JP2001068410A - 複数の光源を備えた照明系 - Google Patents

複数の光源を備えた照明系

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 物体面ないしレチクル面において要求される
光伝搬値が得られるような、簡素に構成された構造の照
明系を提供することである。 【解決手段】 波長≦１９３ｎｍのための照明系、特に
ＥＵＶリソグラフィのための照明系であって、複数の光
源と、網目素子に区分されている複数の鏡を包含してい
る二次光源を生成する鏡装置とを備えているものにおい
て、照明系の射出ひとみを所定の充填度まで照明するた
めに複数の光源が相互に結合されていることを特徴とす
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の光源と、二
次光源を生成する鏡装置またはレンズ装置であって網目
素子に区分されている複数の鏡またはレンズを包含して
いるものとを備えた、波長≦１９３ｎｍのための照明
系、すなわちたとえばＶＵＶリソグラフィやＥＵＶリソ
グラフィのための照明系に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電子部
品のための構造領域を特にサブミクロン領域でいっそう
縮小することができるようにするには、ミクロリソグラ
フィに利用される光の波長を小さくすることが必要であ
る。
【０００３】１９３ｎｍ以下の波長では、たとえば弱い
Ｘ線によるリソグラフィ、いわゆるＥＵＶリソグラフィ
が考えられる。
【０００４】ＥＵＶリソグラフィに適した照明系はでき
るだけ少ない反射でＥＵＶリソグラフィ用に設定されて
いるフィールドを、特に対物レンズの環状フィールドを
リソグラフィ構造に応じて均一に、つまり画一的に照明
すべきであり、それに加えて対物レンズのひとみはフィ
ールド非依存的に一定の充填度（Fullgrad：独語）σま
で照明されるべきであるとともに、照明系の射出ひとみ
は対物レンズの入射ひとみに位置しているべきである。
【０００５】ＥＵＶ照明系の基本構造に関しては、いず
れも出願人の係属中の出願である「特にＥＵＶリソグラ
フィのための照明系」というタイトルのＥＰ９９１０６
３４８．８（提出日１９９９年３月２日）、「特にＥＵ
Ｖリソグラフィのための照明系」という名称のＵＳシリ
アル番号０９／３０５，０１７（提出日１９９９年５月
４日）、および「特にＥＵＶリソグラフィのための照明
系」という名称のＰＣＴ／ＥＰ９９／０２９９９（提出
日１９９９年５月４日）を参照されたい。これらの開示
内容を本明細書にも全面的に取り入れることとする。
【０００６】ＥＵＶ照明系のための光源としては現在の
ところ次のものが議論されている。 レーザプラズマ光源 ピンチプラズマ光源 シンクロトロン放射光源
【０００７】レーザプラズマ光源では、集中的なレーザ
光線をターゲット（固体、ガスジェット、微粒子）に焦
点を合わせる。この励起によってターゲットが強力に加
熱されてプラズマが発生する。このプラズマがＥＵＶ放
射を放出する。
【０００８】典型的なレーザプラズマ光源は、球状の放
射すなわち４πの放射角と５０μｍから２００μｍの直
径を有している。
【０００９】ピンチプラズマ光源では電気的な励起によ
ってプラズマが生成される。
【００１０】ピンチプラズマ光源は４πで放射をする体
積放射体（Ｄ＝１．００ｍｍ）として表すことができ、
このとき放射特性はプラズマ光源の形状によって与えら
れる。
【００１１】シンクロトロン放射光源では現在のところ
次の３種類の放射光源が区別されている。 − 曲げ磁石 − ウィグラ − アンジュレータ
【００１２】曲げ磁石光源では、曲げ磁石によって電子
が偏向させられて光子ビームを放出する。
【００１３】ウィグラ光源は、電子ないし電子ビームを
偏向させるために、交互に極性を変えながら並ぶ多数の
磁石ペアを包含するいわゆるウィグラを包含している。
電子がウィグラを通過すると、この電子は周期的な垂直
方向の磁場にさらされ、それに応じて電子が水平面で振
