WO2018041944A2 - Optoelektronische anordnung - Google Patents

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    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic An ⁇ order.
  • Optoelectronic arrangements for generating a Lichtmus ⁇ ters are known from the prior art. Such Anord ⁇ voltages are set once, for example in depth detection systems or used for atmospheric lighting of interiors and exteriors.
  • An object of the present invention is to provide an opto-electronic device for generating a light pattern. This object is achieved by an optoelectronic device having the features of claim 1.
  • An opto-electronic arrangement for generating a light pattern includes a ⁇ Superlumineszenzdiodenchip and a dif- frgentes optical element that is configured to generate a light pattern emitted from the Superlumineszenzdiodenchip electromagnetic radiation.
  • this optoelectronic arrangement is kos ⁇ -effectively available.
  • the superluminescent light ⁇ zenzdiodenchip and the diffractive optical element of the opto-electronic device ⁇ may be available at low cost.
  • the opto-electronic device has in this case a simple on ⁇ construction with a small number of components and can have a compact external dimensions. Since this optoelectronic ⁇ African arrangement as a light source a Superlumineszenzdio- denchip, the optoelectronic arrangement may be ⁇ geously suitable for achieving high optical performance.
  • the superluminescence diode chip is advantageously not subject to any risk of catastrophic optical destruction (COD) of its output facet.
  • COD catastrophic optical destruction
  • a further advantage of the optoelectronic arrangement comprising the superluminescence diode chip is that the electromagnetic radiation emitted by the superluminescent diode chip is incoherent and therefore has no speckle pattern.
  • the light pattern is formed as a dot pattern.
  • the optoelectronic arrangement can be suitable, for example, for use in a depth detection system.
  • the optoelectronic arrangement can also serve, for example, for the atmospheric lighting of an interior or exterior space.
  • the superluminescence diode chip is designed as a surface emitter.
  • the optoelectronic device in the superluminescent diode chip in one of a
  • the electromagnetic radiation emitted by the superluminescent diode chip thereby has a particularly small bandwidth.
  • this comprises a collimating optical system which is designed to at least partially collimate electromagnetic radiation emitted by the superluminescent diode chip. ⁇ advantageous way legally allows the collimation of the radiation emitted by the electromagnetic radiation Superlumineszenzdiodenchip a particularly effective means of generating a light pattern of the diffractive optical element of the optoelectronic device.
  • the collimating optics is arranged between the superluminescent diode chip and the diffractive optical element.
  • ⁇ advantageous way is enough, characterized collimates the light emitted by the electromagnetic radiation before Superlumineszenzdiodenchip Erzeu ⁇ supply of the light pattern by means of the diffractive optical ele ments ⁇ at least partially.
  • the collimating optical system is designed as a further diffractive optical element.
  • the Kollima ⁇ tion optics is thereby inexpensive and can have compact outer dimensions.
  • the collimating optics encompasses at least one optical lens.
  • this also allows a cost-effective production of the collimating optics.
  • the collimating optical system is integrated with the diffractive optical element of the optoelectronic device.
  • the diffractive optical element simultaneously effects a collimation of electromagnetic radiation emitted by the superluminescent diode chip and the generation of the light pattern.
  • Fig. 1 is an optoelectronic device for generating a
  • FIG. 1 shows a highly schematic representation of a sectional side view of an optoelectronic device 10.
  • the optoelectronic device 10 serves to generate a light pattern.
  • the light pattern that can be generated by the optoelectronic device 10 may be, for example, a dot pattern.
  • the optoelectronic device 10 may, for example, form part of a device for depth detection. In this case, the optoelectronic device 10 is used to
  • the light pattern that can be generated by the optoelectronic device 10 can, for example, have light with a wavelength from the infrared spectral range.
  • the optoelectronic arrangement 10 can also be provided, for example, for producing an atmospheric lighting in an interior or exterior space.
  • the optoelectronic device 10 may be provided for illuminating a garden or for illuminating a nightclub.
  • the optoelectronic arrangement 10 comprises a superluminescence diode chip 100.
  • the superluminescence diode chip is a semiconductor chip with an integrated superluminescent diode.
  • the superluminescent diode chip 100 is designed to by the method of superluminescence generate electromagnetic radiation 110 and to radiate it.
  • the radiated from the Superlumineszenzdiodenchip 100 electromagnetic radiation 110 may be ⁇ specific example, infrared radiation, visible light or electromagnetic radiation of a different wavelength range.
  • the superluminescence diode chip 100 of the optoelectronic device 10 has a surface 101.
