JP2000357954A - 遅延線用の周波数レンジトリミング - Google Patents

遅延線用の周波数レンジトリミング

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JP2000357954A JP2000082458A JP2000082458A JP2000357954A JP 2000357954 A JP2000357954 A JP 2000357954A JP 2000082458 A JP2000082458 A JP 2000082458A JP 2000082458 A JP2000082458 A JP 2000082458A JP 2000357954 A JP2000357954 A JP 2000357954A
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voltage
delay line
line
voltage device
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ドルトゥ ジャン−マルク
Albert M Chu
エム チュー アルバート
Christopher P Miller
ピー ミラー クリストファー
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Infineon Technologies North America Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】データパスに対する周波数レンジを、遅延ロッ
クループ回路を用いてトリミングする装置を提供する。 【解決手段】入力側および出力側に接続された複数の遅
延素子112と、該複数の遅延素子に対して電力を制御
するための電圧装置116から遅延線を構成し、前記遅
延素子は、当該遅延素子を通過する信号に対して与える
べき遅延を形成し、前記電圧装置は少なくとも1つの所
定の電圧を前記遅延素子に供給し、当該遅延素子におけ
る遅延が前記少なくとも1つの所定の電圧にしたがって
変更されるように調整可能である。この遅延線は、遅延
ロックループ、クロック回路または他の回路で使用する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】技術背景 1.技術分野 本発明は、遅延回路、およびより詳細にはデータパスに
対する周波数レンジを、遅延ロックループ回路を用いて
トリミングするための装置に関し、遅延ロックループ回
路は下方分類機能により使用することができる。
【0002】2.関連分野の説明 遅延ロックループ(DLL)は、周期的入力信号を出力
信号と比較するために使用される。このようにして2つ
の信号間の位相差を約ゼロに設定することができる。図
1を参照すると、そこには従来のDLL10が示されて
いる。入力信号CKinが遅延線12と位相比較器14
に入力される。出力信号CKoutは入力信号CKin
と位相比較器14を用いて比較される。位相比較器14
は遅延線12を設定または調整し、入力信号吐出力信号
との間の位相差がゼロになるようにする。遅延線12
は、入力信号CKinと出力信号CKoutとの間の遅
延が1クロック期間Tまたはその倍数(kT、ここでk
は自然数)に達するときに安定する。DLL10は例え
ば所定の集積回路で、入力クロックを出力クロックと同
期させるために使用できる。
【0003】図2を参照すると、DLLの適用が示され
ている。DLL20は、受信器22とドライバ24によ
り惹起される遅延を含む。これらの遅延は遅延素子26
により補償される。遅延素子26は、フィードバックル
ープでτの遅延補償を供給する。ここでτ=R+Dであ
り、Rは受信器22により引き起こされる遅延、Dはド
ライバ24により引き起こされる遅延である。入力クロ
ックCKinと出力クロックCKoutはそれぞれ、そ
れらの位相差が2kΠであるときに同期される。すなわ
ち入力信号と出力信号との間の遅延がクロック期間、k
Tの倍数に等しいときに同期される。その場合、位相比
較器14はそれら2つの入力26と27の間に位相差を
検出しない。入力26は入力クロック(CKin)と比
較してRの遅延を有している。入力27は入力クロック
(CKin)と比較してkT+Rの遅延を有している。
ここでTはクロック期間である。図2に示され、説明し
た場合には、遅延線制御信号(ポインタ)30は、入力
26と27が同期するまで調整される。
【0004】図3を参照すると、DLLに対するさらに
特殊な使用が示されている。回路40は出力データ流D
Qoutを同期するために使用される。出力データDQ
はDフリップフロップ(DFF)でDLLCLK信号に
よりラッチされる。遅延は、受信器遅延R、ドライバ遅
延D、およびフリップフロップDFFにより引き起こさ
れた遅延の和である。
【0005】遅延ロックループ(DLL)に対する周波
数レンジは次のように評価することができる。すなわ
ち、DLLの最高周波数は、遅延線の最小遅延Dmin
に相当すると考えられる。Dminはポインタ(図3の
30)の最小値にに関連する。kT=R+Dmin+
D、またはfmax=k/(R+Dmin+D)。高い
周波数は、受信器22および/またはデータ経路の速度
を上昇することにより、Dminを低減することによ
り、遅延線12の遅延を挿入することにより、または期
間Tの倍数に同期することにより得られる。高周波数で
の動作は、遅延線により惹起される遅延が小さいことを
意味する。これはさらに、遅延ステップをジッタの低減
のために非常に小さく選択しなければならないことを意
味する。
【0006】DLLの最低周波数は、遅延線12の最大
遅延Dmaxに相当する。Dmaxはポインタの最大値
に関連する。kT=R+Dmax+D、またはfmin
=k/(R+Dmax+D)。
【0007】いくつかの目的のために、低周波動作が必
要である。Joint Electron DeviceEngineering Council
(JEDEC) は通常周波数の半分で動作する装置を要求す
る(JC-42.3C Subcommittee on RAM Timing and Parame
