JP2000045002A - 金属ニッケル粉末 - Google Patents
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Abstract
て優れた焼結挙動を示し、かつ、導電ペーストを形成し
た際に優れた分散性を示すことにより、デラミネーショ
ンの発生を防止することができる金属ニッケル粉末を提
供する。 【解決手段】 ニッケル塩化物ガスと還元性ガスとを還
元反応温度域において接触させることにより生成した金
属ニッケル粉末の酸素含有量が0.1〜2.0重量%で
あって、しかも赤外線吸収スペクトルにおける波数が3
600〜3700cm−1において吸収ピークを有しな
い金属ニッケル粉末である。
Description
用いて好適な金属ニッケル粉末に係り、特に、積層セラ
ミックコンデンサの内部電極に用いられる焼結特性およ
び分散性に優れた金属ニッケル粉末に関する。
の貴金属粉末、あるいはニッケル、コバルト、鉄、モリ
ブデン、タングステン等の卑金属粉末は、電子材料用と
して導電ペースト、特に積層セラミックコンデンサの内
部電極用として用いられている。一般に積層セラミック
コンデンサは、誘電体セラミック層と、内部電極として
使用される金属層とが交互に重ねられ、誘電体セラミッ
ク層の両端に、内部電極の金属層に接続される外部電極
が接続された構成となっている。ここで、誘電体を構成
する材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロ
ンチウム、酸化イットリウム等の誘電率の高い材料を主
成分とするものが用いられている。一方、内部電極を構
成する金属としては、前述した貴金属粉末あるいは卑金
属粉末が用いられるが、最近はより安価な電子材料が要
求されているため、後者の卑金属粉末を利用した積層セ
ラミックコンデンサの開発が盛んに行われており、特に
金属ニッケル粉末が代表的である。
一般に次のような方法で製造されている。すなわち、チ
タン酸バリウム等の誘電体粉末を有機バインダーと混合
し懸濁させ、これをドクターブレード法によりシート状
に成形して誘電体グリーンシートを作成する。一方、内
部電極用の金属粉末を有機溶剤、可塑剤、有機バインダ
ー等の有機化合物と混合して金属粉末ペーストを形成
し、これを前記グリーンシート上にスクリーン印刷法で
印刷する。次いで、乾燥、積層および圧着し、加熱処理
にて有機成分を除去してから、1300℃前後またはそ
れ以上の温度で焼成し、この後、誘電体セラミック層の
両端に外部電極を焼き付けて積層セラミックコンデンサ
を得る。
製造方法にあっては、誘電体グリーンシートに金属ペー
ストを印刷し、積層及び圧着した後、加熱処理にて有機
成分を蒸発除去するが、この加熱処理は通常大気中で2
50〜400℃で行われる。このように酸化雰囲気中で
加熱処理を行うため、金属粉末は酸化し、それにより体
積の膨張が起きる。さらにこの有機成分除去のための加
熱処理の後、さらに高温に加熱し焼結するが、この焼結
は水素ガス雰囲気等の還元性雰囲気で行う。これによ
り、一旦酸化した金属粉末は還元されるため、体積の収
縮が起きる。
製造する工程において、酸化還元反応により金属粉末に
膨張・収縮による体積変化が生じる。一方、誘電体自身
も焼結により体積変化が生じるが、誘電体と金属粉末と
いう異なった物質を同時に焼結するため、焼結過程での
それぞれの物質の膨張・収縮の体積変化などの焼結挙動
が異なる。このため、金属ペースト層に歪みが生じ、結
果としてクラックまたは剥離などのデラミネーションと
いわれる層状構造の破壊が起きるという問題があった。
成分とする誘電体は1000℃以上、通常1200〜1
300℃で焼結が始まるが、内部電極に用いられる金属
粉末の焼結はそれよりも低い温度、例えば金属ニッケル
粉末の場合であれば通常400〜500℃で焼結が始ま
るので、急激な収縮による体積変化が起こって内部電極
と誘電体シート間に歪みが生じる。このような焼結開始
温度の違いが内部電極と誘電体の焼結挙動の違いとなっ
てデラミネーションを招く一つの大きな原因となってい
る。また、このように低温で急激に焼結が始まると、最
終的な焼結時点での体積変化率も大きくなり、その結果
デラミネーションが生じやすい。したがって、内部電極
