幅：５００μｍ）を形成した。トルエン中の国際公開第２０１０／０４９３２１号の実施例１のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５質量％溶液を０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターに通して濾過し、次いでスピンコーティング（１０００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った半導体膜を加熱板上で９０℃で３０秒間乾燥させた。実施例５に記載の配合物Ｂを０．４５μｍのフィルターに通して濾過した後、スピンコーティング（３０００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間予備焼成することによって、厚さ５２０ｎｍの膜を得た。この高分子絶縁膜を、３６５ｎｍ（放射線量９６０ｍＪ／ｃｍ2）を用いて９０℃でＵＶ硬化させた。金のゲート電極（厚さ約８０ｎｍ）を、この絶縁膜上にシャドーマスクを通して蒸着させた。
このトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の特性を、Keithley 4200-SCS半導体特性評価システムを用いて測定した。配合物Ｂから形成された絶縁膜を含む素子に関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を、図１に示す。配合物Ｂから形成された絶縁膜を含む素子に関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を、図２に示す。
結果を第１表に示す。
Figure 0006214768
実施例７
配合物Ｃから形成された絶縁膜を含むトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の作製
シャドウマスクを通した熱蒸着によりガラス基板上に金を堆積させ、それにより膜厚約６０ｎｍのソース／ドレイン電極（チャネル長：５０μｍ、チャネル幅：５００μｍ）を形成した。トルエン中の国際公開第２０１０／０４９３２１号の実施例１のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５質量％溶液を０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターに通して濾過し、次いでスピンコーティング（１０００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った半導体膜を加熱板上で９０℃で３０秒間乾燥させた。実施例５に記載の配合物Ｃを０．４５μｍのフィルターに通して濾過した後、スピンコーティング（３５００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間予備焼成することによって、厚さ５２０ｎｍの膜を得た。この絶縁膜を、３６５ｎｍ（放射線量１１２０ｍＪ／ｃｍ2）を用いて窒素流を用いて１００℃でＵＶ硬化させた。金のゲート電極（厚さ約８０ｎｍ）を、この絶縁膜上にシャドーマスクを通して蒸着させた。
このトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の特性を、Keithley 4200-SCS半導体特性評価システムを用いて測定した。配合物Ｃから形成された絶縁膜を含む素子に関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を、図３に示す。配合物Ｃから形成された絶縁膜を含む素子に関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を、図４に示す。
結果を第２表に示す。
Figure 0006214768
実施例８
配合物Ｅから形成された高分子半導体膜を含むトップゲート−ボトムコンタクト型高分子電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の作製
シャドウマスクを通した熱蒸着によりガラス基板上に金を堆積させ、それにより膜厚約６０ｎｍのソース／ドレイン電極（チャネル長：５０μｍ、チャネル幅：５００μｍ）を形成した。配合物Ｅをスピンコーティング（１０００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った高分子半導体膜を加熱板上で９０℃で３０秒間乾燥させ、次いで、３６５ｎｍ（放射線量２４００ｍＪ／ｃｍ2）を用いて９０℃でＵＶ硬化させた。酢酸ブチル中のPressure Chemical社により供給されたポリスチレンの４．０質量％溶液をスピンコーティング（３０００ｒｐｍ、３０秒間）により施与し、９０℃で３０秒間乾燥させた。金のゲート電極（厚さ約８０ｎｍ）を、この絶縁膜上にシャドーマスクを通して蒸着させた。
