DE102011088152A1

DE102011088152A1 - EUV-Lithographiesystem

Info

Publication number: DE102011088152A1
Application number: DE201110088152
Authority: DE
Inventors: Markus Degünther; Igor Gurevich; Udo Dinger; Markus Hauf; Lars Wischmeier; Stephan Kellner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2011-12-09
Filing date: 2011-12-09
Publication date: 2013-06-13

Abstract

Ein EUV-Lithographiesystem 1 weist einen EUV-Strahlengang und einem Monitor-Strahlengang 51 auf. Der EUV-Strahlengang umfasst ein Spiegelsystem 13, welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen 17 mit konkaven Spiegelflächen aufweist, deren Orientierung relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar ist. Der Monitor-Strahlengang 51 umfasst wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle 53, einen Schirm 71, das Spiegelsystem 13, welches in dem Monitor-Strahlengang 51 zwischen der Monitor-Strahlungsquelle 53 und dem Schirm 71 angeordnet ist, und einen ortsauflösenden Detektor 77. Hierbei erzeugt ein jedes von mehreren der Spiegelelemente in einer dem jeweiligen Spiegelelement zugeordneten Bildebene ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle, haben Abstände B zwischen den den Spiegelelementen zugeordneten Bildebenen und dem Schirm einen maximalen Abstand, haben Abstände A zwischen einem jeden der mehreren Spiegelelemente und der diesem zugeordneten Bildebene einen minimalen Abstand, und es ist der maximale Abstand B kleiner als die Hälfte des minimalen Abstands A.

Description

Die Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem, welches zur Herstellung von miniaturisierten Bauelementen einsetzbar ist, indem eine abzubildende Struktur, welche auch als Maske oder Retikel bezeichnet wird, mittels EUV-Strahlung auf eine strahlungsempfindliche Struktur, welche auch als Resist bezeichnet wird, abgebildet wird. Die EUV-Strahlung ist ultraviolette Strahlung, insbesondere mit Wellenlängen aus dem Bereich des extremen Ultravioletts (EUV), wie beispielsweise mit Wellenlängen aus dem Bereich von 5 nm bis 30 nm.
Ein aus EP 1 202 101 A2 bekanntes EUV-Lithographiesystem umfasst eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist, eine EUV-Strahlungsquelle und ein erstes Spiegelsystem, welches in einem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, die an dem Sockel befestigt sind, deren Spiegelflächen eine konkave Gestalt aufweisen und deren Orientierung relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar ist, um verschiedene Einstellungen einer Winkelverteilung der auf die abzubildende Struktur treffenden EUV-Strahlung zu ermöglichen.
Es besteht ein Problem darin, die Mehrzahl von Spiegelelementen des Spiegelsystems relativ zu dessen Sockel so einzustellen, dass eine gewünschte Einstellung der Winkelverteilung realisiert ist und diese während eines Betriebs des EUV-Lithographiesystems auch aufrecht erhalten wird.
Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Lithographiesystem der vorangehend geschilderten Art vorzuschlagen, welches eine Möglichkeit bereitstellt, Orientierungen wenigstens einiger Spiegelelemente eines in einem EUV-Strahlengang zwischen einer EUV-Strahlungsquelle und einer abzubildenden Struktur angeordneten Spiegelsystems relativ zu einem Sockel des Spiegelsystems zu erfassen.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung wird ein EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang und einem Monitorstrahlengang vorgeschlagen, wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang aufweist: eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist, eine EUV-Strahlungsquelle, ein erstes Spiegelsystem, welches in dem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, wobei Orientierungen der Spiegelflächen relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar sind, und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang aufweist: wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle, einen Schirm, das erste Spiegelsystem, welches in dem Monitor-Strahlengang zwischen der Monitor-Strahlungsquelle und dem Schirm angeordnet ist, und einen Detektor, der dazu konfiguriert ist, auf den Schirm treffende Strahlungsintensitäten ortsaufgelöst zu detektieren, wobei die Monitor-Strahlungsquelle, das erste Spiegelsystem und der Schirm relativ zueinander so angeordnet sind, dass gilt: ein jedes von mehreren der Spiegelelemente erzeugt in einer dem jeweiligen Spiegelelement zugeordneten Bildebene ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle, Abstände zwischen den den Spiegelelementen zugeordneten Bildebenen und dem Schirm haben einen maximalen Abstand, Abstände zwischen einem jeden der mehreren Spiegelelemente und der diesem zugeordneten Bildebene haben einen minimalen Abstand, und der maximale Abstand ist kleiner als die Hälfte des minimalen Abstands. Die mehreren Spiegelelemente erzeugen jeweils ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle, wozu in dem Monitor-Strahlengang Linsen zur entsprechenden Formung von Monitorstrahlen vorgesehen sein können und/oder die Spiegelflächen eine konkave Gestalt aufweisen können. Die Monitor-Strahlungsquelle kann eine im Wesentlichen punktförmige Strahlungsquelle aber auch eine ausgedehnte Strahlungsquelle sein. Je nach Qualität der Abbildung der Monitorstrahlungsquelle über ein jeweiliges Spiegelelement, kann das von dem Spiegelelement erzeugte Bild der Monitorstrahlungsquelle im Wesentlichen punktförmig sein, d. h. eine kleine laterale Ausdehnung aufweisen, oder es kann eine signifikante laterale Ausdehnung von beispielsweise einem oder mehreren Millimetern aufweisen. Die Bildebenen der von den Spiegelelementen erzeugten Bilder der wenigstens einen Monitorstrahlungsquelle müssen nicht in einer gemeinsamen Ebene liegen. Der Schirm ist, gesehen in Richtung der die Bilder der Monitorstrahlungsquelle erzeugenden Strahlen, nahe der Bilder angeordnet, da der maximale Abstand zwischen den den Spiegelelementen zugeordneten Bildebenen und dem Schirm kleiner ist als die Hälfte des minimalen Abstands zwischen den Bildebenen und den jeweiligen Spiegelelementen. Damit erzeugen die Strahlen, welche die wenigstens eine Monitorstrahlungsquelle über die Spiegelelemente abbilden, auf dem Schirm jeweils einen Lichtfleck, der eine im Vergleich zu dem Durchmesser des Schirms kleine Ausdehnung von beispielsweise weniger als einem oder mehreren Millimetern haben kann. Die Positionen der auf diese Weise auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken sind kennzeichnend für die Orientierungen der Spiegelelemente, da eine Änderung der Orientierung eines der Spiegelelemente zu einer Änderung des von diesem Spiegelelement auf dem Schirm erzeugten Lichtflecks führt. Die Lichtflecken sind durch den Detektor ortsaufgelöst detektierbar, so dass aus Detektionssignalen des Detektors die Orientierungen der Spiegelelemente relativ zu dem Sockel des ersten Spiegelsystems bestimmbar sind.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung wird ein EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang und einem Monitor-Strahlengang vorgeschlagen, wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang aufweist: eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist; eine EUV-Strahlungsquelle; ein erstes Spiegelsystem, welches in dem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, die an dem Sockel befestigt sind, wobei Orientierungen der Spiegelflächen relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar sind; und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang aufweist: eine oder mehrere Monitor-Strahlungsquellen, einen Detektor, und das erste Spiegelsystem, welches in dem Monitor-Strahlengang zwischen der Monitor-Strahlungsquelle bzw. den mehreren Monitor-Strahlungsquellen und dem Detektor angeordnet ist, wobei der Detektor eine plenoptische Kamera ist.
Im Unterschied zu einer Kamera, welche die zweidimensionale Detektion von Lichtintensitäten erlaubt, kann die plenoptische Kamera Lichtintensitäten eines vierdimensionalen Lichtfeldes erfassen, wobei neben zwei Ortsdimensionen (z. B. x-Koordinate und y-Koordinate) auch zwei Winkeldimensionen (z.B. θ-Koordinate und φ-Koordinate) des einfallenden Lichts erfasst werden können. Mit der plenoptischen Kamera ist es somit möglich, nicht nur die Orte zu bestimmen, an welchen von der wenigstens einen Monitor-Strahlenquelle ausgesandte Lichtstrahlen auf die Kamera treffen, sondern auch die Winkel zu erfassen, unter denen die von der wenigstens einen Monitor-Strahlenquelle ausgesandten Lichtstrahlen auf die Kamera treffen. Hierdurch ist eine Zuordnung von detektiertem Licht zu dem jeweiligen Spiegelelement des ersten Spiegelsystems, welches den Lichtstrahl hin zu der plenoptischen Kamera reflektiert hat, möglich.
Gemäß Ausführungsformen kann die plenoptische Kamera wenigstens eine strahlungsempfindliche Schicht und ein Feld von nebeneinander angeordneten Linsen umfassen, welches mit Abstand von der strahlungsempfindlichen Schicht angeordnet ist.