に用いる金属粉末は、その焼結開始温度ができるだけ高
く、かつ急激な焼結が起こらないことが望ましい。
決する手段として種々の方法が提案されている。たとえ
ば、特開平8−246001号公報では、特定の粒径に
対するタップ密度がある限界値以上を有する金属ニッケ
ル粉末を開示し、このような金属ニッケル粉末を用いる
ことによって、ペーストに分散されたニッケル粉と誘電
体を焼成してコンデンサとしたときに、デラミネーショ
ンが起りにくいことが記載されている。
た従来方法は、焼結挙動を改善する目的としてはそれな
りの効果を上げているが、必ずしもデラミネーションを
防止する方法としては十分ではなかった。一方、コンデ
ンサ−の小型化、大容量化に伴い、内部電極の薄層化・
低抵抗化等の要求から、内部電極として使用する金属粉
末は、粒径1μm以下は勿論、粒径0.5μm以下の超
微粉が要望されている。このような超微粒子の金属粉末
を有機溶媒等と混合した際、分散性が悪くなり、金属粉
末どうしが凝集し、粗粉が増加することにより内部電極
の薄層化が困難となり、さらに、電極表面に凹凸が生じ
ることによりショートの原因となったり、また結果とし
てデラミネーションの原因となったりしていた。このよ
うに金属粉末の導電ペーストを形成する際の金属粉末の
有機溶媒等に対する分散性については、なお改善の余地
が残されている。
材料が求められていることから、ニッケル等の卑金属粉
末を内部電極とした積層セラミックコンデンサが開発さ
れているが、このようなニッケルを代表とする卑金属粉
末を内部電極とした際に、デラミネーションの発生を防
止することができる導電ペーストに適した金属粉末の更
なる開発が求められている。したがって、本発明は、積
層セラミックコンデンサの製造工程において優れた焼結
挙動を示し、さらに導電ペーストを形成した際には優れ
た分散性を示し、結果としてデラミネーションを防止で
きる特に導電ペースト用に適した金属ニッケル粉末を提
供することを目的としている。より具体的には、加熱処
理した際に酸化還元反応による体積変化や重量変化が少
なく、さらに、焼結開始温度が従来の金属ニッケル粉末
に比べてより高く、積層セラミックコンデンサを製造す
る際に用いる誘電体の焼結開始温度により近いことによ
り、デラミネーションの発生を防止することができる導
電ペーストに適した金属ニッケル粉末を提供することを
目的としている。
ケル粉末の分散性について鋭意研究を重ねた結果、金属
ニッケル粉末の酸化被膜中に含まれるニッケルの水酸化
物(例えばNa(OH)2)のOH基の極性によって、
粉末どうしが集合して分散性が損なわれるのではないか
との推論に達した。本発明は、このような推論に基づい
て各種実験を行った結果なされたもので、酸素含有量が
0.1〜2.0重量%であって、しかも赤外線吸収スペ
クトルにおける波数が3600〜3700cm−1にお
いて吸収ピークを有しないことを特徴としている。
吸収スペクトル分析を行うと、波数3644cm−1付
近に強いピークが見られる。このピークは、金属ニッケ
ルに化学的に結合するOH基に起因するピークである。
本発明は、そのようなピークを有しない金属ニッケル粉
末とすることにより、OH基を極力除去して極性による
粉末どうしの集合を抑制するものである。
着した水やアルコール等に起因するものではなく、水酸
化ニッケルに起因するものである。また、本発明の金属
ニッケル粉末は、上記のように赤外線吸収スペクトルに
波数3644cm−1付近の強いピークを有しないもの
であり、このピークには、例えば細かいノイズピーク等
は含まれず、ベースラインを引いたときに、そのピーク
の強度または面積が測定可能であるようなピークのこと
を意味する。また、本発明は、酸素を含有していること
を前提とし、積層セラミックコンデンサへの用途を考慮
してその含有量を0.1〜2.0重量%と規定した。酸
素の含有量は0.3〜1.0重量%であることが好まし
く、0.3〜0.8重量%であればさらに好適である。
いては、導電ペースト用として使用して支障のない限り
特に制限はない。しかしながら、近年の電子製品の軽量
小型化に伴い、その部品である積層セラミックコンデン
サも小型化が要求されており、その内部電極に使用され
る金属粉末もより粒径の小さいものが要求される。した
がって、本発明の金属ニッケル粉末の平均粒径は、0.
