JP2000340701A - 配線部材とその製造方法、及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体素子をプリント回路基板に搭載するた
めのインターポーザ用の配線部材あるいは半導体装置形
成用の配線部材と、その製造方法。 【解決手段】 金属板材にビアホールを形成するための
貫通孔１１５を設けて導電性基板１１０を形成する工程
と、一面が導電性を有する基板をベース基材２１０と
し、その導電性面状に、ビアホール形成用の端子１３５
を含み、配線部を選択めっき形成して転写版を形成する
工程とを行った後、転写版の配線部を設けた側を導電性
基板に向け位置合わせし、絶縁接着層１４０を介して両
者を密着させ、導電性基板の露出部分を覆い、貫通孔を
埋めるように絶縁層１２０を設け、次いでビアホールの
絶縁層を除去して配線部の端子を露出させ開口部１５０
を設け、開口部を電解めっきで埋め、ビアホール１６０
を形成し、ベース基材を剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をプリ
ント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の配線
部材あるいは半導体装置形成用の配線部材と、その製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどって
きている。これに伴い、信号の高速処埋には，パッケー
ジ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になっ
てきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッ
ケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与
える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに
対応してきた。この結果、半導体装置の高集積化、高機
能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子
化が求められるようになってきた。多端子ＩＣ、特にゲ
ートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあ
るいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎ
ａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス
高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレーム
を用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを
超えるものまで実用化に至っている。ＱＦＰは、ダイパ
ッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理が
なされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とを
ワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダ
ムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多
端子化に対応できるものとして開発されてきた。ここで
用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％
ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が
高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオ
トエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形
加工されていた。

【０００３】しかし、半導体素子の信号処理の高速化、
高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになっ
てきた。ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることによ
り、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に
対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端
子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するた
め、フオーミング等の後工程におけるアウターリードの
スキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難し
くなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難
しくなるという問題を抱えていた。このようなＱＦＰの
実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッチックパッケ
ージが開発されてきた。このＢＧＡは、通常、両面基板
の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半
田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）
との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケ
ージである。ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設
けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔
（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実
装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応
できた。このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）
を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片
面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子から
ボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディ
ングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体
装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥
状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外
部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッド
の間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続し
ている構造である。

【０００４】しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成
したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワ
イヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリン
ト基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子
部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹
脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる
等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が
多かった。尚、ここでは、ＢＧＡのように、二次元的に
端子を配列した構造のものをエリアアレイタイプと言
う。

【０００５】この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の
向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金
属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、こ
れ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を
形成したエリアアレイタイプの半導体装置も種々提案さ
れている。このタイプのものは、基本的に、金属薄板の
板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＢＴレ
ジン（ビスマレイド樹脂）を用いたＢＧＡは、多端子化
には有利であるものの、信頼性の面、作製上の面で問題
が多く、また金属薄板をエッチング加工等により所定の
形状に加工したもの（リードフレーム）をコア材として
配線を形成したエリアアレイタイプのものは、近年の更
なる多端子化には対応できないという問題がある。本発
明は、これらの問題に対応するもので、具体的には、半
導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用
の配線部材、あるいは、半導体素子と一体として半導体
装置を形成するための半導体装置形成用の配線部材で、
高密度、微細配線が可能で、且つ、電気特性の面でも優
れた配線部材を製造するための、配線部材の製造方法を
提供しようとするものである。特に、高密度、微細配線
が可能で、且つ、電気特性の面でも優れたエリアアレイ
タイプの半導体装置を作製することができる配線部材
と、その製造方法を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の配線部材の製造
方法は、半導体素子をプリント回路基板に搭載するため
のインターポーザ用の配線部材、あるいは半導体装置形
成用の配線部材で、金属板材の所定箇所に貫通孔を設け
た導電性基板の第１の面側に、選択めっき形成された配
線部を絶縁性層を介して設け、前記配線部に接続し、導
電性基板の第２の面側に到達するビアホールを配設し、
ビアホールの第２の面側を端子部としており、且つ、少
なくとも、導電性基板の所定の貫通孔に、貫通孔の壁面
全体を覆うよう絶縁層を設けて、導電性層で貫通孔を埋
める充填タイプのビアホールを有する配線部材を、製造
するための、配線部材の製造方法であって、（ａ）金属
板材にビアホールを形成するための貫通孔を設けて導電
性基板を形成する導電性基板形成工程と、（ｂ）少なく
とも一面が導電性を有する基材をベース基材とし、その
導電性面上に、ビアホール形成用の端子を含み、配線部
を選択めっき形成して、転写版を形成する転写版形成工
程とを行った後、順次、（ｃ）転写版の配線部を設けた
側を導電性基板に向け、転写版と前記導電性基板とを位
置合わせし、絶縁接着層を介して両者を密着させる密着
工程と、（ｄ）密着工程により転写版と導電性基板とを
密着している状態で、導電性基板の露出部分を覆い、且
つ、貫通孔を埋めるように、絶縁層を設ける絶縁層形成
工程と、（ｅ）ビアホールを形成するための貫通孔の絶
縁層、および絶縁接着層を、導電性基板の第１の面に対
向する第２の面側から、少なくとも所定の貫通の壁面全
部に絶縁層が覆われた状態で、且つ、配線部の端子が露
出するように除去して、開口を設ける開口形成工程と、
（ｆ）開口形成工程により露出した配線部の端子に導電
性層を電解めっきにより形成して、開口を埋めた充填タ
イプのビアホールを形成する電解めっき工程と、（ｇ）
ベース基材のみを剥離して、配線部をベース基板から導
電性基板側に転写形成する、ベース基材剥離工程とを行
うことを特徴とするものである。そして、上記におい
て、縁層形成工程が、電着により絶縁層を形成するもの
であることを特徴とするものであり、絶縁層を設けるた
めの電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、
該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオ
ン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料
組成物にて、電着を行うものであることを特徴とするも
のである。あるいはまた、上記において、縁層形成工程
が、印刷法により絶縁層を形成するものであることを特
徴とするものである。