Gemäß Ausführungsformen hierin sind die eine Monitor-Strahlungsquelle bzw. die mehreren Monitor-Strahlungsquellen, das erste Spiegelsystem und die plenoptische Kamera relativ zueinander so angeordnet, dass die eine Monitor-Strahlungsquelle bzw. die mehreren Monitor-Strahlungsquellen auf das Feld der Linsen abgebildet werden oder dass Bilder der einen Monitor-Strahlungsquelle bzw. der mehreren Monitor-Strahlungsquellen nahe den Linsen des Feldes entstehen. Insbesondere können hierbei folgende Bedingungen realisiert sein:

– mehrere der Spiegelelemente erzeugen in einer dem jeweiligen Spiegelelement zugeordneten Bildebene ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle,
– Abstände zwischen den den Spiegelelementen zugeordneten Bildebenen und einer Ebene, in der das Feld von nebeneinander angeordneten Linsen der plenoptischen Kamera angeordnet sind, haben einen maximalen Abstand,
– Abstände zwischen einem jeden der mehreren Spiegelelemente und der diesem zugeordneten Bildebene haben einen minimalen Abstand, und
– der maximale Abstand ist kleiner als die Hälfte des minimalen Abstands.

Wenn ein Bild einer bestimmten Monitorstrahlungsquelle nach Reflexion an einem bestimmten Spiegelelement nahe dem Feld der Linsen der plenoptischen Kamera entsteht, kann durch Auswertung der von dem Detektor erzeugten Detektionssignale zunächst festgestellt werden, welche der mehreren Linsen das das Bild der Monitorstrahlungsquelle erzeugende Licht vor dem Auftreffen auf der strahlungsempfindlichen Schicht durchsetzt. Bei bekannter Anordnung der Linsen des Feldes relativ zu den übrigen Komponenten des Monitor-Strahlengangs kann hieraus ein Kippwinkel des Spiegelelements zunächst grob bestimmt werden. Sodann kann durch Auswertung der von dem Detektor erzeugten Detektionssignale weiter festgestellt werden, an welcher Stelle der strahlungsempfindlichen Schicht des Detektors ein Lichtfleck durch das das Bild der Monitorstrahlungsquelle erzeugende Licht erzeugt wird. Aus der Lage dieser Stelle relativ zu der durchsetzten Linse des Feldes kann hieraus der Kippwinkel des Spiegelelements zunächst wesentlich genauer bestimmt werden.
Gemäß beispielhafter Ausführungsformen umfasst die plenoptische Kamera ein Objektiv, welches in dem Monitor-Strahlengang zwischen dem ersten Spiegelsystem und dem Feld von nebeneinander angeordneten Linsen angeordnet ist und von dem Licht durchsetzt wird, welches auf die Linsen des Feldes trifft.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung wird ein EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang und einem Monitor-Strahlengang vorgeschlagen, wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang aufweist: eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist; eine EUV-Strahlungsquelle; ein erstes Spiegelsystem, welches in dem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, die an dem Sockel befestigt sind, wobei Orientierungen der Spiegelflächen relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar sind; und ein zweites Spiegelsystem, welches in dem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und dem ersten Spiegelsystem oder zwischen dem ersten Spiegelsystem und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, die an dem Sockel befestigt sind; und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang aufweist: eine Mehrzahl von Monitor-Strahlungsquellen, welche jeweils zwischen einander benachbarten Spiegelelementen des zweiten Spiegelsystems angeordnet sind; einen Detektor zur Detektion von an Spiegelelementen des ersten Spiegelsystems reflektierter Monitorstrahlung und das erste Spiegelsystem, welches in dem Monitor-Strahlengang zwischen den Monitor-Strahlungsquellen und dem Detektor angeordnet ist.
Durch die Anordnung der Monitor-Strahlungsquellen zwischen einander benachbarten Spiegelelementen des zweiten Spiegelsystems ist es möglich, den Monitorstrahlengang platzsparend in den EUV-Strahlengang zu integrieren.
Gemäß Ausführungsformen umfasst das erste Spiegelsystem wenigstens einen Aktuator, um die Orientierung wenigstens einiger der Spiegelflächen relativ zu dem Sockel zu ändern. Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin umfasst das EUV-Lithographiesystem eine Steuerung, die dazu konfiguriert ist, den wenigstens einen Aktuator basierend auf einem Ausgabesignal des Detektors anzusteuern. Hierdurch ist es möglich, eine gewünschte Orientierung der Spiegelelemente relativ zu dem Sockel automatisiert einzustellen.
Gemäß Ausführungsformen des EUV-Lithographiesystems sind der EUV-Strahlengang und der Monitorstrahlengang unabhängig voneinander betreibbar, so dass auch während eines Betriebs des EUV-Strahlengangs, d. h. einer Abbildung der abzubildenden Struktur auf die strahlungsempfindliche Struktur, Orientierungen der Spiegelelemente erfasst und gegebenenfalls korrigiert werden können.
Gemäß Ausführungsformen ist der Schirm durch eine strahlungsempfindliche Schicht des Detektors bereitgestellt. Damit ist es möglich, die von den Spiegeln erzeugten Lichtflecken auf dem Schirm unmittelbar, d. h. ohne das Hinzufügen einer weiteren Optik zwischen dem Schirm und dem Detektor, zu detektieren.
Gemäß einer hierzu alternativen Ausführungsform umfasst der Schirm eine lichtstreuende Schicht, und das EUV-Lithographiesystem umfasst ferner eine Abbildungsoptik, um die lichtstreuende Schicht auf eine strahlungsempfindliche Schicht des Detektors abzubilden. Hierbei kann die Abbildungsoptik und die strahlungsempfindliche Schicht des Detektors sowohl hinter dem Schirm angeordnet sein, so dass auf den Detektor Licht abgebildet wird, welches die lichtstreuende Schicht des Schirms durchsetzt hat, und es kann die Abbildungsoptik und der Detektor auch vor dem Schirm angeordnet sein, so dass auf den Detektor Licht abgebildet wird, welches an der lichtstreuenden Schicht reflektiert wird.
Gemäß Ausführungsformen hierin ist die durch die Abbildungsoptik bereitgestellte Abbildung von dem Schirm auf die strahlungsempfindliche Schicht des Detektors eine verkleinernde Abbildung, so dass der Bereich des Schirms, auf welchen von den Spiegelelementen erzeugte Lichtflecken treffen und welcher auf den Detektor abgebildet wird, wesentlich größer sein kann als eine Ausdehnung der strahlungsempfindlichen Schicht des Detektors.
Gemäß Ausführungsformen weisen die Spiegelelemente Reflexionsflächen mit einer in Draufsicht langgestreckten Gestalt auf. Beispielsweise kann eine Länge der Reflexionsflächen in Draufsicht mehr als fünfmal oder mehr als zehnmal größer sein als deren Breite.
Gemäß Ausführungsformen hierin können die Spiegelelemente in Reihen nebeneinander angeordnet sein, wobei Mitten der Spiegelflächen innerhalb der Reihen mit einem Abstand voneinander angeordnet sind, der kleiner ist als die Länge der Spiegelflächen, und Mitten der Reihen aus Spiegelelementen können mit einem Abstand voneinander angeordnet sein, der größer oder gleich der Länge der Spiegelflächen ist. Im Hinblick auf eine Bereitstellung einer möglichst großen Zahl von Spiegelelementen innerhalb einer zur Verfügung stehenden Fläche ist vorgesehen, dass die Spiegelelemente innerhalb der Reihen dicht an dicht, d. h. mit einem möglichst kleinen Abstand voneinander, angeordnet sind, und dass wenigstens einige der Reihen von Spiegelelementen wiederum dicht an dicht, d. h. mit einem möglichst kleinen Abstand voneinander, angeordnet sind.
Gemäß Ausführungsformen ist die Monitorstrahlungsquelle dazu konfiguriert, eine Mehrzahl von separaten Strahlenbündeln zu erzeugen, die mit Abstand voneinander auf das Spiegelsystem treffen, wobei ein jedes der Strahlenbündel auf ein oder mehrere Spiegelelemente des Spiegelsystems trifft und wobei eine laterale Ausdehnung des Strahlenbündels gesehen in Längsrichtung eines von dem Strahlenbündel getroffenen Spiegelelements kleiner ist als die Länge des Spiegelelements. Hierdurch trägt nur ein Teil der Gesamtfläche der Reflexionsfläche des Spiegelelements zur Abbildung der Monitorstrahlungsquelle in das über die Reflexion an dem Spiegelelement erzeugte Bild der Monitorstrahlungsquelle bei. Durch diese Beschränkung der Apertur der Abbildung können Abbildungsfehler der Abbildung verringert werden, was zu einem verkleinerten Lichtfleck auf dem Schirm führt. Dies wiederum macht es möglich, dass eine größere Zahl von auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken miteinander nicht überlappen und damit deren Positionen eindeutiger und/oder genauer bestimmbar sind.