trics, Albuquerque, New Mexico, June 3, 1998)。例
えば100MHzチップは50MHzでも動作できなけ
ればならない。この要求はチップの高周波数動作と矛盾
するものである。高周波動作に対しては、遅延素子は遅
延線12に含まれ、非常に小さくなければならない。な
ぜなら遅延線調整によりチップ動作中に惹起されるジッ
タを最小にするためである。低周波動作に対しては、遅
延線12により惹起される遅延は非常に大きくなければ
ならない。遅延単位は非常に小さくなければならないか
ら、非常に長い遅延線をこの目的のために使用しなけれ
ばならない。デジタルDLLの場合、正確な動作のため
にはさらにコントロールビットが必要である(ポインタ
信号に対してより多くのビット)。したがって遅延線に
対してより多くのレイアウト面積がチップ上で必要であ
る。低周波動作に対するJEDEC要求はとりわけ次の
場合に困難なものとなる。すなわちチップがチャネル長
の短い素子を有する場合に困難なものとなる。遅延ユニ
ットにショートチャネル素子があると、各遅延線素子の
遅延単位がさらに小さくなり、このことは遅延線により
引き起こすことのできる全遅延時間が小さくなることを
意味する。そしてこのことは最低動作周波数が上昇する
ことを意味する。
【0008】図4を参照すると、典型的な遅延旋回路7
0が示されている。遅延線70は遅延制御線72を含
み、この遅延制御線は位相比較器14により発生された
デジタル語を入力する(図1から図3)。このデジタル
語は適切なマルチプレクサ74をイネーブルする。この
マルチプレクサは2:1マルチプレクサである。マルチ
プレクサ74は階層的に、デジタル語の位置値にしたが
って配置されている。遅延線入力側(IN)は、クロッ
ク信号のような周期的信号を受け取り、信号を複数の遅
延ユニット76に供給する。遅延ユニット76は1対の
インバータ78を有しており、適切な遅延を入力された
周期的信号に与える。インバータは定電圧源により給電
される。遅延線70で使用される遅延ユニット76の数
はマルチプレクサ74により設定され、このマルチプレ
クサは制御線72のデジタル語によって作動される。
2:1マルチプレクサ74は、入力側(IN)から出力
側(OUT)への所定数のインバータ対を通した回路を
完成させ、適切な遅延を供給する。この遅延は、入力信
号と出力信号とが実質的に同期するような遅延である。
【0009】したがって、高周波数動作と低周波数動作
の両方を、遅延線の遅延素子への供給電圧の変化により
可能とする遅延線が必要である。さらに、集積回路で遅
延線を使用する遅延ロックループが必要である。
【0010】発明の要点 本発明の遅延線は、入力側と出力側に接続された複数の
遅延素子を有する。この遅延素子は、これを通過する信
号に対して与えるべき遅延を発生する。電圧装置が複数
の遅延素子への電力を制御するために設けられている。
この電圧装置は、所定の電圧を遅延素子に供給し、これ
により遅延素子の遅延が所定の電圧にしたがって変更さ
れるように調整可能である。
【0011】本発明の遅延ロックループは、入力側と出
力側に接続された遅延線を有し、この遅延線は複数の遅
延素子を有し、さらにこの遅延素子によりこれを通過す
る信号に与えるべき遅延が形成される。位相比較器が入
力側に接続され、出力側に結合されている。この位相比
較器は遅延線に対して制御信号を供給し、遅延線は出力
信号と入力信号とを同期させるような遅延を発生する。
電圧装置が複数の遅延素子に接続されており、この複数
の遅延素子に対する電力を制御する。この電圧装置は遅
延素子に所定の電圧を供給し、これにより遅延素子の遅
延が所定の電圧にしたがって変更されるように調整可能
である。
【0012】クロック回路が、受信器からの遅延入力信
号を受信するための入力ノードに含まれている。遅延ロ
ックループは、入力ノードと出力ノードに接続された遅
延線と電圧装置とを有する。遅延線は、入力ノードと出
力ノードとの間に接続された複数の遅延素子を有する。
遅延素子は、これを通過する信号に対して与えるべき遅
延を発生する。電圧装置は、複数の遅延素子への電力を
制御する。この電圧装置は、所定の電圧を遅延素子に調
整可能に供給し、この所定の電圧にしたがって遅延素子
の遅延が変更される。位相比較器が出力ノードに結合さ
れている。この位相比較器は、遅延線の遅延を設定する
ための制御信号を供給する。位相比較器は入力ノードに
も接続されている。フリップフロップは遅延線からのク
ロックによりイネーブルされ、データをこのフリップフ
ロップを通して、やはり設けられているドライバへ転送
することができる。
【0013】択一的実施例では、複数の遅延素子がそれ
ぞれ1つの遅延ユニットを有し、この遅延ユニットは直
列に接続された1対のインバータを有する。複数の遅延
素子は遅延制御信号にしたがって多重化され、適切な数
の遅延素子が遅延制御信号にしたがって作動される。電
圧装置は有利には遅延制御信号にしたがって電圧を出力
する。電圧装置は有利には少なくとも2つの定電圧レベ
ルを供給する。遅延線は、動作周波数からテスティング
周波数まで電圧装置を調整することにより調整可能であ
る。テスティング周波数は動作周波数の約半分とするこ
とができる。制御信号はデジタルで位相比較器により発
生される。遅延ロックループはさらに、出力側と位相比
較器との間に接続された遅延素子を含むことができる。
【0014】これら本発明の対象、フューチャおよび利
点は、図面と関連した以下の実施例の詳細な説明から明
らかとなろう。
【0015】有利な実施例の詳細な説明 本発明は、遅延回路、およびより詳細にはデータパスに
対する周波数レンジを、遅延ロックループ回路を用いて
トリミングするための装置に関し、遅延ロックループ回
路は下方分類機能により使用することができる。本発明
は、可変供給電圧を使用して遅延を調整するための回路
を提供する。遅延線にある素子への供給電圧を変化する
ことにより、素子を交換することなしに遅延を調整する
ことができる。有利には遅延線は電圧の変化により、元
から設計された高周波数適用に対しても、チップテステ
ィングのような低周波数適用に対しても使用できる。
【0016】図面中、同じまたは類似の素子には同じ参
