KR20010049807A - 다수의 광원을 갖는 조명장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 광원, 다수의 격자 소자로 분할되는 다수의 미러를 갖는 2차 광원을 형성하기 위한 미러 장치를 포함하는, 파장이 ≤ 193nm인 EUV-리소그래피용 조명 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 조명 장치의 사출동을 예정된 충전율까지 조명시키기 위해서 다수의 광원이 서로 결합되는 것을 특징으로 한다.

Description

다수의 광원을 갖는 조명 장치 {ILLUMINATION SYSTEM WITH SEVERAL LIGHT SOURCES}
본 발명은 다수의 광원, 다수의 격자 소자로 분할되는 다수의 미러 또는 렌즈를 갖는 2차 광원을 형성하기 위한 미러 장치 또는 렌즈 장치를 포함하는, 파장이 ≤193nm인 VUV- 및 EUV-리소그래피용 조명 장치에 관한 것이다.
전자 부품의 구조물 폭을 특히 초미세-범위로 더욱 감소시킬 수 있기 위해서는, 마이크로 리소그래피용으로 사용되는 광의 파장을 감소시키는 것이 필요하다.
예를 들어 약한 뢴트겐 광선을 갖는 리소그래피, 소위 EUV-리소그래피의 파장이 193nm 보다 더 작은 것을 생각할 수 있다.
EUV-리소그래피용으로 적합한 조명 장치는 가급적 반사가 적게 EUV-리소그래피용으로 예정된 필드, 특히 대물렌즈의 링형 필드를 리소그래피-배치에 상응하게 균일하게, 즉 통일적으로 조명해야 하며, 또한 대물렌즈의 퓨필은 필드와 무관하게 소정 충전율(σ)까지 조명되어야 하고, 조명 장치의 사출동은 대물렌즈의 입사동내에 배치되어야 한다.
EUV-조명 장치의 원리적인 구성에 대해서는, "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 3월 2일에 접수된 관련 출원서 EP 99106348.8호, "EUV-리소그래피용 조광 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 US-시리얼 번호 제 09/305,017 호 및 공개 내용이 대부분 본 출원서에 포함되어 있다고 출원인이 증명하고 "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 PCT/EP 99/02999가 인용된다.
현재 EUV-조명 장치용 광원으로서는 레이저-플라즈마-소스, 핀치-플라즈마-소스 및 싱크로트론-광소스가 논의되고 있다.
레이저-플라즈마-소스에서는 강렬한 레이저 광선이 타겟(고체, 가스젯, 액체 방울)상에 포커싱된다. 상기 타겟은 플라즈마가 형성될 정도로 강하게 자극(excite)에 의해서 가열된다. 상기 플라즈마가 EUV-광선을 방사한다.
통상의 레이저-플라즈마-소스는 방사각 범위가 4π이고 직경이 50㎛ - 200㎛인 볼형태로 방사한다.
핀치-플라즈마-소스에서는 플라즈마가 전기적 자극을 통해 형성된다.
핀치-플라즈마-소스는 4π로 방사되는 체적 방사기(D = 1.00mm)로서 기술될 수 있으며, 상기 방사 특성은 소스 구조에 의해서 얻어진다.
싱크로트론 방사 소스는 현재 3가지 종류의 소스로 구분된다:
- 벤딩-마그네트
- 진동기(wiggler)
- 파동기(undulator)
벤딩-마그네트-소스에서는 전자가 벤딩-마그네트에 의해 편향되어 광자(photon)를 방출한다.
진동기-소스는 전자 또는 전자 광선을 편향시키기 위해 소위 진동기를 포함하는데, 상기 진동기는 나란히 옆으로 배열되고 교대로 극성을 갖는 다수의 마그네트 쌍을 포함한다. 전자가 진동기를 통과하면, 상기 전자는 주기적인 수직 자기장에 노출된다. 전자는 그에 상응하게 수평면에서 진동된다. 진동기는 또한 코히어런스 효과가 나타나지 않는다는 특징이 있다. 진동기에 의해 형성된 싱크로트론 광선은 벤딩-마그네트의 광선과 유사하고 수평 상반각으로 방사된다. 상기 싱크로트론 광선은 벤딩-마그네트와 반대로 진동기의 극의 개수만큼 강화된 흐름을 갖는다.
진동기-소스로부터 파동기-소스로의 전이는 유동적이다.
파동기-소스에서는 파동기내에 있는 전자가 진동기에서의 주기보다 더 짧고 편향극의 자기장이 더 적은 자기장에 노출됨으로써, 결과적으로 싱크로트론 광선의 간섭효과(interference-effect)가 나타나게 된다. 싱크로트론 광선은 상기 간섭효과 때문에 불연속적인 스펙트럼을 가지게 되며, 수평으로 뿐만 아니라 수직으로도 작은 상반각 소자 내부로 방사된다. 즉 광선이 강하게 조절된다.
EUV-조명 장치에 결정적인 것은, 충분히 높은 광 가이드값의 제공, 즉 라그랑즈 광학 불변수 또는 에텐두(Etendu)이다. 장치의 광 가이드값 또는 라그랑즈 광학 불변수는 조명된 면 x 구경의 제곱의 곱으로서 규정된다.