Gemäß Ausführungsformen umfasst die wenigstens eine Monitorstrahlungsquelle eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Strahlungsquellen. Auch diese mehreren nebeneinander angeordneten Strahlungsquellen können über die Spiegelelemente abgebildet werden und Lichtflecken auf dem Schirm erzeugen. Dies führt zunächst auf einem ausgedehnten Schirm zu einer erhöhten Zahl von Lichtflecken, da jedes einzelne Spiegelelement eine der Zahl der Strahlungsquellen entsprechende Zahl von Lichtflecken auf dem Schirm erzeugt.
Hierbei ist es möglich, dass bereits innerhalb eines kleinen Teils des ausgedehnten Schirms von einem jeden Spiegelelement wenigstens ein Lichtfleck erzeugt wird, wobei diese Lichtflecken dann allerdings von Lichtstrahlen erzeugt werden, die von verschiedenen Lichtquellen ausgehen. Damit enthält dieser vergleichsweise kleine Teil des Schirms bereits sämtliche Information, die zur Bestimmung der Orientierungen der Spiegelelemente notwendig ist, so dass es ausreichend ist, lediglich die auf den kleineren Teil des Schirms treffenden Strahlungsintensitäten mit dem Detektor ortsaufgelöst zu detektieren. Die Ausdehnung des Schirms kann hierdurch wesentlich reduziert werden, und insbesondere ist es möglich, einen vergleichsweise kleinen ortsauflösenden Detektor direkt als Schirm einzusetzen.
Gemäß Ausführungsformen ist die Zahl der Spiegelelemente und damit die Zahl der auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken groß, während die Ausdehnung der auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken nicht so klein ist, um in allen Betriebssituationen ein Überlappen von zwei oder mehreren Lichtflecken auf dem Schirm zu vermeiden. Wenn ein oder mehrere Lichtflecken auf dem Schirm überlappen, ist es nicht einfach, die ortsaufgelöst detektierten Positionen der Lichtflecken auf dem Schirm eindeutig bestimmten Spiegelelementen zuzuordnen.
Gemäß Ausführungsformen ist deshalb vorgesehen, dass die mehreren Monitor-Strahlungsquellen jeweils Strahlung aus einem vorbestimmten Wellenlängenbereich emittieren und die Wellenlängenbereiche von wenigstens zwei Strahlungsquellen voneinander verschieden sind. Beispielsweise können die Wellenlängenbereiche eine Breite von weniger als 100 nm oder weniger als 50 nm aufweisen, und Mitten der Wellenlängenbereiche der von zwei verschiedenen Strahlungsquellen emittierten Strahlung können sich um mehr als 20 nm, mehr als 50 nm oder mehr als 100 nm unterscheiden. Es ist dann möglich, zur ortsaufgelösten Detektion der Lichtflecken einen wellenlängensensitiven Detektor, wie beispielsweise eine Farbkamera, einzusetzen. Wenn dann zwei Lichtflecken, welche von zwei verschiedenen Spiegelelementen aus Licht von zwei verschiedenen Strahlungsquellen erzeugt werden, auf dem Schirm teilweise überlappen, ist es unter Berücksichtigung der detektierten Farbe der einzelnen Lichtflecken dennoch möglich, deren Positionen auf dem Schirm eindeutig zu bestimmen.
Gemäß einer hierzu alternativen oder ergänzenden Ausführungsform ist vorgesehen, dass die mehreren Strahlungsquellen ihre Strahlung jeweils mit einer vorbestimmten zeitlichen Intensitätsmodulation emittieren, wobei die zeitlichen Intensitätsmodulationen von wenigstens zwei Strahlungsquellen voneinander verschieden sind. Zum Beispiel können voneinander verschiedene Intensitätsmodulationen dadurch erreicht werden, dass eine jede Strahlungsquelle mit einer vorgegebenen Frequenz von beispielsweise 1000 Hz, 100 Hz oder 10 Hz intensitätsmoduliert emittiert. Hierbei können sämtliche Strahlungsquellen die Intensitäten der Strahlung mit einer gleichen Frequenz modulieren, sofern dies nicht synchron sondern phasenverschoben geschieht. Ferner ist es möglich, dass eine jede Strahlungsquelle zur Modulation der Intensität der von ihr emittierten Strahlung eine andere Frequenz verwendet.
Gemäß weiterer Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Modulation der Intensität der von den Strahlungsquellen emittierten Strahlung mit der Möglichkeit kombiniert wird, für wenigstens einige der mehreren Strahlungsquellen verschiedene Wellenlängenbereiche der von diesen emittierten Strahlung vorzusehen.
Gemäß weiterer Ausführungsformen erzeugt die Monitor-Strahlungsquelle mittels einer oder mehrerer Strahlungsquellen Strahlenbündel, welche jeweils auf mehrere, oder alle, Spiegelelemente des Spiegelsystems treffen und von diesen reflektiert werden, wobei die von den Spiegelelementen reflektierte Monitor-Strahlung mittels einer plenoptischen Kamera detektiert wird. Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, dass mehrere Monitor-Strahlungsquellen jeweils Strahlung aus vorbestimmten Wellenlängenbereichen emittieren und die Wellenlängenbereiche von wenigstens zwei Strahlungsquellen voneinander verschieden sind, oder/und dass die mehreren Monitor-Strahlungsquellen ihre Strahlung jeweils mit einer vorbestimmten zeitlichen Intensitätsmodulation emittieren, wobei die zeitlichen Intensitätsmodulationen von wenigstens zwei Strahlungsquellen voneinander verschieden sind, wie dies vorangehend bereits erläutert wurde.
Die Komponenten des EUV-Lithographiesystems, welche den EUV-Strahlengang bereitstellen und definieren, also die EUV-Strahlungsquelle, die abzubildende Struktur, die strahlungsempfindliche Struktur, die Abbildungsoptik, das erste Spiegelsystem und gegebenenfalls weitere Spiegel sind jeweils an einem gemeinsamen Träger gehalten und relativ zu diesem justierbar, um eine gewünschte Position und/oder Orientierung derselben einzustellen. Um die Position und/oder Orientierung des ersten Spiegelsystems relativ zu einem solchen gemeinsamen Träger zu bestimmen, ist gemäß einer weiteren Ausführungsform ein EUV-Lithographiesystem vorgesehen, welches umfasst: eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist, eine EUV-Strahlungsquelle ein erstes Spiegelsystem, welches in einem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel und eine Vielzahl von Spiegelelementen umfasst, die an dem Sockel befestigt sind und deren Orientierung relativ zu dem Sockel jeweils einstellbar ist, ein Interferometer mit einem Messarm, einen an dem Sockel des ersten Spiegelsystems befestigten Monitor-Spiegel, und ein Hologramm, welches in dem Strahlengang des Messarms zwischen dem Spiegel und dem Interferometer angeordnet ist. Hierbei können Komponenten des Interferometers und das Hologramm an dem gemeinsamen Träger befestigt sein. In dem Interferometer wird die Strahlung, die den Messarm durchlaufen hat, in welchem das Hologramm und der an dem Sockel des ersten Spiegelsystems befestigte Spiegel angeordnet sind, mit Strahlung, die den Referenzarm des Interferometers durchlaufen hat, überlagert. Die überlagerte Strahlung führt zu einem Interferenzmuster, welches mit einem Detektor des Interferometers detektiert werden und analysiert werden kann. Aus der Analyse des Interferenzmusters ist es möglich, die Position und Orientierung des Spiegels und damit des Sockels des ersten Spiegelsystems zu dem gemeinsamen Träger zu ermitteln. In Abhängigkeit von der so ermittelten Position und Orientierung ist es möglich, einen Aktuator, der die Position und Orientierung des Sockels des ersten Spiegelsystems relativ zu dem gemeinsamen Träger bzw. zu der Objektebene der Abbildungsoptik ändert, zu bestätigen. Eine Justage der Position und Orientierung des ersten Spiegelsystems relativ zu den übrigen Komponenten des EUV-Lithographiesystems ist somit mit einer besonders hohen Genauigkeit möglich.
Gemäß weiterer Ausführungsformen ist vorgesehen, ein Interferometer, ein Hologramm und einen an einem Sockel eines den EUV-Strahlengang ablenkenden Spiegels befestigten Spiegel auch für Sockel anderer Spiegel des EUV-Strahlengangs vorzusehen, welche von dem vorangehend beschriebenen ersten Spiegelsystem verschieden sind.
Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert. Hierbei zeigt:
1 eine schematische Darstellung eines EUV-Strahlengangs eines EUV-Lithographiesystems gemäß einer Ausführungsform,
2 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf ein Spiegelsystem mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen des EUV-Lithographiesystems der 1,
3 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf ein weiteres Spiegelsystem mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen des EUV-Lithographiesystems der 1,
4 eine schematische Darstellung eines Monitorstrahlengangs des in 1 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
5 eine perspektivische schematische Darstellung des Monitorstrahlengangs des in 1 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
6 eine schematische Darstellung von Eigenschaften des Monitorstrahlengangs des in 1 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
7a eine weitere schematische Darstellung des Monitorstrahlengangs des in 1 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
7b eine der 7a entsprechende Darstellung eines Monitorstrahlengangs eines EUV-Lithographiesystems gemäß einer weiteren Ausführungsform,
8 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Monitor-Strahlengangs des in 1 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
9 eine schematische Darstellung eines Details eines EUV-Lithographiesystems gemäß einer weiteren Ausführungsform,
10 eine Draufsicht auf ein Hologramm des in 9 gezeigten EUV-Lithographiesystems,
11 eine schematische Darstellung von Strahlengängen durch das in 10 gezeigte Hologramm im Schnitt entlang einer Linie X-X der 10 und
12 eine schematische Darstellung von Strahlengängen durch das in 10 gezeigte Hologramm im Schnitt entlang einer Linie XI-XI der 10.