  • the surface 101 of the superluminescent diode chip 100 is parallel to a longitudinal direction 11 and parallel to a transverse direction 12, perpendicular to the longitudinal direction 11, of the superluminescent diode chip
  • the superluminescent diode chip 100 is designed as a surface emitter. This means that formed superluminescent ⁇ zenzdiodenchip 100, the electromagnetic radiation 110 on the surface 101 in a surface
  • the superluminescence diode chip 100 can have, for example, an integrated deflection mirror.
  • the superluminescence diode chip 100 of the optoelectronic device 10 may also be designed as an edge emitter.
  • the neszenzdiodenchip of the Superlumi- 100 electromagnetic radiation generated is substantially emitted 110 in a surface 101 of the Superlumineszenzdiodenchips 100 parallel direction, for example in the longitudinal direction 11.
  • the optoelectronic An ⁇ proper 10 can then additionally alswei- a deflecting mirror sen to to deflect the electromagnetic radiation 110 emitted by the superluminescent diode chip 100.
  • the Su ⁇ perlumineszenzdiodenchip 100 may be disposed but rotated 90 ° in comparison to the illustration of FIG. 1 as an alternative in this variant.
  • the superluminescence diode chip 100 may be formed as a single-mode superluminescence diode chip or as a multi-mode superluminescent diode chip. It is also possible that in the Superlumineszenzdiodenchip 100 can be geregt at ⁇ in a 100 parallel to the surface 101 of the Superlumineszenzdiodenchips first direction, for example in the transverse direction 12, only one optical mode, while, in a 100 parallel to the first direction perpendicular right and to the surface 101 of the Superlumineszenzdiodenchips second direction For example, in the longitudinal direction ⁇ tion 11, a plurality of optical modes can be excited.
  • the optoelectronic arrangement 10 comprises, in addition to the superluminescence diode chip 100, a diffractive optical element
  • the diffractive optical element 300 is to also know ⁇ det to generate a light pattern of the emitted by the electromagnetic radiation 100 Superlumineszenzdiodenchip 110th
  • the diffractive optical element 300 is arranged in the optical path of the electromagnetic radiation 110 emitted by the superluminescent diode chip 100.
  • the radiated by the Superlumineszenzdiodenchip 100 electromagnetic radiation 110 passes through the diffractive optical element 300 and is then shaped by diffraction and Inter ⁇ conference to a pattern of light.
  • the light pattern may be, for example, a dot pattern.
  • the light pattern generated by the diffractive optical element 300 is emitted as shaped electromagnetic radiation 113 into an environment of the opto-electronic device 10.
  • the optoelectronic device 10 may include collimating optics 200, which are provided to at least partially co-isolate the electromagnetic radiation 110 emitted by the superluminescent diode chip 100.
  • the collimating optics 200 is arranged in the light path of the electromagnetic radiation 110 emitted by the superluminescence diode chip 100 between the superluminescence diode chip 100 and the diffractive optical element 300.
  • the electromagnetic radiation generated by the Superlumineszenzdiodenchip 100 110 is the Superlumineszenzdio ⁇ denchip 100 emitted as a divergent electromagnetic radiation 110, 111th
  • the divergent electromagnetic radiation 110, 111 is determined by the collimation lens 200 at least partially ⁇ as collimated and strikes as collimated electromagnetic ⁇ specific radiation 110, 112 on the diffractive optical element 300. This generated from the collimated electromagnetic radiation 110, 112, the shaped electromagnetic radiation 110 , 113, which forms a light pattern.
  • the collimating optics 200 may include one or more optical lenses and / or other optical components.
  • the collimating optics 200 may also comprise a further diffractive optical element.
  • the collimating optics 200 is combined with the diffractive optical element 300 to form an optical element.
  • the diffractive optical element 300 simultaneously effects collimation of the electromagnetic radiation 110 radiated by the superluminescent diode chip 100 and generation of a light pattern.

Abstract

Eine elektromagnetische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters umfasst einen Superlumineszenzdiodenchip und ein diffraktives optisches Element, das ausgebildet ist, aus von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung ein Lichtmuster zu erzeugen.

Description

OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG
BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische An¬ ordnung .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 116 468.2, deren Offenbarungsge- halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Optoelektronische Anordnungen zur Erzeugung eines Lichtmus¬ ters sind aus dem Stand der Technik bekannt. Derartige Anord¬ nungen werden beispielsweise in Tiefenerfassungssystemen ein- gesetzt oder dienen zur stimmungsvollen Beleuchtung von Innenräumen und Außenbereichen.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch eine optoelektronische Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben . Eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines Licht¬ musters umfasst einen Superlumineszenzdiodenchip und ein dif- fraktives optisches Element, das ausgebildet ist, aus von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung ein Lichtmuster zu erzeugen.