1〜1μmであることが好ましく、0.1〜0.5μm
の範囲の微粒子であればさらに好適である。また、金属
ニッケル粉末のBETによる比表面積は、1〜20m2
/gであることが好ましい。さらに、金属ニッケル粉末
の粒子形状は、球状であることが焼結特性また分散性を
向上させるために望ましい。
線光電子分光分析法により測定した金属ニッケル含有率
が0〜10アトミック%であることが好ましい。なお、
金属ニッケル含有率が0%とは、X線が酸化被膜によっ
て阻止されて金属ニッケルまで達しないことを示し、こ
の場合には金属ニッケル粉末の酸化が最も抑制される。
金属ニッケル含有率は、好ましくは0〜8アトミック
%、より好ましくは0〜5アトミック%が好適である。
略記することがある。)は、励起X線の波長により内殻
電子準位から起こる光電子放出を利用し、この光電子ス
ペクトルを測定するものである。主に固体の試料の分析
に利用され、光電子が脱出可能な深度、すなわち、非弾
性散乱を受けずに電子が固体から飛び出すことができる
固体の極く薄い表面層に含まれる元素の同定、および定
量分析に広く応用されている。
をXPSを用いて分析すると、含有するニッケル成分と
して、金属ニッケル、酸化ニッケルおよび水酸化ニッケ
ルに起因するニッケル原子がそれぞれ同定することがで
き、標準試料と比較を行えば定量可能である。ここで、
金属ニッケル粉末の表面は酸化被膜に覆われているの
で、XPSにより同定および定量されるニッケル成分の
うち金属ニッケルは、この酸化被膜直下の金属ニッケル
に起因するものである。すなわち、酸化被膜が薄ければ
この金属ニッケルの比率が多くなり、また酸化被膜が厚
ければ金属ニッケルの比率は少なくなる。さらに、同じ
厚さの酸化被膜をもつ金属ニッケル粉末であっても、酸
化被膜の緻密度と金属ニッケルの比率との間に相関関係
が存在し、緻密度が低ければ金属ニッケルの比率は多く
なり、緻密度が高ければ金属ニッケルの比率は小さくな
る。
の金属ニッケルが0〜10アトミック%と比較的少ない
含有率である。換言すると、本発明の金属ニッケル粉末
の表面に形成された酸化被膜は、ある程度の厚さを有
し、かつ緻密な酸化被膜であることがいえる。このよう
にある程度強固な酸化被膜を形成していることによっ
て、加熱処理した際に、特に、積層セラミックコンデン
サの製造工程で有機成分除去のための300〜400℃
の温度域で加熱された際に、ニッケルの酸化還元による
体積および重量の変化を少なく抑えることが可能とな
る。
は、表面に強固な酸化被膜を有しているので、焼結開始
温度が従来の金属ニッケル粉末に比べてより高く、積層
セラミックコンデンサを製造する際に用いる誘電体の焼
結開始温度により近い。したがって、本発明の金属ニッ
ケル粉末では、加熱時の酸化挙動また焼結挙動が従来の
金属ニッケル粉末に比べ優れているので、デラミネーシ
ョンを有効に防止することができる。
以上の厚さを有することが好ましく、2.5nm以上で
あればさらに好ましく、2.5〜5nmの範囲であれば
さらに好適である。
相法あるいはプラズマ法等の公知の方法により製造する
ことができる。特に、金属ニッケル塩化物ガスと還元性
ガスとを接触させることにより金属ニッケル粉末を生成
させる気相還元法は、生成する金属ニッケル粉末の粒子
径を容易にコントロールでき、しかも球状の粒子を効率
良く製造することができるので、好適に用いることがで
きる。また、気相還元法は、金属ニッケル塩化物ガスと
水素のような還元性ガスを反応させる製造方法であり、
従来のように、固体の塩化ニッケルを加熱し蒸発させて
金属ニッケル塩化物ガスを生成させることができる。し
かしながら、塩化ニッケルの酸化防止およびエネルギー
効率を考慮すると、金属ニッケルに塩素ガスを接触させ
て金属ニッケル塩化物ガスを連続的に発生させ、この金
属ニッケル塩化物ガスを還元工程に直接供給し、還元性
ガスと接触させ塩化ニッケルを連続的に還元し製造する
方法が有利である。
造過程では、金属ニッケル塩化物ガスと還元性ガスとが
接触した瞬間にニッケル原子が生成し、金属ニッケル原
子どうしが衝突・凝集することによって超微粒子が生成
され、成長してゆく。そして、還元工程の雰囲気中の金
属ニッケル塩化物ガスの分圧や温度等の条件によって、
生成される金属ニッケル粉末の粒径が決まる。上記のよ
うな金属ニッケル粉末の製造方法によれば、塩素ガスの
供給量に応じた量の金属ニッケル塩化物ガスが発生する
から、塩素ガスの供給量を制御することで還元工程へ供
給する金属ニッケル塩化物ガスの量を制御することがで
きる。さらに、金属ニッケル塩化物ガスは、塩素ガスと
金属ニッケルとの反応で発生するから、固体塩化ニッケ
ルの加熱蒸発により金属ニッケル塩化物ガスを発生させ
る方法と異なり、キャリアガスの使用を少なくすること
ができるばかりでなく、製造条件によっては使用しない
ことも可能である。よって、キャリアガスの使用量低減
とそれに伴う加熱エネルギーの低減により、製造コスト
を低減することができる。
化物ガスに不活性ガスを混合することにより、還元工程
における金属ニッケル塩化物ガスの分圧を制御すること
ができる。このように、塩素ガスの供給量もしくは還元
工程に供給する金属ニッケル塩化物ガスの分圧を制御す
