JP2000132648A - リライタブルカードの処理方法およびその装置 - Google Patents
リライタブルカードの処理方法およびその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リライタブルカードの低温下における画像の
消し残りを防止して、消去特性の向上ならびに印字エリ
アの拡大を図る。 【解決手段】 環境温度センサ６９をカード処理装置に
取り付け、該センサ６９の測定温度に基づき、リライタ
ブルカードＣの印字層１に対し、本消去の前に予備消去
による加熱処理を施すか、本消去のみの１回とするかを
選択する。基準温度を例えば１５℃と定め、１５℃未満
の場合には本消去に先立って予備消去を行い、１５℃以
上の場合には本消去１回とし、低温下における画像の消
し残りを防止する。
消し残りを防止して、消去特性の向上ならびに印字エリ
アの拡大を図る。 【解決手段】 環境温度センサ６９をカード処理装置に
取り付け、該センサ６９の測定温度に基づき、リライタ
ブルカードＣの印字層１に対し、本消去の前に予備消去
による加熱処理を施すか、本消去のみの１回とするかを
選択する。基準温度を例えば１５℃と定め、１５℃未満
の場合には本消去に先立って予備消去を行い、１５℃以
上の場合には本消去１回とし、低温下における画像の消
し残りを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、定められた加熱／
冷却処理を施すことにより、文字や絵柄等の画像の消去
／印字を繰り返し行うことができる印字層を有するリラ
イタブルカードの処理方法およびその装置に係り、特
に、消去特性の向上を図ることができる技術に関する。
冷却処理を施すことにより、文字や絵柄等の画像の消去
／印字を繰り返し行うことができる印字層を有するリラ
イタブルカードの処理方法およびその装置に係り、特
に、消去特性の向上を図ることができる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、種々の磁気カードが広い分野で使
用されているが、それらの中には、カードを使用する都
度、流動的な可変情報を更新してカードに表示させる形
式のものがある。そのようなカードとしては、例えば、
金額の残高が表示されるテレフォンカードや鉄道カード
等のプリペイドカード、購入額に応じたポイントが加算
されて表示されるポイントカード、歯医者等において次
回の診察日時が表示される診察カード等が挙げられる。
可変情報である画像をカードに表示するには、従来、ド
ットインパクト式やサーマル式のプリンタによって画像
を印字する方式が一般的であった。ところがこのような
方式では、印字された画像は全て残り、その履歴が表示
されることになるので、必要な印字行数を確保するため
に印字画像を小さくしたり、印字エリアを広くする必要
が生じていた。そのため、印字画像が見にくくなった
り、模様や名前等の可変情報以外の固定的な画像を表示
するエリアが狭くなったりするといった不都合な面があ
った。
用されているが、それらの中には、カードを使用する都
度、流動的な可変情報を更新してカードに表示させる形
式のものがある。そのようなカードとしては、例えば、
金額の残高が表示されるテレフォンカードや鉄道カード
等のプリペイドカード、購入額に応じたポイントが加算
されて表示されるポイントカード、歯医者等において次
回の診察日時が表示される診察カード等が挙げられる。
可変情報である画像をカードに表示するには、従来、ド
ットインパクト式やサーマル式のプリンタによって画像
を印字する方式が一般的であった。ところがこのような
方式では、印字された画像は全て残り、その履歴が表示
されることになるので、必要な印字行数を確保するため
に印字画像を小さくしたり、印字エリアを広くする必要
が生じていた。そのため、印字画像が見にくくなった
り、模様や名前等の可変情報以外の固定的な画像を表示
するエリアが狭くなったりするといった不都合な面があ
った。
【０００３】そこで、近年、前回の画像が消去されると
ともに、同一箇所に最新の画像のみが印字されるいわゆ
るリライタブルカードが提供されている。このリライタ
ブルカードは、樹脂製基材に印字層として積層された熱
可逆性記録材料に対し、同材料に定められた加熱／冷却
処理をカード処理装置のサーマルヘッドユニットによっ
て施すことにより、画像の消去／印字、すなわちリライ
トが繰り返し行われるように成されている。そのカード
処理装置は、一般に、リライタブルカードを、消去ヘッ
ドとプラテンローラとの間から印字ヘッドとプラテンロ
ーラとの間に順次挟み込んで搬送しながら、加熱された
各ヘッドが印字層に圧接して消去／印字を行うよう構成
されている。
ともに、同一箇所に最新の画像のみが印字されるいわゆ
るリライタブルカードが提供されている。このリライタ
ブルカードは、樹脂製基材に印字層として積層された熱
可逆性記録材料に対し、同材料に定められた加熱／冷却
処理をカード処理装置のサーマルヘッドユニットによっ
て施すことにより、画像の消去／印字、すなわちリライ
トが繰り返し行われるように成されている。そのカード
処理装置は、一般に、リライタブルカードを、消去ヘッ
ドとプラテンローラとの間から印字ヘッドとプラテンロ
ーラとの間に順次挟み込んで搬送しながら、加熱された
各ヘッドが印字層に圧接して消去／印字を行うよう構成
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者等
の検討によると、上記熱可逆性記録材料は、消去状態と
なり得る温度範囲（印字開始温度−消去開始温度）が環
境温度すなわちカードの温度により変化する特性を有し
ていることが判明し、特に、１５℃未満といった比較的
低温の場合に、その温度範囲が大幅に狭くなる知見を得
た。これは、低温下ではカードの温度と消去温度の差が
大きくなることによって消去ヘッドから印字層に熱が伝
導する際のカード深さ方向への温度勾配が大きくなった
り、カードが硬化して消去ヘッドの密着性が低下したり
することに起因するものである。よって、カードの温度
が低温であればあるほど消し残りが生じるといった消去
特性の低下を招いていた。
の検討によると、上記熱可逆性記録材料は、消去状態と
なり得る温度範囲（印字開始温度−消去開始温度）が環
境温度すなわちカードの温度により変化する特性を有し
ていることが判明し、特に、１５℃未満といった比較的
低温の場合に、その温度範囲が大幅に狭くなる知見を得
た。これは、低温下ではカードの温度と消去温度の差が
大きくなることによって消去ヘッドから印字層に熱が伝
導する際のカード深さ方向への温度勾配が大きくなった
り、カードが硬化して消去ヘッドの密着性が低下したり
することに起因するものである。よって、カードの温度
が低温であればあるほど消し残りが生じるといった消去
特性の低下を招いていた。
【０００５】また、リライタブルカードの主体を構成す
る樹脂製基材は、容易に撓むＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）製から、エンボス加工が好適に施されるＰ
ＶＣ（塩化ビニール）製まで、その硬さは様々であり、
通常、印字層は基材にプレス加工で一体成形されてい
る。このようなカードの印字層の表面は、微視的には幅
方向の中央部分が盛り上がったかまぼこ状を呈している
ものが多く、全面への消去ヘッドの密着性が低下して両
端部の画像が消去されない場合が生じていた。このよう
な密着性の低下は、低温下で、かつ硬質のカードに顕著
に生じるものであり、印字層の幅全体を有効に利用する
ことができず印字エリアの縮小を余儀なくされることに
もつながっている。したがって本発明は、低温下におい
ても消去特性の向上とともに印字エリアの拡大を図るこ
とができるリライタブルカードの処理方法およびその装
置を提供することを目的としている。
る樹脂製基材は、容易に撓むＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）製から、エンボス加工が好適に施されるＰ
ＶＣ（塩化ビニール）製まで、その硬さは様々であり、
通常、印字層は基材にプレス加工で一体成形されてい
る。このようなカードの印字層の表面は、微視的には幅
方向の中央部分が盛り上がったかまぼこ状を呈している
ものが多く、全面への消去ヘッドの密着性が低下して両
端部の画像が消去されない場合が生じていた。このよう
な密着性の低下は、低温下で、かつ硬質のカードに顕著
に生じるものであり、印字層の幅全体を有効に利用する
ことができず印字エリアの縮小を余儀なくされることに
もつながっている。したがって本発明は、低温下におい
ても消去特性の向上とともに印字エリアの拡大を図るこ
とができるリライタブルカードの処理方法およびその装
置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリライタブルカ
ードの処理方法は、画像の消去／印字が繰り返し行われ
得る熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリラ
イタブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に
印字された画像を消去手段により消去する消去処理と、
この消去処理に次いで、印字層に新たな画像を印字手段
