JP3862347B2 - X線縮小露光装置およびこれを利用したデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型のマスク上に描かれたLSI等のパターンをX線等の放射線を用いてウェハ上に縮小投影露光する装置や、これを利用したデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、LSI等の固体素子デバイスの集積度及び動作速度向上のため、固体素子の回路パターンの微細化が進んでいる。これらの回路パターンの形成には、現在、露光光源を真空紫外とする縮小投影露光装置が広く用いられている。この露光装置の解像度は、ほぼ露光波長λと投影光学系の開口数NAとに依存する。そこで、開口数NAを大きくすることで、解像限界を向上させていた。しかし、焦点深度の減少と屈折光学系設計、製造技術の困難さから、解像限界の向上は限界に近付きつつあるため、露光波長λを短くすることが行われている。例えば、露光波長λは、水銀ランプのg線(λ=435.8nm)からi線(λ=365nm)、さらにKrFエキシマレーザ(λ=248nm)へ移行してきている。露光波長の短波長化で解像度は向上するが、露光に用いる紫外線の波長の大きさからくる原理的な限界によって、従来の光露光技術の延長では0.1μm以下の解像度を得ることは困難である。
【0003】
そこで、上記のような背景のもとに、近年、真空紫外または軟X線を露光光源としたX線縮小投影露光法が注目を浴びている。図11は、従来のX線縮小露光装置の光学系を示す図である。従来のX線縮小露光装置は、図11に示すように、X線源102から発せられた真空紫外線または軟X線は、凸面全反射鏡103及び凹面多層膜反射鏡104で反射し、照明光として反射型マスク105を照明する構成となっている。反射型マスク105には、真空紫外線または軟X線を正反射できる多層膜が所定のパターンで形成されている。反射型マスク105で反射した真空紫外線または軟X線は、縮小投影光学系106を経て露光光としてウェハ107上に到達し、ウェハ107に所定のパターンが結像される。
【0004】
反射型マスク105及びウェハ107は、それぞれマスクステージ(不図示)、ウェハステージ(不図示)に搭載される。露光、照明に用いる真空紫外線または軟X線の波長はおよそ4nm〜20nmであるので、露光光の波長の大きさからくる原理的な解像度は向上する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のX線縮小露光装置では、例えば半導体記憶素子の回路パターンを形成する場合のように、大口径のウェハを用いた場合には、ウェハをステップ移動して複数のパターンを露光する際に、ウェハの位置によってはウェハが反射型マスクへの入射光路を遮ってしまう場合がある。それを回避するためには、ウェハをマスクから遠く離れた位置に設置することが考えられる。しかし、このような配置では装置が極端に大型化してしまう。特に、X線縮小露光装置に用いられるX線は軟X線と呼ばれる領域のX線であり、光学系の全体または大部分を真空中に設置する必要があるので、装置の大型化は技術的にも経済的にも大きな問題となる。従って、ウェハの後方にあるX線源からX線を照射する構成で、量産を目的とした分割露光装置いわゆるステッパを実現することは、事実上困難である。
【0006】
そこで本発明は、大口径のウェハを用いた場合であっても、コンパクトな構成でありながらマスクへの照明光が遮られるのを防止するX線縮小露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、上記X線縮小露光装置を用いることで、大型の容易に製造可能とするデバイス製造方法を提供することを第2の目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明のX線縮小露光装置は、X線源から放射されたX線で、反射型のマスクおよび該マスクに対向配置されたウェハを相対的に走査しつつ、前記マスクのパターンを前記ウェハに露光するX線縮小露光装置であって、前記マスクのパターンの像を前記ウェハに縮小投影する投影光学系と、前記マスクと前記ウェハとの間に配置され、前記X線を前記マスクの手前で反射して前記マスクに導く折り曲げミラーと、前記マスクと前記ウェハとの間に配置され、前記X線を前記折り曲げミラーに導く反射ミラーと、を有し、前記折り曲げミラーへの前記X線の主光線の入射角が、前記マスクへの前記X線の主光線の入射角よりも大きいことを特徴とする。