動する。ウィグラにはさらにコヒーレンス効果がないと
いう特徴がある。ウィグラを用いて生成されたシンクロ
トロン放射は曲げ磁石のシンクロトロン放射に似てお
り、水平の立体角に放射される。このシンクロトロン放
射は曲げ磁石とは異なり、ウィグラの極の数だけ強めら
れた流れを有している。
【００１４】ウィグラ光源とアンジュレータ光源との境
目は流動的である。
【００１５】アンジュレータ光源では、電子がアンジュ
レータ内でウィグラの場合よりも短い周期と弱い偏向極
の磁界をもつ磁界にさらされるので、シンクロトロン放
射の干渉効果が生じることになる。このシンクロトロン
放射は干渉効果があるために非連続的なスペクトルを有
しており、水平方向にも垂直方向にも小さな立体角成分
に放射される。すなわちこの放射はきわめて指向性が強
い。
【００１６】ＥＵＶ照明系にとって決定的に重要なのは
十分に高い光伝搬値、つまりラグランジュの光学不変量
あるいはＥｔｅｎｄｕを提供することである。一つの系
の光伝搬値またはラグランジュの光学不変量は、照明さ
れる面と、開口の二乗との積として定義される。
【００１７】ウェーハ面におけるＮＡwafer＝０．１−
０．２５の開口が要求される場合、このことは４：１シ
ステムの場合、レチクル面におけるＮＡRetikel＝０．
０２５−０．０６２５の開口を意味している。照明系が
この開口をたとえばσ＝０．６の充填度まで均一かつフ
ィールド非従属的に（feldunabhangig：独語）照明させ
るべき場合、ＥＵＶ光源は次式の２次元光伝搬値（ＬＬ
Ｗ）つまりラグランジュの光学不変量あるいはＥｔｅｎ
ｄｕを利用できなくてはならない。
【数１】 光伝搬値ＬＬＷつまりラグランジュの光学不変量は、観
察されるリソグラフィ系にとっては一般に次のように定
義される。ＬＬＷBel＝σ2ｘ・ｙ・ＮＡ2＝σ2Ａ・ＮＡ
2、このときＡは照明される面である。Ａはレチクル面
ではたとえば１１０ｍｍｘ６ｍｍである。
【００１８】レーザプラズマ光源の光伝搬値は、放射光
源を中心とする仮想的な参照球の照明される面と、それ
ぞれのフィールド点が球状光源を見るときの開口角2と
の積として見積もることができる。
【数２】 このときθ1は光学軸に関する最小の放射角であり、θ2
は光学軸に関する最大の放射角である。
【数３】
【００１９】典型的な放射光源パラメータでは次のよう
になる。 １．典型的な放射光源パラメータｒLPQ＝０．１ｍｍ，
θ1＝０°、θ2＝９０°ではＬＬＷLPQ＝０．０６３ｍ
ｍ2が得られる。これは、たとえば０，２３６ｍｍ2の要
求される光伝搬値ＬＬＷBelの２７％に相当している。
【００２０】２．典型的な放射光源パラメータｒLPQ＝
０．０２５ｍｍ，θ1＝０°、θ2＝９０°ではＬＬＷ
LPQ＝０．００３９ｍｍ2が得られる。これは、たとえば
要求される光伝搬値ＬＬＷBel＝０，２３６ｍｍ2の１．
７％に相当している。
【００２１】たとえば直径＝１ｍｍ、Ω＝０，３ｓｒを
備えているピンチプラズマ光源の光伝搬値ＬＬＷPinch
は次式のようになる。
【数４】
【００２２】したがってこのピンチプラズマ光源は、た
とえば要求される光伝搬値ＬＬＷBe l＝０，２３６ｍｍ2
の３１％を提供することになる。
【００２３】アンジュレータ光源についての光伝搬値つ
まりラグランジュの光学不変量あるいはＥｔｅｎｄｕ
は、単純化したモデルによれば直径Ｄ＝１．０ｍｍかつ
ＮＡUn d＝０．００１であって、
【数５】 のとき、ＬＬＷUnd＝Ａ・ＮＡ2＝０．００００００７９
ｍｍ2＝７．９ｅ−０７ｍｍ2と見積もることができる。
【００２４】上述の見積もりからわかるとおり、アンジ
ュレータ光源の光伝搬値は要求される光伝搬値に比べて
あまりにも小さい。
【００２５】光伝搬値を上げるため、ＵＳ５，５１２，
７５９よりシンクロトロン放射光源を備えた照明系が公
知となっており、この照明系は多数の凹面鏡をもつ集光
レンズ系を包含しており、これらの凹面鏡がシンクロト
ロン放射光源から発せられた放射を集めて、環状に照明
されるべきフィールドに対応する環状の光線にする。そ