照符号が付してる。まず図5を参照すると、本発明の遅
延ロックループ(DLL)100が示されている。入力
信号CKinが遅延線112と位相比較器114に入力
される。位相比較器114は例えば論理回路を含んでお
り、ノードAとノードBを分析し、その周期サイクルを
比較する。出力信号CKoutが入力信号CKinと位
相比較器114によって比較される。位相比較器114
は遅延線112を設定または調整し、入力信号と出力信
号との間の位相差がゼロになるようにする。このことを
実行するために遅延線112の遅延は、ノードAとBと
の間の遅延を同期するように増大または減少される。遅
延線112は、入力信号CKinと出力信号CKout
との間の遅延がクロック期間Tまたはその倍数(kT、
ここでkは自然数)に達するときに安定する。図5に示
したように、ポインタPが位相比較器114により、遅
延線112の制御のために発生される。本発明によれ
ば、供給電圧発生回路116が遅延線112の遅延素子
への供給電圧Vddを発生し、調整するために使用され
る。電圧発生回路116は入力線118を含むことがで
き、この入力線は供給電圧を相応に調整するためのポイ
ンタ信号Pを受信する。
【0017】電圧発生回路116を使用することによ
り、本発明は有利には、DLL100で使用される回路
に対して周波数レンジをトリミングすることができる。
回路は有利には高周波数適用、すなわちf=100MH
zまたはそれ以上に対して設計することができ、さらに
例えば1/2fでのJEDEC使用にも適合することが
できる。供給電圧を調整することにより、遅延素子は供
給電圧に逆比例して比較的に長いまたは短い全遅延時間
を実現することができる。実施例では供給電圧発生器1
16は、DLL100に形成された集積回路チップの動
作に対する第1の電圧と、集積回路チップをテスティン
グするための第2の電圧に設定される。この実施例で
は、電圧発生器116は2つまたはそれ以上の離散的電
圧を発生し、これらの電圧は制御信号Mの供給によって
設定される。択一的変形実施例ではDLL100に、電
圧発生器116からの電圧出力を制御するためのポイン
タPが供給され、補償される。電圧発生器116は異な
る離散的電圧を異なる遅延素子に、同時または異なる時
間で供給することができる。このことは電圧発生器11
6の回路でも、または電圧発生器116の外部でも実現
できる。
【0018】図6と図7を参照すると、図6は本発明に
よる遅延線200の実施例を示す。図7は、遅延線20
0に対して、遅延と供給電圧Vddとの関係をプロット
して示す。遅延線200は入力側(IN)と出力側(O
UT)をそれぞれ、例えばクロック信号である周期的信
号の入出力のために有する。遅延線200は複数の遅延
素子を含むことができ、これらはインバータのようなゲ
ートを有する。しかし他のゲートまたは回路を使用して
遅延線200に遅延を供給することもできる。遅延線の
ゲートは供給電圧発生器202により給電され、これは
Vddを供給する。図7に示したように、供給電圧Vd
dが増加すると、遅延線200の遅延は減少する。遅延
線200における遅延と供給電圧Vddとの間で負の線
形関係が図示されているが、これらパラメータ間で他の
関係を使用することもできる。sらに遅延線200の適
用に応じ、他の範囲の供給電圧および遅延を使用するこ
ともできる。遅延線200の動作中、制御線、比較器、
フィードバックループまたは他のデバイスを使用し、供
給電圧Vddを必要な遅延に応じて制御することもでき
る。
【0019】図8を参照すると、本発明の別の実施例に
よる遅延線300が示されている。遅延線300は複数
の遅延ユニット302を有する。有利な実施例では遅延
ユニット302は直列に接続された1対のインバータを
有する。例えばRC回路のような他の遅延ユニットまた
は回路も同様に使用することができる。電圧発生回路3
06が各インバータ304に結合されており、これに電
力を供給する。この実施例では電圧発生器306は位相
比較器および/またはフィードバックループ308によ
り制御される。位相比較器および/またはフィードバッ
クループ308は、周期的入力信号と周期的出力信号と
を分析し、電圧発生器からの供給電圧Vddを調整する
ために制御信号を供給する。別の実施例では、制御信号
Cが電圧発生器306の供給電圧Vddを調整するため
に含まれている。信号Cはデジタル語とすることがで
き、このデジタル語は出力すべき供給電圧に比例する値
を有している。デジタル語は論理回路または他の回路に
より供給することができる。このようにして、遅延線3
00を通る遅延が上記のように調整される。別の実施例
では、遅延ユニット302は遅延線300における遅延
を達成するために個別に制御することができる。
【0020】電圧発生器306は同じ供給電圧(Vdd
1=Vdd2=Vdd3)を出力することも、別の供給
電圧Vdd1≠Vdd2≠Vdd3を出力することもで
き、これらを設計または所要の遅延に依存して組み合わ
せることもできる。
【0021】図9を参照すると、本発明の遅延線の別の
実施例が示されている。ここには遅延線400が示され
ており、遅延線400は遅延制御線402を有する。遅
延制御線には位相比較器404により発生されたデジタ
ル語が入力される。デジタル語は適切なマルチプレク
サ、例えば2:1マルチプレクサをイネーブルする。マ
ルチプレクサ406は階層的に、デジタル語の位置値に
応じて配置されている。遅延線入力側(IN)はクロッ
ク信号のような周期信号を受信し、信号を複数の遅延ユ
ニット408に供給する。遅延ユニット408はそれぞ
れ有利には適切な遅延を入力周期信号に与えるために1
対のインバータを含んでいる。遅延線400で使用され
る遅延ユニット408の数はマルチプレクサ406によ
り設定され、このマルチプレクサは制御線402のデジ
タル語によって作動される。マルチプレクサ406は、
入力側(IN)から出力側(OUT)への所定数のイン
バータ対を通る回路を実現し、適切な遅延を供給して入
力信号と出力信号とが実質的に同期するようにする。本
発明によれば、供給電圧Vddは電圧発生器412によ
り遅延制御信号にしたがって調整される。別の実施例で
はVddは、所定の周波数による使用のために、遅延線
