JP2000356714A

JP2000356714A - 偏光板用保護フィルム

Info

Publication number: JP2000356714A
Application number: JP2000097061A
Authority: JP
Inventors: Takashi Murakami; 隆村上; Toru Kobayashi; 徹小林; Nobuyuki Takiyama; 信行滝山; Kazuhiro Fukuda; 和浩福田; Toshiya Takagi; 利也高木
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-04-15
Filing date: 2000-03-31
Publication date: 2000-12-26
Anticipated expiration: 2020-03-31
Also published as: JP4688116B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、偏光子として用いられるポ
リビニルアルコールフィルムと接着しやすく、作業上安
全で環境に悪影響を及ぼさない加工で生産でき、かつポ
リビニルアルコールフィルム膜との接着性が優れた高効
率の偏光板用保護フィルム及びこれを用いた偏光板を提
供する事にある。【解決手段】１．偏光子と接する面の純水との接触角
が、５５度未満である事を特徴とする偏光板用保護フィ
ルム。２．偏光子と接する面がプラズマ処理によって親水化さ
れたことを特徴とする前記１に記載の偏光板用保護フィ
ルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着性に優れた偏
光板用保護フィルム及び偏光板とそれらの作成方法に関
するものであり、さらに、リサイクルに優れたセルロー
スエステルフィルムの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイの偏光板に用いられる
保護フィルムとしてはトリアセチルセルロース等のセル
ロースエステルがその複屈折性が小さいことから適して
おりよく用いられている。

【０００３】偏光板は、一般に、ヨウ素や染料を吸着配
向させたポリビニルアルコールフィルム等からなる偏光
フィルムの表裏両側を、透明な樹脂層で積層した構成を
もっているが、トリアセチルセルロースの保護フィルム
がこの透明な樹脂層として、良く使われている。

【０００４】保護フィルムと偏光子を貼り合わせて偏光
板を作製する際、水溶性の接着剤を塗りやすくするた
め、一旦、保護フィルム（トリアセチルセルロースフィ
ルム）を高温、高濃度のアルカリ液に浸漬してケン化処
理してフィルム表面を親水化してから接着剤を塗布し偏
光子と貼り合わせている。ケン化処理のように危険な薬
剤と面倒な処理を使用しないで、透明樹脂フィルムを親
水化する方法が好ましい。

【０００５】又、偏光板用の保護フィルムとしての透明
樹脂フィルムはもっぱらトリアセチルセルロースが使わ
れているが、未だに他のフィルムに置き換わらない理由
の一つとして、他のフィルムにおいてはケン化処理がき
かないということがあり、ケン化処理に代わる処理方法
が求められていた。

【０００６】ケン化処理に代わる透明樹脂フィルムの表
面親水化方法として本発明者らは種々検討した結果、プ
ラズマ処理をすることでケン化処理と同等の性能が得ら
れる事を見いだした。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、偏光子として用いられるポリビニルアルコールフィ
ルムと接着しやすく、作業上安全で環境に悪影響を及ぼ
さない加工で生産でき、かつポリビニルアルコールフィ
ルム膜との接着性が優れた高効率の偏光板用保護フィル
ム及びこれを用いた偏光板を提供する事にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の構成に
より達成される。

【０００９】１．偏光子と接する面の純水との接触角
が、５５度未満である事を特徴とする偏光板用保護フィ
ルム。

【００１０】２．偏光子と接する面がプラズマ処理によ
って親水化されたことを特徴とする前記１に記載の偏光
板用保護フィルム。

【００１１】３．プラズマ処理が真空グロー放電、大気
圧グロー放電及びフレームプラズマ処理から選ばれたも
のであることを特徴とする前記１又は２に記載の偏光板
用保護フィルム。

【００１２】４．プラズマ処理を施した面の上に少なく
とも１種の親水性高分子化合物を含有する塗布層を有す
ることを特徴とする偏光板用保護フィルム。

【００１３】５．セルロースエステルフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム、ポリエステルフィルム又はポリア
クリルフィルムを用いたことを特徴とする前記１〜４の
いずれか１項に記載の偏光板用保護フィルム。

【００１４】６．前記１〜５のいずれか１項に記載の偏
光板用保護フィルムを用いたことを特徴とする偏光板。

【００１５】７．偏光子の少なくとも片面に保護フィル
ムを貼合した偏光板の製造方法において、偏光板用保護
フィルムの偏光子と貼合する面を貼合前にプラズマ処理
することを特徴とする偏光板の製造方法。

【００１６】８．偏光板用保護フィルムの偏光子と貼合
する面をプラズマ処理後に、水洗工程を経て偏光子と貼
合することを特徴とする前記７に記載の偏光板の製造方
法。

【００１７】９．偏光子の少なくとも片面に偏光板用保
護フィルムを貼合した偏光板の製造方法において、偏光
子の表面をプラズマ処理した後、貼合することを特徴と
する偏光板の製造方法。

【００１８】１０．偏光子の表面をプラズマ処理したこ
とを特徴とする前記７又は８に記載の偏光板の製造方
法。

【００１９】１１．偏光子と貼合される面を貼合前に複
数回プラズマ処理した偏光板用保護フィルムを用いたこ
とを特徴とする前記７〜１０のいずれか１項に記載の偏
光板の製造方法。

【００２０】１２．フィルム表面に存在する有機物のＣ
−Ｃ結合もしくはＣ−Ｈ結合を切断する条件でのプラズ
マ処理と、フィルム表面に水酸基もしくはアミノ基を形
成する条件でのプラズマ処理を順次もしくは同時に行っ
た偏光板用保護フィルムを用いたことを特徴とする前記
１１に記載の偏光板の製造方法。

【００２１】１３．不活性ガス、水素、酸素、過酸化水
素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、二酸化窒
素、一酸化窒素、水蒸気、アンモニア及び低沸点の有機
化合物から選択される少なくとも２種以上のガスの存在
下でプラズマ処理した偏光板用保護フィルムを用いたこ
とを特徴とする前記１１又は１２に記載の偏光板の製造
方法。

【００２２】１４．不活性ガスと、水素、水蒸気、過酸
化水素から選択される少なくとも１種のガスと、酸素、
水蒸気、過酸化水素、オゾンから選択される少なくとも
１種のガスを含む反応ガスの下でプラズマ処理した偏光
板用保護フィルムを用いたことを特徴とする前記１１〜
１３のいずれか１項に記載の偏光板の製造方法。

【００２３】１５．プラズマ処理が真空グロー放電、大
気圧グロー放電及びフレームプラズマ処理から選ばれた
ものであることを特徴とする前記７〜１４のいずれか１
項に記載の偏光板の製造方法。

【００２４】１６．少なくとも一方の表面の凸凹の状態
が、フィルム表面の任意の１０点の中心線平均粗さＲａ
の平均値が１ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であり、最大高低
差の平均値が５〜８０ｎｍの範囲内であることを特徴と
する前記１〜５のいずれか１項に記載の偏光板用保護フ
ィルム。

【００２５】１７．フィルム表面の炭素原子に結合した
水酸基又はアミノ基がフィルム内部の炭素原子に結合し
た水酸基又はアミノ基よりも多いことを特徴とする前記
１〜５、１６のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィ
ルム。

【００２６】１８．偏光板用保護フィルムのＸ線光電子
分光法による炭素原子の結合状態分析において、結合エ
ネルギーの一番低いピークを第１ピーク、第１ピークよ
り高結合エネルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピーク
を第２ピーク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に
４．１０±０．３ｅＶのピークを第３ピークとすると
き、偏光板用保護フィルムの少なくとも一方の表面と内
部領域の炭素Ｃ１ｓの結合状態が、下記の関係にあるこ
とを特徴とする前記１〜５、１６、１７のいずれか１項
に記載の偏光板用保護フィルム。

【００２７】Ｓ−Ｉ≧０．１Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第１ピーク強度Ｉ＝偏光板用保護フィルム内部領域の第２ピーク強度／
偏光板用保護フィルム内部領域の第１ピーク強度１９．偏光板用保護フィルムのＸ線光電子分光法による
炭素原子の結合状態分析において、結合エネルギーの一
番低いピークを第１ピーク、第１ピークより高結合エネ
ルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピークを第２ピー
ク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に４．１０±
０．３ｅＶのピークを第３ピークとするとき、偏光板用
保護フィルムの少なくとも一方の表面の炭素Ｃ１ｓの結
合状態が、下記の関係にあることを特徴とする前記１〜
５、１６、１７のいずれか１項に記載の偏光板用保護フ
ィルム。

【００２８】Ｓ≧１．６０Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第１ピーク強度２０．偏光板用保護フィルムのＸ線光電子分光法による
炭素原子の結合状態分析において、結合エネルギーの一
番低いピークを第１ピーク、第１ピークより高結合エネ
ルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピークを第２ピー
ク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に４．１０±
０．３ｅＶのピークを第３ピークとするとき、偏光板用
保護フィルムの少なくとも一方の表面の炭素Ｃ１ｓの結
合状態が、下記の関係にあることを特徴とする前記１〜
５、１６〜１９のいずれか１項に記載の偏光板用保護フ
ィルム。

【００２９】Ｔ≧０．２Ｔ＝偏光板用保護フィルム表面の第３ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第２ピーク強度２１．フィルム表面に存在する有機物のＣ−Ｃ結合もし
くはＣ−Ｈ結合を切断する条件でのプラズマ処理と、フ
ィルム表面に水酸基もしくはアミノ基を形成する条件で
のプラズマ処理を順次もしくは同時に行ったことを特徴
とする偏光板用保護フィルム。

【００３０】２２．不活性ガス、水素、酸素、過酸化水
素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、二酸化窒
素、一酸化窒素、水蒸気、アンモニア、低沸点の有機化
合物から選択される少なくとも２種以上のガスの存在下
でプラズマ処理したことを特徴とする前記１〜５、１６
〜２１のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィルム。

【００３１】２３．不活性ガスと、水素、水蒸気、過酸
化水素から選択される少なくとも１種のガスと、酸素、
水蒸気、過酸化水素、オゾンから選択される少なくとも
１種のガスを含む反応ガスの下でプラズマ処理されたこ
とを特徴とする前記１〜５、１６〜２２のいずれか１項
に記載の偏光板用保護フィルム。

【００３２】２４．偏光板用保護フィルムの表面をプラ
ズマ処理した後、水洗したことを特徴とする前記１〜
５、１６〜２３のいずれか１項に記載の偏光板用保護フ
ィルム。

【００３３】２５．偏光板用保護フィルムがセルロース
エステル又はポリカーボネート、ポリエステル、アクリ
ル樹脂のいずれかを含有することを特徴とする前記１６
〜２４のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィルム。

【００３４】２６．前記１６〜２５のいずれか１項に記
載の偏光板用保護フィルムを少なくとも一方の面に用い
たことを特徴とする偏光板。

【００３５】２７．プラズマ処理されたセルロースエス
テルフィルムを用いた偏光板から分離されたセルロース
エステルを原料の全部もしくは一部として再使用したこ
とを特徴とするセルロースエステルフィルムの製造方
法。

【００３６】２８．前記１〜５、１６〜２５のいずれか
１項に記載の偏光板用保護フィルムがセルロースエステ
ルを含有するものであって、該偏光板用保護フィルムか
ら分離されたセルロースエステルをセルロースエステル
原料の全部もしくは一部として再使用することを特徴と
するセルロースエステルフィルムの製造方法。

【００３７】２９．前記２６に記載の偏光板から分離さ
れたセルロースエステルフィルムをセルロースエステル
原料の全部もしくは一部として再使用することを特徴と
するセルロースエステルフィルムの製造方法。

【００３８】３０．セルロースエステルフィルムが液晶
表示装置に用いられる光学フィルムであることを特徴と
する前記２９に記載のセルロースエステルフィルムの製
造方法。

【００３９】以下、本発明を詳細に説明する。偏光フィ
ルムは広く液晶表示素子として、電卓の表示部やパソコ
ンや液晶テレビ、自動車用のディスプレイに利用されて
いる。前述したように、これらの偏光フィルムはポリビ
ニルアルコール系フィルムに沃素や２色性色素を吸着配
向させた偏光子に、トリアセチルセルロースフィルムを
保護フィルムとして貼り合わせた構造を有している。本
発明者らは、この保護フィルムとして用いられるトリア
セチルセルロースフィルムの製造に際し上記の危険な処
理を取り除き、接着強度に優れた偏光板用保護フィルム
及びこれを用いた偏光板を製造する方法について鋭意検
討した結果本発明に至ったものである。

【００４０】即ち、本発明は、ポリビニルアルコール系
フィルムに沃素や２色性色素を吸着配向させた偏光子に
保護膜を接着貼合し、偏光板を製造するに際し、従来の
ようにセルロース系フィルムのケン化処理を行わない新
しい方法を見いだしたものである。

【００４１】本発明により上記のように、トリアセチル
セルロースフィルムを、強アルカリによりケン化処理す
ることなく接着性の良好なフィルムを得ることができ
る。又、強アルカリによる加水分解処理を用いないの
で、トリアセチルセルロースのみでなくその他のプラス
チックフィルム表面に親水化処理を行うことが出来る。

【００４２】本発明の偏光子用保護膜は、偏光子に用い
られるポリビニルアルコール系フィルムとの接着性を向
上させるために保護膜として用いられるフィルムの親水
性を向上させる必要がある。

【００４３】膜表面の親水性の度合いは様々な尺度で表
現されるが、その表面に水滴を垂らしその水滴と表面か
ら形成される接触角で表現するのが便利である。

【００４４】接触角は一般的に、固体、液体とその飽和
蒸気を接触させたとき、３層の接触点で液体に引いた折
線と固体面のなす角のうち液体を含む側の角で表される
が、接触角は、これを形成する固体・液体の表面張力及
び固／液界面張力と密接な関係があるが、特には、固体
表面の液体による濡れを表す尺度としてひろく用いられ
ている。本発明においては、プラズマ処理後の保護フィ
ルム表面に、水による濡れによって親水性を測るため
に、純水を５μｌ垂らし、測定装置（エルマ工業（株）
製ゴニオメーターエルマーＧ１を用いた）により温度
２３℃において、水滴と保護フィルムとの接触角を測定
する。親水性が高いほど、水による濡れが大きくなるの
で接触角は小さくなり、本発明においては、プラズマ処
理による親水性の向上の基準として、保護膜フィルムの
偏光子と接する面に純水を用いて測定した時の接触角が
５５度より小さいことが必要である。更に純水との接触
角は０〜５０度が好ましく、特に好ましくは１０〜４０
度である。これにより偏光子膜表面との接着強度が増
し、良好な偏光板を得ることが出来る。