【0008】
上記のとおり構成された本発明のX線縮小露光装置では、マスクとウェハとの間に反射ミラーおよび折り曲げミラーが配置され、X線源からのX線は、反射ミラーで反射された後、折り曲げミラーで反射されてマスクに入射される。そして、マスクに入射されたX線はマスクで反射され、X線縮小投影光学系を介してウェハに縮小投影されて、マスクのパターンがウェハに転写される。このように、照明光学系においてマスクとウェハとの間に折り曲げミラーを配置することで、大口径のウェハを用いた場合であってもマスクへの入射光が遮られることはなく、しかも、装置が大型化することもない。
【0009】
実際に折り曲げミラーを配置するに際しては、例えば、マスクから折り曲げミラーのマスクで反射されたX線の光路に近い側の端までの距離をL、マスクとウェハとの距離をD、X線のマスク上での照射幅をd、照射幅dの一端でのX線の入射角をδ1、他端でのX線の入射角をδ2としたとき、
D>L>d/(tanδ1+tanδ2)
なる関係式を満たす範囲に折り曲げミラーを配置することにより、マスクでの反射光が折り曲げミラーで遮られることはない。
【0010】
特に、後述する実施例に示すように、光学系の開口角を考慮して折り曲げミラーを配置することにより、折り曲げミラーの配置位置がより厳密に設定される。さらに、折り曲げミラーの端からX線反射領域までの距離を考慮して折り曲げミラーを配置し、折り曲げミラーの反射率の良好な部分を使用するようにすることにより、マスクの照明むらが防止される。
【0011】
また、本発明のX線縮小露光装置は、マスクとウェハとが相対的に走査され、ウェハの複数の領域に、それぞれマスクのパターンを並べて転写するものであってもよい。この場合、マスクとウェハとはステップ・アンド・スキャン・シーケンスによって相対的に走査されるのが好ましい。
【0012】
さらに、前記折り曲げミラーは平面型の多層膜反射ミラーであってもよく、この場合には、X線の照射による折り曲げミラーの発熱を防止するために、折り曲げミラーの反射面の裏面側に冷却手段を設けるのが好ましい。
【0013】
本発明のデバイス製造方法は、表面に感光剤が塗布されたウェハにマスクのパターンを露光する工程を有するデバイス製造方法において、
上記本発明の記載のX線縮小露光装置を用いて前記パターンを露光する。
【0014】
これにより、大口径のウェハを用いてもマスクへの入射光が遮られなくなるので、大型のデバイスを製造できるようになる。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下では放射線として軟X線を用いた例を示すが、これに限らず、真空紫外線であってもよい。
【0016】
図1は、本発明のX線縮小露光装置の一実施例の光学系の配置を示す図である。図1に示した露光装置は1/5縮小露光の装置であり、アンジュレータやシンクロトロンなどのX線源2から発せられたX線ビーム12が凸面全反射鏡及3び凹面多層膜反射鏡4で反射される点、及び、反射型のX線マスク13で反射されたX線ビーム12が縮小投影光学系6を経てウェハ7上に到達される点は、図11に示したX線縮小露光装置と同様である。X線マスク13とウェハ7とは、それぞれステージ(不図示)に搭載保持されて、距離Dをおいて対向配置される。そして、このような構成で、X線マスク13を保持するステージとウェハ7を保持するステージとを適切な速度で相対的に走査することにより、X線マスク13の必要領域のパターンが、ウェハ7の複数のショット領域のうちの1つに転写される。ある領域への転写の後は、ウェハ7がステップ移動され、別のショット領域へのパターン転写を行う。これを繰り返し行う、いわゆるステップ・アンド・スキャン・シーケンスによって、ウェハ7に複数のパターンを並べて転写する。
【0017】
本実施例のX線縮小露光装置の特徴の1つは、凹面多層膜反射鏡4とX線マスク13との間に折り曲げミラー11が配置され、凹面多層膜反射鏡4で反射されたX線ビーム12が、折り曲げミラー11で反射された後、X線マスク13に入射される点である。