400を調整する所定の値に設定される。例えば第1の
電圧が第1の周波数に対するVddに使用され、第2の
電圧が第2の周波数に対するVddに使用される。ここ
で第1の周波数は動作周波数であり、第2の周波数は比
較的に低い周波数、例えば動作周波数の約1/2であ
る。実施例では比較的に低い周波数をテスティングに使
用することができる。または集積回路を比較的に低い周
波数で動作する低速のデバイスとして販売することがで
きる。すなわち100MHzで動作することができるチ
ップを、本発明を使用することにより60MHzで動作
するチップとして販売することができる。本発明により
fmaxとfminを上記のように実現することによ
り、より多くのマージンが得られる。なぜならDmin
とDmaxとを動作周波数の改善のために低減できるか
らである。
【0022】図10には、本発明の別の実施例が示され
ている。遅延線回路500が複数の遅延ユニット502
を含んでいる。各遅延ユニット502は有利にはインバ
ータ504を有し、このインバータはP型の電界効果ト
ランジスタ(PFET)508とN型の電界効果トラン
ジスタ(NFET)510を含む。本発明によれば、N
FET512とPFET514が含まれており、インバ
ータ504と直列に(ソースがドレインに)接続されて
いる。NFET512とPFET514は実質的に電圧
レギュレータ回路516により制御される。電圧レギュ
レータ回路516は高電圧レギュレータ回路518と低
電圧レギュレータ回路520を含み、これらはPFET
514およびNFET512への供給電圧をそれぞれ制
御信号にしたがって調整する。制御信号はフィードバッ
クループまたは外部の設定モードまたはスイッチにより
供給することができる。このようにして遅延線500を
解する遅延は、PFET514とNFET512を使用
したインバータ504の速度を制御することにより調整
的に制御できる。レギュレータ518および520から
の高制御電圧および/または低制御電圧を調整すること
により、PFET514とNFET512はそれぞれそ
の抵抗を変化し、インバータ504で比較的に長いまた
は短い遅延を供給する。
【0023】他の回路を使用することもできる。例えば
遅延を供給するインバータの代わりに個別のトランジス
タを使用し、その抵抗がゲート信号にしたがって増加す
るようにすることができる。遅延の長短は作動されるト
ランジスタの数の大小によって決められる。他のRC回
路も同様に使用できる。
【0024】図11を参照すると、調整可能な遅延回路
の出力を変化させ、他の回路との互換性を提供すること
が必要な場合がある。図11に示されているように、レ
ベルトランスレータのような変換回路600が使用され
る。回路600は、調整された供給電圧を使用する遅延
素子603(1つのインバータ601が示されている)
からのデータ出力を受け取り、供給電圧Vddxを使用
してデータを再調整する。この電圧Vddxは遅延線供
給電圧Vddより大きいか、またはこれと等しい。この
ようにして変換された出力が発生され、この出力は他の
回路による使用と互換性がある。図12を参照すると、
変換回路600が遅延線610とフリップフロップDF
Fとの間で使用され、本発明により調整された遅延であ
る、遅延線610からの出力をフリップフロップDFF
に適合するよう変換する。変換された出力はフリップフ
ロップDFFにより使用することができ、互換性があ
る。
【0025】図13を参照すると、電圧レギュレータ回
路700が示されており、この回路を本発明により使用
することができる。電圧レギュレータまたは発生回路7
00はDLL100に含むことも、別個のユニットとし
て構成することもできる。または、遅延素子への供給電
圧を調整するためのDLLでノイズを低減するために使
用される電圧発生回路とすることもできる。電圧発生回
路700は、n個のタップを備えた分圧器702を含
む。分圧器702は制御された供給電圧を基準電圧の集
合V1〜Vnに分圧する。nto1マルチプレクサ70
4がこれら基準電圧の1つを選択し、比較器706のa
に基準電圧を入力する。基準電圧aは、マルチプレクサ
704への制御入力信号にしたがって選択される。制御
入力信号はフィードバックループから、または位相比較
器から(例えば位相比較器404から)、または外部源
から到来することができる。比較電圧は、他の分圧器7
11を使用する遅延線に対する電圧供給部から導出さ
れ、比較器706の比較入力側bに接続される。比較器
706が、基準電圧が比較電圧よりも大きいことを検知
すると、比較器706の出力が制御装置710をターン
オンし、電圧Vddを上昇させる。基準電圧が比較電圧
よりも格段に大きければ、制御装置710はさらに頻繁
にターンオンし、さらに多くの電流をVddに供給す
る。
【0026】基準電圧が比較電圧よりも小さければ、制
御装置は比較器706によりターンオフされ、電流をV
ddに流さない。このようにして制御入力は遅延線71
2への電圧を所定のレンジ内で調整する。
【0027】本発明を遅延回路の例で説明したが、本発
明は種々のデバイス、有利には集積回路デバイスで使用
することができる。このようなデバイスには、ランダム
アクセスメモリ(DRAM)等、プロセッサ、または回
路遅延の結果として同期を必要とする他の回路が含まれ
る。本発明は、図3に示された回路で上記のように使用
することができる。図3を参照すると高周波動作に対し
ては、遅延線12に含まれる遅延素子は、通常は非常に
小さくなければならない。これは遅延線調整によりチッ
プの動作中に引き起こされるジッタを最小にするためで
ある。しかし本発明によれば、比較的に低い動作周波数
またはテスティング周波数を得るために、遅延素子への
供給電圧を有利に調整することができ、これにより比較
的に大きな遅延素子を使用することができ、それでもな
お十分な遅延を供給することができる。低周波数動作に
対しては、遅延線12により引き起こされる遅延が通常
は非常に大きくなければならない。なぜなら遅延単位が
通常は非常に小さく、非常に長い遅延線をこの目的のた
めに使用しなければならないからである。デジタルDL
Lの場合、さらに多くの制御ビットが動作を補正するた
めに必要である(ポインタ信号に対してさらに多くのビ