ることにより、金属ニッケル粉末の粒径を制御すること
ができ、金属ニッケル粉末の粒径を安定させることがで
きるとともに、粒径を任意に設定することができる。
ル粉末の製造条件について一概には特定できないが、出
発原料である金属ニッケルの粒径は約5mm〜20mm
の粒状、塊状、板状などが好ましく、またその純度は慨
して99.5%以上が好ましい。金属ニッケルを先ず塩
素ガスと反応させ、金属ニッケル塩化物ガスを生成させ
る製造方法を採用する場合には、その際の温度は反応を
十分進めるために800℃以上とし、ニッケルの融点で
ある1483℃以下とする。反応速度と塩化炉の耐久性
を考慮すると、実用的には900℃〜1100℃の範囲
が好ましい。次いで、この金属ニッケル塩化物ガスを還
元工程に直接供給し、還元性ガスである水素ガスと接触
反応させる。その際に、窒素やアルゴンなどの不活性ガ
スを、金属ニッケル塩化物ガスに対し1モル%〜30モ
ル%混合し、この混合ガスを還元工程に導入してもよ
い。還元反応の温度は反応完結に充分な温度以上であれ
ば良いが、固体状の金属ニッケル粉末を生成する方が取
扱いが容易であるので、ニッケルの融点以下が好まし
く、経済性を考慮すると900℃〜1100℃が実用的
である。
ケル粉末を生成し、生成金属ニッケル粉末を冷却する。
冷却の際には、還元反応を終えた1000℃付近のガス
流を、400℃〜800℃程度まで空気あるいは窒素ガ
スなどの不活性ガスを吹き込むことにより急速冷却させ
ることが望ましい。これにより、生成したニッケルの一
次粒子どうしの凝集による二次粒子の生成を防止し、所
望の粒径の金属ニッケル粉末を得ることができる。その
後、生成した金属ニッケル粉末を、たとえばバグフィル
ター、水中捕集分離手段、油中捕集分離手段および磁気
分離手段の1種または2種以上の組合せることにより分
離、回収する。
末に対して、酸化性雰囲気下において加熱処理すること
が望ましい。加熱処理の雰囲気は、酸化性であればその
種類は問わない。たとえば、大気中で加熱処理しても良
く、また、アルゴンガスで希釈した酸素ガス雰囲気下で
行っても良い。
0℃〜400℃で行なうことが好ましい。この温度範囲
の上限を超えた範囲で熱処理を行なうと、金属ニッケル
粉末どうしの焼結に伴って互いに凝集するという問題が
生じる。また上記温度範囲の下限未満では、熱処理時間
をかなり長く設定する必要が生じて実用的でない。加熱
に要する時間は、1分〜10時間の範囲で選定するのが
好ましい。この時間範囲の上限を超えると、金属ニッケ
ル粉末どうしの焼結に伴って互い凝集し、粒子成長が生
じる。一方、加熱時間が上記下限未満では、熱処理を十
分に行なうことができない。
対しては、できれば速やかに前記した熱処理を行なうの
が良い。その理由は、生成直後のニッケル粉を大気中に
放置すると、水分を吸収して水酸化ニッケルを生成し、
これを除去する為に前記した熱処理に時間を要するから
である。
な方法で製造した金属ニッケル粉末を酸化性雰囲気下に
おいて加熱処理することにより、赤外線吸収スペクトル
によって現われる水酸化ニッケルに起因する強ピークが
検出されなくなる。この加熱処理を行なった金属ニッケ
ル粉末の焼結開始温度は、同加熱処理を行なわないもの
に比して高温側にシフトする傾向を示すようになる。こ
れは、前記したように積層セラミックコンデンサの焼成
時にデラミネーションの発生が起り難くなることを意味
する。
ッケル粉末は、積層セラミックコンデンサの製造工程に
おいて優れた焼結挙動を示し、デラミネーションが起り
難くなるという効果を奏する。より具体的には、焼結開
始温度が従来の金属粉末に比べてより高く、積層セラミ
ックコンデンサを製造する際に用いる誘電体の焼結開始
温度により近く、結果としてデラミネーションの起りに
くい金属ニッケル粉末が得られる。
実施例を図面を参照しながら説明することにより、本発
明の効果をより明らかにする。 −金属ニッケル粉末の製造− [実施例 1]図1に示す金属ニッケル粉末の製造装置の
塩化炉1に、平均粒径5mmの金属ニッケル粉末15kg
を充填し、炉内雰囲気温度を1100℃にして4Nl/
minの流量で塩素ガスを導入し、金属ニッケルを塩化
して金属ニッケル塩化物ガスを発生させた。これに塩素
ガス供給量の10%(モル比)の窒素ガスを混合し、こ
の塩化ニッケル−窒素混合ガスを1000℃の雰囲気温
度に加熱した還元炉2に、ノズル17から流速2.3m
/秒(1000℃換算)で導入した。同時に還元炉2の
頂部から水素ガスを流速7Nl/minで供給し、金属
ニッケル塩化物ガスを還元した。そして、還元反応で生
成した金属ニッケル粉末を含む生成ガスに冷却工程で窒
素ガスを24.5Nl/分で供給し、1000℃から4
00℃まで100℃/秒の速度で冷却した。次いで、窒
素ガス−塩酸蒸気−金属ニッケル粉末からなる混合ガス
をオイルスクラバーに導き、金属ニッケル粉末を分離回
収した。ついで、回収した金属ニッケル粉末をキシレン
で洗浄後、乾燥した。その後、金属ニッケル粉末に対し
て、大気中において250℃で30分間の熱処理を行
い、金属ニッケル粉末を得た。
を行わなかった以外は実施例1と同様にして金属ニッケ
ル粉末を得た。