により印字する印字処理を行うリライタブルカードの処
理方法において、消去処理に先立ち、印字層に加熱処理
を施すことを特徴としている。
ードの処理方法は、画像の消去／印字が繰り返し行われ
得る熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリラ
イタブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に
印字された画像を消去手段により消去する消去処理と、
この消去処理に次いで、印字層に新たな画像を印字手段
により印字する印字処理を行うリライタブルカードの処
理方法において、消去処理に先立ち、印字層に加熱処理
を施すことを特徴としている。
【０００７】本方法によれば、消去処理の前に印字層を
加熱することにより、消去処理の際においては消去手段
と印字層との温度差が小さくなっており、このため、印
字層の全面が消去温度まで速やかに昇温する。したがっ
て、低温下であったり、印字層に対する消去手段の密着
性が低かったりしても、画像が確実に消去される。ま
た、はじめの加熱処理によりカードの柔軟性が増すこと
から、消去処理の際には印字層への消去手段の密着性が
向上し、これによっても消去特性の向上が図られる。印
字層の全面が消去可能になるということは、印字エリア
の有効面積が拡大することになる。
加熱することにより、消去処理の際においては消去手段
と印字層との温度差が小さくなっており、このため、印
字層の全面が消去温度まで速やかに昇温する。したがっ
て、低温下であったり、印字層に対する消去手段の密着
性が低かったりしても、画像が確実に消去される。ま
た、はじめの加熱処理によりカードの柔軟性が増すこと
から、消去処理の際には印字層への消去手段の密着性が
向上し、これによっても消去特性の向上が図られる。印
字層の全面が消去可能になるということは、印字エリア
の有効面積が拡大することになる。
【０００８】上記方法では、消去処理に先立つ加熱処理
を必須としているが、画像の消し残りが低温下で発生す
ることを鑑みれば、低温である場合に限り、消去処理の
前に加熱処理を行えば、省エネルギー化および処理速度
の短縮化が図られて好ましい。よって本発明のリライタ
ブルカードの処理方法は、リライタブルカードの温度お
よび／または消去／印字処理を行う環境温度を測定し、
この測定温度が基準温度未満である場合に限り、消去処
理に先立って印字層に加熱処理を施すことを特徴とす
る。本方法で言う基準温度とは、消去処理では画像が完
全に消去されない低温度であり、リライタブルカードの
素材や消去手段の能力等で変わってくるが、概ね５〜２
５℃である。
を必須としているが、画像の消し残りが低温下で発生す
ることを鑑みれば、低温である場合に限り、消去処理の
前に加熱処理を行えば、省エネルギー化および処理速度
の短縮化が図られて好ましい。よって本発明のリライタ
ブルカードの処理方法は、リライタブルカードの温度お
よび／または消去／印字処理を行う環境温度を測定し、
この測定温度が基準温度未満である場合に限り、消去処
理に先立って印字層に加熱処理を施すことを特徴とす
る。本方法で言う基準温度とは、消去処理では画像が完
全に消去されない低温度であり、リライタブルカードの
素材や消去手段の能力等で変わってくるが、概ね５〜２
５℃である。
【０００９】本発明のリライタブルカードの処理装置
は、上記方法を実行するに好適な装置であり、次の構成
を特徴としている。すなわち、画像の消去／印字が繰り
返し行われ得る熱可逆性記録材料が積層された印字層を
有するリライタブルカードを、処理方向に搬送しなが
ら、印字層に印字された画像を消去し、次いで、新たな
画像を印字層に印字するリライタブルカードの処理装置
であって、印字層に対して消去／印字処理を行う消去／
印字手段と、印字層に対して加熱処理を施す加熱手段
と、消去／印字手段による消去／印字処理および加熱手
段による加熱処理を制御する制御手段とを備え、該制御
手段は、消去処理に先立ち、加熱手段によって印字層に
加熱処理を施す。
は、上記方法を実行するに好適な装置であり、次の構成
を特徴としている。すなわち、画像の消去／印字が繰り
返し行われ得る熱可逆性記録材料が積層された印字層を
有するリライタブルカードを、処理方向に搬送しなが
ら、印字層に印字された画像を消去し、次いで、新たな
画像を印字層に印字するリライタブルカードの処理装置
であって、印字層に対して消去／印字処理を行う消去／
印字手段と、印字層に対して加熱処理を施す加熱手段
と、消去／印字手段による消去／印字処理および加熱手
段による加熱処理を制御する制御手段とを備え、該制御
手段は、消去処理に先立ち、加熱手段によって印字層に
加熱処理を施す。
【００１０】また、低温下に限り、消去処理の前に印字
層に加熱処理を施す装置として、上記装置において、リ
ライタブルカードの温度および／または当該装置がおか
れる環境温度を測定する温度測定手段と、該温度測定手
段の測定温度に基づき、消去／印字手段による消去／印
字処理および前記加熱手段による加熱処理を制御する制
御手段とを備え、該制御手段は、温度測定手段の測定温
度が基準温度以上である場合には消去手段による消去処
理を１回行わせ、測定温度が基準温度未満の場合には、
消去処理に先立ち、加熱手段により印字層に加熱処理を
施すことを特徴としている。本装置で言う基準温度と
は、上記方法と同様であって、５〜２５℃である。
層に加熱処理を施す装置として、上記装置において、リ
ライタブルカードの温度および／または当該装置がおか
れる環境温度を測定する温度測定手段と、該温度測定手
段の測定温度に基づき、消去／印字手段による消去／印
字処理および前記加熱手段による加熱処理を制御する制
御手段とを備え、該制御手段は、温度測定手段の測定温
度が基準温度以上である場合には消去手段による消去処
理を１回行わせ、測定温度が基準温度未満の場合には、
消去処理に先立ち、加熱手段により印字層に加熱処理を
施すことを特徴としている。本装置で言う基準温度と
は、上記方法と同様であって、５〜２５℃である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して説明する。図１は、一実施形態に係るリライ
タブルカードの処理装置の右側面断面図、図２は図１の
II−II線矢視図である。これら図で左側が本装置の前
側、右側が後側であり、また、図２においては上側が本
装置の左側、下側が右側である。以下の説明で、前後左
右といった方向の表現は、このようなカード処理装置を
基にした方向と定義する。図３は、本装置の左側面図で
ある。当該カード処理装置は、図１に示すように、前端
部に設けられたカード挿入口１０にリライタブルカード
（以下、単にカードと略称する）Ｃを挿入すると、ま
ず、後端部の待機位置までカードＣを搬送する。この状
態から消去／印字の処理コマンドが発せられると、カー
ドＣを前方に搬送しながら、カードＣの表面に設けられ
た印字層に対し、画像の消去と印字をこの順で行う。係
るカード処理装置の構成を説明する前に、まずカードＣ
について説明する。
を参照して説明する。図１は、一実施形態に係るリライ
タブルカードの処理装置の右側面断面図、図２は図１の
II−II線矢視図である。これら図で左側が本装置の前
側、右側が後側であり、また、図２においては上側が本
装置の左側、下側が右側である。以下の説明で、前後左
右といった方向の表現は、このようなカード処理装置を
基にした方向と定義する。図３は、本装置の左側面図で
ある。当該カード処理装置は、図１に示すように、前端
部に設けられたカード挿入口１０にリライタブルカード
（以下、単にカードと略称する）Ｃを挿入すると、ま
ず、後端部の待機位置までカードＣを搬送する。この状
態から消去／印字の処理コマンドが発せられると、カー
ドＣを前方に搬送しながら、カードＣの表面に設けられ
た印字層に対し、画像の消去と印字をこの順で行う。係
るカード処理装置の構成を説明する前に、まずカードＣ
について説明する。
【００１２】（１）リライタブルカードの構成 カードＣは、例えば「ＪＩＳ Ｘ ６３０３」で規定さ
れる長方形状のＩＣカードであって、図２に示すよう
に、ＰＶＣ（塩化ビニール）等の樹脂製基材の表面に、
熱可逆性記録材料が積層されてなる印字層１と、内蔵さ
れたＩＣの外部端子２とが設けられ、裏面に磁気ストラ
イプ３が設けられている。印字層１は図２でカードＣの
上側にカードＣの全長にわたってストライプ状に積層さ
れ、この印字層１の下側であってカードＣの右側の所定
位置に、外部端子２が積層されている。また、裏面の磁
気ストライプ３は、下方に積層されている。
れる長方形状のＩＣカードであって、図２に示すよう
に、ＰＶＣ（塩化ビニール）等の樹脂製基材の表面に、
熱可逆性記録材料が積層されてなる印字層１と、内蔵さ
れたＩＣの外部端子２とが設けられ、裏面に磁気ストラ
イプ３が設けられている。印字層１は図２でカードＣの
上側にカードＣの全長にわたってストライプ状に積層さ
れ、この印字層１の下側であってカードＣの右側の所定
位置に、外部端子２が積層されている。また、裏面の磁
気ストライプ３は、下方に積層されている。
【００１３】印字層１を構成する熱可逆性記録材料は、
加熱することにより可逆で、簡便・安易に高解像度の画
像を繰り返し消去／印字する、すなわちリライトするこ
とができる記録材料である。その構成は、図４に示すよ