ット)。したがって遅延線に対してさらに大きなレイア
ウト面積がチップ上で必要である。本発明によれば、遅
延素子への供給電圧を調整またはトリミングすることに
より、遅延線の長さを延長することも、遅延線の必要な
レイアウト面積を増大することも必要なくなる。低周波
数動作に対するJEDEC要求(上記の)にも本発明に
より適合することができる。さらにショートチャネル長
トランジスタが有利には本発明によって補償される。シ
ョートチャネル長はチップ速度の上昇に貢献するが、本
発明を使用することにより、上昇された速度を低減され
た周波数動作のために補償することができる。
【0028】本発明をメモリチップに対する集積回路の
例で説明したが、本発明はさらに広範囲のものであり、
プロセッサチップ、ダイナミックランダムアクセスメモ
リ(DRAM)、アプリケーション専用集積回路(AS
IC)、または遅延補償ないしトラッキングを必要とす
る他の回路で使用することができる。
【0029】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、当業者であれば本発明の枠内での変更および改
善が可能であり、これも本発明の保護対象である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術の遅延ロックループの概略図である。
【図2】回路素子により発生された遅延を表す遅延素子
を備えた従来の遅延ロックループの概略図である。
【図3】データラッチのためのフリップフロップへクロ
ック信号を供給するために従来技術の遅延ロックループ
の概略図である。
【図4】入力側と出力側との間に遅延を供給するために
従来技術の遅延線回路の概略図である。
【図5】本発明の電圧発生器を有する遅延ロックループ
の概略図である。
【図6】遅延線を示す、本発明の実施例の概略図であ
る。
【図7】本発明による、遅延と電圧発生器からの電圧と
の関係を示す線図である。
【図8】遅延素子および電圧レギュレータを有する遅延
線を示す、本発明の別の実施例の概略図である。
【図9】遅延素子と、電圧レギュレータと、多重化さ
れ、制御信号により制御される遅延素子とを有する遅延
線を示す、本発明の別の実施例の概略図である。
【図10】インバータの速度を本発明による遅延を調整
するために制御するトランジスタを示す、本発明の別の
実施例の概略図である。
【図11】遅延線の出力を、本発明による他の回路と互
換性を持たせるために再調整するために使用される変換
回路の概略図である。
【図12】本発明により使用される図11の変換回路の
概略図である。
【図13】本発明により調整された電圧を供給するため
のレギュレータ回路の概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399035836 1730 North First Stre et、San Jose、CA、USA (71)出願人 594145404 インターナショナル ビジネス マシーン ズ コーポレーション アメリカ合衆国ニューヨーク州 10504 ニューヨーク アーモンク オールド オ ーチャード ロード (番地なし) (72)発明者 ジャン−マルク ドルトゥ アメリカ合衆国 ヴァーモント サウス バーリントン ハーバー ヴュー ロード ナンバー 901 33 (72)発明者 アルバート エム チュー アメリカ合衆国 ヴァーモント エセック ス ブリューステム ロード 6 (72)発明者 クリストファー ピー ミラー アメリカ合衆国 ヴァーモント アンダー ヒル ブライドル トレイル 18

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力側および出力側に接続された複数の
    遅延素子と、該複数の遅延素子に対して電力を制御する
    ための電圧装置とを有する遅延線であって、 前記遅延素子は、当該遅延素子を通過する信号に対して
    与えるべき遅延を形成し、 前記電圧装置は少なくとも1つの所定の電圧を前記遅延
    素子に供給し、 前記電圧装置は、当該遅延素子における遅延が前記少な
    くとも1つの所定の電圧にしたがって変更されるように
    調整可能である、ことを特徴とする遅延線。
  2. 【請求項2】 前記複数の遅延素子は遅延ユニットを有
    し、該遅延ユニットは直列に接続された1対のインバー
    タを有する、請求項1記載の遅延線。
  3. 【請求項3】 前記複数の遅延素子は遅延制御信号にし
    たがって多重化され、適切な数の遅延素子が前記遅延制
    御信号にしたがって作動される、請求項1記載の遅延
    線。
  4. 【請求項4】 前記電圧装置は、少なくとも1つの所定
    の電圧を遅延制御信号にしたがって出力する、請求項3
    記載の遅延線。
  5. 【請求項5】 前記電圧装置は、少なくとも2つの定電
    圧レベルを供給する、請求項1記載の遅延線。
  6. 【請求項6】 遅延線は、動作周波数から比較的に低い
    周波数へ、前記電圧装置の調整により調整可能である、
    請求項1記載の遅延線。
  7. 【請求項7】 前記比較的に低い周波数は動作周波数の
    約半分である、請求項6記載の遅延線。
  8. 【請求項8】 入力側および出力側に接続された遅延線
    と、入力側に接続され、出力側に結合された位相比較器
    と、電圧装置とを有する遅延ロックループであって、 前記遅延線は複数の遅延素子を有し、 該遅延素子は、当該遅延素子を通過する信号に対して与
    えるべき遅延を形成し、 前記位相比較器は、前記遅延線に制御信号を供給し、こ
    れにより遅延線は出力信号を入力信号に同期させる遅延
    を供給し、 前記電圧装置は複数の遅延素子に接続されており、当該
    複数の遅延素子の電力を制御し、 前記電圧装置は少なくとも1つの所定の電圧を前記遅延
    素子に供給し、 前記電圧装置は、当該遅延素子における遅延が前記少な
    くとも1つの所定の電圧にしたがって変更されるように
    調整可能である、ことを特徴とする遅延ロックループ。
  9. 【請求項9】 前記複数の遅延素子は遅延ユニットを有
    し、 該遅延ユニットは直列に接続された1対のインバータを
