JP2003530679A - ツイン・プラズマ・トーチ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
る。つまり、一つがアノード電極となり、他方がカソード電極となる。このよう
な装置では、各電極で生成されたアークが、2つのトーチから離れた結合ゾーン
で、互いに結合する。プラズマガスは、各トーチの場所を通過し、イオン化され
て、トーチに干渉されることなく、結合ゾーンに集中的にプラズマを形成する。
加熱/溶融されるべき対象物質はこの結合ゾーンに配置され、プラズマ中の熱エ
ネルギーが対象物質に伝達される。ツイン・プラズマ処理は、オープンな、又は
閉じこめられた処理ゾーンで行うことができる。
先行する特許出願の主題であった。たとえば、EP0398699や、US5256855である。
れた場所での2つのアーク間の結合の抵抗が大きくなるにつれてエネルギーは増
大するが、トーチによる損失が一定のままであるからである。この処理にはまた
、比較的高温の状態を容易に達成でき、維持できるという利点もある。これは、
2つのトーチからのエネルギーが合成されることと、上記効率との双方の結果で
ある。
いに近接したり、かつ/または狭い空間に閉じこめられていると、アークが不安
定になる傾向がある。この傾向は高電圧で顕著である。このサイドアークは、ア
ークが相互に抵抗の低い経路に優先的に付随するときに生じる。
質的に離されていて、抵抗の低い経路が近傍から離されているような、US5,104,
432に記載のようなオープンな処理ユニットの開発にもつながっている。このよ
うなユニットでは、プロセスガスは、その装置周辺のあらゆる方向へ自由に広が
っていく。しかしながら、そのような構成は、すべての処理装置に適切なもので
はなく、超微細粒子の製造時のように、特にプロセスガスの制御が必要となって
いる場合には適切とはいえない。
ラズマ・アーク近傍とを離隔させるため、トーチ・ノズルがチャンバーに突き出
している。この変わった構造は、サイドアークの発生を抑止し、アークの結合を
促進する。しかしながら、突き出したノズルは、対象物質の表面を急激に溶融す
る。これは対象物質を損失するだけでなく、トーチの寿命を短くする。
ラズマ・トーチは、以下を含む: (a)ハウジングに互いに対立して支持された、少なくとも2つのツイン・プラ
ズマ・トーチ・アセンブリであって、互いに間隔を置いて配置され、それぞれが
、 (i)第1の電極と、 (ii)前記第1の電極との間に、処理ゾーンとしてプラズマ・アークを形成
するに十分な間隔を置いて、配置、又は配置されるよう調整された第2の電極と
、 を有するツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ、 (b)前記第1、第2の電極の間の処理ゾーンにプラズマ・ガスを導入する手段
、 (c)プラズマ・ガスを取り巻くシュラウド・ガスを導入する手段、 (d)処理ゾーンに対象物質を供給する手段、及び、 (e)処理ゾーンにプラズマ・アークを形成する手段。
プラズマ密度を高める。これにより本発明は、サイドアークが防止されたトーチ
を含むアセンブリを提供する。そして、トーチのデザインの小型化が促進され、
抵抗の低い経路までの距離が短くなる。シュラウド・ガスの利用はまた、ハウジ
ングから突出するトーチ・ノズルをも不要とする。
が電極の長さに沿って発生する円筒形のトーチでは、電極に沿った様々な位置か
ら供給できる。しかし好ましくは、各トーチがプラズマ・ガスの放電のための末
端部(distal end)を有し、シュラウド・ガスを供給する手段が、各電極の前記
末端部の下流にシュラウド・ガスを導入する。これにより、電極を劣化させるこ
となく、酸素のような反応性ガスをプラズマに加えてもよい。電極の下流に反応
性ガスを加えることで、実用的なプラズマ・トーチの用途が、拡大する。
、シュラウド・ガスの供給ダクトをハウジングと電極との間に規定して、ハウジ
ングの端部は、トーチの末端部に向けて内向きに先細になっており、プラズマ・
ガス周囲のシュラウド・ガスの流れの方向を決める。
ミクロン、又はナノのサイズの)粒子、例えばアルミニウム粉末をプラズマ揮発
プロセスで実行するチャンバーを備えたアーク反応器に用いることができる。こ
の反応器はさらに、球状加工(spherodisation)プロセスにも利用される。
スがもうけられている。ツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリは、各オリフィ
ス上にマウントされている。オリフィスと、ツイン・プラズマ・トーチ・アセン
ブリとは、従って前記管状部分に沿って及び/又はその周囲に配置される。オリ
フィスは、好ましくは実質的に規則的な間隔で設けられている。
的には、金属材料により形成される。また、グラファイトにより形成されてもよ
い。
して凝集させる冷却手段をさらに含む。この冷却手段は、冷却ガス源と、冷却リ
ングとを含む。
質を収集する収集ゾーンを含んでもよい。この供給して処理された対象物質は、
典型的には、粉体状、液状またはガスとなっている。
を収集する。この収集ゾーンは、紛状の粒子をガスの流れから分離するフィルタ
・クロス(cloth)を含んでもよい。このフィルタ・クロスは、接地されたかご
にマウントされており、電荷が蓄積して帯電しないようになっていることが好ま
しい。粉体は、制御された雰囲気化のゾーンで、フィルタ・クロスから収集され
てもよい。結果として得られた粉体製品は、不活性ガス中で、大気圧よりも高い
圧力下で容器内に密閉されることも好ましい。
に移送する手段を含んでもよい。このような手段は流体の流れ、例えばチャンバ
ー内を流通する不活性ガスなどによって提供される。ここで、供給され処理され
た対象物質は使用時には、流体の流れに乗って収集ゾーンに運ばれる。
はACの電源を含む。
なく稼働させることができ、反応器を停止させずに対象物質の供給が可能となる
。
チ・アセンブリに統合された対象物質供給チューブを備えて実現される。物質は
、金属等の粒状体や空気、酸素、水素、蒸気のようなガスであってよく、トーチ
・アセンブリが稼働しているときのパワーを増大させる。
が、チャンバー内に突出しないことである。
とで、多くのユニットが製品を搬送するチューブ上に設置できる。これにより、
不確実さを伴うことなく、製造ユニット全体の規模を10倍程度までスケールア
ップできるようになる。
象物質を揮発させ、 (E)揮発した対象物質を冷却して粉体として凝集させ、 (F)前記粉体を収集する 工程を含む。
例えば、アルミニウムや、その合金などである。しかしながら、液体やガスの対
象物質も用いることができる。固体が供給されるときには、対象物質は、電極間
の空間、つまり処理ゾーンに供給可能ないかなる適切な形状でありえる。例えば
、対象物質は、ワイヤやファイバ、及び/又は粒状であってもよい。
らなり、又は不活性ガスを含んでなる。
に導入される。
て実現される。不活性ガスは例えばアルゴン及び/又はヘリウムである。これに
代えて、又は不活性ガスの利用に組み合わせて、反応性ガス流も用い得る。反応
性ガスの利用により、酸化物又は窒化物の粉体を生成できる。例えば、空気を揮
発した対象物質の冷却に用いれば、酸化物の粉体を生成できる。具体的には、酸
化アルミニウムの粉体である。同様に、例えば、反応性ガスとしてアンモニアを
含むものを用いると、窒化物の粉体を生成できる。具体的には、窒化アルミニウ
ムの粉体である。冷却ガスは、水冷されたチャンバーを通じて再生できる。
象物質が、アルミニウムやアルミニウムを含んだものである場合などの反応性金
属の場合に極めて効果的である。被膜ガスは、例えば酸素含有ガスを含む。
理や、最終的な粉体の粒子サイズ等に合わせて調整されることが好ましい。
とが好ましい。反応器は、少なくとも2000℃程度、典型的には2200℃ま
で予熱される。予熱は、プラズマ・アークを用いて行い得る。
収率と粉体のサイズとに影響し得る。
本的に金属アルミニウムと、酸化アルミニウムとが混ざり合ったものを含む混合
物の生成に用いられる。これは、低温酸化条件にて、対象物質を処理中に、酸素
を添加して得られる。
た)を参照しながら説明される。
の断面図である。これらはモジュール構造であり、それぞれ電極モジュール1又
は2と、ノズル・モジュール3と、シュラウド・モジュール4と、電極ガイド・
モジュール5とを含む。
電極ガイド・モジュール5とノズル・モジュール3とは電極モジュール1、2の
長さ方向に沿った位置の周りに軸対象に配置される。少なくとも、電極モジュー