【0018】
X線マスク13と折り曲げミラー11との位置関係について図2を参照して説明する。図2において、X線マスク13上でのX線ビーム12の照射幅をd、X線マスク13上での照射幅dの上端でのX線ビーム12の入射角をδ1、X線マスク13上での照射幅dの下端でのX線ビーム12の入射角をδ2、X線マスク13から、折り曲げミラー11のX線マスク13で反射されたX線ビーム12の光路に近い側の端までの距離をLとする。X線ビーム12の光軸の、X線マスク13からの反射角は、X線マスク13への入射角δ1,δ2と同じである。
【0019】
前述したように、図1に示した光学系は、その全体または大部分を真空中に設置する必要があるため、真空チャンバの容積をより小さくするためには、折り曲げミラー11は、よりX線マスク13に近い位置に設置することが望ましい。また、X線マスク13で反射される像のひずみを発生させないようにするためには、X線マスク13へのX線ビーム12の入射角δ1,δ2は小さい方が望ましい。ところが、これらの条件のみを考慮して折り曲げミラー11を配置した場合、X線マスク13で反射したX線ビーム12の光路を折り曲げミラー11が遮ってしまうことがある。
【0020】
ここで、照射幅dの下端へ入射されるX線ビーム12と照射幅dの上端で反射されたX線ビーム12が、X線マスク13から距離L’離れた位置で交差するとすると、
d/L’=tanδ1+tanδ2
となり、この距離L’より大きい距離に折り曲げミラー11を配置する必要がある。ここから、
L>d/(tanδ1+tanδ2)
という条件式が導き出される。すなわち、X線マスク13から折り曲げミラー11までの距離Lがd/(tanδ1+tanδ2)よりも大きくなるように折り曲げミラー11を配置すれば、折り曲げミラー11がX線マスク13での反射光の光路を遮ることはない。
【0021】
一方、折り曲げミラー11をウェハ7の後方、すなわちX線マスク13に対してウェハ7よりも遠い位置に配置すると、従来のX線縮小露光装置と同様に、ウェハ7の移動によりウェハ7がX線マスク13への入射光路を遮ってしまう場合がある。そこで、これを防止するためには、折り曲げミラー11をX線マスク13に対してウェハ7よりも近い位置に配置すればよく、ここからD>Lという条件式が導き出される。
【0022】
従って、上記の2つの条件式を満たす位置、つまり、
D>L>d/(tanδ1+tanδ2)
となる位置に折り曲げミラー11を配置することで、大口径のウェハ7を用いウェハ7を移動させながら露光を行う場合であっても、X線ビーム12の光路が折り曲げミラー11やウェハ7に遮られることのないX線縮小露光装置が達成される。また、上記の式から明らかなように、折り曲げミラー11はX線マスク13とウェハ7との間に配置されることになるので、装置が大型化することはない。
【0023】
特に、X線ビーム12が平行光となってX線マスク13に入射され、δ1=δ2=δである場合には、
D>L>d/(2tanδ)
を満たす位置に、折り曲げミラー11を配置すればよい。
【0024】
本例では、X線マスク13とウェハ7との距離Dを800mm、X線マスク13上でのX線ビーム12の照射領域を幅dが25mm、長さが200mmのスリット状の領域とした。また、X線マスク13へのX線ビーム12の入射角δ1,δ2は、照射幅dの上端と下端とで等しく、δ=2°とした。これより、d/2tanδ=358mmとなるので、折り曲げミラー11は、X線マスク13からの距離Lが358mm〜800mmの範囲に設置すればよい。本例ではL=400mmとした。
【0025】
上述した例では、光学系の開口角について考慮していないが、以下に、開口角を考慮した場合の折り曲げミラーの設置条件について、図3及び図4を参照して説明する。ここで、X線光源からX線マスク13までの光学系を照明系、X線マスク13からウェハまでの光学系を露光系とし、図3において、X線マスク13へのX線ビーム12の光軸の入射角をθ、照明系の開口角の半角をφ1、露光系の開口角の半角をφ2とする。一般的に、照明系の開口角は露光系の開口角よりも小さく設計される。
【0026】