1 zeigt in schematischer Darstellung ein EUV-Lithographiesystem 1 und dient zu Erläuterung eines EUV-Strahlengangs 3 des EUV-Lithographiesystems. Der EUV-Strahlengang 3 des Lithographiesystems 1 dient zur Abbildung einer abzubildenden Struktur 5, deren Oberfläche in einer Objektebene 7 des Lithographiesystems 1 angeordnet ist. Hierzu wird die abzubildende Struktur 5 mit EUV-Strahlung beleuchtet, welche von einer EUV-Strahlungsquelle 9 erzeugt wird. Die EUV-Strahlungsquelle 9 kann beispielsweise eine Plasmastrahlungsquelle sein, welche EUV-Strahlung in einem Wellenlängenbereich von beispielsweise 5 nm bis 15 nm emittiert. Ein Teil der von der EUV-Strahlungsquelle emittierten Strahlung wird an einem Kollektorspiegel 11 kollimiert reflektiert, so dass sie auf ein erstes Spiegelsystem 13 trifft, welches einen Sockel 15 und eine Mehrzahl von an dem Sockel 15 befestigten Spiegelelementen 17 umfasst. An den Spiegelelementen 17 reflektierte EUV-Strahlung trifft auf ein zweites Spiegelsystem 19, welches einen Sockel 21 und eine Mehrzahl von an dem Sockel 21 befestigten Spiegelelementen 23 umfasst. An den Spiegelelementen 23 reflektierte EUV-Strahlung kann direkt oder nach Reflexion an ein oder mehreren weiteren Spiegeln indirekt auf die abzubildende Struktur 5 gerichtet werden. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird die an den Spiegelelementen 23 reflektierte EUV-Strahlung nach Reflexion an drei in dem EUV-Strahlengang hintereinander angeordneten Spiegeln 25, 26 und 27 auf die abzubildende Struktur 5 gerichtet.
Das erste Spiegelsystem 13 ist in 2 schematisch in Draufsicht dargestellt. Spiegelflächen der Spiegelelemente 17 haben in Draufsicht eine langgestreckte gekrümmte Gestalt, wobei eine Breite b der Spiegelflächen mehr als fünfmal kleiner, insbesondere mehr als zehnmal kleiner, ist als eine Länge l der Spiegelflächen der Spiegelelemente 17. Die Spiegelelemente 17 sind in dem dargestellten Beispiel in vier Reihen 14 dicht an dicht nebeneinander angeordnet, so dass die Spiegelflächen der Spiegelelemente 17 die von den Spiegelelementen eingenommene Fläche möglichst umfassend ausfüllen. Mitten der Spiegelfläche sind innerhalb einer jeden Reihe 14 mit einem Abstand voneinander angeordnet, welcher wesentlich kleiner ist als die Länge l der Spiegelflächen und gleich oder etwas größer ist als die Breite b der Spiegelflächen. Mitten der Reihen 14 sind voneinander mit einem Abstand angeordnet, welcher gleich oder etwas größer ist als die Länge l der Spiegelflächen.
Der EUV-Strahlengang 3 ist so konfiguriert, dass EUV-Strahlung jeweils die gesamte Spiegelfläche von allen Spiegelelementen 17 beleuchtet und dass die an sämtlichen Spiegelelementen 17 reflektierte EUV-Strahlung in der Objektebene 7 in einem einzigen Feld überlagert wird, welches eine Gestalt aufweist, die der Gestalt eines einzigen Spiegelelements 17 aufgrund der optischen Abbildung von den Spiegelelementen 17 auf die Objektebene 7 entspricht, so dass sämtliche Spiegelelemente 17 dazu beitragen, in der Objektebene 7 ein einziges Feld zu beleuchten, welches eine gekrümmte Gestalt mit größerer Länge als Breite aufweist, wobei das beleuchtete Feld wesentlich kleiner ist als die Spiegelfläche eines Spiegelelements 17.
Das Spiegelsystem 13 weist eine Vielzahl von Aktuatoren 31, von denen lediglich zwei in 2 exemplarisch dargestellt sind, auf, um eine Orientierung der Spiegelfläche von mehreren oder allen der Spiegelelemente 17 relativ zu dem Sockel 15 zu ändern. Die Aktuatoren 31 werden von einer Steuerung 33 über Steuerleitungen 34 kontrolliert. Die Aktuatoren 31 werden von der Steuerung 33 betätigt, um eine gewünschte Winkelverteilung der auf die Objektebene 7 treffenden EUV-Strahlung einzustellen. Hintergrundinformation zu einer derartigen Einstellung der Winkelverteilung kann der EP 1 202 101 A2 und der DE 10 2009 054 540.9 entnommen werden, deren Offenbarung vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Die Spiegelelemente 23 des zweiten Spiegelsystems 19 des dargestellten Ausführungsbeispiels weisen, wie aus 3 ersichtlich ist, Spiegelflächen mit einer quadratischen Gestalt auf. Andere Gestalten der Spiegelflächen sind ebenfalls möglich. Auch die Spiegelelemente 23 können hinsichtlich ihrer Orientierung relativ zu dem Sockel 21 des Spiegelsystems 19 über Aktuatoren (in 3 nicht dargestellt) einstellbar sein, so dass die an den Spiegelelementen 17 des ersten Spiegelsystems 15 reflektierte EUV-Strahlung nach Reflexion an den Spiegelelementen 23 des zweiten Spiegelsystems 19 auf das auszuleuchtende Feld in der Objektebene 7 trifft.
Das EUV-Lithographiesystem 1 umfasst ferner eine Abbildungsoptik 37, welche in dem EUV-Strahlengang 3 zwischen der Objektebene 7 und einer Bildebene 39 angeordnet ist, in welcher eine Oberfläche einer strahlungsempfindlichen Struktur 41 anordenbar ist und auf welche die abzubildende Struktur 5 durch die Abbildungsoptik 37 abgebildet wird. Hierzu umfasst die Abbildungsoptik 37 eine Mehrzahl von Spiegeln 43, 44, 45, 46, 47 und 48, an denen die EUV-Strahlung nach Reflexion an der abzubildenden Struktur 5 der Reihe nach reflektiert wird. Obwohl die Abbildungsoptik 37 des dargestellten Ausführungsbeispiels sechs Spiegel 43 bis 48 aufweist, die entlang einer optischen Achse 49 der Abbildungsoptik 37 angeordnet sind, können andere Beispiele von Abbildungsoptiken eine größere oder eine kleinere Zahl von Spiegeln zur Erzielung der Abbildung von der Objektebene 7 in die Bildebene 39 umfassen.
4 zeigt in schematischer Darstellung einen Monitorstrahlengang 51 des EUV-Lithographiesystems 1. Der Monitorstrahlengang 51 dient dazu, Orientierungen der Spiegelflächen der Spiegelelemente 17 des ersten Spiegelsystems 13 relativ zu dessen Sockel 15 zu bestimmen. Hierzu umfasst das EUV-Lithographiesystem 1 eine Monitorstrahlungsquelle 53, welche dazu konfiguriert ist, mehrere Strahlenbündel 55 von Monitorstrahlung auf die Spiegelelemente 17 des Spiegelsystems 13 zu richten. Die Monitorstrahlung wird in dem dargestellten Beispiel durch einen Halbleiterlaser 57 oder eine Leuchtdiode erzeugt, in eine Glasfaser 59 eingekoppelt und tritt an deren Ende 60 aus dieser aus.
Die aus der Glasfaser 59 austretende Monitorstrahlung wird mit einer Linse 61 kollimiert und durch ein diffraktives optisches Element 63 in eine Mehrzahl von Strahlenbündeln aufgeteilt, welche durch ein Linsensystem 65 auf die Spiegelelemente 17 des Spiegelsystems 13 gerichtet werden. Aufgrund der Aufteilung der Monitorstrahlung in die mehreren Strahlenbündel 55 werden die Spiegelflächen der Spiegelelemente 17 nicht ganzflächig von der Monitorstrahlung getroffen. In 2 repräsentieren schraffierte Rechtecke 69 die Querschnitte der Strahlenbündel 55 auf den Spiegelflächen 18 der Spiegelelemente 17. Es ist ersichtlich, dass eine Breite c der Strahlenbündel kleiner ist als die Länge l der Spiegelflächen 18 der Spiegelelemente 17.