ル1,2の末端部(すなわち、プラズマがトーチから放電される終端位置)がノ
ズル・モジュール3に囲まれている。電極モジュール1又は2に最も近い端部が
電極ガイド・モジュール5内に配置される。ノズル・モジュール3は、シュラウ
ド・モジュール4内部に配置される。
)」リングによって行われる。例えば「O」リングは、ノズル・モジュール3と
シュラウド・モジュール4との間、及びノズル・モジュール3と電極ガイド・モ
ジュールとの間の双方をシールするのに用いられる。本明細書の図面を通じて「
O」リングは、チャンバー内の小さい、塗りつぶされた円として示されている。
とを導入するポート51及び44をそれぞれ備えている。処理ガスの導入は、ト
ーチ10,20の近接端部(proximal end)に向けて行われる。処理ガスは電極
1又は2と、ノズル3との間の流路53に導入され、トーチ10,20の末端部
へと運ばれる。特にこの実施形態では、シュラウド・ガスがトーチ10,20の
末端部に供給される。これは、シュラウド・ガスが電極から離れている状態を維
持する。そして、例えば酸素のように、電極モジュール1,2を劣化させうるシ
ュラウド・ガスを用いる際に特に有効である。しかしながら、他の実施形態では
シュラウド・ガスは、トーチ10,20の近接端部に向けて導入されてもよい。
っている。シュラウド・モジュール4は、ノズル・ガイド41と、シュラウド・
ガス・ガイド42と、絶縁部43と、チャンバー壁111と、シート(seat)4
6とを含む。「O」リングは、チャンバー壁111と、ノズル・ガイド41とを
シールするのに用いられている。好ましくは、冷却流体(coolant fluid)がチ
ャンバー壁111内部に導入される。
の不安定化の要因となる低抵抗経路(low resistance path)がトーチの末端部
に形成されないようにしている。絶縁体43は、典型的には、窒化硼素や窒化珪
素を含んでなる。
モジュール3の末端部を支持するとともに、シュラウド・ガスがトーチの末端部
の外側に流出するのを可能にする。典型的にはPTFEで形成される。
ール4内でノズル・モジュール3を配置するのに用いられる。ノズル・ガイド4
1は、また、流路44を含み、流路44はシュラウド・ガスをチャンバー47に
供給する。シュラウド・ガスは、チャンバー47からシュラウド・ガス・ガイド
42に配置された流路45を通って排出される。これら流路45は、絶縁体43
とコンタクト・エッジに沿っている。
ウド・ガス・モジュール4(図1,2)を用いて導入されるように図示されてい
るが、他の手段によっても導入させることができる。例えば、シュラウド・ガス
は、トーチの近接端部の近くまで、処理ガスの流路51の周囲の流路を通じて届
けられる。シュラウド・ガスは、トーチの末端部からオフセットされた位置に配
置された環状リングによっても届けられる。
ることが好ましい。ノズル・モジュール3の近接端部内部は、処理ガス流を流路
51からノズルモジュール3と電極周囲に導入するよう、面取されていることが
効果的である。
の配置のように、正確に円周上に配置されることが好ましい。
却チャネルを有している。冷却回路は、一つの導入ポート8を通じてトーチに入
った冷却流体が、一つの導出ポート9を通じて流れる一つの回路に結合されてい
る。冷却流体は、導入路8を通じて導入され、電極モジュール1,2を通じて流
れ、ノズル・モジュール3に到達する。そして、トーチからノズル導出ポート9
を通じて外部へ導出される。このノズル導出ポート9から導出された冷却流体は
、熱交換器に運ばれて冷却流体として再生され、再び導入ポート8へ循環される
。
ート8から入った冷却流体が電極導入ポート81に導かれている。冷却流体は、
電極の近接端部近傍に導入され、中央流路に沿って末端部へと流通する。ここで
中央流路を取り囲む外側流路(又は数々の流路)を逆向きに流れて、電極導出ポ
ート91を通じて外部に導出される。この冷却流体は、ノズルに導入ポート82
を通じて導入され、内部流路に沿ってノズルの末端部に導かれる。そしてこの内
部流路外周に設けられた流路に沿って、逆向きに導かれ、ノズル・ポート92を
通じて外部へ導出される。冷却流体は、トーチ導出ポート9に導かれる。
いられる。水が用いられた場合は、流れの中に高抵抗経路を形成するため、脱イ
オン水(de-ionised water)を用いることが好ましい。
もよい。オープンな、及び閉じこめ型の処理ゾーン・チャンバーの双方で利用で
きる。処理ゾーン閉じこめ型のツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリの構成は
、図3に示されている。
きるようになっている。例えば、電極1,2の末端部間のオフセットと、これら
の間の角度とがアセンブリ・コンポーネントの形状(dimension)で決められる
。
密許容差をもって製造される。これにより一方のモジュールの半径方向の動きを
、それに係り合う他のモジュール内に制限する。組み立て及び分解を容易にする
ため、対応するモジュールが互いにスライドして係合し、例えばロック・ピンな
どによって固定されるようにする。モジュールでのロック・ピンの使用は、トー
チ・アセンブリ内で各モジュールが正しい向きになっていることの確認にも役立
ち、これにより、円周上での位置合わせも行われる。
アノード・トーチ・アセンブリ10及び20と、供給チューブ112を含む。典
型的には、2つのトーチは、互いに正しい角度で配置される。コンポーネントは
、アークの結合が発生する処理ゾーン110を閉じこめるよう配置される。供給
チューブ112は、粉体、液体、又はガス状の対象物質を処理ゾーンに供給する
ために用いられる。シュラウド・モジュール4の壁111は、閉じこめ型の処理
ゾーン110を含むチャンバーを規定することが好ましい。
離されるようにした、分岐した(divergent)処理ゾーン110を形成する。さ
らに、本質的に分岐した設計は、締め付けによる高圧力を伴わずに、プラズマ結
合の後のガスの広がりを可能とする。
壁111の周囲は、チャンバーの壁113に接合され、アセンブリ100がマウ
ントできるようにしている(図4)。このような配置では、処理ゾーン110が
完全に密閉されないようにオリフィス114が設けられる。典型的には、直径1
5cmの円形オリフィス114が用いられる。
及び113に分かれたモジュールとして構成される。
ルな)内部冷却壁115を含むシリンダにマウントされてもよい(図4)。ライ
ニング116は、好ましくは耐熱(heat resistant)材料である。壁111は、
それ自身、統合された冷却チャネルを有してもよい。
から生成されたアークを取り囲むように供給される。シュラウド・ガスは、ヘリ
ウム、窒素、又は空気である。高抵抗経路を生成するあらゆるガスが、シュラウ
ドを通じてアークが伝播することを防止するのに適している。好ましくは、この
シュラウド・ガスは比較的低温であることが好ましい。シュラウド・ガスによる
高抵抗経路がアークを比較的狭い帯域に集中させている。ノズル・モジュールの
、テーパーのつけられた末端部がアークを取り囲むガス・シュラウドの形成を助
けている。
給チューブ112やチャンバー壁111を逆流することを抑止する役目もある。
従って、処理の効率が向上する。
た対象物質がノズルに沈着することが防止される。従って、ノズルの動作寿命が
延ばされ、収率が増大する。
アセンブリのどの部分も、絶縁体で形成され、または絶縁体で被覆されている。
粉体の球状加工(spherodisation)又は有機廃棄物の処理などがある。さらなる
例が次に示される。
燃料バーナーを電気ガスヒーターに代えることができる。2つのトーチ間に水を
導入していることで、既存の窯や焼却炉を熱することのできる水蒸気を生成でき
る。ガスは、アークの間に導入されて、効率的なガス・ヒータとすることもでき
る。
する。
する反応器壁を用いることなく、処理できる。
(grated surface)を有し、蒸発が起きるようにしておく。これにより、反応性
ガスの影響を停止する障壁を作り出す。
の製造にも用いられ、その例が図5に示されている。ユニットが小さいので、冷
却(quench)リング130を、ガス状の高温のプラズマ結合ゾーンの近傍に近づ
けた配置が容易にできる。微細粒子は、膨張(expansion)ゾーン131内のゾ
ーン132で生成される。高速なガス冷却により粒子の最終サイズを小さくする
。
トされてもよい。
とが期待できる。それは、冷却装置130がアークからアーク結合ゾーン近傍に