Vorteilhafterweise ist diese optoelektronische Anordnung kos¬ tengünstig erhältlich. Insbesondere können der Superlumines¬ zenzdiodenchip und das diffraktive optische Element der opto¬ elektronischen Anordnung kostengünstig erhältlich sein. Die optoelektronische Anordnung weist dabei einen einfachen Auf¬ bau mit einer geringen Anzahl an Komponenten auf und kann kompakte äußere Abmessungen aufweisen. Da diese optoelektro¬ nische Anordnung als Lichtquelle einen Superlumineszenzdio- denchip aufweist, kann die optoelektronische Anordnung vor¬ teilhafterweise zur Erzielung hoher optischer Leistungen geeignet sein. Dabei unterliegt der Superlumineszenzdiodenchip vorteilhafterweise keiner Gefahr einer katastrophalen opti- sehen Zerstörung (COD) seiner Austrittsfacette. Ein weiterer Vorteil der den Superlumineszenzdiodenchip umfassenden optoelektronischen Anordnung besteht darin, dass die von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung inkohärent ist und dadurch kein Specklemuster auf- weist.
In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das Lichtmuster als Punktmuster ausgebildet. Dadurch kann sich die optoelektronische Anordnung beispielsweise zur Ver- wendung in einem Tiefenerfassungssystem eignen. Die optoelektronische Anordnung kann aber beispielsweise auch zur stimmungsvollen Beleuchtung eines Innen- oder Außenraums dienen . In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist der Superlumineszenzdiodenchip als Oberflächenemitter ausgebildet. Vorteilhafterweise kann es dadurch ermöglicht sein, auf einen Umlenkspiegel zur Umlenkung von durch den Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlter elektromagnetischer Strah- lung zu verzichten, was eine besonders kompakte und platzspa¬ rende Ausbildung der optoelektronischen Anordnung ermöglichen kann .
In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung kann in dem Superlumineszenzdiodenchip in einer zu einer
Oberfläche des Superlumineszenzdiodenchips parallelen Rich¬ tung nur eine optische Mode angeregt werden. Der Superlumineszenzdiodenchip ist dann in eine laterale Richtung oder in beide lateralen Richtungen als Single-Mode-Chip ausgebildet. Vorteilhafterweise weist die von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung dadurch eine besonders kleine Bandbreite auf. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung um- fasst diese eine Kollimationsoptik, die dazu ausgebildet ist, von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise zu kollimieren. Vorteil¬ hafterweise ermöglicht die Kollimation der von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung eine besonders wirksame Erzeugung eines Lichtmusters mittels des diffraktiven optischen Elements der optoelektronischen Anordnung .
In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist die Kollimationsoptik zwischen dem Superlumineszenzdiodenchip und dem diffraktiven optischen Element angeordnet. Vorteil¬ hafterweise wird die von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung dadurch vor der Erzeu¬ gung des Lichtmusters mittels des diffraktiven optischen Ele¬ ments zumindest teilweise kollimiert.
In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist die Kollimationsoptik als weiteres diffraktives optisches Element ausgebildet. Vorteilhafterweise ist die Kollima¬ tionsoptik dadurch kostengünstig erhältlich und kann kompakte äußere Abmessungen aufweisen.
In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung um' fasst die Kollimationsoptik mindestens eine optische Linse. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dies eine kostengünstige Herstellung der Kollimationsoptik. In einer anderen Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist die Kollimationsoptik mit dem diffraktiven optischen Element der optoelektronischen Anordnung integriert. Dabei bewirkt das diffraktive optische Element gleichzeitig eine Kollimation von durch den Superlumineszenzdiodenchip ab- gestrahlter elektromagnetischer Strahlung und die Erzeugung des Lichtmusters. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Dabei zeigt in schematisierter Darstellung
Fig. 1 eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines
Lichtmusters .
Fig. 1 zeigt in stark schematisierter Darstellung eine geschnittene Seitenansicht einer optoelektronischen Anordnung 10. Die optoelektronische Anordnung 10 dient zur Erzeugung eines Lichtmusters. Das durch die optoelektronische Anordnung 10 erzeugbare Lichtmuster kann beispielsweise ein Punktmuster sein .
Die optoelektronische Anordnung 10 kann beispielsweise einen Teil einer Vorrichtung zur Tiefenerfassung bilden. In diesem Fall dient die optoelektronische Anordnung 10 dazu, ein
Lichtmuster in einen Raumbereich abzustrahlen. Aus dem Raumbereich reflektiertes Licht wird mit einer Detektionseinrich- tung der Vorrichtung zur Tiefenerfassung erfasst und zur Gewinnung von Tiefeninformationen ausgewertet. Das von der optoelektronischen Anordnung 10 erzeugbare Lichtmuster kann in diesem Fall beispielsweise Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich aufweisen.