【００４５】本発明で用いられる樹脂フィルムは特に限
定はされないが、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロ
ースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテ
ートフタレートフィルム、セルロースアセテートプロピ
オネートフィルム、セルローストリアセテート、セルロ
ースナイトレート、等のセルロースエステル類又はそれ
らの誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィ
ルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニル
アルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレ
ン系フィルム，ポリカーボネートフィルム、ノルボルネ
ン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ
エーテルケトンフィルム、ポリエーテルスルホンフィル
ム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミ
ドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィル
ム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィ
ルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレート系フィ
ルム等を挙げることができる。あるいはこれらの樹脂を
積層したフィルムであっても混合したフィルムであって
もよい。

【００４６】特に前記強アルカリ処理に代わってアセチ
ルセルロース系フィルム(セルローストリアセテート、
セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレ
ート、セルロースアセテートプロピオネート等)、以外
にもポリカーボネート、ポリエステルフィルム又はポリ
アクリルフィルム等が好ましく表面を親水化できる。片
面もしくは両面にセルロースジアセテートの薄膜が塗設
されたセルローストリアセテートフィルムも好ましく用
いることが出来る。

【００４７】さらに、必要であればアルカリ鹸化処理さ
れたセルロースエステルフィルムもプラズマ処理するこ
とが可能であり、さらに接着性を向上させることが可能
である。あるいは、プラズマ処理されたフィルムを、ア
ルカリ鹸化処理し、これを偏光板用保護フィルムとして
使用してもよい。

【００４８】一方で、アルカリ鹸化処理に代えてプラズ
マ処理することによって、セルロースエステルフィルム
表面のエステル置換度(セルロースアセテート系フィル
ムであれば酢化度)を変化させることなく接着性を向上
させることができる。

【００４９】偏光板用保護フィルムの偏光子と貼合する
側を貼合前にプラズマ処理することが好ましく、プラズ
マ処理の後半年以内に貼合されることが好ましく、１ヶ
月以内に貼合されることがより好ましく、最も好ましく
は貼合の数時間前〜直前にプラズマ処理されることが望
ましい。又、プラズマ処理の効果は時間の経過と共に弱
くなることがあるが、水洗によって改善されることも見
いだした。そのため、好ましくはプラズマ処理した偏光
板用保護フィルムを貼合前に水又は温水に浸漬すること
が好ましい。

【００５０】又、染色、延伸した後、硼酸等で処理され
た偏光子はポリビニルアルコールなどの水溶性高分子か
らなる接着剤との接着性が不足することがあり、接着性
の向上が求められていた。そこでこの問題を解決するた
めに鋭意検討を重ねた結果、染色、延伸した後、硼酸等
で処理された偏光子をプラズマ処理した後、接着剤を用
いて偏光板用保護フィルムと貼合することによって、偏
光子と偏光板用保護フィルムとの密着性を著しく改善で
きることを見いだした。接着剤は特にポリビニルアルコ
ールなどの水溶性高分子からなる接着剤が好ましく、硼
酸処理によって架橋した偏光子の表面を活性化して接着
力を高めることができたのである。更に好ましくは、前
述のごとく偏光板用保護フィルムもプラズマ処理された
ものであることが望ましい。

【００５１】又、フィルムの表面粗さを、中心線平均粗
さＲａが１〜８０ｎｍで、最大高低差が５〜８０ｎｍと
することによって、接着性がさらに改善された。これら
はプラズマ処理によって達成することができ、処理条件
を変更することによって調整することが可能である。プ
ラズマ処理によれば、鹸化処理よりも周期が大きな凸凹
を形成することができ、さらに最大高低差についてもよ
り大きく、適度な凹凸を有する面を得ることが出来、こ
れが接着性を改善する因子の１つとなっていると考えら
れる。

【００５２】中心線平均粗さＲａは原子間力顕微鏡（Ａ
ＦＭ）を用いてタッピングモードで測定し、フィルム上
の任意の１０箇所について０．５μｍの直線部の中心線
平均粗さを求めることができる。本測定は、セイコーイ
ンスツルメンツ製走査型プローブ顕微鏡ＳＰＩ３８００
Ｎ多機能型ユニットＳＰＡ４００におけるダイナミック
モード（以下ＤＦＭモード）による表面形状の測定であ
る。カンチレバーは、ＳＩ−ＤＦ２０（シリコン製：バ
ネ定数２０．０Ｎ／ｍ、ねじれバネ定数１００．０Ｎ／
ｍ、共振周波数１２０〜１５０Ｈｚ、レバー長さ２０
０．０μｍ、針の高さ３．００μｍ）を用いた。試料は
約１ｃｍ角に切り、ピエゾスキャナー上の水平な試料台
にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、
原子間力が働く領域に達したところでＸ、Ｙ方向にスキ
ャンし、試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえ
た。ピエゾスキャナーはＸ、Ｙ２０μｍ、Ｚ２μｍの走
査が可能なものを使用した。走査周波数は、１．００Ｈ
ｚ、測定エリアは０．５×０．５μｍに設定し、Ｘ、Ｙ
ともデータ数は各々２５６ポイントで行った。得られた
３次元データは、１次傾き補正により補正した。

【００５３】中心線平均粗さＲａは１０箇所の平均値が
１〜８０ｎｍであることが好ましく、特に２ｎｍ〜８０
ｎｍであることが好ましい、更に３ｎｍ〜６０ｎｍであ
ることが接着性に優れ好ましい。かつこの区間の最大高
低差の１０箇所の平均値が５〜８０ｎｍであることが好
ましく、更に好ましくは１０〜７５ｎｍであり、２０〜
７０ｎｍであることがより望ましい。これはアルカリ鹸
化処理と比較しても、Ｒａが大きく、最大高低差も大き
くなっており、接着性向上に大きく寄与する。

【００５４】偏光板用保護フィルムをプラズマ処理する
ことによって、フィルム表面の水酸基、アミノ基、カル
ボニル基、カルボキシル基等を増加させることができ
る。これは接触角を低下させて濡れ性を改善するだけで
なく、接着性の改善に著しい効果が得られる。中でも水
酸基あるいはアミノ基は接着性向上に大きな効果があ
る。フィルム表面の水酸基を増加させるためには水蒸気
もしくは水、酸素等を含む雰囲気下でプラズマ処理する
ことが好ましく、アミノ基を増加させるには少なくとも
アンモニアもしくは窒素あるいはさらに水蒸気又は水素
を含む雰囲気下でプラズマ処理することが望ましい。こ
れらはＸ線光電子分光法（ＸｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）によ
る表面分析によって調べることができる。

【００５５】好ましくは、フィルム表面に存在する有機
物のＣ−Ｃ結合もしくはＣ−Ｈ結合を切断する条件でプ
ラズマ処理を行った後、フィルム表面に水酸基もしくは
アミノ基を形成する条件でプラズマ処理することで、よ
り多くの水酸基あるいはアミノ基を導入することが可能
であり、より優れた接着性を有するフィルムを得ること
ができる。具体的には、アルゴン、ネオン等の不活性ガ
ス、水素、酸素、オゾン、水蒸気、二酸化炭素、一酸化
炭素、窒素、アンモニア、一酸化窒素、二酸化窒素、メ
タン、エタン等の低級炭化水素、ケトン、アルコール等
の低沸点の有機化合物から選択される少なくとも２種の
ガスの存在下でプラズマ処理することが好ましい。

【００５６】更に好ましくは、アルゴン、ネオン等の不
活性ガスと、水素、水蒸気、過酸化水素から選択される
少なくとも１種のガスと、酸素、水蒸気、過酸化水素、
オゾンから選択される少なくとも１種のガスを含む反応
ガスの下でプラズマ処理することにより鹸化処理したも
のと同等の接着性を簡便に付与することができる。

【００５７】又、プラズマ処理されたフィルムを水洗す
ることによってさらに接着性が向上することを見いだし
た。従って、本発明の別の態様ではプラズマ処理の後、
水洗もしくは温水洗した後、偏光子と貼合することを特
徴とする偏光板の製造方法を提供する。前述のように水
洗はプラズマ処理後連続で行ってもよいし、数時間〜数
ヶ月後に行ってもよい。プラズマ処理の効果は時間の経
過とともに低下することがあるが、水洗によって再度活
性化されるため、好ましくは貼合の直前に行うことが望
ましい。

【００５８】又、本発明では偏光板の再利用方法も提供
する。すなわち、従来偏光板に使用されてきたセルロー
スエステルフィルムはアルカリ鹸化処理したものが用い
られてきた。アルカリ鹸化処理によれば、表面のエステ
ル結合が加水分解される。近年、資源の再利用、リサイ
クルが重視されるようになり、偏光板についても、偏光
板の破砕品、切りくず、不良品、回収品からこれらのフ
ィルムを分離しセルロースエステルフィルムの原料とし
て再利用することが求められている。しかしながら、従
来の偏光板に用いられていた保護フィルムでは、異物が
増加して品質がよくないことが判明した。その原因を鋭
意検討した結果、アルカリ鹸化処理されたセルロースエ
ステルフィルムは表面のエステルが加水分解されてお
り、これが混入することが原因と考えられた。具体的に
は、２枚の偏光板の間にセルロースエステルフィルム試
料を配置し、偏光板をクロスニコルに配置したとき、下
からの照明からの光が輝点として漏れる点（以下輝点異
物とする）が認められる。この輝点異物の数は少ないほ
ど好ましいが、この輝点異物の数が、鹸化処理した保護
フィルムをセルロースエステル原料として再利用すると
増加する傾向が認められ、偏光板の品質を低下させてし
まうことがわかった。

【００５９】原料である酢綿に含まれる輝点異物は濾過
によってある程度除去できるが、鹸化処理されたセルロ
ースエステルフィルムを原料として使用した場合に増加
する輝点異物は濾過による除去が困難であった。しかし
ながら、セルロースエステルフィルムの鹸化処理を行わ
ないと接着性に劣り、断裁時にあるいは取扱中に偏光板
用保護フィルムと偏光子が剥離してしまうという問題が
あった。そこでセルロースエステルの再利用について鋭
意検討を重ねた結果、本発明の別の態様では偏光板用保
護フィルムの表面の炭素の結合状態の分析により規定さ
れる特定のものが特に好ましいことが明らかとなった。

【００６０】フィルム表面に存在する炭素がどの様な結
合状態、或いは官能基として存在しているかを調べる方
法としては、ＸＰＳ法（ＸｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いることが
できる。結合状態の違いを明確に求めるためには、単色
化されたＡｌＸ線源を用いることが好ましい。更に、清
浄なＡｇ板において、Ａｇ３ｄ５／２ピークを測定した
時のその半値幅が０．６０ｅＶ以下となる条件で測定す
ることが必要である。

【００６１】ピーク強度の算出に用いるスペクトルは、
Ｃ１ｓの３本のピークのうち最大のピーク強度が１５０
００カウント以上となるまで充分に積算する必要があ
る。又、測定エネルギー間隔は０．０５ｅＶおきにと
り、ピークの形状を充分に整える必要がある。又、ピー
クの違いを明確にするために、清浄なＡｇ板において、
Ａｇ３ｄ５／２ピークを測定したときのその半値幅が
０．６ｅＶ以下となるようにエネルギー分解能を調整す
る必要がある。

【００６２】該当する偏光板用保護フィルム表面をＸＰ
Ｓ法で測定した場合、Ｃ１ｓは３つのピークを有するス
ペクトルとして得られる。これらのピークを帰属するに
は、例えばＨｉｇｈＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＸＰＳ
ｏｆＯｒｇａｎｉｃＰｏｌｙｍｅｒ（ＴｈｅＳｃ
ｉｅｎｔａＲＳＣＡ３００ＤａｔａｂａｓｅＧ．
ＢｅａｍｓｏｎａｎｄＤ．Ｂｒｉｇｇｓ）１６４，
１６５頁及びＡＰＰＥＮＤＩＸ１を参考にすることがで
きる。

【００６３】結合エネルギーの一番低いピークを第１ピ
ーク、第１ピークより高結合エネルギー側に１．６０±
０．３ｅＶのピークを第２ピーク、第１ピークより高結
合エネルギー側に４．１０±０．３ｅＶのピークを第３
ピークとする時、各々のピークは表１に示すように帰属
することができる。

【００６４】ピーク結合状態第１ピークＣ−Ｈ及びＣ−Ｃ結合第２ピークＣ−ＯＨ，Ｃ^*−Ｏ−Ｃ及びＣ^*−Ｏ−Ｃ＝Ｏ第３ピークＣ−Ｏ−Ｃ^*＝Ｏ，ＨＯ−（Ｃ^*＝Ｏ）− ＊が対象炭素炭素原子の結合状態はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）の炭
素原子に起因するＣ１ｓピーク分析によって知ることが
できる。即ち、ＸＰＳでは炭素の１ｓ軌道から飛び出し
てくる光電子エネルギーを観測することによって炭素の
結合状態を分析することができる。

【００６５】結合状態の比率は、各々のピークの強度よ
り求めることができる。ピークの強度とは、第１ピーク
より低結合エネルギー側に３ｅＶ、又、第３ピークより
も高エネルギー側に３ｅＶとのエネルギー値の間をシャ
ーリー法により引いたベースラインにたいし、各々のピ
ークの頂点から、頂点と同じ結合エネルギー値のベース
ライン上の点を直線で結んだときのカウント数を示して
いる。

【００６６】第２ピークに対して、第１ピークは低エネ
ルギー側１．６±０．３ｅＶに出現するが、この部分が
ピークとして認められない場合は第２ピークから−１．
６ｅＶの部分の強度と前述のベースラインとを直線で結
んだときのカウント数を第１ピーク強度とする。同様に
第２ピークから高エネルギー側に２．５±０．３ｅＶの
位置に第３ピークが出現するが、これについても同様に
ピークが認められる場合はピークトップとベースライン
を直線で結んだ場合のカウント数をピーク強度とし、ピ
ークとして認められない場合は第２ピークから高エネル
ギー側に＋２．５ｅＶの部分の強度と前述のベースライ
ンとを直線で結んだときのカウント数を第３ピーク強度
とする。

【００６７】フィルム表面と内部領域で、フィルム表面
のＣ−ＯＨが多いほど密着性が改善されることが確認さ
れた。即ち、ＸＰＳによるＣ１ｓピーク分析において、
下式により規定されるＳ−Ｉが０．１０以上であること
によって密着性の改善が認められたのである。更に好ま
しくはＳ−Ｉが０．１５以上であることが好ましく、更
に好ましくは０．２０以上であることが好ましい。