【０００８】また、上記において、転写版と導電性基板
とを密着する際、絶縁接着層を、転写版の、めっき形成
された導電性層側面に設けた後に、密着を行うものであ
ることを特徴とするものであり、絶縁接着層の形成は、
電着により形成するものであることを特徴とするもので
ある。あるいはまた、上記において、転写版と導電性基
板とを密着する際、絶縁接着層を、導電性基板側に設け
た後に、密着を行うものであることを特徴とするもので
ある。また、上記において、絶縁接着層として、絶縁性
且つ接着性を有するフィルムを用いることを特徴とする
ものである。また、上記において、開口形成工程では、
特定の貫通孔については、壁面の一部を絶縁層から露出
するように開口を設けておき、且つ、充填タイプのビア
ホールを形成する電解めっき工程で、前記特定の貫通孔
の壁面で導電性基板に電気的に接続するようにビアホー
ルを形成することを特徴とするものである。

【０００９】また、上記において、ベース基材剥離工程
の後に、所定の部分にのみ端子めっきを施すことを特徴
とするものであり、端子めっきとして最表面に無電解Ｓ
ｎめっきを施すことを特徴とするものである。

【００１０】また、上記において、導電性基板が、銅基
板あるいは銅基板表面にめっき処理を施したものである
ことを特徴とするものである。また、上記において、導
電性基板の半導体素子搭載領域全てが、貫通孔となって
いることを特徴とするものである。

【００１１】本発明の配線部材は、上記本発明の配線部
材の製造方法により作製されたことを特徴とするもので
ある。そして、上記において、導電性基板の所定の貫通
孔に、貫通孔の壁面全体を覆うよう絶縁層を設けて、導
電性層で貫通孔を埋める充填タイプのビアホールを、二
次元的に配列（これをエリアアレイと言う）しているこ
とを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、貫通孔の壁面で導電性基板に電気的に接続するよう
に、導電性層のみで、あるいは絶縁層と導電性層で貫通
孔を埋める充填タイプのビアホールを有することを特徴
とするものである。また、上記において、導電性基板の
半導体素子搭載領域全てが、貫通孔となっていることを
特徴とするものである。あるいはまた、上記において、
導電性基板の半導体素子搭載領域は、金属板材の金属部
を吊るように残して孔開け加工されていることを特徴と
するものである。尚、上記において、二次元的に配列
（これをエリアアレイと言う）とは、配線部材の辺に沿
い一次元的に配列するのではなく、配線部材の面に格子
状等、二次元的に配列するものである。ＢＧＡ等のエリ
アアレイタイプの外部端子の配列がこれに当たり、外部
端子を二次元的に配列して持つ半導体装置を、一般に
は、エリアアレイタイプの半導体装置と言う。

【００１２】本発明の半導体装置は、上記本発明の配線
部材を用いたことを特徴とするものである。そして、上
記において、導電性基板を、グランド層としていること
を特徴とするものである。

【００１３】

【作用】本発明の配線部材の製造方法は、このような構
成にすることにより、半導体素子をプリント回路基板に
搭載するためのインターポーザ用の配線部材、あるいは
半導体装置形成用の配線部材で、高密度、微細配線が可
能で、且つ、電気特性の面でも優れた配線部材の製造方
法の提供を可能とするものである。特に、高密度、微細
配線が可能で、且つ、電気特性の面でも優れたエリアア
レイタイプの半導体装置を作製することができる配線部
材の製造方法の提供を可能とするものである。具体的に
は、（ａ）金属板材にビアホールを形成するための貫通
孔を設けて導電性基板を形成する導電性基板形成工程
と、（ｂ）少なくとも一面が導電性を有する基材をベー
ス基材とし、その導電性面上に、ビアホール形成用の端
子を含み、配線部を選択めっき形成して、転写版を形成
する転写版形成工程とを行った後、順次、（ｃ）転写版
の配線部を設けた側を導電性基板に向け、転写版と前記
導電性基板とを位置合わせし、絶縁接着層を介して両者
を密着させる密着工程と、（ｄ）密着工程により転写版
と導電性基板とを密着している状態で、導電性基板の露
出部分を覆い、且つ、貫通孔を埋めるように、絶縁層を
設ける絶縁層形成工程と、（ｅ）ビアホールを形成する
ための貫通孔の絶縁層、および絶縁接着層を、導電性基
板の第１の面に対向する第２の面側から、少なくとも所
定の貫通の壁面全部に絶縁層が覆われた状態で、且つ、
配線部の端子が露出するように除去して、開口を設ける
開口形成工程と、（ｆ）開口形成工程により露出した配
線部の端子に導電性層を電解めっきにより形成して、開
口を埋めた充填タイプのビアホールを形成する電解めっ
き工程と、（ｇ）ベース基材のみを剥離して、配線部を
ベース基板から導電性基板側に転写形成する、ベース基
材剥離工程とを行うことにより、これを達成している。

【００１４】上記において、転写は、転写する際の絶縁
接着層を、転写版の、めっき形成された導電性層側面に
設けた後、あるいは、導電性基板側に予め設けておい
て、両者を密着した方が、位置合わせ等の面で作業がし
易い。転写する際の絶縁接着層としては、絶縁性且つ接
着性を有するフィルムを用いると作業面で楽である。転
写版に対し、その配線部を覆うように、露出した部分に
絶縁性接着性樹脂を電着により形成して設けておく方法
は、作業性、品質面で優れている。

【００１５】縁層形成工程としては、電着により絶縁層
を形成する方法、印刷法により絶縁層を形成する方法が
挙げられる。電着法の場合、導電性基板を電極とするこ
とにより、その露出した全面に電着樹脂層を形成するこ
とができ、貫通孔形状によらずその表面部に形成するこ
とができる。電着形成する絶縁層としては、熱的、化学
的、機械的に安定したものが好ましく、イオン性基を含
有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能
な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン
性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、乾
燥、必要に応じ熱処理を施して得たものが好ましい。印
刷法の場合は、貫通孔部に絶縁層を充填するための印刷
と、導電性基板の表裏面を覆う印刷とを分け行う。