近づけて配置できるからである。これにより、供給された対象物質の粒子の粉状
体/液体が成長する時間を短くする。
aterial)となる。
揮発物は冷却され、かつ/又は反応してナノサイズの粒子が生成される。
ーゲットでの移行アークモードで動作させるよう設定できる。上述したトーチは
、移行アークからアーク結合モード(図6A及び7A)で動作させることができ
、かつ移行アークモードで動作させることができる(図6B及び7B)。
ラズマの場合、10000ケルビン程度と測定されている。角のある粒子をここ
に導入すると、球状加工される。
は、例えばメタン、エタン、UF6等である。
オン衝突、溶融、又は、窒化などの表面の化学的変更などがある。
源としても利用できる。
冷システムは結合させて一つにできる。また、ツイン装置の1つ又は両トーチが
ガス・シュラウドを有してもよい。さらに、ガス・シュラウドは、上述のような
モジュール化されたトーチでなくても適用できる。
る場合には、円錐形でなく、円筒形が適切な形状として所望される。
てもよい。
アノード及び、カソード・トーチ・アセンブリを含むポータブルなツイン・トー
チ・アセンブリを示す図である。
取り付けた状態を示す図である。
要図である。
からアーク結合モードで操作されている状態を表す概要図である。
モードで操作されている状態を表す概要図である。
からアーク結合モードで操作されている状態を表す概要図である。
モードで操作されている状態を表す概要図である。
Claims (27)
- 【請求項1】 (a) ハウジングに互いに対立して支持された、少なくと
も2つのツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリであって、互いに間隔を置いて
配置され、それぞれが、 (i)第1の電極と、 (ii)前記第1の電極との間に、処理ゾーンとしてプラズマ・アークを形成
するに十分な間隔を置いて、配置、又は配置されるよう調整された第2の電極と
、 を有するツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリと、 (b)前記第1、第2の電極の間の処理ゾーンにプラズマ・ガスを導入する手段
と、 (c)プラズマ・ガスを取り巻くシュラウド・ガスを導入する手段と、 (d)処理ゾーン(processing zone)に対象物質を供給する手段と、 (e)処理ゾーンにプラズマ・アークを形成する手段と、 を含むツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項2】 請求項1に記載のツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリで
あって、各トーチは、プラズマ・ガスを放電する末端部を備え、前記シュラウド
・ガスを導入する手段は、各電極の末端部の下流にシュラウド・ガスを導入する
ツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項3】 請求項2に記載のツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリで
あって、各トーチは、電極を囲むハウジングを備え、シュラウド・ガスの供給ダ
クトをハウジングと電極との間に規定して、ハウジングの端部は、トーチの末端
部に向けて内向きに先細になっており、プラズマ・ガス周囲のシュラウド・ガス
の流れの方向を決定するツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項4】 請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリであって
、 処理されて粉体状となった対象物質(feed material)を収集する収集ゾーン
(collection zone)を含むツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項5】 請求項4に記載のアセンブリであって、さらに、処理された
対象物質を前記収集ゾーンに輸送する手段を含むツイン・プラズマ・トーチ・ア
センブリ。 - 【請求項6】 請求項5に記載のアセンブリであって、前記理された対象物
質を前記収集ゾーンに輸送する手段が、チャンバーを通じて流体を流通する手段
を含み、使用時には、処理された対象物質が、前記流体の流れによって運搬され
、前記収集ゾーンに輸送されるツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項7】 請求項1から6のいずれか一項に記載のアセンブリであって
、プラズマ・ガスを放電する第1、第2の電極の末端部がハウジングを超えて突
き出していないツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項8】 請求項1から7のいずれか一項に記載のアセンブリであって
、プラズマ・ガスを放電するための前記第1及び/又は第2の電極がグラファイ
トで形成されているツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項9】 請求項1から8のいずれか一項に記載のアセンブリであって
、処理ゾーンで揮発された対象物質を冷却して凝集させる冷却手段をさらに含む
ツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項10】 請求項9に記載のアセンブリであって、前記冷却手段は冷
却ガス源または冷却リング(cooling ring)を含んでなるツイン・プラズマ・ト
ーチ・アセンブリ。 - 【請求項11】 請求項1から10のいずれか一項に記載のアセンブリであ
って、前記第1、第2の電極間の処理ゾーンにプラズマ・アークを生成する手段
は、DC又はAC電源を含むツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。 - 【請求項12】 請求項1から11のいずれか一項に記載のツイン・プラズ
マ・トーチ・アセンブリと、リアクション・チャンバーとの組み合わせを含むプ
ラズマ・アーク反応器。 - 【請求項13】 請求項12に記載の反応器であって、前記チャンバーは、
細長形状を有し、複数のオリフィスを備えた壁部材を含み、前記各オリフィスに
は、請求項1から11のいずれか一項に記載のツイン・プラズマ・トーチ・アセ
ンブリが取り付けられているプラズマ・アーク反応器。 - 【請求項14】 請求項13に記載の反応器であって、前記チャンバーは、
その壁面に複数のオリフィスを備えた管状部材を有し、前記各オリフィスには、
請求項1から11のいずれか一項に記載のツイン・プラズマ・トーチ・アセンブ
リが取り付けられているプラズマ・アーク反応器。 - 【請求項15】 請求項14に記載の反応器であって、前記オリフィスは、
前記管状部材に沿って及び/又は管状部材周辺に配置されているプラズマ・アー
ク反応器。 - 【請求項16】 請求項13から15のいずれか一項に記載の反応器であっ
て、前記オリフィスは、実質的に等間隔に設けられているプラズマ・アーク反応
器。 - 【請求項17】 供給された対象物質(feed material)を粉体加工する方
法であって、 (A)請求項12から16のいずれか一項に記載のプラズマ・アーク反応器を用
い、 (B)その第1、第2の電極の間の処理ゾーンにプラズマ・ガスを導入し、 (C)前記第1、第2の電極間の処理ゾーンにプラズマ・アークを生成し、 (D)供給されるべき対象物質をプラズマ・アーク中に供し、当該供給された対
象物質を揮発させ、 (E)揮発した対象物質を冷却して粉体として凝集させ、 (F)前記粉体を収集する 工程を含む方法。 - 【請求項18】 請求項17に記載の方法であって、前記対象物質は、金属
又は合金を含んでなる、方法。 - 【請求項19】 請求項18に記載の方法であって、前記対象物質は、アル
ミニウム又はその合金である、方法。 - 【請求項20】 請求項17から19のいずれか一項に記載の方法であって
、前記対象物質は、ワイヤ、ファイバ、及び/又は粒状体の形状である、方法。 - 【請求項21】 請求項17から20のいずれか一項に記載の方法であって
、前記プラズマ・ガスは、不活性ガスからなる、方法。 - 【請求項22】 請求項21に記載の方法であって、プラズマ・ガスはヘリ
ウム及び/又はアルゴンからなる、方法。 - 【請求項23】 請求項17から22のいずれか一項に記載の方法であって