【００６８】Ｓ−Ｉ≧０．１ここにおいて、Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第１ピーク強度Ｉ＝偏光板用保護フィルム内部領域の第２ピーク強度／
偏光板用保護フィルム内部領域の第１ピーク強度である。

【００６９】更に好ましくは前記Ｓが１．６０以上であ
る事が密着性が更に好ましく１．７０以上であるとより
好ましい。最も好ましくは１．８０以上であることが特
に接着性に優れ好ましい。

【００７０】更に、Ｔ＝第３ピークの強度／第２ピークの強度で表されるＣ１ｓピークの相対強度の比が０．２以上、
より好ましくは０．４以上更に好ましくは０．６以上で
あるセルロースエステルならば、輝点異物がより少なく
好ましいことがわかった。

【００７１】ここにおいてフィルムの表面とは表面から
約２００オングストロームまでの深さをもった領域のこ
とであり、ＸＰＳの測定において測定される領域であ
る。内部とはこれよりも表面から離れた領域の事を指
し、内部領域の測定は表面から深さ方向に上記の厚さ以
上の領域を削り取り改めて表面を測定することにより行
うことができる。

【００７２】具体的には、鹸化処理の代わりにプラズマ
処理を行うことによって、このようなセルロースエステ
ルフィルムを得ることができる。すなわち、プラズマ処
理によれば、表面のエステル置換度をほとんど変化させ
ることがないため、鹸化処理にかえてプラズマ処理を行
ったセルロースエステルフィルムの破片や断裁屑あるい
はそれを用いた偏光板から分離されたセルロースエステ
ルフィルムの破片や屑は、セルロースエステルフィルム
の原料として、好ましく再利用することができるように
なったのである。

【００７３】従って、この方法によればプラズマ処理を
行ったセルロースエステルフィルムは再び原料として使
用し、再度セルロースエステルフィルムとして製造する
ことができる。必要に応じて原料であるセルロースエス
テル粉末とプラズマ処理を行ったセルロースエステルフ
ィルムを任意の割合で混合して、使用することもでき
る。このとき、少量の鹸化済みセルロースエステルフィ
ルムが原料に混入してもよいが、好ましくは鹸化済みセ
ルロースエステルフィルムは含まれないことが望まし
い。

【００７４】このようにして再生したセルロースエステ
ルフィルムは偏光板用保護フィルムとして好ましく用い
られるだけでなく、その他の光学フィルム用としてある
いは感光材料用の支持体としても利用することもでき
る。

【００７５】本発明に係るセルロースエステルフィルム
としては、セルロースエステルが低級脂肪酸エステルで
あることが好ましい。セルロースエステルの低級脂肪酸
エステルにおける低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下
の脂肪酸を意味し、例えば、セルロースジアセテート、
セルローストリアセテート、セルロースプロピオネー
ト、セルロースブチレート等がセルロースの低級脂肪酸
エステルの好ましい例として挙げられる。これらは２種
以上を混合されたものを用いることもできる。

【００７６】また、上記以外にも、特開平１０−４５８
０４号、同０８−２３１７６１号、米国特許第２，３１
９，０５２号等に記載のセルロースアセテートプロピオ
ネート、セルロースアセテートブチレート等の混合脂肪
酸エステルを用いることが出来る。

【００７７】これらのセルロースエステルは単独でも混
合して使用することもできる。上記記載の中でも、特に
好ましく用いられるセルロースの低級脂肪酸エステルは
セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロ
ピオネートあるいはこれらの混合物である。

【００７８】更に、ベース強度の観点から、特に重合度
２５０〜４００、結合酢酸量が５４〜６２．５％が好ま
しく用いられ、更に好ましいのは、結合酢酸量が５８〜
６２．５％のセルローストリアセテートである。

【００７９】セルローストリアセテートは、綿花リンタ
ーから合成されたセルローストリアセテートと木材パル
プから合成されたセルローストリアセテートのどちらか
を単独あるいは混合して用いることが好ましい。ベルト
やドラムからの剥離性がもし問題になれば、ベルトやド
ラムからの剥離性が良い綿花リンターから合成されたセ
ルローストリアセテートを多く使用すれば生産性が高く
好ましい。

【００８０】木材パルプから合成されたセルローストリ
アセテートを混合し用いた場合、綿花リンターから合成
されたセルローストリアセテートの比率が４０質量％以
上で、剥離性の効果が顕著になるため好ましく、６０質
量％以上がさらに好ましく、８５質量％で用いる事が更
に好ましく、単独で使用することが最も好ましい。

【００８１】本発明の偏光板用保護フィルムではフィル
ム表面の滑り性を改善するため、微粒子を添加すること
ができる。微粒子としては、無機化合物または有機化合
物が挙げられる。

【００８２】無機化合物としては、珪素を含む化合物、
二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭
酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成ケ
イ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウム等が
好ましく、更に好ましくは、ケイ素を含む無機化合物や
酸化ジルコニウムであるが、セルロースエステルフィル
ムの濁度を低減できるので、二酸化珪素が特に好ましく
用いられる。

【００８３】二酸化珪素の微粒子としては、例えば、ア
エロジルＲ９７２、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、３０
０、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロ
ジル（株）製）等の商品名を有する市販品が使用でき
る。

【００８４】酸化ジルコニウムの微粒子としては、例え
ば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロ
ジル（株）製）等の商品名で市販されているものが使用
できる。

【００８５】有機化合物としては、例えば、シリコーン
樹脂、弗素樹脂及びアクリル樹脂等のポリマーが好まし
く、中でも、シリコーン樹脂が好ましく用いられる。

【００８６】上記記載のシリコーン樹脂の中でも、特に
三次元の網状構造を有するものが好ましく、例えば、ト
スパール１０３、同１０５、同１０８、同１２０、同１
４５、同３１２０及び同２４０（以上東芝シリコーン
（株）製）等の商品名を有する市販品が使用できる。

【００８７】微粒子の１次平均粒子径としては、ヘイズ
を低く抑えるという観点から、２０ｎｍ以下が好まし
く、更に好ましくは、１６〜５ｎｍであり、特に好まし
くは、１２〜５ｎｍである。

【００８８】微粒子の１次平均粒子径の測定は、透過型
電子顕微鏡（倍率５０万〜２００万倍）で粒子を観察を
行い、粒子１００個を観察し、その平均値をもって、１
次平均粒子径とした。

【００８９】微粒子の、見掛比重としては、７０ｇ／リ
ットル以上が好ましく、更に好ましくは、９０〜２００
ｇ／リットルであり、特に好ましくは、１００〜２００
ｇ／リットルである。見掛比重が大きい程、高濃度の分
散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化す
るため好ましい。

【００９０】１次粒子の平均径が２０ｎｍ以下、見掛比
重が７０ｇ／リットル以上の二酸化珪素微粒子は、例え
ば、気化させた四塩化珪素と水素を混合させたものを１
０００〜１２００℃にて空気中で燃焼させることで得る
ことができる。また例えばアエロジル２００Ｖ、アエロ
ジルＲ９７２Ｖ（以上日本アエロジル（株）製）の商品
名で市販されており、それらを使用することができる。

【００９１】本発明において、上記記載の見掛比重は二
酸化珪素微粒子を一定量メスシリンダーに採り、この時
の重さを測定し、下記式で算出した。

【００９２】見掛比重（ｇ／リットル）＝二酸化珪素質
量（ｇ）÷二酸化珪素の容積（リットル）本発明に係る微粒子の分散液を調製する方法としては、
例えば以下に示すような３種類が挙げられる。

【００９３】（調製方法Ａ）溶剤と微粒子を撹拌混合し
た後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液とす
る。微粒子分散液をドープ液に加えて撹拌する。

【００９４】（調製方法Ｂ）溶剤と微粒子を撹拌混合し
た後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液とす
る。別に溶剤に少量のセルローストリアセテートを加
え、撹拌溶解する。これに前記微粒子分散液を加えて撹
拌する。これを微粒子添加液とする。微粒子添加液をイ
ンラインミキサーでドープ液と十分混合する。

【００９５】（調製方法Ｃ）溶剤に少量のセルロースト
リアセテートを加え、撹拌溶解する。これに微粒子を加
えて分散機で分散を行う。これを微粒子添加液とする。
微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混
合する。

【００９６】調製方法Ａは二酸化珪素微粒子の分散性に
優れ、調製方法Ｃは二酸化珪素微粒子が再凝集しにくい
点に優れている。調製方法Ｂは二酸化珪素微粒子の分散
性と、二酸化珪素微粒子が再凝集しにくい等、両方に優
れている好ましい調製方法である。

【００９７】（分散方法）二酸化珪素微粒子を溶剤など
と混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０
質量％が好ましく、１０〜２５質量％がさらに好まし
く、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度は高い
方が、添加量に対する液濁度は低くなる傾向があり、ヘ
イズ、凝集物が良化するため好ましい。

【００９８】使用される溶剤は低級アルコール類、好ま
しくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコー
ル等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては
特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用
いられる溶剤を用いることが好ましい。

【００９９】セルロースエステルに対する二酸化珪素微
粒子の添加量はセルロースエステル１００質量部に対し
て、二酸化珪素微粒子は０．０１〜０．３質量部が好ま
しく、０．０５〜０．２質量部がさらに好ましく、０．
０８〜０．１２質量部が最も好ましい。添加量は多い方
が、動摩擦係数に優れ、添加量が少ない方がヘイズが低
く、凝集物も少ない点が優れている。

【０１００】分散機は通常の分散機が使用できる。分散
機は大きく分けてメディア分散機とメディアレス分散機
に分けられる。二酸化珪素微粒子の分散にはメディアレ
ス分散機がヘイズが低く好ましい。

【０１０１】メディア分散機としてはボールミル、サン
ドミル、ダイノミルなどがあげられる。

【０１０２】メディアレス分散機としては超音波型、遠
心型、高圧型などがあるが、本発明においては高圧分散
装置が好ましい。高圧分散装置は、微粒子と溶媒を混合
した組成物を、細管中に高速通過させることで、高剪断
や高圧状態など特殊な条件を作りだす装置である。高圧
分散装置で処理する場合、例えば、管径１〜２０００μ
ｍの細管中で装置内部の最大圧力条件が９．８ＭＰａ以
上であることが好ましい。更に好ましくは１９．６ＭＰ
ａ以上である。またその際、最高到達速度が１００ｍ／
秒以上に達するもの、伝熱速度が４２０ｋＪ／時間以上
に達するものが好ましい。

【０１０３】上記のような高圧分散装置にはＭｉｃｒｏ
ｆｌｕｉｄｉｃｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製超高圧
ホモジナイザ（商品名マイクロフルイダイザ）あるいは
ナノマイザ社製ナノマイザがあり、他にもマントンゴー
リン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ製ホ
モジナイザ、三和機械（株）社製ＵＨＮ−０１等が挙げ
られる。

【０１０４】また、本発明に係る微粒子を含む層を流延
支持体に直接接するように流延することが、滑り性の点
で好ましい。

【０１０５】本発明のセルロースエステルフィルムに係
る紫外線吸収剤について説明する。本発明のセルロース
エステルフィルムは、その高い寸法安定性から、偏光板
または液晶表示用部材等に使用されるが、偏光板または
液晶等の劣化防止の観点から、紫外線吸収剤が好ましく
用いられる。

【０１０６】紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以
下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観
点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないも
のが好ましく用いられる。

【０１０７】本発明に好ましく用いられる紫外線吸収剤
の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合
物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル
系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレー
ト系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられる。

【０１０８】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は下記一般式（Ｉ）で示される化合物が好ましく用いら
れる。

【０１０９】

【化１】

【０１１０】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄及びＲ₅は同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、ヒドロキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキ
シ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、モノ若しくは
ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基または５〜６員の
複素環基を表し、Ｒ₄とＲ₅は閉環して５〜６員の炭素環
を形成してもよい。

【０１１１】以下に一般式（Ｉ）で示される紫外線吸収
剤の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されな
い。

【０１１２】ＵＶ−１：２−（２′−ヒドロキシ−５′
−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−２：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−３：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−
ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−４：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾールＵＶ−５：２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，
４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）
−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−６：２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，
３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−２−イル）フェノール）ＵＶ−７：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−
ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾト
リアゾールまた本発明に係る紫外線吸収剤のひとつであるベンゾフ
ェノン系紫外線吸収剤としては下記一般式（II）で表さ
れる化合物が好ましく用いられる。

【０１１３】

【化２】

【０１１４】式中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子または
アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、及びフェニ
ル基を表し、これらのアルキル基、アルケニル基及びフ
ェニル基は置換基を有していてもよい。Ａは水素原子、
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、シクロアルキ
ル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基又
は−ＣＯ（ＮＨ）_n-1−Ｄ基を表し、Ｄはアルキル基、
アルケニル基又は置換基を有していてもよいフェニル基
を表す。ｍ及びｎは１または２を表す。

【０１１５】上記において、アルキル基としては例え
ば、炭素数２４までの直鎖または分岐の脂肪族基を表
し、アルコキシ基としては例えば、炭素数１８までのア
ルコキシ基で、アルケニル基としては例えば、炭素数１
６までのアルケニル基で例えばアリル基、２−ブテニル
基などを表す。又、アルキル基、アルケニル基、フェニ
ル基への置換分としてはハロゲン原子、例えばクロー
ル、ブロム、フッ素原子など、ヒドロキシ基、フェニル
基（このフェニル基にはアルキル基又はハロゲン原子な
どを置換していてもよい）などが挙げられる。

【０１１６】以下に一般式（II）で表されるベンゾフェ
ノン系化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定
されない。

【０１１７】ＵＶ−８：２，４−ジヒドロキシベンゾフェノンＵＶ−９：２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベ
ンゾフェノンＵＶ−１０：２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スル
ホベンゾフェノンＵＶ−１１：ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５
−ベンゾイルフェニルメタン）又、特開平６−１４８４３０号記載の紫外線吸収剤も好
ましく用いることができる。

【０１１８】本発明で好ましく用いられる上記記載の紫
外線吸収剤は、透明性が高く、偏光板や液晶素子の劣化
を防ぐ効果に優れており、特に不要な着色がより少ない
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が好ましい。これら
紫外線吸収剤添加液の添加方法としては、下記に記載の
方法が挙げられる。

【０１１９】（添加方法Ａ）紫外線吸収剤添加液の調製
方法としては、アルコールやメチレンクロライド、ジオ
キソランなどの有機溶剤に紫外線吸収剤を溶解してから
直接ドープ組成中に添加する。