うに、透明ポリエステルフィルム５上に、樹脂６ａ中に
有機低分子物質６ｂが分散された記録層６と、保護層７
とがこの順で積層されたものであり、有機低分子物質６
ｂとしては、粒径１μｍ以下の高級脂肪酸が用いられ
る。図５を参照して熱可逆性の原理を説明すると、透明
状態では、記録層６中の有機低分子物質６ｂの粒子が比
較的大きな単結晶を形成している。このため、入射した
光が結晶の界面を通る回数が少なく、散乱されることな
く透過することにより、全体として透明に見える。一
方、白濁状態では、有機低分子物質６ｂの粒子は多結晶
を形成している。このため、入射した光は結晶の界面で
何度も屈折し、光が散乱されて白く見える。
加熱することにより可逆で、簡便・安易に高解像度の画
像を繰り返し消去／印字する、すなわちリライトするこ
とができる記録材料である。その構成は、図４に示すよ
うに、透明ポリエステルフィルム５上に、樹脂６ａ中に
有機低分子物質６ｂが分散された記録層６と、保護層７
とがこの順で積層されたものであり、有機低分子物質６
ｂとしては、粒径１μｍ以下の高級脂肪酸が用いられ
る。図５を参照して熱可逆性の原理を説明すると、透明
状態では、記録層６中の有機低分子物質６ｂの粒子が比
較的大きな単結晶を形成している。このため、入射した
光が結晶の界面を通る回数が少なく、散乱されることな
く透過することにより、全体として透明に見える。一
方、白濁状態では、有機低分子物質６ｂの粒子は多結晶
を形成している。このため、入射した光は結晶の界面で
何度も屈折し、光が散乱されて白く見える。
【００１４】熱可逆性記録材料の熱可逆特性を、図６を
参照して説明する。はじめに、室温（２０〜３０℃）で
白濁状態にあるとする（Ａ）。これを加熱すると、実線
で示すように、約７０℃から透過率が増加し始め、約７
５〜１００℃で最大透明状態（Ｂ〜Ｃ）となる。これを
室温まで冷却しても透明状態は維持される（Ｄ）。次
に、破線で示すように、最大透明状態の当該材料を１１
０℃以上に再加熱すると、最大透明状態と最大白濁状態
の中間状態となり（Ｄ→Ｃ→Ｅ）、これを室温まで冷却
すると元の白濁状態に戻る（Ｅ→Ａ）。
参照して説明する。はじめに、室温（２０〜３０℃）で
白濁状態にあるとする（Ａ）。これを加熱すると、実線
で示すように、約７０℃から透過率が増加し始め、約７
５〜１００℃で最大透明状態（Ｂ〜Ｃ）となる。これを
室温まで冷却しても透明状態は維持される（Ｄ）。次
に、破線で示すように、最大透明状態の当該材料を１１
０℃以上に再加熱すると、最大透明状態と最大白濁状態
の中間状態となり（Ｄ→Ｃ→Ｅ）、これを室温まで冷却
すると元の白濁状態に戻る（Ｅ→Ａ）。
【００１５】（２）カード処理装置の構成 次に、カード処理装置の構成を説明する。図１〜図３の
符合９は、互いに離間して平行に対向配置された左右一
対の下側サイドフレームである。図１および図２に示す
ように、下側サイドフレーム９，９間の中央には、前側
から順に、第１〜第３の搬送ローラ対１１，１２，１３
が配置されている。各ローラ対１１，１２，１３は、い
ずれも下側の駆動ローラ１４と上側の従動ローラ１５と
で構成され、これら上下のローラ１４，１５間にカード
Ｃを挟み、駆動ローラ１４の回転方向にしたがって、カ
ードＣを、前方から後方あるいは後方から前方に搬送す
る。また、第２の搬送ローラ対１２と第３の搬送ローラ
対１３との間には、前側から、印字プラテンローラ１６
および消去プラテンローラ１７が配置され、さらに、印
字プラテンローラ１６の上方には印字ヘッド（印字手
段）４０が、消去プラテンローラ１７の上方には消去ヘ
ッド（消去手段、加熱手段）５０が、それぞれ配置され
ている。
符合９は、互いに離間して平行に対向配置された左右一
対の下側サイドフレームである。図１および図２に示す
ように、下側サイドフレーム９，９間の中央には、前側
から順に、第１〜第３の搬送ローラ対１１，１２，１３
が配置されている。各ローラ対１１，１２，１３は、い
ずれも下側の駆動ローラ１４と上側の従動ローラ１５と
で構成され、これら上下のローラ１４，１５間にカード
Ｃを挟み、駆動ローラ１４の回転方向にしたがって、カ
ードＣを、前方から後方あるいは後方から前方に搬送す
る。また、第２の搬送ローラ対１２と第３の搬送ローラ
対１３との間には、前側から、印字プラテンローラ１６
および消去プラテンローラ１７が配置され、さらに、印
字プラテンローラ１６の上方には印字ヘッド（印字手
段）４０が、消去プラテンローラ１７の上方には消去ヘ
ッド（消去手段、加熱手段）５０が、それぞれ配置され
ている。
【００１６】下側サイドフレーム９，９間の後端部に
は、図１に示すように、カードＣの外部接点２が接触し
てカードＣ内のＩＣに対する情報の入出力を行うＩＣユ
ニット１８が配置されている。カードＣの挿入口１０と
ＩＣユニット１８の間に、第１〜第３のローラ対１１，
１２，１３における上下のローラ１４，１５の間、印字
プラテンローラ１６と印字ヘッド４０との間、および消
去プラテンローラ１７と消去ヘッド５０との間を水平に
結ぶカードＣの搬送路１９が形成される。この搬送路１
９をカードＣがスムーズに搬送されるように、下側サイ
ドフレーム９，９の内面には、溝状のカードガイド９ａ
が設けられている。カード挿入口１０にカードＣを挿入
すると、まず、後端部の待機位置までカードＣを搬送す
ると前述したが、その待機位置は、ＩＣユニット１８内
である。
は、図１に示すように、カードＣの外部接点２が接触し
てカードＣ内のＩＣに対する情報の入出力を行うＩＣユ
ニット１８が配置されている。カードＣの挿入口１０と
ＩＣユニット１８の間に、第１〜第３のローラ対１１，
１２，１３における上下のローラ１４，１５の間、印字
プラテンローラ１６と印字ヘッド４０との間、および消
去プラテンローラ１７と消去ヘッド５０との間を水平に
結ぶカードＣの搬送路１９が形成される。この搬送路１
９をカードＣがスムーズに搬送されるように、下側サイ
ドフレーム９，９の内面には、溝状のカードガイド９ａ
が設けられている。カード挿入口１０にカードＣを挿入
すると、まず、後端部の待機位置までカードＣを搬送す
ると前述したが、その待機位置は、ＩＣユニット１８内
である。
【００１７】第１〜第３のローラ対１１，１２，１３の
各駆動ローラ１４および各プラテンローラ１６，１７
は、図１および図２に示すように、下側サイドフレーム
９，９に回転自在に支持された駆動軸２０と一体に回転
する。これら駆動軸２０は左側の下側サイドフレーム９
を貫通し、その突出端部には、駆動ギヤ２１がそれぞれ
固定されている。下側サイドフレーム９，９の前端部で
あってカード挿入口１０のやや後方には、メインモータ
２２が固定されている。図３に示すように、左側の下側
サイドフレーム９の左側には、各駆動ギヤ２１およびメ
インモータ２２のピニオンギヤ２２ａを連結する複数の
中間ギヤ２３が配列されている。メインモータ２２が駆
動すると、各中間ギヤ２３から各駆動ギヤ２１に回転力
が伝達されて各駆動軸２０が同一方向に回転し、第１〜
第３のローラ対１１，１２，１３の各駆動ローラ１４お
よび各プラテンローラ１６，１７が回転する。カードＣ
は、これら駆動ローラ１４およびプラテンローラ１６，
１７の回転方向にしたがって、搬送路１９を搬送され
る。図２に示すように、第２のローラ対１２の駆動ロー
ラ１４の右側には、カードＣの磁気ストライプ３に対し
て磁気データの読取り／書込みを行うための磁気ヘッド
２４が配置されている。
各駆動ローラ１４および各プラテンローラ１６，１７
は、図１および図２に示すように、下側サイドフレーム
９，９に回転自在に支持された駆動軸２０と一体に回転
する。これら駆動軸２０は左側の下側サイドフレーム９
を貫通し、その突出端部には、駆動ギヤ２１がそれぞれ
固定されている。下側サイドフレーム９，９の前端部で
あってカード挿入口１０のやや後方には、メインモータ
２２が固定されている。図３に示すように、左側の下側
サイドフレーム９の左側には、各駆動ギヤ２１およびメ
インモータ２２のピニオンギヤ２２ａを連結する複数の
中間ギヤ２３が配列されている。メインモータ２２が駆
動すると、各中間ギヤ２３から各駆動ギヤ２１に回転力
が伝達されて各駆動軸２０が同一方向に回転し、第１〜
第３のローラ対１１，１２，１３の各駆動ローラ１４お
よび各プラテンローラ１６，１７が回転する。カードＣ
は、これら駆動ローラ１４およびプラテンローラ１６，
１７の回転方向にしたがって、搬送路１９を搬送され
る。図２に示すように、第２のローラ対１２の駆動ロー
ラ１４の右側には、カードＣの磁気ストライプ３に対し
て磁気データの読取り／書込みを行うための磁気ヘッド
２４が配置されている。
【００１８】図２に示すように、搬送路１９には、搬送
されるカードＣを検出する第１〜第４のカードセンサ３
１，３２，３３，３４が、前から順に設けられている。
この場合、第１のカードセンサ３１は右側の下側サイド
フレーム９の前端部に取り付けられ、第２〜第４のカー
ドセンサ３２，３３，３４は、左側の下側サイドフレー
ム９に取り付けられている。
されるカードＣを検出する第１〜第４のカードセンサ３
１，３２，３３，３４が、前から順に設けられている。
この場合、第１のカードセンサ３１は右側の下側サイド
フレーム９の前端部に取り付けられ、第２〜第４のカー
ドセンサ３２，３３，３４は、左側の下側サイドフレー
ム９に取り付けられている。
【００１９】図１および図７に示すように、下側サイド
