JP2000353793A5 - - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
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- 第1方向に延びる複数のワード線と、前記第1方向に交差する第2方向に延びる複数のビット線と、それぞれの前記ワード線とビット線の交点に配置された1つのトランジスタと1つの容量素子とを有する複数のメモリセルとを備え、前記ビット線上に前記容量素子を配置した半導体集積回路装置であって、
半導体基板上において、前記複数のワード線中の隣接する第1、第2ワード線及び前記複数のビット線中の第1ビット線と交差し、前記第1及び第2方向と異なる第3方向に延び、前記第3方向に対して直交する第4方向に所定の幅を有する活性領域と、
前記活性領域内に形成され、前記トランジスタのソース、ドレインとして機能する第1及び第2半導体領域と、
前記容量素子を構成する第1及び第2電極と、前記第1及び第2電極間に位置する誘電体膜と、
前記ビット線と前記第1電極との間に位置する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜に形成された第1開孔内に形成され、前記第1及び第2半導体領域の一方と、前記第1電極(キャパシタ下部電極)とを電気的に接続するための第1導体層と、
前記ビット線と前記第1及び第2半導体領域の他方を前記第1ビット線と前記活性領域の交点において接続する第3導体層とからなり、
前記第1導体層は前記ワード線とビット線によって囲まれた領域の各々に配置され、前記第1導体層の中心は、前記第3方向に沿う前記活性領域の中心線からずれていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、更に前記第1導体層と前記第1及び第2半導体領域の一方との間に配置された第2導体層を有し、前記第1方向において、前記第2導体層の幅は、前記第1導体層の幅よりも大であることを特徴とする半導体集積回路装置。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記第1方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記第2方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも大であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記ワード線と前記第2導体層間には窒化珪素膜が存在し、前記ビット線と前記第1導体層間には窒化珪素膜は存在しないことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第2方向において、前記第1導体層の幅は、前記ワード線の幅よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記ビット線の幅は、前記ワード線の幅よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 各々が第1方向に延び、互いに隣接する第1、第2ワード線と、前記第1ワード線に隣接し前記第2ワード線と反対側に配置された第3ワード線と、前記第2ワード線に隣接し前記第1ワード線と反対側に配置された第4ワード線と、
前記第1方向に交差する第2方向に延び、連続的に隣接する第1,第2及び第3ビット線と、
前記第1及び第2方向と交差する第3方向に延びる活性領域と、
前記活性領域内であって、前記第1、第2ワード線間に位置する第1半導体領域と、前記活性領域内であって、前記第1、第3ワード線間及び第2、第4ワード線間に位置する第2半導体領域と、
第1 , 第2及び第3ビット線上に第1絶縁膜を介して形成された第1電極及び第2電極と、前記第1及び第2電極間に位置する誘電体膜から構成される容量素子と、
前記第2半導体領域と前記第1電極とを電気的に接続する前記第1絶縁膜内に形成された複数の第1導体層とを有し、
前記第1導体層は、前記ワード線と前記ビット線で囲まれた領域の各々に配置され、前記第1、第3ワード線間に配置された第1導体層の中心と、前記第2、第4ワード線間に配置された第1導体層の中心とを結ぶ直線が前記第1方向に対してなす角度は、前記第3方向が前記第1方向に対してなす角度よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1方向に延びる複数のワード線と、前記第1方向に交差する第2方向に延びる複数のビット線と、前記ワード線とビット線の交点に配置されたそれぞれが1つのトランジスタと1つの容量素子とを有する複数のメモリセルとを備え、前記ビット線上に前記容量素子を配置した半導体集積回路装置であって、
半導体基板上において2つのワード線及び1つのビット線と交差し、前記第1及び第2方向と異なる第3方向に延びる活性領域と、
前記活性領域内に形成され、前記トランジスタのソース、ドレインとして機能する第1及び第2半導体領域と、
前記容量素子を構成する第1及び第2電極と、前記第1及び第2電極間に位置する誘電体膜と、
前記ビット線と前記第1電極との間に位置する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜に設けられた第1開孔内に形成され、前記第1及び第2半導体領域の一方と、前記第1電極とを電気的に接続するための第1導体層と、
前記ビット線と前記第1及び第2半導体領域の他方を前記第ビット線と前記活性領域の交点において接続する第3導体層とからなり、 前記第1導体層は、前記ワード線とビット線で囲まれた領域の各々に配置され、 前記第1導体層の前記第2方向における幅は、前記ワード線の幅よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項9記載の半導体集積回路装置において、更に前記第1導体層と前記第1及び第2半導体領域の一方との間に配置された第2導体層を有し、前記第1方向において、前記第2導体層の幅は、前記第1導体層の幅よりも大であることを特徴とする半導体集積回路装置。
- 請求項10記載の半導体集積回路装置において、
前記第1方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項10記載の半導体集積回路装置において、
前記第2方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも大であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項9において、
前記ビット線の幅は、前記ワード線の幅よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1方向に延びる複数のワード線と、前記第1方向に交差する第2方向に延びる複数のビット線と、前記ワード線とビット線の交点に配置されたそれぞれが1つのトランジスタと1つの容量素子とを有する複数のメモリセルとを備え、前記ビット線上に前記容量素子を配置した半導体集積回路装置であって、
半導体基板上に形成された前記容量素子を構成する第1及び第2電極と、前記第1及び第2電極間に位置する誘電体膜と、
前記ビット線と前記第1電極との間に位置する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜に形成された第1開孔内に形成され、前記トランジスタと、前記第1電極とを電気的に接続するための第1導体層とからなり、
前記第1導体層は前記ワード線とビット線によって囲まれた領域の各々に配置され、前記ビット線の幅は、前記ワード線の幅よりも小であり、前記第1導体層と前記第1及び第2半導体領域の一方との間に配置された第2導体層を有し、前記第1方向において、前記第2導体層の幅は、前記第1導体層の幅よりも大であり、前記第1方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも小であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項14記載の半導体集積回路装置において、