【０１２０】（添加方法Ｂ）紫外線吸収剤添加液の調製
方法としては、アルコールやメチレンクロライド、ジオ
キソランなどの有機溶剤に紫外線吸収剤と少量のセルロ
ースエステルを溶解してからインラインミキサーでドー
プに添加する。

【０１２１】添加方法Ｂの方が、紫外線吸収剤の添加量
を容易に調整できるため、生産性に優れていて好まし
い。

【０１２２】紫外線吸収剤の使用量は化合物の種類、使
用条件などにより一様ではないが、通常はセルロースエ
ステルフィルム１ｍ²当り、０．２ｇ〜５．０ｇが好ま
しく、０．４ｇ〜１．５ｇがさらに好ましく、０．６ｇ
〜１．０ｇが特に好ましい。

【０１２３】本発明のセルロースエステルフィルムの膜
厚について説明する。セルロースエステルフィルム全体
の膜厚が薄すぎると、偏光板の保護フィルムとしての強
度が不足し、偏光板の寸法安定性や湿熱での保存安定性
が悪化する。膜厚が厚いと偏光板が厚くなり、液晶ディ
スプレイの薄膜化が困難になる。これらを両立するセル
ロースエステル積層フィルムの膜厚は２０〜２００μｍ
で、好ましくは３０〜１００μｍ、更に好ましくは４０
〜８０μｍである。

【０１２４】セルロースエステルフィルムの製造方法に
ついて説明する。セルロースエステルフィルムを製造す
るには先ずセルロースエステルを溶媒に溶解させたいわ
ゆるドープ液を調製し、これを無端のベルト上に流延
し、剥離・乾燥する方法を用いる。

【０１２５】セルロースエステルが溶解しているドープ
液とは、セルロースエステルが溶剤（溶媒）に溶解して
いる状態であり、前記ドープ液には、可塑剤等の添加剤
を加えてもよく、勿論、必要によりこの他の添加剤を加
えることも出来る。ドープ液中のセルロースエステルの
濃度としては、１０〜３０質量％が好ましく、更に好ま
しくは、１８〜２５質量％である。

【０１２６】本発明で用いられる溶剤は、単独でも併用
でもよいが、良溶剤と貧溶剤を混合して使用すること
が、生産効率の点で好ましく、更に好ましくは、良溶剤
と貧溶剤の混合比率は良溶剤が７０〜９５質量％であ
り、貧溶剤が３０〜５質量％である。

【０１２７】本発明に用いられる良溶剤、貧溶剤とは、
使用するセルロースエステルを単独で溶解するものを良
溶剤、単独で膨潤するかまたは溶解しないものを貧溶剤
と定義している。そのため、セルロースエステルの結合
酢酸量によっては、良溶剤、貧溶剤が変わり、例えばア
セトンを溶剤として用いるときには、セルロースエステ
ルの結合酢酸量５５％では良溶剤になり、結合酢酸量６
０％では貧溶剤に該当する。

【０１２８】本発明に用いられる良溶剤としては、メチ
レンクロライド等の有機ハロゲン化合物やジオキソラン
類が挙げられる。

【０１２９】また、本発明に用いられる貧溶剤として
は、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノー
ル、シクロヘキサン等が好ましく用いられる。

【０１３０】上記記載のドープ液を調製する時の、セル
ロースエステルの溶解方法としては、一般的な方法を用
いることができるが、好ましい方法としては、セルロー
スエステルを貧溶剤と混合し、湿潤あるいは膨潤させ、
さらに良溶剤と混合する方法が好ましく用いられる。こ
のとき加圧下で、溶剤の常温での沸点以上でかつ溶剤が
沸騰しない範囲の温度で加熱し、攪拌しながら溶解する
方法が、ゲルやママコと呼ばれる塊状未溶解物の発生を
防止するため、より好ましい。

【０１３１】加圧は窒素ガスなどの不活性気体を圧入す
る方法や、加熱による溶剤の蒸気圧の上昇によって行っ
てもよい。加熱は外部から行うことが好ましく、例え
ば、ジャケットタイプのものは温度コントロールが容易
で好ましい。

【０１３２】又、セルローストリアセテート等のセルロ
ースエステルをメチレンクロライド等のハロゲン系溶媒
を使用せずに、酢酸メチル及び／又はアセトンあるいは
酢酸メチルとエタノール等の溶媒とともに−２０℃以下
に冷却後、加温する冷却溶解法を用いて調製したもので
も好ましく用いられる。

【０１３３】本発明ではドープ液を調整する際に、プラ
ズマ処理されたセルロースエステルフィルムの断裁片等
を原料のセルロースエステルとして、あるいはその一部
として用いることが出来る。

【０１３４】溶剤を添加しての加熱温度は、使用溶剤の
沸点以上で、かつ該溶剤が沸騰しない範囲の温度が好ま
しく例えば６０℃以上、７０〜１１０℃の範囲に設定す
るのが好適である。又、圧力は設定温度で、溶剤が沸騰
しないように調整される。

【０１３５】溶解後は冷却しながら容器から取り出す
か、または容器からポンプ等で抜き出して熱交換器など
で冷却し、これを製膜に供する。このときの冷却温度は
常温まで冷却してもよいが、沸点より５〜１０℃低い温
度まで冷却し、その温度のままキャスティングを行うほ
うが、ドープ粘度を低減できるためより好ましい。

【０１３６】キャスト工程における支持体はベルト状も
しくはドラム状のステンレスを鏡面仕上げした支持体が
好ましく用いられる。キャスト工程の支持体の温度は一
般的な温度範囲０℃〜溶剤の沸点未満の温度で、流延す
ることができるが、０〜３５℃の支持体上に流延するほ
うが、ドープをゲル化させ剥離限界時間を短縮できるた
め好ましく、５〜２０℃の支持体上に流延することがさ
らに好ましい。剥離限界時間とは透明で平面性の良好な
フィルムを連続的に得られる流延速度の限界において、
流延されたドープが支持体上にある時間をいう。剥離限
界時間は短い方が生産性に優れていて好ましい。

【０１３７】流延（キャスト）される側の支持体の表面
温度は、１０〜５５℃、溶液の温度は、２５〜６０℃、
更に溶液の温度を支持体の温度より高くするのが好まし
く、５℃以上に設定するのが更に好ましい。溶液温度、
支持体温度は、高いほど溶媒の乾燥速度が速くできるの
で好ましいが、あまり高すぎると発泡したり、平面性が
劣化する場合がある。

【０１３８】支持体の温度の更に好ましい範囲は、２０
〜４０℃、溶液温度の更に好ましい範囲は、３５〜４５
℃である。

【０１３９】また、剥離部の支持体温度を１０〜４０
℃、更に好ましくは、１５〜３０℃にすることでフィル
ムと支持体との密着力を低減できるので、剥離しやすく
なり好ましい。

【０１４０】製造時のセルロースエステルフィルムが良
好な平面性を得るためには、支持体から剥離する際の残
留溶媒量は、１０〜１００％が好ましく、更に好ましく
は、２０〜４０％または６０〜８０％であり、特に好ま
しくは、２０〜３０％である。

【０１４１】本発明においては、残留溶媒量は下記式で
定義される。残留溶媒量［％］＝（加熱処理前質量−加熱処理後の質
量）／（加熱処理後質量）×１００尚、残留溶媒量を測定する際の、加熱処理とは、フィル
ムを１１５℃で１時間の加熱処理を行うことを表す。

【０１４２】支持体とフィルムを剥離する際の剥離張力
は、通常２００〜２５０Ｎ／ｍで剥離が行われるが、セ
ルロースエステルの単位質量あたりの紫外線吸収剤の含
有量が多く、且つ、従来よりも薄膜化されているセルロ
ースエステルフィルムの場合は、剥離の際にシワが入り
やすいため、剥離できる最低張力〜１７０Ｎ／ｍで剥離
することが好ましく、更に好ましくは、最低張力〜１４
０Ｎ／ｍで剥離することである。

【０１４３】また、セルロースエステルフィルムの乾燥
工程においては、支持体より剥離したフィルムを更に乾
燥し、残留溶媒量を３質量％以下にすることが好まし
い、更に好ましくは、０．５質量％以下である。

【０１４４】フィルム乾燥工程では一般にロール懸垂方
式か、ピンテンター方式でフィルムを搬送しながら乾燥
する方式が好ましく用いられる。液晶表示部材用として
は、ピンテンター方式で幅を保持しながら乾燥させるこ
とが、寸法安定性を向上させるために好ましい。特に支
持体より剥離した直後の残留溶剤量の多いところで幅保
持を行うことが、寸法安定性向上効果をより発揮するた
め特に好ましい。フィルムを乾燥させる手段は特に制限
なく、一般的に熱風、赤外線、加熱ロール、マイクロ波
等で行う。簡便さの点で熱風で行うのが好ましい。乾燥
温度は４０〜１５０℃の範囲で３〜５段階の温度に分け
て、段々高くしていくことが好ましく、８０〜１４０℃
の範囲で行うことが寸法安定性を良くするためさらに好
ましい。

【０１４５】又、必要に応じて、複数のドープ液を共流
延することにより作製した、積層構造を有するセルロー
スエステルフィルムを用いることもできる。

【０１４６】共流延とは、異なったダイを通じて２層ま
たは３層構成にする逐次多層流延方法、２つまたは３つ
のスリットを有するダイ内で合流させ２層または３層構
成にする同時多層流延方法、逐次流延方式等があるが生
産性の観点からは同時流延方式が好ましい。共流延によ
り積層フィルムを製造する方法は例えば特開平１０−２
３５６６４号、同１１−２１６７３２号、特願平２００
０−２３９０５号に記載されている。

【０１４７】本発明のセルロースエステルフィルムには
可塑剤を含有されるのが好ましい。用いることのできる
可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系で
は、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフ
ェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェー
ト、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェー
ト等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、
ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジ
オクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エ
チルヘキシルフタレート等、グリコール酸エステル系で
は、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチ
ルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、
メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブ
チルグリコレート等を単独あるいは併用するのが好まし
い。リン酸エステル系の可塑剤と凝固点２０℃以下の可
塑剤を併用することが寸法安定性、耐水性に優れるため
特に好ましい。凝固点２０℃以下の可塑剤としては、凝
固点が２０℃以下であれば特に限定されず、例えば、上
記可塑剤の中から選ぶことができる。具体的には、トリ
クレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェー
ト、トリブチルホスフェート、ジエチルフタレート、ジ
メチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、トリア
セチン、エチルフタリルエチルグリコレート等をあげる
ことができる。これらの可塑剤を単独あるいは併用する
のが好ましい。

【０１４８】凝固点とは、共立出版株式会社出版の化学
大事典に記載されている真の凝固点を凝固点としてい
る。

【０１４９】これらの可塑剤の使用量は、フィルム性
能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して３０
質量％程度まで添加することができるが、１〜１５質量
％が好ましい。液晶表示部材用としては、寸法安定性の
観点から５〜１５質量％が更に好ましく、特に好ましく
は、７〜１２質量％である。

【０１５０】またセルロースエステルに対して凝固点が
２０℃以下の可塑剤の含有量は１質量％〜１０質量％が
好ましく、更に好ましくは、３質量％〜７質量％であ
る。

【０１５１】全可塑剤のうち凝固点が２０℃以下の可塑
剤の占める割合は多い方が、セルロースエステルフィル
ムの柔軟性が良化し加工性に優れるため好ましい。ま
た、可塑剤の全てが凝固点２０℃以下の可塑剤であるこ
とが最も好ましい。

【０１５２】プラズマ処理を行う面の表面から１０μｍ
以内の平均可塑剤含有量は少ないことが接着性等の点で
より好ましく、フィルム全体の平均可塑剤含有量に対し
て、３／４以下、好ましくは１／１０〜３／４であるこ
とが特に好ましい。

【０１５３】本発明に用いられるプラズマ処理として
は、真空グロー放電、大気圧グロー放電等によるものが
あり、その他の方法としてフレームプラズマ処理等の方
法があげられる。これらは、例えば特開平６−１２３０
６２号、特開平１１−２９３０１１号、同１１−５８５
７号等に記載された方法を用いることが出来る。

【０１５４】プラズマ処理によれば、プラズマ中におい
たプラスチックフィルムの表面を処理することで、これ
に強い親水性を与える事が出来る。例えば、上記のグロ
ー放電によるプラズマ発生装置中においては相対する電
極の間にこれらの親水性を付与しようとするフィルムを
置き、この装置中にプラズマ励起性気体を導入し、電極
間に高周波電圧を印加する事により、該気体をプラズマ
励起させ電極間にグロー放電を行わせることにより表面
処理が行える。中でも大気圧グロー放電によるものが好
ましく用いられる。

【０１５５】プラズマ励起性気体とは上記のような条件
においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘ
リウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化
炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれら
の混合物などがあげられる。

【０１５６】これらのガスとしては、アルゴン、ネオン
等の不活性ガスに、カルボキシル基や水酸基、カルボニ
ル基等の極性官能基をプラスチックフィルムの表面に付
与できる反応性ガスを加えたものが励起性気体として用
いられる。反応性ガスとしては水素、酸素、窒素の他、
水蒸気やアンモニア等のガスの他、低級炭化水素、ケト
ン等の低沸点の有機化合物等も必要に応じ用いることが
出来るが、取り扱い上は、水素、酸素、二酸化炭素、窒
素、水蒸気等のガスが好ましい。水蒸気を用いる場合
は、他のガスを水に通しバブリングしたガスを用いるこ
とができる。或いは水蒸気を混合してもよい。

【０１５７】印加する高周波電圧の周波数としては、１
ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が好ましく用いられ、より
好ましくは１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下である。

【０１５８】これらのグロー放電によるプラズマ処理に
は真空下でこれを行う方法と、大気圧下でこれを行う方
法がある。

【０１５９】グロー放電による真空プラズマ放電処理に
おいては、有効に放電を起こさせるために、その雰囲気
を０．００５〜２０ｔｏｒｒの範囲に保つ様に上記反応
性ガスを導入する必要がある。処理速度を上げるにはな
るべく高圧側で高出力条件を採用することが好ましい
が、電界強度を上げすぎると基材にダメージを与える場
合がある。

【０１６０】大気圧近傍でプラズマ放電を行う大気圧グ
ロー放電による場合には、安定に放電を起こさせるため
にヘリウムやアルゴン等の不活性ガスが必要であり、上
記プラズマ励起性ガスのうち６０％以上が不活性ガスで
ある様にしないと安定な放電が発生しない。しかしなが
ら余り不活性ガスが多く、反応性ガスの割合が少ないと
処理速度が低下する。電界強度を上げすぎてもやはり基
材にダメージを与えることがある。

