KR100842426B1 - 조명이 가변 세팅되는 조명 시스템 - Google Patents

조명이 가변 세팅되는 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR100842426B1
KR100842426B1 KR1020010066387A KR20010066387A KR100842426B1 KR 100842426 B1 KR100842426 B1 KR 100842426B1 KR 1020010066387 A KR1020010066387 A KR 1020010066387A KR 20010066387 A KR20010066387 A KR 20010066387A KR 100842426 B1 KR100842426 B1 KR 100842426B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
members
optical
optical member
raster
reflective raster
Prior art date
Application number
KR1020010066387A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020033081A (ko
Inventor
볼프강 싱거
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 아게 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 아게
Publication of KR20020033081A publication Critical patent/KR20020033081A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100842426B1 publication Critical patent/KR100842426B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70083Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70166Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00Irradiation devices
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00Irradiation devices
    • G21K5/04Irradiation devices with beam-forming means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 광원, 물체 평면, 출사동, 상기 광원에 의해 조명되며 상기 광원으로부터 입사되는 광선속을 광 채널로 분할하는, 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재, 및 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재들을 포함하고, 상기 제 1 광학 부재의 래스터 부재에 의해 형성된 각각의 광 채널에는 제 2 광학 부재의 래스터 부재가 할당되며, 상기 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재의 래스터 부재들이 각각 광 채널에 할당되고, 상기 래스터 부재는 각각의 광 채널에 대해 광원으로부터 물체 평면까지 통과하는 광선이 주어지도록 형성 또는 배치되는 파장 ≤193 nm, 특히 EUV-리소그래피용 조명 시스템에 있어서, 상기 할당은 제 1 및 제 2 광학 부재의 래스터 부재의 할당에 의해 조명 시스템의 출사동에 예정된 조명이 세팅되도록 조작될 수 있는 것을 특징으로 한다.
광원, 출사동, 래스터 부재, 광학 부재, 파싯 거울, 콜렉터 유닛

Description

조명이 가변 세팅되는 조명 시스템 {ILLUMINATION SYSTEM WITH VARIABLE SETTING ILLUMINATION}
도 1은 래스터 부재를 가진 2개의 광학 부재를 포함하는 시스템의 광로를 나타낸 개략도.
도 2a 및 2b는 중앙 허니콤 쌍의 필드 및 개구 조리개 결상을 나타낸 개략도.
도 3은 콜렉터 유닛 및 래스터 부재를 가진 2개의 거울을 포함하는 시스템의 광로를 나타낸 개략도.
도 4a 및 4b는 2개의 상이한 조명을 얻기 위해, 제 1 렌즈 상에 제 1 배치 및 제 2 배치로 배치된 래스터 부재들을 가진 2개의 렌즈를 포함하는 굴절 시스템의 광로를 나타낸 개략도.
도 5a 및 5b는 제 1 거울 상에 제 1 배치 및 제 2 배치로 배치된 래스터 부재들을 가진 2개의 거울을 포함하는 굴절 시스템의 광로를 나타낸 개략도.
도 6a는 72 필드 허니콤을 가진 필드 허니콤 플레이트의 평면도.
도 6b1은 원형 조명 시 200 개구 조리개 허니콤을 가진 본 발명에 따른 개구 조리개 허니콤 플레이트의 평면도.
도 6b2는 링형 조명 시 200 개구 조리개 허니콤을 가진 본 발명에 따른 개구 조리개 허니콤 플레이트의 평면도.
도 6b3은 4중극 조명 시 200 개구 조리개 허니콤을 가진 본 발명에 따른 개구 조리개 허니콤 플레이트의 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 시스템의 출사동의 원형 조명.
도 8은 본 발명에 따른 시스템의 출사동의 링형 조명.
도 9는 본 발명에 따른 시스템의 출사동의 4중극 조명.
도 10은 본 발명에 따른 조명 시스템을 구비한 EUV-투사 시스템의 구성을 나타낸 개략도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 광원 3: 콜렉터 렌즈
4: 제 1 광학 부재
4.1: 제 1 배치의 래스터 부재들을 가진 제 1 거울
4.2: 제 2 배치의 래스터 부재들을 가진 제 2 거울
5: 필드 허니콤 7: 제 1 허니콤 플레이트
8: 제 2 광학 부재 9: 개구 조리개 허니콤
10: 제 2 허니콤 플레이트 11: 2차 광원
12: 필드 렌즈
12.1, 12.3: 수직 입사 필드 거울
12.2: 스쳐가는 입사 필드 거울
14: 레티클 평면 24: 조명 시스템의 출사동
26: 조명 시스템 33: 분산 부재
35: 2차 광원의 평면 39: 2차 광원의 상
50: 레티클 지지체
60.1, 60.2...: 필드 허니콤 플레이트의 행
100: 대물렌즈의 입사동 102: 투사 대물렌즈
104: 부가의 지지체 시스템 106: 6-거울 투사 대물렌즈
108: 노광될 물체 110: 물체용 지지체 시스템
112.1, 112.2, 112.3, 112.4, 112.5, 112.6: 투사 대물렌즈의 거울
HA: 투사 대물렌즈의 광축
x-방향: 상이한 필드 허니콤 플레이트의 지지체 시스템의 이동 방향
y-방향: 레티클의 스캐닝 방향
본 발명은 청구항 제 1항의 전제부에 따른 조명 시스템, 조명 시스템의 출사동에 조명을 세팅하기 위한 방법 및 상기 방식의 조명 시스템을 구비한 투사 노광 장치에 관한 것이다.
특히 서브 마이크론 범위의 전자 부품의 폭을 더욱 줄이기 위해, 마이크로 리소그래피에 사용되는 빛의 파장이 감소되어야 한다. 193 nm 미만의 파장에서는 예컨대 약한 X선에 의한 리소그래피, 소위 EUV-리소그래피가 가능하다.
EUV-리소그래피에 적합한 조명 시스템은 가급적 적은 반사로 EUV-리소그래피에 주어진 필드, 특히 대물 렌즈의 링 필드를 균일하게 조명해야 하고, 대물렌즈의 개구 조리개가 필드와 무관하게 일정한 충전률 σ까지 조명되어야 하며, 조명 시스템의 출사동이 대물렌즈의 입사동 내에 놓여야 한다.
미국 특허 제 5,339,346 호에는 EUV-광을 사용하는 리소그래피 장치용 조명 시스템이 공지되어 있다. 레티클 평면에서 균일한 조명을 위해 그리고 개구 조리개의 충전을 위해, 미국 특허 제 5,339,346 호는 콜렉터 렌즈로 형성되고, 대칭으로 배치된 적어도 4쌍의 거울 파싯을 포함하는 콘덴서를 제시한다. 광원으로는 플라즈마 광원이 사용된다.
미국 특허 제 5,737,137 호에서는 플라즈마 광원을 갖춘 조명 시스템이 콘덴서 거울을 포함하고, 구면 거울에 의해 조명될 마스크 또는 레티클의 조명이 이루어진다.