化被膜の厚さ、酸素含有率、XPSによる金属ニッケル
含率、平均粒径、焼結開始温度、酸化挙動、粒度分布お
よび赤外吸収スペクトル分析を下記の方法により測定
し、その結果を表1に示した。また、赤外吸収スペクト
ル分析の結果を図2に示した。図2において(a)は比
較例の測定結果、(b)は実施例の測定結果である。
トン3重量%を混合し、内径5mm、長さ10mmの円柱状
の金型に充填し、その後面圧3トンの荷重をかけ試験ピ
ースを作成した。この試験ピースを熱膨張収縮挙動(di
ratometry)測定装置(TD−5000S、株式会社マ
ックサイエンス社製)を用い、窒素雰囲気下で昇温速度
5℃/分の条件で測定を行った。
キネン(イソプロピルアル コール10%、エタノール
90%)に懸濁させ、ホモジナイザーにて3分間分 散
させて測定した。実施例、比較例には体積統計値の粒度
分布を記載した。
射法による赤外スペクトル分析を行なった。その際、適
量の試料を拡散反射用の試料ホルダーに充填し、大気中
にて400〜4000cm−1の範囲とし、分解能を4
cm−1として測定した。
粒径を測定してその平均を算出した。
色AlkαをX線源とし、出力を300Wとした。測定
試料は、5mmφ×2mmのアルミ容器に試料を適量充
填し、その後100kg/cm2でプレス成形し調製し
た。結合エネルギーは、Ni2P電子に基づくスペクト
ルを基準として用い、0〜1200eVの範囲で検出角
度65゜にて測定した。その後、850〜857eVの
間のピークについてシャーリー法によりバックグラウン
ドを差引き、残りのピークを積分し、その強度を金属ニ
ッケルの強度とした。酸素原子については527〜53
5eVの間のピークについて同様に強度を求め、金属ニ
ッケルと酸素原子の強度から感度係数を求めて金属ニッ
ケル含率を求めた。
製シートメッシュ上に直接振りかけ、その後カーボンを
蒸着させ測定試料を作成した。次いで、200kV電界
放射型透過電子顕微鏡(HF−2000、日立製作所社
製)を用いて測定試料の格子像を観察し、金属ニッケル
粉末表面の酸化被膜厚さを測定した。
し、これを黒鉛るつぼに入れ、アルゴン雰囲気中で50
0℃に加熱し、このとき発生した一酸化炭素をIRによ
り定量し、金属ニッケル粉末中の酸素含有率を求めた。
昇温速度で1100℃まで加熱し、その際の400℃の
時点での重量増加率(%)と、1%重量が増加したとき
の温度を確認した。
(a))の赤外吸収スペクトルでは、波数3644cm
−1においてOH基に起因する強い吸収ピークが検出さ
れたのに対し、実施例(同図(b))の赤外吸収スペク
トルでは、そのようなピークは検出されなかった。ま
た、表1から明らかなように、実施例の金属ニッケル粉
末では、平均粒径に殆ど差がないものの、溶媒中に分散
させたときの粒度分布を見ると、実施例の金属ニッケル
粉末は比較例の金属ニッケル粉末よりも狭かった。ま
た、実施例の金属ニッケル粉末では、焼結開始温度が比
較例の金属ニッケル粉末よりも高かった。さらに、実施
例の金属ニッケル粉末では、400℃での重量増加率が
比較例よりも小さく、重量増加率が1%のときの温度は
比較例よりも高かった。このことから、実施例の金属ニ
ッケル粉末では、比較例に較べて酸化が抑制されること
が判る。以上の結果から、本発明の金属ニッケル粉末で
は、積層セラミックコンデンサの製造工程において優れ
た焼結挙動を示し、かつ、導電ペーストを形成した際に
は優れた分散性を示し、しかも、酸化が抑制されるため
に体積の変化が小さく、したがって、デラミネーション
の防止が有効に図られることが推定される。
ル粉末によれば、導電ペーストを形成した際の分散性に
優れ、焼結開始温度が従来の金属ニッケル粉末に比べて
高いことにより優れた焼結挙動を示すとともに、酸化被
膜の存在により酸化が抑制されるために体積の変化が小
さいから、積層セラミックコンデンサの製造過程におい
てデラミネーションの発生を防止することができるとい
う効果を奏する。
製造装置の構成を示す縦断面図である。
果を示す線図であり、(a)は比較例、(b)は実施例
の結果をそれぞれ示す。
末、P…製造された金属ニッケル粉末。
Claims (3)
- 【請求項1】 酸素含有量が0.1〜2.0重量%であ
って、しかも赤外線吸収スペクトルにおける波数が36
00〜3700cm−1において吸収ピークを有しない
金属ニッケル粉末。 - 【請求項2】 前記金属ニッケル粉末が気相化学法によ
り生成された金属ニッケル粉末を酸化性雰囲気下で熱処
理して得られたものであることを特徴とする請求項1に
記載の金属ニッケル粉末。 - 【請求項3】 前記熱処理の温度が200℃〜400℃
の範囲であることを特徴とする請求項2に記載の金属ニ
ッケル粉末。
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WO (1) | WO2000006326A1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001057885A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Toho Titanium Co., Ltd. | Dispersion de nickel pulverulent, son procede de production et procede de production de pate conductrice |