このトップゲート−ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子の特性を、Keithley 4200-SCS半導体特性評価システムを用いて測定した。配合物Ｅから形成された半導体膜を含む素子に関する、それぞれ−３Ｖ（三角形）および−３０Ｖ（四角形）のソース電圧Ｖdsでのゲート電圧Ｖgsに対するドレイン電流Ｉds（伝達曲線）を、図５に示す。配合物Ｅから形成された半導体膜を含む高分子素子に関する、５Ｖ、０Ｖ、−５Ｖ、−１０Ｖ、−１５Ｖ、−２０Ｖ、−２５Ｖおよび−３０Ｖのゲート電圧Ｖgsでのドレイン電圧Ｖdsに対するドレイン電流Ｉds（出力曲線）を、図６に示す。
結果を表３に示す。
Figure 0006214768
実施例９
高分子半導体膜の頂部への配合物Ｃから形成された高分子絶縁膜の光パターン形成
トルエン中の国際公開第２０１０／０４９３２１号の実施例１のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５質量％溶液を０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターに通して濾過し、次いで清浄な二酸化ケイ素基板にスピンコーティング（１，５００ｒｐｍ、３０秒間）により施与した。この湿った高分子半導体膜を加熱板上で９０℃で３０秒間乾燥させた。実施例５に記載の配合物Ｃを０．４５μｍのフィルターに通して濾過し、次いでスピンコーティング（３，５００ｒｐｍ、３０秒間）によって、この高分子半導体膜の頂部の上に施与した。この湿った高分子絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間予備焼成することによって、厚さ５２０ｎｍの膜を得た。シャドーマスクをこの絶縁膜の頂部でアライメント調整し、その後３６５ｎｍ（放射線量６０ｍＪ／ｃｍ2）を使用して窒素流を用いて硬化させた。この硬化された膜を酢酸ブチル中に１分間浸漬させることによって現像し、次いで窒素を吹き付け、かつ９０℃で５分間加熱した。
Axio Imager顕微鏡を用いて撮影された、配合物Ｃから形成された光パターン形成された高分子絶縁膜の顕微鏡画像を、図７に示す。
実施例１０
配合物Ｄから形成された半導体膜の光パターン形成
実施例５に記載の配合物Ｄを、０．４５μｍのフィルターに通して濾過し、その後スピンコーティング（１，５００ｒｐｍ、３０秒間）により二酸化ケイ素基板の頂部に施与した。シャドーマスクをこの半導体膜の頂部でアライメント調整し、その後３６５ｎｍ（放射線量２４００ｍＪ／ｃｍ2）を使用して９０℃で硬化させた。この硬化された膜をトルエン中に１分間浸漬させることによって現像し、次いで窒素を吹き付け、かつ９０℃の加熱板上で５分間加熱した。
Axio Imager顕微鏡を用いて撮影された、配合物Ｄから形成された光パターン形成された半導体膜の顕微鏡画像を、図８に示す。
実施例１１
配合物Ａ、配合物Ｃのそれぞれから形成された硬化された絶縁膜の溶媒溶解に対する安定性
双方とも実施例５に記載の配合物Ａ、配合物Ｃのそれぞれを、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターに通して濾過し、かつスピンコーティング（３５００ｒｐｍ、３０秒間）により清浄な二酸化ケイ素基板上に被覆した。この湿った絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間加熱することによって、厚さ５５０ｎｍの膜を得た。配合物Ａから形成された絶縁膜を、３６５ｎｍ（放射線量９６０Ｊ／ｃｍ2）を使用して９０℃でＵＶ硬化させた。配合物Ｃから形成された絶縁膜を、３６５ｎｍ（放射線量１１２０Ｊ／ｃｍ2）を使用して窒素流を用いて１００℃でＵＶ硬化させた。この絶縁膜を酢酸ブチルに１分間浸漬させることにより現像し、続いて９０℃で５分間加熱した。この絶縁膜の厚さを、硬化後でかつ現像の前に（ｄ１）、および現像後に（ｄ２）、Veeco社のDEKTAK 150を用いて測定することによって、膜保持率（ｄ２／ｄ１）を得た。
結果を第４表に示す。
Figure 0006214768
実施例１２
配合物Ｄから形成された硬化された半導体膜の溶媒溶解に対する安定性
実施例５に記載の配合物Ｄを０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターを通して濾過し、かつスピンコーティング（１５００ｒｐｍ、３０秒間）により清浄な二酸化ケイ素基板上に被覆した。この湿った高分子半導体膜を加熱板上で９０℃で２分間加熱し、６０℃に冷却し、次いでこの高分子半導体膜を３６５ｎｍ（放射線量約２４００Ｊ／ｃｍ2）を使用して９０℃でＵＶ硬化させた。この高分子半導体膜をトルエン中に１分間浸漬させることにより現像し、続いて９０℃で５分間加熱した。この高分子半導体膜の厚さを、硬化後でかつ現像の前に（ｄ１）、および現像後に（ｄ２）、Veeco社のDEKTAK 150を用いて測定することによって、膜保持率（ｄ２／ｄ１）を得た。
結果を第５表に示す。
Figure 0006214768
実施例１３
配合物Ｃから形成された絶縁膜を含むキャパシタの製造