미국 특허 제 5,361,292 호에는 플라즈마 광원을 구비한 조명시스템이 공지되어 있으며, 이 조명 시스템에서는 점 형상 플라즈마 광원이 편심에 배치된 5개의 비구면 거울을 포함하는 콘덴서에 의해 링형으로 조명되는 표면에 결상된다. 특별하게 직렬 배치된 일련의 스쳐가는 입사(grazing-incidence) 거울에 의해 링형으로 조명으로 되는 표면이 입사동에 결상된다.
미국 특허 제 5,581,605 호에는 광자 방사기가 허니콤 콘덴서에 의해 다수의 2차 광원으로 분할되는 조명 시스템이 공지되어 있다. 따라서, 레티클 평면에서 균일한 조명이 이루어진다. 레티클을 노광될 웨이퍼 상에 결상하는 것은 종래의 축소 광학 수단에 의해 이루어진다. 조명 광로에는 동일하게 휘어진 부재들을 가진 정확히 하나의 래스터 거울이 제공된다.
유럽 특허 제 0 939 341 호에는 파장 < 200 nm용, 특히 EUV-범위용 쾰러 조명 시스템이 공지되어 있다. 상기 시스템은 다수의 제 1 래스터 부재를 구비한 제 1 광학 적분기, 및 다수의 제 2 래스터 부재를 구비한 제 2 광학 적분기를 포함한다. 출사동에서 조명 분포의 제어는 조리개 휠에 의해 이루어진다. 이것은 현저한 광 손실을 수반한다. 이것에 대한 대안으로서, 4중극-조명 분포를 위해, 광빔을 소오스 후 그리고 제 1 광학 적분기 전에서 4개의 광빔으로 분할하는 것이 제시된다. 유럽 특허 0 939 341 호에 따라 상이하게 적용 가능한 조명이 조리개의 사용 없이 예컨대 교체 가능한 광학 수단에 의해 구현될 수 있다. 이러한 방식의 조명 변동은 한편으로는 매우 복잡하며, 다른 한편으로는 조명의 특정한 형태, 즉 환상 또는 4중극에 국한된다.
독일 특허 제 199 03 807 A1 호에는 래스터 부재를 가진 2개의 거울 또는 렌즈를 포함하는 EUV-조명 시스템이 공지되어 있다. 이러한 방식의 시스템은 2중으로 파싯되는 EUV-조명 시스템이라고도 한다. 상기 출원의 공개 내용을 본 출원에 참고할 수 있다.
독일 특허 제 199 03 807 A1 호에는 2중으로 파싯되는 EUV-조명 시스템의 구성이 도시된다. 독일 특허 제 199 03 807 호에 따른 조명 시스템의 출사동에서의 조명은 제 2 거울 상에 래스터 부재의 배치에 의해 결정된다. 출사동에서 조명의 가변 제어 또는 예정된 조명 분포의 세팅은 독일 특허 제 199 03 807 호에 따라 간단한 조치에 의해 이루어지지 않는다.
본 발명의 목적은 가급적 광 손실 없이 출사동에서 임의의 조명 분포를 가변적으로 세팅할 수 있는, 가급적 간단히 구성된 2중 파싯 조명 시스템, 및 상기 방식의 조명 시스템에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라 예컨대 독일 특허 제 199 03 807 A1 호에 공지된 조명 시스템에 있어서, 광원으로부터 출사동에 이르는 광 채널의 충돌점 변동에 의해 출사동에서 예정된 조명이 세팅됨으로써 달성된다. 출사동에서 이러한 방식의 광 분포 세팅에 의해 임의의 분포가 이루어질 수 있고, 예컨대 조리개를 가진 해결책에서 발생되는 바와 같은 광 손실을 피할 수 있다.
EUV-범위의 파장의 시스템은 순수하게 반사되는, 즉 거울 부품으로만 설계되는 한편, 193 nm 또는 157 nm 시스템은 렌즈 또는 렌즈 어레이와 같은 굴절 부품을 소위 광학 적분기로서 포함한다.
따라서, 본 발명은 193 nm 또는 157 nm 범위에서도 출사동의 조명을 간단한 방식으로 세팅하고 변동시킬 수 있는 조명 시스템을 제공한다.
본 발명에 따른 조명 시스템에 의해 레티클 평면 내의 필드가 균일하게 그리고 부분적으로 충전된 애퍼처로 그리고 조명 시스템의 출사동이 가변적으로 조명된다.
이하, 본 발명에 의해 얻어질 수 있는 출사동의 몇 가지 광 분포를 설명한다.
원형 조명에서, 본 출원에서 대물렌즈 개구 조리개와 일치하는 출사동에서의 광 분포 또는 조명 세팅은 충전 팩터 σ에 의해 정의된다.
충전 팩터:
Figure 112001027680121-pat00001
상기 식에서, r조명은 조명의 반경이고, R대물렌즈애퍼처는 대물렌즈 애퍼처의 반경이다.
정의에 따라 σ= 1.0 이면 대물 렌즈 개구 조리개가 완전히 충전되고, 예컨대 σ= 0.6 이면 부족하게 충전된다.
환상 광 분포에서는 대물렌즈 개구 조리개가 링형으로 조명된다. 그것을 표시하기 위해, σoutin의 하기 정의를 사용할 수 있다:
Figure 112001027680121-pat00002
다른 광 분포는 예컨대 "맨해튼-구조"의 결상을 위한 소위 4중극 조명이다.
본 발명에 따라 2중으로 파싯되는 조명 시스템에서는 전술한 모든 세팅이 동시에 구현될 수 있다. 본 발명의 제 1 실시예에서는 이하 개구 조리개 허니콤이라 하는 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 상에 출사동에서의 모든 조명이 주어진다.
이하 필드 허니콤이라 하는 래스터 부재를 가진 제 1 광학 부재 또는 렌즈의 교체에 의해 또는 제 1 광학 부재의 플레이트 상에서 래스터 부재의 기울어짐 변동에 의해, 특정한 세팅의 또는 4중극 세팅의 개구 조리개 허니콤만이 의도한 바대로 조명될 수 있다. 이것을 위해, 개구 조리개 허니콤이 광원에 따른 필드 허니콤의 조명에 매칭된다. 필드 허니콤과 개구 조리개 허니콤 사이에서 상응하는 기울어짐 각에 의해 또는 래스터 부재들의 프리즘 작용에 의해 필드 허니콤 상에서 입사광 분포가 개구 조리개 허니콤 상의, 그리고 그에 따라 리소그래피 대물렌즈의 입사동 내의 출사광 분포로 분류된다.
본 발명의 다른 실시예에서는 제 2 광학 부재 상에서 모든 세팅이 주어지지 않는다. 이 경우, 조명은 예컨대 제 1 광학 부재와 제 2 광학 부재의 교체에 의해 세팅된다. 상기 교체에 의해, 제 2 광학 부재의 래스터 부재에 대한 제 1 광학 부재의 래스터 부재의 할당에 의해 결정되는 출사동에서의 광 채널의 충돌점 및 그에 따라 출사동에서의 광 분포가 세팅된다.