    有する、請求項8記載の遅延ロックループ。
  10. 【請求項10】 複数の遅延素子は制御信号にしたがっ
    て多重化され、 適切な数の遅延素子が遅延制御信号にしたがって作動さ
    れる、請求項8記載の遅延ロックループ。
  11. 【請求項11】 電圧装置は少なくとも1つの所定の電
    圧を制御信号にしたがって出力する、請求項8記載の遅
    延ロックループ。
  12. 【請求項12】 電圧装置は少なくとも2つの定電圧レ
    ベルを供給する、請求項8記載の遅延ロックループ。
  13. 【請求項13】 制御信号はデジタルで位相比較器によ
    り発生される、請求項8記載の遅延ロックループ。
  14. 【請求項14】 さらに出力側と位相比較器との間に接
    続された遅延素子を有する、請求項8記載の遅延ロック
    ループ。
  15. 【請求項15】 遅延線は、動作周波数から比較的に低
    い周波数へ、電圧装置の調整により調整可能である、請
    求項8記載の遅延ロックループ。
  16. 【請求項16】 前記比較的に低い周波数は動作周波数
    の約半分である、請求項15記載の遅延ロックループ。
  17. 【請求項17】 遅延入力信号を受信器から受信するた
    めの入力ノードと、入力ノードおよび出力ノードに接続
    されら遅延線を備えた遅延ロックループとを有するクロ
    ック回路であって、 前記遅延線は、複数の遅延素子と、電圧装置と、位相比
    較器と、フリップフロップとを有し、 前記複数の遅延素子は入力ノードと出力ノードとの間に
    接続されており、 遅延素子は、当該遅延素子を通過留守信号に対して与え
    るべき遅延を形成し、 前記電圧装置は複数の遅延素子に対する電力を制御し、
    所定の電圧レベルを前記遅延素子に供給し、 かつ前記電圧装置は、遅延素子における遅延が所定の電
    圧にしたがって変更されるように調整可能であり、 前記位相比較器は出力ノードに結合されており、遅延素
    子の遅延を設定するための制御信号を供給し、 前記位相比較器は入力ノードに接続されており、 前記フリップフロップは遅延線からのクロックレート出
    力によりイネーブルされ、当該フリップフロップを通し
    てデータをドライバに転送する、ことを特徴とするクロ
    ック回路。
  18. 【請求項18】 複数の遅延素子はそれぞれ遅延ユニッ
    トを有し、 遅延ユニットは直列に接続された1対のインバータを有
    する、請求項17記載のクロック回路。
  19. 【請求項19】 複数の遅延素子は制御信号にしたがっ
    て多重化され、 適切な数の遅延素子が制御信号にしたがって作動され
    る、請求項17記載のクロック回路。
  20. 【請求項20】 電圧装置は制御信号にしたがって電圧
    を出力する、請求項17記載のクロック回路。
  21. 【請求項21】 電圧装置は少なくとも2つの定電圧レ
    ベルを供給する、請求項17記載のクロック回路。
  22. 【請求項22】 制御信号はデジタルで位相比較器によ
    り発生される、請求項17記載のクロック回路。
  23. 【請求項23】 遅延線は、動作周波数から比較的に低
    い周波数へ、電圧装置の調整により調整可能である、請
    求項17記載のクロック回路。
  24. 【請求項24】 前記比較的に低い周波数は動作周波数
    の約半分である、請求項23記載のクロック回路。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2752312B1 (fr) * 1996-08-07 1998-10-30 Motorola Semiconducteurs Procede et circuit permettant d'ajuster dynamiquement la tension d'alimentation et, ou bien, la frequence du signal d'horloge dans un circuit numerique
JP3895520B2 (ja) * 2000-05-29 2007-03-22 富士通株式会社 クロック変調装置
JP2002118467A (ja) * 2000-10-11 2002-04-19 Denso Corp A/d変換回路
JP3696077B2 (ja) * 2000-11-13 2005-09-14 シャープ株式会社 電圧変換回路及びこれを備えた半導体集積回路装置
DE10065376C1 (de) * 2000-12-27 2002-07-25 Infineon Technologies Ag Verzögerungsschaltung mit einstellbarer Verzögerung
US6771106B2 (en) * 2001-04-18 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Programmable delay for processor control signals
KR100415193B1 (ko) * 2001-06-01 2004-01-16 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치에서의 내부클럭 발생방법 및 내부클럭발생회로
DE10135964B4 (de) * 2001-07-24 2005-02-24 Infineon Technologies Ag Schaltungsbaustein mit hochfrequenten Ein-/Ausgabeschnittstellen
US7061292B2 (en) * 2001-11-09 2006-06-13 The Regents Of The University Of Colorado Adaptive voltage regulator for powered digital devices
US6693473B2 (en) * 2002-03-19 2004-02-17 Infineon Technologies Ag Delay lock loop having a variable voltage regulator