れによって環状フィールドは非常に均等に照明される。
シンクロトロン放射光源は放射面で１００ｍｒａｄより
大きい放射発散を有している。
【００２６】ＵＳ５，４３９，７８１は、対物レンズの
入射ひとみにある拡散板によって光伝搬値つまりラグラ
ンジュの光学不変量が調整されるシンクロトロン放射光
源を備えた照明系を開示しており、このとき、拡散板は
多数の角錐状の構造部を有していてよい。ＵＳ５，４３
９，７８１の場合でもシンクロトロン放射光源は放射発
散＞１００ｍｒａｄを有している。シンクロトロン放射
はＵＳ５４３９７８１でもたとえば集光鏡によって集め
られる。
【００２７】上に掲げたすべての刊行物、すなわち、Ｕ
Ｓ５，５１２，７５９、ＵＳ５，４３９，７８１の開示
内容は本件出願の開示内容にも取り入れることとする。
【００２８】本発明の課題は、物体面ないしレチクル面
において要求される光伝搬値が得られるような、簡素に
構成された構造を提供することである。
【００２９】
【課題を解決するための手段】この課題は上位概念に記
載した種類の系において、照明系の射出ひとみを所定の
充填度まで照明するために複数の光源が相互に結合され
ていることによって解決される。
【００３０】複数の光源の結合（Kopplung：独語）は、
同時に強度上昇にもつながる。複数の光源の結合は、結
合される光源の全光伝搬値が照明の光伝搬値（ＬＬＷ
Bel）よりも低い限りにおいて可能である。
【００３１】結合を行うには原理的に次の３通りの方法
を区別することができる。 １．加算法：同一または類似の照明系をシステム軸を中
心に分散させて配置する。このとき、照明系の射出ひと
みは部分システムの円形ひとみによって照明され、これ
らの円形ひとみは互いに重なり合ってはならない。部分
ひとみは、物体ないしレチクルの上で光線束を重ね合わ
せる角錐状の射出鏡の側面に位置している。
【００３２】２．混合法：この場合にはそれぞれの部分
システムが照明系のすべての射出ひとみを照明するが、
二次光源と二次光源の間には光のない領域がある。二次
光源の個々の格子は重ね合わせの際にオフセットして配
置され、それによって各ひとみを均等に充填する。結合
鏡はハニカムが角錐形状をもつハニカムプレートででき
ている。このとき、個々のハニカム角錐のそれぞれの側
面が二次光源で照明される。
【００３３】３．セグメント法：加算法に類似する。加
算法とは異なり、射出ひとみの円形部分の代わりに適当
な放射誘導によって任意の形状をしたセグメントが照明
される。
【００３４】前記方法の少なくとも１つを利用する本発
明の有利な実施形態は、従属請求項で対象とされてい
る。
【００３５】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら本発明
の例を説明することにする。
【００３６】図１には、光源が加算法に従って相互に結
合されるシステムの構造が示されている。光源１．１，
１．２としてこの場合には小さな光源直径をもつ光源、
この場合ではレーザプラズマ光源が想定されている。
【００３７】ＥＵＶ照明系の基本構造に関しては、いず
れも出願人の係属中の出願である「特にＥＵＶリソグラ
フィのための照明系」という名称のＥＰ９９１０６３４
８．８（提出日１９９９年３月２日）、「特にＥＵＶリ
ソグラフィのための照明系」という名称のＵＳシリアル
番号０９／３０５，０１７（提出日１９９９年５月４
日）、および「特にＥＵＶリソグラフィのための照明
系」という名称のＰＣＴ／ＥＰ９９／０２９９９（提出
日１９９９年５月４日）を参照されたい。これらの開示
内容を本明細書にも全面的に取り入れることとする。
【００３８】それぞれの部分システム１０．１，１０，
２は基本的に同一に構成されており、光源１．１，１．
２、集光鏡２．１，２．２、ならびにフィールドハネカ
ムプレート４．１，４．２を包含している。
【００３９】それぞれの光源の光は帰属の集光鏡によっ
て集められ、平行または収斂する光ビームに変えられ
る。それぞれのフィールドハネカムプレート４．１，
４．２のフィールドハネカムはこの光ビームを分解し、