フレーム９，９には、左右一対の上側サイドフレーム３
５が取り付けられている。上側サイドフレーム３５，３
５は、その後端部が下側サイドフレーム９，９に対し上
下方向に揺動自在にピン結合され、一体に開閉するよう
になっている。前記印字ヘッド４０および消去ヘッド５
０は、図１に示すように、上側サイドフレーム３５，３
５に揺動可能に支持された前後方向に延びるアーム４
１，５１に、それぞれ取り付けられている。
フレーム９，９には、左右一対の上側サイドフレーム３
５が取り付けられている。上側サイドフレーム３５，３
５は、その後端部が下側サイドフレーム９，９に対し上
下方向に揺動自在にピン結合され、一体に開閉するよう
になっている。前記印字ヘッド４０および消去ヘッド５
０は、図１に示すように、上側サイドフレーム３５，３
５に揺動可能に支持された前後方向に延びるアーム４
１，５１に、それぞれ取り付けられている。
【００２０】印字ヘッド４０側のアーム４１は、図１に
示すように、前後方向に延びる長尺部４１ａの前端部か
ら短尺部４１ｂが下方に突出した側面視Ｌ字状で、長尺
部４１ａの後端部が、上側サイドフレーム３５，３５に
支持された揺動軸４２の左側に揺動可能に支持されてい
る。印字ヘッド４０は、アーム４１の揺動端部である短
尺部４１ｂの下面に取り付けられている。図７に示すよ
うに、印字ヘッド４０および消去ヘッド５０の上方に
は、天板３６が配置されている。この天板３６は、上側
サイドフレーム３５，３５に固定されており、天板３６
とアーム４１の揺動端部との間には、圧縮バネ４３が左
右一対の状態で介装されている。これら圧縮バネ４３に
より、印字ヘッド４０は、アーム４１を介して常に下方
に付勢されている。図１および７に示すように、アーム
４１の右側面であって長尺部４１ａと短尺部４１ｂとが
なす内隅部の近傍には、右側に突出するピン４４が固定
されている。また、アーム４１の右側には、アーム４１
とほぼ平行に前後方向に延びるサブアーム４５が配置さ
れている。このサブアーム４５は、アーム４１と同様に
揺動軸４２に揺動可能に支持されており、その前端部の
アーム４１側には凹部４５ａが形成されている。この凹
部４５ａには、前記ピン４４が係合しており、これによ
り、サブアーム４５はアーム４１とほぼ一体的に揺動す
るようになっている。また、サブアーム４５の前端部の
右側面には、ピン４４と同軸的に右側に突出するカムピ
ン４６が設けられている。
示すように、前後方向に延びる長尺部４１ａの前端部か
ら短尺部４１ｂが下方に突出した側面視Ｌ字状で、長尺
部４１ａの後端部が、上側サイドフレーム３５，３５に
支持された揺動軸４２の左側に揺動可能に支持されてい
る。印字ヘッド４０は、アーム４１の揺動端部である短
尺部４１ｂの下面に取り付けられている。図７に示すよ
うに、印字ヘッド４０および消去ヘッド５０の上方に
は、天板３６が配置されている。この天板３６は、上側
サイドフレーム３５，３５に固定されており、天板３６
とアーム４１の揺動端部との間には、圧縮バネ４３が左
右一対の状態で介装されている。これら圧縮バネ４３に
より、印字ヘッド４０は、アーム４１を介して常に下方
に付勢されている。図１および７に示すように、アーム
４１の右側面であって長尺部４１ａと短尺部４１ｂとが
なす内隅部の近傍には、右側に突出するピン４４が固定
されている。また、アーム４１の右側には、アーム４１
とほぼ平行に前後方向に延びるサブアーム４５が配置さ
れている。このサブアーム４５は、アーム４１と同様に
揺動軸４２に揺動可能に支持されており、その前端部の
アーム４１側には凹部４５ａが形成されている。この凹
部４５ａには、前記ピン４４が係合しており、これによ
り、サブアーム４５はアーム４１とほぼ一体的に揺動す
るようになっている。また、サブアーム４５の前端部の
右側面には、ピン４４と同軸的に右側に突出するカムピ
ン４６が設けられている。
【００２１】一方、消去ヘッド５０側のアーム５１は、
図１に示すように側面視変形Ｔ字状で、印字ヘッド４０
側のアーム４１の下方に配置されており、後端部が、上
側サイドフレーム３５，３５に支持された揺動軸５２の
左側に揺動可能に支持されている。この揺動軸５２は、
印字ヘッド４０側の揺動軸４２よりも下方で、かつ若干
後方に配置されている。アーム５１は、印字ヘッド４０
側のアーム４１の内隅部の近傍まで延びており、その先
端部の下面に、消去ヘッド５０が取り付けられている。
図８に示すように、この消去ヘッド５０も印字ヘッド４
０と同様に、天板３６とアーム５１の揺動端部との間に
介装された左右一対の圧縮バネ５３により、アーム５１
を介して常に下方に付勢されている。また、アーム５１
における消去ヘッド５０よりも先端側の右側面には、右
側に突出するピン５４が固定されている。さらに、アー
ム５１の右側には、アーム５１とほぼ平行に前後方向に
延び、アーム５１と同様に揺動軸５２に揺動可能に支持
されたサブアーム５５が配置されており、その前端部の
アーム５１側に形成された凹部５５ａに、前記ピン５４
が係合している。これにより、サブアーム５５はアーム
５１とほぼ一体的に揺動するようになっている。また、
サブアーム５５の前端部の右側面には、ピン５４と同軸
的に右側に突出するカムピン５６が設けられている。
図１に示すように側面視変形Ｔ字状で、印字ヘッド４０
側のアーム４１の下方に配置されており、後端部が、上
側サイドフレーム３５，３５に支持された揺動軸５２の
左側に揺動可能に支持されている。この揺動軸５２は、
印字ヘッド４０側の揺動軸４２よりも下方で、かつ若干
後方に配置されている。アーム５１は、印字ヘッド４０
側のアーム４１の内隅部の近傍まで延びており、その先
端部の下面に、消去ヘッド５０が取り付けられている。
図８に示すように、この消去ヘッド５０も印字ヘッド４
０と同様に、天板３６とアーム５１の揺動端部との間に
介装された左右一対の圧縮バネ５３により、アーム５１
を介して常に下方に付勢されている。また、アーム５１
における消去ヘッド５０よりも先端側の右側面には、右
側に突出するピン５４が固定されている。さらに、アー
ム５１の右側には、アーム５１とほぼ平行に前後方向に
延び、アーム５１と同様に揺動軸５２に揺動可能に支持
されたサブアーム５５が配置されており、その前端部の
アーム５１側に形成された凹部５５ａに、前記ピン５４
が係合している。これにより、サブアーム５５はアーム
５１とほぼ一体的に揺動するようになっている。また、
サブアーム５５の前端部の右側面には、ピン５４と同軸
的に右側に突出するカムピン５６が設けられている。
【００２２】図２、図７および図８に示すように、右側
の下側サイドフレーム９の外側（右側）には、印字ヘッ
ド４０および消去ヘッド５０を揺動させ、これらヘッド
４０，５０を、搬送中のカードＣに対して離接させるカ
ムギヤ６０が配置されている。このカムギヤ６０は、カ
ムギヤ軸６１を介して右側の下側サイドフレーム９に回
転自在に支持されており、図示せぬカムモータにより、
右側面から見て反時計方向に回転させられる。カムギヤ
６０の内面には、印字ヘッド４０を揺動させる印字ヘッ
ドカム６４と、消去ヘッド５０を揺動させる消去ヘッド
カム６５とが、所定のカムプロフィールをもって同軸的
に形成されている。図７に示すように、印字ヘッドカム
６４の周面には、印字ヘッド４０と一体で下方に付勢さ
れているサブアーム４５のカムピン４６が常に上から摺
接する。一方、消去ヘッドカム６５の周面には、図８に
示すように、消去ヘッド５０と一体で下方に付勢されて
いるサブアーム５５のカムピン５６が常に上から摺接す
る。
の下側サイドフレーム９の外側（右側）には、印字ヘッ
ド４０および消去ヘッド５０を揺動させ、これらヘッド
４０，５０を、搬送中のカードＣに対して離接させるカ
ムギヤ６０が配置されている。このカムギヤ６０は、カ
ムギヤ軸６１を介して右側の下側サイドフレーム９に回
転自在に支持されており、図示せぬカムモータにより、
右側面から見て反時計方向に回転させられる。カムギヤ
６０の内面には、印字ヘッド４０を揺動させる印字ヘッ
ドカム６４と、消去ヘッド５０を揺動させる消去ヘッド
カム６５とが、所定のカムプロフィールをもって同軸的
に形成されている。図７に示すように、印字ヘッドカム
６４の周面には、印字ヘッド４０と一体で下方に付勢さ
れているサブアーム４５のカムピン４６が常に上から摺
接する。一方、消去ヘッドカム６５の周面には、図８に
示すように、消去ヘッド５０と一体で下方に付勢されて
いるサブアーム５５のカムピン５６が常に上から摺接す
る。
【００２３】印字ヘッド４０と消去ヘッド５０は、カム
ギヤ６０の回転角に応じてカードＣに対する離接状態が
定められ、カムギヤ６０の回転角は、図９に示すよう
に、カムギヤ６０の外側（図９では手前側）に配置され
た２つのカムセンサ６６ａ，６６ｂにより制御される。
この２つのカムセンサ６６ａ，６６ｂは、カムギヤ６０
の外面にカムギヤ６０と同心円状に形成された２つの円
弧状リブ６７ａ，６７ｂの有無を検出するもので、その
検出信号はカムモータに出力される。カムセンサ６６
ａ，６６ｂの出力はＣＰＵ７０に入力され、ＣＰＵ７０
は、その信号パターンに応じて、カムギヤ６０を、待機
位置、消去位置、消去／印字位置、印字位置、の４位置
のいずれかにこの順で位置するようカムモータの回転を
制御する。
ギヤ６０の回転角に応じてカードＣに対する離接状態が
定められ、カムギヤ６０の回転角は、図９に示すよう