前記第2方向において隣接する第2導体層の中心間距離は、前記第2導体層の上に配置された前記第1導体層の中心間距離よりも大であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 半導体基板上に、隣接する第1,第2及び第3導体層を形成する工程と、
前記第1,第2及び第3導体層の上部及び側壁に第1絶縁膜を形成する工程と、 前記第1,第2及び第3導体層間が埋まるように、前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2導体層間の半導体基板表面が露出するように、前記第2絶縁膜及び第1絶縁膜に第1開孔を形成する工程と、
前記第1開孔内に第4導体層を形成する工程と、
前記第2及び第3導体層間の半導体基板表面が露出するように、前記第2絶縁膜及び第1絶縁膜に第2開孔を形成する工程と、
前記第2開孔内に第5導体層を形成する工程と、
前記第4および第5導体層上に第3絶縁膜を形成し、前記第3絶縁膜に、前記第5導体層の一部を露出する第3開孔を形成する工程と、
前記第3開孔内に第6絶縁膜を形成し、前記第6絶縁膜に異方性エッチングを施し、前記第3開孔の側壁に側壁絶縁膜を残す工程と、
前記第3開孔内を第6導体層で埋める工程とからなる半導体集積回路装置の製造方法。 - 半導体基板上のメモリセル形成領域に第1及び第2導体層を、周辺回路形成領域に第3導体層を形成する工程と、
前記第1、第2及び第3導体層上に、前記第1及び第2導体層間が埋まらない程度の膜厚の第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1、第2及び第3導体層上に、前記第1及び第2導体層間が埋まるような膜厚の第2絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセル領域を第3絶縁膜で覆った状態で、前記第3導体層上の第1、第2絶縁膜に異方性エッチングを施し、前記第3導体層の側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセル領域の第2絶縁膜上に、第4絶縁膜を形成する工程と、
前記第4、第2及び第1絶縁膜エッチングを施し、前記第1、第2導体層間に開孔を形成する工程とからなり、前記第1絶縁膜は窒化珪素膜であり、前記第2及び第4絶縁膜は酸化珪素膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16632099A JP4063450B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 半導体集積回路装置 |
TW089110509A TW473987B (en) | 1999-06-14 | 2000-05-30 | Semiconductor integrated circuit device and manufacture thereof |
US09/592,648 US6621110B1 (en) | 1999-06-14 | 2000-06-13 | Semiconductor intergrated circuit device and a method of manufacture thereof |
KR1020000032336A KR100650468B1 (ko) | 1999-06-14 | 2000-06-13 | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US10/630,695 US6809364B2 (en) | 1999-06-14 | 2003-07-31 | Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16632099A JP4063450B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000353793A JP2000353793A (ja) | 2000-12-19 |
JP2000353793A5 true JP2000353793A5 (ja) | 2004-09-30 |
JP4063450B2 JP4063450B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=15829179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16632099A Expired - Fee Related JP4063450B2 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6621110B1 (ja) |
JP (1) | JP4063450B2 (ja) |
KR (1) | KR100650468B1 (ja) |
TW (1) | TW473987B (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2839581B1 (fr) * | 2002-05-07 | 2005-07-01 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique comprenant un condensateur et au moins un composant semiconducteur, et procede de conception d'un tel circuit |
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JP4627977B2 (ja) | 2003-10-14 | 2011-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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KR100604911B1 (ko) | 2004-10-20 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 하부전극 콘택을 갖는 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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KR100898394B1 (ko) | 2007-04-27 | 2009-05-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-06-14 JP JP16632099A patent/JP4063450B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-30 TW TW089110509A patent/TW473987B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-13 US US09/592,648 patent/US6621110B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-13 KR KR1020000032336A patent/KR100650468B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-07-31 US US10/630,695 patent/US6809364B2/en not_active Expired - Lifetime
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