、揮発した対象物質を冷却する少なくとも一部分が、不活性ガス流を用いている
、方法。 - 【請求項24】 請求項17から23のいずれか一項に記載の方法であって
、揮発した対象物質を冷却する少なくとも一部分が、反応性ガス流を用いている
、方法。 - 【請求項25】 請求項17から23のいずれか一項に記載の方法であって
、粉体の表面が被膜ガス(passivating gas)流によって酸化される、方法。 - 【請求項26】 請求項25に記載の方法であって、前記被膜ガスは、酸素
含有ガスである、方法。 - 【請求項27】 請求項17から26のいずれか一項に記載の方法であって
、粉体は、そのすべてが実質的に直径200ナノ・メートル、又は直径50ナノ
・メートル未満である、方法。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008539061A (ja) * | 2005-04-28 | 2008-11-13 | イー.イー.アール.エンバイロンメンタル エナジー リソーシズ(イスラエル)リミテッド | 廃棄物処理チャンバーにおいて用いられる改良されたプラズマトーチ |
JP2010511284A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | ウラジミール・イー・ベラシュチェンコ | プラズマ装置およびシステム |
JP2010532744A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | エヴァコ エルエルシー | 水を単体ガスに使用箇所で安価かつカーボンフリーに解離して水素関連発電を行う方法と装置 |
WO2012157733A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 株式会社東北テクノアーチ | 金属粉末の製造方法および金属粉末の製造装置 |
WO2018181482A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粒子及びその製造方法 |
JP2019065390A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 粒子の製造方法 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1257376B1 (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-21 | Tetronics Limited | Plasma arc reactor for the production of fine powders |
US20050195966A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Sigma Dynamics, Inc. | Method and apparatus for optimizing the results produced by a prediction model |
EP1637325A1 (en) | 2004-09-16 | 2006-03-22 | Imperial Tobacco Limited | Method of printing smoking article wrapper |
US7763823B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-07-27 | United Technologies Corporation | Method and apparatus for microplasma spray coating a portion of a compressor blade in a gas turbine engine |
US7342197B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-03-11 | Phoenix Solutions Co. | Plasma torch with corrosive protected collimator |
US9681529B1 (en) * | 2006-01-06 | 2017-06-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Microwave adapting plasma torch module |
FR2897747B1 (fr) | 2006-02-23 | 2008-09-19 | Commissariat Energie Atomique | Torche a plasma a arc transfere |
WO2008140786A1 (en) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Sdc Materials, Inc. | Method and apparatus for making uniform and ultrasmall nanoparticles |
AU2012202058B2 (en) * | 2007-07-06 | 2015-05-28 | Evaco, Llc | Carbon free dissociation of water and production of hydrogen related power |
US8507401B1 (en) | 2007-10-15 | 2013-08-13 | SDCmaterials, Inc. | Method and system for forming plug and play metal catalysts |
WO2010142004A2 (en) | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Katholieke Universifeit Leuven | Controlled biosecure aquatic farming system in a confined environment |
US8652992B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-02-18 | SDCmaterials, Inc. | Pinning and affixing nano-active material |
US8803025B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-08-12 | SDCmaterials, Inc. | Non-plugging D.C. plasma gun |
US9126191B2 (en) | 2009-12-15 | 2015-09-08 | SDCmaterials, Inc. | Advanced catalysts for automotive applications |
US9119309B1 (en) | 2009-12-15 | 2015-08-25 | SDCmaterials, Inc. | In situ oxide removal, dispersal and drying |
US9149797B2 (en) | 2009-12-15 | 2015-10-06 | SDCmaterials, Inc. | Catalyst production method and system |
US8557727B2 (en) | 2009-12-15 | 2013-10-15 | SDCmaterials, Inc. | Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material |
KR101581046B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2015-12-30 | 주식회사 케이씨씨 | 플라즈마 아크토치의 위치조절장치 |
JP2011140032A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Honda Motor Co Ltd | 2電極アーク溶接装置及び2電極アーク溶接方法 |