웨이퍼 평면에서의 구경이 NA웨이퍼= 0.1 - 0.25인 것이 요구되면, 이것은 4:1 장치에서는 레티클 평면에서의 구경이 NA레티클= 0.025 - 0.0625인 것을 의미한다. 조명 장치가 상기 구경을 예컨대 σ= 0.6의 충전율까지 균일하고도 필드와 무관하게 조명해야 하는 경우에는, EUV-소스에 하기의 2-dim-광 가이드값(LLW), 즉 라그랑즈 광학 불변수 또는 에텐두가 제공되어야 한다.
LLWBel.= σ2LLW대물렌즈= 0.149 ㎟ - 0.928㎟.
광 가이드값(LLW), 즉 라그랑즈 광학 불변수는 관찰된 리소그래피 장치를 위해서 하기와 같이 일반적으로 규정된다:
LLWBel.= σ2x·y·NA2= σ2A·NA2,
상기 식에서 A는 조명된 표면이다. A는 레티클 평면에서 예를 들어 110㎜ x 6㎜에 달한다.
레이저-플라즈마-소스의 광 가이드값은 소스 및 구경 각도를 중심으로 의도된 유닛 볼의 조명된 표면의 결과로서 평가될 수 있으며, 상기 구경 각도 아래에서 각각의 필드 점이 볼 소스를 본다.
LLW = A·NA2
상기 식에서 θ1은 광학 축에 대한 최소 방사각이고, θ2는 광학 축에 대한 최대 방사각이다.
전형적인 소스 파라미터:
1. rLPQ= 0.1㎜, θ1= 0°, θ2= 90°: LLWLPQ= 0.063㎟. 이것은 예컨대 0.236㎟의 요구되는 광 가이드값(LLWBel)의 27%에 상응한다.
2. rLPQ= 0.025㎜, θ1= 0°, θ2= 90°: LLWLPQ= 0.0039㎟. 이것은 예컨대 LLWBel= 0.236㎟의 요구되는 광 가이드값의 1.7%에 상응한다.
예로 든 핀치-플라즈마-소스의 광 가이드값(LLW핀치)은 직경이 1㎜이고, Ω= 0.3sr에 달한다.
LLW핀치= A·NA2= π·1㎟ /4·0.30532= 0.073㎟.
따라서, 핀치-플라즈마-소스는 예컨대 LLWBel= 0.236㎟의 요구되는 광 가이드값의 31%를 나타낸다.
파동기-소스에 대한 광 가이드값, 즉 라그랑즈 광학 불변수 또는 에텐두는 단순화된 모델에 따라 균일한 표면 빔의 가정하에
직경 Φ = 1.0㎜, 구경 NAand= 0.001,
NAand= 0.001에 따라
로 평가될 수 있다.
상기 평가로부터 알 수 있는 바와 같이, 파동기 소스의 광 가이드값은 요구되는 광 가이드값에 비해 훨씬 작다.
광 가이드값을 높이기 위해 US 5,512,759호에는 싱크로트론-광소스를 갖춘 조명 장치가 공지되어 있으며, 상기 장치는 싱크로트론-광소스로부터 방사된 광선을 수집하여 링형태의 광선으로 형성하는 다수의 수집 미러를 갖춘 집광기를 포함하고, 상기 링형태의 광선은 링형태로 조명될 필드와 대응된다. 그럼으로써 링형태의 필드가 매우 균일하게 조명된다. 싱크로트론-광소스는 방사 평면에서 〉 100mrad의 광편차를 갖는다.
US 5,439,781호는, 광 가이드값, 즉 라그랑즈 광학 불변수가 분산 유리의 도움으로 대물렌즈의 입사동내에서 조절되는 싱크로트론-광소스를 갖춘 조명 장치를 보여주며, 상기 장치에서 분산 유리는 다수의 피라미드 형태 구조물을 가질 수 있다. US 5,439,781호에서도 또한 싱크로트론-광소스는 〉 100mrad의 광편차를 갖는다. 싱크로트론-광선은 US 5,439,781호에서도 예를 들어 콜렉터 미러의 도움으로 다발로 묶여진다.
전술한 전체 간행물(US 5,512,759호, US 5,439,781호)의 공개 내용은 본 출원서의 공개 내용에 포함되어 있다.
본 발명의 목적은, 물체 평면 또는 레티클 평면에서 요구되는 광 가이드값을 갖는, 간단하게 구성된 장치를 제공하는 것이다.
도 1 은 다수의 광원의 광이 가산 방법에 따라 오버랩되는 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 도면.
도 2 는 등변 피라미드상에 배치된 필드 하니콤 플레이트의 배치를 도시한 개략도.
도 3 은 도 1에 따른 장치의 사출동의 조명 방식을 도시한 개략도.
도 4 는 3개, 4개, 5개 및 6개의 소스가 결합된 경우의 사출동의 조명 방식을 도시한 개략도.
도 5 는 다수의 광원의 광이 가산 방법에 따라 초평면에서 결합되는 본 발명의 제 2 실시예를 도시한 도면.
도 6 은 다수의 광원의 광이 믹싱 방법에 따라 초평면에서 결합되는 본 발명의 제 3 실시예를 도시한 도면.
도 7 은 도 6 에 따른 장치의 필드 하니콤 플레이트상에 배치된 필드 하니콤의 배치를 도시한 개략도.
도 8 은 도 6 에 따른 장치에서 초평면에 배치된 2차 광원을 도시한 개략도.