に、カムギヤ６０の外側（図９では手前側）に配置され
た２つのカムセンサ６６ａ，６６ｂにより制御される。
この２つのカムセンサ６６ａ，６６ｂは、カムギヤ６０
の外面にカムギヤ６０と同心円状に形成された２つの円
弧状リブ６７ａ，６７ｂの有無を検出するもので、その
検出信号はカムモータに出力される。カムセンサ６６
ａ，６６ｂの出力はＣＰＵ７０に入力され、ＣＰＵ７０
は、その信号パターンに応じて、カムギヤ６０を、待機
位置、消去位置、消去／印字位置、印字位置、の４位置
のいずれかにこの順で位置するようカムモータの回転を
制御する。
【００２４】上記４位置を、カードＣが各プラテンロー
ラ１６，１７上に存していると仮定し、図９を参照して
説明する。カムギヤ６０が待機位置にあると、図９
（ａ）に示すように、印字ヘッドカム６４と消去ヘッド
カム６５が各カムピン４６，５６を介して各サブアーム
４５，５５および各アーム４１，５１を押し上げ、印字
ヘッド４０と消去ヘッド５０のいずれもがカードＣから
離れた位置にある。図７および図８は、印字ヘッド４０
および消去ヘッド５０がカードＣから離れた状態をそれ
ぞれ示している。
ラ１６，１７上に存していると仮定し、図９を参照して
説明する。カムギヤ６０が待機位置にあると、図９
（ａ）に示すように、印字ヘッドカム６４と消去ヘッド
カム６５が各カムピン４６，５６を介して各サブアーム
４５，５５および各アーム４１，５１を押し上げ、印字
ヘッド４０と消去ヘッド５０のいずれもがカードＣから
離れた位置にある。図７および図８は、印字ヘッド４０
および消去ヘッド５０がカードＣから離れた状態をそれ
ぞれ示している。
【００２５】ここからカムギヤ６０が矢印Ａ方向に回転
して消去位置に達すると、図９（ｂ）に示すように、消
去ヘッドカム６５のカムトップエンドから消去ヘッド５
０側のサブアーム５５のカムピン５６が離脱し、圧縮バ
ネ５３の力によりアーム５１を介して消去ヘッド５０の
みが下方に揺動してカードＣに圧接する。図１１は、消
去ヘッド５０がカードＣに圧接している状態を示してい
る。
して消去位置に達すると、図９（ｂ）に示すように、消
去ヘッドカム６５のカムトップエンドから消去ヘッド５
０側のサブアーム５５のカムピン５６が離脱し、圧縮バ
ネ５３の力によりアーム５１を介して消去ヘッド５０の
みが下方に揺動してカードＣに圧接する。図１１は、消
去ヘッド５０がカードＣに圧接している状態を示してい
る。
【００２６】次に、カムギヤ６０が矢印Ａ方向に回転し
て消去／印字位置に達すると、図９（ｃ）に示すよう
に、消去ヘッド５０はそのままで、さらに印字ヘッドカ
ム６４のカムトップエンドから印字ヘッド４０側のサブ
アーム４５のカムピン４６が離脱し、圧縮バネ４３の力
によりアーム４１を介して印字ヘッド４０が下方に揺動
してカードＣに圧接する。図１０は、印字ヘッド４０が
カードＣに圧接している状態を示している。消去／印字
位置では、このように印字ヘッド４０と消去ヘッド５０
がともにカードＣに圧接する。
て消去／印字位置に達すると、図９（ｃ）に示すよう
に、消去ヘッド５０はそのままで、さらに印字ヘッドカ
ム６４のカムトップエンドから印字ヘッド４０側のサブ
アーム４５のカムピン４６が離脱し、圧縮バネ４３の力
によりアーム４１を介して印字ヘッド４０が下方に揺動
してカードＣに圧接する。図１０は、印字ヘッド４０が
カードＣに圧接している状態を示している。消去／印字
位置では、このように印字ヘッド４０と消去ヘッド５０
がともにカードＣに圧接する。
【００２７】ここから、さらにカムギヤ６０が矢印Ａ方
向に回転して印字位置に達すると、図９（ｄ）に示すよ
うに、消去ヘッドカム６５が消去ヘッド５０側のカムピ
ン５６を介してサブアーム５５およびアーム５１を押し
上げ、消去ヘッド５０のみが上方に揺動してカードＣか
ら離れ、印字ヘッド４０はカードＣに圧接している状態
が続く。次いで、カムギヤ６０が矢印Ａ方向に回転して
再び待機位置に戻ると、図９（ａ）で示した状態に戻
る。
向に回転して印字位置に達すると、図９（ｄ）に示すよ
うに、消去ヘッドカム６５が消去ヘッド５０側のカムピ
ン５６を介してサブアーム５５およびアーム５１を押し
上げ、消去ヘッド５０のみが上方に揺動してカードＣか
ら離れ、印字ヘッド４０はカードＣに圧接している状態
が続く。次いで、カムギヤ６０が矢印Ａ方向に回転して
再び待機位置に戻ると、図９（ａ）で示した状態に戻
る。
【００２８】図１に示すように、カード挿入口１０の下
方には、環境温度センサ（温度測定手段）６９が設けら
れている。この環境温度センサ６９は、当該装置がおか
れる室内等の環境温度を測定する。環境温度センサ６９
は、環境温度を正確に測定する上で、装置内部の温度上
昇の影響を最も受けにくい箇所に配置されていることが
望ましい。装置内部に収納する場合には、その近傍に装
置外部へ通じる開口を形成するとよい。
方には、環境温度センサ（温度測定手段）６９が設けら
れている。この環境温度センサ６９は、当該装置がおか
れる室内等の環境温度を測定する。環境温度センサ６９
は、環境温度を正確に測定する上で、装置内部の温度上
昇の影響を最も受けにくい箇所に配置されていることが
望ましい。装置内部に収納する場合には、その近傍に装
置外部へ通じる開口を形成するとよい。
【００２９】図１２は、上記カード処理装置の制御ブロ
ック図である。ＣＰＵ（制御手段）７０は、シリアルＩ
Ｏ、パラレルＩＯ、タイマ、ＡＤコンバータ、ウォッチ
ドッグタイマ等の周辺機能を内蔵したマイクロコントロ
ーラである。このＣＰＵ７０には、制御プログラムや固
定データを格納したＲＯＭ７１が接続され、ＣＰＵ７０
は、ＲＯＭ７０に格納されたプログラムにしたがって各
種制御を行う。また、ＣＰＵ７０には、印字データ、コ
マンドデータ、各種設定値および基準値等を必要に応じ
て格納することができるＲＡＭ７２と、消去／印字コマ
ンド等を上位装置から受けてＣＰＵ７０に発行するシリ
アルインターフェース７３が接続されている。
ック図である。ＣＰＵ（制御手段）７０は、シリアルＩ
Ｏ、パラレルＩＯ、タイマ、ＡＤコンバータ、ウォッチ
ドッグタイマ等の周辺機能を内蔵したマイクロコントロ
ーラである。このＣＰＵ７０には、制御プログラムや固
定データを格納したＲＯＭ７１が接続され、ＣＰＵ７０
は、ＲＯＭ７０に格納されたプログラムにしたがって各
種制御を行う。また、ＣＰＵ７０には、印字データ、コ
マンドデータ、各種設定値および基準値等を必要に応じ
て格納することができるＲＡＭ７２と、消去／印字コマ
ンド等を上位装置から受けてＣＰＵ７０に発行するシリ
アルインターフェース７３が接続されている。
【００３０】ＣＰＵ７０には、第１〜第４のカードセン
サ３１〜３４の検出信号が供給され、これらカードセン
サ３１〜３４の検出信号に基づいて、ＣＰＵ７０はメイ
ンモータ制御回路７４に制御信号を出力し、メインモー
タ２２の回転速度、回転方向、起動／停止等の動作を制
御する。メインモータ２２には、ＦＧ（回転信号発生
器）７５が取り付けられており、ＦＧ７５から出力され
るパルスのパルス幅を計測することにより、メインモー
タ２２の回転速度を検出することが可能となっている。
また、ＣＰＵ７０は、第２〜第４のカードセンサ３２〜
３４の出力に基づき、カムモータ制御回路７６を介して
カムモータ７７（これまでの図面では図示略）に駆動／
停止信号を出力してカムギヤ６０を前記４位置に制御す
る。磁気ヘッド２４には、カードＣの磁気ストライプ３
に書き込まれた磁気データを読み取る読取り回路７８
と、磁気ストライプ３に磁気データを書き込む書込み回
路７９とが接続されており、ＣＰＵ７０は、磁気ヘッド
２４およびこれら回路７８，７９を介して磁気ストライ
プ３に対する磁気データの読取り／書込みを行う。
サ３１〜３４の検出信号が供給され、これらカードセン
サ３１〜３４の検出信号に基づいて、ＣＰＵ７０はメイ
ンモータ制御回路７４に制御信号を出力し、メインモー
タ２２の回転速度、回転方向、起動／停止等の動作を制
御する。メインモータ２２には、ＦＧ（回転信号発生
器）７５が取り付けられており、ＦＧ７５から出力され
るパルスのパルス幅を計測することにより、メインモー
タ２２の回転速度を検出することが可能となっている。
また、ＣＰＵ７０は、第２〜第４のカードセンサ３２〜
３４の出力に基づき、カムモータ制御回路７６を介して
カムモータ７７（これまでの図面では図示略）に駆動／
停止信号を出力してカムギヤ６０を前記４位置に制御す
る。磁気ヘッド２４には、カードＣの磁気ストライプ３
に書き込まれた磁気データを読み取る読取り回路７８
と、磁気ストライプ３に磁気データを書き込む書込み回
路７９とが接続されており、ＣＰＵ７０は、磁気ヘッド
２４およびこれら回路７８，７９を介して磁気ストライ
プ３に対する磁気データの読取り／書込みを行う。
【００３１】また、ＣＰＵ７０は画像（ビットマップ）
データを作成し、そのデータを、カードＣの搬送距離と
同期しながら印字ヘッド制御回路８０を経て印字ヘッド
４０に転送する。これにより、任意の画像がカードＣの
印字層１に印字される。さらに、ＣＰＵ７０は、消去ヘ
ッド制御回路８１を介して消去ヘッド５０を所定の消去
温度に加熱する。消去ヘッド５０には、消去ヘッド５０
の温度を検出する温度センサ８２が内蔵されており、消
去ヘッド５０の温度は、ＣＰＵ７０に内蔵されたＡ／Ｄ
コンバータによりデジタル値として検出可能である。Ｃ
ＰＵ７０は、検出した消去ヘッド５０の温度と、ＲＯＭ