照明系の絞り面に二次光源６を生成させる。この二次光
源は図示しない視野レンズないし視野鏡によって、対物
レンズの入射ひとみである照明系の射出ひとみに結像さ
れる。フィールドハネカムプレートのフィールドハネカ
ムは、フィールドハネカムの像がそれぞれレチクル面９
で互いに重なり合うようにプレート上でアライメントさ
れて配置されている。
【００４０】各システムはフィールドハネカムプレート
の地点で組み合わされる。フィールドハネカムプレート
は、結合される部分システムの数に面の数が対応してい
る角錐の上に置かれている。角錐面の傾斜角は、各部分
システムのフィールド照明がレチクル面９で合同になる
ように選択されている。
【００４１】部分システム１０．１，１０．２の配置
は、その部分ひとみが照明系の絞り面を最適に充填する
ように行われる。
【００４２】図示した実施形態では、部分システムは共
通のシステム軸をもつようにアライメントされている。
すると部分システムの角距離は３６０°／システム数と
なる。
【００４３】４つの部分システムについて図２では、４
つの側面２０．１，２０．２，２０．３，２０．４の上
で照明される面２２．１，２２．２，２２．３，２２．
４の領域にそれぞれ部分システムの１つのフィールドハ
ネカムプレートが配置された角錐の照明が示されてい
る。
【００４４】フィールドハネカムは、像がレチクル面９
で互いに重なり合うようにアライメントされて配置され
ている。角錐面２０．１，２０．２，２０．３，２０．
４の傾斜角は、各部分システムのフィールド照明がレチ
クル面９で合同になるように選択されている。
【００４５】絞り面での照明は、図３に示すように円形
をした４つの部分ひとみ３０．１，３０．２，３０．
３，３０．４によって与えられ、これらの部分ひとみは
やはりフィールドハネカムプレートの面に応じて個々の
二次光源６に区分されている。
【００４６】図３では、全システムの開口はＮＡObj＝
０．０２５であり、部分システムの開口はＮＡ
Teilsystem＝０．０１０４である。
【００４７】結合される部分システムの数に応じて、図
５に示すような部分ひとみ３０．１，３０．２，３０．
３，３０．４，３０．５，３０．６の配置とシンメトリ
ーを考えることもできる。
【００４８】部分システムの許容される絞り直径は、絞
り面における対物レンズの全開口ＮＡObjと、部分シス
テムの数から求めることができる。
【数６】
【００４９】各部分システムのひとみが充填されている
とき、最大でη％だけひとみを照明することができる。
【数７】
【００５０】次の表はＮＡObjについてのＮＡ
Teilsystemと充填率η＝０．０２５を示している。
【表１】
【００５１】これから明らかなように最大達成可能な充
填率として、４つの部分システムとＮＡObj＝０．０２
５のときの加算法によりηmax〜０．７が得られる。付
帯条件として留意すべきなのは、結合された光源の全光
伝搬値がシステム光伝搬値ＬＬＷBel＝σmax・ＬＬＷ
Objを越えてはならないという点である。したがって常
に次式が成立していなくてはならない。
【数８】
【００５２】図５には本発明の第2実施例が示されてお
り、ここでは光源５０．１，５０．２として、無視でき
ない光源直径を有しているたとえばピンチプラズマ光源
が用いられる。
【００５３】ピンチプラズマ光源を備えた部分照明系
は、光源５０．１，５０．２と、光を集めてフィールド
ハネカムプレート５４．１，５４．２に当てる集光鏡５
２．１，５２．２とを包含している。フィールドハネカ
ムプレートのフィールドハネカムは二次光源を生成す
る。二次光源の地点には、ひとみハネカムプレートの上
にひとみハネカムが配置されている。フィールドハネカ
ムプレートのフィールドハネカムはフィールド形成の役
目をするとともに、ひとみハネカムプレートのひとみハ
ネカムはレチクル面にフィールドハネカムを正確に結像
させる役目をする。有利には、それぞれのフィールドハ
ネカムにひとみハネカムが割り当てられる。フィールド
ハネカムでの反射により、光はひとみハネカムプレート