実施例５に記載の配合物Ｃを０．４５μｍのフィルターを通して濾過し、かつスピンコーティング（３５００ｒｐｍ、３０秒間）により、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極で予め被覆された清浄なガラス基板上に施与した。この湿った絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間予備焼成することにより、厚さ５００ｎｍの膜を得た。この絶縁膜を、３６５ｎｍ（放射線量１１２０ｍＪ／ｃｍ2）を使用して窒素流を用いて１００℃でＵＶ硬化させた。その後、金電極（面積＝０．７８５ｍｍ2）を、＜１×１０-6Ｔｏｒｒ（１．３×１０-4Ｐａ）でこの絶縁膜上にシャドーマスクを通して真空蒸着させた。
このようにして得られたキャパシタを、次のように特性決定した：比誘電率を、Agilent E4980A Precision LCR Meter（信号振幅１Ｖ）を用いて測定された複素容量から推定した。
結果を第６表に示す。
Figure 0006214768
第６表から導き出される通り、誘電率は化合物１ｄの添加に影響を受けない。
実施例１４
硬化された高分子膜に対する放射線量の効果の評価
実施例５に記載の配合物Ｃを０．４５μｍのフィルターを通して濾過し、かつスピンコーティング（３５００ｒｐｍ、３０秒間）により二酸化ケイ素基板上に施与した。この湿った絶縁膜を加熱板上で９０℃で２分間予備焼成することにより、厚さ５５０ｎｍの膜を得た。この絶縁膜を、３６５ｎｍを使用して種々の放射線量で窒素流を用いてＵＶ硬化させた。この絶縁膜を酢酸ブチル中に１分間浸漬させることにより現像し、続いて９０℃で５分間加熱した。この絶縁膜の厚さを、硬化後でかつ現像の前に（ｄ１）、および現像後に（ｄ２）、Veeco社のDEKTAK 150を用いて測定することによって、膜保持率（ｄ２／ｄ１）を得た。
配合物Ｃから形成された絶縁膜に関する放射線照射量と膜保持率（ｄ１／ｄ２）との相関関係を、図１１に示す。
図１１は、放射線照射量を２０ｍＪ／ｃｍ2に低下させることができ、かつ膜保持率がなおも９０％超のままであることを示す。

Claims (11)

  1. 式
    Figure 0006214768
     ［式中、
    ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
    ｂは、１、２または３であり、
    ｃは、０または１であり、
    ｄは、０、１、２または３であり、
    ｘおよびｙは、同一であり、かつ０または１であり、
    ｚおよびｗは、同一であり、かつ１または２であり、
    Ａｒ 1 およびＡｒ 2 は、同一であり、かつ、Ｃ 6〜14 の芳香族部または５ないし１２員の複素芳香族部であり、前記部は、Ｃ 1〜20 −アルキルおよびＯＲ 10 からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒ a で置換されていてよく、
    Ｒ 10 は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ 1〜20 −アルキルであり、かつ
    Ａｒ 1 およびＡｒ 2 は、いずれもＬ 2 に結合しているかまたはｃ＝０である場合には、互いに結合しているＡｒ 1 およびＡｒ 2 は、さらに１つ以上のＬ a によって連結されていてよく、ここで、Ｌ a は連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ 1〜10 −アルキルで置換されていてよいＣ 1〜4 −アルキレンであり、
    Ｃ 6〜14 −芳香族部は、
    Figure 0006214768
     からなる群から選択され、
    ５ないし１２員の複素芳香族部は、
    Figure 0006214768
     からなる群から選択され、
    Ｒ 100 は、Ｃ 1〜10 −アルキルであり、
    Ｌ 1 およびＬ 3 は、同一であり、かつ
    Figure 0006214768
     であり、
    Ｒ 3 およびＲ 4 は、Ｈであり、
    Ｌ 2 は連結部Ａであり、前記連結部ＡはＣ 1〜10 −アルキレンであり、
    ここで、Ｃ 1〜10 −アルキレンの１つ以上のＣＨ 2 基は、Ｃ＝Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ 50 、ＳＯ 2 −ＮＲ 50 、ＮＲ 50 、ＮＲ 50 Ｒ 51 、ＯまたはＳに置き換えられてよく、
    ここで、Ｒ 50 およびＲ 51 は、互いに独立して、かつそれぞれの出現において、Ｃ 1〜10 −アルキルであり、かつ
    Ｒ 1 およびＲ 2 は、同一であり、かつＨ、Ｃ 1〜20 −アルキルまたはＣ 5〜8 −シクロアルキルである］
    の化合物。
  2. 請求項１に記載の化合物であって、
    ａおよびｅは、同一であり、かつ０または１であり、
    ｂは、１であり、
    ｃは、０または１であり、かつ
    ｄは、０または１である、前記化合物。
  3. 請求項２に記載の化合物であって、
    ｘおよびｙは、同一であり、かつ０であり、
    ｚおよびｗは、同一であり、かつ２であり、
    Ａｒ1およびＡｒ2は、同一であり、かつ
    Figure 0006214768
     であり、これらは、Ｃ1〜10−アルキルおよびＯＲ10からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒaで置換されていてよく、