【００１６】ベース基材剥離工程の後に、第１の面側
の、半導体素子を搭載するための入出力端子部の表面に
は、接続用の端子めっきを施すが、端子めっきとして最
表面に無電解Ｓｎめっきを施して置くと、金（Ａｕ）、
錫（Ｓｎ）との共晶で接続する場合には有利である。勿
論、端子めっきとして最表面にＡｕめっきを施して、金
（Ａｕ）−金（Ａｕ）の共晶で接続しても良い。

【００１７】本発明の配線部材は、このような構成にす
ることにより、半導体素子をプリント回路基板に搭載す
るためのインターポーザ用の配線部材、あるいは半導体
装置形成用の配線部材で、高密度、微細配線が可能で、
且つ、電気特性の面でも優れた配線部材の提供を可能と
するものである。特に、高密度、微細配線が可能で、且
つ、電気特性の面でも優れたエリアアレイタイプの半導
体装置を作製することができる配線部材の提供を可能と
するものである。また、半導体装置の薄型化にも対応で
きるものである。即ち、上記本発明の配線基板の製造方
法により作製されたもので、導電性基板を設けているこ
とにより、機械的に強固なものとし、放熱性の面でも優
れたものとし、また、選択めっき形成された配線部を設
けていることより、配線の高密度化、微細化に対応で
き、半導体装置のますますの多端子化にも対応できるも
のとし、更に、充填タイプのビアホールを設けているこ
とにより、その表裏の電気的導通を確実なものとしてい
る。特に、エリアアレイタイブの半導体装置に適用した
場合には、配線の高密度化、微細化、多端子化に対し有
効である。また、貫通孔の壁面で導電性基板に電気的に
接続するように、導電性層のみで、あるいは絶縁層と導
電性層で貫通孔を埋める充填タイプのビアホールを有す
ることにより、導電性基板をグランド層として使用する
ことができ、電気的に安定な構造となる。また、導電性
基板の半導体素子搭載領域全てが、貫通孔となっている
ことにより、半導体素子搭載の際には、その放熱を少な
くして、熱効率を良いものとできる。あるいはまた、導
電性基板の半導体素子搭載領域を吊るように孔開け加工
することにより、半導体素子搭載を安定的なものとする
とともに、半導体素子（チップとも言う）搭載の際に
は、その放熱を少なくして、熱効率を良いものとでき
る。

【００１８】導電性基材としては、経済的な面等から銅
基板が挙げられるが、特にこれに限定はされない。電着
樹脂層は、電気的絶縁性、強度の点で優れたものが好ま
しいが、特に限定はされない。例えば、カルボキシル基
を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポ
リイミド電着液を用いて電着形成されたものが挙げられ
る。

【００１９】尚、本発明の配線部材は、ＣＳＰ（Ｃｈｉ
ｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置用
の配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄ
ｕｌｅ）用の配線基板にも適用できることは言うまでも
ない。

【００２０】本発明の半導体装置は、このような構造に
することにより、高密度、微細配線が可能で、且つ、電
気特性の面でも優れた半導体装置の提供を可能とするも
ので、特に、益々の高密度化、多端子化が進むエリアア
レイタイプの半導体装置の提供を可能とするものであ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を挙げて、図
に基づいて説明する。図１は本発明の配線部材の製造方
法の実施の形態の１例の工程図で、図２は絶縁接着層の
形成を説明するための断面図で、図３は絶縁層の形成を
説明するための断面図で、図４（ａ）は本発明の配線部
材の実施の形態の第１の例の一部を示した断面図で、図
４（ｂ）は図４（ａ）のＡ１−Ａ２における断面の一部
を示した図で、図４（ｃ）、図４（ｄ）は特定の貫通孔
の形状を示した図で、図５（ａ）は図４（ａ）のＡ３−
Ａ４における断面の一部を示した図で、図５（ｂ）は図
４（ａ）をＡ０側からみた半導体素子との接続用端子部
の配列を示した図で、図６（ａ）は、本発明の配線部材
の実施の形態の第２の例の一部を示した断面図で、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面の一部を
示した図で、図７（ａ）は、本発明の配線部材の実施の
形態の第３の例の一部を示した断面図で、図７（ｂ）は
図７（ａ）のＣ１−Ｃ２における断面の一部を示した図
で、図８は本発明の半導体装置の実施の形態例を示した
図である。図１〜図８中、１１０は導電性基板、１１５
は貫通孔、１２０、１２１、１２２は絶縁層、１３０は
配線（部）、１３５はビアホール形成用端子（配線）、
１４０は接着剤層、１５０は開口部、１６０はビアホー
ル（導電性層）、１６０Ｓは端子部、１７０は保護層
（ＯＰ層）、１８０は接続用端子部、２１０はベース基
板（導電性基板）、２２０はレジストパターン、２５０
は半導体素子、２５１は端子部（パッド）、２６０は半
田ボール、２７０はアンダーフィル、２８０は封止用樹
脂（ポッティング樹脂）である。

【００２２】はじめに、本発明の配線部材の製造方法の
実施の形態の１例を、図１に基づいて説明する。本例
は、エリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板で、
半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインタ
ーポーザでもある配線部材を製造する方法である。更に
詳しくは、金属板材の所定箇所に貫通孔を設けた導電性
基板の第１の面側に、選択めっき形成された配線部を絶
縁性層を介して設け、前記配線部に接続し、導電性基板
の第２の面側に到達するビアホールを配設し、ビアホー
ルの第２の面側を端子部としており、且つ、少なくと
も、導電性基板の所定の貫通孔に、貫通孔の壁面全体を
覆うよう絶縁層を設けて、導電性層で貫通孔を埋める充
填タイプのビアホールを有する配線部材を製造するため
の、配線部材の製造方法である。先ず、少なくとも一面
が導電性を有する基材をベース基材２１０とし、その導
電性面上に、ビアホール形成用の端子を含み、配線部を
選択めっき形成して、転写版を形成しておく。（図１
（ａ）） 転写版（図１（ａ）の状態のもの）の形成は、通常、め
っき剥離性の良いベース基板２１０を用意しておき（図
２（ａ））、この導電性の面上に、耐めっき性のレジス
トパターンを所定の形状に形成する。（図２（ａ）） レジストとしてはノボラック系レジスト等が用いられ
る。レジストパターンの形成は、一般に、ベース基板２
１０上にレジストを塗布、乾燥した後、所定のパターン
版を用いて密着露光して、現像することにより形成す
る。次いで、電解めっきにより、レジストパターンの開
口から露出しているベース基板２１０の導電性面上に配
線部１３０を形成する。（図２（ｃ）） 配線部１３０としては、通常、銅層が用いられるが、こ
れに限定はされない。金属層を多層に設けても良い。こ
の後、レジストパターンを所定の剥離液等により除去
し、必要に洗浄処理を施しておく。（図２（ｄ）） これにより、図１（ａ）に示す転写版は形成できる。