도 9 는 퓨필 하니콤이 그 에지상에 있는 다수의 피라미드를 갖는 도 6 에 따른 장치의 퓨필 하니콤 플레이트의 단면도.
도 10 은 다수의 광원의 광이 투영 퓨필 하니콤의 도움으로 믹싱 방법에 따라 초평면에서 결합되는 본 발명의 제 4 실시예를 도시한 도면.
도 11 은 세그먼트 방법에 따라 작동되는 장치에서 퓨필 하니콤 플레이트의 세그먼트의 조명 방식을 도시한 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 간단한 설명 *
1.1, 1,2 : 광원 2.1, 2.2 : 콜렉터 미러
4.1, 4.2 : 필드 하니콤 플레이트 6 : 2차 광원
9 : 레티클 평면 10.1, 10.2 : 부분 장치
20.1, 20.2, 20.3, 20.4 : 피라미드의 측면
22.1, 22.2, 22.3, 22.4 : 조명된 표면
30.1, 30.2, 30.3, 30.4 : 원형의 부분 퓨필
상기 목적은 전술한 방식의 장치에서, 조명 장치의 사출동을 예정된 충전율까지 조명하기 위해서 다수의 광원들이 서로 결합됨으로써 달성된다.
다수의 광원들의 결합은 동시에 강도의 상승을 야기한다. 다수의 광원의 결합은, 결합된 소스들의 전체 광 가이드값이 조명 장치(LLWBel)의 광 가이드값 보다 더 작은 경우에는 언제든지 가능하다.
결합을 위한 가능성은 원칙적으로 3가지로 구분된다:
1. 가산 방법 : 동일한 혹은 유사한 조명 장치들이 장치축을 중심으로 분배 배치된다. 이 방법에서 조명 장치의 사출동은 오버랩되어서는 안되는 부분 장치의 원형 퓨필에 의해서 조명된다. 부분 퓨필들은 물체 또는 레티클상에서 광다발을 중첩시키는 피라미드 형태의 단일 결합 미러의 측면상에 배치된다.
2. 믹싱 방법 : 이 경우에는 각각의 부분 장치들이 조명 장치의 전체 사출동을 조명하지만, 2차 광원 사이에는 광이 없는 영역이 형성된다. 2차 광원의 개별 격자들은 오버랩시 퓨필을 균일하게 채우기 위해서 변위 배치된다. 결합될 미러는 하니콤 플레이트로 구성되며, 상기 플레이트의 하니콤들은 피라미드 형상을 갖는다. 이 경우 개별 하니콤 피라미드의 각각의 측면은 2차 광원에 의해서 조명된다.
3. 세그먼트 방법 : 가산 방법과 유사하다. 가산 방법과 다른 점은, 사출동의 원형 단면 대신에 광선을 상응하게 조종함으로써 임의적으로 형성된 세그먼트가 조명된다.
적어도 전술한 방법들 중에서 하나의 방법이 사용되는 본 발명의 바람직한 실시예들은 종속항의 대상이다.
본 발명은 도면을 참조하여 하기에서 자세히 설명된다.
도 1에는 광원들이 가산 방법에 따라 서로 결합된 장치의 구조가 도시되어 있다. 본 발명에서는 광원(1.1, 1.2)으로서 소스 직경이 작은 광원, 특히 레이저-플라즈마-소스가 인용된다.
EUV-조명 장치의 원리적인 구성에 대해서는, "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 3월 2일에 접수된 관련 출원서 EP 99106348.8호, "EUV-리소그래피용 조광 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 US-시리얼 번호 09/305,017 호 및 공개 내용이 대부분 본 출원서에 포함되어 있다고 출원인이 증명하고 "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 PCT/EP 99/02999가 인용된다.
각각의 부분 장치(10.1, 10.2)는 전반적으로 동일하게 구성되었고, 광원(1.1, 1.2), 콜렉터 미러(2.1, 2.2) 및 필드 하니콤 플레이트(4.1, 4.2)를 포함한다.
개별 소스의 광은 해당 콜렉터 미러의 도움으로 수집되어 수평 또는 수렴적인 광다발로 변환된다. 개별 필드 하니콤 플레이트(4.1, 4.2)의 필드 하니콤들은 상기 광다발을 분리하여 조명 장치의 초평면에서 2차 광원(6)을 형성한다. 상기 2차 광원은 도시되지 않은 필드 렌즈 및 필드 미러를 통해서 대물렌즈의 입사동인 조명 장치의 사출동 내부로 투영된다. 필드 하니콤 플레이트의 필드 하니콤은, 필드 하니콤의 상들이 레티클 평면(9)에서 서로 오버랩되도록 정렬 및 배치된다.
상기 장치들은 필드 하니콤 플레이트의 소정 장소에서 결합된다. 필드 하니콤 플레이트는 피라미드상에 배치되어 있으며, 상기 피라미드의 측면 개수는 결합된 부분 장치의 개수와 일치한다. 피라미드 측면의 경사각은, 부분 장치의 필드 조명이 레티클 평면(9)에서 발견되는 방식으로 선택된다.
부분 장치들(10.1, 10.2)은, 상기 장치의 부분 퓨필이 조명 장치의 초평면을 최상으로 채우는 방식으로 배치된다.
도시된 실시예에서 부분 장치들은, 이 장치들이 공통의 장치축(system axis)을 갖도록 방향 설정된다. 그러면 부분 장치들의 각도 간격이 360°/장치 개수에 달하게 된다.