【０１６１】又、大気圧近傍でプラズマ処理を行う場合
でも、パルス化された電解でプラズマを発生させる場合
には、上記不活性ガスは必ずしも必要でなく、反応ガス
濃度を上げることが出来、反応速度を大きくする事が出
来る。

【０１６２】もう一つのフレームプラズマ処理とは表面
処理をしようとするフィルムの表面にバーナーにより火
炎（フレーム）処理を行うことでプラズマを発生させ表
面処理を行うもので、例えばパラフィン系ガス（都市ガ
ス、天然ガス、メタンガス、プロパンガス、ブタンガス
等）のような燃焼ガスとこれに混合された酸化性ガス例
えば空気や酸素（又、助燃剤や酸化剤等を用いる場合も
ある）からなる混合ガスを燃焼させ、この火炎で表面を
処理することである。

【０１６３】一般的に、バーナーから出る火炎には外炎
と内炎とがあり、外炎部は内炎部の未反応（燃焼しきれ
ない）ガスが加熱された、通常薄い青色をした部分でい
わゆるブルーのガス炎と言われており、温度が高い部分
であり、ブルーでない火炎部が内炎で酸素供給が少ない
温度の比較的低い部分である。

【０１６４】この内炎の先端から３０ｍｍ以内の火炎に
はプラズマが多く発生しており、特願平９−３５５０９
７号に詳しく記載されているように遮蔽板により炎を制
限する事で内炎の先端から３０ｍｍ以内のところの制限
した火炎で基材表面を処理することができ、これによる
プラズマ処理が可能である。

【０１６５】火炎をあてる時間は、処理しようとする基
材と火炎が接触する時間で０．００１秒〜２秒以内であ
る。好ましくは、０．０１秒〜１秒以内である。長すぎ
る場合には、表面が犯されすぎ、短いと酸化反応が起こ
りにくく接着性が向上しない。

【０１６６】この目的で使用されるバーナーは、プラズ
マ処理を行おうとする基材の表面に均一に炎をあてるこ
とが出来ればよい。又バーナーを複数配置したものでも
よい。

【０１６７】上記火炎処理の燃焼ガスと酸化性ガスの混
合比率は、ガスの種類によって異なるが、例えばプロパ
ンガスと空気の場合にはプロパンガス／空気の好ましい
混合比は、容量比で１／１５〜１／２２、好ましくは１
／１６〜１／１９の範囲がよく、天然ガスと空気の場合
には、１／６〜１／１０、好ましくは１／７〜１／９で
ある。内炎と外炎の大きさの比率は燃焼ガスの種類や酸
化性ガスの種類、混合比、供給速度等により異なってく
る。

【０１６８】これらのプラズマ処理装置の例として、大
気圧プラズマ処理装置を図１に、又これを真空プラズマ
処理を連続的に行う装置を図２に挙げる。

【０１６９】図１は大気圧プラズマ処理装置の一例を示
す断面図である。即ち、図１の大気圧プラズマ発生装置
においては、相対する２つの電極（上下電極とも１で表
す）の間にプラズマ処理しようとする試料２を位置させ
る。プラズマ励起時に火花放電が起こるのを防ぐためガ
ラス、セラミック、ポリイミドフィルムのような誘電体
３を上部及び／又は下部電極の表面に設けた方が好まし
い。アルゴンとヘリウムの混合気体等のプラズマ励起性
気体は流入口４から大気圧プラズマ発生装置に導入さ
れ、内部の空気を置換して流出口から排出される。次い
で電極間に、例えば３０００Ｈｚ、４２００Ｖの、高周
波電圧を印加し、上記導入基体をプラズマ励起してグロ
ー放電を所定時間発生させ、試料表面の改質を行う。

【０１７０】図２は真空プラズマ処理を連続的に行う装
置の一例を示す断面図で、連続搬送される長尺状のフィ
ルムを真空下、連続的にプラズマ処理するための処理部
が、試料フィルムＦの入り口１２Ａと出口１２Ｂを有す
る間仕切りをした処理室１２によって構成されている。

【０１７１】処理室１２には、対向する平板電極１３、
１４が設けられている。この一対の電極１３、１４のう
ち一方の電極１３に高周波電源１５が接続され、他方の
電極はアース１６により接地されており、一対の電極１
３、１４間に電界を印加できる様に構成されている。

【０１７２】又、流入口６より処理ガスを導入し、流出
口７より排気ポンプで処理室内を真空に排気する。

【０１７３】図２の例では、処理室１２に隣接して、フ
ィルムの入り口側に予備減圧室１０及び１１が設けられ
ている。フィルムの出口側にも処理室１２に隣接して予
備減圧室１７が設けられている。又これらの間仕切りは
ニップロール８、９により行われるが、これに限定され
るものではない。又ここで１５は高周波電源を表す。

【０１７４】予備減圧室を設ける場合、図示のように、
フィルムＦの入り口側に２つ、出口側に一つを設ける仕
様であってもよいが、これに限定されず、フィルムＦの
出入り口側に一つずつつける態様、或いは両方に２つず
つつける等の態様も考えられる。

【０１７５】又、フレーム（火炎）プラズマ処理を行う
装置についても、特開平９−３５５０９７号に記載され
たものが好ましく用いられる。

【０１７６】図３にフレーム（火炎）処理によるプラズ
マ処理装置の一例を示す。一般的に、バーナーから出る
火炎には外炎と内炎とがあり、外炎部は内炎部の未反応
（燃焼しきれない）ガスが加熱された、通常薄い青色を
した部分でいわゆるブルーのガス炎と言われており、温
度が高い部分であり、ブルーでない火炎部が内炎で酸素
供給が少ない温度の比較的低い部分である。

【０１７７】この外炎はプラズマ処理をするには不要な
炎が多く、外炎が拡がると処理がコントロールできなく
なるので、図３に示すような遮蔽板（外炎規制装置）Ｃ
を設置することにより、不要な外炎Ｅ′を遮蔽板（外炎
規制装置）Ｃの外側に出して支持体から避け、有効炎
（規制された炎）Ｇを試料フィルムＦの表面に当てるこ
とによって火炎処理をコントロールし、目的を達成す
る。図はバーナーＢ、外炎Ｅ、内炎Ｉ、遮蔽板の外側に
遮蔽され広がった外炎Ｅ′、有効炎Ｇや有効処理孔（ス
リット）Ｓ等を、また有効処理孔（スリット）Ｓを通し
て有効炎Ｇを試料フィルムＦの表面に当てる様子を示し
た。

【０１７８】本発明の保護膜用フィルムは、上記方法に
てプラズマ処理された後、接着剤を用いて、ポリビニル
アルコール膜からなる偏光子と貼り合わされ偏光フィル
ムを形成するが、好ましい方法においては、保護フィル
ム上に、親水性高分子化合物を含有する層をさらに塗工
するのが好ましい。その後、ポリビニルアルコール膜か
らなる偏光子と貼り合わされ、偏光板フィルムを形成す
る。保護フィルムに偏光子に親和性が高い高分子化合物
を用いることで更に、偏光子と保護膜フィルムの親和
性、接着性を高めることができる。

【０１７９】この目的に用いられる親水性高分子化合物
として、親水性セルロース誘導体（例えば、メチルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシセル
ロース等）、ポリビニルアルコール誘導体（例えば、ポ
リビニルアルコール、酢酸ビニル−ビニルアルコール共
重合体、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルベンザール等）、天然高分子化合物（例
えば、ゼラチン、カゼイン、アラビアゴム等）、親水性
ポリエステル誘導体（例えば、部分的にスルホン化され
たポリエチレンテレフタレート等）、ポリビニル誘導体
（例えば、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミ
ド、ポリビニルイミダゾール、ポリビニルピラゾール
等）が挙げられる。又、これらの親水性高分子化合物は
単独で用いられても、又２種以上併用されてもよい。

【０１８０】本発明の上記保護フィルムには更に偏光子
との接着性を高めるために更に上記親水性高分子化合物
層に様々な化合物を含有させたり、これらの化合物を有
する層を別途塗設したりしてもよい。これらのものとし
て例えば特開平７−３３３４３６号に記載されたような
一般式〔１〕又は〔２〕で示される化合物等が挙げられ
る。

【０１８１】本発明は一般式〔１〕又は〔２〕で示され
る化合物を含む層を更に有していることが好ましい。

【０１８２】これらのカルボキシル基を有する高分子化
合物を含有する層は、上記の親水性高分子化合物を有す
る層と一緒に用いられてもよいが、上記の親水性高分子
化合物を有する層の保護フィルム側に塗設することが好
ましい。即ち、プラズマ処理後の保護膜に一般式〔１〕
又は〔２〕を含有する層を設けた後、偏光子と親和性の
高い上記親水性高分子化合物を有する層を設けることが
好ましい。

【０１８３】

【化３】

【０１８４】式中、Ａはビニル単量体が重合して生成す
る構造単位、Ｂは水素原子、−ＣＯ−ＯＭ又は−ＣＯ−
Ｒを表し、Ｍは水素原子又はカチオンを表し、ｚ＝０の
とき、Ｂは水素原子である。Ｒは−Ｏ−Ｒ′又は−Ｎ
（Ｒ′）（Ｒ″）を表し、ここでＲ′はアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、複素環残基又はＲ″と共同し
て複素環を形成するに必要な非金属原子を表し、Ｒ″は
水素原子、低級アルキル基又はＲ′と共同して複素環を
形成するに必要な非金属原子を表し、Ｒ₁及びＲ₂は各
々、水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｘは−ＣＯ−
Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表し、Ｒ₃はハロゲノアルキル
基又はハロゲノアルキルオキシアルキル基を表し、ｍ、
ｐ、ｑ、ｒ、ｘ、ｙ及びｚは各々、各単量体のモル％を
示す値であって、ｍ及びｘは各々０〜６０、ｐ、ｑ、
ｒ、ｙ及びｚは各々０〜１００であり、ｍ＋ｐ＋ｑ＋ｒ
＝１００、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。

【０１８５】前記一般式〔１〕及び〔２〕において、Ａ
で表される構造単位を生成するビニル単量体としては、
例えばスチレン、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、クロロメチル基、低級アルキル基等で置換され
たスチレン、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエー
テル、ビニルクロロエチルエーテル、酢酸ビニル、クロ
ロ酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、アクリル酸、メタ
クリル酸又はイタコン酸等の不飽和酸、アクリル酸若し
くはメタクリル酸のアルキルエステル（該アルキル基は
炭素数１〜５の、非置換アルキル基又は塩素原子、フェ
ニル基等で置換したアルキル基）、アクリル酸若しくは
メタクリル酸のフェニルエステル（該フェニル基は非置
換フェニル基又は塩素原子、フェニル基等で置換したフ
ェニル基）、アクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニ
リデン、エチレン、アクリルアミド、炭素数１〜５のア
ルキル基あるいは塩素、フェニル基等で置換したアクリ
ルアミド、ビニルアルコール、グリシジルアクリレー
ト、アクロレイン等があり、好ましくはスチレン、置換
基を有するスチレン、酢酸ビニル、ビニルメチルエーテ
ル、アルキルアクリレート、アクリロニトリル等であ
る。

【０１８６】また、前記式中、Ｒ′が表すアルキル基と
しては、炭素数１〜２４のものが好ましく、直鎖アルキ
ル基、分岐アルキル基及びシクロアルキル基のいずれで
もよく、また該アルキル基は置換基を有していてもよ
く、この置換基としてはヒドロキシル基、ヒドロキシカ
ルボニル基、−ＣＯＯＭ′（Ｍ′はカチオンを表す）基
等で、特にフッ素原子のようなハロゲン原子で置換され
た炭素数２〜１８のハロゲノアルキル基又は炭素数２〜
１８のハロゲノアルキルオキシアルキル基は本発明の目
的に対して好ましい結果が得られる。該ハロゲノアルキ
ル基及び該ハロゲノアルキルオキシアルキル基に置換さ
れたハロゲン原子数は望ましくは１〜３７である。この
ハロゲノアルキル基及びハロゲノアルキルオキシアルキ
ル基並びに一般式〔２〕中のＲ₃が表すハロゲノアルキ
ル基及びハロゲノアルキルオキシアルキル基は、好まし
くは下記一般式〔Ａ〕で示される。

【０１８７】

【化４】

【０１８８】式中、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉及び
Ｒ₁₀は各々、水素原子又はフッ素原子を表し、ｎは１〜
１２の整数を表し、ｎ２は０または１であり、ｎ２が０
のときにはｎ１は０、ｎ２が１のときにはｎ１は２また
は３であって、ｎ３は１〜１７の整数を表す。但し、ｎ
１＋ｎ３は１〜１７である。なお、Ｒ₄が一般式〔Ａ〕
中で２個以上ある場合には１個が水素で他がフッ素原子
であるように異なる基であってもよく、同様にＲ₅、Ｒ₆
及びＲ₇がそれぞれ一般式〔Ａ〕中に複数個あるときに
は、異なる基であってもよい。

【０１８９】また、前記一般式〔１〕において、Ｒ′が
前述のようなハロゲノアルキル基又はハロゲノアルキル
オキシアルキル基のときには、好ましくは前記一般式
〔１〕中のＲは−Ｏ−Ｒ′である。また、Ｒ′が表すフ
ェニル基のようなアリール基又はベンジル基のようなア
ラルキル基は置換基を有していてもよく、この置換基と
しては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、ヒドロキシル基、ヒ
ドロキシカルボニル基、カチオンのオキシカルボニル
基、ニトリル基、ニトロ基等が挙げられる。

【０１９０】また、Ｒ′が表す複素環又はＲ′とＲ″と
で形成する複素環は、酸素原子、イオウ原子又は窒素原
子を含む飽和又は不飽和の複素環であって、例えばアジ
リジン、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾ
ール、イミダゾリン、トリアゾール、ピペリジン、ピペ
ラジン、オキサジン、モルホリン、チアジン等の複素環
から選択される複素環である。また、Ｍが表すカチオン
は、例えばアンモニウムイオン、ナトリウムイオン、カ
リウムイオン、リチウムイオン等のカチオンである。

【０１９１】本発明において、上記一般式〔１〕又は
〔２〕で示される−ＣＯＯＭ基含有高分子化合物は、単
独で又は２種以上併用して用いられ、好ましくは平均分
子量約５００〜５００，０００（重量平均）程度のもの
が用いられる。