【００２３】一方、金属板材にビアホールを形成するた
めの貫通孔を設けて導電性基板１１０を準備しておく。
（図１（ｂ）） 金属板材への貫通孔の形成は、エッチングによる加工、
機械的な加工が挙げられるが、これに限定はされない。
エッチングによる加工としては、例えば、重クロム酸カ
リウムを感光剤とするカゼインレジストを金属板材の両
面に塗布し、貫通孔の形状に合わせたパターン版を用い
て、両側のレジストを密着露光した後、現像、乾燥し、
所定形状にレジストパターンを形成し、これを耐エッチ
ングマスクとしてエッチングする。金属板材を銅層とし
た場合には、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液等
が用いられる。この場合、エッチング後に、レジストを
熱アルカリ液により除去する。

【００２４】次いで、転写版の配線部１３０を設けた側
を導電性基板１１０に向け、転写版と前記導電性基板１
１０とを位置合わせし、絶縁接着層１４０を介して両者
を密着させる。（図１（ｃ）） 必要に応じて、圧、熱をかける。絶縁接着層１４０の形
成は、スクリンーン印刷等による印刷法、ダイコート
法、電着法により、配線部１３０を覆うように、図２
（ｄ）の状態（図１（ａ）ｋ状態に相当）から絶縁接着
層１４０を全面に形成する（図２ｅ））のが一般的であ
るが、場合によっては導電性基板側に絶縁接着層１４０
を設けておいても良い。絶縁接着層１４０としては、常
温ないし加熱により接着性を示し、且つ、電気的絶縁
性、化学的安定性、強度の点で優れたものが好ましい。
スクリンーン印刷等による印刷法、ダイコート法により
形成される絶縁接着層１４０としては、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ノボラ
ック樹脂、ビスマレイド樹脂等が挙げられる。

【００２５】電着法は、作業面、品質面から優れた方法
と言える。電着樹脂層（絶縁接着層１４０）を電着形成
するための電着液に用いられる高分子としては、電着性
を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子
樹脂を挙げることができる。アニオン性高分子樹脂とし
ては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油
樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの
樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さ
らに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエ
ノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用して
も良い。また、カチオン性合成高分子樹脂としては、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独
で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物とし
て使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹
脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を
併用しても良い。また、上記の高分子樹脂に粘着性を付
与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘
着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能であ
る。上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質によ
り中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で
電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹
脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエ
タノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン
類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和す
る。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピ
オン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水
に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型と
して水に希釈された状態で使用される。特に、絶縁性、
強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１３０がポリイ
ミド樹脂であるとが好ましい。例えば、カルボキシル基
を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポ
リイミド電着液を用いて電着形成されるものが挙げられ
る。

【００２６】次いで、転写版と導電性基板１１０とを密
着している状態で、導電性基板１１０の露出部分を覆
い、且つ、貫通孔１１５を埋めるように、絶縁層１２０
を設ける。（図１（ｄ）） 絶縁層１２０の形成方法としては、印刷法、電着法が挙
げられる。印刷法の場合は、例えば、先ず、図３（ａ）
の状態（図１（ｃ）の状態に相当）から、貫通孔１１５
を絶縁層で埋めるため、孔埋め印刷をスクリーン印刷を
行う（図３（ｂ））。次いで、導電性基板の露出面側全
体を覆うようにスクリーン印刷を行う。（図３（ｃ）） 絶縁層１２０も、常温ないし加熱により接着性を示し、
且つ、電気的絶縁性、化学的安定性、強度の点で優れた
ものが好ましい。印刷法の場合の絶縁層１２０として
は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ア
クリル樹脂、ノボラック樹脂、ビスマレイド樹脂等が挙
げられる。この方法は、２段階の印刷が必要で手間がか
かる。電着法の場合は、導電性基板１１０側を、電極と
して、図３（ａ）の状態から電着により電着樹脂層を形
成する（図３（ｄ））もので、貫通孔の形状に寄らず、
表面部を確実に覆うことができる。電着樹脂層（絶縁層
１２０）を電着形成するための電着液に用いられる高分
子としては、電着樹脂層（絶縁接着層１４０）を電着形
成するための電着液に用いられる高分子と同様のものが
用いられる。

【００２７】次いで、ビアホールを形成するための貫通
孔１１５の絶縁層１２０、および端子部１３５を覆う絶
縁接着層１４０を、導電性基板１１０のの第１の面（こ
こでは配線部１３０側の面を言う）に対向する第２の面
側から、少なくとも所定の貫通孔１１５の壁面全部に絶
縁層１２０が覆われた状態で、且つ、配線部１３０の端
子１３５が露出するように、レーザ照射等に孔開け加工
して開口１５０を設け、配線部の端子１３５を露出させ
る。（図１（ｅ）） 導電性基板１１０と電気的に接続する必要がある特定の
貫通孔以外の、貫通孔１１５については、貫通孔の壁面
全部に絶縁層で覆われた状態とする。導電性基板１１０
と電気的に接続する必要がある特定の貫通孔について
は、その壁面全部ないし一部が露出するように絶縁層で
覆われた状態とする。

【００２８】次いで、第２の面側から露出した配線部の
端子１３５に導電性層を電解めっきにより形成し、導電
性基板の第２の面に達するように開口１５０を埋めて、
充填タイプのビアホール１６０を形成する。（図１
（ｆ）） 通常、導電性層としては銅層が用いられる。