4개의 부분 장치들을 위해서 도 2에는, 4개 측면(20.1, 20.2, 20.3, 20.4) 중에서 조명된 표면(22.1, 22.2, 22.3, 22.4)의 영역에 하나의 부분 장치마다 각각 하나의 필드 하니콤 플레이트가 배치된 피라미드의 조명 방식이 도시되어 있다.
필드 하니콤들은, 상들이 레티클 평면(9)에서 서로 오버랩되도록 정렬 및 배치된다. 피라미드면(20.1, 20.2, 20.3, 20.4)의 경사각은, 부분 장치들의 필드 조명이 레티클 평면에서 발견되도록 선택된다.
초평면에서의 조명은 도 3에 도시된 바와 같이 4개의 원형 부분 퓨필(30.1, 30.2, 30.3, 30.4)에 의해서 이루어지며, 상기 부분 퓨필들은 재차 필드 하니콤 플레이트의 다면체화(facetting)에 상응하게 소수의 2차 광원(6)으로 분할된다.
도 3에서 전체 장치의 구경은 NA대물렌즈= 0.025이고, 부분 장치의 구경은 NA부분 장치= 0.0104이다.
결합된 부분 장치의 개수에 따라 도 5에 도시된 부분 퓨필(30.1, 30.2, 30.3, 30.4, 30.5, 30.6)의 배치 및 대칭 상태를 상상할 수 있다.
부분 장치의 조리개의 허용 직경은 초평면에서의 대물렌즈의 전체 구경(NA대물렌즈) 및 부분 장치의 개수로부터 얻어진다.
개별 부분 장치들의 퓨필이 채워진 경우에는 퓨필이 η%까지 최대로 조명될 수 있다.
하기 표는 NA부분 장치및 NA대물렌즈= 0.025에 대한 충전 팩터(η)를 보여준다.
상기 표로부터, 부분 장치가 4개이고 NA대물렌즈= 0.025인 경우에 가산 방법으로 최대로 달성될 수 있는 충전 팩터는 η최대 0.7임을 알 수 있다. 2차 조건으로서는, 결합된 소스의 전체 광값이 장치의 광 가이드값(LLWBel= σ최대·LLW대물렌즈)을 초과하지 않아야 한다는 것이다. 즉, 항상 하기의 식이 성립된다.
도 5에는, 광원(50.1, 50.2)으로서 예컨대 무시할 수 없는 소스 직경을 갖는 핀치-플라즈마-소스가 사용되는 본 발명의 제 2 실시예가 도시되어 있다.
핀치-플라즈마-소스를 갖는 부분-조명 장치는 광원(50.1, 50.2) 및 광을 수집하여 필드 하니콤 플레이트(54.1, 54.2) 내부로 조명시키는 콜렉터 미러(52.1, 52.2)를 포함한다. 필드 하니콤 플레이트의 필드 하니콤들은 2차 광원을 형성한다. 2차 광원의 소정 장소 중에서 퓨필 하니콤 플레이트상에는 퓨필 하니콤이 배치되어 있다. 퓨필 하니콤 플레이트의 필드 하니콤들은 필드를 형성하는 기능을 하고, 퓨필 하니콤 플레이트의 퓨필 하니콤들은 필드 하니콤들을 레티클 평면 내부로 정확하게 투영하는 기능을 한다. 바람직한 것은, 각각의 필드 하니콤에 하나의 퓨필 하니콤이 할당되는 것이다. 필드 하니콤에서의 반사에 의해 광은 퓨필 하니콤 플레이트(56.1, 56.2)의 개별 퓨필 하니콤까지 가이드되고, 그곳으로부터 레티클까지, 예를 들어 물체(58)까지 가이드된다.
상기 장치들은 퓨필 하니콤 플레이트의 소정 장소에서 결합된다. 퓨필 하니콤 플레이트는, 측면 개수가 결합된 부분 장치들의 개수와 일치하는 피라미드상에 배치되어 있다. 피라미드 측면의 경사각은, 부분 장치의 필드 조명이 레티클 평면에서 발견되는 방식으로 선택된다.
부분 장치들이 하나의 공통 장치축을 가지면, 부분 장치들의 각도 간격은 360°/장치 개수에 달하고, 부분 장치들의 퓨필 하니콤 플레이트는 바람직하게 도 2에 도시된 바와 같이 하나의 피라미드의 측면상에 배치된다.
결합시에 가산 방법의 장점은, 동일한 또는 유사한 조명 장치들이 결합될 수 있다는 점이다. 부분 장치들의 하니콤 플레이트는 분리될 수 있고, 따라서 별도로 제조될 수 있다.
가산 방법에서는, 개별 소스의 강도차가 퓨필의 조명으로 직접 전달되고, 그럼으로써 결과적으로 부분 퓨필의 강도가 소스 출력에 의해 제공되도록 주의해야 한다.
2차 광원이 퓨필 평면에서 믹싱되는 경우, 초평면에서의 강도의 분배는 개별 소스의 강도와 무관한다. 이러한 방법은 하기에서 믹싱 방법으로도 표기된다.