Die Spiegelflächen der Spiegelelemente 17 reflektieren die auftreffende Monitorstrahlung und fokussieren diese zu einzelnen Lichtflecken, die auf einem Schirm 71 entstehen. Der Schirm ist lichtstreuend ausgebildet und besteht zum Beispiel aus Milchglas. Ein jedes der Spiegelelemente 17 erzeugt auf dem Schirm 71 einen mit Monitorstrahlung beleuchteten Lichtfleck, dessen Position auf dem Schirm 71 von der Orientierung des zugehörigen Spiegelelements 17 relativ zu dem Sockel 15 des Spiegelsystems 13 abhängt. Hinter dem Schirm 71 ist eine Abbildungsoptik 73 angeordnet, die den Schirm 71 auf eine strahlungsempfindliche Schicht 75 eines CCD-Kamerachips 77 abbildet. Diese Abbildung kann verkleinernd sein, so dass der Schirm 71, dessen Durchmesser mehrere Zentimeter betragen kann, vollständig auf einen handelsüblichen Kamerachip 77 abgebildet werden kann, dessen Durchmesser kleiner als ein Zentimeter sein kann.
Ein von dem Kamerachip 77 detektiertes Bild wird an die Steuerung 33 ausgegeben. Die Steuerung 33 kann jedes Bild hinsichtlich einer Verteilung von Strahlungsintensitäten in dem Bild analysieren und damit die Positionen der auf dem Schirm erzeugten Flecken von Monitorstrahlung bestimmen. Aus diesen Positionen wiederum kann die Steuerung 33 die Orientierungen der Spiegelelemente 17 relativ zu dem Sockel 15 des Spiegelsystems 13 ermitteln. Stimmen diese Orientierungen nicht mit gewünschten Orientierungen überein, kann die Steuerung 33 die Aktuatoren 31 (2) ansteuern, um die gewünschten Orientierungen der Spiegelelemente herzustellen.
5 ist eine schematische perspektivische Darstellung, welche Strahlverläufe der Monitorstrahlung repräsentiert, wobei für ein jedes Spiegelelement 17 des Spiegelsystems 13 der Strahlengang der jeweiligen Monitorstrahlung als Linien dargestellt sind.
6 ist eine schematische Darstellung, um geometrische Relationen zwischen der Monitorstrahlungsquelle 53, den Spiegelelementen 17 und dem Schirm 71 zu erläutern. Die Monitorstrahlungsquelle 53 ist in 6 als Punktquelle dargestellt, welche Strahlenbündel an Monitorstrahlung auf drei exemplarisch dargestellte Spiegelelemente 17 ₁, 17 ₂, 71 ₃ richtet. Die Spiegelelemente 17 ₁, 17 ₂, 71 ₃ haben jeweils eine konkav gekrümmte Spiegelfläche 18, welche jeweils in den Spiegelflächen zugeordneten Ebenen 81 ₁, 81 ₂, 81 ₃ ein Bild der Monitorstrahlungsquelle 53 erzeugen. Die Bildebenen 81 ₁, 81 ₂, 81 ₃ liegen nicht notwendigerweise in einer gemeinsamen Ebene. Allerdings ist der Schirm 71 nahe bei den Bildebenen 81 ₁, 81 ₂, 81 ₃ angeordnet, da folgende Eigenschaften erfüllt sind: die Abstände zwischen den Spiegelelementen 17 ₁, 17 ₂, 71 ₃ und den durch die jeweiligen Spiegelelemente 17 ₁, 17 ₂, 71 ₃ erzeugten Bildebenen 81 ₁, 81 ₂, 81 ₃ können voneinander verschieden sein und sind in 6 mit A₁, A₂ bzw. A₃ bezeichnet. Diese Abstände haben ein Minimum, welches in der Darstellung der 6 der Abstand A₂ ist. Die Bildebenen 81 wiederum weisen von dem Schirm 71 verschiedene Abstände auf, welche in 6 mit B₁, B₂ bzw. B₃ bezeichnet sind. Diese Abstände haben ein Maximum, welches in der Darstellung der 6 der Abstand B₁ ist. Dieser maximale Abstand B₁ ist kleiner als die Hälfte und insbesondere kleiner als ein Viertel des minimalen Abstands A₂. In der Praxis ist es möglich, dass die Bildebenen 81 alle sehr nahe an dem Schirm liegen und mit dessen Oberfläche eventuell zusammenfallen. In diesem Fall sind die durch die Monitorstrahlung auf dem Schirm 71 erzeugten Lichtflecken besonders klein, so dass die Wahrscheinlichkeit, dass zwei Lichtflecken miteinander überlappen, besonders gering ist. Hierzu trägt auch die Tatsache bei, dass die Querschnitte 69 (2) der auf die Spiegelelemente 17 gerichteten Monitorstrahlung kleiner sind als die Längen l der Spiegelelemente. Hierdurch werden Abbildungsfehler bei der Abbildung der im Idealfall punktförmigen Monitorstrahlungsquelle 53 auf den Schirm verringert und eine Ausdehnung auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken ebenfalls verringert.
Gleichwohl haben die auf dem Schirm 71 erzeugten Lichtflecken einen endlichen Durchmesser, und bei der großen Zahl an Spiegelelementen 17 ist die Wahrscheinlichkeit dafür, dass zwei oder mehr Lichtflecken auf dem Schirm überlappen, durchaus gegeben. Es besteht das Problem, die Positionen der überlappenden Lichtflecken auf dem Schirm 71 dennoch möglichst genau zu bestimmen, diese Positionen dann den zugehörigen Spiegelelementen zuzuordnen, und schließlich deren Orientierungen zu bestimmen.
Obwohl in dem Beispiel der 4 eine verkleinernde Abbildung des Schirms auf die Kamera 77 dargestellt ist, ist es wünschenswert, auf eine solche Abbildung zu verzichten und die durch die Monitorstrahlung auf dem Schirm erzeugten Lichtflecken direkt zu bestimmen, indem beispielsweise ein Kamerachip so positioniert wird, dass dessen strahlungsempfindliche Schicht an der Position des in 4 dargestellten Schirms 71 angeordnet ist und dessen Funktion übernimmt. In der Praxis sind allerdings die Lichtflecken 71 in der Position des Schirms über eine so große Fläche verteilt, dass ein entsprechend großer Kamerachip sehr teuer ist oder auf dem Markt nicht verfügbar ist. Eine Möglichkeit zur Lösung dieses Problems wird nachfolgend anhand der 7a und 7b erläutert.
7a zeigt eine Darstellung des Monitorstrahlengangs 51 schematisch in einer Draufsicht auf die Spiegelelemente des Spiegelelements 13. Eine im Wesentlichen punktförmige Monitorstrahlungsquelle 53 erzeugt nach Reflexion an den Spiegelelementen eine Vielzahl von Lichtflecken 91 auf dem Schirm 71, wobei nur einige der erzeugten Lichtflecken 91 und deren zugehörige Strahlen in 7a exemplarisch dargestellt sind. Die Lichtflecken 91 sind über den Schirm 71 mit dem Durchmesser D1 verteilt angeordnet. Um die Orientierung eines jeden Spiegelelements 17 ermitteln zu können, müssen die Positionen sämtlicher Lichtflecken 91 auf dem Schirm 71 erfasst werden, weshalb es notwendig ist, den gesamten Durchmesser D1 des Schirms 71 auf den Detektor abzubilden oder einen Detektor an der Position des Schirms 71 anzuordnen, welcher den großen Durchmesser D1 aufweist.
7b zeigt eine weitere Ausführungsform eines EUV-Lithographiesystems, welches eine Mehrzahl von Monitorstrahlungsquellen 53 aufweist. Die Monitorstrahlungsquellen 53 sind nebeneinander und mit lateralem Abstand voneinander angeordnet und richten jeweils ihr Licht, gegebenenfalls als Strahlenbündel, deren Strahldurchmesser am Ort der Spiegelelemente kleiner sind als die Längen der Spiegelelemente, auf die Spiegelelemente und erzeugen Lichtflecken 91 auf dem Schirm 71. Gegenüber dem Beispiel der 7a ist die Zahl der Lichtflecken auf dem Schirm 71 der 7b um die Zahl der Strahlungsquellen 53 vervielfacht. Ein jedes Spiegelelement erzeugt auf dem Schirm 71 eine Zahl von Lichtflecken 91, welche der Zahl der Lichtquellen 53 entspricht. Die von einem Spiegelelement erzeugten Lichtflecken sind allerdings lateral zueinander versetzt, da auch die mehreren Lichtquellen 53 mit Abstand nebeneinander angeordnet sind. Kreise 71' in 7b repräsentieren die Flächen, innerhalb denen sämtliche Lichtflecken 91 angeordnet sind, welche von einer einzigen Strahlungsquelle 53 über Reflexion an sämtlichen Spiegelelementen entstehen. Diese Kreise 71' sind relativ zueinander versetzt, da auch die Strahlungsquellen 53 mit Abstand voneinander angeordnet sind. Ein Kreis 72 in 2 repräsentiert einen im Vergleich zu dem Durchmesser des Schirms kleinen Bereich desselben, innerhalb welchem Flecken 91 von sämtlichen Spiegelelementen 17 angeordnet sind, wobei diese Flecken allerdings durch an den Spiegelelementen reflektierte Monitorstrahlung erzeugt werden, welche von verschiedenen Lichtquellen 53 ausgeht. Da innerhalb des Kreises 72 ein jedes Spiegelelement 17 einen Lichtfleck 91 erzeugt, ist es ausreichend, zur Bestimmung der Orientierung sämtlicher Spiegelelemente lediglich den im Vergleich zu dem Durchmesser 71 des Schirms kleinen Bereich 72 auf den Detektor abzubilden oder an der Position des Schirms 71 einen Detektor anzuordnen, welcher einen Durchmesser aufweist, der dem Durchmesser des Kreises 72 entspricht.