図4に示すように、露光装置の光学系は、ある開口をもった照明系からのX線ビーム12がX線マスク13上で結像するようにX線マスク13に角度θで照射され、そこからの出射光を、不図示の露光系の開口をもって集光しウェハ上に結像させる。図4において、41はX線ビーム12の主光線、42は照明系の開口端からの光路、43は露光系の開口端への光路を示す。図4では、X線ビーム12の光軸部分を図示しているが、露光装置では図2に示したように、照明光はX線マスクを照射する際に幅dを持たせて照射することになる。
【0027】
その様子を図3を用いて説明する。図3において、31,33は、それぞれX線マスク13が照明される照射幅dの上端、下端に入出射するX線ビーム12の主光線を示し、32は照射幅dの下端に照射する主光線31に対してφ2の角度を持つ照明系の開口端の光路、34は照射幅dの上端から出射される主光線33に対してφ1の角度を持つ露光系の開口端の光路を示す。本例では、照射幅dの上端及び下端の主光線31,33は、ほぼ平行である。
【0028】
X線ビーム12は、折り曲げミラー11で反射されて、X線マスク13にθの角度で入射し、主光線31,33は同じ角度で出射して露光光学系を経てウェハに照射される。ここで、X線マスク13から、折り曲げミラー11のX線マスク13で反射されたX線ビーム12に近い側の端までの距離Lは、X線マスク13への入射光線とX線マスク13からの出射光線との関係から、制約を受けることになる。つまり、図2で説明した考え方を適用すれば、照射幅dの下端へ入射されるX線ビーム12と照射幅dの上端で反射されたX線ビーム12とが交差するときのX線マスク13と折り曲げミラー11との距離をL’としたとき、
d/L’=tan(θ−φ1)+tan(θ−φ2)
となる。従って、
D>L>d/{tan(θ−φ1)+tan(θ−φ2)}
の関係式を満たす範囲内に折り曲げミラー11を配置することで、大口径のウェハを用いウェハをステップ・アンド・スキャン・シーケンスで移動させながら露光を行う場合であっても、装置を大型化せずに、X線ビーム12の光路が折り曲げミラー11やウェハに遮られることのないX線縮小露光装置が達成される。しかも、光学系の開口角を考慮した、折り曲げミラー11の配置位置のより厳密な設定が可能となる。
【0029】
本例では、X線マスク13とウェハとの距離Dを800mm、X線マスク13上でのX線ビーム12の照射領域を幅dが25mm、長さが200mmのスリット状の領域とした。また、X線マスク13へのX線ビーム12の光軸の入射角θを4°、照明系の開口角の半角φ1を3°、露光系の開口角の半角φ2を
2°とした。これより、d/{tan(θ−φ1)+tan(θ−φ2)}=477.3mmとなるので、折り曲げミラー11は、X線マスク13からの距離Lが477.3mm〜800mmの範囲に設置すればよい。本例ではL=500mmとした。
【0030】
次に、本発明の他の実施例を、図5を用いて説明する。本例では、露光光学系を横切って照明光がX線マスク13に入射される場合を示す。この場合、上述した例とは折り曲げミラー11の向きが異なっているが、X線マスク13から、折り曲げミラー11のX線マスク13で反射されたX線ビームの光路に近い側の端までの距離をLとしたとき、
D>L>d/(tanδ1+tanδ2)
の関係式を満たす位置に、折り曲げミラー11が配置される。図5には示されていないが、dはX線マスク13上でのX線ビームの照射幅、δ1はX線マスク13の照射幅dの上端でのX線ビームの入射角、δ2はX線マスク13の照射幅dの下端でのX線ビームの入射角を示す。特に、X線マスク13にX線ビームが平行に入射され、δ1=δ2=δであるときには、折り曲げミラー11は、
D>L>d/(2tanδ)
の関係式を満たす位置に配置される。
【0031】
なお、X線源2、凸面全反射鏡3、凹面多層膜反射鏡4及び縮小投影光学系6は、図1に示したものと同様のものであるので、その説明は省略する。
【0032】
以上説明したように折り曲げミラー11を配置することで、大口径のウェハ7を用いウェハ7をステップ・アンド・スキャン・シーケンスで移動させながら露光を行う場合であっても、装置を大型化せずに、X線ビーム12の光路が折り曲げミラー11やウェハ7に遮られることのないX線縮小露光装置が達成される。
【0033】