【０１９２】このような本発明に使用する上記高分子化
合物の代表的なものとしては、下記を挙げることができ
る。しかし、本発明はこれらに限定されるものではな
い。

【０１９３】

【化５】

【０１９４】

【化６】

【０１９５】

【化７】

【０１９６】

【化８】

【０１９７】

【化９】

【０１９８】前記一般式〔１〕又は〔２〕で表される−
ＣＯＯＭ基含有高分子化合物は、公知の方法で合成する
ことができる。即ち、無水マレイン酸共重合物は極く一
般的な重合物であることは周知のとおりであり、これら
の誘導体もそれらに適合するアルコール又はアミン類を
無水マレイン酸共重合物に反応させれば簡単に得られ、
また無水マレイン酸単量体に適合するアルコール又はア
ミン類を反応し精製したものを他のビニル単量体と共重
合させても得られる。また、ハロゲノアルキル、ハロゲ
ノアルキルオキシアルキル等のアクリレート類は、ジャ
ーナル・オブ・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ，１５５１
５〜５７４（１９５５））あるいは英国特許第１，１２
１，３５７号明細書に記載されている単量体及び重合体
の合成法によって容易に合成される。

【０１９９】これら一般式〔１〕又は〔２〕で表される
高分子化合物の使用量は、１０〜１０００ｍｇ／ｍ²で
あることが好ましく、更には２０〜３００ｍｇ／ｍ²で
あることが特に好ましい。

【０２００】本発明の上記態様において、前記親水性高
分子化合物の少なくとも１種を含有する層（以下「上
層」と記すことがある）及び前記一般式〔１〕又は
〔２〕で表される高分子化合物の少なくとも１種を含有
する層（以下「下層」と記すことがある）が設けられる
保護フィルムとしては、特に限定されるものではなく、
公知の透明樹脂フィルムの中から適宜選択して用いるこ
とができる。この様な透明プラスチックフィルムとして
は、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレ
ンナフタレートの様なポリエステルフィルム、ポリエチ
レンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、
ジアセチルセルロースフィルム、トリアセチルセルロー
スフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィ
ルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、ポリ
塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポ
リビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコー
ルフィルム、ポリスチレンフィルム、シンジオタクチッ
クポリスチレン系フィルム、ノルボルネン樹脂フィル
ム、ポリカーボネートフィルム、ポリアリレートフィル
ム、ポリメチルメタアクリレートフィルム、ポリアクリ
レートフィルム、ポリオレフィン系ノルボルネン樹脂フ
ィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリスルフォン
フィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリ
エーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルイミドフィ
ルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイ
ロンフィルム、アクリルフィルムを挙げることができる
が、本発明においては特にセルローストリアセテートフ
ィルムの他に、セルロースジアセテート、セルロースア
セテートブチレート、セルロースアセテートフタレー
ト、セルロースプロピオネートなどのセルロースエステ
ルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレン
テレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフ
ィルム等のポリエステルフィルム、ポリメチルメタアク
リレートフィルム等のポリアクリルフィルムが、透明性
に優れる点で好適に用いられる。

【０２０１】保護フィルムの厚みは特に制限はないが、
機能上および取扱い易さから１０〜５００μｍ、特に３
０〜３００μｍが好ましい。保護フィルムには所望によ
り紫外線吸収剤、可塑剤、滑り剤、マット剤等を含有さ
せてもよい。

【０２０２】上記の層を塗設するには、前記高分子化合
物及びその他必要に応じで含有させる添加剤を溶剤に溶
解ないし分散させた塗布液の形態でグラビアコーター、
ディプコーター、リバースロールコーター、押し出しコ
ーター等の公知の方法で保護フィルムの表面に塗設して
形成させることができる。上層の親水性高分子化合物の
付量及び下層の前記高分子化合物の付量は、好ましくは
それぞれ１０〜１０００ｍｇ／ｍ²の範囲であり、特に
安定な接着力及び塗布後の仕上り性の点からそれぞれ２
０〜３００ｍｇ／ｍ²の範囲が好ましい。

【０２０３】上記塗布液を塗布した後乾燥する方法とし
ては特に制限はないが、乾燥後の残留溶媒量は５質量％
以下とするのが好ましい。残留溶媒量が多いと、偏光子
と積層された後の乾燥過程で接着界面に気泡を生じる場
合があり好ましくない。

【０２０４】本発明の前記の層の塗布液には所望により
紫外線吸収剤、滑り剤、マット剤、帯電防止剤、架橋
剤、及び活性剤などを添加してもよい。特に架橋剤は偏
光子のポリビニルアルコールフィルムとの接着を促進す
る上で好ましい。この様な架橋剤としては、例えば多価
のエポキシ化合物、アジリジン化合物、イソシアネート
化合物や、明バン、ホウ素化合物等が挙げられる。

【０２０５】本発明の上層及び下層を有する保護フィル
ムの該上層の側の面と偏光子とを貼り合わせるのに使用
する接着剤としては、例えばポリビニルアルコール、ポ
リビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤
や、ブチルアクリレートなどビニル系ラテックス等を用
いることができる。

【０２０６】以下本発明を実施例により詳細に説明する
が本発明はこれにより限定されるものではない。

【０２０７】

【実施例】実施例１プラズマ処理を行うには図１に示す反応容器に径５０ｍ
ｍの真鍮製上下電極１を設け誘電体３として電極よりも
大きな１００μｍ厚のポリイミドを電極に貼り合わせて
下部電極の上に１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ８０μｍ
のトリアセチルセルロースフィルム（コニカ株式会社製
コニカタックＫＣ８ＵＶＳＦ：以下ＴＡＣと略す）をお
き、極板間隙を２０ｍｍにしてその容器内の空気をアル
ゴンガスで置換する。

【０２０８】完全に空気が混合ガスで置換されたとき、
周波数３０００Ｈｚ、４２００Ｖの高周波数電圧を上下
電極間に引加すると赤紫色のグロー放電が発生し、プラ
ズマ励起される。処理時間を５秒、２０秒処理して偏光
板用保護フィルム試料−１及び試料−２を作製した。

【０２０９】実施例２アルゴンガスの１０％を酸素に置き換えた以外は実施例
１と同様にして偏光板用保護フィルム試料−３及び試料
−４を作製した。

【０２１０】実施例３実施例１、２で用いたトリアセチルセルロースフィルム
（ＴＡＣフィルム）を厚さ７５μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）〔ダイヤホイル
ヘキスト株式会社製、商品名：ダイヤホイル〕に置き換
えた以外は実施例１と同様にして偏光板用保護フィルム
試料−５及び試料−６を作製した。

【０２１１】実施例４ＴＡＣフィルムを実施例３のＰＥＴフィルムに置き換え
た以外は実施例２と同様にして偏光板用保護フィルム試
料−７及び試料−８を作製した。

【０２１２】実施例５ＴＡＣフィルムを厚さ７５μｍのポリカーボネートフィ
ルム（ＰＣフィルム）〔ロンザジャパン株式会社製〕に
置き換え、処理時間を５秒のみとした以外は実施例１及
び２と同様にして偏光板用保護フィルム試料−９及び試
料−１０を作製した。

【０２１３】実施例６ＰＣフィルムを厚さ７５μｍのアクリレートフィルム
（ＰＭＭＡフィルム）〔日本カーバイド株式会社製〕に
置き換え、処理時間を２０秒とした以外は実施例５と同
様にして偏光板用保護フィルム試料−１１及び試料−１
２を作製した。

【０２１４】実施例７実施例１及び２と同様にして、処理時間５秒にてプラズ
マ処理を行った厚さ８０μｍのＴＡＣフィルムの偏光子
と接する面に下記組成の塗布液をそれぞれ２０ｍｌ／ｍ
²塗布し、１００℃で５分間乾燥し偏光板用保護フィル
ム試料−１３及び試料−１４を作製した。

【０２１５】（塗布液）〈下層塗布液〉下記水溶性ポリマー（ｍ）０．５ｇアセトン４０ｍｌ酢酸エチル５５ｍｌイソプロパノール５ｍｌ〈上層塗布液〉ポリビニルアルコール（日本合成化学工業株式会社製ゴーセノールＮＨ−２６）０．３ｇサポニン（メルク社製界面活性剤）０．０３ｇ純水５７ｍｌメタノール４０ｍｌメチルプロピレングリコール３ｍｌ

【０２１６】

【化１０】

【０２１７】比較例１プラズマ処理を行っていない前記ＴＡＣフィルム、ＰＥ
Ｔフィルム、ＰＣフィルム及びＰＭＭＡフィルムをそれ
ぞれ偏光板用保護フィルム試料−１５、試料−１６、試
料−１７及び試料−１８とした。

【０２１８】比較例２８０μｍのＴＡＣフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＶ
ＳＦ：コニカ株式会社製）を２ｍｌ／Ｌの水酸化ナトリ
ウム溶液に６０℃で３０分浸漬し、更に水洗し、乾燥し
て表面がケン化処理されたＴＡＣフィルムを得た。これ
を偏光板用保護フィルム試料−１９とした。

【０２１９】比較例３８０μｍのＴＡＣフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＶ
ＳＦ：コニカ株式会社製）の一方の面に２０Ｗ／ｍ²／
分の条件でコロナ放電処理を施して偏光板用保護フィル
ム試料−２０を作製した。コロナ放電処理は、ＳＯＦＴ
ＡＬ社のマルチナイフ電極を有するコロナ処理機を用
い、処理条件としては、設定エネルギー４０Ｗ・ｍｉｎ
／ｍ²において、２回処理を行った。

【０２２０】以上、大気圧プラズマ処理した保護フィル
ム試料−１〜試料−２０についての処理条件、その接触
角、又、これを用い以下に示すように作製した偏光板に
した時の接着性の評価結果について表１に示した。

【０２２１】上記保護フィルムから偏光子と以下に示す
ようにして貼合し偏光板を作製した。

【０２２２】まず、下記１〜５の工程で、偏光子と保護
フィルムとを張り合わせて偏光フィルムを作製した。

【０２２３】１．１８ｃｍ×５ｃｍサイズの保護フィル
ム試料をプラズマ処理面或いはその上に塗工した面を上
にしてガラス板上に配置する。

【０２２４】２．保護フィルム試料と同サイズの１軸延
伸されたポリビニルアルコール染色フィルムからなる偏
光子を固形分２質量％のポリビニルアルコール接着剤槽
中に１〜２秒間浸漬し、偏光子の両面に付着させる。

【０２２５】３．上記の偏光子に付着した過剰の接着剤
を軽く取り除き、上記の保護フィルム試料上にのせて、
試料フィルムの処理した面と接着剤とが接するように積
層配置する。

【０２２６】４．ハンドローラで上記で積層された偏光
子と保護フィルムとの積層物の端部から過剰の接着剤及
び気泡を取り除きハンドローラーにて貼り合わせる。ハ
ンドローラの圧力は約０．２〜０．３ＭＰａ、ローラス
ピードは２ｍ／分とした。

【０２２７】５．８０℃の乾燥器中に４．で得た試料を
２分間放置する。〈接着性の評価〉（初期接着）偏光子と保護フィルムとを貼り合わせ後、
手で剥離性を測定し材料破壊の発生の程度で下記１〜３
の３段階に評価した。

【０２２８】１：材料破壊が起こる（表１中「○」で示
す）２：一部材料破壊が起こるが、試料フィルムとＰＶＡフ
ィルム間で剥がれる面積が大きい（表１中「△」で示
す）３：試料フィルムとＰＶＡフィルムとの間で剥がれる
（表１中「×」で示す）（加工）片刃を用いて断裁して接着面の浮きの程度で下記１〜３
の３段階に評価した。

【０２２９】１：接着面の浮きが全くない（表１中
「○」で示す）２：僅かに接着面の浮きが起こる（表１中「△」で示
す）３：接着面の浮きが起こる（表１中「×」で示す）（耐久性能）７５℃で相対湿度９０％の条件（Ａ）下、
及び９０℃の条件（Ｂ）下に５００時間放置し、外観変
化を観察し、端部からの剥離の幅を測定した。表１中の
符号の意味は下記のとおりである。

【０２３０】○：０．５ｍｍ以内 △：０．６〜１．５ｍｍ ×：１．６ｍｍ以上なお、比較試料１９（本発明の目標）と同等かそれ以上
の接着性であれば実用上問題なく、表１において「○」
の評価を与えている。

【０２３１】

【表１】

【０２３２】本発明試料は、偏光板としての接着性に優
れ加工性にも優れていることがわかる。

【０２３３】実施例８コニカ株式会社製の厚さ８０μｍのＴＡＣフィルム（コ
ニカタックＫＣ８ＵＶＳＦ）を図２の連続型真空プラ
ズマ放電処理装置に入れて電源周波数：１３．５６ＭＨ
ｚ、放電面積：０．０８ｍ²、電源出力：８０００Ｗ／
ｍ²、真空度：０．１ｔｏｒｒ、導入ガス：酸素・窒素
の各ガスを選択しプラズマ処理を施して偏光板用保護フ
ィルム試料−２１及び試料−２２を作製した。

【０２３４】実施例９ＴＡＣフィルムを厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムに置き
換えた以外は実施例８と同様にして偏光板用保護フィル
ム試料−２３及び試料−２４を作製した。

【０２３５】実施例１０実施例８と同様にしてプラズマ処理を行った厚さ８０μ
ｍのＴＡＣフィルムの偏光子と接する面に実施例７と同
様にして親水性化合物を含有する塗布液層を設けて偏光
板用保護フィルム試料−２５及び試料−２６を作製し
た。

【０２３６】以上、真空プラズマ処理した保護フィルム
試料−２１〜試料−２６についての処理条件と保護フィ
ルム表面の接触角の測定結果及びこれを前記と同じ方法
により偏光板にしたときの接着性の評価結果について表
２に示した。

【０２３７】

【表２】

【０２３８】実施例１１コニカ株式会社製の厚さ８０μｍのＴＡＣフィルムを特
開平１１−１８４０４２号に記載された方法により表３
の条件で火炎処理を行った。この装置を図３に示す。
尚、火炎とフィルムとの接触時間は約０．０１秒であっ
た。又、火炎の条件は内炎最大面積ｂに対し外炎の接触
面積ａの比（ａ／ｂ）、及び内炎先端からの距離ｃ（ｍ
ｍ）をこの様にして、有効にプラズマ処理が起こる条件
をもちいて偏光板用保護フィルム試料−２７及び試料−
２８を作製した。