JP3762988B2 (ja) * 2002-07-09 2006-04-05 独立行政法人産業技術総合研究所 クロック信号タイミング調整のための遅延回路を有するデジタル回路
US7403053B2 (en) * 2002-12-19 2008-07-22 Intel Corporation Power supply dependent delay compensation
DE10261409B4 (de) * 2002-12-30 2006-05-11 Infineon Technologies Ag Verzögerungsregelschleife und Verfahren zur Verzögerungsregelung
US7088172B1 (en) * 2003-02-06 2006-08-08 Xilinx, Inc. Configurable voltage bias circuit for controlling buffer delays
US20050086424A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Infineon Technologies North America Corp. Well-matched echo clock in memory system
KR100560297B1 (ko) * 2003-10-29 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프용 전원 공급 회로를 구비한 반도체 소자
US6927605B2 (en) * 2003-11-07 2005-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for dynamically varying a clock signal
JP2006011704A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Fujitsu Ltd クロック切り替え回路
US6965520B1 (en) 2004-08-03 2005-11-15 Texas Instruments Incorporated Delay system for generating control signals in ferroelectric memory devices
US7154324B1 (en) * 2004-09-07 2006-12-26 Altera Corporation Integrated circuit delay chains
KR100684063B1 (ko) * 2004-11-17 2007-02-16 삼성전자주식회사 조절가능한 기준전압 발생회로
US8294503B1 (en) * 2004-11-22 2012-10-23 Marvell International Ltd. Method and apparatus for reducing jitter in a transmitter
KR100714874B1 (ko) * 2005-09-27 2007-05-07 삼성전자주식회사 딜레이 스텝이 조절되는 딜레이 라인 회로 및 이를 위한딜레이 셀
US7307468B1 (en) 2006-01-31 2007-12-11 Xilinx, Inc. Bandgap system with tunable temperature coefficient of the output voltage
US7936203B2 (en) * 2006-02-08 2011-05-03 Micron Technology, Inc. Temperature compensation via power supply modification to produce a temperature-independent delay in an integrated circuit
JP4725418B2 (ja) * 2006-05-31 2011-07-13 株式会社デンソー 時間計測回路
US7525363B2 (en) * 2006-09-01 2009-04-28 Via Technologies, Inc. Delay line and delay lock loop
US7541851B2 (en) * 2006-12-11 2009-06-02 Micron Technology, Inc. Control of a variable delay line using line entry point to modify line power supply voltage
US8108708B2 (en) * 2007-05-03 2012-01-31 Microchip Technology Incorporated Power optimization when using external clock sources
US7816960B2 (en) * 2007-08-09 2010-10-19 Qualcomm Incorporated Circuit device and method of measuring clock jitter
KR100933802B1 (ko) * 2007-12-26 2009-12-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법
US7859318B2 (en) * 2008-02-14 2010-12-28 International Business Machines Corporation Delay line regulation using high-frequency micro-regulators
FR2932336B1 (fr) * 2008-06-06 2010-06-18 Tiempo Circuit asynchrone insensible aux delais avec circuit d'insertion de delai