【００２９】次いで、ベース基材２１０のみを剥離し、
配線部１３０をベース基板２１０から導電性基板１１０
側に転写形成する。（図１（ｇ））

【００３０】次いで、配線部１３０形成側の面に、半導
体素子の端子と接続するための接続用端子部を形成する
領域のみを露出させて、保護層（ＯＰ層）１７０で覆っ
た後、保護層（ＯＰ層）１７０から露出した配線部１３
０上に接続用端子１８０をめっき形成する。（図１
（ｈ）） 保護層（ＯＰ層）は、例えば、感光性ポリイミドを全面
に塗布、乾燥した後、所定のパターン版を用いて露光
し、現像処理を行うことにより形成することができる。
接続用端子１８０の形成は、無電解めっき等により行
う。半導体素子の端子と金（Ａｕ）−金（Ａｕ）共晶、
金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）共晶する場合には、それぞれ、
最表面をＡｕ層、Ｓｎ層としておく。

【００３１】次に、本発明の配線部材の実施の形態を説
明する。本発明の配線部材の実施の形態の第１の例を、
図４、図５に基づいて説明する。第１の例の配線部材
は、上記図１に示す配線部材の製造方法により形成され
るもので、エリアアレイタイプの半導体装置用の配線基
板で、半導体素子をプリント回路基板に搭載するための
インターポーザでもある。図４（ａ）に断面の一部を示
すように、金属板材の所定箇所に貫通孔を設けた導電性
基板１１０の一方の面（これを第１の面とする）側に、
選択めっき形成された配線部１３０を絶縁性層である絶
縁層１２０、接着剤層１４０を介して設け、且つ、配線
部１３０に接続し、導電性基板１１０の第１の面に対向
する第２の面側に到達するビアホール１６０を配し、ビ
アホール１６０の第２の面側を端子部１６０Ｓとしてい
る。そして、導電性基板１１０の所定の貫通孔１１５
に、貫通孔１１５の壁面全体を覆うよう絶縁層を設け
て、導電性層で貫通孔１１５を埋め、充填タイプのビア
ホール１６０を形成している。

【００３２】図４（ａ）や図４（ｂ）に示すように、ほ
とんどのビアホール１６０は、貫通孔１１５の壁面全体
を覆う絶縁層１２０と、導電性層（ビアホール１６０）
とで貫通孔１１５を埋めるように形成されているが、特
定の貫通孔１１５においては、図４（ｃ）に示すよう
に、貫通孔１１５の壁面全体と電気的に接続す導電性層
（ビアホール１６０）を設け、導電性層（ビアホール１
６０）のみで貫通孔１１５を埋めて、導電性基板１１０
と特定の配線のみを電気的に接続している。これは半導
体装置を作製する際に、導電性基板１１０をグランドと
して使用することを前提とするものである。図４（ｃ）
に示す貫通孔の変形例としては、図４（ｄ）のように、
絶縁層１２０と導電性層（ビアホール）１６０とで貫通
孔１１５を埋めるようにしても良い。

【００３３】配線部１３０は、本例では、図５（ａ）に
示すように形成されている。図４（ａ）は断面の一部を
示したもので、ビアホール１６０と接続している配線の
端子部１３５は２列に、図５（ｂ）に示す接続用端子１
８０の配列に沿い設けられている。ここでは全体を図示
していないが、四角状に２列に、二次元的に設けられて
いる。尚、図５（ａ）のＡ５−Ａ６における断面が図４
（ａ）に対応する。

【００３４】ビアホール１６０の端子部１６０Ｓは外部
回路と接続するためのもので、前述のビアホール１６０
と接続する配線の端子部１３５と同じ配列で、四角状に
２列に設けられている。

【００３５】配線部１３０は、一般には、銅層を主材と
するものが使用されるが、これに限定はされない。複数
の金属層を多層に設けても良い。接続用端子１８０は半
導体素子の端子（図示していない）と、接続するための
端子で、各端子１８０は、それぞれ配線１３０上にめっ
き形成されている。ここでは、図５（ｂ）に示すような
４辺に一列に接続用端子１８０を配したものを挙げてい
るが、搭載する半導体素子の大きさ（半導体素子領域）
の中に接続用端子１８０を格子状に配列しても良く、図
５（ｂ）に示した配列に限定されない。本例では、半導
体素子の端子と金、錫共晶にて接続するための配線１３
０の表面に、順に、ニッケル層、錫（Ｓｎ）層を設け、
錫（Ｓｎ）層を最表層としている。導電性基板１１０と
しては、電気的特性、機械的強度、加工性、熱伝導性等
から銅基板、あるいは銅基板表面にＮｉめっき等を施し
たものが使用されるが、これに限定はされない。銅基
板、あるいは銅基板表面にＮｉめっき等を施したものの
場合、その厚さは、機械的強度の面からは０．００１ｍ
ｍ以上が好ましい。絶縁層１２０としては、電気的絶縁
性、化学的安定性、強度の点で優れたものが好ましい
が、特に限定はされない。絶縁層１２０、絶縁接着剤層
１４０としては、図１に示す配線部材の製造方法の説明
で挙げたものが用いられる。ここでは、説明を省略す
る。

【００３６】本例は、このように導電性基板１１０を設
けていることにより、全体を機械的に強固なものとし、
選択めっき形成された配線部１３０を設けていることよ
り、配線の高密度化、微細化に対応でき、半導体素子の
ますますの多端子化にも対応できるものとし、充填タイ
プのビアホール１６０を設けていることにより、その表
裏の電気的導通を確実なものとしている。

【００３７】次に、本発明の配線部材の実施の形態の第
２の例を図６に基づいて説明する。第２の例は、第１の
例において導電性基板１１０の形状を変えたもので、半
導体素子が搭載される領域全てが、貫通孔１１５Ａとな
っているもので、これ以外の点は、第１の例と同じで説
明を省略する。

【００３８】次に、本発明の配線部材の実施の形態の第
３の例を図７に基づいて説明する。第３の例は、第１の
例において導電性基板１１０の形状を変えたもので、半
導体素子搭載領域は、金属板材の金属部を吊るように残
して孔開け加工されているものである。これ以外の点
は、第１の例と同じで説明を省略する。

