FR2807612A1 - Substrat en ceramique monolithique, son procede de conception et de fabrication et dispositif electronique l'utilisant - Google Patents

Substrat en ceramique monolithique, son procede de conception et de fabrication et dispositif electronique l'utilisant Download PDF

Info

Publication number
FR2807612A1
FR2807612A1 FR0104850A FR0104850A FR2807612A1 FR 2807612 A1 FR2807612 A1 FR 2807612A1 FR 0104850 A FR0104850 A FR 0104850A FR 0104850 A FR0104850 A FR 0104850A FR 2807612 A1 FR2807612 A1 FR 2807612A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
sep
layers
restriction
raw
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0104850A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2807612B1 (fr
Inventor
Mitsuyoshi Nishide
Norio Sakai
Akira Baba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of FR2807612A1 publication Critical patent/FR2807612A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2807612B1 publication Critical patent/FR2807612B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C04B35/117—Composites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C04B2235/365—Borosilicate glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C04B2235/9615—Linear firing shrinkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/56—Using constraining layers before or during sintering
    • C04B2237/562—Using constraining layers before or during sintering made of alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/56—Using constraining layers before or during sintering
    • C04B2237/565—Using constraining layers before or during sintering made of refractory metal oxides, e.g. zirconia
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
    • C04B2237/588—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles by joining layers or articles of the same composition but having different particle or grain sizes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/66—Forming laminates or joined articles showing high dimensional accuracy, e.g. indicated by the warpage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0191—Dielectric layers wherein the thickness of the dielectric plays an important role
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24959—Thickness [relative or absolute] of adhesive layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