図6は、本発明のX線縮小露光装置のさらに別の実施例の光学系の配置を示す図である。この露光装置は1/5縮小露光のステップ・アンド・スキャン型露光装置であり、図6において、先の実施例と同一の部材については同一の符号を付している。
【0034】
X線マスク13とウェハ7とは、距離Dをおいて対向配置される。そして、このような構成でX線マスク13をスリット状に照射し、X線マスク13とウェハ7とを適切な速度で相対的に走査及びステップ移動を繰り返すことにより、ウェハ7にX線マスク13のパターンが複数並べられて転写される。ここで、X線源2からX線マスク13までの光学系を照明系、X線マスク13からウェハ7までの光学系を露光系とする。
【0035】
本実施例のX線縮小露光装置の特徴の1つは、凹面多層膜反射鏡4とX線マスク13との間に、冷却手段が設けられた折り曲げミラー11が配置され、凹面多層膜反射鏡4で反射されたX線ビーム12が、折り曲げミラー11で反射された後、X線マスク13に入射される点である。また、照明光は、露光光学系を横切って入射される。
【0036】
折り曲げミラー11の構成及び配置について図7を参照して説明する。折り曲げミラー11は平面型の多層膜反射ミラーであり、面粗さがないよう研磨された基板にモリブデンとシリコンの層を交互に100層重ねたものを用いた。このため、折り曲げミラー11の周囲数mmの部分は微妙に反射率の低下、もしくは歪を生じてしまうので、その部分は反射領域として使用せず、X線ビーム12は、それ以外の部分に入射される。また、X線ビーム12の照射による折り曲げミラー11の発熱を抑えるため、折り曲げミラー11の反射面の裏面には、冷却ユニット14が取り付けられている。
【0037】
なお、図7に示すように、X線マスク13から折り曲げミラー11のX線マスク13で反射されたX線ビーム12の光路に近い側の端までの距離をL、折り曲げミラー11の距離Lの基準となる端からX線ビーム12の反射領域までの距離をa、X線マスク13へのX線ビーム12の照射幅をd、X線マスク13上でのX線ビーム12の照射幅dの一方の端(図7に示す下端)へのX線ビーム12の入射角をδ1、同じく照射幅dの他方の端(図7に示す上端)へのX線ビーム12の入射角をδ2、折り曲げミラー11の反射面とX線マスク13の法線とのなす角度をγとする。
【0038】
図8に示すように、折り曲げミラー11の端がX線マスク13から出射されたX線ビーム12と交差するときの、X線マスク13から折り曲げミラー11の端までの距離をL0とすると、X線ビーム12の光路が遮られないようにするためには、この距離L0よりも遠い位置に折り曲げミラー11を配置する必要がある。図8に示すように、X線マスク13の反射領域の中心を通る法線をVLとしたとき、法線VLから折り曲げミラー11の反射領域の端までの距離をy1、法線VLから折り曲げミラー11の端までの距離をy2、折り曲げミラー11の反射領域から端までの距離aの法線VL方向の成分をxとする。なお、図8においては、照射幅dの上端へのX線ビーム12の入射角δ2を出射角で示しているが、入射角と出射角とは実質的に等しいので、ここでは、以下の説明を幾何学的に理解し易くするために、入射角δ2を出射位置で示している。
【0039】
上記の距離関係に着目すると、
x=a×cosγ
y1+y2=a×sinγ
で表される。
また、
y1+d/2=(L0−x)×tanδ1
y2+d/2=L0×tanδ2
であるので、これらの式から、
【0040】
【数3】
という関係式が導き出される。
【0041】
従って、
【0042】
【数4】
よりも大きい距離に折り曲げミラー11を配置することにより、折り曲げミラー11とX線ビーム12の光路とが干渉することはない。
【0043】
さらに、前述したように、折り曲げミラー11はX線マスク13に対してウェハ7よりも近い位置に配置する必要がある。
【0044】
従って、
D>L>L0
となる位置に折り曲げミラー11を配置することによって、装置が大型化することはない。さらに、折り曲げミラー11の反射領域には、反射率の良好な部分、すなわち折り曲げミラー11の加工歪み等による反射むらが生じない部分を使用しているので、X線マスク13への照明むらもないものとなる。
【0045】
また、図3及び図4を用いて説明したように照明系及び露光系の開口角を考慮する場合は、