JP2003522835A (ja) * | 2000-02-18 | 2003-07-29 | カナディアン・エレクトロニクス・パウダーズ・コーポレーション | 卑金属電極多層化セラミックコンデンサの電極として使用するためのニッケル粉末 |
JP2003530679A (ja) * | 2000-04-10 | 2003-10-14 | テトロニクス リミテッド | ツイン・プラズマ・トーチ装置 |
JP2005248198A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Toho Titanium Co Ltd | ニッケル粉末、並びにそれを用いた導電ペースト及び積層セラミックコンデンサ |
CN100454444C (zh) * | 2001-08-21 | 2009-01-21 | Tdk株式会社 | 导电糊用组合物、导电糊及其制备方法 |
KR101014158B1 (ko) | 2002-08-28 | 2011-02-14 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 금속 니켈 분말 및 그 제조 방법 |
JP2011084762A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニッケル粉およびその製造方法 |
WO2013151172A1 (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | 東邦チタニウム株式会社 | 金属ニッケル粉末及び金属ニッケル粉末の製造方法 |
KR20130112793A (ko) * | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 복합 니켈 입자 및 그 제조 방법 |
JP2014029013A (ja) * | 2012-04-04 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル粒子 |
JP2014029014A (ja) * | 2012-04-04 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル粒子 |
JP2014122368A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル超微粉、導電ペーストおよびニッケル超微粉の製造方法 |
JP2015127448A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | ニッケル粒子 |
KR20180101504A (ko) | 2016-01-12 | 2018-09-12 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 니켈 분말 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3640511B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2005-04-20 | Jfeミネラル株式会社 | ニッケル超微粉 |
US6659283B1 (en) * | 2001-05-17 | 2003-12-09 | Wilson Greatbatch Ltd. | Capacitor grade powders |
DE60214243D1 (de) * | 2001-06-14 | 2006-10-05 | Toho Titanium Co Ltd | Verfahren zur herstellung von metallpulver |
JP2004263205A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-24 | Toho Titanium Co Ltd | 金属微粉末およびその製造方法ならびにこの金属微粉末を用いた導電ペースト |
US7344584B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-03-18 | Inco Limited | Process for producing metal powders |
JP2007173131A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi Ltd | 微粒子分散液、およびそれを用いた導電パターン形成装置 |
JP4807581B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-11-02 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末、その製造方法、導体ペーストおよびそれを用いた積層セラミック電子部品 |