물론, 다른 실시예에서는 출사동에서의 조명이 제 2 광학 부재의 래스터 부재의 이동 및/또는 기울어짐에 의해 그리고 제 1 광학 부재의 래스터 부재의 기울어짐에 의해 얻어질 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 거울 시스템에 의해 구체적으로 설명하지만, 이로 인해 본 발명이 반사 시스템에만 국한되는 것은 아니다. 반사 시스 템에서, 래스터 부재를 가진 제 1 및 제 2 광학 부재는 파싯된 거울이다. 당업자는 예시된 조치를 굴절 시스템에도 적용할 수 있으므로, 여기서는 구체적으로 설명하지 않는다.
래스터 부재를 가진 2개의 광학 부재를 포함하는 본 발명에 따른 시스템에서, 개구 조리개 허니콤의 형상은 2차 광원의 형상에 매칭되므로 제 1 필드 허니콤의 형상과는 다르다. 광원이 둥글게 형성되면, 개구 조리개 허니콤이 타원형이거나 둥근 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 필드 허니콤 및 개구 조리개 허니콤은 프리즘 작용을 한다. 즉, 이것들은 각각의 개별 허니콤에 의해 주광선을 주어진 각에 따라 편향시킨다.
필드 허니콤은 부가로 등방성 광학 작용을 하고 조명될 필드와 동일한 애스팩트 비를 갖거나 또는 조명될 필드 보다 작은 애스팩트 비를 가지고 이방성 작용을 할 수 있다.
개별 광선속이 필드에서 필드 허니콤과 중첩되게 하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 개구 조리개 허니콤이 개구 조리개 허니콤 플레이트에 대해 기울어질 수 있다.
시스템이 필드 허니콤 플레이트 뒤에 광원의 실제 중간 상을 가진 시스템으로서 구성되면, 개구 조리개 허니콤이 동시에 리소그래피 대물렌즈의 입사동에 광원을 결상하기 위한 필드 렌즈로 사용될 수 있다.
제 1 거울의 래스터 부재, 즉 필드 허니콤, 및 제 2 거울의 래스터 부재, 즉 개구 조리개 허니콤을 통과하는 광선속을 본 출원서에서는 채널이라 한다. 채널의 수 N은 조명된 필드 허니콤의 수에 의해 결정된다.
본 발명의 제 1 실시예에서, 개구 조리개 허니콤 플레이트의 개구 조리개 허니콤의 수 M은 항상 N 보다 큰데, 그 이유는 개구 조리개 허니콤 플레이트 상에 출사동에서 세팅 가능한 모든 조명이 주어지기 때문이다. 이것을 위해, 필드 허니콤 플레이트의 채널의 수로부터 요구되는 것 보다 많은 개구 조리개가 동시에 구현되어야 한다. 이것은 채널 보다 많은 개구 조리개 허니콤이 주어지고, N 채널을 가진 특정 필드 허니콤에 의한 셋팅 시 개구 조리개 허니콤의 일부만이 조명된다는 것을 의미한다. 이로 인해, 개구 조리개의 구획된 또는 분할된 조명이 이루어진다. 이것에 대한 필수 전제 조건은 광원의 도파율 또는 에텐듀(etendue)가 리소그래피 대물렌즈의 그것 보다 작아야 하는 것인데, 그 이유는 그렇지 않으면 출사동의 분할된 조명이 주어지지 않기 때문이다. 따라서, 채널 보다 많은 허니콤을 개구 조리개 평면에 제공하는 것이 불가능하거나 또는 채널을 통한 누화에 의해 광 손실 및 산란 광이 나타날 것이다. 최근에는, EUV-소오스, 예컨대 싱크로트론- 또는 플라즈마-소오스의 도파율이 리소그래피 대물렌즈의 도파율 보다 작다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 거울-파싯을 가진 제 2 광학 부재가 거울-파싯을 가진 제 1 광학 부재 뒤에 형성된 2차 광원의 평면으로부터 빛의 방향으로 또는 빛과 반대 방향으로 약간 밀려짐으로써, 제 2 광학 부재의 거울 파싯 상에서 균일한 조명이 이루어지고 그에 따라 국부적 열 부하가 감소된다. 디포커싱의 값은 2차 광원의 폭이 개구 조리개 허니콤의 크기 보다 작도록 설정된다. 조명되지 않 는 에지 영역의 폭은 개구 조리개 허니콤의 최소 직경의 10% 보다 작다. 세기가 2차 광원의 최대 세기의 10% 미만이면, 조명되지 않는 영역이 생긴다.
바람직한 실시예에서는 래스터 부재를 가진 거울 다음에 광학 부재, 예컨대 필드 거울이 배치되고, 상기 거울은 개구 조리개 평면을 투사 대물렌즈의 입사동과 일치하는 조명 시스템의 출사동에 결상시키고 링형 필드를 형성하기 위해 사용된다.
상기 광학 부재가 입사각 ≤15°를 가진 스쳐가는 입사 거울을 포함하는 것이 특히 바람직하다. 각각의 반사와 연관된 광 손실을 최소화하기 위해, 필드 거울의 수가 적은 것이 바람직하다. 3개 이하의 필드 거울을 가진 실시예가 특히 바람직하다.
EUV-광선용 광원으로는 레이저-플라즈마, 플라즈마 또는 핀치-플라즈마 소오스 및 다른 EUV-광원이 사용될 수 있다.
다른 EUV-광원은 예컨대 싱크로트론 광선 소오스이다. 자기장에서 상대론적 전자가 편향되면, 싱크로트론 광선이 방출된다. 싱크로트론 광선은 전자 궤도에 대해 접선으로 방출된다.
이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.
도 1에는 2개의 파싯된 광학 부재를 가진 시스템의 광로가 굴절도로 도시된다. 광원(1)의 광은 콜렉터 렌즈(3)에 의해 모여져서 평행 또는 수렴 광선속으로 변환된다. 제 1 광학 부재의 래스터 부재들은 이하 필드 허니콤(5)이라 하며 제 1 허니콤 플레이트(7)상에 배치된다. 상기 제 1 광학 부재의 래스터 부재들는 광선 속을 분할하여, 플레이트(10)상에 배치된 래스터 부재(9)들을 가진 제 2 광학 부재(8)의 래스터 부재(9)의 장소에 2차 광원(11)을 발생시킨다. 제 2 광학 부재(8)의 래스터 부재(9)들은 이하 개구 조리개 허니콤이라 한다. 필드 렌즈(12)는 2차 광원을 조명 시스템의 출사동(24) 또는 도시되지 않은 후속 대물렌즈의 입사동(100)에 결상시킨다. 대물렌즈의 입사동(100)은 조명 시스템의 출사동(24)과 일치한다. 이러한 장치는 광원(1)으로부터 대물렌즈의 입사동(100)까지의 필드 및 개구 조리개 평면의 인터레이싱된 광로를 특징으로 한다. 이것에는 예컨대 Lexikon der Optik, Leipzig, 1990, 페이지 183에 나타나는 바와 같이 "쾰러 조명" 이라는 용어가 사용된다.
필드 허니콤(5) 및 개구 조리개 허니콤(9)은 도시된 실시예에서 모여서 형성되고 프리즘 작용을 한다. 2가지 특성은 도 1에 분리되어 도시된다.