US8669202B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-03-11 | SDCmaterials, Inc. | Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts |
RU2458489C1 (ru) * | 2011-03-04 | 2012-08-10 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"" | Двухструйный дуговой плазматрон |
EP2744590A4 (en) | 2011-08-19 | 2016-03-16 | Sdcmaterials Inc | COATED SUBSTRATES FOR USE IN CATALYSIS AND CATALYSTS AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH PRIMING COMPOSITIONS |
US10314155B2 (en) * | 2012-08-06 | 2019-06-04 | Hypertherm, Inc. | Asymmetric consumables for a plasma arc torch |
US9107282B2 (en) * | 2012-08-06 | 2015-08-11 | Hypertherm, Inc. | Asymmetric consumables for a plasma arc torch |
US9781818B2 (en) | 2012-08-06 | 2017-10-03 | Hypertherm, Inc. | Asymmetric consumables for a plasma arc torch |
US9497845B2 (en) | 2012-08-06 | 2016-11-15 | Hypertherm, Inc. | Consumables for a plasma arc torch for bevel cutting |
US10721812B2 (en) | 2012-08-06 | 2020-07-21 | Hypertherm, Inc. | Asymmetric consumables for a plasma arc torch |
US9095829B2 (en) * | 2012-08-16 | 2015-08-04 | Alter Nrg Corp. | Plasma fired feed nozzle |
US9511352B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-12-06 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
US9156025B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
US9987703B2 (en) * | 2012-12-17 | 2018-06-05 | Fuji Engineering Co., Ltd. | Plasma spraying apparatus |
SK500582012A3 (sk) | 2012-12-17 | 2014-08-05 | Ga Drilling, A. S. | Multimodálne rozrušovanie horniny termickým účinkom a systém na jeho vykonávanie |
SK500062013A3 (sk) | 2013-03-05 | 2014-10-03 | Ga Drilling, A. S. | Generovanie elektrického oblúka, ktorý priamo plošne tepelne a mechanicky pôsobí na materiál a zariadenie na generovanie elektrického oblúka |
DE102013103508A1 (de) * | 2013-04-09 | 2014-10-09 | PLASMEQ GmbH | Plasmabrenner |
WO2015013545A1 (en) | 2013-07-25 | 2015-01-29 | SDCmaterials, Inc. | Washcoats and coated substrates for catalytic converters |
EP3068517A4 (en) | 2013-10-22 | 2017-07-05 | SDCMaterials, Inc. | Compositions of lean nox trap |
EP3060335A4 (en) | 2013-10-22 | 2017-07-19 | SDCMaterials, Inc. | Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines |
EP3119500A4 (en) | 2014-03-21 | 2017-12-13 | SDC Materials, Inc. | Compositions for passive nox adsorption (pna) systems |
CN105338724A (zh) * | 2014-08-14 | 2016-02-17 | 新疆兵团现代绿色氯碱化工工程研究中心(有限公司) | 一种v型等离子体炬的喷口 |
DE102014219275A1 (de) | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Zündung von Flammen eines elektropositiven Metalls durch Plasmatisierung des Reaktionsgases |
CN104551699B (zh) * | 2014-12-31 | 2016-08-17 | 华中科技大学 | 一种高温合金机加工的辅助装置 |
EP3756799A1 (en) | 2015-07-17 | 2020-12-30 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | Plasma atomization metal powder manufacturing processes and systems therefore |
KR20170014281A (ko) * | 2015-07-29 | 2017-02-08 | 창원대학교 산학협력단 | 환형 플라즈마 용사 건 |
EP3442726B1 (en) | 2016-04-11 | 2023-01-04 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | Reactive metal powders in-flight heat treatment processes |
CN106513198A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-03-22 | 沈裕祥 | 空气等离子单丝线材与粉末复合喷枪 |
DE102016010619A1 (de) | 2016-09-05 | 2018-03-08 | bdtronic GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines atmosphärischen Plasmas |
EP3655185A4 (en) * | 2017-07-21 | 2021-03-10 | Pyrogenesis Canada Inc. | PROCESS FOR THE ECONOMICAL PRODUCTION OF ULTRAFINE BALL POWDERS ON A LARGE SCALE BY MEANS OF PLASMA ATOMIZATION ASSISTED BY A PROPELLER |
RU2751609C1 (ru) * | 2020-05-06 | 2021-07-15 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Способ и устройство для получения порошков для аддитивных технологий |