WO2011001282A2 (en) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Bairong Li | Metal reduction processes, metallurgical processes and products and apparatus |
TWI530973B (zh) * | 2013-08-02 | 2016-04-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated ceramic capacitor and laminated ceramic capacitor manufacturing method |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6067603A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Toho Aen Kk | 金属超微粉の処理方法 |
JPH0651239B2 (ja) * | 1985-08-02 | 1994-07-06 | 大同特殊鋼株式会社 | 粉末肉盛用Ni基合金粉末 |
JPH0445207A (ja) | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Kawasaki Steel Corp | 球状ニッケル微粒の製造方法 |
JP2554213B2 (ja) | 1991-06-11 | 1996-11-13 | 川崎製鉄株式会社 | 球状ニッケル超微粉の製造方法 |
JPH0625704A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-01 | Nkk Corp | 耐食性に優れた金属磁性粉の製造方法 |
JPH06336601A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニッケル粉末の製造方法 |
JPH08157904A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-18 | Daido Steel Co Ltd | 活性金属粉末の製造方法 |
JP3197454B2 (ja) | 1995-03-10 | 2001-08-13 | 川崎製鉄株式会社 | 積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉 |
JP3137035B2 (ja) | 1997-05-26 | 2001-02-19 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末及びその製造方法 |
JP3504481B2 (ja) | 1996-12-02 | 2004-03-08 | 東邦チタニウム株式会社 | Ni粉末の製造方法 |
JP3640511B2 (ja) | 1997-09-05 | 2005-04-20 | Jfeミネラル株式会社 | ニッケル超微粉 |
JP3475749B2 (ja) | 1997-10-17 | 2003-12-08 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末及びその製造方法 |
JPH11140514A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-25 | Toho Titanium Co Ltd | ニッケル粉の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-21 US US09/508,820 patent/US6391084B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-27 JP JP21075498A patent/JP3787032B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-21 CA CA002304874A patent/CA2304874C/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-21 EP EP99931450A patent/EP1025936B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-21 WO PCT/JP1999/003888 patent/WO2000006326A1/ja active IP Right Grant
- 1999-07-21 DE DE69926719T patent/DE69926719T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6620220B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-09-16 | Toho Titanium Co., Ltd. | Nickel powder dispersion, method of producing nickel power dispersion and method of producing conductive paste |