Die optoelektronische Anordnung 10 kann beispielsweise auch zur Erzeugung einer stimmungsvollen Beleuchtung in einem Innen- oder Außenraum vorgesehen sein. Beispielsweise kann die optoelektronische Anordnung 10 zur Beleuchtung eines Gartens oder zur Beleuchtung einer Diskothek vorgesehen sein.
Die optoelektronische Anordnung 10 umfasst einen Superlumi- neszenzdiodenchip 100. Der Superlumineszenzdiodenchip ist ein Halbleiterchip mit einer integrierten Superlumineszenzdiode. Der Superlumineszenzdiodenchip 100 ist dazu ausgebildet, durch das Verfahren der Superlumineszenz elektromagnetische Strahlung 110 zu erzeugen und diese abzustrahlen. Die von dem Superlumineszenzdiodenchip 100 abstrahlbare elektromagneti¬ sche Strahlung 110 kann beispielsweise infrarote Strahlung, sichtbares Licht oder elektromagnetische Strahlung aus einem anderen Wellenlängenbereich sein.
Der Superlumineszenzdiodenchip 100 der optoelektronischen Anordnung 10 weist eine Oberfläche 101 auf. Die Oberfläche 101 des Superlumineszenzdiodenchips 100 ist parallel zu einer Längsrichtung 11 und parallel zu einer zur Längsrichtung 11 senkrechten Querrichtung 12 des Superlumineszenzdiodenchips
100 orientiert. Im in Fig. 1 schematisch dargestellten Beispiel ist der Superlumineszenzdiodenchip 100 als Oberflächenemitter ausgebildet. Das bedeutet, dass der Superlumines¬ zenzdiodenchip 100 ausgebildet ist, die elektromagnetische Strahlung 110 an seiner Oberfläche 101 in eine zur Oberfläche
101 im Wesentlichen senkrechte Abstrahlrichtung 13 abzustrahlen. Hierzu kann der Superlumineszenzdiodenchip 100 beispielsweise über einen integrierten Umlenkspiegel verfügen.
Alternativ kann der Superlumineszenzdiodenchip 100 der optoelektronischen Anordnung 10 jedoch auch als Kantenemitter ausgebildet sein. In diesem Fall wird die von dem Superlumi- neszenzdiodenchip 100 erzeugte elektromagnetische Strahlung 110 in eine zur Oberfläche 101 des Superlumineszenzdiodenchips 100 im Wesentlichen parallele Richtung abgestrahlt, beispielsweise in Längsrichtung 11. Die optoelektronische An¬ ordnung 10 kann dann zusätzlich einen Umlenkspiegel aufwei- sen, um die durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 emittierte elektromagnetische Strahlung 110 abzulenken. Der Su¬ perlumineszenzdiodenchip 100 kann in dieser Variante alternativ aber auch im Vergleich zur Darstellung der Fig. 1 um 90° gedreht angeordnet sein.
Der Superlumineszenzdiodenchip 100 kann als Single-Mode- Superlumineszenzdiodenchip oder als Multi-Mode-Superlumines- zenzdiodenchip ausgebildet sein. Es ist auch möglich, dass in dem Superlumineszenzdiodenchip 100 in eine zur Oberfläche 101 des Superlumineszenzdiodenchips 100 parallele erste Richtung, beispielsweise in Querrichtung 12, nur eine optische Mode an¬ geregt werden kann, während in eine zur ersten Richtung senk- rechte und zur Oberfläche 101 des Superlumineszenzdiodenchips 100 parallele zweite Richtung, beispielsweise in Längsrich¬ tung 11, mehrere optische Moden angeregt werden können.
Die optoelektronische Anordnung 10 umfasst neben dem Superlu- mineszenzdiodenchip 100 ein diffraktives optisches Element
300. Das diffraktive optische Element 300 ist dazu ausgebil¬ det, aus der durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung 110 ein Lichtmuster zu erzeugen. Hierzu ist das diffraktive optische Element 300 im Lichtweg der durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung 110 angeordnet.
Die durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung 110 durchläuft das diffraktive optische Element 300 und wird dabei durch Beugung und Inter¬ ferenz zu einem Lichtmuster geformt. Das Lichtmuster kann beispielsweise ein Punktmuster sein. Das von dem diffraktiven optischen Element 300 erzeugte Lichtmuster wird als geformte elektromagnetische Strahlung 113 in eine Umgebung der opto- elektronischen Anordnung 10 abgestrahlt.