가산 방법에서는 개별 소스의 광다발이 초평면 다음에서 비로서 침투되는 반면, 믹싱 방법에서는 광다발이 초평면에서 오버랩된다. 이 경우 개별 부분 장치의 최대 구경은 대물렌즈 구경의 원하는 충전율에 매칭된다. 가산 방법에서와 유사하게, 동일하게 구성된 장치들이 개별 소스를 위해서 결합될 수 있다. 상기 장치들은 공통의 장치축을 중심으로 균일하게 배치되어 있다. 상기 장치들은 2차 광원의 평면에서 결합된다.
도 6에는, 다수의 광원을 결합하기 위한 믹싱 방법을 토대로 하는 조명 장치가 도시되어 있다.
광원으로서는 재차 레이저-플라즈마-소스가 사용된다. 도 5에서와 동일한 부품들에는 동일한 도면 부호를 제공하였다. 예를 들어 도 5와 다른 것은, 다수의 피라미드로 분할되는 단 하나의 플레이트(100)가 제공된다는 점이다. 퓨필 하니콤 플레이트는 필드 하니콤에 의해서 형성되는 2차 광원의 소정 장소에 배치되어 있다. 다수의 피라미드의 개별 에지에는 2차 광원이 하나씩 배치될 수 있다.
도 7에 따른 개략도는 필드 하니콤 플레이트(102)상에 통상적으로 배치된 필드 하니콤(110)의 배치를 보여준다. 필드 하니콤은 초평면에서 2차 광원의 격자를 형성하며, 상기 격자가 초평면에 분배된 상태는 필드 하니콤의 배치와 일치한다.
부분 장치의 이동에 의해서는 도 8에 도시된 바와 같이, 부분 장치의 개수에 상응하게 2차 광원의 격자가 서로 나란히 배치될 수 있다.
4개의 소스가 결합된 경우에는 도 8에 따른 개략도에 도시된 2차 광원(6)의 배치가 나타난다. 4개의 부분 장치를 정확하게 오버랩하기 위해서, 광다발이 레티클 평면에서 오버랩될 정도로 에지가 기울어져 있는 반사 피라미드상에 각각의 2차 광원 세트가 배치된다. 도 9에 따른 개략도는 퓨필 하니콤 플레이트의 단면을 보여준다. 등변 피라미드(106)의 에지로부터 형성되는 소수의 퓨필 하니콤(104)을 분명하게 볼 수 있다.
개별 소스의 광 가이드값(LLW)이 작으면, 퓨필 하니콤이 평탄 미러로서 설계된다. 즉, 등변 피라미드(106)의 에지가 평탄하게 형성된다.
예를 들어 핀치-플라즈마-소스와 같이 무시할 수 없는 직경을 갖는 소스에서는 퓨필 하니콤(104)이 필드 하니콤을 물체 평면 내부로, 예컨대 레티클 평면 내부로 투영시켜야 한다. 이와 같은 경우에는 피라미드 에지 내부로 수집 미러면(108)이 통합된다.
도 10에 따른 개략도는, 상기 방식의 퓨필 하니콤을 갖는 하나의 퓨필 하니콤 플레이트와 다수의 핀치-플라즈마-소스가 결합된 장치를 보여준다. 도 6에서와 동일한 부품들에는 동일한 도면 부호를 제공하였다.
도 5 내지 도 10에 도시된 실시예들은 결합된 4개의 소스를 위해 설계되었다. 그러나 동일한 방법이 3개, 5개, 6개 또는 그 이상의 소스에도 적용될 수 있다. 그 경우 격자의 이동은, 2차 광원이 피라미드의 측면상에 배치될 수 있도록 이루어져야 한다. 퓨필의 충전율은 가산 방법에서와 유사하게 제한된다.
믹싱 방법의 장점은, 개별 소스가 퓨필 평면에서 믹싱되다는 점이다. 소스의 강도 변경은 불균일한 퓨필 조명에서는 나타나지 않는다. 또한, 장치 퓨필은 더 균일하게 2차 광원으로 채워질 수 있다.
다수의 광원을 결합시키는 제 3방법으로서 세그먼트 방법이 기술된다.
세그먼트 방법은 가산 방법과 비슷하게 이루어진다. 결합된 조명 장치들은 공통의 장치축을 중심으로 균일하게 분배된다. 이 경우 초평면에서는 충전용 세그먼트가 각각의 부분 장치에 할당된다. 가산 방법에서와 같이 상기 세그먼트를 원으로 채우는 대신, 필드 하니콤 플레이트상에 필드 하니콤을 정렬시킴으로써 세그먼트를 균일하게 채울 수 있다. 도 11은, 4개의 소스가 결합된 경우에 장치 퓨필(202)의 하나의 세그먼트(200)의 조명 방식을 보여준다.
개별 광다발들이 레티클 평면내에서 재차 정확하게 오버랩되도록 하기 위해, 2차 광원의 소정 장소에는 퓨필 하니콤이 제공되어야 하며, 상기 퓨필 하니콤은 광다발이 레티클 평면에서 오버랩되도록 상기 광다발을 편향시킨다. 소스의 크기에 따라 퓨필 하니콤이 평탄하게 설계되거나 혹은 수집 작용을 하게 된다.
그럼으로써, 필드 하니콤 및 퓨필 하니콤이 개별적으로 및 대칭없이 기울어진다.
세그먼트 방법의 장점은, 필드 하니콤 및 퓨필 하니콤을 쌍으로 기울어지게 함으로써, 초평면을 2차 광원(6)으로 최상으로 채울 수 있다는 점이다.