WO2001057885A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Toho Titanium Co., Ltd. | Dispersion de nickel pulverulent, son procede de production et procede de production de pate conductrice |
JP4986356B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2012-07-25 | カナディアン・エレクトロニクス・パウダーズ・コーポレーション | ニッケル粉末を製造する方法 |
JP2003522835A (ja) * | 2000-02-18 | 2003-07-29 | カナディアン・エレクトロニクス・パウダーズ・コーポレーション | 卑金属電極多層化セラミックコンデンサの電極として使用するためのニッケル粉末 |
JP2003530679A (ja) * | 2000-04-10 | 2003-10-14 | テトロニクス リミテッド | ツイン・プラズマ・トーチ装置 |
CN100454444C (zh) * | 2001-08-21 | 2009-01-21 | Tdk株式会社 | 导电糊用组合物、导电糊及其制备方法 |
KR101014158B1 (ko) | 2002-08-28 | 2011-02-14 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 금속 니켈 분말 및 그 제조 방법 |
JP4540364B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-09-08 | 東邦チタニウム株式会社 | ニッケル粉末、並びにそれを用いた導電ペースト及び積層セラミックコンデンサ |
JP2005248198A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Toho Titanium Co Ltd | ニッケル粉末、並びにそれを用いた導電ペースト及び積層セラミックコンデンサ |
JP2011084762A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニッケル粉およびその製造方法 |
KR101991520B1 (ko) | 2012-04-04 | 2019-06-20 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 복합 니켈 입자 및 그 제조 방법 |
KR20130112793A (ko) * | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 복합 니켈 입자 및 그 제조 방법 |
JP2014029013A (ja) * | 2012-04-04 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル粒子 |
JP2014029014A (ja) * | 2012-04-04 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル粒子 |
WO2013151172A1 (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | 東邦チタニウム株式会社 | 金属ニッケル粉末及び金属ニッケル粉末の製造方法 |
KR20150003159A (ko) * | 2012-04-06 | 2015-01-08 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 금속 니켈 분말 및 금속 니켈 분말의 제조 방법 |
CN104379279A (zh) * | 2012-04-06 | 2015-02-25 | 东邦钛株式会社 | 金属镍粉末和金属镍粉末的制造方法 |
JPWO2013151172A1 (ja) * | 2012-04-06 | 2015-12-17 | 東邦チタニウム株式会社 | 金属ニッケル粉末及び金属ニッケル粉末の製造方法 |
KR102032009B1 (ko) | 2012-04-06 | 2019-10-14 | 도호 티타늄 가부시키가이샤 | 금속 니켈 분말 및 금속 니켈 분말의 제조 방법 |
JP2014122368A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル超微粉、導電ペーストおよびニッケル超微粉の製造方法 |
JP2015127448A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | ニッケル粒子 |
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