이하의 설명에서는 도 1에 따른 조명 시스템이 고려된다. 인터페이스가 필드 허니콤 평면에서의 광 및 애퍼처 분포이기 때문에, 상기 고려는 소오스 종류 및 콜렉터 거울과 무관하게 이루어진다.
도 2a 및 2b에는 중앙 허니콤 쌍(5), (9)에 대해 필드- 및 개구 조리개-결상이 도시된다. 개구 조리개 허니콤(9) 및 필드 렌즈(12)에 의해 필드 허니콤(5)이 레티클(14) 또는 결상될 마스크에 결상된다. 필드 허니콤(5)의 폭은 레티클 평면(14)에서 조명될 필드의 형상을 결정한다. 등방성 광학 작용을 하는 필드 허니콤(5)이 주어지고 필드 허니콤(5)의 형상이 직사각형이면, 필드 허니콤(5)의 애스팩트 비는 아크 길이 대 물체- 또는 레티클 평면(14)에서 요구되는 링 필드의 링 폭의 비에 상응한다. 상기 링 필드는 도 5a-5b에 도시된 바와 같이 필드 렌즈에 의해 형성된다. 필드 렌즈가 없으면, 도 3에 도시된 바와 같이 레티클 평면(14)에 직사각형 필드가 주어진다.
결상 척도는 개구 조리개 허니콤(9)-레티클 평면(14) 간격 대 필드 허니콤(5)-개구 조리개 허니콤(9) 간격의 비에 의해 대략 주어진다. 필드 허니콤(5)의 광학 작용은 개구 조리개 허니콤(9)의 장소에서 광원(1)의 상이 생기도록 설계된다. 상기 광원(1)은 이하 2차 광원(11)이라고도 한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 필드 렌즈(12)의 과제는 2차 광원(11)을 여기서는 대물 렌즈의 입사동과 일치하는 조명 시스템(26)의 출사동(24)으로 결상하는 것이다. 광 경로에 필드 렌즈(12)를 삽입하면, 필드 결상은 링 필드를 왜곡의 제어에 의해 형성하도록 조절된다. 따라서, 필드 허니콤 결상의 척도는 변동되지 않는다.
EUV-파장 범위의 조명 시스템에서 모든 부품은 반사되도록 형성되어야 한다.
λ=10 nm - 14 nm에서 높은 반사 손실로 인해, 반사의 수가 가급적 적게 유지되는 것이 바람직하다.
반사 시스템의 구성 시, 광선의 상호 구경식(vignetting)이 고려되어야 한다. 이것은 지그재그 광 경로로 시스템을 구성함으로써 이루어지거나 또는 차광된 작업에 의해 이루어진다.
레티클 평면(14)에 링 필드를 형성하기 위해, 반사 시스템에서 스쳐가는 입사(grazing-incidence) 필드 거울이 사용될 수 있다.
도 3에는 광원(1)으로서 플라즈마 광원이 사용되는 본 발명의 실시예가 도시된다. 이 시스템은 순수하게 반사적으로 구성되고 필드 거울을 갖지 않는다.
본 실시예에서 조명 시스템은 광원으로서 핀치-플라즈마 광원(1), EUV-컬렉터로서 컬렉터 거울(3), 개구 조리개 허니콤 플레이트(11) 및 레티클 평면(14)내의 레티클을 포함한다. 상기 콜렉터 거울(3)은 광을 모아서 필드 허니콤 플레이트(7)로 반사시킨다. 필드 허니콤(5)에서의 반사에 의해, 광이 개구 조리개 허니콤 플레이트(11)의 각각의 개구 조리개 허니콤(9)으로 향하고 거기서 레티클 평면(14)으로 향한다. 핀치-플라즈마-소오스는 대략 Ω=0.3sr의 비교적 작은 입체각 범위의 방향성 광선을 가진 연장된 광원(약 1mm)이다. 조명 시스템의 출사동은 도 3에 도시되지 않는다.
도 4a 및 4b도에는 본 발명에 따른 시스템이 굴절도로 도시된다.
전술한 도면에 도시된 부품과 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. 여기서는 광원으로서 제한 없이 강력한 방향성 광원이 사용된다. 이러한 광원은 EUV-범위에서 싱크로트론-광원이다. 강력한 방향성 광선이 예컨대 10 mrad 보다 작은 발산으로 퍼지기 위해, 시스템은 분산 부재(33)를 갖는다.
싱크로트론 광선 소오스를 가진 2중으로 파싯되는 조명 시스템의 디자인에 관한 것은 WO 99/57732호에 공지되어 있으며, 그 공개 내용을 본 출원서에 참고할 수 있다. 예컨대 레이저 플라즈마 소오스와 같은 다른 광원에서는 상기 방식의 광선 퍼짐이 생략될 수 잇다.
광원에서 나온 광선은 콜렉터 렌즈(3)를 통해 래스터 부재를 가진 제 1 렌즈 어레이(4)로 향한다. 도시된 굴절 실시예에서, 래스터 부재들을 가진 제 1 렌즈 어레이(4)는 허니콤 플레이트(7)를 포함한다. 상기 허니콤 플레이트(7)상에는 다수의 필드 허니콤(5)이 배치된다. 개별 필드 허니콤(5)은 프리즘 작용을 하므로 평면(35)에서 다수의 2차 광원(11)을 형성한다. 평면(35)에는 래스터 부재들을 가진 제 2 렌즈 어레이(8)가 배치된다. 상기 제 2 렌즈 어레이(8)도 허니콤 플레이트(10)를 포함한다. 제 2 허니콤 플레이트 상에 배치된 래스터 부재들은 개구 조리개 허니콤(9)이다. 제 1 렌즈 어레이(4)의 래스터 부재(5)들의 프리즘 작용은 2차 광원(11)이 래스터 부재들을 가진 제 2 렌즈 어레이(8)상의 특정 개구 조리개 허니콤(9)과 일치하도록 선택된다. 이러한 배치에 의해 각각의 필드 허니콤(5)에는 각각의 세팅의 개구 조리개 허니콤(9)이 할당된다. 필드 허니콤(5) 및 특정 개구 조리개 허니콤(9)을 통과하는 광선속은 본 출원서에서 채널이라 한다. 가능한 채널의 수 N는 필드 허니콤 플레이트(7)상에 조명된 필드 허니콤(5)의 수에 의해 미리 정해진다. 도시된 실시예에서는 개구 조리개 허니콤 플레이트(10)내에서 출사동(24)에서 세팅 가능한 모든 조명이 주어지기 때문에, 개구 조리개 허니콤 플레이트(10)상에서 개구 조리개 허니콤(9)의 수는 항상 채널의 수 보다 크다. 개구 조리개 허니콤 플레이트(10)상에서 특정한 개구 조리개 허니콤(9)의 조명은 출사동(24)에서 구획된 또는 분할된 조명을 야기한다.