전술한 모든 실시예의 조명 장치에서 격자 소자를 갖는 렌즈 및 미러 뒤에 배치된 광학 소자들은 도시되어 있지 않지만, 예를 들어 링형 필드의 필드를 형성하기 위해서는 격자 소자를 갖는 렌즈 및 미러 뒤에 배치된 필드 렌즈 또는 필드 미러가 레티클 평면에 제공될 수 밖에 없다는 사실이 전문가에게 공지되어 있다. 이와 관련하여, EUV-조명 장치의 원리적인 구성에 대해서는, "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 3월 2일에 접수된 관련 출원서 EP 99106348.8호, "EUV-리소그래피용 조광 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 US-시리얼 번호 09/305,017호 및 공개 내용이 대부분 본 출원서에 포함되어 있다고 출원인이 증명하고 "EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 접수된 PCT/EP 99/02999가 인용된다.
본 발명에 의해, 물체 평면 또는 레티클 평면에서 요구되는 광 가이드값을 갖는, 간단하게 구성된 장치를 제공할 수 있게 되었다.

Claims (37)

  1. 다수의 광원,다수의 격자 소자로 분할되는 다수의 미러를 갖는 2차 광원을 형성하기 위한 미러 장치를 포함하는, 파장이 ≤ 193nm인 EUV-리소그래피용 조명 장치에 있어서,
    조명 장치의 사출동을 예정된 충전율까지 조명시키기 위해서 상기 다수의 광원이 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    2차 광원을 형성하기 위한 상기 미러 장치의 미러들이 필드를 형성하기 위한 격자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    격자 소자를 갖는 상기 다수의 미러가 필드 하니콤 플레이트로 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    격자 소자의 상들이 물체 평면 또는 격자 평면에서 오버랩되는 방식으로, 상기 격자 소자들이 필드 하니콤 플레이트상에 배치 및 정렬되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    각각의 필드 하니콤 플레이트상에 있는 격자 소자의 개수가 동일한 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  6. 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필드 하니콤 플레이트가 하나의 피라미드상에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 피라미드의 측면의 개수는 결합된 광원의 개수와 일치하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    결합 소자는, 필드 하니콤 플레이트용 지지체로서 이용되는 피라미드인 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  9. 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    필드 하니콤 플레이트의 격자 소자의 상들이 레티클 평면에서 오버랩되는 방식으로, 상기 피라미드의 측면들이 정렬되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    격자 소자를 갖는 적어도 하나의 미러를 갖춘 추가 미러 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 추가의 미러 장치가 격자 소자를 갖는 다수의 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 추가의 미러 장치가 2차 광원의 소정 장소에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  13. 제 10항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 격자 소자가 퓨필 하니콤인 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 퓨필 하니콤이 퓨필 하니콤 플레이트상에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 퓨필 하니콤이 하나의 피라미드상에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 피라미드의 측면의 개수가 결합된 광원의 개수와 일치하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 결합 소자는, 퓨필 하니콤 플레이트용 지지체로서 이용되는 피라미드인 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    필드 하니콤 플레이트의 격자 소자의 상들이 레티클 평면에서 오버랩되는 방식으로, 상기 피라미드의 측면들이 정렬되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  19. 제 10항에 있어서,
    상기 추가의 미러 장치가 격자 소자를 갖는 정확하게 하나의 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 추가의 미러 장치가 2차 광원의 소정 장소에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  21. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 격자 소자가 퓨필 하니콤이고, 개별 2차 광원의 소정 장소에 하나의 퓨필 하니콤이 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    개별 퓨필 하니콤이 하나의 피라미드상에 배치되며, 각각의 피라미드 에지에는 단 하나의 2차 광원만이 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 피라미드의 측면의 개수가 광원의 개수와 일치하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  24. 제 21항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 퓨필 하니콤이 피라미드 에지상에 하나의 수집 미러면을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  25. 제 21항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피라미드면이 평탄한 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  26. 제 25항에 있어서,
    필드 하니콤 플레이트의 격자 소자의 상들이 레티클 평면에서 오버랩되는 방식으로, 상기 피라미드의 측면들이 정렬되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  27. 제 3항에 있어서,
    조명 장치의 초평면에 있는 세그먼트가 2차 광원으로 균일하게 채워지는 방식으로, 상기 필드 하니콤이 필드 하니콤 플레이트상에서 분배 및 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  28. 제 27항에 있어서,
    격자 소자를 갖는 미러를 포함하는 추가의 미러 장치가 2차 광원의 소정 장소에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 추가 미러 장치의 격자 소자는 퓨필 하니콤인 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 퓨필 하니콤이 평탄하게 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  31. 제 29항에 있어서,
    상기 퓨필 하니콤이 수집 작용을 하는 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  32. 제 27항 내지 제 31항 중 어느 한 항에 있어서,
    필드 하니콤의 상들이 레티클 평면에서 오버랩되는 방식으로, 퓨필 하니콤이 분배 및 기울어져 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  33. 제 1항 내지 제 32항 중 어느 한 항에 있어서,
    격자 소자를 갖는 미러 또는 렌즈를 갖춘 다수의 미러 장치들 또는 미러 장치 뒤에 광학 소자들이 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  34. 제 33항에 있어서,
    상기 광학 소자들이 필드를 형성하기 위한 필드 렌즈 또는 필드 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
  35. 제 1항 내지 제 34항 중 어느 한 항에 따른 조명 장치를 갖춘 EUV-투영 조명 장치에 있어서,
    지지체상에 마스크, 투영 대물렌즈 및 광에 민감한 물체를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV-투영 조명 장치.