【0046】
【数5】
という条件式が成り立つ距離Lに折り曲げミラー11を配置する。
【0047】
本例では、X線マスク13とウェハ7との距離Dを800mm、X線マスク13へのX線ビーム12の主光線の入射角を4°、照明系の開口角を6°、露光系の開口角を4°とした。また、折り曲げミラー11の反射面とX線マスク13の法線とのなす角度γを、露光光学系のそれぞれのミラーが干渉しないようにするために、40°とした。さらに、折り曲げミラー11の面精度とX線ビーム12の反射率を測定したところ、周囲から10mmの領域には表面に微妙なゆがみが観測され、その部分での反射むらが発生するという結果が得られた。そこで、折り曲げミラー11の端からX線ビーム12の照射領域までの距離aを12mmとなるように設定した。この場合、上記の条件式の右辺は628mmとなる。距離Dは800mmであるから、折り曲げミラー11は、X線マスク13からの距離Lが628mm〜800mmの範囲に設置すればよい。本例ではLを700mmと設定した。
【0048】
以上説明した本例によれば、大口径のウェハを用いた場合であってもマスクへの入射光が遮られず、しかもマスクに照明むらのないステップ・アンド・スキャン型のX線縮小露光装置を、大型化することなく提供することができる。
【0049】
また、照明系にX線ビームの折り曲げミラーを挿入することによって、X線ビームの入射角度を自由に設定でき、レイアウト上の自由度が向上する。特に、放射源にシンクロトロンを用いた場合には、1つのシンクロトロンリングから放射状に可能な限り多くのビームラインを取り出すレイアウトが好ましいが、ビームラインを増やすほど、隣同士のビームラインの間隔は小さくなる。そのときに、ビームラインから露光装置への入射角を自由に設定できれば、露光装置の設置角度も自由になり、製造工場内での高密度な装置配置が達成できる。
【0050】
〈デバイス製造方法の実施例〉
次に、上述した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を図9および図10を参照して説明する。
【0051】
図9は、微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造フローを示す。ステップ1(回路設計)では、デバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク作製)では、設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンやガラス等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハとを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0052】
図10は、上記ウェハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウェハにレジスト(感光剤)を塗布する。ステップ16(露光)では、上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウェハの複数ショット領域に並べて焼付露光する。ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0053】
本実施形態の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった大型のデバイスを低コストで製造することができる。
【0054】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したとおり構成されているので、以下に記載する効果を奏する。
【0055】
本発明のX線縮小露光装置は、マスクとウェハとの間に折り曲げミラーを配置し、X線源からのX線をこの折り曲げミラーで反射してマスクに導くようにすることで、装置を大型化することなく、大口径のウェハを用いた場合であってもマスクへの入射光が遮られることを防止することができる。
【0056】
特に、
D>L>d/(tanδ1+tanδ2)