７１またはＲＡＭ７２に格納された設定値データに基づ
いて通電幅データを求め、通電幅に対応するパルス幅の
通電パルスを消去ヘッド制御回路８１に出力する。この
ようにして、消去ヘッド５０の温度は印字層１を形成す
る熱可逆性記録材料を透明にする所定の消去温度に制御
される。
データを作成し、そのデータを、カードＣの搬送距離と
同期しながら印字ヘッド制御回路８０を経て印字ヘッド
４０に転送する。これにより、任意の画像がカードＣの
印字層１に印字される。さらに、ＣＰＵ７０は、消去ヘ
ッド制御回路８１を介して消去ヘッド５０を所定の消去
温度に加熱する。消去ヘッド５０には、消去ヘッド５０
の温度を検出する温度センサ８２が内蔵されており、消
去ヘッド５０の温度は、ＣＰＵ７０に内蔵されたＡ／Ｄ
コンバータによりデジタル値として検出可能である。Ｃ
ＰＵ７０は、検出した消去ヘッド５０の温度と、ＲＯＭ
７１またはＲＡＭ７２に格納された設定値データに基づ
いて通電幅データを求め、通電幅に対応するパルス幅の
通電パルスを消去ヘッド制御回路８１に出力する。この
ようにして、消去ヘッド５０の温度は印字層１を形成す
る熱可逆性記録材料を透明にする所定の消去温度に制御
される。
【００３２】さらに、ＣＰＵ７０には環境温度センサ６
９の検出信号が供給され、その検出信号は、ＣＰＵ７０
内のＡ／Ｄコンバータに入力されてデジタル値に変換さ
れる。ＣＰＵ７０は、環境温度センサ６９の測定値に基
づき、消去／印字処理のプロセスならびに印字ヘッド４
０および消去ヘッド５０の通電幅等を制御する。
９の検出信号が供給され、その検出信号は、ＣＰＵ７０
内のＡ／Ｄコンバータに入力されてデジタル値に変換さ
れる。ＣＰＵ７０は、環境温度センサ６９の測定値に基
づき、消去／印字処理のプロセスならびに印字ヘッド４
０および消去ヘッド５０の通電幅等を制御する。
【００３３】（３）カード処理装置の動作 次に、上記構成のカード処理装置においてカードＣの印
字層１に対する画像の消去／印字処理を行う場合の動作
につき、図１３のフローチャートにしたがって説明す
る。当該動作は、本発明のカード処理方法の一実施形態
である。Ａ．準備段階 図示されない上位装置からシリアルインターフェース７
３を介してＣＰＵ７０に消去／印字コマンドが発行され
ると、ＣＰＵ７０は、ＲＯＭ７１に格納されたプログラ
ムにしたがって、印字コマンド処理サブルーチンＳ０を
呼び出す。印字コマンドサブルーチンＳ０は、ステップ
Ｓ１で、カードＣがＩＣユニット１８内である待機位置
に待機しているか否かを、第３、第４のカードセンサ３
３，３４からの信号を受けて判断する。カードＣが待機
位置に存在していると判断したら、ステップＳ３にジャ
ンプする。
字層１に対する画像の消去／印字処理を行う場合の動作
につき、図１３のフローチャートにしたがって説明す
る。当該動作は、本発明のカード処理方法の一実施形態
である。Ａ．準備段階 図示されない上位装置からシリアルインターフェース７
３を介してＣＰＵ７０に消去／印字コマンドが発行され
ると、ＣＰＵ７０は、ＲＯＭ７１に格納されたプログラ
ムにしたがって、印字コマンド処理サブルーチンＳ０を
呼び出す。印字コマンドサブルーチンＳ０は、ステップ
Ｓ１で、カードＣがＩＣユニット１８内である待機位置
に待機しているか否かを、第３、第４のカードセンサ３
３，３４からの信号を受けて判断する。カードＣが待機
位置に存在していると判断したら、ステップＳ３にジャ
ンプする。
【００３４】カードＣが待機位置に存在していないと判
断するとステップＳ２に進む。ステップＳ２では、第１
のカードセンサ３１がカードＣの挿入を待つ状態とな
り、カードＣの挿入が第１のカードセンサ３１で検出さ
れたら、メインモータ制御回路７４を介してメインモー
タ２２が駆動し、カードＣを高速（例えば、３００ｍｍ
／ｓ）で待機位置に搬送する。図１および図２は、カー
ドＣが待機位置まで搬送された状態を示している。この
とき、印字ヘッド４０および消去ヘッド５０は、図１、
図７および図８に示すように、カムギヤ６０が待機位置
にあって搬送路１９からともに上方に離れている。次の
ステップＳ３では、ＣＰＵ７０が、印字コマンドで指定
された印字文字列をＲＡＭ７２内に画像（ビットマッ
プ）展開する。次いで、ステップＳ４に進む。ステップ
Ｓ４では、環境温度センサ６９の測定温度と、ＲＯＭ７
１またはＲＡＭ７２に格納されている基準温度とを比較
する。そして、基準温度以上と判定した場合はステップ
Ｓ８にジャンプし、基準温度未満と判定した場合はステ
ップＳ５に進む。ここで言う基準温度とは、消去ヘッド
による画像の消去が１回で完全になされるか否かの温度
に基づき、例えば、１５℃と設定される。
断するとステップＳ２に進む。ステップＳ２では、第１
のカードセンサ３１がカードＣの挿入を待つ状態とな
り、カードＣの挿入が第１のカードセンサ３１で検出さ
れたら、メインモータ制御回路７４を介してメインモー
タ２２が駆動し、カードＣを高速（例えば、３００ｍｍ
／ｓ）で待機位置に搬送する。図１および図２は、カー
ドＣが待機位置まで搬送された状態を示している。この
とき、印字ヘッド４０および消去ヘッド５０は、図１、
図７および図８に示すように、カムギヤ６０が待機位置
にあって搬送路１９からともに上方に離れている。次の
ステップＳ３では、ＣＰＵ７０が、印字コマンドで指定
された印字文字列をＲＡＭ７２内に画像（ビットマッ
プ）展開する。次いで、ステップＳ４に進む。ステップ
Ｓ４では、環境温度センサ６９の測定温度と、ＲＯＭ７
１またはＲＡＭ７２に格納されている基準温度とを比較
する。そして、基準温度以上と判定した場合はステップ
Ｓ８にジャンプし、基準温度未満と判定した場合はステ
ップＳ５に進む。ここで言う基準温度とは、消去ヘッド
による画像の消去が１回で完全になされるか否かの温度
に基づき、例えば、１５℃と設定される。
【００３５】ステップＳ５では、消去ヘッドの予熱を行
う。消去ヘッド５０の予熱は、消去ヘッド５０に内蔵さ
れた温度センサ８２で検出された温度ＴＥＳと、ＲＯＭ
７１またはＲＡＭ７２に格納された予熱温度設定値ＴＥ
Ｒを用い、消去ヘッド通電パルスのデューティ値をＥＰ
Ｄとしたとき、次の ＥＰＤ＝（ＴＥＲ−ＴＥＳ）×ＧＡＩＮ（ただし最大値は１００％）…（Ａ） の関係式で通電されることにより行われる。ここで、Ｅ
ＰＤは１回で決定されず、通電周期（例えば、１０ｍ
Ｓ）が経過するたびに、再計算を行うフィードバック制
御が行われる。
う。消去ヘッド５０の予熱は、消去ヘッド５０に内蔵さ
れた温度センサ８２で検出された温度ＴＥＳと、ＲＯＭ
７１またはＲＡＭ７２に格納された予熱温度設定値ＴＥ
Ｒを用い、消去ヘッド通電パルスのデューティ値をＥＰ
Ｄとしたとき、次の ＥＰＤ＝（ＴＥＲ−ＴＥＳ）×ＧＡＩＮ（ただし最大値は１００％）…（Ａ） の関係式で通電されることにより行われる。ここで、Ｅ
ＰＤは１回で決定されず、通電周期（例えば、１０ｍ
Ｓ）が経過するたびに、再計算を行うフィードバック制
御が行われる。
【００３６】ところで、消去ヘッド５０を予熱温度に加
熱する際に消去ヘッド５０を急速に加熱すると、消去ヘ
ッド５０に内蔵された温度センサ８２の時定数や、発熱
体から温度センサ８２までの熱伝導時間等により、消去
ヘッド５０の表面温度と温度センサ８２の検出値との間
に大きな差が生じる場合がある。したがって、消去ヘッ
ド５０は徐々に加熱されることが望ましく、上記（Ａ）
式のＧＡＩＮ値は１〜２程度が適当である。
熱する際に消去ヘッド５０を急速に加熱すると、消去ヘ
ッド５０に内蔵された温度センサ８２の時定数や、発熱
体から温度センサ８２までの熱伝導時間等により、消去
ヘッド５０の表面温度と温度センサ８２の検出値との間
に大きな差が生じる場合がある。したがって、消去ヘッ
ド５０は徐々に加熱されることが望ましく、上記（Ａ）
式のＧＡＩＮ値は１〜２程度が適当である。
【００３７】Ｂ．予備消去 消去ヘッド５０の予熱が終了するとステップＳ６に進
み、カードＣの印字層１に対する消去処理が行われる。
消去処理は、待機位置にあるカードＣを、搬送距離を測
定しながら低速で前方に搬送し、図１４および図１５に
示すように、カードＣの前端が消去ヘッド５０の位置に
達すると、カムモータ制御回路７６を介してカムモータ
７７が駆動されることによりカムギヤ６０が消去位置ま
で回転し、消去ヘッド５０がカードＣの印字層１に圧接
する。印字層１は消去ヘッド５０により所定の消去温度
に加熱され、引き続きカードＣが前方に搬送されること
により、印字層１の画像が予備消去される。
み、カードＣの印字層１に対する消去処理が行われる。
消去処理は、待機位置にあるカードＣを、搬送距離を測
定しながら低速で前方に搬送し、図１４および図１５に
示すように、カードＣの前端が消去ヘッド５０の位置に
達すると、カムモータ制御回路７６を介してカムモータ
７７が駆動されることによりカムギヤ６０が消去位置ま
で回転し、消去ヘッド５０がカードＣの印字層１に圧接
する。印字層１は消去ヘッド５０により所定の消去温度
に加熱され、引き続きカードＣが前方に搬送されること
により、印字層１の画像が予備消去される。
【００３８】ここで、消去ヘッド５０がカードＣの印字
層１に圧接すると、消去ヘッド５０の表面温度は、カー
ドＣに熱を奪われるため低下し、消去ヘッド５０の温度
センサ８２の検出温度との間に大きな差が生じる。そこ