    ここで、Ｒ10は、互いに独立して、かつそれぞれＣ1〜10−アルキルであり、
    ここで、いずれもＬ2に結合しているかまたはｃ＝０である場合には互いに結合しているＡｒ1およびＡｒ2は、さらに１つ以上のＬaによって連結されていてよく、ここで、Ｌaは連結部Ｂであり、ここで、前記連結部Ｂは、１つ以上のＣ1〜10−アルキルで置換されたメチレンである、前記化合物。
  4. 請求項１に記載の式
    Figure 0006214768
     の化合物の製造方法であって、式
    Figure 0006214768
     ［式中、
    ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｌ1、Ｌ3、Ｌ2、Ｒ1およびＲ2は、式（１’）の化合物について示されている通りである］
    の化合物を、Ｍm+（Ｎ3 -）m
    ［式中、ｍは１、２または３であり、かつＭは金属である］
    と反応させるステップを含む、前記方法。
  5. 請求項１から３までのいずれか１項に記載の１種以上の式（１’）の化合物、１種以上のポリマーおよび１種以上の溶媒を含有する、溶液。
  6. 請求項５に記載の溶液であって、前記１種以上のポリマーが誘電性ポリマーである、前記溶液。
  7. 請求項６に記載の溶液であって、前記１種以上のポリマーがスチレン系ポリマーである、前記溶液。
  8. 素子の製造方法であって、（ｉ）請求項５から７までのいずれか１項に記載の溶液を支持体上に堆積させることによって膜を形成させるステップ、および（ｉｉ）ステップ（ｉ）の膜を放射線に曝露させることによって高分子膜を形成させるステップを含む、前記方法。
  9. 請求項８に記載の方法であって、前記素子が電子素子である、前記方法。
  10. 請求項８または９に記載の方法であって、ステップ（ｉｉ）の放射線が３００〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する、前記方法。
  11. １種以上のポリマーを架橋させるための架橋剤としての、請求項１から３までのいずれか１項に記載の式（１’）の化合物の使用。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105324408B (zh) 2013-06-27 2018-06-22 巴斯夫欧洲公司 作为电介质的复分解聚合物
WO2018060016A1 (en) 2016-09-27 2018-04-05 Basf Se Star-shaped and triblock polymers with enhanced crosslinkability
JP6953999B2 (ja) * 2017-10-26 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP7046395B2 (ja) 2018-03-07 2022-04-04 クラップ カンパニー リミテッド トップゲート・ボトムコンタクト有機電界効果トランジスタを製造するためのパターニング方法
KR102065710B1 (ko) 2018-05-17 2020-01-13 한국교통대학교 산학협력단 많은 가교 작용기를 가지는 아지드 유형의 가교제
KR102062268B1 (ko) * 2018-05-18 2020-01-03 한국교통대학교 산학협력단 발광 특성 또는 전하 전달 특성이 우수한 아지드계 가교제
CN112074548B (zh) 2018-06-26 2023-07-25 Clap有限公司 作为电介质的乙烯醚类聚合物
CN111045296A (zh) * 2018-10-12 2020-04-21 康宁股份有限公司 用于有机薄膜晶体管的可uv图案化的聚合物掺混物
CN111138810B (zh) * 2018-11-05 2024-05-17 康宁股份有限公司 用于有机薄膜晶体管的可uv图案化的聚合物掺混物
US12014740B2 (en) * 2019-01-08 2024-06-18 Fidelity Information Services, Llc Systems and methods for contactless authentication using voice recognition
US11860536B2 (en) 2020-06-10 2024-01-02 Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) Three-dimensional crosslinker composition and method of manufacturing electronic devices using the same
EP3933949A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 Basf Se Composition comprising an organic semiconducting polymer and a crosslinking agent and organic photodiode thereof