５６．１，５６．２のそれぞれひとみハネカムに案内さ
れ、そこからレチクルへ、たとえば物体５８へ案内され
る。
【００５４】各システムはひとみハネカムプレートの地
点で組み合わされる。ひとみハネカムプレートは、結合
される部分システムの数に面の数が対応している角錐の
上に置かれている。角錐面の傾斜角は、各部分システム
のフィールド照明がレチクル面で合同になるように選択
されている。
【００５５】部分システムが共通のシステム軸を有して
いる場合、部分システムの角距離は３６０°／システム
数となり、部分システムのひとみハネカムプレートは有
利には角錐の側面上で図２に示すように配置される。
【００５６】結合をする際の加算法の利点は、同一また
は類似の照明系を結合することができる点である。部分
システムのハネカムプレートは分離されており、したが
って別個に製造することができる。
【００５７】加算法で留意すべきなのは、個々の光源の
強度差がそのままひとみの照明に伝えられるため、部分
ひとみ強度が光源出力によって与えられるという点であ
る。
【００５８】二次光源をひとみ面で混合すれば、絞り面
における強度分布は個々の光源の強度に依存しなくな
る。この方法を以下においては混合法とも呼ぶことにす
る。
【００５９】加算法ではそれぞれの光源の光ビームが互
いに浸透するのは絞り面を過ぎた後であるのに対し、混
合法では放射ビームが絞り面で重ね合わされる。このと
き、それぞれの部分システムの最大開口は対物レンズ開
口の所望の充填度に適合させる。加算法の場合と同じ
く、個々の光源に対して同一に構成されたシステムを結
合することができる。これらは共通のシステム軸を中心
として均等に配置される。各システムが結合されるのは
二次光源の平面である。
【００６０】図６には、複数の光源を結合するための混
合法を基礎に置いた照明系が示されている。
【００６１】光源としてはやはりレーザプラズマ光源が
用いられる。図５と同一の構成部分には同一の符号を付
している。たとえば図５とは異なり、多数の角錐に区分
されたただ１つのプレート１００が設けられている。ひ
とみハネカムプレートは、フィールドハネカムによって
生成される二次光源の地点に配置されている。多数の角
錐のそれぞれの側面に１つの二次光源が設けられること
になる。
【００６２】図７に示す模式的な図は、フィールドハネ
カムプレート１０２の上におけるフィールドハネカム１
１０の典型的な配置を示している。フィールドハネカム
は絞り面で二次光源の格子を生成し、絞り面における格
子の分布はフィールドハネカムの配置に対応している。
【００６３】部分システムをずらすことにより、図８に
示すように、部分システムの数に応じて二次光源の格子
を相並ぶように位置させることが達成される。
【００６４】４つの光源を結合する場合、図８の模式的
な図に描かれているような二次光源６の配置が得られ
る。４つの部分システムを正確に重ね合わせるため、二
次光源のそれぞれのセットはそれぞれ、光ビームがレチ
クル面で重ね合わされるように側面が傾斜している鏡面
加工された角錐に設置されている。図９の模式的な図は
ひとみハニカムプレートの一部を示している。この図か
ら明らかにわかるように、個々のひとみハニカム１０４
は等辺の角錐１０６の側面によって形成されている。
【００６５】個々の光源の光伝搬値（ＬＬＷ）が小さい
場合、ひとみハニカムは平面鏡として構成されていてよ
く、すなわち等辺の角錐１０６の側面は平坦に構成され
ている。
【００６６】たとえばピンチプラズマ光源などのように
無視できない光源直径をもつ光源の場合、ひとみハニカ
ム１０４はフィールドハニカムを物体面に、たとえばレ
チクル面に結像しなくてはならない。この場合には角錐
側面に、集光をする鏡面１０８が施されなくてはならな
い。
【００６７】図１０の模式図は、複数のピンチプラズマ
光源が結合されていて上記のようなひとみハニカムを包
含するひとみハニカムプレートを備えたシステムを示し
ている。図６と同一の構成部材には同一の符号が付して
ある。
【００６８】図５から図１０に示す例は結合された４つ