Aufgrund der erhöhten Zahl von Lichtflecken 91 auf dem Schirm 71 in dem Beispiel der 7b ist auch die Wahrscheinlichkeit erhöht, dass zwei oder mehr Lichtflecken sich auf dem Schirm überlagern und dann die Bestimmung der Position der Lichtflecken auf dem Schirm und die Zuordnung der Positionen zu bestimmten Spiegelelementen schwierig ist. Zur Lösung dieses Problems ist vorgesehen, dass die mehreren Strahlungsquellen 53 die Monitorstrahlung in verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren. So können die Wellenlängenbereiche, in denen die Strahlungsquellen emittieren, paarweise voneinander verschieden sein, so dass die Monitorstrahlung insgesamt in einer der Zahl der Strahlungsquellen entsprechenden Zahl von Wellenlängenbereichen emittiert wird. Ebenso ist es möglich, Gruppen von Monitorstrahlungsquellen zu bilden, wobei die Wellenlängenbereiche zwischen Gruppen paarweise voneinander verschieden sind. Es entstehen dann auf dem Schirm verschiedenfarbige Flecken, je nachdem von welcher Strahlungsquelle die den Fleck erzeugende Monitorstrahlung ausgeht. Der Detektor wird dann vorzugsweise wellenlängensensitiv ausgebildet, oder es werden wahlweise verschiedene Sperrfilter zwischen dem Schirm und dem Detektor in dem Strahlengang der in 4 gezeigten Abbildungsoptik 77 angeordnet, wobei die Sperrfilter lediglich die von einer bestimmten Monitorstrahlungsquelle erzeugte Monitorstrahlung durchlassen. Somit ist es möglich, auch einander überlappende Flecken auf dem Schirm, welche von verschiedenen Monitorstrahlungsquellen erzeugt werden, eindeutig ihren zugehörigen Spiegelelementen zuzuordnen.
Ergänzend oder alternativ hierzu ist es auch möglich, dass eine jede der Strahlungsquellen 53 ihre Monitorstrahlung zeitlich intensitätsmoduliert emittiert. Hierbei ist es möglich, dass die Intensitätsmodulationen sämtlicher Strahlungsquellen paarweise voneinander verschieden sind oder dass Gruppen von Strahlungsquellen gebildet werden, wobei die Intensitätsmodulationen innerhalb einer jeden Gruppe gleich, von Gruppe zu Gruppe aber paarweise voneinander verschieden sind. Bei bekannter zeitlicher Intensitätsmodulation einer jeden Monitorstrahlungsquelle ist es durch zeitaufgelöste Analyse der detektierten Bilder möglich, die detektierten Lichtflecken einer zugehörigen Monitorstrahlungsquelle bzw. einer Gruppe von Monitorstrahlungsquellen zuzuordnen.
8 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Monitor-Strahlengangs 51, welcher in dem anhand der 1 bis 3 erläuterten EUV-Lithographiesystem realisiert sein kann. In dem in 8 gezeigten Monitor-Strahlengang 51 ist eine plenoptische Kamera 85 angeordnet, um von Monitor-Strahlungsquellen 53 erzeugte Monitor-Strahlung, welche an Spiegelelementen 17 reflektiert wird, zu detektieren.
Hierzu umfasst die plenoptische Kamera 85 ein Kameraobjektiv 87, welches eine einzelne Linse oder ein aus mehreren Linsen zusammengesetztes Linsensystem umfassen kann, einen Kamerachip 77 mit einer strahlungsempfindlichen Schicht 86 und ein in einer Ebene 71 angeordnetes Feld aus Mikrolinsen 89, welche zwischen dem Kamerachip 77 und dem Objektiv 87 angeordnet sind. Ein Abstand zwischen den Mikrolinsen 89 und der strahlungsempfindlichen Schicht 86 kann einer Brennweite der Mikrolinsen 89 entsprechen, kann allerdings auch größer oder kleiner gewählt sein. Ferner ist es möglich, dass die plenoptische Kamera ein separates Objektiv 87 nicht aufweist und die an den Spiegelelementen 17 reflektierten Strahlen direkt auf das Feld von Mikrolinsen 89 treffen. Eine Anzahl der Mikrolinsen 89 des Feldes kann mehr als 100, mehr als 1.000 oder mehr als 10.000 betragen. Der Kamerachip 77 ist ortsauflösend und kann beispielsweise ein CCD-Chip sein, dessen Anzahl von Bildelementen (Pixeln) größer ist als die Anzahl der Mikrolinsen 89 des Feldes. Beispielsweise kann die Anzahl der Bildelemente mehr als 10, mehr als 100 oder mehr als 1.000 mal größer sein als die Anzahl der Mikrolinsen 89. Linien 91 in 8 repräsentieren tubusartige Röhren, die sich teilweise zwischen den Mikrolinsen 89 und der strahlungsempfindlichen Schicht 86 erstrecken, um einen Winkelbereich der Strahlung, die die Mikrolinsen 89 durchsetzt und auf die strahlungsempfindliche Schicht 86 trifft, zu beschränken oder ein Übersprechen zwischen Bereichen 93 der strahlungsempfindlichen Schicht 86, welche jeweils einer Mikrolinse 89 zugeordnet sind, zu reduzieren. Solche Trennwände 91 müssen allerdings nicht unbedingt vorgesehen sein.
Die Komponenten des Monitor-Strahlengangs 51 können so konfiguriert und relativ zueinander so ausgerichtet sein, dass Bilder der Monitor-Strahlungsquellen 53 in der Ebene 71 oder nahe der Ebene 71 entstehen. Dies ist zum Beispiel dann der Fall wenn die Anhand der 6 vorangehend erläuterten geometrischen Relationen erfüllt sind, wobei dann das Bezugszeichen 71 in 6 nicht einen Schirm sondern die Lage der Ebene bezeichnet, in der das Feld der Mikrolinsen 89 der plenoptischen Kamera angeordnet ist.
8 zeigt exemplarische Lichtstrahlen 93, welche von zwei Strahlungsquellen 53 ausgehen, an zwei der mehreren Spiegelelemente 17 reflektiert werden und auf das Feld aus Mikrolinsen 89 der plenoptischen Kamera 85 treffen. Hierbei sind Lichtstrahlen, welche unter einem zu großen Winkel zur Senkrechten auf das Feld der Mikrolinsen 89 treffen und von den Wänden 91 absorbiert und deshalb nicht detektiert werden, gestrichelt dargestellt, während die Strahlen 93, welche durch die Mikrolinsen 89 auf die strahlungsempfindliche Schicht 86 gerichtet werden, in durchgezogenen Linien dargestellt sind.
Ein durch eine der Mikrolinsen 89 auf die strahlungsempfindliche Schicht 86 gerichteter Lichtstrahl erzeugt einen Lichtfleck auf der strahlungsempfindlichen Schicht 86, dessen Position innerhalb eines Bereichs 93 von der Position relativ zu der zugehörigen Mikrolinse 89 abhängt, an der oder nahe bei der das Bild der entsprechenden Monitor-Strahlungsquelle 53 erzeugt wird. Damit läßt sich aus der Position des detektierten Lichtflecks auf die Position des Bildes der Monitor-Strahlungsquelle 53 in der Ebene 71 und daraus wiederum auf den Kippwinkel des zugehörigen Spiegelelements schließen. Da kleine Änderungen der Position des Bildes der Monitor-Strahlungsquelle 53 in der Ebene 71 aufgrund der Mikrolinse zu einer vergleichsweise großen Änderung der Position des detektierten Lichtflecks auf der strahlungsempfindlichen Schicht führen, läßt sich auf diese Weise der Kippwinkel des Spiegelelements mit relativ hoher Genauigkeit erfassen.
In 8 sind lediglich zwei Lichtquellen 53 dargestellt. Es können jedoch wesentlich mehr Strahlungsquellen in dem Monitor-Strahlengang 51 angeordnet sein. Die mehreren Strahlungsquellen 53 können hierbei Monitor-Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge und/oder mit unterschiedlichen zeitlichen Intensitätsmodulationen emittieren, wodurch eine Zuordnung der detektierten Monitor-Strahlung zu einzelnen Strahlungsquellen 53 und Spiegelelementen 17 erleichtert wird, wie dies vorangehend bereits erläutert wurde.