선택된 개구 조리개 허니콤(9)을 통과하는 광은 필드 렌즈에 의해 형성되고, 상기 필드 렌즈는 물체- 또는 레티클 평면(14) 근처에 놓인다. 레티클 평면(14)에서는 필드 허니콤(5)의 상들이 중첩된다. 2차 광원(11)의 상(39)들은 도시되지 않 은 대물 렌즈의 입사동에 일치하는 조명 시스템의 출사동(24)을 분할된 방식으로 채운다.
출사동(24)에서 2차 광원(39)의 상들의 분할은 평면(35)에서의 조명된 개구 조리개 허니콤(9)의 직접 거울 상이므로 필드 허니콤(5)에 의한 그것의 선택의 직접 거울 상이다.
도 4a의 필드 허니콤 플레이트(7)가 도 4a에 따른 필드 허니콤 플레이트(7) 상의 필드 허니콤과는 다른 프리즘 작용을 하는 필드 허니콤이 배치된, 도 4b에 도시된 필드 허니콤 플레이트로 교체되면, 다른 개구 조리개 허니콤(9)이 개구 조리개 허니콤 플레이트(10) 상에 조명된다. 따라서, 2차 광원(39)의 상들은 출사동(24)에서 도 4a에 따른 2차 광원의 상들과는 다른 위치를 갖는다.
도 5a 및 5b에는 본 발명의 반사 실시예가 도시된다. 도 4a 내지 4b에 도시된 굴절 실시예에서와 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. 반사 실시예에서는 래스터 부재들을 가진 제 1 및 제 2 광학 부재(4), (8)용 렌즈 어레이 대신에 래스터 부재(5),(9)을 가진 거울이 사용된다. 래스터 부재 또는 파싯(5), (9)은 일정한 경사각으로 허니콤 플레이트(7), (10)상에 배치된다. 필드 허니콤 플레이트(7)상의 개별 필드 허니콤(5)의 경사각 및 그에 따라 필드 허니콤(5)의 프리즘 작용이 변동되면, 개구 조리개 허니콤 플레이트 상에서 개구 조리개 허니콤(9)에 대한 필드 허니콤(5)의 할당 및 그에 따라 도 4a 및 4b에 도시된 굴절 시스템과 유사하게 출사동(24)에서의 조명이 변동될 수 있다.
허니콤 플레이트(7) 상에서 상이하게 기울어진 필드 허니콤(5)을 가진 래스 터 부재들을 가진 예시적으로 도시된 제 1 거울은 4.1 및 4.2로 표시된다. 필드 허니콤의 경사각의 변동은 액추에이터에 의해 필드 허니콤 플레이트 상에 직접 야기되거나 또는 거울(4.1)을, 거울의 필드 허니콤 플레이트 상에 상이한 경사각으로 배치된 필드 허니콤에 의해 구별되는 거울(4.2)로 교체함으로써 야기된다. 반사 시스템에서는 필드 렌즈 대신에 필드 결상 및 필드 형성 그룹으로서 수직 입사 필드 거울(12.1) 및 스쳐가는 입사 필드 거울(12.2)이 사용된다.
스캐닝 EUV-시스템에서 레티클은 레티클 지지체(50)상에 y-방향으로 이동 가능하게 배치된다.
도 4a 내지 4b 및 5a 내지 5b는 필드 허니콤 플레이트(7)의 간단한 교체 및 개구 조리개 허니콤 플레이트(10)상에서 조명된 개구 조리개 허니콤(9)의 선택에 의해 조명 시스템의 출사동(24)에서의 조명이 조절될 수 있다는 것을 명확히 나타낸다.
반사 시스템에서 필드 허니콤(5)은 모으는 작용을 하는 거울 부재일 수 있다. 이것에 대한 대안으로서, 모으는 작용은 완전히 콜렉터 거울에 의해 수행되고 필드 허니콤은 평면 파싯으로 형성될 수 있다.
래스터 부재들을 가진 상이한 거울의 필드 허니콤 플레이트의 필드 허니콤이 상이한 프리즘 작용을 하면, 도 5a-5b에 도시된 바와 같이 래스터 부재들을 가진 하나의 거울을 래스터 부재들을 가진 다른 거울로 교체함으로써 출사동(24)에서 상이한 조명이 구현될 수 있다. 이것에 대한 대안으로서 거울의 개별 필드 허니콤의 프리즘 작용이 경사각의 변동에 의해 또는 래스터 부재들을 가진 거울의 필드 허니 콤 플레이트 상의 각각의 필드 허니콤의 액추에이터에 의해 얻어질 수 있다.
레티클 평면(14)과 일치하는 필드 평면에서의 광선들이 중첩되게 하기 위해, 개구 조리개 허니콤이 마찬가지로 프리즘 작용을 하거나 또는 반사 시스템에서 개구 조리개 허니콤 플레이트(11)상의 개구 조리개 허니콤의 경사각이 상응하게 세팅된다.
필드 허니콤(5)은 등방성 광학 작용을 하고 필드 평면(14)에서 조명될 필드와 동일한 애스팩트 비를 가지거나, 이방성 작용을 하고 상기 필드의 애스팩트 비와는 다른 애스팩트 비, 일반적으로 상기 필드의 애스팩트 비 보다 작은 애스팩트 비를 갖는다.
도 6a는 행 60.1, 60.2...로 서로 이동되어 배치된 총 72개의 래스터 부재들을 가진 필드 허니콤 플레이트(7)의 예에 대한 평면도이다.
도 6b1 - 6b3은 개구 조리개 허니콤 플레이트의 평면도이다. 각각의 상이한 조명 세팅에 대해, 즉 원형 세팅, 링형 세팅 및 4중극 세팅에 대해, 필드 허니콤 플레이트의 72 채널이 제공된다. 종래의 조명에서는, 총 72개의 채널이 모든 필드 허니콤에 걸쳐 균일하게 분포되어야 한다. 이상적으로는 개구 조리개 허니콤이 모두 동일한 크기이거나 또는 적어도 그것들이 2차 광원의 상에 의해 완전히 조명되지 않을 정도의 크기이다.
도 6b1에는 원형 세팅에서 조명되는 개구 조리개 허니콤(9.1)(어둡게 표시됨)이 도시된다. 도 6b2에는 링형 세팅에서 조명되는 개구 조리개 허니콤(9.2)이 어둡게 도시되며 도 6b3에는 4중극 세팅에서 조명되는 개구 조리개 허니콤이 도면 부호 9.3으로 도시된다.
도 7 내지 9에는 출사동에서의 상이한 조명에 대한 2차 광원(39)의 상의 분포가 도시된다.
도 7은 개구 조리개 허니콤 플레이트의 원형 조명에서 σ= 0.4를 가진 원형 세팅을 도시한다.
도 8은 개구 조리개의 링형 조명에서
Figure 112001027680121-pat00003
를 가진 링형 세팅을 나타낸다.
도 9는 조명으로서 4개의 링 세그먼트를 가진 4중극 세팅을 도시한다.
출사동에서 조명 분포의 상이한 세팅은 본 발명에 따라 필드 허니콤 플레이트의 교체 또는 필드 허니콤 플레이트 상의 개별 필드 허니콤의 경사각의 변동에 의해 이루어질 수 있다.