IT1397376B1 (it) 2009-12-30 2013-01-10 St Microelectronics Srl Regolazione di una linea di ritardo programmabile ad anello pseudo-chiuso
CN102684687B (zh) * 2010-01-08 2014-03-26 无锡中星微电子有限公司 一种延迟锁相环
JP5893958B2 (ja) * 2011-03-31 2016-03-23 ローム株式会社 半導体装置、及び電子機器
KR20130045652A (ko) * 2011-10-26 2013-05-06 에스케이하이닉스 주식회사 신호 지연 회로
CN103873038B (zh) * 2012-12-17 2017-02-08 快捷半导体(苏州)有限公司 一种延时时间调整电路、方法和集成电路
KR20150142766A (ko) * 2014-06-11 2015-12-23 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 정류 회로
CN105515549A (zh) * 2014-09-26 2016-04-20 原景科技股份有限公司 单触发电路
CN105654986B (zh) * 2014-11-14 2020-02-07 群联电子股份有限公司 取样电路模块、存储器控制电路单元及数据取样方法
FR3037148B1 (fr) * 2015-06-08 2018-08-17 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Mesure de variations d'une tension d'alimentation
KR20210082774A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 에스케이하이닉스 주식회사 데이터와 데이터 스트로브의 타이밍을 조절하는 반도체 장치 및 반도체 시스템
CN115509288B (zh) * 2022-10-26 2023-05-23 沐曦科技(北京)有限公司 芯片核心调压补偿系统

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0171022A3 (en) 1984-07-31 1988-02-03 Yamaha Corporation Signal delay device
JPS6369315A (ja) * 1986-09-11 1988-03-29 Sony Corp Cmos回路を用いた可変遅延装置
JPH02296410A (ja) * 1989-05-11 1990-12-07 Mitsubishi Electric Corp 遅延回路
JPH04213213A (ja) * 1990-12-10 1992-08-04 Fujitsu Ltd ディジタル集積回路装置
FI92120C (fi) 1992-04-15 1994-09-26 Nokia Mobile Phones Ltd Jänniteohjattu oskillaattori
US5306971A (en) 1992-07-23 1994-04-26 Proxim, Inc. Binary controlled digital tapped delay line
JPH06125252A (ja) * 1992-09-28 1994-05-06 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 遅延回路装置
US5428626A (en) * 1993-10-18 1995-06-27 Tektronix, Inc. Timing analyzer for embedded testing
JPH0818414A (ja) 1994-04-26 1996-01-19 Hitachi Ltd 信号処理用遅延回路
US5646564A (en) 1994-09-02 1997-07-08 Xilinx, Inc. Phase-locked delay loop for clock correction
JP3109560B2 (ja) * 1995-02-10 2000-11-20 日本電気株式会社 ばらつき補償技術による半導体集積回路
JP3169794B2 (ja) 1995-05-26 2001-05-28 日本電気株式会社 遅延クロック生成回路
US5684421A (en) 1995-10-13 1997-11-04 Credence Systems Corporation Compensated delay locked loop timing vernier
US5790612A (en) * 1996-02-29 1998-08-04 Silicon Graphics, Inc. System and method to reduce jitter in digital delay-locked loops
JP3688392B2 (ja) 1996-05-31 2005-08-24 三菱電機株式会社 波形整形装置およびクロック供給装置
US5781055A (en) 1996-05-31 1998-07-14 Sun Microsystems, Inc. Apparatus and method for instantaneous stretching of clock signals in a delay-locked loop multi-phase clock generator
US6028462A (en) * 1997-08-22 2000-02-22 Lsi Logic Corporation Tunable delay for very high speed
US5994938A (en) * 1998-01-30 1999-11-30 Credence Systems Corporation Self-calibrating programmable phase shifter

Also Published As

Publication number Publication date
CN1264277C (zh) 2006-07-12
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