Dans un corps d'empilement brut (2) incluant une pluralité de couches brutes de base (11) et une pluralité de couches brutes de restriction de retrait (12) pour former un substrat en céramique monolithique en utilisant un processus sans retrait, les couches brutes de restriction qui sont en contact avec les surfaces principales des couches brutes de base individuelles présentent des épaisseurs différentes de telle sorte qu'une couche brute de restriction relativement plus épaisse soit en contact avec une couche brute de base relativement plus épaisse et qu'une couche brute de restriction relativement plus mince soit en contact avec une couche brute de base relativement plus mince.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention
La présente invention concerne des substrats en céramique monolithiques, des procédés de conception et de fabrication de ceux-ci ainsi que des dispositifs électroniques qui incluent un tel substrat en céramique monolithique. En particulier, la présente invention concerne une amélioration permettant de réduire le gauchissement du substrat en céramique monolithique.
2. Description de l'art antérieur
Les substrats en céramique monolithiques incluent une pluralité de couches en céramique qui sont empilées ensemble de façon à définir un corps d'empilement. Dans le substrat en céramique monolithique qui présente la structure décrite ci-avant, divers conducteurs de câblage sont prévus. En tant que conducteurs de câblages par exemple, des films conducteurs internes s'étendant le long d'interfaces prédéterminées entre des couches en céramique et des conducteurs de trou de via s'étendant de manière à pénétrer dans des couches en céramique prédéterminées sont prévus à l'intérieur d'un substrat en céramique monolithique, et des films conducteurs externes sont agencés de manière à s'étendre sur les surfaces externes du substrat en céramique monolithique.
Les substrats en céramique monolithiques sont utilisés pour le montage d'unités de puce semiconductrice, d'autres unités de puce et d'autres composants électroniques et sont utilisés pour une interconnexion de ces unités électroniques. Les conducteurs de câblage décrits ci-avant définissent des voies électriques pour l'interconnexion décrite ci-avant.
En outre, des unités passives telles que des condensateurs et des inducteurs peuvent être noyées dans des substrats en céramique monolithiques dans certains cas. Dans le cas décrit ci-avant, ces unités passives sont définies par des parties des films conducteurs internes et des conducteurs de trou de via utilisés en tant que conducteurs de câblage comme décrit ci-avant.
Les substrats en céramique monolithiques sont utilisés par
<Desc/Clms Page number 2>
exemple pour des composants haute fréquence hybrides LCR dans le domaine des appareils de terminal pour une communication mobile. En outre, dans le domaine des ordinateurs, les substrats en céramique monolithiques sont utilisés pour former des composants hybrides incluant des unités actives telles que des puces de circuit intégré (IC) à semiconducteur et des unités passives telles que des condensateurs, des inducteurs et des résistances ou sont utilisés tout simplement pour former des modules IC à semiconducteur.
En particulier, des composants électroniques en céramique empilés sont largement utilisés pour constituer divers dispositifs électroniques tels que des substrats de module PA, des commutateurs à diode RF, des filtres, des antennes sous forme de puce, divers dispositifs sous forme de module et des dispositifs hybrides.
Afin d'améliorer la multifonctionnalité, les densités de montage et les performances des substrats en céramique monolithiques, il est efficace de former des conducteurs de câblage présentant des densités de motifs plus importantes.
Cependant, afin de former un substrat en céramique monolithique, une étape de frittage doit être réalisée. Au niveau de l'étape de frittage mentionnée ci-avant, le frittage de la céramique génère un retrait et le retrait ne se produit pas de façon uniforme sur la totalité du substrat en céramique monolithique et de ce fait, une déformation et un gauchissement non souhaités des conducteurs de câblage peuvent être générés. La déformation et le gauchissement des conducteurs de câblage interfèrent avec l'amélioration de la densité de câblage des conducteurs de câblage.
Par conséquent, ce que l'on appelle un processus sans retrait est proposé pour une utilisation lors de la fabrication de substrats en céramique monolithiques, procédé selon lequel le retrait du substrat en céramique monolithique suivant la direction le long de la surface principale peut être substantiellement restreint pendant une étape de frittage.
Selon un procédé permettant de fabriquer des substrats en céramique monolithiques conformément au processus sans retrait, en
<Desc/Clms Page number 3>
plus d'un matériau de céramique frittable basse température qui peut être fritté à par exemple 1000 C ou moins, des particules inorganiques sont préparées, lesquelles restreignent le retrait et ne sont pas frittées à une température de frittage du matériau frittable basse température décrit ci-avant. Lorsqu'un empilement brut (appelé aussi parfois empilement de feuille verte ou feuille de base de circuit imprimé) est préparé, lequel forme un substrat en céramique monolithique prédéterminé par frittage, des couches brutes de restriction contenant les particules inorganiques sont disposées de manière à être en contact avec les surfaces principales de couches prédéterminées d'une pluralité de couches brutes de base qui sont empilées les unes sur les autres et qui contiennent le matériau de céramique frittable basse température. En outre, des corps en pâte conductrice pour former des conducteurs de câblage sont prévus pour les couches brutes de base.
L'empilement brut ainsi obtenu est ensuite soumis à cuisson.
Pendant cette étape de frittage, des couches de réaction qui présentent une épaisseur d'approximativement environ 2 m à environ 3 m sont formées au niveau des interfaces entre les couches brutes de base et les couches brutes de restriction, et la couche de réaction fait adhérer la couche brute de base à la couche de restriction qui lui est adjacente. En outre, puisque le matériau de poudre inorganique qui est contenu dans les couches brutes de restriction n'est pas fritté de façon substantielle, un retrait substantiel est non susceptible de se produire dans les couches brutes de restriction. Par conséquent, puisque les couches brutes de restriction restreignent le retrait des couches brutes de base, les couches brutes de base réalisent un retrait de façon substantielle seulement suivant leurs directions d'épaisseur et le retrait suivant les directions le long des surfaces principales est restreint. En tant que résultat, puisqu'une déformation irrégulière se produit difficilement dans le substrat en céramique monolithique qui est formé en frittant l'empilement brut, une déformation non souhaitée et un gauchissement non souhaité se produisent difficilement et ainsi, des densités de motifs plus élevées
<Desc/Clms Page number 4>
des conducteurs de câblage peuvent être obtenues.
Cependant, même si le retrait de la couche brute de base peut être restreint suivant la direction le long de sa surface principale, le retrait ne peut pas être réduit à 0 %, et puisque des agents de liaison ou liants disparaissent, lesquels sont contenus dans la couche brute de base et dans la couche brute de restriction, un retrait d'au moins 2 à 3 % se produit de façon inévitable.
En outre, le retrait décrit ci-avant varie en fonction des caractéristiques de la couche brute de base et de la couche brute de restriction. Par exemple, lorsque l'épaisseur de la couche brute de base est augmentée, il devient difficile que la force de restriction de la couche brute de restriction opère sur les couches brutes de base et en tant que résultat, la couche brute de base est davantage susceptible de subir un retrait. Qui plus est, plus la couche brute de restriction est mince, plus la force de restriction pour restreindre est faible. Par conséquent, la couche brute de base est davantage susceptible de réaliser un retrait.
Par conséquent, dans un empilement brut qui inclut une pluralité de types de couches brutes de base présentant différentes épaisseurs dans la plage de par exemple 25 m à 300 m, dans le cas où des couches brutes de restriction présentant la même caractéristique sont formées de manière à être en contact avec les surfaces principales des couches brutes de base, les taux de retrait afférents peuvent varier suivant la direction d'empilement du corps d'empilement lorsqu'un substrat en céramique monolithique est formé en frittant l'empilement brut et en tant que résultat, le corps d'empilement peut être gauchi. Qui plus est, dans un cas sérieux, une fissuration et une séparation peuvent se produire dans le corps d'empilement. Par conséquent, la précision des positions au niveau desquelles les conducteurs de câblage sont prévus pour le corps d'empilement est dégradée et ainsi, la formation des conducteurs de câblage présentant une densité de câblage plus importante est empêchée et il s'ensuit que la fiabilité du substrat en céramique monolithique ainsi obtenu est diminuée.
<Desc/Clms Page number 5>
Dans la description de l'art antérieur présenté ci-avant, la différence en termes d'épaisseur des couches brutes de base est décrite de façon typique en tant que facteur qui génère des différences au niveau des taux de retrait des couches brutes. Cependant, en plus de la différence en termes d'épaisseur, les taux de retrait des couches brutes de base peuvent différer les uns par rapport aux autres du fait de la différence en termes de composition ou en termes de types de matériaux constituant les couches brutes de base, du fait de la différence en termes de distribution de densité de câblage ou de la distribution des conducteurs de câblage prévus pour les couches brutes de base ou du fait d'autres facteurs.
RÉSUMÉ DE L'INVENTION
Afin de surmonter les problèmes décrits ci-avant, des modes de réalisation préférés de la présente invention proposent un substrat en céramique monolithique fortement amélioré, ses procédés de conception et de fabrication ainsi qu'un dispositif électronique qui inclut le nouveau substrat en céramique monolithique décrit ci-avant.
Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, un substrat en céramique monolithique formé en frittant un empilement brut inclut une pluralité de couches en céramique de base qui contiennent un matériau de céramique frittable basse température et qui sont empilées les unes sur les autres, une pluralité de couches de restriction qui contiennent des particules inorganiques non frittées à une température de frittage du matériau de céramique frittable basse température et qui sont chacune disposées de manière à être en contact avec la surface principale d'une couche prédéterminée de la pluralité de couches en céramique de base, les particules inorganiques étant liées par diffusion d'une partie du matériau de céramique frittable basse température contenu dans la couche en céramique de base adjacente à la couche de restriction, et des conducteurs de câblage prévus pour les couches en céramique de base.
Dans le substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, afin de résoudre les problèmes décrits ci-avant, au moins deux couches de restriction choisies parmi la pluralité de couches de restriction
<Desc/Clms Page number 6>
présentent des forces de restriction différentes qui sont appliquées sur des couches brutes de base pour définir les couches en céramique de base afin de restreindre le retrait afférent pendant une étape de frittage.
Dans le substrat en céramique monolithique mentionné ciavant, il est préférable que les couches en céramique de base incluent une première couche en céramique de base relativement épaisse et une seconde couche en céramique de base relativement mince et que les couches de restriction incluent une première couche de restriction disposée de manière à être en contact avec la surface principale de la première couche en céramique de base et une seconde couche de restriction disposée de manière à être en contact avec la surface principale de la seconde couche de base, où l'épaisseur de la première couche de restriction est supérieure à celle de la seconde couche de restriction.
Dans le substrat en céramique monolithique qui inclut des première et seconde couches en céramique de base et des première et seconde couches de restriction comme décrit ci-avant, le diamètre de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans la première couche de restriction est de préférence inférieur à celui des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche de restriction.
Dans le substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, il est préférable que les couches en céramique de base incluent des première et seconde couches en céramique de base présentant des épaisseurs différentes et que les couches de restriction incluent des première et seconde couches de restriction disposées de manière à être en contact avec les surfaces principales des première et seconde couches en céramique de base, de façon respective, où les types des particules inorganiques qui sont contenues dans les première et seconde couches de restriction diffèrent l'un de l'autre.
Dans le substrat en céramique monolithique de divers modes de réalisation préférés de la présente invention, les conducteurs de câblage sont de préférence formés en un matériau conducteur qui est
<Desc/Clms Page number 7>
essentiellement constitué par au moins un métal choisi parmi le groupe comprenant Ag, Au, Cu, Ni, Ag-Pd et Ag-Pt.
En outre, dans le substrat en céramique monolithique décrit ciavant, les conducteurs de câblage peuvent présenter diverses formes et par exemple, les conducteurs de câblage incluent de préférence un film conducteur qui s'étend le long de la surface principale de la couche en céramique de base et un conducteur de trou de via qui s'étend de manière à pénétrer dans la couche en céramique de base.
Selon un autre mode de réalisation préféré de la présente invention, un procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique inclut les étapes de formation d'un corps d'empilement brut incluant une pluralité de couches brutes de base qui contiennent des particules de céramique frittable basse température et qui sont empilées les unes sur les autres, une pluralité de couches brutes de restriction qui contiennent des particules inorganiques qui ne sont pas frittées à une température de frittage des particules de céramique frittable basse température et qui sont chacune disposées de manière à être en contact avec la surface principale d'une couche prédéterminée de la pluralité de couches en céramique de base, et des conducteurs de câblage prévus pour les couches brutes de base, et de frittage du corps d'empilement brut sous des conditions qui génèrent un frittage des particules de céramique frittable basse température, dans lequel au moins deux couches brutes de base choisies parmi la pluralité de couches brutes de base constituant le corps d'empilement brut présentent des capacités de retrait intrinsèque différentes pendant l'étape de frittage.
Selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, afin de résoudre les problèmes techniques décrits ci-avant, c'est-à-dire afin de restreindre le gauchissement de l'empilement généré par la différence entre les capacités de retrait pendant l'étape de frittage, au moins deux couches brutes de restriction sélectionnées parmi la pluralité de couches brutes de restriction constituant l'empilement brut présentent de préférence des forces de restriction différentes appliquées sur les couches brutes
<Desc/Clms Page number 8>
de base de manière à restreindre le retrait afférent.
Selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, la force de restriction de la couche brute de restriction peut être contrôlée au moyen d'un facteur qui peut être par exemple l'épaisseur de la couche brute de restriction, le diamètre des particules, le type, la forme, la distribution des particules, la teneur en particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction et la condition de surface de la couche brute de restriction ou peut être contrôlée au moyen d'une combinaison de ces éléments.
Selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, la première étape de formation peut en outre inclure une étape de préparation de feuilles brutes de base pour former les couches brutes de base et une seconde étape de formation permettant de former les couches brutes de restriction sur les feuilles brutes de base.
Selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, la seconde étape de formation peut en outre inclure une étape de préparation d'une boue destinée à être utilisée pour former les couches brutes de restriction et une étape de dépôt de la boue sur les feuilles brutes de base ou peut en outre inclure une étape de préparation de feuilles brutes de restriction pour former les couches brutes de restriction et une étape de dépôt des feuilles brutes de restriction au-dessus des feuilles brutes de base.
Selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant, en lieu et place des étapes décrites ci-avant, la première étape de formation peut en outre inclure les étapes de préparation d'une boue de base destinée à être utilisée pour former les couches brutes de base, de préparation d'une boue de restriction destinée à être utilisée pour former les couches brutes de restriction, de dépôt de la boue de base afin de former les couches brutes de base et de dépôt de la boue de restriction sur les couches brutes de base afin de former les couches brutes de restriction.
Des modes de réalisation préférés de la présente invention
<Desc/Clms Page number 9>
peuvent également être appliqués à des substrats en céramique monolithiques fabriqués au moyen des procédés décrits ci-avant.
En outre, les modes de réalisation préférés de la présente invention peuvent également être appliqués à un procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique fabriqué au moyen des procédés décrits ci-avant.
Selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention, un procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique inclut une première étape de frittage d'un composite qui est formé en empilant une première couche brute de test qui contient les particules en céramique frittable basse température et une seconde couche brute de test qui contient les particules inorganiques sous des conditions qui provoquent un frittage des particules en céramique frittable basse température afin de mesurer le taux de retrait de la première couche brute de test suivant la direction le long de sa surface principale. En outre, cette première étape est réalisée pour des combinaisons d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant différentes capacités de retrait les unes par rapport aux autres pendant le frittage et d'une pluralité de types de secondes couches brutes de test présentant des forces de restriction différentes les unes par rapport aux autres pendant le frittage et ainsi, les taux de frittage des combinaisons individuelles sont obtenus préliminairement.
En outre, le procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique décrit ci-avant inclut de préférence une seconde étape de sélection d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant des caractéristiques qui sont sensiblement équivalentes à celles d'une pluralité de couches brutes de base requises pour former un substrat en céramique monolithique, une troisième étape de sélection de certaines des combinaisons des premières couches brutes de test et des secondes couches brutes de test présentant les taux de retrait approximativement équivalents à ceux de la pluralité de types sélectionnés de premières couches brutes de test et une quatrième étape de détermination des caractéristiques
<Desc/Clms Page number 10>
des couches brutes de restriction qui sont sensiblement équivalentes à celles des secondes couches brutes de test des combinaisons sélectionnées.
La seconde étape décrite ci-avant peut présenter diverses modifications en fonction des facteurs lors de la détermination des caractéristiques pour sélectionner les premières couches brutes de test.
C'est-à-dire que, lorsque l'épaisseur de la première couche brute de test est le facteur considéré, des premières couches brutes de test peuvent être sélectionnées, lesquelles présentent des épaisseurs qui sont sensiblement équivalentes à celles des couches brutes de base.
En outre, lorsque la composition de la première couche brute de test est le facteur considéré, des premières couches brutes de test peuvent être sélectionnées de manière à présenter des compositions qui sont sensiblement équivalentes à celles des couches brutes de base.
Qui plus est, lorsque le conducteur de câblage prévu sur la première couche brute de test est le facteur considéré, des premières couches brutes de test peuvent être sélectionnées de manière à comporter des conducteurs de câblage qui sont sensiblement équivalents à ceux prévus sur les couches brutes de base.
Selon le procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique conformément à des modes de réalisation préférés de la présente invention, la quatrième étape décrite ci-avant peut présenter diverses modifications conformément à des caractéristiques de couches brutes de restriction à déterminer.
C'est-à-dire que, lorsque l'épaisseur de la couche brute de restriction est la caractéristique à déterminer, des couches brutes de restriction peuvent présenter des épaisseurs qui sont sensiblement équivalentes à celles des secondes couches brutes de test.
En outre, lorsque le diamètre de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction est la caractéristique à déterminer, des couches brutes de restriction
<Desc/Clms Page number 11>
contiennent de préférence des particules inorganiques présentant des diamètres de particule qui sont sensiblement équivalents à ceux des particules inorganiques qui sont contenues dans les secondes couches brutes de test.
En outre, lorsque le type des particules inorganiques contenues dans la couche brute de restriction est la caractéristique à déterminer, des couches brutes de restriction contiennent de préférence des particules inorganiques qui sont sensiblement équivalentes aux types des particules inorganiques contenues dans les secondes couches brutes de test.
Des modes de réalisation préférés de la présente invention peuvent également être appliqués à un dispositif électronique incluant le substrat en céramique monolithique décrit ci-avant et à une carte mère comportant le substrat en céramique monolithique monté sur elle.
D'autres caractéristiques, d'autres éléments et d'autres avantages de la présente invention apparaîtront au vu de la description détaillée qui suit de modes de réalisation préférés de la présente invention par report aux dessins annexés.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 est une vue en coupe schématique qui représente un substrat en céramique monolithique 1 d'un mode de réalisation préféré conformément à la présente invention ; la figure 2 est une vue en coupe schématique qui représente un empilement brut 2 pour former le substrat en céramique monolithique 1 qui est représenté sur la figure 1 ; la figure 3 est un graphique qui représente des taux de retrait pendant le frittage de premières couches brutes de test suivant la direction le long de leurs surfaces principales, qui sont obtenus à partir de combinaisons d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant différentes épaisseurs les unes par rapport aux autres et d'une pluralité de types de secondes couches brutes présentant différentes épaisseurs les unes par rapport aux autres, afin d'expliquer un procédé permettant de concevoir un substrat en
<Desc/Clms Page number 12>
céramique monolithique conformément à divers modes de réalisation préférés de la présente invention ; la figure 4 est un graphique qui représente des taux de retrait de premières couches brutes de test suivant la direction le long de leurs surfaces principales pendant le frittage, qui sont obtenus à partir de combinaisons d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes les unes par rapport aux autres et d'une pluralité de types de secondes couches brutes contenant des particules inorganiques présentant des diamètres de particule différents les unes par rapport aux autres afin d'expliquer un procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique conformément à divers modes de réalisation préférés de la présente invention ; la figure 5 est un graphique qui représente des taux de retrait de premières couches brutes de test suivant la direction le long de leurs surfaces principales pendant le frittage, qui sont obtenus à partir de combinaisons d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant différentes épaisseurs les unes par rapport aux autres et d'une pluralité de types de secondes couches brutes contenant des types de particules inorganiques différents les unes par rapport aux autres, afin d'expliquer un procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique conformément à divers modes de réalisation préférés de la présente invention ; etla figure 6 est une vue en coupe schématique qui représente une structure empilée d'un empilement brut conformément à un exemple mis en #uvre afin de confirmer les avantages de divers modes de réalisation préférés de la présente invention.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE MODES DE RÉALISATION
PRÉFÉRÉS
La figure 1 est une vue en coupe schématique d'un substrat en céramique monolithique 1 conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention. La figure 2 est une vue en coupe schématique d'un corps d'empilement brut 2 (appelé aussi parfois empilement de feuille verte ou feuille de base de circuit imprimé) pour
<Desc/Clms Page number 13>
former le substrat en céramique monolithique qui est représenté sur la figure 1. Le substrat en céramique monolithique est de préférence formé en frittant l'empilement brut 2.
Comme représenté sur la figure 1, le substrat en céramique monolithique 1 inclut de préférence une pluralité de couches en céramique de base 3 qui contiennent un matériau de céramique frittable basse température et qui sont empilées les unes sur les autres. En tant que couches en céramique de base 3, il y a des couches en céramique repérées par "3(a)", des couches en céramique repérées par "3(b)" et une couche en céramique repérée par "3(c)". Ces index de référence "3 (a)", et "3(c)" sont utilisés lorsqu'il est nécessaire de discriminer une couche par rapport aux autres.
Le substrat en céramique monolithique 1 inclut également de préférence une pluralité de couches de restriction 4 qui sont agencées de manière à être en contact avec les surfaces principales de couches prédéterminées des couches en céramique de base 3 et qui contiennent des particules inorganiques non frittées à une température de frittage du matériau de céramique frittable basse température décrit ci-avant. En outre, les particules inorganiques qui sont contenues dans la couche de restriction 4 sont liées par diffusion d'une partie d'un matériau contenu dans la couche en céramique de base 3 adjacente à la couche de restriction 4. Selon ce mode de réalisation préféré, les couches de restriction 4 sont prévues le long des interfaces de la pluralité de couches en céramique de base 3. En tant que couches de restriction 4, il y a des couches de restriction repérées par "4(a)", des couches de restriction repérées par "4 (b)" une couche de restriction repérée par "4(c)". Les index de référence "4(a)", "4 (b)" et "4 (c)" utilisés lorsqu'il est nécessaire de discriminer une couche par rapport aux autres.
Le substrat en céramique monolithique 1 inclut en outre des conducteurs de câblage 5. En tant que conducteurs de câblage 5, par exemple, il y a des films conducteurs 6 et 7 qui s'étendent le long des surfaces principales des couches en céramique de base 3 et des conducteurs de trou de via 8 et 9 qui s'étendent de manière à pénétrer
<Desc/Clms Page number 14>
dans les couches en céramique de base 3. En tant que films conducteurs 6 et 7, il y a des films conducteurs internes 6 qui sont prévus à l'intérieur du substrat en céramique monolithique 1 et des films conducteurs externes 7 qui sont prévus sur les surfaces externes du substrat en céramique monolithique 1. En outre, les conducteurs de trou de via 8 sont prévus à l'intérieur du substrat en céramique monolithique 1 et les conducteurs de trou de via 9 sont des conducteurs de trou de via terminaux 9 qui sont exposés au niveau des surfaces latérales du substrat en céramique monolithique 1.
Le substrat en céramique monolithique 1 est monté sur une carte mère 10 qui est représentée au moyen d'un contour en traits mixtes pour former un dispositif électronique souhaité. Afin de monter le substrat en céramique monolithique 1 sur la carte mère 10, les conducteurs de trou de via terminaux 9 décrits ci-avant et les films conducteurs externes 7 qui leur sont connectés sont constitués sur la carte mère 10 au moyen par exemple d'un soudage. En outre, même si cela n'est pas représenté sur la figure, sur la surface supérieure du substrat en céramique monolithique 1 représenté sur la figure, diverses unités électroniques peuvent être montées dans certains cas.
En ce qui concerne les épaisseurs des couches en céramique individuelles 3 dans le substrat en céramique monolithique 1 décrit ci- avant, la couche en céramique de base 3 (a) de préférence la plus mince, la couche en céramique de base 3 (b) une épaisseur intermédiaire et la couche en céramique de base 3 (c) estla plus épaisse.
En outre, les épaisseurs des couches de restriction 4 diffèrent les unes des autres. C'est-à-dire que la couche de restriction la plus mince 4 (a) en contact avec la couche en céramique de base la plus mince 3(a), la couche de restriction 4 (b) présente une épaisseur intermédiaire est en contact avec la couche en céramique de base 3(b) qui présente une épaisseur intermédiaire et la couche de restriction la plus épaisse 4 (c) en contact avec la couche en céramique de base la plus épaisse 3(c).
Afin d'obtenir le substrat en céramique monolithique 1 décrit ci-
<Desc/Clms Page number 15>
avant, le corps d'empilement brut 2 qui est représenté sur la figure 2 est formé.
Le corps d'empilement brut 2 inclut de préférence une pluralité de couches brutes de base 11 qui contiennent des particules de céramique frittable basse température et qui sont empilées les unes sur les autres. Les couches en céramique de base 3 décrites ci-avant sont de préférence formées en frittant les couches brutes de base 11.
Le corps d'empilement brut 2 inclut également de préférence une pluralité de couches brutes de restriction 12 qui sont disposées de manière à être en contact avec les surfaces principales de couches prédéterminées des couches brutes de base 11et qui contiennent des particules inorganiques non frittées à une température de frittage du matériau de céramique frittable basse température. Les couches de restriction 4 décrites ci-avant sont de préférence formées en frittant les couches brutes de restriction 12.
Le corps d'empilement brut 2 inclut en outre des corps en pâte conductrice 13 qui sont prévus pour les couches brutes de base 11 et qui sont utilisés pour former les conducteurs de câblage 5. Les corps en pâte conductrice 13 comportent des parties qui correspondent aux films conducteurs internes 6, aux films conducteurs externes 7, aux conducteurs de trou de via 8 et aux conducteurs de trou de via terminaux 9 décrits ci-avant.
Le corps d'empilement brut 2 décrit ci-avant est soumis à cuisson sous des conditions qui provoquent un frittage du matériau de céramique frittable basse température, d'où l'obtention ainsi du substrat en céramique monolithique 1.
En tant que pluralité de couches brutes de base 11formant le corps d'empilement brut 2, en correspondance avec les épaisseurs individuelles des couches en céramique de base 3 décrites ci-avant, il y a des couches brutes de base les plus minces 11 (a), des couches brutes de base 11 (b) présentant une épaisseur intermédiaire et une couche brute de base la plus épaisse 11 (c). Du fait de la différence en termes d'épaisseur décrite ci-avant, des degrés d'effet de restriction de retrait diffèrent de l'une à l'autre, comme obtenu au moyen d'actions de
<Desc/Clms Page number 16>
restriction de retrait des couches brutes de restriction 12. Par conséquent, en ce qui concerne les capacités de retrait intrinsèque des couches brutes de base 11pendant une étape de frittage, la couche brute de base la plus épaisse 11 (a) présente la capacité la plus élevée et la couche brute de base la plus mince 11(c) présente la capacité la plus faible.
Dans la structure décrite ci-avant, lorsque aucune mesure n'est prise, un gauchissement de l'empilement 2 peut se produire pendant une étape de frittage du fait de la différence en termes de capacité de retrait comme décrit ci-avant. Afin d'empêcher la survenue du gauchissement, les couches brutes de restriction 12 sont utilisées, lesquelles exercent des forces de restriction différentes sur les couches brutes de base 11pour restreindre le retrait afférent.
C'est-à-dire que la couche brute de restriction 12 (a) est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la couche brute de base la plus mince 11 (a) présentant la capacité de retrait la plus faible est formée de manière à être la couche la plus mince, c'est-à-dire que la couche brute de restriction 12 (a) formée de manière à présenter la force de restriction la plus faible.
La couche brute de restriction 12 (b) est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la couche brute de base 11(b) présentant une épaisseur intermédiaire, c'est-à-dire présentant une capacité de retrait intermédiaire, est formée de manière à présenter une épaisseur intermédiaire, c'est-à-dire que la couche brute de restriction 12 (b) formée de manière à présenter une force de restriction intermédiaire.
La couche brute de restriction 12 (c), est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la couche brute de base la plus épaisse 11(c) qui présente la capacité de retrait la plus élevée est formée de manière à être la couche la plus épaisse, c'est-à- dire que la couche de restriction 12 (c) formée de manière à présenter la force de restriction la plus forte.
Afin de former le corps d'empilement brut 2 décrit ci-avant, le procédé décrit ci-après est de préférence utilisé.
<Desc/Clms Page number 17>
Les feuilles brutes de base sont tout d'abord préparées pour former les couches brutes de base 11. Les feuilles brutes de base contiennent des particules de céramique frittable à par exemple approximativement 1000 C ou moins. En particulier, par exemple, les feuilles brutes de base sont de préférence formées de la manière décrite ci-après.
C'est-à-dire qu'un agent de plastification ou plastifiant et un vecteur organique incluant un agent de liaison ou liant organique et un solvant sont ajoutés aux particules de céramique frittable basse température et l'ensemble est mélangé, d'où l'obtention d'une boue. Ensuite, des feuilles sont formées à partir de cette boue sur un film de support au moyen d'un procédé par lame puis sont séchées et ainsi, les feuilles brutes de base sont formées.
En tant que particules de céramique frittable basse température, un matériau formant un verre pendant une étape de frittage tel qu'un mélange d'oxyde de baryum, d'oxyde de silicium, d'alumine, d'oxyde de calcium et d'oxyde de bore peut être utilisé. En outre, en lieu et place du matériau décrit ci-avant, un mélange qui inclut une céramique utilisée en tant qu'agent de remplissage telle que l'alumine et un verre utilisé en tant qu'agent auxiliaire pour le frittage tel que du verre de borosilicate (BSG) ou de l'oxyde de silicium peut être utilisé. En tant que particules de céramique frittable basse température, n'importe quel matériau peut être utilisé aussi longtemps que sa composition est frittable à environ approximativement 1000 C ou moins. Cependant, dans le cas dans lequel du cuivre ou du nickel est utilisé pour le conducteur de câblage 5, il est nécessaire de sélectionner une composition de céramique qui n'est pas réduite pendant une étape de frittage qui est réalisée dans une atmosphère réductrice.
En tant qu'agent de liaison ou liant organique, par exemple, une résine acrylique, du butyral polyvinylique ou une résine méthacrylique ou tout autre matériau approprié peut être utilisé.
En tant que solvant, par exemple, du toluène ou un alcool tel qu'un alcool isopropylique ou tout autre matériau approprié peut être
<Desc/Clms Page number 18>
utilisé.
En tant qu'agent de plastification ou plastifiant, par exemple, du di-n-butyl phthalate ou tout autre matériau approprié peut être utilisé.
La couche brute de restriction 12 contient les particules inorganiques qui ne sont pas frittées à une température de frittage des particules de céramique frittable basse température décrites ci-avant et en tant que particules inorganiques, par exemple de l'alumine pulvérulent ou du zirconium pulvérulent peut être utilisé.
Les couches brutes de restriction 12 peuvent être formées au moyen d'étapes consistant à ajouter un agent de plastification ou plastifiant et un vecteur organique incluant un agent de liaison ou liant organique et un solvant aux particules inorganiques décrites ci-avant, à mélanger le mélange ainsi obtenu de manière à former une boue, à déposer la boue sur les feuilles brutes de base et à sécher la boue ainsi déposée.
En tant que vecteur organique et qu'agent de plastification ou plastifiant contenus dans la couche brute de restriction 12, les mêmes matériaux que ceux contenus dans la boue utilisée pour former les couches brutes de base 11peuvent être utilisés.
En outre, afin de former la couche brute de restriction 12, une feuille brute de restriction peut tout d'abord être formée en utilisant la boue décrite ci-avant et peut être placée au-dessus de la feuille brute de base. Selon une variante, une feuille brute de restriction pour former la couche brute de restriction 12 peut tout d'abord être formée sur un film de support et ensuite, la boue qui contient le matériau de céramique frittable basse température peut être déposée sur la couche brute de restriction de manière à former la couche brute de base 12.
En outre, afin de former l'empilement brut 2, un procédé incluant ce que l'on appelle une étape de dépôt séquentiel qui inclut une étape de préparation d'une boue de base pour former les couches brutes de base 11et d'une boue de restriction pour former les couches brutes de restriction 12, une étape de formation des couches brutes de base 11 par exemple en déposant la boue de base sur un film de support et une étape de dépôt de la boue de restriction sur les couches
<Desc/Clms Page number 19>
brutes de base 11 pour former les couches brutes de restriction 12 peut être utilisé.
Les corps en pâte conductrice 13 pour former les conducteurs de câblage 5 sont de préférence formés en utilisant une pâte conductrice. La pâte conductrice inclut de préférence un vecteur organique et un métal pulvérulent utilisé en tant que matériau conducteur et est obtenue de préférence en agitant et en malaxant les ingrédients mentionnés ci-avant par exemple en utilisant un broyeur secoueur ou un broyeur à trois rouleaux ou tout autre dispositif approprié.
En tant que métal utilisé pour le métal pulvérulent pour former le matériau conducteur décrit ci-avant, un métal qui supporte des conditions de frittage pour le matériau de céramique frittable basse température contenu dans la couche brute de base 11 peut être utilisé et par exemple, un matériau qui est essentiellement composé par au moins un métal pris parmi le groupe comprenant Ag, Au, Cu, Ni, Ag-Pd et Ag-Pt peut de façon avantageuse être utilisé.
Le diamètre de particule moyen et la forme des particules du métal pulvérulent ne sont pas spécifiquement limités. Cependant, le diamètre de particule moyen est de préférence d'environ 0,3 m à environ 10 m et de préférence, aucune particule de grande dimension et aucune particule agglomérée de façon excessive ne sont contenues.
En tant que vecteur organique contenu dans la pâte conductrice, un mélange qui inclut un agent de liaison ou liant tel que de la cellulose éthylique, une résine alkide, une résine acrylique ou une résine butyrale dissoute dans un alcool utilisé en tant que solvant tel que terpinéol, carbitol butylique, acétate de carbitol butylique et alcool isopropylique peut être utilisé.
En considération des caractéristiques d'impression de la pâte conductrice, la viscosité est de préférence dans une plage de par exemple environ 50 Pa. s à environ 300 Pa.s.
Afin d'adapter le retrait de la pâte conductrice à celui de la couche brute de base 11pendant une étape de frittage, par exemple approximativement 70 % en volume ou moins d'une fritte de verre ou
<Desc/Clms Page number 20>
d'une céramique pulvérulente peuvent être contenus dans la pâte conductrice.
Lorsque les corps en pâte conductrice 13 sont formés à partir de la pâte conductrice décrite ci-avant, les corps en pâte conductrice 13 pour former les conducteurs de trou de via 8 et 9 sont formés au moyen d'une étape de formation de trous de pénétration dans des couches de base prédéterminées 11et également dans des couches brutes de restriction 12 lorsque nécessaire et au moyen d'une étape de remplissage de la pâte conductrice dans les trous de pénétration. Les corps en pâte conductrice 13 pour former les films conducteurs 6 et 7 sont formés par exemple en réalisant une impression par sérigraphie de la pâte conductrice. Lors de cette étape d'impression, la pâte conductrice peut être remplie dans les trous pénétrants décrits ciavant.
Les corps en pâte conductrice 13 pour former les films conducteurs 6 et 7 et les corps en pâte conductrice 13 pour former les conducteurs de trou de via 8 et 9 peuvent être formés simultanément comme décrit ci-avant. Cependant, dans le cas dans lequel les caractéristiques requises pour les films conducteurs 6 et 7 diffèrent de celles requises pour les conducteurs de trou de via 8 et 9, ces corps peuvent être formés lors de différentes étapes en utilisant différentes pâtes conductrices dans lesquelles les dimensions de particules, les teneurs en métal pulvérulent contenu dans les pâtes conductrices individuelles, les vecteurs organiques, les viscosités et similaire sont respectivement optimisés.
L'étape de formation des corps en pâte conductrice 13 décrite ci-avant est réalisée avant que les feuilles brutes de base pour former des couches brutes de base 11ne soient empilées les unes sur les autres.
En outre, comme décrit ci-avant, lorsque les couches brutes de base 11 et les couches brutes de restriction 12 sont formées au moyen de ce que l'on appelle une étape de dépôt séquentiel qui utilise la boue de base et la boue de restriction, une étape d'impression de la pâte conductrice est réalisée chaque fois que la boue de base ou la boue
<Desc/Clms Page number 21>
de restriction est déposée. Dans le cas décrit ci-avant, les zones de dépôt des boues sont déterminées de telle sorte que les trous de pénétration soient formés lors des étapes de dépôt des boues, lesquelles doivent être localisées aux endroits où la pâte conductrice est prévue pour former les conducteurs de trou de via 8 et 9.
Le corps d'empilement brut 2 ainsi formé est ensuite pressé suivant la direction d'empilement. A cet égard, dans le cas dans lequel l'étape de formation de l'empilement brut 2 décrit ci-avant est une étape de formation d'un empilement brut du type mère 2 qui est ensuite divisé de manière à produire une pluralité de substrats en céramique monolithiques 1, une étape de découpe est réalisée après l'étape de pression afin d'obtenir une pluralité d'empilements bruts 2 pour former les substrats en céramique monolithiques 1. Les corps en pâte conductrice 13 pour former les conducteurs de trou de via terminaux 9 sont exposés au niveau des surfaces latérales afférentes lors de cette étape de découpe. En outre, l'étape de découpe peut être réalisée en utilisant une scie de découpage de puce après frittage dans certains cas.
En outre, au moins des parties des corps en pâte conductrice 13 pour former les films conducteurs externes 7 peuvent être formées en imprimant la pâte conductrice après que l'étape de pression décrite ci-avant est réalisée.
En plus des corps en pâte conductrice incluant la pâte conductrice décrite ci-avant, les conducteurs de câblage 5 qui sont prévus pour le substrat en céramique monolithique 1 peuvent être formés à l'aide de feuilles métalliques ou de fils métalliques. Dans le cas décrit ci-avant, un procédé selon lequel une feuille métallique poinçonnée ou un fil métallique est apposé sur la couche brute de base 11 ou sur la couche brute de restriction 12 par pression à chaud est mis en oeuvre ou un procédé est mis en #uvre au moyen des étapes de formation d'une feuille métallique sur un film approprié par dépôt, de pulvérisation, de placage ou de tout autre processus approprié, de conformation de la feuille métallique par gravure ou au moyen de tout autre processus approprié lorsque requis et de réalisation d'un
<Desc/Clms Page number 22>
transfert thermique de la feuille métallique sur la couche brute de base 11ou sur la couche brute de restriction 12.
Puis l'empilement brut 2 est fritté sous des conditions qui ont pour effet de provoquer un frittage des particules en céramique frittable basse température, ce qui conduit au substrat en céramique monolithique 1.
Pendant l'étape de frittage décrite ci-avant, les couches brutes de restriction 12 elles-mêmes ne sont pas significativement soumises à retrait. Lorsque les couches brutes de base 11sont chauffées jusqu'à une température à laquelle du verre est formé dedans ou du verre contenu dans la couche brute de base 11 est ramolli, une couche de réaction d'une épaisseur comprise entre approximativement 2 m et approximativement 3 m est formée au niveau de chaque interface de la couche brute de restriction 12 et de la couche brute de base 11, et la couche de réaction ainsi formée joint et fait coller la couche brute de restriction 12 sur la couche brute de base 11 qui lui est adjacente. En tant que résultat, les couches brutes de restriction 12 sont dans l'état dans lequel elles disposent des forces de restriction qui permettent de restreindre le retrait des couches brutes de base 11 suivant les directions le long de la surface principale.
Par conséquent, tandis que le retrait des couches brutes de base 11est restreint suivant la direction le long de la surface principale afférente, les couches brutes de base 11 sont soumises à retrait de façon substantielle suivant leur direction d'épaisseur puisque les particules frittables basse température qui sont contenues dans les couches brutes de base 11 sont frittées et ainsi, les couches en céramique de base 3 incluant le matériau de céramique frittable basse température sont formées de manière à constituer le substrat en céramique monolithique 1. En outre, une partie du matériau tel qu'un composant de verre contenu dans la couche brute de base 11 se diffuse dans la couche brute de restriction 12 et ainsi, les particules inorganiques sont liées et la couche brute de restriction 12 est durcie.
Cependant, les couches brutes de base 11qui forment le corps d'empilement brut 2 présentent des capacités de retrait intrinsèques
<Desc/Clms Page number 23>
différentes les unes des autres pendant l'étape de frittage.
C'est-à-dire que la couche brute de base 11 (a) est la plus mince, la couche brute de base 11 (b) présente une épaisseur intermédiaire et la couche brute de base 11 (c) est la plus épaisse.
Lorsque l'épaisseur de la couche brute de base 11 décrite ci-avant est augmentée, sa capacité de retrait intrinsèque devient plus élevée. Il s'ensuit que la capacité de retrait intrinsèque est augmentée selon l'ordre constitué par la couche brute de base 11 (a), la couche brute de base 11 (b) et la couche brute de base 11 (c). Par conséquent, sauf si une mesure appropriée est prise, l'empilement brut 2 est soumis à gauchissement pendant l'étape de frittage et en tant que résultat, le substrat en céramique monolithique 1 qui est obtenu par frittage est gauchi.
Afin d'empêcher le gauchissement, les forces de restriction des couches de restriction 12 qui sont appliquées sur les couches brutes de base 11 sont constituées de manière à différer les unes des autres pour restreindre le retrait afférent.
En particulier, comme représenté sur la figure 2, la couche brute de restriction 12 (a) est en contact avec la surface principale de la couche brute de base 11 (a) qui présente une capacité de retrait faible est de préférence formée de manière à être mince, la couche brute de restriction 12(b) qui est en contact avec la surface principale de la couche brute de base 11 (b) qui présente une capacité de retrait intermédiaire est de préférence formée de manière à présenter une épaisseur intermédiaire et la couche brute de restriction 12 (c) présente une capacité de retrait élevée est de préférence formée de manière à être épaisse, laquelle est en contact avec la surface principale de la couche brute de base 11 (c).
L'épaisseur de la couche brute de restriction 12 a une influence sur sa force de restriction et lorsque l'épaisseur de la couche brute de restriction est augmentée, sa force de restriction qui est appliquée sur la couche brute de base est augmentée. Par conséquent, sur la base de la relation entre l'épaisseur et la force de restriction, lorsque les forces de restriction des couches brutes de restriction 12 sont
<Desc/Clms Page number 24>
respectivement choisies conformément aux capacités de retrait intrinsèques des couches brutes de base individuelles 11, les taux de retrait réels des couches brutes de base individuelles 11lors de l'étape de frittage peuvent être rendus approximativement équivalents les uns aux autres. En tant que résultat, le gauchissement de l'empilement brut 2 peut être empêché.
Le procédé décrit ci-avant peut être appliqué à un procédé permettant de concevoir le substrat en céramique monolithique 1. C'est-à-dire que lorsque le substrat en céramique monolithique 1 est conçu, un procédé décrit ci-après peut être utilisé.
Tout d'abord, un composite est préparé, lequel est formé en empilant une première couche brute de test qui contient un matériau de céramique frittable basse température et une seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques. Puis une étape de frittage est réalisée pour le composite sous des conditions qui provoquent le frittage du matériau de céramique frittable basse température, et le taux de retrait de la première couche brute de test est mesuré suivant la direction le long de sa surface principale. Les étapes décrites ciavant sont réalisées pour diverses combinaisons d'une pluralité de premières couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes les unes des autres et d'une pluralité de secondes couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes les unes des autres et en tant que résultat, les taux de retrait de diverses combinaisons des premières couches brutes de test et des secondes couches brutes de test peuvent être obtenus préliminairement.
La figure 3 est un graphique qui représente les résultats des taux de retrait de premières couches brutes de test suivant la direction le long de la surface principale afférente, lesquels résultats sont obtenus à partir de diverses combinaisons d'une pluralité de premières couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes les unes des autres et d'une pluralité de secondes couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes les unes des autres.
Selon les exemple particuliers qui sont représentés sur la figure 3, à un matériau de céramique frittable basse température qui est
<Desc/Clms Page number 25>
formé en mélangeant de l'oxyde de baryum pulvérulent, de l'oxyde de silicium pulvérulent, de l'alumine pulvérulente, de l'oxyde de calcium pulvérulent, et de l'oxyde de bore pulvérulent, du butyral polyvinylique en tant qu'agent de liaison ou liant, du di-n-butyl phthalate en tant qu'agent de plastification ou plastifiant et du toluène ainsi que de l'alcool isopropylique en tant que solvant sont additionnés puis l'ensemble est ensuite mélangé pour former une boue, et des feuilles sont formées au moyen d'un procédé par lame en utilisant la boue et sont ensuite séchées et ainsi, les premières couches brutes de test sont formées.
En outre, la seconde couche brute de test est formée au moyen des étapes consistant à ajouter un agent de liaison ou liant, un agent de plastification ou plastifiant et un solvant, qui sont équivalents à ceux décrits pour la première couche brute de test, à de l'alumine pulvérulente qui présente un diamètre de particule moyen d'approximativement 0,5 m, à mélanger le mélange ainsi obtenu afin de former une boue, à déposer la boue sur la première couche brute de test et à sécher la boue ainsi déposée.
Au niveau de ces étapes décrites ci-avant, les premières couches brutes de test sont de préférence formées de manière à présenter des épaisseurs approchées de 25 m, 50 m, 100 m et 300 m, et des échantillons de test sont formés, lesquels sont constitués par les secondes couches brutes de test de manière à ce qu'elles présentent des épaisseurs approchées de 2 m, 3 m, 4 m, 5 m, 6 m, 7 m et 8 m, chaque couche étant empilée avec des premières couches brutes de test individuelles décrites ci-avant.
Puis après que ces échantillons de test sont soumis à cuisson à approximativement 900 C pendant environ une heure dans une atmosphère réductrice, les taux de retrait des premières couches brutes de test sont mesurés suivant les directions le long de leurs surfaces principales. Les taux de retrait ainsi obtenus sont représentés sur la figure 3.
Après que les données représentées sur la figure 3 sont obtenues, des premières couches brutes de test sont de préférence
<Desc/Clms Page number 26>
choisies de manière à présenter des épaisseurs qui sont sensiblement équivalentes à celles d'une pluralité des couches brutes de base 11 requises pour former un substrat en céramique monolithique souhaité 1.
Puis des combinaisons des premières couches brutes de test et des secondes couches brutes de test sont sélectionnées, lesquelles combinaisons présentent des taux de retrait qui sont approximativement équivalents aux taux de retrait des premières couches brutes de test individuelles ainsi sélectionnées.
Par exemple, lorsque le taux de retrait est établi de manière à être égal à environ 95 %, une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 25 m est empilée avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 2 m, une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 50 m est empilée avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 3 m, une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 100 m est empilée avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 4 m, une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 150 m est empilée avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 5 m, et une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 300 m est empilée avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 6 m.
Puis les épaisseurs de couches brutes de restriction 12 sont déterminées de manière à être sensiblement équivalentes à celles des secondes couches brutes de test des combinaisons ainsi sélectionnées.
De façon davantage particulière, dans l'empilement brut 2 qui est représenté sur la figure 2, dans le cas de la couche brute de base 11 (a) présente une épaisseur d'environ 50 m, de la couche brute de base 11 (b) présente une épaisseur d'environ 150 m et de la couche brute de base 11 (c) présente une épaisseur d'environ 300 m, il est fait référence de façon respective à des courbes sur la figure 3 qui
<Desc/Clms Page number 27>
représentent des premières couches brutes de test qui présentent des épaisseurs d'environ 50 m, d'environ 150 m et d'environ 300 m.
Puis, par exemple, lorsque les taux de retrait des couches brutes sont établis de manière à valoir environ 95 %, des combinaisons appropriées sont trouvées, lesquelles combinaisons appropriées sont formées par une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 50 m avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 3 m, par une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 150 m avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 5 m et par une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 300 m avec une seconde couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 6 m.
Par conséquent, les épaisseurs des couches brutes de restriction 12 sont de préférence sensiblement équivalentes à celles des secondes couches brutes de test des combinaisons. C'est-à-dire que l'épaisseur de la couche brute de restriction 12(a) est de préférence d'environ 3 m, l'épaisseur de la couche brute de restriction 12(b) est de préférence d'environ 5 m et l'épaisseur de la couche brute de restriction 12 (c) de préférence d'environ 6 m.
Lorsque le substrat en céramique monolithique 1 est conçu conformément au procédé de conception décrit ci-avant, puisque les taux de retrait des couches brutes de base 11pendant une étape de frittage sont par exemple d'approximativement 95 %, un gauchissement de l'empilement brut 2 est empêché de se produire et il s'ensuit qu'un gauchissement du substrat en céramique monolithique terminé 1 est empêché.
Selon les modes de réalisation préférés qui ont été décrits ciavant, afin de contrôler/commander les forces de restriction des couches brutes de restriction 12, les épaisseurs des couches brutes de restriction sont de préférence contrôlées/commandées. Cependant, le contrôle/la commande des forces de restriction peut être réalisée en faisant varier d'autres facteurs.
Par exemple, en modifiant le diamètre de particule des
<Desc/Clms Page number 28>
particules inorganiques qui sont contenues dans les couches brutes de restriction 12, les forces de restriction afférentes peuvent être contrôlées/commandées. Par conséquent, comme c'est le cas avec le contrôle/la commande de l'épaisseur de la couche brute de restriction 12 comme décrit ci-avant, le contrôle/la commande des diamètres de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans les couches brutes de restriction 12 peut également être utilisée pour concevoir le substrat en céramique monolithique 1.
La figure 4 est un graphique qui correspond à la figure 3 et il s'agit d'un graphique qui représente les résultats des taux de retrait de premières couches brutes de test suivant la direction le long de la surface principale afférente pendant une étape de frittage, comme obtenu à partir de diverses combinaisons d'une pluralité de premières couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes et d'une pluralité de secondes couches brutes de test contenant des particules inorganiques qui présentent des diamètres de particule moyens qui sont différents les unes des autres.
Les données qui sont représentées sur la figure 4 sont obtenues en réalisant une procédure qui est essentiellement équivalente à celle pour obtenir des données représentées sur la figure 3 à ceci près que la seconde couche brute de test est fixée de manière à présenter une épaisseur d'approximativement 6 m.
Comme représenté sur la figure 4, lorsque le diamètre de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche brute de test est plus petit, la force de restriction est augmentée et il est bien entendu que le retrait de la première couche brute de test est davantage non susceptible de se produire.
Par conséquent, lorsque le taux de retrait de la première couche brute de test est d'environ 95 %, il est trouvé qu'une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'approximativement 25 m peut être empilée avec une seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule d'environ 1,0 m, qu'une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 50 m peut être empilée avec une
<Desc/Clms Page number 29>
seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule d'environ 0,8 m, qu'une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 100 m peut être empilée avec une seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule d'environ 0,7 m, qu'une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 150 m peut être empilée avec une seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule d'environ 0,6 m, et qu'une première couche brute de test qui présente une épaisseur d'environ 300 m peut être empilée avec une seconde couche brute de test qui contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule d'environ 0,5 m.
Par conséquent, lorsque le diamètre de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction 12 est sensiblement équivalent à celui des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche brute de test, un gauchissement est empêché de se produire pendant une étape de frittage.
En modifiant le type des particules inorganiques qui sont contenues dans les couches brutes de restriction 12, les forces de restriction afférentes peuvent être contrôlées/commandées.
La figure 5 est un graphique qui correspond à la figure 3 et il s'agit d'un graphique qui représente les résultats des taux de retrait de premières couches brutes de test suivant la direction le long de la surface principale afférente pendant une étape de frittage, comme obtenu à partir de diverses combinaisons d'une pluralité de premières couches brutes de test présentant des épaisseurs différentes et d'une pluralité de secondes couches brutes de test contenant des types différents de particules inorganiques.
Les données qui sont représentées sur la figure 5 sont obtenues en réalisant une procédure qui est essentiellement équivalente à celle pour obtenir les données qui sont représentées sur les figures 3 et 4 à ceci près que la seconde couche brute de test est
<Desc/Clms Page number 30>
fixée de manière à présenter une épaisseur d'environ 6 m et que de l'Al2O3, du Ti02, du Zr02, du Si02 et de l'AIN sont respectivement utilisés en tant que particules inorganiques.
Comme représenté sur la figure 5, en modifiant le type du matériau inorganique qui est contenu dans la seconde couche brute de test, sa force de restriction peut être modifiée. Par conséquent, conformément aux données qui sont représentées sur la figure 5, une pluralité de types de premières couches brutes de test sont sélectionnés de manière à présenter des épaisseurs qui sont sensiblement équivalentes à celles des couches brutes de base 11qui sont requises pour former le substrat en céramique monolithique 1, des combinaisons des premières couches brutes de test et des secondes couches brutes de test sont ensuite sélectionnées, de manière à présenter des taux de retrait approximativement équivalents à ceux de la pluralité de types sélectionnés de premières couches brutes de test, et des couches brutes de restriction 12 peuvent contenir des particules inorganiques qui sont sensiblement équivalentes à celles qui sont contenues dans les secondes couches brutes de test des combinaisons ainsi sélectionnées.
En outre, les forces de restriction des couches brutes de restriction 12 peuvent également être contrôlées/commandées au moyen d'un facteur autre que l'épaisseur de la couche brute de restriction 12, que le diamètre de particule et que le type des particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction 12.
Par exemple, la force de restriction peut également être contrôlée/commandée en modifiant la forme des particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction 12.
Par exemple, la force de restriction peut être contrôlée en utilisant des particules inorganiques qui présentent une forme sensiblement sphérique, une forme plane, une forme en aiguille, une autre forme irrégulière ou une quelconque combinaison des formes précitées.
En outre, la force de restriction peut également être contrôlée/commandée au moyen de la distribution des particules (large, étroite) et au moyen de la teneur en particules inorganiques qui
<Desc/Clms Page number 31>
sont contenues dans la couche brute de restriction 12.
La force de restriction peut également être contrôlée/commandée au moyen de la condition de surface (dépôt en surface, degré de cristallisation) des particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction 12.
En outre, la force de restriction de la couche brute de restriction 12 peut également être contrôlée/commandée au moyen d'une combinaison des divers facteurs qui ont été décrits ci-avant.
Selon les modes de réalisation préférés décrits ci-avant, la capacité de retrait intrinsèque pendant une étape de frittage est modifiée en faisant varier l'épaisseur de la couche brute de base 11. Cependant, la capacité de retrait intrinsèque peut également être modifiée en faisant varier d'autres caractéristiques de la couche brute de base 11dans certains cas.
Par exemple, le retrait intrinsèque de la couche brut de base 11 peut être influencé par sa composition. La capacité de retrait décrite ciavant peut être influencée par exemple par le type du matériau de céramique frittable basse température qui est contenu dans la couche brute de base 11, par le rapport de sa teneur sur celle du vecteur organique, par le diamètre de particule du matériau de céramique frittable basse température ainsi que par d'autres caractéristiques.
En outre, la capacité de retrait de la couche brute de base 11 peut être influencée dans certains cas par la distribution ou par la distribution de densité de câblage du corps en pâte conductrice formé sur la couche brute de base 11. Par exemple, lorsque le film en pâte conductrice qui est constitué par le corps en pâte conductrice est formé sur une zone plus large, la couche brute de base 11 est moins susceptible de subir un retrait.
Par conséquent, lorsque le substrat en céramique monolithique 1 est conçu, en plus de l'épaisseur de la couche brute de base 11, des caractéristiques telles que la composition afférente, la distribution et la distribution de densité de câblage du corps en pâte conductrice sont également prises en considération.
Selon les modes de réalisation préférés qui ont été décrits ci-
<Desc/Clms Page number 32>
avant, une couche brute de restriction qui présente une force de restriction relativement forte est agencée de manière à être en contact avec une couche brute de base qui présente une capacité de retrait intrinsèque relativement élevée pendant une étape de frittage et une couche brute de restriction qui présente une force de restriction relativement faible est agencée de manière à être en contact avec une couche brute de base qui présente une capacité de retrait intrinsèque relativement faible pendant une étape de frittage. Cependant, la disposition des couches brutes de restriction n'est pas spécifiquement limitée. Pour autant que les couches brutes de restriction sont agencées de manière à empêcher la survenue d'un gauchissement du substrat en céramique monolithique pris dans sa globalité, n'importe quelle disposition des couches de restriction peut être acceptée.
En outre, les modes de réalisation préférés de la présente invention peuvent être également appliqués à un substrat en céramique monolithique muni de cavités.
Des exemples qui ont été réalisés afin d'illustrer les avantages de modes de réalisation préférés de la présente invention seront décrits ci-après.
Selon le premier exemple, un corps d'empilement brut comme représenté sur la figure 6 est formé. Le corps d'empilement brut présente une structure qui est formée en empilant une pluralité de couches brutes de base B, D, F, H, J et L et une pluralité de couches brutes de restriction A, C, E, G, I, K et M, en alternance.
En tant qu'empilement brut comportant cette structure empilée, des empilements bruts d'échantillons 1 à 9 comme représenté au niveau des tableaux 1 et 2 sont formés.
<Desc/Clms Page number 33>
Tableau 1
Figure img00330001
<tb> Ech. <SEP> 1 <SEP> Ech. <SEP> 2 <SEP> Ech. <SEP> 3 <SEP> Ech. <SEP> 4 <SEP> Ech <SEP> 5
<tb> A <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> Aucune <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 4 <SEP> 4
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> B <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> C <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP> 4
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> D <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> E <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP> 4 <SEP>
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> F <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP>
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150
<tb> G <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> De <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> Aucune
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 6 <SEP> 6
<tb>
<Desc/Clms Page number 34>
Tableau 1 (suite)
Figure img00340001
<tb> Ech.1 <SEP> Ech.2 <SEP> Ech.3 <SEP> Ech.4 <SEP> Ech. <SEP> 5 <SEP>
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> H <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> De <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 150
<tb> I <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP>
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> J <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP>
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300
<tb> K <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 8 <SEP> 8 <SEP> 8
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> L <SEP> Ba-AI-Si-0 <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 300
<tb> M <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> Aucune <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 8 <SEP> 8 <SEP> 8 <SEP>
<tb> Gauchissement <SEP> ( m) <SEP> 1300 <SEP> 210 <SEP> 28 <SEP> 74 <SEP> 33
<tb>
<Desc/Clms Page number 35>
Tableau 2
Figure img00350001
<tb> Ech. <SEP> 6 <SEP> Ech. <SEP> 7 <SEP> Ech. <SEP> 8 <SEP> Ech. <SEP> 9 <SEP>
<tb> A <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Oxyde <SEP> de <SEP> titane <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 1,2 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> B <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Nd-Ti-Sr-0 <SEP> Nd-Ti-Sr-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> C <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Oxyde <SEP> de <SEP> titane <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 1,2 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> D <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Nd-Ti-Sr-O <SEP> Nd-Ti-Sr-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> E <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Oxyde <SEP> de <SEP> titane <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 1,2 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> F <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-0 <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Nitrure <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> G <SEP> d'aluminium
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 1 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 4
<tb>
<Desc/Clms Page number 36>
Tableau 2 (suite)
Figure img00360001
<tb> Ech <SEP> 6 <SEP> Ech. <SEP> 7 <SEP> Ech. <SEP> 8 <SEP> Ech <SEP> 9
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> H <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 150 <SEP> 150 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 1 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 4
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Base) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> K <SEP> Matériau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 4
<tb> Matériau <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de <SEP> à <SEP> base <SEP> de
<tb> L <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O <SEP> Ba-AI-Si-O
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2 <SEP> 2
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 300 <SEP> 300 <SEP> 50 <SEP> 50
<tb> M <SEP> Maténau <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine <SEP> Alumine
<tb> (Restriction) <SEP> Diam. <SEP> de <SEP> particule <SEP> ( m) <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5 <SEP> 0,5
<tb> Epaisseur <SEP> ( m) <SEP> 6 <SEP> 6 <SEP> 2 <SEP> 4
<tb> Gauchissement <SEP> ( m) <SEP> 55 <SEP> 60 <SEP> 1200 <SEP> 36
<tb>
<Desc/Clms Page number 37>
Au niveau des tableaux 1 et 2, pour les couches brutes de base individuelles B, D, F, H, J et L et pour les couches brutes de restriction individuelles A, C, E, G, I, K et M, les types des matériaux frittables basse température et des matériaux inorganiques qui sont contenus dans les couches mentionnées ci-avant, les diamètres des particules des matériaux frittables basse température et des matériaux inorganiques et les épaisseurs de ces couches sont respectivement présentés.
Dans les tableaux, "Aucune" au niveau des colonnes des échantillons 4 et 5 indiquent qu'une couche brute de restriction n'est pas présente.
En outre, en ce qui concerne les couches brutes de base B, D, F, H, J et L qui sont représentées par "à base de Ba-AI-Si-O", des feuilles brutes de base pour former les couches brutes de base sont formées de la manières telle que décrite ci-après.
C'est-à-dire qu'une boue est obtenue en mélangeant des quantités prédéterminées de butyral polyvinylique en tant qu'agent de liaison ou liant, de di-n-butyl téréphtalate en tant qu'agent de plastification ou plastifiant et de toluène et d'alcool isopropylique en tant que solvant avec une céramique pulvérulente (le diamètre de particule moyen est représenté au niveau des tableaux 1 et 2) incluant de préférence de l'oxyde de barium, de l'oxyde d'aluminium, de l'oxyde de silicium, de l'oxyde de calcium et de l'oxyde de bore. Puis la boue est déposée sur un film de support au moyen d'un procédé par lame et l'ensemble est ensuite séché et ainsi, les feuilles brutes de base présentant les épaisseurs comme représentées au niveau des tableaux 1 et 2 sont obtenues.
La couche en céramique de base utilisée en tant qu'isolant est formée en frittant la feuille brute de base qui présente une constante diélectrique faible (# = 6) et une valeur de résistance élevée (> 1014 Q.cm).
En outre, en ce qui concerne des couches brutes de base représentée par "à base de Nd-Ti-Sr-O", des feuilles brutes de base pour former les couches brutes de base sont formées de la manière
<Desc/Clms Page number 38>
telle que décrite ci-après. C'est-à-dire qu'une céramique pulvérulente (les diamètres de particule moyens sont représentés au niveau du tableau 2) incluant du titanate de strontium partiellement remplacé par du néodyme est traitée d'une manière similaire à celle décrite ci-avant, d'où l'obtention d'une boue. Puis d'une manière similaire à ce qui a été décrit ci-avant, des feuilles brutes de base présentant une épaisseur comme représenté au niveau du tableau 2 sont formées.
La couche en céramique de base utilisée en tant que matériau diélectrique est formée en frittant la feuille brute de base qui présente une constante diélectrique élevée (# = 50) et un coefficient de dépendance de capacité vis-à-vis de la température faible (Tcc = +/- 30).
En outre, afin de former les couches brutes de restriction A, C, E, G, I, K et M, de l'alumine pulvérulente, du nitrure d'aluminium pulvérulent et de l'oxyde de titane pulvérulent sont préparés, lesquels présentent respectivement les diamètres de particule tels que représentés au niveau des tableaux 1 et 2, et des boues de restriction essentiellement constituées à partir de ces corps sont ensuite formées.
Puis afin de former un empilement brut comme représenté sur la figure 6, une étape de dépôt des boues de restriction présentant les épaisseurs représentées au niveau des tableaux 1 et 2 sur les feuilles brutes de base individuelles décrites ci-avant et une étape consistant à empiler une pluralité de feuilles brutes de base sont réalisées.
Les empilements des échantillons 1 à 9 ainsi formés sont pressés à environ 80 C à approximativement 200 kg/cm2 puis sont ensuite soumis à cuisson à environ 900 C pendant une heure dans une atmosphère réductrice.
Les gauchissements des empilements frittés des échantillons 1 à 9 sont mesurés. Les résultats de mesure du gauchissement sont représentés au niveau des tableaux 1 et 2.
Ci-après, les échantillons 1 à 9 feront respectivement l'objet d'une discussion.
(1) Echantillon 1
En ce qui concerne l'échantillon 1, même si les épaisseurs des
<Desc/Clms Page number 39>
couches brute de base B à L diffèrent les unes des autres, les couches brutes de restriction A à M présentent les mêmes épaisseurs et contiennent les mêmes particules inorganiques présentant les mêmes diamètres de particule.
Conformément à l'échantillon 1, le retrait des couches brutes de base B à L selon les directions le long des surfaces principales afférentes est restreint. Cependant, puisque les couches brutes de base F et H sont plus épaisses que les couches brutes de base B et D et puisque les couches brutes de base J et L sont plus épaisses que les couches brutes de base F et H, des forces de retrait sont significativement plus fortes au niveau du côté des couches plus épaisses prises parmi les couches brutes de base B à L et il s'ensuit que les capacités de retrait diffèrent entre les couches de base B à L et ainsi, le gauchissement du corps d'empilement fritté est significatif.
(2) Echantillon 2
En ce qui concerne l'échantillon 2, les épaisseurs des couches de base B à L diffèrent les unes des autres comme dans le cas avec l'échantillon 1 et les couches brutes de restriction A à M présentent les mêmes épaisseurs et contiennent les mêmes particules inorganiques présentant les mêmes diamètres de particule. Cependant, les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M sont d'approximativement 8 m, ce qui est plus épais que dans le cas de l'échantillon 1.
Par conséquent, la force de restriction pour restreindre le retrait est augmentée et en tant que résultat, la différence en termes de capacité de retrait est diminuée entre les couches brutes de base B à L présentant des épaisseurs différentes et en outre, le gauchissement de l'empilement fritté peut être réduit de manière à être plus faible que celui de l'empilement fritté de l'échantillon 1. Cependant, le gauchissement ne peut pas être restreint de façon satisfaisante.
A cet égard, lorsque les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M sont augmentées, les couches de restriction frittées deviennent cassantes et le problème consistant en ce que la résistance mécanique de l'empilement obtenu est diminuée peut se
<Desc/Clms Page number 40>
poser.
(3) Echantillon 3
En ce qui concerne l'échantillon 3, comme dans le cas des échantillons 1 et 2, même si les épaisseurs des couches brutes de base B à L diffèrent les unes des autres, en fonction des épaisseurs des couches brutes de base B à L, les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M sont déterminées pour chacune au moyen de l'épaisseur d'une couche brute de base qui lui est adjacente.
C'est-à-dire que les couches brutes de restriction A, C et E présentent une épaisseur relativement faible d'environ 4 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base B et D qui présentent une épaisseur relativement faible d'environ 50 m, les couches brutes de restriction G et I présentent une épaisseur intermédiaire d'environ 6 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base F et H qui présentent une épaisseur intermédiaire d'environ 150 m, et les couches brutes de restriction K et M présentent une épaisseur relativement importante d'environ 8 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base J et L qui présentent une épaisseur relativement importante d'environ 300 m.
Par conséquent, les taux de retrait pendant le frittage des couches brutes de base B à L sont rendus approximativement équivalents les uns aux autres et il s'ensuit que le gauchissement de l'empilement fritté peut être réduit de manière significative.
(4) Echantillon 4
Un échantillon 4 est sensiblement équivalent à l'échantillon 3 à ceci près que les couches brutes A et M qui sont situées sur les deux extrémités de l'empilement brut suivant la direction d'empilement ne sont pas formées et par conséquent, les couches brutes de base B et L sont exposées.
Conformément à l'échantillon 4, les taux de retrait des couches brutes de base B et L sont particulièrement augmentés du fait de l'omission des couches brutes de restriction A et M. Cependant, puisque la même mesure que celle au niveau de l'échantillon 3 a été
<Desc/Clms Page number 41>
prise, le gauchissement de l'empilement fritté n'est pas augmenté de beaucoup.
(5) Echantillon 5
L'échantillon 5 est sensiblement équivalent à l'échantillon 3 à ceci près que la couche brute de restriction G qui est située au centre de l'empilement brut n'est pas formée.
Au niveau de l'échantillon 5, même si la couche brute de restriction centrale G est omise, les agencements des couches brutes de restriction A à E ainsi que I à M sont symétriques par rapport à la surface centrale de la totalité de l'empilement brut suivant la direction d'empilement et il s'ensuit que le gauchissement n'est pas augmenté de beaucoup.
(6) Echantillon 6
En ce qui concerne l'échantillon 6, les épaisseurs des couches brutes de base individuelles B à L sont sensiblement équivalentes à celles des échantillons 1 à 5 qui ont été décrits ci-avant et même si les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M sont les mêmes, les diamètres de particule de l'alumine pulvérulente contenue dedans diffèrent les uns des autres.
Lorsque le diamètre de particule de l'alumine pulvérulente est diminué, la force de restriction peut être augmentée. Par conséquent, en ce qui concerne l'échantillon 6, les couches brutes de restriction A, C et E contiennent de l'alumine pulvérulente présentant un diamètre de particule d'environ 1,2 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base B et D qui présentent une épaisseur relativement faible d'environ 50 m, les couches brutes de restriction G et 1 contiennent de l'alumine pulvérulente présentant un diamètre de particule d'environ 1 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base F et H qui présentent une épaisseur intermédiaire d'environ 150 m et les couches brutes de restriction K et M contiennent de l'alumine pulvérulente qui présente un diamètre de particule d'environ 0,5 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base J et L qui présentent une épaisseur relativement importante d'environ 300 m.
<Desc/Clms Page number 42>
Par conséquent, les taux de retrait des couches brutes de base B à L sont rendus approximativement équivalents les uns aux autres et il s'ensuit que le gauchissement de l'empilement fritté peut être contrôlé/commandé de manière à être relativement faible.
(7) Echantillon 7
En ce qui concerne l'échantillon 7, les épaisseurs des couches brutes de base individuelles B à L sont sensiblement équivalentes à celles des échantillons 1 à 6 qui ont été décrits ci-avant et même si les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M sont les mêmes et que les diamètres des particules inorganiques qui sont contenues dedans sont les mêmes, les types des particules inorganiques diffèrent les uns par rapport aux autres.
Par conséquent, de l'alumine pulvérulente en tant que particules inorganiques est contenue dans les couches brutes de restriction I, K et M qui nécessitent des forces de restriction plus fortes, du nitrure d'aluminium pulvérulent est contenu dans la couche brute de restriction G qui nécessite seulement une force de restriction intermédiaire et de l'oxyde de titane pulvérulent est contenu dans les couches brutes de restriction A, C et E qui présentent de préférence des forces de restriction plus faibles.
Comme il a été décrit ci-avant, en modifiant les types des particules inorganiques qui sont contenues dans les couches brutes de restriction A à M, le gauchissement de l'empilement obtenu peut être contrôlé/commandé de manière à être faible.
(8) Echantillon 8
L'échantillon 8 est un corps d'empilement qui inclut les couches brutes de base F, H, J et L qui contiennent une céramique pulvérulente à base de Ba-AI-Si-O et les couches brutes de base B et D qui contiennent une céramique pulvérulente à base de Nd-Ti-Sr-O, les épaisseurs afférentes étant les mêmes.
Lorsque les diamètres de particule de ces céramiques pulvérulentes sont les mêmes dans le cas de l'échantillon 8, les capacités de retrait pendant le frittage des couches brutes de base B et D qui contiennent une céramique pulvérulente à base de Nd-Ti-Sr-0
<Desc/Clms Page number 43>
sont inférieures à celles des couches brutes F, H, J et L qui contiennent une céramique pulvérulente à base de Ba-AI-Si-O.
Par conséquent, dans le cas de l'échantillon 8, lorsque des couches brutes de restriction A à M sont formées de manière à présenter les mêmes épaisseurs et de manière à contenir les mêmes particules inorganiques présentant le même diamètre de particule, puisque les capacités de retrait pendant le frittage des couches brutes de base B et D diffèrent de celles des couches brutes de base F à L, comme décrit ci-avant, le gauchissement significatif de l'empilement fritté est observé.
(9) Echantillon 9
L'échantillon 9 est sensiblement équivalent à l'empilement brut de l'échantillon 8 à ceci près que les épaisseurs des couches brutes de restriction A à M diffèrent les unes des autres.
C'est-à-dire que les couche brutes de restriction A, C et E présentent une épaisseur relativement faible d'environ 2 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base B et D qui contiennent une céramique à base de Nd-Ti-Sr-0 qui présente une capacité de retrait relativement faible, et les couches brutes de restriction G, I, K et M présentent une épaisseur relativement importante d'environ 4 m, lesquelles couches sont adjacentes aux couches brutes de base F, H, J et L qui contiennent une céramique à base de Ba-AI-Si-O qui présente une capacité de retrait relativement élevée.
Par conséquent, le gauchissement de l'empilement fritté peut être contrôlé/commandé de manière à être faible.
Comme il a été ainsi décrit, conformément au procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique de divers modes de réalisation préférés de la présente invention, même si les couches brutes de base qui constituent l'empilement brut présentent des capacités de retrait intrinsèque différentes pendant le frittage, puisque les couches brutes de restriction présentent des forces de restriction différentes qui sont appliquées sur les couches brutes de base de telle sorte que le gauchissement de l'empilement est
<Desc/Clms Page number 44>
restreint, lequel est généré par les capacités de retrait différentes décrites ci-avant, le gauchissement du substrat en céramique monolithique obtenu est empêché.
En tant que résultat, un substrat en céramique monolithique compact qui présente une densité de câblage plus élevée peut être fabriqué selon une fiabilité élevée.
En outre, conformément à des modes de réalisation préférés de la présente invention, puisque le gauchissement peut être restreint en faisant en sorte que les épaisseurs ou que les compositions des couches brutes de base qui constituent l'empilement brut diffèrent ou en modifiant la distribution ou la distribution de densité de câblage des conducteurs de câblage, comme décrit ci-avant, le degré de liberté pour la conception de l'épaisseur, de la composition de la couche en céramique de base et du conducteur de câblage dans des substrats en céramique monolithiques souhaités peut être augmenté et ainsi, divers substrats en céramique monolithiques peuvent être constitués sans problème.
En outre, selon le procédé permettant de fabriquer un substrat en céramique monolithique conformément à divers modes de réalisation préférés de la présente invention, la force de restriction de la couche brute de restriction peut être aisément contrôlée/commandée à l'aide d'au moins un facteur pris parmi l'épaisseur de couche brute de restriction, le diamètre de particule, le type, la forme, la distribution de particules, la teneur en particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction et la condition de surface afférente.
Selon le procédé permettant de concevoir un substrat en céramique monolithique conformément à divers modes de réalisation préférés de la présente invention, les taux de retrait des premières couches brutes de test pendant une étape de frittage sont préliminairement obtenus à partir des combinaisons individuelles d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant différentes capacités de retrait pendant le frittage et d'une pluralité de types de secondes couches brutes de test présentant différentes forces de restriction pendant le frittage, une pluralité de types de premières
<Desc/Clms Page number 45>
couches brutes de test sont sélectionnés de manière à présenter des caractéristiques équivalentes à celles d'une pluralité de couches brutes de base requises pour former un substrat en céramique monolithique souhaité, des combinaisons de premières couches brutes de test et de secondes couches brutes de test sont sélectionnées de manière à présenter des taux de retrait approximativement équivalents à ceux de la pluralité de types sélectionnés de premières couches brutes de test et des couches brutes de restriction sont ensuite déterminées de manière à présenter des caractéristiques qui sont équivalentes à celles des secondes couches brutes de test de combinaisons sélectionnées. Par conséquent, la conception de substrats en céramique monolithiques qui subissent difficilement un gauchissement peut être aisément réalisée et en outre, les modifications au niveau de la conception des substrats en céramique monolithiques peuvent être mises en #uvre rapidement.
Comme décrit ci-avant, lorsque le substrat en céramique monolithique conformément à des modes de réalisation préférés de la présente invention est monté sur une carte mère pour constituer un dispositif électronique, puisque le substrat en céramique monolithique est compact et qu'il présente une densité de câblage plus élevée et que son gauchissement est restreint, un dispositif électronique compact qui présente une multifonctionnalité améliorée peut être produit de manière avantageuse et en outre, la fiabilité des connexions entre le substrat en céramique monolithique et la carte mère du dispositif électronique ainsi que d'autres éléments peut être améliorée.
Bien que des modes de réalisation préférés de l'invention aient été décrits, divers modes de mise #uvre des principes décrits ici sont considérés comme s'inscrivant dans le cadre des revendications qui suivent. Par conséquent, il est bien entendu que le cadre de la présente invention n'a pas à être limité par autre chose que ce qui est mis en exergue dans les revendications.

Claims (20)

REVENDICATIONS
1. Substrat en céramique monolithique (1) caractérisé en ce qu'il comprend : une pluralité de couches en céramique de base (3) qui incluent une céramique frittable basse température ; une pluralité de couches de restriction (4) qui incluent des particules inorganiques qui ne sont pas frittées à une température de frittage du matériau de céramique frittable basse température et qui sont chacune disposées de manière à être en contact avec une surface principale d'une couche prédéterminée de la pluralité de couches en céramique de base, les particules inorganiques étant liées par diffusion d'une partie du matériau de céramique frittable basse température contenu dans la couche en céramique de base adjacente à la couche de restriction ; et des conducteurs de câblage (5) prévus pour les couches en céramique de base (3) ; dans lequel au moins deux couches de restriction choisies parmi la pluralité de couches de restriction présentent des forces de restriction différentes qui sont appliquées sur des couches brutes de base (11) pour former les couches en céramique de base afin de restreindre le retrait des couches brutes de base pendant le frittage.
2. Substrat en céramique monolithique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches de la pluralité de couches en céramique de base (3) incluent une première couche en céramique de base relativement épaisse (3c) et une seconde couche en céramique de base relativement mince (3a) et en ce que les couches de la pluralité de couches de restriction (4) incluent une première couche de restriction qui est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la première couche en céramique de base et une seconde couche de restriction qui est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la seconde couche de base, l'épaisseur de la première couche de restriction étant supérieure à
<Desc/Clms Page number 47>
celle de la second couche de restriction.
3. Substrat en céramique monolithique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches de la pluralité de couches en céramique de base (3) incluent une première couche en céramique de base relativement épaisse (3c) et une seconde couche en céramique de base relativement mince (3a) et en ce que les couches de la pluralité de couches de restriction (4) incluent une première couche de restriction qui est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la première couche en céramique de base et une seconde couche de restriction qui est agencée de manière à être en contact avec la surface principale de la seconde couche de base, le diamètre de particule des particules inorganiques qui sont contenues dans la première couche de restriction étant inférieur à celui des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche de restriction.
4. Substrat en céramique monolithique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches de la pluralité de couches en céramique de base (3) incluent des première et seconde couches en céramique de base qui présentent des épaisseurs différentes et les couches de la pluralité de couches de restriction (4) incluent des première et seconde couches de restriction qui sont disposées de manière à être en contact avec les surfaces principales de respectivement les première et seconde couches en céramique de base, les types des particules inorganiques qui sont contenues dans les première et seconde couches de restriction différant l'un de l'autre.
5. Substrat en céramique monolithique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les conducteurs de câblage (5) incluent un matériau conducteur qui est essentiellement constitué par au moins un métal choisi parmi le groupe comprenant Ag, Au, Cu, Ni, Ag-Pd et AgPt.
6. Substrat en céramique monolithique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les conducteurs de câblage (5) incluent un film conducteur (6,7) qui s'étend le long de la surface principale de la couche en céramique de base (3) et un conducteur de trou de via (8,
<Desc/Clms Page number 48>
9) qui s'étend de manière à pénétrer dans la couche en céramique de base.
7. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (1) caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de : formation d'un corps d'empilement brut (2) incluant une pluralité de couches brutes de base (11) qui contiennent des particules de céramique frittable basse température, une pluralité de couches brutes de restriction (12) qui contiennent des particules inorganiques qui ne sont pas frittées à une température de frittage des particules de céramique frittable basse température et qui sont chacune disposées de manière à être en contact avec la surface principale d'une couche prédéterminée de la pluralité de couches de base, et des conducteurs de câblage (13) prévus pour les couches brutes de base (11) ; et frittage du corps d'empilement brut (2) sous des conditions qui génèrent un frittage des particules de céramique frittable basse température, dans lequel au moins deux couches brutes de base choisies parmi la pluralité de couches brutes de base (11) constituant le corps d'empilement brut (2) présentent des capacités de retrait intrinsèque différentes pendant l'étape de frittage et au moins deux couches brutes de restriction choisies parmi la pluralité de couches brutes de restriction (12) constituant le corps d'empilement brut (2) présentent des forces de restriction différentes appliquées sur les couches brutes de base pour restreindre leurs retraits.
8. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la force de restriction de la couche brute de restriction (12) est contrôlée au moyen d'au moins l'un des facteurs qui suivent : l'épaisseur de la couche brute de restriction, le diamètre des particules, le type, la forme, la distribution des particules, la teneur en particules inorganiques qui sont contenues dans la couche brute de restriction et la condition de surface de la couche brute de restriction.
9. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape
<Desc/Clms Page number 49>
de formation inclut en outre une étape de préparation de feuilles brutes de base pour former les couches brutes de base (11) et une seconde étape de formation des couches brutes de restriction (12) sur les feuilles brutes de base.
10. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (9) selon la revendication 9, caractérisé en ce que la seconde étape de formation inclut en outre une étape de préparation d'une boue destinée à être utilisée pour former les couches brutes de restriction (12) et une étape de dépôt de la boue sur les feuilles brutes de base.
11. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que la seconde étape de formation inclut en outre une étape de préparation de feuilles brutes de restriction pour former les couches brutes de restriction (12) et une étape de recouvrement des feuilles brutes de base par les feuilles brutes de restriction.
12. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique monolithique (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de formation inclut en outre la préparation d'une boue de base destinée à être utilisée pour former les couches brutes de base (11), la préparation d'une boue de restriction destinée à être utilisée pour former les couches brutes de restriction (12), le dépôt de la boue de base afin de former les couches brutes de base et le dépôt de la boue de restriction sur les couches brutes de base afin de former les couches brutes de restriction.
13. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend : une première étape de frittage d'un composite qui est formé en empilant une première couche brute de test qui contient les particules de céramique frittable basse température et une seconde couche brute de test qui contient les particules inorganiques sous des conditions qui génèrent un frittage des particules de céramique frittable basse température afin de mesurer le taux de retrait de la première couche
<Desc/Clms Page number 50>
brute de test suivant la direction le long de sa surface principale, la première étape étant réalisée pour des combinaisons d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant des capacités de retrait pendant le frittage différentes les unes des autres et d'une pluralité de types de secondes couches brutes de test présentant des forces de restriction différentes pendant le frittage les unes des autres afin d'obtenir préliminairement les taux de retrait à partir des combinaisons individuelles ; une seconde étape de sélection d'une pluralité de types de premières couches brutes de test présentant des caractéristiques qui sont sensiblement équivalentes à celles de la pluralité de couches brutes de base qui sont requises pour former le substrat en céramique monolithique ; une troisième étape de sélection de certaines des combinaisons des premières couches brutes de test et des secondes couches brutes de test, présentant les taux de retrait approximativement équivalents à ceux de la pluralité de types sélectionnés de premières couches brutes de test ; et une quatrième étape de détermination des caractéristiques des couches brutes de restriction qui sont sensiblement équivalentes à celles des secondes couches brutes de test des combinaisons sélectionnées.
14. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la seconde étape, la première couche brute de test présente une épaisseur qui est sensiblement équivalente à celle de la couche brute de base.
15. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la seconde étape, la première couche brute de test présente une composition qui est sensiblement la même que celle de la couche brute de base.
16. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la
<Desc/Clms Page number 51>
revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la seconde étape, la première couche brute de test comporte un conducteur de câblage qui est sensiblement équivalent à celui qui est disposé sur la couche brute de base.
17. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la quatrième étape, la couche brute de restriction présente une épaisseur qui est sensiblement équivalente à celle de la seconde couche brute de test.
18. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la quatrième étape, la couche de restriction contient des particules inorganiques qui présentent un diamètre de particule qui est sensiblement équivalent à celui des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche brute de test.
19. Procédé de conception d'un substrat en céramique monolithique (1) destiné à être fabriqué au moyen du procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que, au niveau de la quatrième étape, la couche brute de restriction contient un type de particules inorganiques qui est sensiblement équivalent à celui des particules inorganiques qui sont contenues dans la seconde couche brute de test.
20. Dispositif électronique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat en céramique monolithique (1) selon la revendication 1 et une carte mère (10) comportant le substrat en céramique monolithique monté sur elle.
FR0104850A 2000-04-10 2001-04-10 Substrat en ceramique monolithique, son procede de conception et de fabrication et dispositif electronique l'utilisant Expired - Lifetime FR2807612B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000107797A JP3633435B2 (ja) 2000-04-10 2000-04-10 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2807612A1 true FR2807612A1 (fr) 2001-10-12
FR2807612B1 FR2807612B1 (fr) 2005-06-17

Family

ID=18620740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0104850A Expired - Lifetime FR2807612B1 (fr) 2000-04-10 2001-04-10 Substrat en ceramique monolithique, son procede de conception et de fabrication et dispositif electronique l'utilisant

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6468640B2 (fr)
JP (1) JP3633435B2 (fr)
KR (1) KR100383378B1 (fr)
DE (1) DE10117872A1 (fr)
FR (1) FR2807612B1 (fr)
GB (1) GB2367694B (fr)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656484B2 (ja) * 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
JP3633435B2 (ja) * 2000-04-10 2005-03-30 株式会社村田製作所 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置
JP2002084065A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子装置
JP2002368422A (ja) * 2001-04-04 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板及びその製造方法
JP2002368420A (ja) * 2001-06-05 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd ガラスセラミック多層基板の製造方法およびガラスセラミック多層基板
US6627020B2 (en) * 2001-08-31 2003-09-30 International Business Machines Corporation Method for sinter distortion control
DE10145363A1 (de) * 2001-09-14 2003-04-10 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats und keramisches Substrat
DE60220687T2 (de) * 2001-10-01 2007-12-27 Heraeus, Inc. Ungesintertes niedertemperaturglaskeramikband für elektronische mikrobauteile, verfahren zur herstellung und verwendung
JP2003212668A (ja) * 2002-01-28 2003-07-30 Sanyo Electric Co Ltd セラミック積層体およびその製造方法
US6711029B2 (en) * 2002-05-21 2004-03-23 Cts Corporation Low temperature co-fired ceramic with improved shrinkage control
US6776861B2 (en) * 2002-06-04 2004-08-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic
US6827800B2 (en) * 2003-01-30 2004-12-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers
JP4426805B2 (ja) * 2002-11-11 2010-03-03 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法
EP1435651B1 (fr) * 2003-01-02 2012-11-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Procédé de frittage par contrainte des couches diélectriques configurées assymétriques
JP4311090B2 (ja) * 2003-06-16 2009-08-12 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JP4696443B2 (ja) * 2003-09-19 2011-06-08 株式会社村田製作所 多層セラミック基板の製造方法
JP2005171178A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Tdk Corp 積層セラミック電子部品のスペーサ層用の誘電体ペースト
JP4412013B2 (ja) * 2004-03-16 2010-02-10 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の誘電体ペーストおよび積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
JP2005268692A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 多層基板の製造方法
US20070108419A1 (en) * 2004-11-24 2007-05-17 Tdk Corporation Conductive paste for an electrode layer of a multi-layered ceramic electronic component and a method for manufacturing a multi-layered unit for a multi-layered ceramic electronic component
WO2007004414A1 (fr) * 2005-07-01 2007-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Substrat céramique à couches multiples, procédé pour le fabriquer et feuille verte composite pour la fabrication dudit substrat
WO2007004415A1 (fr) * 2005-07-01 2007-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Substrat céramique à couches multiples, procédé pour le fabriquer et feuille verte composite pour la fabrication dudit substrat
US7429510B2 (en) * 2005-07-05 2008-09-30 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making a capacitive substrate using photoimageable dielectric for use as part of a larger circuitized substrate, method of making said circuitized substrate and method of making an information handling system including said circuitized substrate
CN101371352B (zh) * 2006-02-14 2010-11-10 株式会社村田制作所 多层陶瓷电子部件和多层陶瓷基片以及多层陶瓷电子部件的制造方法
JP4876997B2 (ja) * 2007-03-22 2012-02-15 パナソニック株式会社 セラミック多層基板の製造方法
TW200907347A (en) * 2007-08-07 2009-02-16 Chunghwa Prec Test Tech Co Ltd Structure of test carrier board with fine pitch and manufacturing method thereof
TW200920215A (en) * 2007-10-17 2009-05-01 Murata Manufacturing Co Multilayer ceramic substrate and process for producing the multilayer ceramic
KR100872263B1 (ko) * 2007-10-29 2008-12-05 삼성전기주식회사 구속용 그린시트 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판의 제조방법
KR100905855B1 (ko) * 2007-11-06 2009-07-02 삼성전기주식회사 구속용 그린시트 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판제조방법
DE112009000006T5 (de) * 2008-03-03 2010-01-21 Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaokakyo-shi Verfahren zum Herstellen eines Keramiksubstrats und Keramiksubstrat
KR20100004761A (ko) * 2008-07-04 2010-01-13 삼성전기주식회사 적층 세라믹 기판
KR101101489B1 (ko) * 2008-10-23 2012-01-03 삼성전기주식회사 세라믹 적층체 및 세라믹 소결체의 제조방법
US7998561B2 (en) 2008-10-23 2011-08-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Ceramic laminate and method of manufacturing ceramic sintered body
KR101079381B1 (ko) * 2009-09-11 2011-11-02 삼성전기주식회사 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판
JP5724806B2 (ja) * 2011-09-30 2015-05-27 株式会社村田製作所 セラミック多層基板及びその製造方法
JP6624282B2 (ja) 2016-04-28 2019-12-25 株式会社村田製作所 多層セラミック基板
DE102018131605A1 (de) * 2018-12-10 2020-06-10 Tdk Electronics Ag Substrat und Verfahren zur Herstellung des Substrats
DE102020105005A1 (de) * 2020-02-26 2021-08-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Substrat und halbleiterlaser

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474741A (en) * 1990-10-04 1995-12-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
US5888631A (en) * 1996-11-08 1999-03-30 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies
EP0954209A1 (fr) * 1998-04-28 1999-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Plaquette à circuit laminée et méthode de fabrication
JPH11354376A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Hitachi Metals Ltd セラミック積層体及びその製造方法
EP1061569A2 (fr) * 1999-06-16 2000-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Methode de fabrication des substrates ceramiques et substrates ceramiques non-frittées

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5051264A (fr) 1973-09-07 1975-05-08
SE448006B (sv) * 1981-09-21 1987-01-12 Mo Och Domsjoe Ab Forfarande for blekning av cellulosamassa innefattande ett aktiveringssteg med kveveoxider
JPH0551264A (ja) * 1991-08-23 1993-03-02 Taiyo Yuden Co Ltd 板状セラミツクの製造方法
EP0535711A3 (en) * 1991-10-04 1993-12-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for producing multilayered ceramic substrate
DE69328390T2 (de) * 1992-05-20 2000-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Substrats
JPH05335183A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Murata Mfg Co Ltd 多層基板を備えた電子部品及びその製造方法
JP2784527B2 (ja) * 1992-10-12 1998-08-06 株式会社住友金属エレクトロデバイス ガラスセラミックス基板の製造方法
JPH0786739A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
JP2973820B2 (ja) * 1994-06-10 1999-11-08 住友金属工業株式会社 セラミックス基板の製造方法
US5495394A (en) * 1994-12-19 1996-02-27 At&T Global Information Solutions Company Three dimensional die packaging in multi-chip modules
JP3780386B2 (ja) * 1996-03-28 2006-05-31 株式会社村田製作所 セラミック回路基板及びその製造方法
JPH10200261A (ja) * 1997-01-13 1998-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板の製造方法
US6228196B1 (en) * 1998-06-05 2001-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing a multi-layer ceramic substrate
JP3656484B2 (ja) * 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
JP3666321B2 (ja) * 1999-10-21 2005-06-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JP3554962B2 (ja) * 1999-10-28 2004-08-18 株式会社村田製作所 複合積層体およびその製造方法
JP3633435B2 (ja) * 2000-04-10 2005-03-30 株式会社村田製作所 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置
JP3669255B2 (ja) * 2000-09-19 2005-07-06 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法および未焼成セラミック積層体
JP2002368422A (ja) * 2001-04-04 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474741A (en) * 1990-10-04 1995-12-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
US5888631A (en) * 1996-11-08 1999-03-30 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies
EP0954209A1 (fr) * 1998-04-28 1999-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Plaquette à circuit laminée et méthode de fabrication
JPH11354376A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Hitachi Metals Ltd セラミック積層体及びその製造方法
EP1061569A2 (fr) * 1999-06-16 2000-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Methode de fabrication des substrates ceramiques et substrates ceramiques non-frittées

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 03 30 March 2000 (2000-03-30) *

Also Published As

Publication number Publication date
JP3633435B2 (ja) 2005-03-30
KR100383378B1 (ko) 2003-05-12
FR2807612B1 (fr) 2005-06-17
JP2001291955A (ja) 2001-10-19
US6468640B2 (en) 2002-10-22
US6582541B2 (en) 2003-06-24
US20020155264A1 (en) 2002-10-24
US20020058131A1 (en) 2002-05-16
GB0107625D0 (en) 2001-05-16
KR20010090785A (ko) 2001-10-19
GB2367694B (en) 2002-08-21
GB2367694A (en) 2002-04-10
DE10117872A1 (de) 2001-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2807612A1 (fr) Substrat en ceramique monolithique, son procede de conception et de fabrication et dispositif electronique l&#39;utilisant
US6938332B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrates
JP5077418B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
EP0145599B1 (fr) Substrat d&#39;interconnexion en alumine pour composant électronique, et procédé pour sa fabrication
US6623663B2 (en) Electroconductive paste and method for manufacturing a multilayer ceramic electronic part using the same
CN101371624A (zh) 导体浆料、多层陶瓷基板以及多层陶瓷基板的制造方法
CN1197102C (zh) 多层陶瓷电子部件及其制造方法
WO2016148217A1 (fr) Substrat de câblage
CN101998779A (zh) 层叠型陶瓷电子元器件及其制造方法
FR2805807A1 (fr) Composition en film epais isolante et dispositif electronique en ceramique et appareil electronique l&#39;utilisant
EP0905775A2 (fr) Pâte électriquement conductrice pour des vias et méthode de fabrication de substrats céramiques monolithiques l&#39;utilisant
US20040209055A1 (en) Multilayer ceramic composition
US6117367A (en) Pastes for improved substrate dimensional control
FR2807284A1 (fr) Substrat de cablage, son procede de fabrication et dispositif electronique qui l&#39;utilise
JP2005501795A (ja) セラミック基板の製造方法及びセラミック基板
KR100800509B1 (ko) 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판
JP4688460B2 (ja) コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板
CN112242255A (zh) 层叠型电子部件及层叠型电子部件的制造方法
JP4936743B2 (ja) 複数個取り配線基板用セラミック生成形体の製造方法、複数個取り配線基板の製造方法、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
US20130266782A1 (en) Metal base substrate
JP4683891B2 (ja) 導体形成用シートおよび導体の形成方法ならびに電子部品の製造方法
WO2013089128A1 (fr) Composition conductrice, substrat de céramique à couches multiples, et procédé de fabrication de ce substrat
JP4804110B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP3911424B2 (ja) セラミック配線基板の製造方法
JPH097422A (ja) 導電性ペーストならびに積層磁器コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 16

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 17

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 18

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 19

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 20