Die optoelektronische Anordnung 10 kann neben dem Superlumineszenzdiodenchip 100 und dem diffraktiven optischen Element 300 eine Kollimationsoptik 200 umfassen, die dazu vorgesehen ist, die von dem Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung 110 zumindest teilweise zu kol- limieren. Hierzu ist die Kollimationsoptik 200 im Lichtweg der durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung 110 zwischen dem Superlumines- zenzdiodenchip 100 und dem diffraktiven optischen Element 300 angeordnet . Die von dem Superlumineszenzdiodenchip 100 erzeugte elektromagnetische Strahlung 110 wird durch den Superlumineszenzdio¬ denchip 100 als divergente elektromagnetische Strahlung 110, 111 abgestrahlt. Die divergente elektromagnetische Strahlung 110, 111 wird durch die Kollimationsoptik 200 zumindest teil¬ weise kollimiert und trifft als kollimierte elektromagneti¬ sche Strahlung 110, 112 auf das diffraktive optische Element 300. Dieses erzeugt aus der kollimierten elektromagnetischen Strahlung 110, 112 die geformte elektromagnetische Strahlung 110, 113, die ein Lichtmuster bildet.
Die Kollimationsoptik 200 kann eine oder mehrere optische Linsen und/oder andere optische Bauelemente umfassen. Die Kollimationsoptik 200 kann auch ein weiteres diffraktives op- tisches Element umfassen.
Ebenfalls möglich ist, dass die Kollimationsoptik 200 mit dem diffraktiven optischen Element 300 zu einem optischen Element zusammengefasst ist. In diesem Fall bewirkt das diffraktive optische Element 300 gleichzeitig eine Kollimation der durch den Superlumineszenzdiodenchip 100 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung 110 und eine Erzeugung eines Lichtmusters . Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlas- sen. BEZUGSZEICHENLISTE
10 optoelektronische Anordn 11 Längsrichtung
12 Querrichtung
13 Abstrahlrichtung
100 Superlumineszenzdiodenchip
101 Oberfläche
110 elektromagnetische Strahlung
111 divergente elektromagnetische Strahlung
112 kollimierte elektromagnetische Strahlung 113 geformte elektromagnetische Strahlung
200 Kollimationsoptik
300 diffraktives optisches Element

Claims

PATENTA S PRÜCHE
1. Optoelektronische Anordnung (10) zur Erzeugung eines
Lichtmusters
mit einem Superlumineszenzdiodenchip (100) und mit einem diffraktiven optischen Element (300), das ausgebildet ist, aus von dem Superlumineszenzdiodenchip (100) abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung (110) ein Lichtmuster zu erzeugen.
2. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß Anspruch 1,
wobei das Lichtmuster als Punktmuster ausgebildet ist.
3. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß einem der vorher¬ gehenden Ansprüche,
wobei der Superlumineszenzdiodenchip (100) als Oberflächenemitter ausgebildet ist.
4. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß einem der vorher¬ gehenden Ansprüche,
wobei in dem Superlumineszenzdiodenchip (100) in einer zu einer Oberfläche (101) des Superlumineszenzdiodenchips (100) parallelen Richtung (11, 12) nur eine optische Mode angeregt werden kann.
5. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß Anspruch 4,
wobei in dem Superlumineszenzdiodenchip (100) in zwei zueinander senkrechten und zu der Oberfläche (101) des Su¬ perlumineszenzdiodenchips (100) parallelen Richtungen (11, 12) jeweils nur eine optische Mode angeregt werden kann .
6. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß einem der vorher¬ gehenden Ansprüche,
wobei die optoelektronische Anordnung (10) eine Kollima- tionsoptik (200) umfasst, die dazu ausgebildet ist, von dem Superlumineszenzdiodenchip (100) abgestrahlte elekt- romagnetische Strahlung (110) zumindest teilweise zu kol- limieren .
7. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß Anspruch 6,
wobei die Kollimationsoptik (200) zwischen dem Superlumi- neszenzdiodenchip (100) und dem diffraktiven optischen Element (300) angeordnet ist.
8. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß einem der Ansprü¬ che 6 und 7,
wobei die Kollimationsoptik (200) als weiteres diffrakti- ves optisches Element ausgebildet ist.
9. Optoelektronische Anordnung (10) gemäß einem der Ansprü¬ che 6 und 7,
wobei die Kollimationsoptik (200) mindestens eine opti¬ sche Linse umfasst.
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