【０２３９】ここにおいて、内炎最大面積とは、図３に
おける内炎Ｉの中心の幅にフィルムの処理幅を乗じた値
であり、外炎の接触面積とは、有効炎Ｇ（ここも外炎）
の処理するフィルムに接触している幅とやはりフィルム
の処理幅とを乗じた値である。

【０２４０】実施例１２ＴＡＣフィルムを厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムに置き
換えた以外は実施例１１と同様にして偏光板用保護フィ
ルム試料−２９及び試料−３０を作製した。

【０２４１】実施例１３実施例１１と同様にして火炎処理を行ったＴＡＣフィル
ムの偏光子と接する面に実施例７と同様にして親水性化
合物を含有する塗布層を設けて偏光板用保護フィルム試
料−３１及び試料−３２を作製した。

【０２４２】実施例１４実施例１２の試料２９と同じ様に、但し、実施例７と同
様の親水性化合物を有する塗布層をもうけて偏光板用保
護フィルムを作製し試料−３３とした。

【０２４３】以上、フレームプラズマ処理した保護フィ
ルム試料−２７〜３３についての処理条件、保護フィル
ム表面の接触角の測定結果及びこれを前記と同じ方法に
より偏光板にしたときの接着性の評価結果について表３
に示した。

【０２４４】

【表３】

【０２４５】実施例１５トリアセチルセルロースフィルム膜厚８０μｍ（コニ
カタックＫＣ８ＵＸ２ＭＷ：コニカ株式会社製）を図
２に示した装置を用いて、連続的に大気圧でプラズマ処
理を行った。すなわち、搬送されたフィルムをロールに
て同伴空気を遮断し、ヘリウムガスと水蒸気からなる反
応ガスを充填した反応室内に導き、電源周波数１３．５
６ＭＨｚ、電源出力８ｋＷ／ｍ²にてプラズマ処理を施
し保護フィルムを得た。

【０２４６】ポリビニルアルコールフィルム（クラレ株
式会社製、重合度４０００）を一軸延伸（延伸温度：１
１０℃、延伸倍率：４．５倍）し、偏光基材とした。こ
の偏光基材をテンションをかけたまま、ヨウ素／ヨウ化
カリウム／水が０．０７５ｋｇ／５ｋｇ／１００ｋｇの
比率である水溶液に６０秒間浸漬した。次に、ヨウ化カ
リウム／ホウ酸／水が６ｋｇ／７．５ｋｇ／１００ｋｇ
である７０℃のホウ酸含有水溶液に３００秒浸漬した。
これを純水で水洗し、乾燥し、偏光子を作製した。乾燥
後のポリビニルアルコールフィルムの両面に、ポリビニ
ルアルコール系接着剤を用いて前述のトリアセチルセル
ロースフィルムをローラーを用いて、０．２〜０．３Ｍ
Ｐａの圧力で２ｍ／ｍｉｎのスピードにて貼合した。こ
れを８０℃で２分間放置して、これを本発明の偏光板Ａ
とした。

【０２４７】実施例１６トリアセチルセルロースフィルムをプラズマ処理の後、
４０℃の温水で水洗し、乾燥させた以外は実施例１５と
同様の方法で偏光板を作成した。これを本発明の偏光板
Ｂとした。

【０２４８】実施例１７トリアセチルセルロースフィルム膜厚４０μｍ（コニ
カタックＫＣ４ＵＸＭＷ：コニカ株式会社製）を図２
に示した装置を用いて、連続的に大気圧でプラズマ処理
を行った。すなわち、搬送されたフィルムをロールにて
同伴空気を遮断し、酸素１０％、水素ガス４％を含むア
ルゴンガスからなる反応ガスを充填した反応室内に導
き、電源周波数１３．５６ＭＨｚ、電源出力８ｋＷ／ｍ
²にてプラズマ処理を施した。

【０２４９】ポリビニルアルコールフィルム（クラレ株
式会社製、重合度４０００）を一軸延伸（延伸温度：１
１０℃、延伸倍率：４．５倍）し、偏光基材とした。こ
の偏光基材をテンションをかけたまま、ヨウ素／ヨウ化
カリウム／水が０．０７５ｋｇ／５ｋｇ／１００ｋｇの
比率である水溶液に６０秒間浸漬した。次に、ヨウ化カ
リウム／ホウ酸／水が６ｋｇ／７．５ｋｇ／１００ｋｇ
である７０℃のホウ酸含有水溶液に３００秒浸漬した。
これを純水で水洗し、乾燥し、偏光子を作製した。この
ポリビニルアルコールフィルムを図２に示した装置を用
いて、連続的に大気圧でプラズマ処理を行った。すなわ
ち、搬送されたフィルムをロールにて同伴空気を遮断
し、アルゴンガスと水蒸気からなる反応ガスを充填した
反応室内に導き、電源周波数１３．５６ＭＨｚ、電源出
力８ｋＷ／ｍ²にてプラズマ処理を施した。ポリビニル
アルコールフィルムの両面に、ポリビニルアルコール系
接着剤を用いて前述のトリアセチルセルロースフィルム
をローラーを用いて、０．２〜０．３ＭＰａの圧力で２
ｍ／ｍｉｎのスピードにて貼合した。これを８０℃で２
分間乾燥して、これを本発明の偏光板Ｃとした。

【０２５０】実施例１８膜厚８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（コニ
カタックＫＣ８ＵＶＳＦ：コニカ株式会社製）を２ｍ
ｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で９０秒間浸
漬し、さらに水洗、乾燥させて鹸化処理を行った。

【０２５１】ポリビニルアルコールフィルム（クラレ株
式会社製、重合度４０００）を一軸延伸（延伸温度：１
１０℃、延伸倍率：４．５倍）し、偏光基材とした。こ
の偏光基材をテンションをかけたまま、ヨウ素／ヨウ化
カリウム／水が０．０７５ｋｇ／５ｋｇ／１００ｋｇの
比率である水溶液に６０秒間浸漬した。次に、ヨウ化カ
リウム／ホウ酸／水が６ｋｇ／７．５ｋｇ／１００ｋｇ
である７０℃のホウ酸含有水溶液に３００秒浸漬した。
これを純水で水洗し、乾燥した。このポリビニルアルコ
ールフィルムを図２に示した装置を用いて、連続的に大
気圧でプラズマ処理を行った。すなわち、搬送されたフ
ィルムをロールにて同伴空気を遮断し、アルゴンガスと
水蒸気からなる反応ガスを充填した反応室内に導き、電
源周波数１３．５６ＭＨｚ、電源出力８ｋＷ／ｍ²にて
プラズマ処理を施した。ポリビニルアルコールフィルム
の両面に、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて前述
のトリアセチルセルロースフィルムをローラーを用い
て、０．２〜０．３ＭＰａの圧力で２ｍ／ｍｉｎのスピ
ードにて貼合した。これを８０℃で２分間乾燥して、こ
れを本発明の偏光板Ｄとした。

【０２５２】実施例１９膜厚８０μｍの下記の組成のセルロースアセテートプロ
ピオネートフィルムを使用し、反応容器内の混合ガスを
湿度８０％ＲＨの水蒸気を含むアルゴンガスに変更した
以外は実施例１と同様の方法でプラズマ処理を行った。
トリアセチルセルロースフィルムの代わりに、このセル
ロースアセテートプロピオネートフィルムを用いて、実
施例１７と同様の方法で偏光板を作成し、これを本発明
の偏光板Ｅとした。

【０２５３】〈セルロースアセテートプロピオネートフィルム〉セルロースアセテートプロピオネート１００ｋｇ（アセチル基置換度２．０、プロピオニル基置換度０．８）トリフェニルフォスフェート９ｋｇエチルフタリルエチルグリコレート４ｋｇチヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ製）１．１ｋｇチヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ製）０．９ｋｇアエロジル２００Ｖ（日本アエロジル株式会社）０．１ｋｇ比較例４膜厚８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（コニ
カタックＫＣ８ＵＸ２ＭＷ：コニカ株式会社製）を６
０℃の２ｍｏｌ／ｌＫＯＨに１分間浸漬した後、水洗乾
燥し、トリアセチルセルロースフィルムＦを得た。

【０２５４】ポリビニルアルコールフィルム（クラレ株
式会社製、重合度４０００）を一軸延伸（延伸温度：１
１０℃、延伸倍率：４．５倍）し、偏光基材とした。こ
の偏光基材をテンションをかけたまま、ヨウ素／ヨウ化
カリウム／水が０．０７５ｋｇ／５ｋｇ／１００ｋｇの
比率である水溶液に６０秒間浸漬した。次に、ヨウ化カ
リウム／ホウ酸／水が６ｋｇ／７．５ｋｇ／１００ｋｇ
である７０℃のホウ酸含有水溶液に３００秒浸漬した。
これを純水で水洗し、乾燥し、偏光子を作製した。乾燥
後のポリビニルアルコールフィルムの両面に、ポリビニ
ルアルコール系接着剤を用いて前述のトリアセチルセル
ロースフィルムＦをハンドローラーを用いて、０．２〜
０．３ＭＰａの圧力で２ｍ／ｍｉｎのスピードにて貼合
した。これを８０℃で２分間放置して、これを比較の偏
光板Ｆとした。

【０２５５】同様に膜厚８０μｍのトリアセチルセルロ
ースフィルム（コニカタックＫＣ８ＵＸ２ＭＷ：コニ
カ株式会社製）を上記のアルカリ処理を行わずに使用し
て、比較の偏光板Ｇを作成した。

【０２５６】実施例１５〜１９で作成した偏光板Ａ〜Ｅ
及び比較例４で作成した比較の偏光板Ｆ〜Ｇについて、
加工性を調べた。

【０２５７】（加工性）片刃を用いて断裁し、貼合面の
剥がれの程度で下記１〜３の３段階に評価した。

【０２５８】○ 断裁した偏光板の断面において、貼合
面（セルロースエステルフィルムとポリビニルアルコー
ルフィルムの間）の剥がれは認められなかった △ 断裁した偏光板の断面において、貼合面（セルロー
スエステルフィルムとポリビニルアルコールフィルムの
間）の一部に剥がれが認められる × 断裁した偏光板の断面において、貼合面（セルロー
スエステルフィルムとポリビニルアルコールフィルムの
間）で断裁部の大部分で剥がれが認められる

【０２５９】

【表４】

【０２６０】表４の結果より、本発明の偏光板では、優
れた密着性を有し、従来の鹸化されたセルロースエステ
ルフィルムを用いた偏光板と同等の加工性を付与するこ
とができた。

【０２６１】実施例２０膜厚８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（コニ
カタックＫＣ８ＵＸ２ＭＷ：コニカ株式会社製）を使
用し、反応容器内の混合ガスを水素４％を含むアルゴン
ガスに変更した以外は実施例１と同様の方法でプラズマ
処理を行った。さらに、このフィルムを反応容器内の混
合ガスを湿度８０％ＲＨで水蒸気を含むアルゴンガスに
変更し、同様にプラズマ処理を行った。

【０２６２】このトリアセチルセルロースフィルムを用
いて、実施例１７と同様の方法で偏光板を作成し、これ
を本発明の偏光板Ｈとした。

【０２６３】実施例１９と同様の方法で加工性を調べた
ところ、加工性は○であった。本発明の偏光板Ｈ及び比
較の偏光板Ｆの貼合面の密着性を調べるため、断裁した
偏光板の断面部のトリアセチルセルロースフィルムをカ
ッターで剥離した。剥離部の両側のトリアセチルセルロ
ースフィルムを引っ張ったところ、偏光板Ｈ及び比較の
偏光板Ｆともに、偏光子であるポリビニルアルコールフ
ィルムとトリアセチルセルロースフィルムはほとんど剥
離することなくトリアセチルセルロースフィルム自身が
裂けてしまった。このように本発明の偏光板Ｈは比較の
偏光板Ｆと同等の密着性を有することが確認された。

【０２６４】実施例２１膜厚８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（コニ
カタックＫＣ８ＵＸ２ＭＷ：コニカ株式会社製）を使
用し、反応容器内の混合ガスを１０％酸素、４％水素を
含むアルゴンガスに変更した以外は実施例と同様の方
法で５秒間プラズマ処理を行った。これをトリアセチル
セルロースフィルムＪとする。

【０２６５】このトリアセチルセルロースフィルムＪを
用いて、実施例１７と同様の方法で偏光板を作製し、こ
れを本発明の偏光板Ｊとした。

【０２６６】実施例２０と同様の方法で偏光板の貼合面
の密着性を調べた。その結果、偏光板Ｆと同等の密着性
を有することが確認された。未鹸化のトリアセチルセル
ロースフィルムを用いて作製した比較の偏光板Ｇは容易
に剥離してしまい密着性に乏しかった。

【０２６７】上記偏光板Ｊ、比較例４の偏光板Ｆ、Ｇで
用いられたプラズマ処理したトリアセチルセルロースフ
ィルムと未処理のトリアセチルセルロースフィルムと、
鹸化処理されたトリアセチルセルロースフィルム（トリ
アセチルセルロースフィルムＦ）のそれぞれのトリアセ
チルセルロースフィルムについて、下記の方法に従って
表面粗さＲａ、最大高低差Ｐ−Ｖ、炭素の結合状態分析
を行った。

【０２６８】表面粗さＲａ、最大高低差Ｐ−Ｖの測定セイコーインスツルメンツ製走査型プローブ顕微鏡ＳＰ
Ｉ３８００Ｎ多機能ユニットＳＰＡ４００におけるダイ
ナミックモード（以下ＤＦＭモード）による、表面形状
を測定した。カンチレバーはＳＩ−ＤＦ２０（シリコン
製：バネ定数２０．０Ｎ／ｍ、ねじれバネ定数１００．
０Ｎ／ｍ、共振周波数１２０〜１５０Ｈｚ、レバー長さ
２００．０μｍ、針の高さ３．００μｍ）を用いた。試
料は約１ｃｍ角に切り、ピエゾスキャナー上で水平に試
料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチ
し、原子間力が働く領域に達したところでＸ、Ｙ方向に
スキャンし、試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとら
えた。ピエゾスキャナーはＸ、Ｙ２０μｍ、Ｚ２μｍの
走査が可能なものを使用した。走査周波数は１．００Ｈ
ｚ、測定エリアは０．５×０．５μｍに設定し、Ｘ、Ｙ
ともデータ数は各々２５６ポイントで行った。得られた
３次元データは１次傾き補正により補正した。