8 zeigt ferner eine mögliche Integration des Monitor-Strahlengangs 51 mit dem EUV-Strahlengang derart, dass der Monitor-Strahlengang gegenüber dem EUV-Strahlengang vergleichsweise geringen zusätzlichen Bauraum beansprucht. Die Monitor-Strahlungsquellen 53 sind nämlich zwischen benachbarten Spiegelelementen eines weiteren Spiegelsystems 19 des EUV-Strahlengangs angeordnet. Hierbei können die Strahlungsquellen 53 beispielsweise zwischen ohnehin bestehenden Lücken zwischen benachbarten Spiegelelementen 23 angeordnet sein, oder es können dann, wenn zwischen den Spiegelelementen 23 ausreichend große Lücken nicht bestehen, einzelne Spiegelelemente weggelassen und durch eine Monitor-Strahlungsquelle 53 ersetzt werden.
Die Monitor-Strahlungsquellen 53 können beispielsweise durch Faserenden von Lichtleitern realisiert sein, welche Licht einer entfernt angeordneten Strahlungsquelle an Orte zwischen den Spiegelelementen 23 führen, so dass das Licht von den Faserenden hin zu den zu vermessenden Spiegelelementen 17 emittiert wird und die Faserenden somit als einzelne Lichtquelle der Monitor-Strahlungsquelle wirken.
9 zeigt in schematischer Darstellung ein Detail einer weiteren Ausführungsform eines EUV-Lithographiesystems 1, welches einen ähnlichen Aufbau haben kann, wie das anhand der 1 erläuterte Lithographiesystem und welches ein Spiegelsystem 13 mit einer Vielzahl von Spiegelelementen 17 umfasst, die an einem gemeinsamen Sockel 15 des Spiegelsystems befestigt sind. Das Spiegelsystem 13 wiederum ist innerhalb des EUV-Lithographiesystems an einem gemeinsamen Träger 101 befestigt und relativ zu diesem hinsichtlich Position und Orientierung justierbar, wie dies durch Pfeile 103 in 9 angedeutet ist. An den Träger 101 sind noch weitere Komponenten des EUV-Lithographiesystems 1 befestigt, wie beispielsweise eine Halterung für die abzubildende Struktur, eine Halterung für die strahlungsempfindliche Struktur, Komponenten der Abbildungsoptik und die EUV-Strahlungsquelle. Die Position und Orientierung des Spiegelsystems 13 relativ zu dem Träger 101 und damit relativ zu den übrigen Komponenten des EUV-Lithographiesystems 1 soll mit sehr hoher Präzision erfolgen.
Während anhand der 1 bis 8 Ausführungsbeispiele erläutert wurden, um die Orientierungen der Spiegelelemente des Spiegelsystems relativ zu dem Sockel des Spiegelsystems zu justieren, wird anhand der 9 bis 12 eine Ausführungsform des EUV-Lithographiesystems erläutert, welches es ermöglicht, das Spiegelsystem 13 insgesamt, d. h. dessen Sockel 15 relativ zu dem Träger 101 zu positionieren. Hierzu umfasst das EUV-Lithographiesystem 1 ein Interferometer 105, welches eine kohärente Lichtquelle zur Erzeugung eines Messstrahls, einen Strahlteiler zur Aufteilung des Messstrahls in einen Referenzarm und einen Messarm und einen Detektor umfasst, um ein durch Überlagerung von Strahlung, welche den Referenzarm durchlaufen hat, mit Strahlung, welche den Messarm durchlaufen hat, erzeugtes Interferenzmuster zu detektieren. Das Interferometer 105 ist an dem Träger 101 befestigt. An dem Träger 101 ist ebenfalls ein Hologramm 107 befestigt, welches von der in dem Messarm des Interferometers 105 ausgegebenen Messstrahlung 109 durchsetzt wird. Das Hologramm ist ein diffraktives optisches Element, welches beispielsweise durch Berechnung auf einem Computer und Herstellung beispielsweise mit Hilfe eines Elektronenstrahlgeräts gefertigt sein kann. Das Hologramm 107 ist auf einen Spiegel 111 abgestimmt, welcher an dem Sockel 15 des Spiegelsystems 13 befestigt ist. An dem Spiegel 111 wird die Strahlung 109 des Messarm des Interferometers 105 reflektiert, durchsetzt das Hologramm 107 erneut und wird dann in dem Interferometer 105 mit der Strahlung des Referenzarms überlagert. Geringste Verlagerungen des Spiegels 111 relativ zu dem Hologramm 107 führen zu messbaren Veränderungen in dem durch den Detektor des Interferometers 105 detektieren Interferenzmusters, so dass auch geringste Verlagerungen oder Positionsfehler des Sockels 15 des Spiegelsystems 13 relativ zu dem Träger 101 mit dem Interferometer 105 detektiert werden können.
10 zeigt eine Draufsicht auf das Hologramm 107, welches mehrere funktionale Bereiche 115 und 117 aufweist. Innerhalb der funktionalen Bereiche sind diffraktive Strukturen des Hologramms so ausgebildet, dass sie die auftreffende Messstrahlung auf eine bestimmte Weise beugen. Dies ist aus den Querschnitten der 11 und 12 ersichtlich.
11 zeigt, dass der Spiegel 111 zwei funktionale Bereiche 111 ₁ und 111 ₂ aufweist, wobei in dem Bereich 111 ₁ die Spiegelfläche eine sphärische Gestalt und in dem Bereich 111 ₂ die Spiegelfläche eine asphärische Gestalt hat. Der funktionale Bereich 115 des Hologramms 107 beugt die parallele eintretende Messstrahlung 109 so, dass einzelne Strahlen im Wesentlichen orthogonal auf die sphärische Spiegelfläche 111 treffen und in sich selbst zurückreflektiert werden. Die funktionalen Bereiche 117 des Hologramms 107 beugen die Strahlung 109 so, dass auf der asphärischen Spiegelfläche Punktfoki derart entstehen, dass die Messstrahlung ebenfalls in sich selbst zurückreflektiert wird. Bei einer geringfügigen Verlagerung des Spiegels 111 relativ zu dem Hologramm 107 sind die oben genannten Bedingungen, dass die Messstrahlung nach orthogonalem Auftreffen auf der sphärischen Spiegelfläche 111 ₁ oder Bilden von Punktfoki auf der asphärischen Spiegelfläche 111 ₂ in sich selbst zurückreflektiert wird, nicht mehr erfüllt, was aus der entsprechenden Veränderung des mit dem Interferometer 105 detektierten Interferogramms erfasst wird. Es kann dann die Position und/oder die Orientierung des Sockels 15 relativ zu dem Träger 101 so lange über Aktuatoren verändert werden, bis die oben genannten Bedingungen erfüllt sind und das entstehende Interferogramm eine gewünschte Gestalt aufweist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

EP 1202101 A2 [0002, 0048]
DE 102009054540 [0048]

Claims

EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang (3) und einem Monitor-Strahlengang (51), wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang (3) aufweist: eine Abbildungsoptik (37), die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene (7), in der eine abzubildende Struktur (5) anordenbar ist, in eine Bildebene (39) abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur (41) anordenbar ist; eine EUV-Strahlungsquelle (9); ein erstes Spiegelsystem (13), welches in dem EUV-Strahlengang (3) zwischen der EUV-Strahlungsquelle (9) und der Objektebene (7) angeordnet ist und welches einen Sockel (15) und eine Vielzahl von Spiegelelementen (17) umfasst, die an dem Sockel (15) befestigt sind, wobei Orientierungen der Spiegelflächen (18) relativ zu dem Sockel (15) jeweils einstellbar sind; und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang (51) aufweist: wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle (53); einen Schirm (71); das erste Spiegelsystem (13), welches in dem Monitor-Strahlengang (51) zwischen der Monitor-Strahlungsquelle (53) und dem Schirm (71) angeordnet ist; und einen Detektor (77), der dazu konfiguriert ist, auf den Schirm (71) treffende Strahlungsintensitäten ortsaufgelöst zu detektieren, wobei die Monitor-Strahlungsquelle (53), das erste Spiegelsystem (13) und der Schirm (71) relativ zueinander so angeordnet sind, dass gilt: – ein jedes von mehreren der Spiegelelemente (17) erzeugt in einer dem jeweiligen Spiegelelement (17) zugeordneten Bildebene (81) ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle (53), – Abstände (B) zwischen den den Spiegelelementen (17) zugeordneten Bildebenen (81) und dem Schirm (71) haben einen maximalen Abstand, – Abstände (A) zwischen einem jeden der mehreren Spiegelelemente (17) und der diesem zugeordneten Bildebene (81) haben einen minimalen Abstand, und – der maximale Abstand (B) ist kleiner als die Hälfte des minimalen Abstands (A).