【００３９】次に、本発明の半導体装置の実施の形態の
例を、図８に基づいて説明する。図８（ａ）に示す第１
の例は、図４に示す配線部材を用いたもので、半導体素
子を配線部１３０の先端に設けられた接続用端子１８０
にその端子を下側にして搭載したものである。第１の例
は、半導体素子の端子部と接続用配線１８０との接合
を、金、錫共晶ないし金−金共晶にて行っているもので
ある。また、端子部（図４の１６０Ｓに相当）には、外
部回路基板（マザーボード）へ接続するための半田ボー
ル（バンプ）２６０を設けている。図８（ｂ）に示す第
２の例は、第１の例と同様、図４に示す配線部材を用い
たもので、半導体素子の端子部と接続用配線１８０との
接合を半田接合により行い、チップ搭載後にアンダーフ
ィルしたものである。第２の例も、端子部（図４の１６
０Ｓに相当）には、外部回路基板（マザーボード）へ接
続するための半田ボール（バンプ）２６０を設けてい
る。図８（ｃ）に示す第３の例は、図６に示す第２の例
の配線部材を用いたもので、半導体素子の端子部と接続
用配線１８０との接合を、金、錫共晶ないし金−金共晶
にて行い、ポッティングにより樹脂封止したものであ
る。第３の例も、端子部（図６の１６０Ｓに相当）に
は、外部回路基板（マザーボード）へ接続するための半
田ボール（バンプ）２６０を設けている。図８（ｄ）に
示す第４の例は、図７に示す第３の例の配線部材を用い
たもので、半導体素子の端子部と接続用配線１８０との
接合を、金、錫共晶ないし金−金共晶にて行い、ポッテ
ィングにより樹脂封止したものである。第４の例も、端
子部（図７の１６０Ｓに相当）には、外部回路基板（マ
ザーボード）へ接続するための半田ボール（バンプ）２
６０を設けている。

【００４０】これらの半導体装置の外部端子部（図４の
１６０Ｓに相当）は二次元的な配列（エリアアレイ配
列）で、配線部１３０の配線の引きまわしも比較的簡単
となるとともに、半導体素子の多端子化にも対応でき、
外部回路基板（マザーボード）への実装も実用レベルで
行える。

【００４１】

【実施例】更に、実施例を挙げて本発明を説明する。 （実施例１）実施例１は、図４に示す第１の例の配線部
材を、図１に示す配線部材の製造方法にて形成したもの
で、図１、図２、図４に基づいて説明する。先ず、転写
版（図１（ａ）に相当）を以下のようにして得た。導電
性のベース基板２１０として、０．０１ｍｍ厚のステン
レス板を準備し（図２（ａ））、ベース基板２１０上
に、市販のフォトレジストＯＭＲ−８５（東京応化工業
株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗
布し、オーブンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そ
して、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０
２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密
着露光を行った。露光条件は３０カウントとした。その
後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するフ
ォトレジスト層（レジストパターン２２０）を形成し
た。（図２（ｂ）） この後、転写版と含燐銅電極を対向させて、下記の組成
の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅
電極を、陰極に転写版のベース基板２１０を接続て、電
流密度２Ａ／ｃｍ² で２４分間の通電を行い、フォトレ
ジストデ被膜されていないベース基板２１０の露出面に
膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成し、これを配線部１
３０として得た。（図２（ｃ）） （硫酸銅めっき浴の組成） ＣｕＳｏ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ ２００ｇ／ｌ Ｈ₂ Ｓｏ₄ ５０ｇ／ｌ ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ

【００４２】次いで、レジスフトパターン２２０を除去
し、洗浄処理を施した（図２（ｄ））後、転写版の配線
部１３０とベース基板１１０の露出面を覆うように、電
着により、絶縁接着層を形成した。（図２（ｅ）） 配線部１３０を形成した転写版を、下記のように調整し
たアニオン型の絶縁樹脂層用の電着液中に浸漬し、定電
圧電源の陽極にベース基板２１０を、陰極に白金電極を
接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを
１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、配線部１３０
と露出したベース基板２１０面を覆うように、厚さ１５
μｍの接着性を有する絶縁樹脂層（絶縁接着層１４０）
を形成した。

【００４３】＜ポリイミドワニスの製造＞１１容量の三
つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，
窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に
玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気
流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中に
セパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温
で示す。３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ
（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ
（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．
０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、
ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、
トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴
中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温し
て１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応
させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷し
て、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジ
アミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ
（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添
加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次
いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分
１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系
外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反
応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。酸当量
（１個のＣＯＯＨ当たりのポリマー量は１５５４）は７
０である。 ＜電着液の調製＞２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇ
に３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−
ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベ
ンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ
（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４
％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。

【００４４】一方、導電性基板１１０は以下のようにし
て形成した。厚さ０．１５ｍｍの銅材（古河電工（株）
製ＴＥＣ６４‐Ｔ）を導電性基板を用い、その両面にレ
ジストパターンを所定の形状に形成した後、塩化第２鉄
（４３ボーメ）にて両面からエッチングして貫通孔１１
５を形成し、レジストを剥離して、必要に応じて、洗浄
処理等を施して、導電性基板１１０を得た。（図１
（ｂ）） レジストとしては重クロム酸カリウムを感光材とするカ
ゼインレジストを用た。レジストの剥離は熱アルカリ液
にて行った。次いで下記組成のＮｉめっきを電流密度５
Ａ／ｄｍ² 、１分間施し、約１μｍを該銅基板全面に施
した。 （スルフアミン酸ニッケル浴の組成） Ｎｉ（ＮＨ₂ Ｓｏ₃ ）₂ ・６Ｈ₂ ０ ４００ｇ／ｌ Ｈ₃ Ｂｏ₃ ３０ｇ／ｌ ＮｉＣｌ₂ ／６Ｈ₂ ０ １５ｇ／ｌ 添加剤 （メルテックス株式会社製） ナイカルＰＣ−３ ３０ｍｌ／ｌ ニッケルグリームＮＡＷ−４ ０．０２ｍｌ／ｌ 浴温度 ５５°Ｃ ｐＨ ４．０