【０２６９】炭素の結合状態分析測定装置には、米ＰＨＩ社製のＱＵＡＮＴＵＭ−２００
０を用いた。単色化されたＡｌＸ線源を用い、Ｘ線のビ
ーム径は１００μｍφとした。このＸ線ビームを１．５
ｍｍ×０．１ｍｍの領域で走査させることでスペクトル
を得た。エネルギー分解能は、清浄なＡｇ板においてＡ
ｇ３ｄ５／２ピークを測定したときのその半値幅が０．
５９ｅＶであった。光電子取り出し角度は９０°、帯電
補正処理には、電子ビームとＡｒイオンビームを併用
（電子は１ｅＶ、イオンは１４ｅＶで照射）した。測定
エネルギー間隔は０．０５ｅＶおきに積算し、Ｃ１ｓピ
ークが１５５００カウントとなるまで積算した。

【０２７０】表面と内部フィルム内部領域の測定を行うためには、フィルム表面
を清浄なナイフで削り取ることで得られた表面を試料と
することができる。本測定においては、次のような方法
で行った。フィルムを平坦な基板（シリコンウエハー或
いはスライドグラスなど）に平坦になるように接着剤で
貼りつける。接着剤にはフィルムを極力溶かさないもの
を選択する。今回はエポキシ系接着剤を用いた。ミクロ
トームによりガラスナイフを用いて、ガラスナイフの刃
先とフィルム面とが平行となるように調整し、約１０μ
ｍ表面層を削り取った。

【０２７１】図４に表面の光電子スペクトルを示す。図
において、Ｐ₁，Ｐ₂，Ｐ₃はそれぞれ第１ピーク、第２
ピーク、第３ピークを示し、Ｓ_Aが本発明のセルロース
エステルフィルムＪ（プラズマ処理を行ったもの）の光
電子スペクトル、Ｓ_Bが比較のセルロースエステルフィ
ルムＦ（アルカリ鹸化処理を行ったもの）のスペクト
ル、Ｓ_Cが未処理のセルロースエステルフィルムのスペ
クトルである。

【０２７２】この様にして求めた表面及び内部のピーク
の強度を示す光電子スペクトルから各結合状態の割合を
示す下記Ｓ、Ｉ、Ｔの値を求めた。

【０２７３】Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピー
ク強度／偏光板用保護フィルム表面の第１ピーク強度Ｉ＝偏光板用保護フィルム内部領域の第２ピーク強度／
偏光板用保護フィルム内部領域の第１ピーク強度Ｔ＝偏光板用保護フィルム表面の第３ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第２ピークの強度表５に表面粗さＲａ、最大高低差Ｐ−Ｖの測定結果と表
面と内部の炭素の結合状態分析の結果を示す。

【０２７４】

【表５】

【０２７５】実施例２２実施例１５でプラズマ処理されたセルロースエステルフ
ィルムと偏光板Ａの断裁屑より偏光子を分離除去、洗浄
したセルロースエステルにメチレンクロライドとエタノ
ールの混合溶媒（メチレンクロライド９２ｇに対してエ
タノール８ｇの比率の溶媒）に溶解し、固形分濃度１８
質量％のドープを作成した。偏光板から分離されたセル
ロースエステルは全体の５割であった。

【０２７６】このドープを濾過してゴミを除去した後、
３３℃に維持されたステンレス製の流延ベルト上に流延
し、ステンレス製の流延ベルト上で、残留溶媒量が８０
％になるまで溶媒を蒸発させた後、流延ベルト上から剥
離後、１００℃にて乾燥させた。これを本発明のセルロ
ースエステルフィルムＫとする。

【０２７７】比較例４でアルカリ鹸化処理されたセルロ
ースエステルフィルムと偏光板Ｆの断裁屑より偏光子を
分離除去、洗浄したセルロースエステルにメチレンクロ
ライドとエタノールの混合溶媒（メチレンクロライド９
２ｇに対してエタノール８ｇの比率の溶媒）に溶解し、
固形分濃度１８質量％のドープを作成した。偏光板から
分離されたセルロースエステルは全体の５割であった。
このドープを濾過してゴミを除去した後、同様の手順で
ステンレス製の流延ベルト上に流延しセルロースエステ
ルフィルムを作成した。これを比較のセルロースエステ
ルフィルムＫとする。

【０２７８】上記のようにして得た膜厚８０μｍのセル
ロースエステルフィルムを２枚の偏光板の間に挟んで配
置した。偏光板は偏光子の延伸方向が直交状態（クロス
ニコル状態）となるように配置し、一方の偏光板の外側
から光を当て、他方の偏光板の外側から顕微鏡（透過光
源で倍率３０倍）で２５ｍｍ²当たり光って白く抜けて
見える異物の数を４箇所にわたって測定し、１ｃｍ²当
たりの個数とし、この評価を５回繰り返して平均値を求
め、この平均値をもって輝点異物の数とした。その結
果、本発明のセルロースエステルフィルムＩは輝点異物
が１８個／ｃｍ²であったのに対し、比較のセルロース
エステルフィルムＫでは輝点異物が６２個／ｃｍ²であ
り、本発明のセルロースエステルフィルムＩの方が輝点
異物数が少なく、本発明のセルロースエステルの再利用
に優れていることがわかる。

【０２７９】

【発明の効果】液晶素子等に用いられる偏光板用保護フ
ィルムをケン化処理のように危険な薬剤と面倒な処理を
使用せず得ることが出来るようになり、加工性に優れた
偏光板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】大気圧プラズマ処理装置の一例を示す断面図。

【図２】真空プラズマ処理を連続的に行う装置の一例を
示す断面図。

【図３】フレーム（火炎）処理によるプラズマ処理装置
の一例。

【図４】フィルムの光電子スペクトル。

【符号の説明】

１電極２，Ｆ試料（フィルム）３誘電体４，６流入口５，７流出口８，９ニップロール１０，１１，１７予備減圧室１２処理室１３，１４平板電極１５高周波電源１６アースＢバーナーＣ遮蔽板Ｅ，Ｅ′ 外炎Ｉ内炎Ｇ有効炎ＲローラーＳ有効処理孔（スリット）Ｐ₁，Ｐ₂，Ｐ₃ 光電子スペクトルピークＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C 光電子スペクトル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０ // Ｃ０８Ｌ 1:12 33:12 67:02 69:00 (72)発明者福田和浩東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内 (72)発明者高木利也東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】偏光子と接する面の純水との接触角が、
５５度未満である事を特徴とする偏光板用保護フィル
ム。
【請求項２】偏光子と接する面がプラズマ処理によっ
て親水化されたことを特徴とする請求項１に記載の偏光
板用保護フィルム。
【請求項３】プラズマ処理が真空グロー放電、大気圧
グロー放電及びフレームプラズマ処理から選ばれたもの
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の偏光板
用保護フィルム。
【請求項４】プラズマ処理を施した面の上に少なくと
も１種の親水性高分子化合物を含有する塗布層を有する
ことを特徴とする偏光板用保護フィルム。
【請求項５】セルロースエステルフィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリエステルフィルム又はポリアク
リルフィルムを用いたことを特徴とする請求項１〜４の
いずれ１項に記載の偏光板用保護フィルム。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の偏
光板用保護フィルムを用いたことを特徴とする偏光板。
【請求項７】偏光子の少なくとも片面に保護フィルム
を貼合した偏光板の製造方法において、偏光板用保護フ
ィルムの偏光子と貼合する面を貼合前にプラズマ処理す
ることを特徴とする偏光板の製造方法。
【請求項８】偏光板用保護フィルムの偏光子と貼合す
る面をプラズマ処理後に、水洗工程を経て偏光子と貼合
することを特徴とする請求項７に記載の偏光板の製造方
法。
【請求項９】偏光子の少なくとも片面に偏光板用保護
フィルムを貼合した偏光板の製造方法において、偏光子
の表面をプラズマ処理した後、貼合することを特徴とす
る偏光板の製造方法。
【請求項１０】偏光子の表面をプラズマ処理したこと
を特徴とする請求項７又は８に記載の偏光板の製造方
法。
【請求項１１】偏光子と貼合される面を貼合前に複数
回プラズマ処理した偏光板用保護フィルムを用いたこと
を特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の偏
光板の製造方法。
【請求項１２】フィルム表面に存在する有機物のＣ−
Ｃ結合もしくはＣ−Ｈ結合を切断する条件でのプラズマ
処理と、フィルム表面に水酸基もしくはアミノ基を形成
する条件でのプラズマ処理を順次もしくは同時に行った
偏光板用保護フィルムを用いたことを特徴とする請求項
１１に記載の偏光板の製造方法。
【請求項１３】不活性ガス、水素、酸素、過酸化水
素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、二酸化窒
素、一酸化窒素、水蒸気、アンモニア及び低沸点の有機
化合物から選択される少なくとも２種以上のガスの存在
下でプラズマ処理した偏光板用保護フィルムを用いたこ
とを特徴とする請求項１１又は１２に記載の偏光板の製
造方法。
【請求項１４】不活性ガスと、水素、水蒸気、過酸化
水素から選択される少なくとも１種のガスと、酸素、水
蒸気、過酸化水素、オゾンから選択される少なくとも１
種のガスを含む反応ガスの下でプラズマ処理した偏光板
用保護フィルムを用いたことを特徴とする請求項１１〜
１３のいずれか１項に記載の偏光板の製造方法。
【請求項１５】プラズマ処理が真空グロー放電、大気
圧グロー放電及びフレームプラズマ処理から選ばれたも
のであることを特徴とする請求項７〜１４のいずれか１
項に記載の偏光板の製造方法。
【請求項１６】少なくとも一方の表面の凸凹の状態
が、フィルム表面の任意の１０点の中心線平均粗さＲａ
の平均値が１ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であり、最大高低
差の平均値が５〜８０ｎｍの範囲内であることを特徴と
する請求項１〜５のいずれか１項に記載の偏光板用保護
フィルム。
【請求項１７】フィルム表面の炭素原子に結合した水
酸基又はアミノ基がフィルム内部の炭素原子に結合した
水酸基又はアミノ基よりも多いことを特徴とする請求項
１〜５、１６のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィ
ルム。
【請求項１８】偏光板用保護フィルムのＸ線光電子分
光法による炭素原子の結合状態分析において、結合エネ
ルギーの一番低いピークを第１ピーク、第１ピークより
高結合エネルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピークを
第２ピーク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に
４．１０±０．３ｅＶのピークを第３ピークとすると
き、偏光板用保護フィルムの少なくとも一方の表面と内
部領域の炭素Ｃ１ｓの結合状態が、下記の関係にあるこ
とを特徴とする請求項１〜５、１６、１７のいずれか１
項に記載の偏光板用保護フィルム。Ｓ−Ｉ≧０．１Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第１ピーク強度Ｉ＝偏光板用保護フィルム内部領域の第２ピーク強度／
偏光板用保護フィルム内部領域の第１ピーク強度
【請求項１９】偏光板用保護フィルムのＸ線光電子分
光法による炭素原子の結合状態分析において、結合エネ
ルギーの一番低いピークを第１ピーク、第１ピークより
高結合エネルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピークを
第２ピーク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に
４．１０±０．３ｅＶのピークを第３ピークとすると
き、偏光板用保護フィルムの少なくとも一方の表面の炭
素Ｃ１ｓの結合状態が、下記の関係にあることを特徴と
する請求項１〜５、１６、１７のいずれか１項に記載の
偏光板用保護フィルム。Ｓ≧１．６０Ｓ＝偏光板用保護フィルム表面の第２ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第１ピーク強度
【請求項２０】偏光板用保護フィルムのＸ線光電子分
光法による炭素原子の結合状態分析において、結合エネ
ルギーの一番低いピークを第１ピーク、第１ピークより
高結合エネルギー側に１．６０±０．３ｅＶのピークを
第２ピーク、第１ピークよりも高結合エネルギー側に
４．１０±０．３ｅＶのピークを第３ピークとすると
き、偏光板用保護フィルムの少なくとも一方の表面の炭
素Ｃ１ｓの結合状態が、下記の関係にあることを特徴と
する請求項１〜５、１６〜１９のいずれか１項に記載の
偏光板用保護フィルム。Ｔ≧０．２Ｔ＝偏光板用保護フィルム表面の第３ピーク強度／偏光
板用保護フィルム表面の第２ピーク強度
【請求項２１】フィルム表面に存在する有機物のＣ−
Ｃ結合もしくはＣ−Ｈ結合を切断する条件でのプラズマ
処理と、フィルム表面に水酸基もしくはアミノ基を形成
する条件でのプラズマ処理を順次もしくは同時に行った
ことを特徴とする偏光板用保護フィルム。
【請求項２２】不活性ガス、水素、酸素、過酸化水
素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、二酸化窒
素、一酸化窒素、水蒸気、アンモニア、低沸点の有機化
合物から選択される少なくとも２種以上のガスの存在下
でプラズマ処理したことを特徴とする請求項１〜５、１
６〜２１のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィル
ム。
【請求項２３】不活性ガスと、水素、水蒸気、過酸化
水素から選択される少なくとも１種のガスと、酸素、水
蒸気、過酸化水素、オゾンから選択される少なくとも１
種のガスを含む反応ガスの下でプラズマ処理されたこと
を特徴とする請求項１〜５、１６〜２２のいずれか１項
に記載の偏光板用保護フィルム。
【請求項２４】偏光板用保護フィルムの表面をプラズ
マ処理した後、水洗したことを特徴とする請求項１〜
５、１６〜２３のいずれか１項に記載の偏光板用保護フ
ィルム。
【請求項２５】偏光板用保護フィルムがセルロースエ
ステル又はポリカーボネート、ポリエステル、アクリル
樹脂のいずれかを含有することを特徴とする請求項１６
〜２４のいずれか１項に記載の偏光板用保護フィルム。
【請求項２６】請求項１６〜２５のいずれか１項に記
載の偏光板用保護フィルムを少なくとも一方の面に用い
たことを特徴とする偏光板。
【請求項２７】プラズマ処理されたセルロースエステ
ルフィルムを用いた偏光板から分離されたセルロースエ
ステルを原料の全部もしくは一部として再使用したこと
を特徴とするセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項２８】請求項１〜５、１６〜２５のいずれか
１項に記載の偏光板用保護フィルムがセルロースエステ
ルを含有するものであって、該偏光板用保護フィルムか
ら分離されたセルロースエステルをセルロースエステル
原料の全部もしくは一部として再使用することを特徴と
するセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項２９】請求項２６に記載の偏光板から分離さ
れたセルロースエステルフィルムをセルロースエステル
原料の全部もしくは一部として再使用することを特徴と
するセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項３０】セルロースエステルフィルムが液晶表
示装置に用いられる光学フィルムであることを特徴とす
る請求項２９に記載のセルロースエステルフィルムの製
造方法。