RU205453U1 (ru) * | 2020-05-06 | 2021-07-15 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Устройство для получения порошков для аддитивных технологий |
RU2756959C1 (ru) * | 2020-06-08 | 2021-10-07 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Устройство для получения мелкодисперсного порошка |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS555125A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plasma arc build-up welding method by powder metals or other |
JPS55117577A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-09 | Rikagaku Kenkyusho | Operating method of plasma generator |
JPS60224706A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Hitachi Ltd | 金属超微粒子の製造法 |
JPH02236999A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-09-19 | Daniel R Marantz | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
JPH0327601B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1991-04-16 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho | |
JPH03226509A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
JPH03126270U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-19 | ||
JPH04350106A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Nisshin Flour Milling Co Ltd | 合金組成の超微粒子製造方法 |
JPH05103970A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 微粒子製造装置 |
JPH05253557A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 焼却灰溶融炉 |
JPH06172820A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-21 | High Frequency Heattreat Co Ltd | 混合/複合超微粒子製造方法及びその製造装置 |
JPH085247A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ式溶融炉 |
JPH0839260A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-02-13 | Daido Steel Co Ltd | 粉末肉盛溶接方法 |
JPH09209002A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Ohara:Kk | 活性金属の圧粉体の製造法、溶解法、および鋳造法ならびに活性金属を含む合金の製造法 |
JPH10280120A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Ford Global Technol Inc | フラックス入りワイヤーを用いた金属被覆の溶射方法 |
JPH11291023A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-26 | Nippon Steel Corp | タンディシュ内溶鋼加熱用プラズマトーチ |
JP2000045002A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Toho Titanium Co Ltd | 金属ニッケル粉末 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2284551A (en) | 1940-08-03 | 1942-05-26 | Peter P Alexander | Packing of powdered metals |
NL299680A (ja) | 1962-10-26 | |||
DE1220058B (de) | 1965-06-28 | 1966-06-30 | Kernforschung Gmbh Ges Fuer | Verfahren und Vorrichtung zur Waermebehandlung pulverfoermiger Stoffe, insbesondere zum Schmelzen der Koerner hochschmelzender Stoffe, mittels eines Hochtemperaturplasmas |
GB1164810A (en) | 1966-12-19 | 1969-09-24 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to Production of Particulate Refractory Material |
GB1339054A (en) | 1971-05-13 | 1973-11-28 | Vos N I Gornorudny I Vostnigri | Apparatus for and a method of comminuting materials |
JPS5546603B2 (ja) | 1973-10-05 | 1980-11-25 | ||
GB1493394A (en) | 1974-06-07 | 1977-11-30 | Nat Res Dev | Plasma heater assembly |
JPS50160199A (ja) * | 1974-06-20 | 1975-12-25 | ||
US4112288A (en) | 1975-04-17 | 1978-09-05 | General Atomic Company | Orifice tip |
US4194107A (en) | 1977-06-02 | 1980-03-18 | Klasson George A | Welding tip |
DE2755213C2 (de) | 1977-12-10 | 1982-05-06 | Fa. Dr. Eugen Dürrwächter DODUCO, 7530 Pforzheim | Nichtabschmelzende Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4341941A (en) | 1979-03-01 | 1982-07-27 | Rikagaku Kenkyusho | Method of operating a plasma generating apparatus |
US4238427A (en) | 1979-04-05 | 1980-12-09 | Chisholm Douglas S | Atomization of molten metals |
US4861961A (en) | 1981-03-04 | 1989-08-29 | Huys John H | Welding electrode |
US4374075A (en) * | 1981-06-17 | 1983-02-15 | Crucible Inc. | Method for the plasma-arc production of metal powder |