なる関係式を満たす範囲に折り曲げミラーを配置することにより、マスクでの反射光が折り曲げミラーで遮られることを防止できる。また、光学系の開口角を考慮して折り曲げミラーを配置することにより、折り曲げミラーの配置位置をより厳密に設定することができ、さらに、折り曲げミラーの端からX線反射領域までの距離を考慮して折り曲げミラーを配置することにより、マスクの照明むらを防止することができる。
【0057】
本発明のデバイス製造方法は、表面に感光剤が塗布されたウェハにマスクのパターンを露光する工程を有するデバイス製造方法において、上記本発明の記載のX線縮小露光装置を用いて前記パターンを露光するので、大口径のウェハを用いてもマスクへの入射光が遮られなくなり、大型のデバイスを製造できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線縮小露光装置の一実施例の光学系の配置を示す図である。
【図2】図1に示した光学系のX線マスクと折り曲げミラーとの位置関係を説明するための図である。
【図3】光学系の開口角を考慮した場合の、X線マスクへの入射光とX線マスクからの反射光の光路の関係を示す図である。
【図4】図3を補足する図である。
【図5】本発明のX線縮小露光装置の他の実施例の光学系の配置を示す図である。
【図6】本発明のX線縮小露光装置のさらに別の実施例の光学系の配置を示す図である。
【図7】図6に示した光学系の折り曲げミラーの構成及び配置を説明するための図である。
【図8】図6に示した光学系の、折り曲げミラーのX線マスクに対する位置関係を説明するための図である。
【図9】デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図10】図9に示したウェハプロセスの詳細な工程を示すフローチャートである。
【図11】従来のX線縮小露光装置の光学系の配置を示す図である。
【符号の説明】
2 X線源
3 凸面全反射鏡
4 凹面多層膜反射鏡
6 縮小投影光学系
7 ウェハ
11 折り曲げミラー
12 X線ビーム
13 X線マスク
14 冷却ユニット
Claims (8)
- X線源から放射されたX線で、反射型のマスクおよび該マスクに対向配置されたウェハを相対的に走査しつつ、前記マスクのパターンを前記ウェハに露光するX線縮小露光装置であって、
前記マスクのパターンの像を前記ウェハに縮小投影する投影光学系と、
前記マスクと前記ウェハとの間に配置され、前記X線を前記マスクの手前で反射して前記マスクに導く折り曲げミラーと、
前記マスクと前記ウェハとの間に配置され、前記X線を前記折り曲げミラーに導く反射ミラーと、を有し、
前記折り曲げミラーへの前記X線の主光線の入射角が、前記マスクへの前記X線の主光線の入射角よりも大きいことを特徴とするX線縮小露光装置。 - 前記折り曲げミラーは平面型の多層膜反射ミラーである請求項1に記載のX線縮小露光装置。
- 前記折り曲げミラーの反射面の裏面側には、冷却手段が設けられている請求項2に記載のX線縮小露光装置。
- 前記折り曲げミラーは、前記マスクから前記折り曲げミラーの前記マスクで反射されたX線の光路に近い側の端までの距離をL、前記マスクと前記ウェハとの距離をD、X線の前記マスク上での照射幅をd、前記照射幅dの一端でのX線の入射角をδ1、他端でのX線の入射角をδ2とするとき、
D>L>d/(tanδ1+tanδ2)
なる関係式を満たす範囲に配置されている請求項1に記載のX線縮小露光装置。 - 前記折り曲げミラーは、前記マスクから前記折り曲げミラーの前記マスクで反射されたX線の光路に近い側の端までの距離をL、前記マスクと前記ウェハとの距離をD、X線の前記マスク上での照射幅をd、前記マスクへのX線の光軸の入射角をθ、照明光学系の開口角の半角をφ1、露光光学系の開口角の半角をφ2とするとき、
D>L>d/{tan(θ−φ1)+tan(θ−φ2)}
なる関係式を満たす範囲に配置されている請求項1に記載のX線縮小露光装置。 - 表面に感光剤が塗布されたウェハにマスクのパターンを露光する工程を有するデバイス製造方法において、請求項1ないし7のいずれか1項に記載のX線縮小露光装置を用いて前記パターンを露光するデバイス製造方法。
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