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 1, wobei der Detektor eine strahlungsempfindliche Schicht umfasst, welche den Schirm bereitstellt.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 1, wobei der Schirm eine lichtstreuende Schicht umfasst und das EUV-Lithographiesystem ferner eine Abbildungsoptik (73) umfasst, um die lichtstreuende Schicht auf eine strahlungsempfindliche Schicht des Detektors (77) abzubilden.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 1, wobei der Schirm eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Linsen (89) umfasst, welche mit Abstand von einer strahlungsempfindlichen Schicht (86) des Detektors (77) so angeordnet sind, dass auf die Linsen (89) treffendes Licht der Monitor-Strahlungsquelle (53) die Linsen (89) durchsetzen und auf die strahlungsempfindliche Schicht (86) treffen kann.
EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang (3) und einem Monitor-Strahlengang (51), wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang (3) aufweist: eine Abbildungsoptik (37), die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene (7), in der eine abzubildende Struktur (5) anordenbar ist, in eine Bildebene (39) abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur (41) anordenbar ist; eine EUV-Strahlungsquelle (9); ein erstes Spiegelsystem (13), welches in dem EUV-Strahlengang (3) zwischen der EUV-Strahlungsquelle (9) und der Objektebene (7) angeordnet ist und welches einen Sockel (15) und eine Vielzahl von Spiegelelementen (17) umfasst, die an dem Sockel (15) befestigt sind, wobei Orientierungen der Spiegelflächen (18) relativ zu dem Sockel (15) jeweils einstellbar sind; und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang (51) aufweist: wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle (53); einen Detektor; und das erste Spiegelsystem (13), welches in dem Monitor-Strahlengang (51) zwischen der Monitor-Strahlungsquelle (53) und dem Detektor angeordnet ist; wobei der Detektor eine plenoptische Kamera (85) ist.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 5, wobei die plenoptische Kamera (85) wenigstens eine strahlungsempfindliche Schicht (86) und ein Feld von einer Mehrzahl von mit Abstand von der strahlungsempfindlichen Schicht (86) nebeneinander angeordneten Linsen (89) aufweist.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 6, wobei die wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle (53), das erste Spiegelsystem (13) und die plenoptische Kamera relativ zueinander so angeordnet sind, dass gilt: – mehrere der Spiegelelemente (17) erzeugen in einer dem jeweiligen Spiegelelement (17) zugeordneten Bildebene (81) ein Bild der Monitor-Strahlungsquelle (53), – Abstände (B) zwischen den den Spiegelelementen (17) zugeordneten Bildebenen (81) und einer Ebene, in der das Feld von nebeneinander angeordneten Linsen (89) der plenoptischen Kamera (85) angeordnet sind, haben einen maximalen Abstand, – Abstände (A) zwischen einem jeden der mehreren Spiegelelemente (17) und der diesem zugeordneten Bildebene (81) haben einen minimalen Abstand, und – der maximale Abstand (B) ist kleiner als die Hälfte des minimalen Abstands (A).
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 6 oder 7, wobei die plenoptische Kamera (85) ein Objektiv (87) umfasst, welches in dem Monitor-Strahlengang zwischen dem ersten Spiegelsystem (13) und dem Feld von nebeneinander angeordneten Linsen (89) angeordnet ist.
EUV-Lithographiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das erste Spiegelsystem (13) ferner eine Mehrzahl von Aktuatoren (31) umfasst, um die Orientierung wenigstens einiger der Spiegelflächen (18) relativ zu dem Sockel (15) zu ändern.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 9, ferner umfassend eine Steuerung (33), die dazu konfiguriert ist, die Aktuatoren (31) basierend auf einem Ausgabesignal des Detektors (77) anzusteuern.
EUV-Lithographiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Spiegelelemente (17) Spiegelflächen (18) mit einer in Draufsicht langgestreckten Gestalt aufweisen, deren Länge (l) wenigstens fünf Mal größer ist als deren Breite (b), wobei die Monitor-Strahlungsquelle (53) dazu konfiguriert ist, eine Mehrzahl von separaten Strahlenbündeln (69) zu erzeugen, die mit Abstand voneinander auf das erste Spiegelsystem (13) treffen, wobei ein jedes der Strahlenbündel (69) auf ein oder mehrere Spiegelelemente (17) des Spiegelsystems (13) trifft, und wobei eine laterale Ausdehnung eines jeden Strahlenbündels (69) in Längsrichtung des getroffenen Spiegelelements (17) kleiner ist als die Länge (l) des Spiegelelements (17).
EUV-Lithographiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Spiegelelemente (17) in einem Feld derart angeordnet sind, dass deren Spiegelflächen (18) in mehreren Reihen (14) nebeneinander angeordnet sind, wobei Mitten der Spiegelflächen innerhalb der Reihen (14) mit einem Abstand voneinander angeordnet sind, der kleiner ist als die Länge l der Spiegelflächen (18), und Mitten der Reihen (14) mit einem Abstand voneinander angeordnet sind, der größer oder gleich der Länge l der Spiegelflächen (18) ist.
EUV-Lithographiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die wenigstens eine Monitor-Strahlungsquelle eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Strahlungsquellen umfasst.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 13, wobei die Strahlungsquellen jeweils Strahlung aus einem vorbestimmten Wellenlängenbereich emittieren und die Wellenlängenbereiche von wenigstens zwei Strahlungsquellen verschieden voneinander sind.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 13 oder 14, wobei die Strahlungsquellen jeweils Strahlung einer vorbestimmten zeitlichen Intensitätsmodulation emittieren und die zeitlichen Intensitätsmodulation von wenigstens zwei Strahlungsquellen verschieden voneinander sind.
EUV-Lithographiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 15, ferner umfassend ein in dem EUV-Strahlengang (3) zwischen dem ersten Spiegelsystem (13) und der Objektebene (7) angeordnetes zweites Spiegelsystem (19) mit einer Vielzahl von Spiegelelementen (23), die an einem gemeinsamen Sockel (21) befestigt sind und deren Orientierung relativ zu dem Sockel (21) jeweils einstellbar ist.
EUV-Lithographiesystem mit einem EUV-Strahlengang (3) und einem Monitor-Strahlengang (51), insbesondere in Kombination mit einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei das EUV-Lithographiesystem in dem EUV-Strahlengang (3) aufweist: eine Abbildungsoptik (37), die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene (7), in der eine abzubildende Struktur (5) anordenbar ist, in eine Bildebene (39) abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur (41) anordenbar ist; eine EUV-Strahlungsquelle (9); ein erstes Spiegelsystem (13), welches in dem EUV-Strahlengang (3) zwischen der EUV-Strahlungsquelle (9) und der Objektebene (7) angeordnet ist und welches einen Sockel (15) und eine Vielzahl von Spiegelelementen (17) umfasst, die an dem Sockel (15) befestigt sind, wobei Orientierungen der Spiegelflächen (18) relativ zu dem Sockel (15) jeweils einstellbar sind; und ein zweites Spiegelsystem (19), welches in dem EUV-Strahlengang (3) zwischen der EUV-Strahlungsquelle (9) und dem ersten Spiegelsystem (13) oder zwischen dem ersten Spiegelsystem (13) und der Objektebene (7) angeordnet ist und welches einen Sockel (21) und eine Vielzahl von Spiegelelementen (23) umfasst, die an dem Sockel (21) befestigt sind; und wobei das EUV-Lithographiesystem in dem Monitor-Strahlengang (51) aufweist: eine Mehrzahl von Monitor-Strahlungsquellen (53), welche jeweils zwischen einander benachbarten Spiegelelementen (23) des zweiten Spiegelsystems (19) angeordnet sind; einen Detektor (77, 85) zur Detektion von an Spiegelelementen (17) des ersten Spiegelsystems (13) reflektierter Monitorstrahlung; und das erste Spiegelsystem (13), welches in dem Monitor-Strahlengang (51) zwischen den Monitor-Strahlungsquellen (53) und dem Detektor (77, 85) angeordnet ist.
EUV-Lithographiesystem, insbesondere in Kombination mit einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei das EUV-Lithographiesystem umfasst: eine Abbildungsoptik, die dazu konfiguriert ist, eine Objektebene, in der eine abzubildende Struktur anordenbar ist, in eine Bildebene abzubilden, in der eine strahlungsempfindliche Struktur anordenbar ist, eine EUV-Strahlungsquelle; ein erstes Spiegelsystem (13), welches in einem EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist und welches einen Sockel (15) und eine Vielzahl von Spiegelelementen (17) umfasst, die an dem Sockel (15) befestigt sind und deren Orientierung relativ zu dem Sockel (15) jeweils einstellbar ist; ein Interferometer (105) mit einem Messarm; einen an dem Sockel (15) des ersten Spiegelsystems (13) befestigten Monitor-Spiegel (111); und ein Hologramm (107), welches in dem Strahlengang (109) des Messarms zwischen dem Spiegel (111) und dem Interferometer (105) angeordnet ist.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 18, ferner umfassend einen Aktuator, der dazu konfiguriert ist, eine Position und/oder eine Orientierung des Sockels des ersten Spiegelsystems relativ zu der Objektebene der Abbildungsoptik zu ändern.