JPS5831825A (ja) | 1981-08-14 | 1983-02-24 | Otsuka Tekko Kk | 微粉炭を運搬容器に充填する装置 |
FR2511558B1 (fr) * | 1981-08-17 | 1987-04-30 | Aerospatiale | Equipement pour le stockage de l'energie sous forme cinetique et la restitution de celle-ci sous forme electrique, et procede de mise en oeuvre de cet equipement |
US4610718A (en) * | 1984-04-27 | 1986-09-09 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing ultra-fine particles |
JPH062882B2 (ja) | 1985-06-20 | 1994-01-12 | 大同特殊鋼株式会社 | 微粒子製造装置 |
DE3642375A1 (de) | 1986-12-11 | 1988-06-23 | Castolin Sa | Verfahren zur aufbringung einer innenbeschichtung in rohre od. dgl. hohlraeume engen querschnittes sowie plasmaspritzbrenner dafuer |
JPS63147182A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Tokai Rubber Ind Ltd | クリ−ニングブレ−ドの製法 |
FR2614750B1 (fr) * | 1987-04-29 | 1991-10-04 | Aerospatiale | Electrode tubulaire pour torche a plasma et torche a plasma pourvue de telles electrodes |
JPS6459485A (en) | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Asahi Chemical Ind | Ic card |
JP2659807B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1997-09-30 | 万鎔工業株式会社 | 直接製錬方法 |
US5062936A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-05 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method and apparatus for manufacturing ultrafine particles |
JP3000610B2 (ja) | 1990-03-14 | 2000-01-17 | 大同特殊鋼株式会社 | 硬質粒子分散合金粉末の製造方法及び硬質粒子分散合金粉末 |
DE4105407A1 (de) | 1991-02-21 | 1992-08-27 | Plasma Technik Ag | Plasmaspritzgeraet zum verspruehen von festem, pulverfoermigem oder gasfoermigem material |
FR2673990B1 (fr) | 1991-03-14 | 1993-07-16 | Sne Calhene | Dispositif formant vanne, pour le raccordement etanche de deux conteneurs et conteneur prevu pour etre accouple a un tel dispositif. |
GB9108891D0 (en) | 1991-04-25 | 1991-06-12 | Tetronics Research & Dev Co Li | Silica production |
JPH0582806A (ja) | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Yokogawa Electric Corp | シリコン半導体圧力計の製造方法 |
NO174180C (no) * | 1991-12-12 | 1994-03-23 | Kvaerner Eng | Innföringsrör for brenner for kjemiske prosesser |
JPH0680410A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 炭素煤製造装置 |
GB9224745D0 (en) | 1992-11-26 | 1993-01-13 | Atomic Energy Authority Uk | Microwave plasma generator |
GB9300091D0 (en) | 1993-01-05 | 1993-03-03 | Total Process Containment Ltd | Process material transfer |
DE4307346A1 (de) | 1993-03-09 | 1994-09-15 | Loedige Maschbau Gmbh Geb | Sicherheitsschließvorrichtung für Behälteröffnungen |
JPH06272047A (ja) | 1993-03-16 | 1994-09-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 被覆粉体の製造方法及びその装置 |
JPH06299209A (ja) | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 磁性材料の粉粒体の生成方法 |
US5460701A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
US5408066A (en) | 1993-10-13 | 1995-04-18 | Trapani; Richard D. | Powder injection apparatus for a plasma spray gun |
JP2549273B2 (ja) | 1994-04-28 | 1996-10-30 | 鎌長製衡株式会社 | 粉体充填機の脱気装置 |
US5420391B1 (en) | 1994-06-20 | 1998-06-09 | Metcon Services Ltd | Plasma torch with axial injection of feedstock |
US5526358A (en) | 1994-08-19 | 1996-06-11 | Peerlogic, Inc. | Node management in scalable distributed computing enviroment |
US5593740A (en) * | 1995-01-17 | 1997-01-14 | Synmatix Corporation | Method and apparatus for making carbon-encapsulated ultrafine metal particles |
US6063243A (en) | 1995-02-14 | 2000-05-16 | The Regents Of The Univeristy Of California | Method for making nanotubes and nanoparticles |
JPH08243756A (ja) | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ肉盛用溶接トーチ及び肉盛溶接方法 |
US5935461A (en) * | 1996-07-25 | 1999-08-10 | Utron Inc. | Pulsed high energy synthesis of fine metal powders |
JPH10216959A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-18 | Inoue Seisakusho:Kk | 抵抗溶接用電極 |