の光源のために設計されている。しかしながら同じ方法
は３つ、５つ、６つ、またはそれ以上の光源についても
適用することができる。この場合の格子のずらしは、二
次光源が角錐の側面上に位置するように行われる。ひと
みの充填度は加算法の場合と同じように制限される。
【００６９】混合法の利点は、個々の光源がひとみ面で
混合されることである。光源の強度変動は、不均一なひ
とみ照明としては表れない。しかもシステムひとみをい
っそう均等に二次光源で充填することができる。
【００７０】複数の光源を結合する第３の方法としてセ
グメント法を説明する。
【００７１】セグメント法は加算法と同様に作動する。
結合される照明系は共通のシステム軸を中心として均等
に配分される。このときそれぞれの部分システムには、
絞り面において相応のセグメントが充填のために配属さ
れている。このセグメントを加算法の場合と同じく円で
充填する代わりに、フィールドハネカムプレート上でフ
ィールドハネカムをアライメントさせることによってセ
グメントを均等に充填することができる。図１１は、４
つの光源が結合される場合におけるシステムひとみ２０
２のセグメント２００の照明を示している。
【００７２】個々の光線束がレチクル面で再び正確に重
ね合わせられるようにするため、二次光源の地点には、
光線束を方向転換させてレチクル面で重なり合うように
するひとみハネカムが取り付けられていなくてはならな
い。光源のサイズに応じてひとみハネカムは平坦に構成
されるか、もしくは集光作用を有する。
【００７３】それによってフィールドハネカムとひとみ
ハネカムは個別に、かつ対称性なしに傾けられる。
【００７４】セグメント法の利点は、フィールドハネカ
ムとひとみハネカムが対になって傾けられることで、二
次光源６による絞り面の最適な充填が可能なことであ
る。
【００７５】上述したどの実施例でも、照明系において
網目素子（Rasterelemente：独語）をもつレンズないし
鏡に後置されている光学素子は図示していないが、たと
えばレチクル面で環状フィールドをフィールド形成する
ために、網目素子をもつレンズないし鏡に後置された視
野レンズまたは視野鏡が設けられていなくてはならない
ことは当業者にとっては明白である。これに関連してＥ
ＵＶ照明系の基本構造に関しては、いずれも出願人の係
属中の出願である「特にＥＵＶリソグラフィのための照
明系」という名称のＥＰ９９１０６３４８．８（提出日
１９９９年３月２日）、「特にＥＵＶリソグラフィのた
めの照明系」という名称のＵＳシリアル番号０９／３０
５，０１７（提出日１９９９年５月４日）、および「特
にＥＵＶリソグラフィのための照明系」という名称のＰ
ＣＴ／ＥＰ９９／０２９９９（提出日１９９９年５月４
日）を参照されたい。これらの開示内容を本明細書にも
全面的に取り入れることとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】 複数の光源の光が加算法に従って重ね合わ
される本発明の第１実施形態の概略説明図である。
【図２】 等辺の角錐上にあるフィールドハネカムプ
レートの構造の概略図である。
【図３】 図１に示すシステムの射出ひとみの照明の
概略図である。
【図４】 ａ）〜ｄ）のそれぞれ、３つ、４つ、５
つ、および６つの光源を結合したときの射出ひとみの照
明の概略図である。
【図５】 複数の光源が加算法に従って絞り面で結合
される本発明の第２実施形態の概略説明図である。
【図６】 複数の光源の光が混合法に従って絞り面で
結合される本発明の第３実施形態の概略説明図である。
【図７】 図６に示すシステムのフィールドハネカム
プレート上にあるフィールドハネカムの構造の概略図で
ある。
【図８】 図６に示すシステムの場合における絞り面
での二次光源の構造の概略図である。
【図９】 側面にひとみハネカムがある多数の角錐を
備えた図６に示すシステムのひとみハネカムプレートの
一部の概略図である。
【図１０】 結像をするひとみハネカムにより複数の
光源の光が混合法に従って絞り面で結合される本発明の
第４実施形態の概略説明図である。