도 10에는 완전한 EUV-조명 시스템이 도시된다. 즉, 대물 렌즈(102)의 입사동(100)과 일치하는 조명 시스템(26)의 출사동(24)에서 조명을 세팅하기 위한 본 발명에 따른 시스템이 도시된다. 상기 시스템은 광원(1), 상기 광원(1)의 빛을 모으기 위한 콜렉터 거울(3), 래스터 부재(5)들을 가진 제 1 광학 부재(4), 래스터 부재(9)들을 가진 제 2 광학 부재(8) 및 3개의 필드 형성 거울(12.1),(12.2), (12.3)을 포함한다. 상기 필드 형성 거울들은 래스터 부재(9)들을 가진 제 2 광학 부재(8) 다음에 배치되고, 레티클 평면(14)에 필드를 형성하기 위해 사용된다. 레 티클 평면(14)내의 레티클은 여기에서 반사 마스크이다. 상기 레티클은 스캐닝 시스템으로 설계된 EUV-시스템에서 y-방향으로 이동 가능하다.
세팅을 위한 상이한 제 1 광학 부재를 조명 시스템의 광로 내에 제공하기 위해, 상이한 프리즘 작용을 가진 다수의 필드 허니콤 플레이트(7)가 부가의 지지체 시스템(104)상에 배치된다. 상기 부가의 지지체 시스템(104)은 y-방향에 대해 수직인 레티클 평면에 대해 평행하게, 즉 본 실시예에서는 x-방향으로 이동 가능하다. 이로 인해, 상이한 필드 허니콤 플레이트가 광로에 제공되므로, 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재와 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 사이의 상이한 광 채널 및 그에 따라 후속하는 대물렌즈(102)의 입사동(100)과 일치하는 조명 시스템의 출사동의 상이한 조명이 구현될 수 있다.
후속하는 투사 대물렌즈는 예컨대 미국-특허 09/503,640호 제시된 바와 같은 6-거울-투사 대물렌즈(106)이며, 상기 특허 출원의 공개 내용은 본 발명에 참고가 된다. 노광될 물체(108)는 이동될 수 있는 지지체 시스템(110)상에 배치된다. 투사 대물렌즈의 거울(112.1, 112.2, 112.3, 112.4, 112.5. 112.6)은 공통 광축(HA)에 대해 센터링된다. 레티클 평면(14)에서 링형 필드는 축 외부에 배치된다. 레티클과 투사 대물렌즈의 제 1 거울 사이의 광선은 투사 대물렌즈의 광축에 대해 수렴한다. 레티클 법선에 대한 주광선 각은 바람직하게는 5°내지 7°이다.
도 10에 나타나는 바와 같이, 조명 시스템은 투사 대물렌즈와 명확히 분리된다.
본 발명에 의해 조명 시스템의 출사동에서 상이한 세팅을 가능하게 하는, 간단히 구성된 장치가 제공된다.

Claims (26)

  1. 광원(1),
    물체 평면(14),
    출사동(24),
    상기 광원(1)에 의해 조명되며 상기 광원(1)으로부터 입사되는 광선속을 광 채널로 분할하는, 반사 래스터 부재(5)들을 가진 제 1 광학 부재, 및
    반사 래스터 부재(9)들을 가진 제 2 광학 부재들을 포함하고, 상기 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재(5)에 의해 형성된 각각의 광 채널에는 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재(9)가 할당되며,
    상기 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재(5, 9)들이 각각 광 채널에 할당되고, 상기 반사 래스터 부재(5, 9)는 각각의 광 채널에 대해 광원(1)으로부터 물체 평면(14)까지 통과하는 광선이 주어지도록 형성 또는 배치되는 EUV-리소그래피용 조명 시스템으로서,
    상기 할당은 제 1 및 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재의 할당에 의해 조명 시스템의 출사동에 예정된 조명이 세팅되도록 조작될 수 있고,
    상기 제 2 광학 부재는, 제 2 광학 부재가 교체될 필요 없이 적어도 2개의 예정된 조명이 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재에 대한 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재의 할당 변동에 의해 세팅될 수 있을 정도의 수의 반사 래스터 부재를 포함하고,
    상기 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재가 교체될 수 있고, 상기 제 1 광학 부재의 교체에 의해 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재에 대한 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재의 다른 할당 및 그에 따라 출사동에서의 다른 조명이 이루어지는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명 시스템이 이동 테이블을 가진 이동 장치를 포함하고, 상기 이동 테이블 상에 다수의 제 1 광학 부재가 배치됨으로써, 이동 테이블의 이동에 의해 제 1 광학 부재가 교체될 수 있는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재(9)의 수 M이 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재(5)의 수 N 보다 큰 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재가 물체 평면에 결상되고 광 채널들이 물체 평면(14)에서 중첩되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 부재의 반사 래스터 부재(5)들이 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재에 또는 그 근처에 2차 광원을 형성하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 조명 시스템이 반사 래스터 부재를 가진 제 1 거울 앞에 콜렉터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 시스템이 반사 래스터 부재를 가진 제 2 광학 부재 다음에 배치된 적어도 하나의 거울 또는 렌즈(12)를 포함하고, 상기 적어도 하나의 거울 또는 렌즈는 제 2 광학 부재에 또는 그 근처에 배치된 평면을 출사동에 결상하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재, 및 반사 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 다음에 배치된 적어도 하나의 거울 또는 렌즈가 제 1 래스터 부재를 물체 평면에 결상하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재와 반사 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 사이의 광 채널은 출사동에서의 조명이 원형이도록 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재와 반사 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 사이의 광 채널은 출사동에서의 조명이 링형이도록 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 광학 부재와 반사 래스터 부재들을 가진 제 2 광학 부재 사이의 광 채널은 출사동에서 서로 명확히 분리되는 다수의 세그먼트가 조명되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 세그먼트의 수가 짝수인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 세그먼트의 수가 2 또는 4인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 조명 시스템을 가진 EUV-리소그래피용 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법에 있어서,
    상기 출사동에서 예정된 광 분포가 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 또는 제 2 부재의 교체에 의해 또는 프리즘 작용의 변동 및 제 1 또는 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재의 배치의 변동에 의해 세팅되고, 상기 출사동에서 예정된 광 분포에 따라 제 1 및 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재들 사이의 광 채널이 세팅되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 반사 래스터 부재의 배치의 변동은 반사 래스터 부재의 기울어짐 또는 이동의 변동인 것을 특징으로 하는 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 조명 시스템을 가진 EUV-리소그래피용 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법에 있어서,
    상기 출사동에서 예정된 광 분포가 반사 래스터 부재들을 가진 제 1 및 제 2 부재의 교체에 의해 또는 프리즘 작용의 변동 및 제 1 및 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재의 배치의 변동에 의해 세팅되고, 상기 출사동에서 예정된 광 분포에 따라 제 1 및 제 2 광학 부재의 반사 래스터 부재들 사이의 광 채널이 세팅되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 반사 래스터 부재의 배치의 변동은 반사 래스터 부재의 기울어짐 또는 이동의 변동인 것을 특징으로 하는 조명 시스템의 출사동에서 조명 분포를 세팅하기 위한 방법.