で、消去ヘッド５０の通電デューティ値ＥＰＤを、 ＥＰＤ＝Ｋ （ただしＫは１００％未満の値）…（Ｂ） の関係式で決定される値とする。ここで、Ｋは、消去ヘ
ッド５０の発熱体の抵抗値、環境温度、消去開始からの
搬送量、搬送速度、カードＣの素材上の特性等で決定さ
れる値であり、実際には、３０〜５０％が適当である。
層１に圧接すると、消去ヘッド５０の表面温度は、カー
ドＣに熱を奪われるため低下し、消去ヘッド５０の温度
センサ８２の検出温度との間に大きな差が生じる。そこ
で、消去ヘッド５０の通電デューティ値ＥＰＤを、 ＥＰＤ＝Ｋ （ただしＫは１００％未満の値）…（Ｂ） の関係式で決定される値とする。ここで、Ｋは、消去ヘ
ッド５０の発熱体の抵抗値、環境温度、消去開始からの
搬送量、搬送速度、カードＣの素材上の特性等で決定さ
れる値であり、実際には、３０〜５０％が適当である。
【００３９】カードＣの後端が消去ヘッド５０の位置に
達したら、消去ヘッド５０への通電を中止するととも
に、カムギヤ６０を待機位置まで回転させて消去ヘッド
５０を上方に離し、予備消去を終える。次のステップＳ
７で、メインモータ２２を逆転させてカードＣを元の待
機位置に高速で搬送し、この後、ステップＳ８に進み、
上記と同様にして消去ヘッド５０の予熱を開始する。
達したら、消去ヘッド５０への通電を中止するととも
に、カムギヤ６０を待機位置まで回転させて消去ヘッド
５０を上方に離し、予備消去を終える。次のステップＳ
７で、メインモータ２２を逆転させてカードＣを元の待
機位置に高速で搬送し、この後、ステップＳ８に進み、
上記と同様にして消去ヘッド５０の予熱を開始する。
【００４０】Ｃ．消去／印字 消去のみ 消去ヘッド５０が予熱されたらステップＳ９に進み、カ
ードＣに対する消去（本消去）／印字処理が行われる。
消去／印字処理は、待機位置にあるカードＣを、搬送距
離を測定しながら低速で前方に搬送し、図１４および図
１５に示すように、カードＣの前端が消去ヘッド５０の
位置に達すると、カムモータ制御回路７６を介してカム
モータ７７が駆動されることによりカムギヤ６０が消去
位置まで回転し、消去ヘッド５０がカードＣの印字層１
に圧接する。印字層１は消去ヘッド５０により所定の消
去温度に加熱され、引き続きカードＣが前方に搬送され
ることにより、印字層１の画像が本消去される。
ードＣに対する消去（本消去）／印字処理が行われる。
消去／印字処理は、待機位置にあるカードＣを、搬送距
離を測定しながら低速で前方に搬送し、図１４および図
１５に示すように、カードＣの前端が消去ヘッド５０の
位置に達すると、カムモータ制御回路７６を介してカム
モータ７７が駆動されることによりカムギヤ６０が消去
位置まで回転し、消去ヘッド５０がカードＣの印字層１
に圧接する。印字層１は消去ヘッド５０により所定の消
去温度に加熱され、引き続きカードＣが前方に搬送され
ることにより、印字層１の画像が本消去される。
【００４１】消去／印字 次いで、図１６および図１７に示すように、カードＣの
前端が印字ヘッド４０の位置に達すると、カムモータ制
御回路７６を介してカムモータ７７が駆動されることに
よりカムギヤ６０が消去／印字位置まで回転し、印字ヘ
ッド４０が、画像が消去された印字層１に圧接する。印
字ヘッド４０が印字層１に圧接すると、規定された搬送
量（例えば、約０．１ｍｍ）搬送するたびに、ＲＡＭ７
２に格納されている印字データが印字ヘッド４０に順次
転送される。印字ヘッド４０に対して１ラインの印字デ
ータの転送が終了すると、ＣＰＵ７０に内蔵されたタイ
マを利用して得られたパルス幅の印字ヘッド通電パルス
が印字ヘッド制御回路８０を介して印字ヘッド４０に出
力されるに伴い、印字データにより選択された印字ヘッ
ド４０の発熱体に通電され、印字層１に画像がサーマル
印字される。このように、カードＣの搬送に伴って消去
ヘッド５０による画像消去と印字ヘッド４０による新た
な画像の印字が平行して行われる。
前端が印字ヘッド４０の位置に達すると、カムモータ制
御回路７６を介してカムモータ７７が駆動されることに
よりカムギヤ６０が消去／印字位置まで回転し、印字ヘ
ッド４０が、画像が消去された印字層１に圧接する。印
字ヘッド４０が印字層１に圧接すると、規定された搬送
量（例えば、約０．１ｍｍ）搬送するたびに、ＲＡＭ７
２に格納されている印字データが印字ヘッド４０に順次
転送される。印字ヘッド４０に対して１ラインの印字デ
ータの転送が終了すると、ＣＰＵ７０に内蔵されたタイ
マを利用して得られたパルス幅の印字ヘッド通電パルス
が印字ヘッド制御回路８０を介して印字ヘッド４０に出
力されるに伴い、印字データにより選択された印字ヘッ
ド４０の発熱体に通電され、印字層１に画像がサーマル
印字される。このように、カードＣの搬送に伴って消去
ヘッド５０による画像消去と印字ヘッド４０による新た
な画像の印字が平行して行われる。
【００４２】印字のみ 次いで、図１８および図１９に示すように、カードＣの
後端が消去ヘッド５０の位置に達すると、カムモータ制
御回路７６を介してカムモータ７７が駆動されることに
よりカムギヤ６０が印字位置まで回転し、消去ヘッド５
０がカードＣから上方に離れ、そこから先は印字のみが
行われる。全ての画像データの印字が終了すると、カム
モータ制御回路７６を介してカムモータ７７が駆動され
ることによりカムギヤ６０が待機位置に戻り、印字ヘッ
ド４０と消去ヘッド５０はともにカードＣから上方に離
れ、消去／印字処理が完了し、ステップＳ１０のカード
排出に進む。
後端が消去ヘッド５０の位置に達すると、カムモータ制
御回路７６を介してカムモータ７７が駆動されることに
よりカムギヤ６０が印字位置まで回転し、消去ヘッド５
０がカードＣから上方に離れ、そこから先は印字のみが
行われる。全ての画像データの印字が終了すると、カム
モータ制御回路７６を介してカムモータ７７が駆動され
ることによりカムギヤ６０が待機位置に戻り、印字ヘッ
ド４０と消去ヘッド５０はともにカードＣから上方に離
れ、消去／印字処理が完了し、ステップＳ１０のカード
排出に進む。
【００４３】ステップＳ１０では、第２のカードセンサ
３２を通過して前端がカード挿入口１０から出る状態ま
で、カードＣを高速で前方に搬送し、この後、メインモ
ータ２２が停止する。
３２を通過して前端がカード挿入口１０から出る状態ま
で、カードＣを高速で前方に搬送し、この後、メインモ
ータ２２が停止する。
【００４４】（４）一実施形態の作用効果 上記一実施形態に係るカード処理装置による消去／印字
処理方法によれば、環境温度が基準温度未満の低温の場
合には本消去に先立ち予備消去を行い、基準温度以上の
場合には予備消去を省略して本消去１回とし、引き続き
印字処理に移行する。低温下にあって本消去の前に予備
消去を行うと、予備消去の段階で印字層１は予熱され
る。このため、消去ヘッド５０と印字層１との温度差が
小さくなり、続いて行う本消去の際には印字層１の全面
が消去温度まで速やかに昇温し、よって低温下において
も画像が確実に消去される。また、予備消去時の加熱に
よりカードＣの柔軟性が増すことにより、本消去の際に
は印字層１への消去ヘッド４０の密着性が向上し、これ
によっても消去特性の向上が図られる。印字層１の全面
が消去可能になるということは、印字エリアの有効面積
が拡大することになる。基準温度以上にあっては、低温
であるが故の消し残りは生じないので、１回の消去で画
像は確実に消去され、よって、省エネルギー化および処
理速度の短縮化が図られる。
処理方法によれば、環境温度が基準温度未満の低温の場
合には本消去に先立ち予備消去を行い、基準温度以上の
場合には予備消去を省略して本消去１回とし、引き続き
印字処理に移行する。低温下にあって本消去の前に予備
消去を行うと、予備消去の段階で印字層１は予熱され
る。このため、消去ヘッド５０と印字層１との温度差が
小さくなり、続いて行う本消去の際には印字層１の全面
が消去温度まで速やかに昇温し、よって低温下において
も画像が確実に消去される。また、予備消去時の加熱に
よりカードＣの柔軟性が増すことにより、本消去の際に
は印字層１への消去ヘッド４０の密着性が向上し、これ
によっても消去特性の向上が図られる。印字層１の全面
が消去可能になるということは、印字エリアの有効面積
が拡大することになる。基準温度以上にあっては、低温
であるが故の消し残りは生じないので、１回の消去で画
像は確実に消去され、よって、省エネルギー化および処
理速度の短縮化が図られる。
【００４５】また、本消去を行うにあたっては、消去ヘ
ッド５０の接触によるカードＣの昇温速度が比較的速い
ので、カードＣの搬送速度を速めて処理速度を向上させ
ることができる。
ッド５０の接触によるカードＣの昇温速度が比較的速い
ので、カードＣの搬送速度を速めて処理速度を向上させ
ることができる。
【００４６】なお、上記カード処理装置および処理方法
は本発明の一実施形態であり、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、環境温度ではなく、カードそ
のものの温度に基づいて予備消去の有無を選択するよう
にしてもよい。さらには、カードの温度および環境温度
をそれぞれ測定し、双方の測定温度に基づいて予備消去
の有無を選択するようにしてもよい。
は本発明の一実施形態であり、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、環境温度ではなく、カードそ
のものの温度に基づいて予備消去の有無を選択するよう