JP3041413B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2000-05-15 | 工業技術院長 | レーヤードアルミニウム微粒子の生成法及びその応用 |
DE19755350A1 (de) | 1997-12-12 | 1999-06-17 | Henkel Kgaa | Verfahren zum Beizen und Passivieren von Edelstahl |
-
2001
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-
2002
- 2002-10-03 IL IL152119A patent/IL152119A/en unknown
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS555125A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plasma arc build-up welding method by powder metals or other |
JPS55117577A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-09 | Rikagaku Kenkyusho | Operating method of plasma generator |
JPS60224706A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Hitachi Ltd | 金属超微粒子の製造法 |
JPH0327601B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1991-04-16 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho | |
JPH02236999A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-09-19 | Daniel R Marantz | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
JPH03226509A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
JPH03126270U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-19 | ||
JPH04350106A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Nisshin Flour Milling Co Ltd | 合金組成の超微粒子製造方法 |
JPH05103970A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 微粒子製造装置 |
JPH05253557A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 焼却灰溶融炉 |
JPH06172820A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-21 | High Frequency Heattreat Co Ltd | 混合/複合超微粒子製造方法及びその製造装置 |
JPH085247A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ式溶融炉 |
JPH0839260A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-02-13 | Daido Steel Co Ltd | 粉末肉盛溶接方法 |
JPH09209002A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Ohara:Kk | 活性金属の圧粉体の製造法、溶解法、および鋳造法ならびに活性金属を含む合金の製造法 |
JPH10280120A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Ford Global Technol Inc | フラックス入りワイヤーを用いた金属被覆の溶射方法 |
JPH11291023A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-26 | Nippon Steel Corp | タンディシュ内溶鋼加熱用プラズマトーチ |
JP2000045002A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Toho Titanium Co Ltd | 金属ニッケル粉末 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4725865B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-07-13 | イー.イー.アール.エンバイロンメンタル エナジー リソーシズ(イスラエル)リミテッド | 廃棄物処理チャンバーにおいて用いられる改良されたプラズマトーチ |
JP2008539061A (ja) * | 2005-04-28 | 2008-11-13 | イー.イー.アール.エンバイロンメンタル エナジー リソーシズ(イスラエル)リミテッド | 廃棄物処理チャンバーにおいて用いられる改良されたプラズマトーチ |
US8373087B2 (en) | 2005-04-28 | 2013-02-12 | E.E.R. Enviromental Energy Resources (Israel) Ltd. | Plasma torch for use in a waste processing chamber |
KR101495199B1 (ko) | 2006-11-28 | 2015-02-24 | 블라디미르 이. 벨라쉬첸코 | 플라즈마 장치 및 시스템 |
JP2010511285A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | ウラジミール・イー・ベラシュチェンコ | プラズマ装置およびシステム |
KR101438463B1 (ko) | 2006-11-28 | 2014-09-12 | 블라디미르 이. 벨라쉬첸코 | 플라즈마 장치 및 시스템 |
JP2010511284A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | ウラジミール・イー・ベラシュチェンコ | プラズマ装置およびシステム |
JP2010532744A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | エヴァコ エルエルシー | 水を単体ガスに使用箇所で安価かつカーボンフリーに解離して水素関連発電を行う方法と装置 |
WO2012157733A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 株式会社東北テクノアーチ | 金属粉末の製造方法および金属粉末の製造装置 |
WO2018181482A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粒子及びその製造方法 |
KR20190132351A (ko) * | 2017-03-31 | 2019-11-27 | 미쓰이금속광업주식회사 | 구리 입자 및 그 제조 방법 |
JPWO2018181482A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粒子及びその製造方法 |
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JP2019065390A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 粒子の製造方法 |
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