  18. EUV-광선을 발생시키기 위한 소오스,
    소오스에 의해 발생된 광선을 부분적으로 모아서 링 필드의 조명을 위해 전달하는, 출사동을 가진 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한 항에 따른 조명 시스템,
    지지체 시스템 상에서 링 필드의 평면에 놓인 구조물 지지 마스크,
    상기 조명 시스템의 출사동과 일치하는 입사동을 가진 투사 장치, 및
    지지체 시스템 상에서 투사 장치의 상 필드의 평면에 놓인 감광성 기판을 포함하는 마이크로 리소그래피용 EUV-투사 노광 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 투사 장치는 투사 대물렌즈이며, 상기 투사 대물렌즈는 구조물 지지 마스크의 조명된 부분을 상 필드에 결상시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 리소그래피용 EUV-투사 노광 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 투사 노광 장치가 스캐닝 시스템이고, 상기 구조물 지지 마스크용 지지체 시스템은 링 필드 평면에서 제 1 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 EUV-투사 노광 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 투사 노광 장치가 다수의 제 1 또는 제 2 광학 부재를 수용하기 위한 하나 또는 다수의 부가의 지지체 시스템을 포함하고, 상기 부가의 지지체 시스템은 제 2 방향으로 이동 가능하며 상기 제 1 방향은 제 2 방향에 대해 수직으로 놓이는 것을 특징으로 하는 EUV-투사 노광 장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 투사 노광 장치가 다수의 제 1 및 제 2 광학 부재를 수용하기 위한 하나 또는 다수의 부가의 지지체 시스템을 포함하고, 상기 부가의 지지체 시스템은 제 2 방향으로 이동 가능하며 상기 제 1 방향은 제 2 방향에 대해 수직으로 놓이는 것을 특징으로 하는 EUV-투사 노광 장치.
  23. 제 20 항에 따른 EUV-투사 노광 장치를 가지고 반도체 칩을 제조하는 반도체 칩 제조 방법.
  24. 제 22 항에 따른 EUV-투사 노광 장치를 가지고 반도체 칩을 제조하는 반도체 칩 제조 방법.
  25. 삭제
  26. 삭제
KR1020010066387A 2000-10-27 2001-10-26 조명이 가변 세팅되는 조명 시스템 KR100842426B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10053587A DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2000-10-27 Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10053587.9 2000-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020033081A KR20020033081A (ko) 2002-05-04
KR100842426B1 true KR100842426B1 (ko) 2008-07-01

Family

ID=7661440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010066387A KR100842426B1 (ko) 2000-10-27 2001-10-26 조명이 가변 세팅되는 조명 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6658084B2 (ko)
EP (1) EP1202101A3 (ko)
JP (1) JP4077619B2 (ko)
KR (1) KR100842426B1 (ko)
DE (2) DE10053587A1 (ko)

Families Citing this family (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859328B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US7441017B2 (en) * 2001-06-29 2008-10-21 Thomas Lee Watson System and method for router virtual networking
TW594847B (en) 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
JP4099423B2 (ja) 2002-03-18 2008-06-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造法
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1870772B1 (en) * 2002-03-18 2013-10-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7170587B2 (en) 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US7378666B2 (en) 2002-10-11 2008-05-27 Qimonda Ag Irradiation device for testing objects coated with light-sensitive paint
DE10305573B3 (de) * 2002-10-11 2004-07-01 Aixuv Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Testbestrahlung von mit photoempfindlichen Lacken beschichteten Objekten
US7417708B2 (en) 2002-10-25 2008-08-26 Nikon Corporation Extreme ultraviolet exposure apparatus and vacuum chamber
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
WO2005015314A2 (en) 2003-07-30 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag An illumination system for microlithography
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
ATE511668T1 (de) * 2004-02-17 2011-06-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
JP4551666B2 (ja) * 2004-02-19 2010-09-29 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
WO2006021419A2 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
US7136214B2 (en) * 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
US7405871B2 (en) 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
JP2006253487A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
WO2006136353A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-28 Carl Zeiss Smt Ag A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror
JP4990287B2 (ja) * 2005-10-18 2012-08-01 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 波長が193nm以下の照明システム用集光器
JP2007150295A (ja) 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
JP5068271B2 (ja) * 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
DE102006031654A1 (de) * 2006-04-24 2007-10-25 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel mit einer Vielzahl von Spiegelsegmenten
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
JPWO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2009-10-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102006036064A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
DE102006039760A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität
DE102006056035A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102006059024A1 (de) 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US7990520B2 (en) * 2006-12-18 2011-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithography illumination systems, components and methods
DE102007023411A1 (de) * 2006-12-28 2008-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US20080257883A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having an inner layer and the outer layer made of the same material and preform for making it
US9475611B2 (en) 2007-04-19 2016-10-25 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having interface vents opening to the atmosphere at location adjacent to bag's mouth, preform for making it; and processes for producing the preform and bag-in-container
US20080259298A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5345132B2 (ja) * 2007-04-25 2013-11-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080278698A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP2155932A2 (de) * 2007-05-31 2010-02-24 Carl Zeiss SMT AG Verfahren zur herstellung eines optischen elementes mit hilfe von abformung, optisches element hergestellt nach diesem verfahren, kollektor und beleuchtungssystem
DE102007025846A1 (de) 2007-06-01 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit wenigstens einem akustooptischen Spiegel
KR101422882B1 (ko) * 2007-06-07 2014-07-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 도구를 위한 반사 일루미네이션 시스템
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008041593A1 (de) 2007-10-09 2009-04-16 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102008013229B4 (de) 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102008054429A1 (de) 2008-01-11 2009-07-16 Carl Zeiss Smt Ag Schwingungsentkoppelte Lagerung eines Bauteils in einer Vakuumkammer
DE102008009600A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
KR101593712B1 (ko) * 2008-02-15 2016-02-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
DE102009000099A1 (de) 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
JP5074226B2 (ja) * 2008-02-16 2012-11-14 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
DE102008000788A1 (de) 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP6112478B2 (ja) 2008-03-20 2017-04-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影対物系
DE102008000967B4 (de) 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
NL1036771A1 (nl) * 2008-04-22 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Illumination System and Lithographic Method.
DE102008001511A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008002749A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
EP2146248B1 (en) 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102008042462B4 (de) 2008-09-30 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie
DE102009009568A1 (de) 2008-10-20 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels
CN102257421B (zh) 2008-10-20 2014-07-02 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于引导辐射束的光学模块
DE102009034502A1 (de) 2009-07-24 2011-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels
CN102422225B (zh) * 2009-03-06 2014-07-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的照明光学系统与光学系统
EP2443514A1 (en) * 2009-06-17 2012-04-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102009030501A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
JP5646632B2 (ja) 2009-08-25 2014-12-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光学装置及び反射要素を方向付ける方法
JP2011077142A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
DE102009045135A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045491A1 (de) 2009-10-08 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE202009015830U1 (de) 2009-11-20 2010-03-11 Noell Mobile Systems Gmbh Modulares verfahrbares Meßportal
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102009054888A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
NL2005771A (en) 2009-12-29 2011-06-30 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and illumination method.