にしてもよい。さらには、カードの温度および環境温度
をそれぞれ測定し、双方の測定温度に基づいて予備消去
の有無を選択するようにしてもよい。
【００４７】また、上記一実施形態では、予備消去の後
の本消去を行う際には、カードを一旦待機位置に戻して
改めて消去ヘッドにより行っているが、印字ヘッドの加
熱作用を利用して、予備消去の後に、引き続きカードを
搬送しながら、印字ヘッドにより本消去と印字とを同時
に行わせることも可能である。さらに、予備消去を環境
温度に基づいて選択的に行わず、必ず行うようにしても
よい。
の本消去を行う際には、カードを一旦待機位置に戻して
改めて消去ヘッドにより行っているが、印字ヘッドの加
熱作用を利用して、予備消去の後に、引き続きカードを
搬送しながら、印字ヘッドにより本消去と印字とを同時
に行わせることも可能である。さらに、予備消去を環境
温度に基づいて選択的に行わず、必ず行うようにしても
よい。
【００４８】また、本発明は、消去処理に先立って印字
層を加熱することをポイントとするものであり、上記一
実施形態における本消去の前の予備消去は、本発明の消
去前の加熱処理の一例に過ぎない。したがって、例え
ば、画像を消去することとは関係なく印字層を消去温度
以上あるいは消去温度以下に加熱したり、その加熱を消
去ヘッドではなく別個の加熱手段で行ったりするなど、
様々な他の形態が考えられる。
層を加熱することをポイントとするものであり、上記一
実施形態における本消去の前の予備消去は、本発明の消
去前の加熱処理の一例に過ぎない。したがって、例え
ば、画像を消去することとは関係なく印字層を消去温度
以上あるいは消去温度以下に加熱したり、その加熱を消
去ヘッドではなく別個の加熱手段で行ったりするなど、
様々な他の形態が考えられる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リライタブルカードにおける画像の消去処理を行う際
に、その消去処理に先立ち印字層に加熱処理を施すの
で、低温下においても画像が確実に消去されて消去特性
の向上を図ることができるとともに、印字エリアの有効
面積が拡大する。
リライタブルカードにおける画像の消去処理を行う際
に、その消去処理に先立ち印字層に加熱処理を施すの
で、低温下においても画像が確実に消去されて消去特性
の向上を図ることができるとともに、印字エリアの有効
面積が拡大する。
【図１】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置の
右側断面図である。
右側断面図である。
【図２】 図１のII−II線矢視図である。
【図３】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置の
左側面図である。
左側面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に係るリライタブルカー
ドの印字層を構成する熱可逆性記録材料を模式的に示す
断面図である。
ドの印字層を構成する熱可逆性記録材料を模式的に示す
断面図である。
【図５】 熱可逆性記録材料の原理を説明する図であ
る。
る。
【図６】 熱可逆性記録材料の加熱に伴う透明／白濁の
変化を示す線図である。
変化を示す線図である。
【図７】 図１のVII−VII線矢視図である。
【図８】 図１のVIII−VIII線矢視図である。
【図９】 カムギヤの回転角の変化に伴う印字ヘッドお
よび消去ヘッドの位置を示す側面図であって、（ａ）は
待機位置、（ｂ）は消去位置、（ｃ）は消去／印字位
置、（ｄ）は印字位置である。
よび消去ヘッドの位置を示す側面図であって、（ａ）は
待機位置、（ｂ）は消去位置、（ｃ）は消去／印字位
置、（ｄ）は印字位置である。
【図１０】 図１６のX−X線矢視図である。
【図１１】 図１４のXI−XI線矢視図である。
【図１２】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置
の制御ブロック図である。
の制御ブロック図である。
【図１３】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置
の動作を示すフローチャートである。
の動作を示すフローチャートである。
【図１４】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置
の消去処理状態を示す右側断面図である。
の消去処理状態を示す右側断面図である。
【図１５】 図１４のXV−XV線矢視図である。
【図１６】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置
の消去／印字処理状態を示す右側断面図である。
の消去／印字処理状態を示す右側断面図である。
【図１７】 図１６のXVII−XVII線矢視図である。
【図１８】 本発明の一実施形態に係るカード処理装置
の印字処理状態を示す右側断面図である。
の印字処理状態を示す右側断面図である。
【図１９】 図１８のXIX−XIX線矢視図である。
１…印字層 ４０…印字ヘッド（印字手段） ５０…消去ヘッド（消去手段、加熱手段） ６９…環境温度センサ（温度測定手段） ７０…ＣＰＵ（制御手段） Ｃ…リライタブルカード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 方也 静岡県静岡市中吉田20番10号 スター精密 株式会社内 Ｆターム(参考） 2C061 AP10 AQ04 AS02 AS12 AS15 BB25 GG03 GG05 GG17 GG26 GG40 2H111 HA07 HA18 HA23 HA34 HA35 5B058 CA02 KA02 KA05 KA12
Claims (6)
- 【請求項１】 画像の消去／印字が繰り返し行われ得る
熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリライタ
ブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に印字
された画像を消去手段により消去する消去処理と、この
消去処理に次いで、印字層に新たな画像を印字手段によ
り印字する印字処理とを行うリライタブルカードの処理
方法において、 前記消去処理に先立ち、前記印字層に加熱処理を施すこ
とを特徴とするリライタブルカードの処理方法。 - 【請求項２】 画像の消去／印字が繰り返し行われ得る
熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリライタ
ブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に印字
された画像を消去手段により消去する消去処理と、この
消去処理に次いで、印字層に新たな画像を印字手段によ
り印字する印字処理とを行うリライタブルカードの処理
方法において、 前記リライタブルカードの温度および／または消去／印
字処理を行う環境温度を測定し、この測定温度が基準温
度未満である場合に限り、前記消去処理に先立ち、前記
印字層に加熱処理を施すことを特徴とするリライタブル
カードの処理方法。 - 【請求項３】 前記基準温度は、５〜２５℃であること
を特徴とする請求項２に記載のリライタブルカードの処
理方法。 - 【請求項４】 画像の消去／印字が繰り返し行われ得る
熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリライタ
ブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に印字
された画像を消去し、次いで、新たな画像を印字層に印
字するリライタブルカードの処理装置であって、 前記印字層に対して消去／印字処理を行う消去／印字手
段と、 前記印字層に対して加熱処理を施す加熱手段と、 前記消去／印字手段による消去／印字処理および前記加
熱手段による加熱処理を制御する制御手段とを備え、 該制御手段は、前記消去処理に先立ち、前記加熱手段に
よって前記印字層に加熱処理を施すことを特徴とするリ
ライタブルカードの処理装置。 - 【請求項５】 画像の消去／印字が繰り返し行われ得る
熱可逆性記録材料が積層された印字層を有するリライタ
ブルカードを、処理方向に搬送しながら、印字層に印字
された画像を消去し、次いで、新たな画像を印字層に印
字するリライタブルカードの処理装置であって、 前記印字層に対して消去／印字処理を行う消去／印字手
段と、 前記印字層に対して加熱処理を施す加熱手段と、 前記リライタブルカードの温度および／または当該装置
がおかれる環境温度を測定する温度測定手段と、 該温度測定手段の測定温度に基づき、前記消去／印字手
段による消去／印字処理および前記加熱手段による加熱
処理を制御する制御手段とを備え、 該制御手段は、前記測定温度が基準温度以上である場合
には、前記消去手段による消去処理を１回行わせ、 前記測定温度が基準温度未満の場合には、前記消去処理
に先立ち、前記加熱手段により前記印字層に加熱処理を
施すことを特徴とするリライタブルカードの処理装置。 - 【請求項６】 前記基準温度は、５〜２５℃であること
を特徴とする請求項５に記載のリライタブルカードの処
理装置。
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