【００４５】この後、絶縁接着層１４０を形成した転写
版（図１（ａ）に相当）を、絶縁接着層１４０形成面側
を、導電性基板１１０に向け、位置合わせして、両者を
下記の条件で圧着して密着した。（図１（ｃ）） 圧着条件 ２０Ｋｇ／ｃｍ² 温度 ２００°Ｃ

【００４６】次いで、転写版と導電性基板１１０とを密
着させた状態のまま、導電性基板１１０と白金電極とを
対向させ、上記の絶縁接着層１４０を電着形成したとき
に用いたのと同じ電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極
に導電性基板１１０、陰極に白金電極を接続し、１５０
Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５
分間で乾燥、熱処理して、導電性基板１１０の露出した
面を覆うように、厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹
脂層（絶縁層１２０）を形成した。（図１（ｄ））

【００４７】次いで、ポリイミドワニスからなる絶縁層
１２０を硬化処理した後、導電性基板１１０の配線部を
設けていない（第２の面と呼ぶ）側から、ビアホール形
成用の、導電性層をめっき形成するための開口１５０を
レーザ照射により形成した。（図１（ｅ）） レーザは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ（ＥＳＩジャパン株式会
社製 ５１００）を用いた。次いで、前述の硫酸銅めっ
き浴の組成を用い、同様の条件で、銅めっき層からなる
導電性層を形成してビアホール１６０を形成した。（図
１（ｆ））

【００４８】次いで、転写版のベース基板２１０のみ剥
離した（図１（ｇ））後、配線部を覆うように、感光性
のポリイミド層（日本ゼオン株式会社製、ＺＦＰＩ５５
００）を塗布し、所定の製版を行い、半導体素子の端子
と接続するための接続用端子部領域のみを開口させ、こ
の部分に、錫めっきを行い接続用端子部１８０を形成し
た。（図１（ｈ）） また、錫めっきは、無電解Ｓｎめっき液（シプレイ株式
会社製、ＬＴ−３４）を用い、所定の条件（７０°Ｃ、
３分浸漬）で、Ｓｎを最表面に析出した。

【００４９】（実施例２）実施例２は、実施例１におい
て、絶縁層１２０の形成を、印刷法により行ったもので
ある。印刷は、実施例１で用いた電着液を形成する際に
調製したポリイミドワニスをスクリーン印刷により印刷
したもので、印刷は貫通孔１１５を孔埋めする第１の印
刷を行った後に、露出した導電性基板１１０の面全体を
埋めるように第２の印刷を行った。 印刷後、１５０°
Ｃ、５分間乾燥し、導電性基板１１０面に厚さ１５μｍ
の接着性を有する絶縁層１２０を得た。（図１（ｅ）） この他は、実施例と同じで、説明を省略する。

【００５０】（実施例３）実施例３は、実施例１におい
て、転写版の配線部１３０上への絶縁接着層１４０の形
成と、転写版と導電性基板１１０とを密着させた状態で
の、絶縁層１２０の形成を、印刷法により行ったもので
ある。印刷は、実施例１で用いた電着液を形成する際に
調製したポリイミドワニスをスクリーン印刷により印刷
したものである。絶縁接着層１４０の形成の際の印刷は
１回で、絶縁層１２０を形成する際の印刷は、実施例２
と同様に２回に分けて行った。この他は、実施例と同じ
で、説明を省略する。

【００５１】（実施例４）実施例４は、実施例３におい
て、絶縁接着剤層１４０を印刷法により形成せず、導電
性基板１１０と転写版とを位置合わせし、両者間に絶縁
性接着フィルム（新日鐵株式会社製、エスパネックスＳ
ＰＢ−０３５Ａ）を下記の条件にし圧着して密着した。 圧着条件 ２０Ｋｇ／ｃｍ² 温度 ２００°Ｃ この他は、実施例３と同様で、ここでは説明を省略す
る。

【００５２】

【発明の効果】本発明は、上記のように、半導体素子を
プリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の
配線部材、あるいは半導体装置形成用の配線部材で、高
密度、微細配線が可能で、且つ、電気特性の面でも優れ
た配線部材を製造するための、配線部材の製造方法の提
供を可能とした。特に、高密度、微細配線が可能で、且
つ、電気特性の面でも優れたエリアアレイタイプの半導
体装置を作製することができる配線部材と、その製造方
法の提供を可能とした。これにより、多端子の半導体素
子のプリント回路基板（マザーボード）への搭載を実用
レベルで可能とし、益々の高密度実装に対応できるもの
とした。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線部材の製造方法の実施の形態の１
例の工程図

【図２】絶縁接着層の形成を説明するための断面図

【図３】絶縁層の形成を説明するための断面図

【図４】図４（ａ）は、本発明の配線部材の実施の形態
の第１の例の一部を示した断面図で、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ１−Ａ２における断面の一部を示した図で、
図４（ｃ）、図４（ｄ）は特定の貫通孔の形状を示した
図である。

【図５】図５（ａ）は図４（ａ）のＡ３−Ａ４における
断面の一部を示した図で、図５（ｂ）は図４（ａ）をＡ
０側からみた半導体素子との接続用端子部の配列を示し
た図である。

【図６】図６（ａ）は、本発明の配線部材の実施の形態
の第２の例の一部を示した断面図で、図６（ｂ）は図６
（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面の一部を示した図であ
る。

【図７】図７（ａ）は、本発明の配線部材の実施の形態
の第３の例の一部を示した断面図で、図７（ｂ）は図７
（ａ）のＣ１−Ｃ２における断面の一部を示した図であ
る。

【図８】本発明の半導体装置の実施の形態例を示した図

【符号の説明】

１１０ 導電性基板 １１５ 貫通孔 １２０、１２１、１２２ 絶縁層 １３０ 配線（部） １３５ ビアホール形成用端子（ビア
ホール接続用端子） １４０ 接着剤層 １５０ 開口部 １６０ ビアホール（導電性層） １６０Ｓ 端子部 １７０ 保護層（ＯＰ層） １８０ 接続用端子部 ２１０ ベース基板（導電性基板） ２２０ レジストパターン ２５０ 半導体素子 ２５１ 端子部（パッド） ２５２ 半田 パッド ２６０ 半田ボール ２７０ アンダーフィル ２８０ 封止用樹脂（ポッティング樹
脂）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA09 BB02 BB19 BC12 BC15 BC31 BC34 CC32 CC36 CC58 DD01 EE03 GG30 5E346 AA03 AA06 AA12 AA15 AA26 AA29 AA32 AA41 BB04 BB13 BB16 CC32 DD03 DD22 FF01 FF21 GG06 GG07 GG15 GG19 GG22 GG23 HH25 HH26