【図１１】 セグメント法に従って作動するシステム
に場合における、ひとみハネカムプレートのセグメント
の照明の概略図である。
【符号の説明】
１．１、１．２ 光源 ２．１、２．２ 集光鏡 ４．１、４．２ フィールドハネカムプレート ６ 二次光源 １０．１、１０．２ 部分システム ２０．１、２０．２、２０．３、２０．４ 角錐面 ３０．１、３０．２、３０．３、３０．４、３０．５、
３０．６ 部分ひとみ ５０．１、５０．２ 光源 ５２．１、５２．２ 集光鏡 ５４．１、５４．２ フィールドハネカムプレート ５６．１、５６．２ ひとみハネカムプレート １００ プレート １０２ フィールドハネカムプレート １０４ ひとみハネカムプレート １０６ 角錐 １０８ 集光面 １１０ フィールドハネカム ２００ セグメント ２０２ システムひとみ

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 波長≦１９３ｎｍのための照明系、特
    にＥＵＶリソグラフィのための照明系であって、 １．１ 複数の光源と、 １．２ 網目素子に区分されている複数の鏡を包含して
    いる二次光源を生成する鏡装置と、を備えているものに
    おいて、 １．３ 照明系の射出ひとみを所定の充填度まで照明す
    るために複数の光源が相互に結合されていることを特徴
    とする照明系。
  2. 【請求項２】 二次光源を生成する鏡装置の鏡がフィ
    ールド形成のための網目素子を包含している、請求項１
    に記載の照明系。
  3. 【請求項３】 網目素子を備えている複数の鏡がフィ
    ールドハネカムプレートとして構成されている、請求項
    ２に記載の照明系。
  4. 【請求項４】 フィールドハネカムプレート上の網目
    素子が、物体面ないしレチクル面で網目素子の像が互い
    に重なり合うように配置されてアライメントされてい
    る、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の照
    明系。
  5. 【請求項５】 それぞれのフィールドハネカムプレー
    トの上の網目素子の数が等しい、請求項３又は請求項４
    のいずれかに記載の照明系。
  6. 【請求項６】 フィールドハネカムプレートが角錐上
    に配置されている、請求項３ないし請求項５のいずれか
    １項に記載の照明系。
  7. 【請求項７】 角錐の面の数が結合される光源の数に
    対応している、請求項６に記載の照明系。
  8. 【請求項８】 結合素子が、フィールドハネカムプレ
    ートの支持体の役目をする角錐である、請求項７に記載
    の照明系。
  9. 【請求項９】 角錐の面が、フィールドハネカムプレ
    ートの網目素子の像がレチクル面で重なり合うようにア
    ライメントされている、請求項６ないし請求項８のいず
    れか１項に記載の照明系。
  10. 【請求項１０】 照明系が、網目素子を備えた少なく
    とも１つの鏡を有する別の鏡装置を包含している、請求
    項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の照明系。
  11. 【請求項１１】 別の鏡装置が、網目素子を備えた複
    数の鏡を包含している、請求項１０に記載の照明系。
  12. 【請求項１２】 別の鏡装置が二次光源の地点に配置
    されている、請求項１０ないし請求項１１のいずれか１
    項に記載の照明系。
  13. 【請求項１３】 網目素子がひとみハネカムである、
    請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の照
    明系。
  14. 【請求項１４】 ひとみハネカムがひとみハネカムプ
    レートの上に配置されている、請求項１３に記載の照明
    系。
  15. 【請求項１５】 ひとみハネカムプレートが角錐上に
    配置されている、請求項１４に記載の照明系。