DE102011004615A1 (de) 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102010029765A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102010040108A1 (de) 2010-09-01 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Obskurationsblende
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
JP5644416B2 (ja) * 2010-11-24 2014-12-24 株式会社ニコン 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102010062720B4 (de) 2010-12-09 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
KR101813307B1 (ko) * 2011-01-29 2017-12-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
NL2008009A (en) * 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
DE102011005881A1 (de) * 2011-03-22 2012-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102011076145B4 (de) 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102011076460A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102011076658A1 (de) 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
DE102011086328A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie
DE102011088152A1 (de) 2011-12-09 2013-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102012201235B4 (de) 2012-01-30 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012204142A1 (de) 2012-03-16 2013-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102012204273B4 (de) 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012206612A1 (de) 2012-04-23 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels
DE102012206609B4 (de) 2012-04-23 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren
DE102012207866A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012208064A1 (de) 2012-05-15 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012208514A1 (de) 2012-05-22 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Justagevorrichtung sowie Masken-Inspektionsvorrichtung mit einer derartigen Justagevorrichtung
DE102012210073A1 (de) 2012-06-15 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102012212453A1 (de) 2012-07-17 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102012212664A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102012213368A1 (de) * 2012-07-30 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012218074A1 (de) 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung
DE102012218105A1 (de) 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Einkopplung von Beleuchtungsstrahlung in eine Beleuchtungsoptik
DE102012218221A1 (de) 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102012220597A1 (de) 2012-11-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
CN103092000A (zh) * 2012-11-14 2013-05-08 北京理工大学 极紫外光刻复眼匀光离轴照明系统及实现离轴照明的方法
DE102013203364A1 (de) 2013-02-28 2014-09-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektierende Beschichtung mit optimierter Dicke
DE102013211268B4 (de) 2013-06-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung
DE102013212363A1 (de) 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102013218131A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013223808A1 (de) 2013-11-21 2014-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht
DE102013223935A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
DE102014219649A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung einer Energiesensor-Einrichtung
CN103713389B (zh) * 2013-12-11 2016-06-29 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光器及其光斑调节组件
DE102014222952A1 (de) 2014-01-09 2015-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Verbundstruktur, Verbundstruktur, insbesondere Facettenspiegel, und optische Anordnung damit
JP5854295B2 (ja) * 2014-04-11 2016-02-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系
DE102014216801A1 (de) 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102015200531A1 (de) 2015-01-15 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul
DE102015202411A1 (de) 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
WO2016128253A1 (de) 2015-02-11 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
DE102016202736A1 (de) 2015-04-17 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102015208514A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102016203990A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren
DE102016214785A1 (de) 2016-08-09 2018-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul mit einer Antikollisionseinrichtung für Modulkomponenten
DE102016217479A1 (de) 2016-09-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches modul mit verkippbaren optischen flächen
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102017205548A1 (de) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zum Führen eines Ausgabestrahls eines Freie-Elektronen-Lasers
DE102017217251A1 (de) 2017-09-27 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018207410A1 (de) 2018-05-14 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018215505A1 (de) 2018-09-12 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102019217507A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102021201690A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11249313A (ja) 1997-09-18 1999-09-17 Svg Lithography Syst Inc 環状面縮小投影光学系
EP0955641A1 (de) 1998-05-05 1999-11-10 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
JP2000223415A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Svg Lithography Syst Inc リソグラフィのための照明装置のコンデンサおよび構成方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3610125A (en) * 1965-12-06 1971-10-05 Siemens Ag Apparatus for producing photolithographic structures,particularly on semiconductor crystal surfaces
US6252647B1 (en) * 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5128787A (en) * 1990-12-07 1992-07-07 At&T Bell Laboratories Lcd display with multifaceted back reflector
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
EP0732624B1 (en) * 1995-03-17 2001-10-10 Ebara Corporation Fabrication method with energy beam
US5737137A (en) 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
JPH09320952A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Nikon Corp 露光装置
JPH1152289A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Minolta Co Ltd 二次元照明光学系及びこれを用いた液晶プロジェクター
US6833904B1 (en) * 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6859328B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
EP1035445B1 (de) * 1999-02-15 2007-01-31 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE19935568A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
DE50014428D1 (de) * 1999-07-30 2007-08-02 Zeiss Carl Smt Ag Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
AU2001280434A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-20 University Of Southern California Reflector for laser interrogation of three-dimensional objects
US6711044B2 (en) * 2001-07-02 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device with a countermeasure to a signal delay
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
US6856474B2 (en) * 2003-01-29 2005-02-15 Intel Corporation Assembled multi-surface optical component and method for fabricating
JPWO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2009-10-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11249313A (ja) 1997-09-18 1999-09-17 Svg Lithography Syst Inc 環状面縮小投影光学系
EP0955641A1 (de) 1998-05-05 1999-11-10 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
JP2000223415A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Svg Lithography Syst Inc リソグラフィのための照明装置のコンデンサおよび構成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EPO보고서

Also Published As

Publication number Publication date
US20020136351A1 (en) 2002-09-26
KR20020033081A (ko) 2002-05-04
JP4077619B2 (ja) 2008-04-16
DE20100123U1 (de) 2002-05-23
US6658084B2 (en) 2003-12-02
US20040119961A1 (en) 2004-06-24
DE10053587A1 (de) 2002-05-02
JP2002203784A (ja) 2002-07-19
EP1202101A3 (de) 2004-02-25
EP1202101A2 (de) 2002-05-02
US20080225259A1 (en) 2008-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100842426B1 (ko) 조명이 가변 세팅되는 조명 시스템
KR100645411B1 (ko) Euv 리소그래피용 조명 시스템
KR101470769B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
US4851882A (en) Illumination optical system
JP3338028B2 (ja) 走査式マイクロ・リソグラフィー・システム用の照明設計
US6654101B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change
US9671608B2 (en) Illumination system for EUV lithography
US5673102A (en) Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US7329886B2 (en) EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
EP0097250A2 (en) Light source
JP2006523944A (ja) 照明装置のための光学素子
KR20030097784A (ko) 마이크로리소그래피를 위한 조명 시스템
US9964856B2 (en) Illumination optical unit for projection lithography
JPS597359A (ja) 照明装置
KR100384551B1 (ko) 조광시스템
TW200302492A (en) Soft X-ray light source apparatus, EUV exposure apparatus, and illumination method
KR102344280B1 (ko) 조명 시스템
KR20020033059A (ko) 낮은 열 부하를 갖는 조명시스템
JP2002116379A (ja) マイクロリソグラフィ用の照明システム
KR100738992B1 (ko) Euv-조명 시스템의 출사동에서 조명 분포의 제어
KR100958765B1 (ko) 향상된 집광기 광학계를 구비하는 조명 시스템
KR20080012240A (ko) 193nm 이하의 파장을 갖는 투영 노광 장치를 위한 조명시스템
JPH0629189A (ja) 投影式露光装置およびその方法並びに照明光学装置
Komatsuda Novel illumination system for EUVL
JP6806236B2 (ja) 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130614

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140612

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150612

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee