JPH03226509A - プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 - Google Patents
プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法Info
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- JPH03226509A JPH03226509A JP2022970A JP2297090A JPH03226509A JP H03226509 A JPH03226509 A JP H03226509A JP 2022970 A JP2022970 A JP 2022970A JP 2297090 A JP2297090 A JP 2297090A JP H03226509 A JPH03226509 A JP H03226509A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、複数の直流プラズマ源を有するプラズマ発
生装置と、その装置を使用して組成の均一な化合物粉末
または二層以上の複層構造の複合粉末であって、その粒
子が極めて微細かつ均一で、しかも清浄度の高い粉末を
製造する方法に関する。
生装置と、その装置を使用して組成の均一な化合物粉末
または二層以上の複層構造の複合粉末であって、その粒
子が極めて微細かつ均一で、しかも清浄度の高い粉末を
製造する方法に関する。
(従来の技術)
粉末に高い機能性を付与する方法として、その粒子を微
細にすること(超微粉末化)または粉末粒子を多層構造
にして表面を改質する複合化がある。
細にすること(超微粉末化)または粉末粒子を多層構造
にして表面を改質する複合化がある。
粉末を超微粉にすれば、比表面積の増大、高化学反応性
、低温焼結性、磁気特性の向上、光吸収の増大および分
散性の向上等の数々の特性向上がもたらされることは周
知である。このため超微粉末の製造方法の研究が活発に
行われているが、とりわけプラズマ蒸発法は、不純物の
混入が少な、く、清浄度の高い超微粉末を効率よく製造
するのに適しているため、超微粉末製造方法の主流にな
ることが予想できる。
、低温焼結性、磁気特性の向上、光吸収の増大および分
散性の向上等の数々の特性向上がもたらされることは周
知である。このため超微粉末の製造方法の研究が活発に
行われているが、とりわけプラズマ蒸発法は、不純物の
混入が少な、く、清浄度の高い超微粉末を効率よく製造
するのに適しているため、超微粉末製造方法の主流にな
ることが予想できる。
一方、粉末の内部と表層部の組成を変えた複合粉末の製
造には、従来、めっき法、CVD法、真空蒸着法等、種
々の方法が採用されているが、その超微粉末の製造には
、やはりプラズマ蒸発法が通している。
造には、従来、めっき法、CVD法、真空蒸着法等、種
々の方法が採用されているが、その超微粉末の製造には
、やはりプラズマ蒸発法が通している。
プラズマ茎発法は、プラズマ炎中に供給した原料粉末を
気化させ、その後凝縮させることにより超微粉末を生成
させるものである。
気化させ、その後凝縮させることにより超微粉末を生成
させるものである。
プラズマを発生性別に分類するとDC(直/Jt)プラ
ズマ、RF(高周波)プラズマおよびDCプラズマとR
Fプラズマとを結合させたハイブリッド(複合)プラズ
マとがある。
ズマ、RF(高周波)プラズマおよびDCプラズマとR
Fプラズマとを結合させたハイブリッド(複合)プラズ
マとがある。
DCプラズマにおいては、プラズマ炎内に温度分布と質
量分布があり、プラズマ炎の中心部に高温・低畜度のガ
ス流が、またプラズマ炎の周辺部に低温・高密度のガス
流がある。従って、原料粉末を十分に加熱するためには
、プラズマ炎の中心部に原料粉末を供給する必要がある
。
量分布があり、プラズマ炎の中心部に高温・低畜度のガ
ス流が、またプラズマ炎の周辺部に低温・高密度のガス
流がある。従って、原料粉末を十分に加熱するためには
、プラズマ炎の中心部に原料粉末を供給する必要がある
。
RFプラズマにおいても、プラズマ炎内には流れがあり
、それはプラズマ炎の中心部から上方へ、さらに上方か
らプラズマ炎の側面を通って下方に流れるものである。
、それはプラズマ炎の中心部から上方へ、さらに上方か
らプラズマ炎の側面を通って下方に流れるものである。
またRFプラズマ炎は原料粉末注入による熱的擾乱を受
けて消えやすい、従ってRFプラズマ炎中に原料粉末を
安定に投入するためには、原料粉末の供給孔はプラズマ
炎の中心軸上に設定しなければならない。原料粉末の供
給孔がRFプラズマ炎の中心軸上からずれると、粘性を
持つプラズマ炎により弾き飛ばされたりプラズマ炎が消
えてしまったりすることがある。
けて消えやすい、従ってRFプラズマ炎中に原料粉末を
安定に投入するためには、原料粉末の供給孔はプラズマ
炎の中心軸上に設定しなければならない。原料粉末の供
給孔がRFプラズマ炎の中心軸上からずれると、粘性を
持つプラズマ炎により弾き飛ばされたりプラズマ炎が消
えてしまったりすることがある。
上記の理由により、DCプラズマであれ、RCプラズマ
であれ、原料粉末の供給は1カ所(一つの供給孔)から
行うのであるが、これでは超微粒の化合物粉末や複合粉
末を製造するのが難しい。
であれ、原料粉末の供給は1カ所(一つの供給孔)から
行うのであるが、これでは超微粒の化合物粉末や複合粉
末を製造するのが難しい。
例えば、A8B、なる組成の超微粒化合物粉末を製造す
る場合には、原料粉末としてAの粉末とBの粉末との混
合粉末を使用するか、又は予めAヶByの組成の粉末を
製造し、これを原料粉末として使用しなければならない
。しかし、混合粉末を使用する場合、各原料粉末に比重
差および粒度差があるため、一つの供給孔から投入され
た混合粉末が当初の混合比を保ちながらプラズマ炎の中
心まで行くのは難しい。さらにDCプラズマ炎内におい
て混合粉末を十分に気化させることのできる高温領域は
狭い上に、プラズマ炎内の流速が速(、混合粉末の滞留
時間も短い。従って供給された混合粉末を一様に気化す
ることのできる確率は極めて低い。これらの理由から、
混合粉末を用いて化合物粉末を製造しても、得られる粉
末の組成は橿めで不均質である。
る場合には、原料粉末としてAの粉末とBの粉末との混
合粉末を使用するか、又は予めAヶByの組成の粉末を
製造し、これを原料粉末として使用しなければならない
。しかし、混合粉末を使用する場合、各原料粉末に比重
差および粒度差があるため、一つの供給孔から投入され
た混合粉末が当初の混合比を保ちながらプラズマ炎の中
心まで行くのは難しい。さらにDCプラズマ炎内におい
て混合粉末を十分に気化させることのできる高温領域は
狭い上に、プラズマ炎内の流速が速(、混合粉末の滞留
時間も短い。従って供給された混合粉末を一様に気化す
ることのできる確率は極めて低い。これらの理由から、
混合粉末を用いて化合物粉末を製造しても、得られる粉
末の組成は橿めで不均質である。
原ギ4粉末として予め化合物にした粉末を使用し、これ
を原料粉末供給孔から投入して超微粒化合物粉末製造す
る方法では、当然のことながら、化合物粉末を得るだめ
の特別な前処理が必要である。
を原料粉末供給孔から投入して超微粒化合物粉末製造す
る方法では、当然のことながら、化合物粉末を得るだめ
の特別な前処理が必要である。
さらに予め化合物にした原料粉末であっても、粘性を持
つプラズマ炎に弾き飛ばされ、あるいはDCプラズマ炎
内の速い流速のため、原料粉末が十分に加熱されないと
いう問題がある。
つプラズマ炎に弾き飛ばされ、あるいはDCプラズマ炎
内の速い流速のため、原料粉末が十分に加熱されないと
いう問題がある。
複合粉末、例えばA成分をB成分で被覆したような粉末
、の製造は、化合物粉末の製造よりも一層困難である。
、の製造は、化合物粉末の製造よりも一層困難である。
即ち、原料としてA成分粉末とB成分粉末の混合粉末を
用いても、これらを同時に気化または液化させてA成分
がB成分で被覆された構造の粒子を得ることは難しい。
用いても、これらを同時に気化または液化させてA成分
がB成分で被覆された構造の粒子を得ることは難しい。
さて、プラズマ蒸発法によって化合物などの粉末を製造
するのに、複数のプラズマ炎を使用するという方法が、
特開昭63−221842号公報に開示されている。こ
の公報に示されているのは)z4ブリッドプラズマ装置
を使用する方法であるが、その方法でも原料粉末はハイ
ブリッドプラズマ装置の上部にある1カ所の原料供給孔
からDCプラズマのプラズマ炎の合流部に供給されてい
る。このような方法では、2種類以上の原料粉末を使用
して均一な組成の化合物粉末または複合粉末を製造する
ことは、前記の理由でやはり困難である。
するのに、複数のプラズマ炎を使用するという方法が、
特開昭63−221842号公報に開示されている。こ
の公報に示されているのは)z4ブリッドプラズマ装置
を使用する方法であるが、その方法でも原料粉末はハイ
ブリッドプラズマ装置の上部にある1カ所の原料供給孔
からDCプラズマのプラズマ炎の合流部に供給されてい
る。このような方法では、2種類以上の原料粉末を使用
して均一な組成の化合物粉末または複合粉末を製造する
ことは、前記の理由でやはり困難である。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的の一つは、超微粒の化合物粉末および複合
粉末を製造することができる装置を提供することである
。
粉末を製造することができる装置を提供することである
。
本発明のもう一つの目的は、組成が均一でしかも超微細
な化合物粉末または複合粉末を製造する方法を提供する
ことにある。
な化合物粉末または複合粉末を製造する方法を提供する
ことにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、超微粉末の製造にプラズマ蒸発法の利点を生
かすことを前提として、前述したその問題点を解消しよ
うとするものである。
かすことを前提として、前述したその問題点を解消しよ
うとするものである。
まず、本発明のプラズマ発生装置は、第1図にその全体
を概略図で示すように、下記の点を特徴とする。
を概略図で示すように、下記の点を特徴とする。
■ 一つの中心軸(a−a軸)を囲んで配置された複数
のDCプラズマia (1−1,1−2,−・> を有
する。
のDCプラズマia (1−1,1−2,−・> を有
する。
■ これらのプラズマ源は、それらで発生するプラズマ
炎が上記中心軸上の一点に収束するように、中心軸に対
して成る角度をもって配置されている。
炎が上記中心軸上の一点に収束するように、中心軸に対
して成る角度をもって配置されている。
■ 各プラズマ源には、それぞれの独立した原料供給系
と出力調整装置が付属している。
と出力調整装置が付属している。
■ プラズマ炎を大気から遮断する容器を有する。
次に、本発明の超微粒粉末の製造方法は、下記の点を特
徴とするものである。
徴とするものである。
■ 複数のDCプラズマ源を使用する。
■ 各DCプラズマ源に異種の原料を個別に供給し、各
DCプラズマ炎内で各原料粉末を十分に気化または液化
させる。
DCプラズマ炎内で各原料粉末を十分に気化または液化
させる。
■ さらに各DCプラズマ炎の先端を重ね合わせること
により形成される合体プラズマ炎中で、既に気化または
液化した各原料を混合し、反応させる。
により形成される合体プラズマ炎中で、既に気化または
液化した各原料を混合し、反応させる。
■ 上記の操作は、望ましくはアルゴンと水素の混合ガ
スの雰囲気下で、さらに望ましくは大気圧よりも低い圧
力下で行う。
スの雰囲気下で、さらに望ましくは大気圧よりも低い圧
力下で行う。
上記本発明の装置は、本発明の超微粒粉末の製造方法の
実施に使用するのに適している。しかしその用途はこれ
に限られない0例えば、容器5の中に基材をおいて、プ
ラズマ蒸発によって合成された化合物をその上に溶射す
る、というような場合にも使用できる。f4射被膜とし
て、金属とセラミックスの混合比が厚み方向に変化した
ような、いわゆる濃度勾配をもつ被膜、或いは均一で超
微細な結晶粒の合金被膜などの形成も容品である。
実施に使用するのに適している。しかしその用途はこれ
に限られない0例えば、容器5の中に基材をおいて、プ
ラズマ蒸発によって合成された化合物をその上に溶射す
る、というような場合にも使用できる。f4射被膜とし
て、金属とセラミックスの混合比が厚み方向に変化した
ような、いわゆる濃度勾配をもつ被膜、或いは均一で超
微細な結晶粒の合金被膜などの形成も容品である。
以下、図面を参照しながら本発明の構成とその作用効果
を説明する。
を説明する。
(作用)
第1図は、本発明装置の1例を示す全体概略図、第2回
はその要部の拡大断面図である。
はその要部の拡大断面図である。
この装置は、二つのDCプラズマ源1−1と1−2を有
し、これらは垂直軸(a−a軸)に対してそれぞれ30
℃の角度で傾斜して対称に配置されている。従って、各
プラズマ源1−1 、1−2で作られるDCプラズマ炎
2−1および2−2は、垂直軸上の一点で重畳し、合体
プラズマ炎3を形成する。
し、これらは垂直軸(a−a軸)に対してそれぞれ30
℃の角度で傾斜して対称に配置されている。従って、各
プラズマ源1−1 、1−2で作られるDCプラズマ炎
2−1および2−2は、垂直軸上の一点で重畳し、合体
プラズマ炎3を形成する。
各DCプラズマa1−t と1−2は、それぞれ原料供
給系をもっている。これは、プラズマ炎の発生力所近傍
に設けられた供給孔4−1.4−2(第2図)と、ここ
へ原料を送る配管と、原料の貯蔵容器9−1.92と、
キャリヤーガス流量調整装置10−1.10−2等から
なる。なお、原料とは、化合物粉末または複合粉末を構
成する金属、非金属の単体、または化合物であり、通常
は粉粒状でプラズマ炎内に供給される。
給系をもっている。これは、プラズマ炎の発生力所近傍
に設けられた供給孔4−1.4−2(第2図)と、ここ
へ原料を送る配管と、原料の貯蔵容器9−1.92と、
キャリヤーガス流量調整装置10−1.10−2等から
なる。なお、原料とは、化合物粉末または複合粉末を構
成する金属、非金属の単体、または化合物であり、通常
は粉粒状でプラズマ炎内に供給される。
上記のプラズマ発生領域は、反応容器5によって大気か
ら遮断されている。前記原料供給孔4−1゜4−2もこ
の容器内に位置して、原料は大気に触れずにプラズマ炎
内に投入されるようになっている。
ら遮断されている。前記原料供給孔4−1゜4−2もこ
の容器内に位置して、原料は大気に触れずにプラズマ炎
内に投入されるようになっている。
第1図において、7はアルゴンガス容器、8は水素ガス
容器で、いずれも流量調整装置14−1,142を備え
たプラズマ源1−1 、1−2への配管を有する。
容器で、いずれも流量調整装置14−1,142を備え
たプラズマ源1−1 、1−2への配管を有する。
なお、アルゴンガス容器7からは、前記の原料供給系へ
の配管がある。さらに、11は真空ポンプ、12は容器
内の圧力を調整する装置、13−1および132はそれ
ぞれプラズマ源1−1および1−2の出力調整装置、1
5は製造された粉末を回収するバグフィルタ−である。
の配管がある。さらに、11は真空ポンプ、12は容器
内の圧力を調整する装置、13−1および132はそれ
ぞれプラズマ源1−1および1−2の出力調整装置、1
5は製造された粉末を回収するバグフィルタ−である。
上記のような装置を用いて、本発明方法は次のように実
施される。
施される。
プラズマガスとしては、通常はアルゴンガスが使用され
るが、後述の理由でアルゴンと水素の混合ガスを使用す
るのが望ましい、これらは、それぞれの容器7.8から
所定量プラズマ発生源1−1゜1−2に供給される。プ
ラズマ発生源では、銅製ノズル17−1.17−2を陽
橿とし、これとタングステン電極(陰1(i) 18−
1.18−2との間でアークを発生させる。このアーク
中にプラズマガスをその導入孔6−16−2から送り込
みMさせてプラズマを生成させる。原料粉末はキャリヤ
ーガスで運ばれ、銅製ノズルの側面にある原料供給孔4
−1.4〜2からプラズマ中に送り込まれる。
るが、後述の理由でアルゴンと水素の混合ガスを使用す
るのが望ましい、これらは、それぞれの容器7.8から
所定量プラズマ発生源1−1゜1−2に供給される。プ
ラズマ発生源では、銅製ノズル17−1.17−2を陽
橿とし、これとタングステン電極(陰1(i) 18−
1.18−2との間でアークを発生させる。このアーク
中にプラズマガスをその導入孔6−16−2から送り込
みMさせてプラズマを生成させる。原料粉末はキャリヤ
ーガスで運ばれ、銅製ノズルの側面にある原料供給孔4
−1.4〜2からプラズマ中に送り込まれる。
各プラズマ発生源で生成するプラズマの強度(温度)は
、出力調整装置13−1.13−2によって独立に龍■
卸される。
、出力調整装置13−1.13−2によって独立に龍■
卸される。
まず、AヨB、の組成の化合物粉末を製造する場合、原
料粉末の供給孔4−1からA成分の原料粉末を、供給孔
4−2からB成分の原料粉末を、アルゴンガスをキャリ
ヤーとしてX:yの比率で供給する。各原料粉末はDC
プラズマ炎2−1および2−2中で加熱され、気化して
蒸気となり、合体プラズマ炎3中に運ばれて混合し、こ
こで直ちに反応してA、B、の組成の化合物となる。こ
の化合物は、容器5内で冷却・凝縮して超微細でかつ高
清浄度の化合物粉末となる。この粉末は、第1図に示す
バグフィルタ−15で回収される。
料粉末の供給孔4−1からA成分の原料粉末を、供給孔
4−2からB成分の原料粉末を、アルゴンガスをキャリ
ヤーとしてX:yの比率で供給する。各原料粉末はDC
プラズマ炎2−1および2−2中で加熱され、気化して
蒸気となり、合体プラズマ炎3中に運ばれて混合し、こ
こで直ちに反応してA、B、の組成の化合物となる。こ
の化合物は、容器5内で冷却・凝縮して超微細でかつ高
清浄度の化合物粉末となる。この粉末は、第1図に示す
バグフィルタ−15で回収される。
次に、A成分がB成分で被覆された粒子構造の複合粉末
を製造する方法を説明する。
を製造する方法を説明する。
複数のDCプラズマ源を使用する本発明方法では、前記
のように各DCプラズマ源の出力をそれぞれ独立に制御
することができる。従って、各原料粉末の加熱度合を変
えることが可能であり、その結果原料粉末を液の状態か
ら蒸気の状態まで変化させて、合体プラズマ炎中に送り
込むことができる0例えば、A成分の芯と日成分の表層
部(被覆層)をもつ複合粉末を製造する場合には、プラ
ズマ源1−1にA成分の粉末を供給し、Aが液体となる
ように加熱温度を調整する。一方、プラズマa1−2に
はB成分の粉末を供給し、これは気化させる。これらを
合体プラズマ炎3中で混合すれば、Aの環球の周りにB
が凝縮し、目的の複合粉末が得られる。各粉末の供給量
の調整などにより、被覆厚の制御も容易である。
のように各DCプラズマ源の出力をそれぞれ独立に制御
することができる。従って、各原料粉末の加熱度合を変
えることが可能であり、その結果原料粉末を液の状態か
ら蒸気の状態まで変化させて、合体プラズマ炎中に送り
込むことができる0例えば、A成分の芯と日成分の表層
部(被覆層)をもつ複合粉末を製造する場合には、プラ
ズマ源1−1にA成分の粉末を供給し、Aが液体となる
ように加熱温度を調整する。一方、プラズマa1−2に
はB成分の粉末を供給し、これは気化させる。これらを
合体プラズマ炎3中で混合すれば、Aの環球の周りにB
が凝縮し、目的の複合粉末が得られる。各粉末の供給量
の調整などにより、被覆厚の制御も容易である。
第1図および第2図に示した装置は、DCプラズマ源を
2個備えたものであるが、これは3個以上であってもよ
い6例えば、A、、ByCヨのような三元化合物を製造
する場合は、3個のプラズマ源にそれぞれA、B、Cの
粉末を所定比率で供給して、A、B、C,の化合物微粉
末を製造することができる。また、A、B、Cの三層構
造の複合粉末を製造することもできる。
2個備えたものであるが、これは3個以上であってもよ
い6例えば、A、、ByCヨのような三元化合物を製造
する場合は、3個のプラズマ源にそれぞれA、B、Cの
粉末を所定比率で供給して、A、B、C,の化合物微粉
末を製造することができる。また、A、B、Cの三層構
造の複合粉末を製造することもできる。
本発明の装置を用いれば、2種類以上の原料を各DCプ
ラズマ源に独立に、しかも一定の比率で供給できる。そ
して、各原料はそれぞれ温度が独立に制御されたプラズ
マ炎の中で十分に気化または液化される。従って合体プ
ラズマ炎の中では、一定比率の気化または液化した原料
が十分に混合され、組成および構造のバラツキの少ない
高清浄度の化合物粉末または複合粉末の製造が可能とな
る。
ラズマ源に独立に、しかも一定の比率で供給できる。そ
して、各原料はそれぞれ温度が独立に制御されたプラズ
マ炎の中で十分に気化または液化される。従って合体プ
ラズマ炎の中では、一定比率の気化または液化した原料
が十分に混合され、組成および構造のバラツキの少ない
高清浄度の化合物粉末または複合粉末の製造が可能とな
る。
また第1図および第2図に示すように、DCプラズマ源
の原料粉末の供給孔4−1.4−2をa−a軸側に設け
ることにより、原料粉末をDCプラズマif[1−1,
1−2の上方から供給できる。この原料粉末供給孔4−
1.4−2は銅製ノズルの内壁を通ってプラズマの発生
する領域に開口しているので、原料粉末をDCプラズマ
炎2−1.2−2中の最も温度の高い部分に確実に供給
でき、これを完全に加熱できる。
の原料粉末の供給孔4−1.4−2をa−a軸側に設け
ることにより、原料粉末をDCプラズマif[1−1,
1−2の上方から供給できる。この原料粉末供給孔4−
1.4−2は銅製ノズルの内壁を通ってプラズマの発生
する領域に開口しているので、原料粉末をDCプラズマ
炎2−1.2−2中の最も温度の高い部分に確実に供給
でき、これを完全に加熱できる。
さらに原料粉末の供給孔4−1 、4−2は下向きに開
口しているので、その閉塞も防止できる。
口しているので、その閉塞も防止できる。
一般にDCプラズマはRFプラズマに比ベプラズマ炎の
領域が狭い上に流速が速いという欠点があるが、本発明
においては、複数のDCプラズマ炎を重畳させて合体プ
ラズマ炎を形成さ仕ることにより、プラズマ炎の領域を
拡張させ、原料の蒸気および環球の混合領域を広げるこ
とができかつ安定化できる。
領域が狭い上に流速が速いという欠点があるが、本発明
においては、複数のDCプラズマ炎を重畳させて合体プ
ラズマ炎を形成さ仕ることにより、プラズマ炎の領域を
拡張させ、原料の蒸気および環球の混合領域を広げるこ
とができかつ安定化できる。
本発明方法の実施に当たっては、ArとH2との混合ガ
スを使用するのが望ましいa Htガスのプラズマは、
その粘性係数が低く熱伝導係数が高い。またArガスに
比べてプラズマ化しにくいため、より大きな電力を必要
とし、その結果混合ガスの工不ルギー密度が高くなる。
スを使用するのが望ましいa Htガスのプラズマは、
その粘性係数が低く熱伝導係数が高い。またArガスに
比べてプラズマ化しにくいため、より大きな電力を必要
とし、その結果混合ガスの工不ルギー密度が高くなる。
言い換えれば、ArとHzとの混合ガスのプラズマ炎の
方が、Arのみのプラズマ炎よりもプラズマの粘度が小
さく、供給した原料粉末をプラズマ炎内に受は入れ易い
。また、プラズマが拡張して原料粉末のプラズマ中での
滞留時間が長くなり、プラズマからの熱伝達量が増して
加熱の効率が高くなる。
方が、Arのみのプラズマ炎よりもプラズマの粘度が小
さく、供給した原料粉末をプラズマ炎内に受は入れ易い
。また、プラズマが拡張して原料粉末のプラズマ中での
滞留時間が長くなり、プラズマからの熱伝達量が増して
加熱の効率が高くなる。
また、Arガスのプラズマ炎中には、不純物として不可
避的に含まれる極@量の酸素のプラズマがあり、これが
供給した原料と反応して酸化物の超微粉末が生成する。
避的に含まれる極@量の酸素のプラズマがあり、これが
供給した原料と反応して酸化物の超微粉末が生成する。
しかし、Arに■2を混合しておけば、プラズマ炎中で
は活性水素による還元作用を受け、酸化物のない高清浄
度の超微粉末が製造できる。
は活性水素による還元作用を受け、酸化物のない高清浄
度の超微粉末が製造できる。
さらにまた、反応容器5の内部は減圧雰囲気にする方が
望ましい、プラズマガスを減圧することでプラズマ炎の
粘度が低下し、供給した原料粉末がプラズマ炎と混合し
易くなる上に、プラズマ炎が広がり、かつ高温領域を拡
大できるため、供給した原料粉末を加熱するために十分
な滞留時間が得られる。
望ましい、プラズマガスを減圧することでプラズマ炎の
粘度が低下し、供給した原料粉末がプラズマ炎と混合し
易くなる上に、プラズマ炎が広がり、かつ高温領域を拡
大できるため、供給した原料粉末を加熱するために十分
な滞留時間が得られる。
以下、本発明方法の実施例を示して詳細に説明するが、
この実施例はなんら本発明を限定するものではない。
この実施例はなんら本発明を限定するものではない。
〔実施例1〕
第1図および第2図に示したDCプラズマ源を2個備え
た装置を使用した。これらのDCプラズマ源1−1およ
び1−2は、直径401all・長さ150mmの円筒
形のものである0反応容器5はステンレス鋼製で内径5
00ml11である。
た装置を使用した。これらのDCプラズマ源1−1およ
び1−2は、直径401all・長さ150mmの円筒
形のものである0反応容器5はステンレス鋼製で内径5
00ml11である。
反応容器5内をI Xl0−’Paまで真空引きした後
、プラズマガス導入孔6−1.6−2からプラズマガス
としてArガスを流1t47j!/a+ir+で、Ht
ガスを流量201/winで流し込み、圧力制御装置1
2で反応容器5内をlPaに安定に保てるように調整し
た。この^rH2の混合ガスの減圧雰囲気下で各DCプ
ラズマ炎2−1.2−2を発生させた。この時の各DC
プラズマ源の出力はすべて20kwにした。
、プラズマガス導入孔6−1.6−2からプラズマガス
としてArガスを流1t47j!/a+ir+で、Ht
ガスを流量201/winで流し込み、圧力制御装置1
2で反応容器5内をlPaに安定に保てるように調整し
た。この^rH2の混合ガスの減圧雰囲気下で各DCプ
ラズマ炎2−1.2−2を発生させた。この時の各DC
プラズマ源の出力はすべて20kwにした。
このDCプラズマ発生条件下において、一方のDCプラ
ズマ源1−1に54!/sinのArガスをキャリヤー
ガスとして、平均粒径5μmのTi粉末を0.5g/!
1linで供給し、他方のDCプラズマ源1−2に31
/minのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
10μmのAi粉末を0.28g/winで供給した。
ズマ源1−1に54!/sinのArガスをキャリヤー
ガスとして、平均粒径5μmのTi粉末を0.5g/!
1linで供給し、他方のDCプラズマ源1−2に31
/minのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
10μmのAi粉末を0.28g/winで供給した。
この操作を10分間実施してバングフィルター15で黒
っぽい灰色の粉末6.3gを得た。
っぽい灰色の粉末6.3gを得た。
得られた粉末の性状を調べたところ、0.02〜0゜0
5utmの粒度がよく揃ったTiAj!の粉末で、その
酸素含有量は1.7ii置%であった。
5utmの粒度がよく揃ったTiAj!の粉末で、その
酸素含有量は1.7ii置%であった。
なお、プラズマガスの雰囲気をAr Hzの混合ガス
であるが、常圧の雰囲気下で上記操作を行った場合、粒
度が0.02〜0.5μ霧と広い範囲に分布したTiA
eの粉末が得られた。
であるが、常圧の雰囲気下で上記操作を行った場合、粒
度が0.02〜0.5μ霧と広い範囲に分布したTiA
eの粉末が得られた。
また、プラズマガスの雰囲気をArガスのみの減圧雰囲
気として上記操作を行ったところ、粒度が0.02〜0
,1μ−のTiAlが主体の粉末が得られたが、透過型
電子顕微鏡で調べた結果、若干の^1201、およびT
iO□の存在が確認された。
気として上記操作を行ったところ、粒度が0.02〜0
,1μ−のTiAlが主体の粉末が得られたが、透過型
電子顕微鏡で調べた結果、若干の^1201、およびT
iO□の存在が確認された。
〔実施例2]
実施例Iと同一のプラズマ発生装置およびプラズマ発生
条件下において、一方のDCプラズマ源1−1に51
/sinのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
5μ閣のTi粉末を0.6g/+minで供給し、他方
のDCプラズマ源1−2に342 /sinのArガス
をキャリヤーガスとして、平均粒径10μmのS+粉末
を0、12g/sinで供給して、10分間操作し、バ
ッグフィルター15で灰色の粉末4.8gを回収した。
条件下において、一方のDCプラズマ源1−1に51
/sinのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
5μ閣のTi粉末を0.6g/+minで供給し、他方
のDCプラズマ源1−2に342 /sinのArガス
をキャリヤーガスとして、平均粒径10μmのS+粉末
を0、12g/sinで供給して、10分間操作し、バ
ッグフィルター15で灰色の粉末4.8gを回収した。
この粉末の性状を調べたところ、0.01〜0.03μ
mの粒度がよく揃ったTi3Siの粉末で、その酸素含
有量は2.0重量%であった。
mの粒度がよく揃ったTi3Siの粉末で、その酸素含
有量は2.0重量%であった。
〔実施例3〕
実施例1と同一のプラズマ発生装置およびプラズマ発生
条件下において、一方のDCプラズマ源1−1に51
/winのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
5.5.1/IIのAI!tOsItを0.5g/1a
rnで供給し、他方のDCプラズマ源1〜2に3 It
/sinのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒
径10μ蒙のFe粉末をO,Ig/+sinで投入して
、10分間操作し、バングフィルター15で黒色の粉末
4.1gを回収した。
条件下において、一方のDCプラズマ源1−1に51
/winのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径
5.5.1/IIのAI!tOsItを0.5g/1a
rnで供給し、他方のDCプラズマ源1〜2に3 It
/sinのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒
径10μ蒙のFe粉末をO,Ig/+sinで投入して
、10分間操作し、バングフィルター15で黒色の粉末
4.1gを回収した。
その性状を調べたところ、内部がA 1 gozで表層
部がFeの二層構造を持つ複合粉末であった0粒径は5
.5〜5.7 μmとよく揃ったものであった。
部がFeの二層構造を持つ複合粉末であった0粒径は5
.5〜5.7 μmとよく揃ったものであった。
〔実施例4〕
実施例1と同し装置およびプラズマ発生条件において、
プラズマ出力のみを変更した。即ち、方のプラズマ1t
−tの出力を10kwとし、他方のプラズマa1−2の
出力を20に−とじた。この条件で、一方のDCプラズ
マ源Llに51 /minのArガスをキャリヤーガス
として、平均粒径54n+のTil末を(1,5g/m
inで供給し、他方のDCプラズマ源1−2に31 /
minのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径1
077mのAl粉末をO1Ig/minで投入して、1
0分間操作し、バッグフィルター15で現色の粉末3.
7gを回収した。その性状を調べたところ、内部がTi
で表層部がiの二層構造を持つ複合粉末であった。粒径
は1〜5μmの範囲であった。
プラズマ出力のみを変更した。即ち、方のプラズマ1t
−tの出力を10kwとし、他方のプラズマa1−2の
出力を20に−とじた。この条件で、一方のDCプラズ
マ源Llに51 /minのArガスをキャリヤーガス
として、平均粒径54n+のTil末を(1,5g/m
inで供給し、他方のDCプラズマ源1−2に31 /
minのArガスをキャリヤーガスとして、平均粒径1
077mのAl粉末をO1Ig/minで投入して、1
0分間操作し、バッグフィルター15で現色の粉末3.
7gを回収した。その性状を調べたところ、内部がTi
で表層部がiの二層構造を持つ複合粉末であった。粒径
は1〜5μmの範囲であった。
〔比較例〕
第3図に示すように、DCプラズマ発生装置を2個有す
るが、原料供給はその中間部に設けた供給孔16から合
体プラズマ中に行う装置を使用して実験を行った。装置
のその他の構成およびプラズマ発生条件は実施例1と同
しにした。即ち、原料供給孔16から、平均粒径5μm
のTiわ)末と平均粒径10μmのへ!粉末を重量比で
1 : 0.56で混合した粉末を61 /fiinの
Arガスをキャリヤーガスとして0.78g/minで
供給した。得られた粉末は、Ti粉末およびAl粉末の
混合したTiA 1.粉末(粒度は2〜10μm)であ
った。
るが、原料供給はその中間部に設けた供給孔16から合
体プラズマ中に行う装置を使用して実験を行った。装置
のその他の構成およびプラズマ発生条件は実施例1と同
しにした。即ち、原料供給孔16から、平均粒径5μm
のTiわ)末と平均粒径10μmのへ!粉末を重量比で
1 : 0.56で混合した粉末を61 /fiinの
Arガスをキャリヤーガスとして0.78g/minで
供給した。得られた粉末は、Ti粉末およびAl粉末の
混合したTiA 1.粉末(粒度は2〜10μm)であ
った。
(発明の効果)
以上、本発明袋!を化合物粉末または複合粉末の製造に
使用する場合を例にして説明したが、本発明の装置は、
前記のようにして生成させた粉末を基板の上に7容射す
るような場合にも使用できる。
使用する場合を例にして説明したが、本発明の装置は、
前記のようにして生成させた粉末を基板の上に7容射す
るような場合にも使用できる。
また、本発明のプラズマを利用する粉末の製造方法によ
れば、清浄で組成の均一な化合物粉末および複合粉末が
製造できる。その粉末は極めて微細であるだけでなく粒
度もよく揃ったものであり、例えばこれらを焼結部品製
造の原料として使用すれば、Mi織が微細でかつ均一な
焼結体を得ることができる。
れば、清浄で組成の均一な化合物粉末および複合粉末が
製造できる。その粉末は極めて微細であるだけでなく粒
度もよく揃ったものであり、例えばこれらを焼結部品製
造の原料として使用すれば、Mi織が微細でかつ均一な
焼結体を得ることができる。
本発明方法は、実施例に上げたTi−A l 、 Ti
−5iの金属間化合物のみならず、Fe−Ti、 Fe
−5i、 M。
−5iの金属間化合物のみならず、Fe−Ti、 Fe
−5i、 M。
Sl、Ti−Coなど様々な金属間化合物粉末、非金属
化合物の粉末、および複合粉末の製造に広く利用できる
。
化合物の粉末、および複合粉末の製造に広く利用できる
。
第1図は、本発明の粉末製造装置の一例を示す全体概略
図、 第2図は、その要部の拡大断面図、 第3図は、比較試験に用いた粉末製造装置の要部拡大断
面口、である。 図において、 1−2 12・・・DCプラズマ源、 2−1.2−2・・・プラズマ炎、 3・・・合体プラ
ズマ、4−1.4−2・・・原料供給孔、 5・・・反応容器、 6−1.6−2・・・プラズマガ
ス導入孔、7・・・アルゴン容器、8・・・水素容器、
9−1.9−2・・・原料貯蔵容器、 10−1.10〜2・・・キャリヤーガス流量調整装置
、11・・・真空ポンプ、 12・・・圧力調整装置、
13−1.13−2・・・プラズマ出力調整装置、14
−1 、14−2・・・プラズマガス流量調整装置、1
5・・・ハゲフィルター、16・・・原料供給孔、17
−1.17−2・・・銅製ノズル、1B−1,18−2
・・・タングステン電極。
図、 第2図は、その要部の拡大断面図、 第3図は、比較試験に用いた粉末製造装置の要部拡大断
面口、である。 図において、 1−2 12・・・DCプラズマ源、 2−1.2−2・・・プラズマ炎、 3・・・合体プラ
ズマ、4−1.4−2・・・原料供給孔、 5・・・反応容器、 6−1.6−2・・・プラズマガ
ス導入孔、7・・・アルゴン容器、8・・・水素容器、
9−1.9−2・・・原料貯蔵容器、 10−1.10〜2・・・キャリヤーガス流量調整装置
、11・・・真空ポンプ、 12・・・圧力調整装置、
13−1.13−2・・・プラズマ出力調整装置、14
−1 、14−2・・・プラズマガス流量調整装置、1
5・・・ハゲフィルター、16・・・原料供給孔、17
−1.17−2・・・銅製ノズル、1B−1,18−2
・・・タングステン電極。
Claims (4)
- (1)一つの中心軸を囲んで配置された複数のプラズマ
源が、それらで発生するプラズマ炎が大気から遮断され
た容器内で上記中心軸上の一点に収束するように配置さ
れており、しかも各プラズマ源がそれぞれの原料供給系
と出力調整装置を有することを特徴とするプラズマ発生
装置。 - (2)独立した複数の直流プラズマ源にそれぞれ個別に
異種の原料を供給し、これらの原料をそれぞれのプラズ
マ炎中で気化または液化させ、その後各プラズマ炎を合
体させ、この合体プラズマ炎中で前記の気化または液化
した原料を混合し反応させることを特徴とする超微粒化
合物粉末または複合粉末の製造方法。 - (3)プラズマガスがアルゴンと水素の混合ガスである
ことを特徴とする請求項(2)の超微粒化合物粉末また
は複合粉末の製造方法。 - (4)アルゴンと水素の混合ガス雰囲気を大気圧よりも
低い圧力とする請求項(3)の超微粒化合物粉末または
複合粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022970A JPH03226509A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022970A JPH03226509A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03226509A true JPH03226509A (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=12097431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022970A Pending JPH03226509A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03226509A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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