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子をプリント回路基板に搭載す
   るためのインターポーザ用の配線部材、あるいは半導体
   装置形成用の配線部材で、金属板材の所定箇所に貫通孔
   を設けた導電性基板の第１の面側に、選択めっき形成さ
   れた配線部を絶縁性層を介して設け、前記配線部に接続
   し、導電性基板の第２の面側に到達するビアホールを配
   設し、ビアホールの第２の面側を端子部としており、且
   つ、少なくとも、導電性基板の所定の貫通孔に、貫通孔
   の壁面全体を覆うよう絶縁層を設けて、導電性層で貫通
   孔を埋める充填タイプのビアホールを有する配線部材
   を、製造するための、配線部材の製造方法であって、
   （ａ）金属板材にビアホールを形成するための貫通孔を
   設けて導電性基板を形成する導電性基板形成工程と、
   （ｂ）少なくとも一面が導電性を有する基材をベース基
   材とし、その導電性面上に、ビアホール形成用の端子を
   含み、配線部を選択めっき形成して、転写版を形成する
   転写版形成工程とを行った後、順次、（ｃ）転写版の配
   線部を設けた側を導電性基板に向け、転写版と前記導電
   性基板とを位置合わせし、絶縁接着層を介して両者を密
   着させる密着工程と、（ｄ）密着工程により転写版と導
   電性基板とを密着している状態で、導電性基板の露出部
   分を覆い、且つ、貫通孔を埋めるように、絶縁層を設け
   る絶縁層形成工程と、（ｅ）ビアホールを形成するため
   の貫通孔の絶縁層、および絶縁接着層を、導電性基板の
   第１の面に対向する第２の面側から、少なくとも所定の
   貫通の壁面全部に絶縁層が覆われた状態で、且つ、配線
   部の端子が露出するように除去して、開口を設ける開口
   形成工程と、（ｆ）開口形成工程により露出した配線部
   の端子に導電性層を電解めっきにより形成して、開口を
   埋めた充填タイプのビアホールを形成する電解めっき工
   程と、（ｇ）ベース基材のみを剥離して、配線部をベー
   ス基板から導電性基板側に転写形成する、ベース基材剥
   離工程とを行うことを特徴とする配線部材の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、縁層形成工程が、電
   着により絶縁層を形成するものであることを特徴とする
   配線部材の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２において、絶縁層を設けるため
   の電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該
   ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン
   性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組
   成物にて、電着を行うものであることを特徴とする配線
   部材の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１において、縁層形成工程が、印
   刷法により絶縁層を形成するものであることを特徴とす
   る配線部材の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４において、転写版と導
   電性基板とを密着する際、絶縁接着層を、転写版の、め
   っき形成された導電性層側面に設けた後に、密着を行う
   ものであることを特徴とする配線部材の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５における絶縁接着層の形成は、
   電着により形成するものであることを特徴とする配線部
   材の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし４において、転写版と導
   電性基板とを密着する際、絶縁接着層を、導電性基板側
   に設けた後に、密着を行うものであることを特徴とする
   配線部材の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１ないし５、あるいは請求項７に
   おいて、絶縁接着層として、絶縁性且つ接着性を有する
   フィルムを用いることを特徴とする配線部材の製造方
   法。
9. 【請求項９】 請求項１なしい８において、開口部形成
   工程では、特定の貫通孔については、壁面の一部を絶縁
   層から露出するように開口を設けておき、且つ、充填タ
   イプのビアホールを形成する電解めっき工程で、前記特
   定の貫通孔の壁面で導電性基板に電気的に接続するよう
   にビアホールを形成することを特徴とする配線部材の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９において、ベース基
    材剥離工程の後に、所定の部分にのみ端子めっきを施す
    ことを特徴とする配線部材の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０において、端子めっきとし
    て最表面に無電解Ｓｎめっきを施すことを特徴とする配
    線部材の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項６ないし１５において、導電性
    基板が、銅基板あるいは銅基板表面にめっき処理を施し
    たものであることを特徴とする配線部材の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２において、導電性
    基板の半導体素子搭載領域全てが、貫通孔となっている
    ことを特徴とする配線部材の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１ないし１３に記載の配線部材
    の製造方法により作製されたことを特徴とする配線部
    材。
15. 【請求項１５】 請求項１４において、導電性基板の所
    定の貫通孔に、貫通孔の壁面全体を覆うよう絶縁層を設
    けて、導電性層で貫通孔を埋める充填タイプのビアホー
    ルを、二次元的に配列（これをエリアアレイと言う）し
    ていることを特徴とする配線部材。
16. 【請求項１６】 請求項１４なしい１５において、貫通
    孔の壁面で導電性基板に電気的に接続するように、導電
    性層のみで、あるいは絶縁層と導電性層で貫通孔を埋め
    る充填タイプのビアホールを有することを特徴とする配
    線部材。
17. 【請求項１７】 請求項１４ないし１６において、導電
    性基板の半導体素子搭載領域全てが、貫通孔となってい
    ることを特徴とする配線部材。
18. 【請求項１８】 請求項１４ないし１６において、導電
    性基板の半導体素子搭載領域は、金属板材の金属部を吊
    るように残して孔開け加工されていることを特徴とする
    配線部材。
19. 【請求項１９】 請求項１４ないし１８記載の配線部材
    を用いていることを特徴とする半導体装置。
20. 【請求項２０】 請求項１９において、導電性基板をグ
    ランド層としていることを特徴とする半導体装置。