EP3944328A1 (en) * 2020-07-23 2022-01-26 Basf Se Organic semiconductor layer with dual functionality in thin film device and manufacturing method thereof
CN117858530A (zh) * 2022-09-28 2024-04-09 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI290164B (en) 1999-08-26 2007-11-21 Ciba Sc Holding Ag DPP-containing conjugated polymers and electroluminescent devices
GB0310858D0 (en) * 2003-05-12 2003-06-18 Univ Cambridge Tech Polymer transistor
WO2004100282A2 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Cambridge University Technical Services Limited Manufacture of a polymer device
WO2005049695A1 (en) 2003-10-28 2005-06-02 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Novel diketopyrrolopyrrole polymers
TWI365218B (en) * 2003-11-17 2012-06-01 Sumitomo Chemical Co Conjugated oligomers or polymers based on crosslinkable arylamine compounds
JP2006241266A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Seiko Epson Corp 導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器
CA2511354A1 (en) 2005-07-04 2007-01-04 National University Of Singapore Radiation crosslinkers
WO2008000664A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 Ciba Holding Inc. Diketopyrrolopyrrole polymers as organic semiconductors
WO2009068884A1 (en) 2007-11-28 2009-06-04 National University Of Singapore Multilayer heterostructures for application in oleds and photovoltaic devices
KR101764436B1 (ko) 2008-10-31 2017-08-14 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
WO2010049321A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors
US8796469B2 (en) 2009-03-23 2014-08-05 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices
CN102388046A (zh) 2009-04-08 2012-03-21 巴斯夫欧洲公司 吡咯并吡咯衍生物、其制备及作为半导体的用途
JP5623512B2 (ja) 2009-05-27 2014-11-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ （複素環式）芳香族化合物の重合方法
KR101746873B1 (ko) 2009-05-27 2017-06-14 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
JP5698759B2 (ja) * 2009-12-04 2015-04-08 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 架橋成分
JP5893040B2 (ja) 2010-11-01 2016-03-23 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 誘電体としてのポリイミド
US20150029638A1 (en) 2012-03-28 2015-01-29 Basf Se Polyimides as dielectrics

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