  16. 【請求項１６】 角錐の面の数が結合される光源の数
    に対応している、請求項１５に記載の照明系。
  17. 【請求項１７】 結合素子が、ひとみハネカムプレー
    トの支持体の役目をする角錐である、請求項１６に記載
    の照明系。
  18. 【請求項１８】 角錐の面が、フィールドハネカムプ
    レートの網目素子の像がレチクル面で重なり合うように
    アライメントされている、請求項１７に記載の照明系。
  19. 【請求項１９】 別の鏡装置が網目素子を備えたちょ
    うど１つの鏡を包含している、請求項１０に記載の照明
    系。
  20. 【請求項２０】 別の鏡装置が二次光源の地点に配置
    されている、請求項１９に記載の照明系。
  21. 【請求項２１】 網目素子がひとみハネカムであり、
    それぞれの二次光源の地点に１つのひとみハネカムが配
    置されている、請求項１９ないし請求項２０のいずれか
    １項に記載の照明系。
  22. 【請求項２２】 個々のひとみハネカムが角錐上に配
    置されており、このとき、それぞれの角錐側面にただ１
    つの二次光源が位置するようになっている、請求項２１
    に記載の照明系。
  23. 【請求項２３】 角錐の面の数が光源の数に対応して
    いる、請求項２２に記載の照明系。
  24. 【請求項２４】 角錐側面上のひとみハネカムが集光
    する鏡面を包含している、請求項２１ないし請求項２３
    のいずれか１項に記載の照明系。
  25. 【請求項２５】 角錐側面が平坦である、請求項２１
    ないし請求項２３のいずれか１項に記載の照明系。
  26. 【請求項２６】 角錐の面が、フィールドハネカムプ
    レートの網目素子の像がレチクル面で重なり合うように
    アライメントされている、請求項２５に記載の照明系。
  27. 【請求項２７】 フィールドハネカムプレート上のフ
    ィールドハネカムが、照明系の絞り面でセグメントが均
    等に二次光源で充填されるように配分され、傾けられて
    配置されている、請求項３に記載の照明系。
  28. 【請求項２８】 網目素子を備えた鏡を包含している
    別の鏡装置が二次光源の地点に配置されている、請求項
    ２７に記載の照明系。
  29. 【請求項２９】 別の鏡装置の網目素子がひとみハネ
    カムである、請求項２８に記載の照明系。
  30. 【請求項３０】 ひとみハネカムが平坦に構成されて
    いる、請求項２９に記載の照明系。
  31. 【請求項３１】 ひとみハネカムが集光作用を備えた
    表面を包含している、請求項２９に記載の照明系。
  32. 【請求項３２】 ひとみハネカムが、フィールドハネ
    カムプレートの像がレチクル面で重なり合うように配分
    され、傾けられて配置されている、請求項２７ないし３
    １のいずれか１項に記載の照明系。
  33. 【請求項３３】 網目素子を備えた鏡またはレンズを
    もつ１つの鏡装置または複数の鏡装置に光学素子が後置
    されている、請求項１ないし請求項３２のいずれか１項
    に記載の照明系。
  34. 【請求項３４】 光学素子がフィールド形成のための
    視野レンズまたは視野鏡を包含している、請求項３３に
    記載の照明系。
  35. 【請求項３５】 請求項１ないし請求項３４のいずれ
    か１項記載の照明系を備えたＥＵＶ投影露光装置であっ
    て、 マスクと、 投影対物レンズと、 支持システム上の感光物体、 とを備えていることを特徴とする装置。
  36. 【請求項３６】 スキャニングシステムとして施工さ
    れている、請求項３５に記載のＥＵＶ投影露光装置。
  37. 【請求項３７】 請求項３３または請求項３４に記載
    の投影露光装置でマイクロエレクトロニクス部品を製造
    する方法。
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