  36. 제 35항에 있어서,
    스캐닝-장치로 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV-투영 조명 장치.
  37. 제 33항 또는 제 34항에 따른 투영 조명 장치를 갖춘 마이크로 전자 부품을 제조하기 위한 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160039917A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 삼성전자주식회사 광대역 광원 및 이를 구비하는 광학 검사장치

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3193634B2 (ja) * 1996-05-29 2001-07-30 第一化学薬品株式会社 Ｌｄｌコレステロールの定量方法
DE19935404A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-01 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen
US6947124B2 (en) * 1998-05-05 2005-09-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
USRE42065E1 (en) * 1998-05-05 2011-01-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7142285B2 (en) * 1998-05-05 2006-11-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US6859515B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
US6947120B2 (en) * 1998-05-05 2005-09-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7329886B2 (en) 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
WO2002093260A1 (fr) * 2001-05-11 2002-11-21 Nikon Corporation Masque et procede de production associe, element optique et procede de production associe, dispositif optique d'eclairage fourni avec ledit element optique et systeme d'exposition
JP4174195B2 (ja) * 2001-05-28 2008-10-29 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2003185798A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Nikon Corp 軟ｘ線光源装置およびｅｕｖ露光装置ならびに照明方法
US7002164B2 (en) * 2003-01-08 2006-02-21 Intel Corporation Source multiplexing in lithography
JP2004273245A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Canon Inc 擬似太陽光照射方法および装置
WO2004088413A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Sanyo Electric Co . Ltd 光混合部材及び多灯式照明装置及び投写型映像表示装置
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
EP1500981A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6774366B1 (en) * 2003-08-07 2004-08-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Image integration and multiple laser source projection
US7481544B2 (en) 2004-03-05 2009-01-27 Optical Research Associates Grazing incidence relays
US7277158B2 (en) * 2004-12-02 2007-10-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004063832B4 (de) 2004-12-29 2010-02-11 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung eines gepulsten Laserstrahls hoher Durchschnittsleistung
US7331676B2 (en) * 2005-02-09 2008-02-19 Coherent, Inc. Apparatus for projecting a reduced image of a photomask using a schwarzschild objective
US7405809B2 (en) * 2005-03-21 2008-07-29 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7638780B2 (en) * 2005-06-28 2009-12-29 Eastman Kodak Company UV cure equipment with combined light path
JP2007150295A (ja) * 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
TWI285785B (en) * 2005-11-23 2007-08-21 Benq Corp Light source apparatus for optical projection system
JP4749299B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2008101664A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Carl Zeiss Smt Ag Optical element with multiple primary light sources
US9475611B2 (en) 2007-04-19 2016-10-25 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having interface vents opening to the atmosphere at location adjacent to bag's mouth, preform for making it; and processes for producing the preform and bag-in-container
US20080258356A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container comprising an inner layer and an outer layer comprising energy absorbing additives, and preform for making it
US20080259298A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080257883A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having an inner layer and the outer layer made of the same material and preform for making it
GB2457296A (en) * 2008-02-09 2009-08-12 Apticol Ltd Optical device e.g. radiant-power-transferring light engine
US20100149669A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-17 Nikon Corporation Method and Apparatus for Combining EUV Sources
CH701854A1 (fr) * 2009-09-17 2011-03-31 Pasan Sa Dispositif d'éclairage pour l'obtention d'un champ uniformément éclairé.
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
KR102291997B1 (ko) 2012-03-09 2021-08-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그래피용 조명 옵틱스 및 이러한 조명 옵틱스를 갖는 광학 시스템
DE102012203716A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US8749179B2 (en) * 2012-08-14 2014-06-10 Kla-Tencor Corporation Optical characterization systems employing compact synchrotron radiation sources
DE102012218105A1 (de) 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Einkopplung von Beleuchtungsstrahlung in eine Beleuchtungsoptik
US9277634B2 (en) * 2013-01-17 2016-03-01 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for multiplexed multiple discharge plasma produced sources
DE102013204443A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zur Lichtleitwerterhöhung
DE102013223935A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
JP6498680B2 (ja) * 2014-01-27 2019-04-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源
DE102014221313A1 (de) 2014-10-21 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtung für die EUV-Projektionslithografie
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102014226918A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
TWI701517B (zh) 2014-12-23 2020-08-11 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 光學構件
DE102014226920A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102014226921A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlungsquellenmodul
DE102015212878A1 (de) 2015-07-09 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsvorrichtung
DE102015215216A1 (de) 2015-08-10 2017-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System
DE102015220955A1 (de) 2015-10-27 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
US10890849B2 (en) 2016-05-19 2021-01-12 Nikon Corporation EUV lithography system for dense line patterning
DE102016217426A1 (de) 2016-09-13 2017-08-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlteiler
DE102018212224A1 (de) 2018-07-23 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Rückkopplung von emittierter Strahlung in eine Laserquelle
WO2024052300A1 (en) * 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system, radiation source apparatus, method for illuminating a reticle, and lithography system

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4195913A (en) 1977-11-09 1980-04-01 Spawr Optical Research, Inc. Optical integration with screw supports
DE2910280C2 (de) 1978-03-18 1993-10-28 Canon Kk Optische Abbildungssysteme
US4458302A (en) 1981-06-03 1984-07-03 Hitachi, Ltd. Reflection type optical focusing apparatus
US4389115A (en) 1981-08-06 1983-06-21 Richter Thomas A Optical system
US4688932A (en) 1985-02-12 1987-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US4651012A (en) 1985-03-21 1987-03-17 Martin Marietta Corporation High brilliance lensless projection system of test patterns
US5148442A (en) 1986-09-30 1992-09-15 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Dye lasing arrangement including an optical assembly for altering the cross-section of its pumping beam and method
US4740276A (en) 1987-05-08 1988-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of cooled faceplate segmented aperture mirrors (SAM) by electroforming
US4996441A (en) 1988-09-16 1991-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Lithographic apparatus for structuring a subject
NL8901077A (nl) 1989-04-28 1990-11-16 Koninkl Philips Electronics Nv Optische belichtingsstelsel en projectie-apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
US5071240A (en) 1989-09-14 1991-12-10 Nikon Corporation Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image
US5222112A (en) 1990-12-27 1993-06-22 Hitachi, Ltd. X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system
US5402267A (en) 1991-02-08 1995-03-28 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric reduction objective
JP2997351B2 (ja) * 1991-08-12 2000-01-11 旭光学工業株式会社 照明光学装置
US5353322A (en) 1992-05-05 1994-10-04 Tropel Corporation Lens system for X-ray projection lithography camera
JP2946950B2 (ja) 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
US6404482B1 (en) * 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP2698521B2 (ja) 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
SK277928B6 (en) 1992-12-21 1995-08-09 Miroslav Hanecka Lighting system for lighting fittings, projecting and enlargement mechanism
JP2655465B2 (ja) 1993-01-20 1997-09-17 日本電気株式会社 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
JP3336664B2 (ja) 1993-03-10 2002-10-21 セイコーエプソン株式会社 投写型表示装置
US5815248A (en) * 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
US5439781A (en) * 1993-05-10 1995-08-08 At&T Corp. Device fabrication entailing synchrotron radiation
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5677939A (en) 1994-02-23 1997-10-14 Nikon Corporation Illuminating apparatus
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH08179514A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Canon Inc 露光装置および露光方法
JPH08179216A (ja) 1994-12-27 1996-07-12 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3630807B2 (ja) 1994-12-28 2005-03-23 キヤノン株式会社 走査露光装置及び当該走査露光装置を用いたデバイスの製造方法
JPH08211294A (ja) 1995-02-02 1996-08-20 Nikon Corp 投影露光装置
US5512759A (en) 1995-06-06 1996-04-30 Sweatt; William C. Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
US5755503A (en) 1995-11-13 1998-05-26 Industrial Technology Research Institute Optical illumination system having improved efficiency and uniformity and projection instrument comprising such a system
US5737137A (en) 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
JP3862347B2 (ja) 1996-04-11 2006-12-27 キヤノン株式会社 Ｘ線縮小露光装置およびこれを利用したデバイス製造方法
JP3284045B2 (ja) 1996-04-30 2002-05-20 キヤノン株式会社 Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法
US5963305A (en) 1996-09-12 1999-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and exposure apparatus
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
JP3259657B2 (ja) 1997-04-30 2002-02-25 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6064072A (en) * 1997-05-12 2000-05-16 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6233039B1 (en) * 1997-06-05 2001-05-15 Texas Instruments Incorporated Optical illumination system and associated exposure apparatus
JP3888486B2 (ja) * 1997-07-25 2007-03-07 フジノン株式会社 投射型表示装置
JPH1152289A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Minolta Co Ltd 二次元照明光学系及びこれを用いた液晶プロジェクター
WO1999025009A1 (fr) * 1997-11-10 1999-05-20 Nikon Corporation Dispositif d'insolation
JP2000091209A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
JPH11251226A (ja) 1998-03-05 1999-09-17 Nikon Corp Ｘ線投影露光装置
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH11316353A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Fuji Photo Optical Co Ltd 投射型表示装置
EP0955641B1 (de) * 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
DE19935404A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-01 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
US6583937B1 (en) 1998-11-30 2003-06-24 Carl-Zeiss Stiftung Illuminating system of a microlithographic projection exposure arrangement
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
JP2000349009A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Nikon Corp 露光方法及び装置
DE19931848A1 (de) 1999-07-09 2001-01-11 Zeiss Carl Fa Astigmatische Komponenten zur Reduzierung des Wabenaspektverhältnisses bei EUV-Beleuchtungssystemen
DE10001291A1 (de) * 2000-01-14 2001-07-19 Zeiss Carl Adaptronischer Spiegel
US6396068B1 (en) * 2000-10-02 2002-05-28 Euv Llc Illumination system having a plurality of movable sources

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160039917A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 삼성전자주식회사 광대역 광원 및 이를 구비하는 광학 검사장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1072957B1 (de) 2006-12-27
US6570168B1 (en) 2003-05-27
DE19935404A1 (de) 2001-02-01
US20040036037A1 (en) 2004-02-26
JP2001068410A (ja) 2001-03-16
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KR100785824B1 (ko) 2007-12-13
EP1072957A3 (de) 2005-03-02

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