JP2005501795A - セラミック基板の製造方法及びセラミック基板 - Google Patents

Abstract

本発明は、次の工程：ａ） 層（３ａ）の１つは隣接する層（３）に対して高い割合の焼結助剤（５）を含有する、未焼結のセラミック材料と焼結助剤（５）とを含有する相互に積層される層（３）の積層体（２ａ）を備えた基体（２）を準備する工程、ｂ） 積層体（２ａ）を焼結する工程を有する、セラミック基板（１）を製造する方法に関する。更に、本発明はセラミック基板に関する。焼結助剤の割合が高いことにより、層（３ａ）とそれに隣接する層（３）との機械的結合を改善することができる。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、相互に積層された層の積層体を有する基体を準備する、セラミック基板の製造方法に関する。この積層体の層は未焼結のセラミック材料を含有する。その次の工程でこの積層体を焼結する。
【０００２】
冒頭に述べた種類の方法は、受動素子を組み込むことができるセラミック多層基板の製造のために使用される。基板の表面上に結合技術、例えばＳＭＤ、ワイヤーボンディング又はフリップ−チップ−マウンティングを用いて能動素子を取り付けることができる。それにより、セラミック基板から、特に所要面積を節約するのに適した多機能モジュールが得られる。
【０００３】
刊行物のUS 6,207, 905から、冒頭に記載した種類の方法は公知であり、その際、相互に積層される層はセラミック材料及びガラスを含有する。この場合、ガラス及びセラミック材料の重量割合はそれぞれ約５０％である。ガラスは、この場合焼結助剤として利用され、公知の方法で、焼結プロセスの進行において再結晶化するように準備される（反応焼結）。約５０％のガラス割合のために、公知の方法の場合には、多層構造体の個々の層の間に数マイクロメートルの厚さの反応層が生じる。焼結した積層体の表面上にデバイスを取り付ける場合に、剪断応力によって、最上の反応層に破断が生じる、これは積層体の最上の層の一部が剥がれることとなる。この問題は、積層体の最上の層が例えば有機材料で全面被覆されていてかつこの層に剪断応力が作用する場合に増大する。
【０００４】
従って、本発明の課題は、積層体の相互の層の機械的結合を改善することができるセラミック基板の製造方法を提供することであった。
【０００５】
前記の課題は、請求項１記載の方法により達成される。この方法の有利な実施態様及びセラミック基板は他の請求項に記載されている。
【０００６】
本発明は、第１の工程で相互に積層する層の積層体を備えた基体を提供する、セラミック基板の製造方法を提供する。相互に積層する層は未焼結のセラミック材料及び焼結助剤を含有する。
【０００７】
積層体の層の１つは、その隣接する層と比べて焼結助剤の割合が高い。
【０００８】
次の工程で積層体を焼結し、それによりモノリスの焼結体が生じ、この焼結体は製造すべきセラミック基板の少なくとも１種の主要な構成部材である。
【０００９】
本発明による方法は、層の１つの中の焼結助剤の割合が高いことによって、積層体の層の間での焼結助剤の交換が増大するという有利がある。この理由は、層の間の焼結助剤の濃度勾配である。積層体の層の間の焼結助剤の交換は拡散によって生じることができ、その際、この拡散は層の間の焼結助剤の濃度差によって引き起こされる。
【００１０】
積層体の層の間での焼結助剤の交換が増加することにより、焼結助剤の割合が高い層と、前記層に隣接する層との間の結合が改善されることになる。
【００１１】
本発明の有利な実施態様において、焼結後には、焼結前とは異なる化学組成で存在する焼結助剤を使用する。このような焼結助剤は、例えば反応焼結に適した焼結助剤である。このような焼結助剤の例は、ＳｉＯ_２及びカルシウムを含有するガラスである。このようなガラスは、９００℃の温度で、セラミック材料Ａｌ_２Ｏ_３と共に灰長石（ＣａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８）という名称の化合物を形成することができる。更に、焼結助剤が焼結温度よりも低い温度で既に流動性となることも反応焼結に特徴的である。それにより、焼結助剤は焼結の間に移行し、基体内へ分散することができる。特に、この焼結助剤は、焼結助剤の割合が高い層から、焼結助剤の割合が低い隣接する層へ移行することができる。
【００１２】
更に、焼結助剤の割合が高い層が積層体の最上の層である場合が有利である。この場合に、つまり積層体の最上の層とその下にある層との結合を改善することができ、それによりこの方法により製造されたセラミック基板の、例えば基板表面上にデバイスをハンダ付けする場合に生じるこのセラミック基板の表面の剪断応力に対する感度は低減される。
【００１３】
積層体の層中の焼結助剤もしくはセラミック材料は、焼結助剤の質量割合が高い層と焼結助剤の重量割合が低い隣接する層との間に焼結の間に反応層が生じるように選択することができる。このような反応層は、焼結助剤の割合の高い層からの焼結助剤と、前記層に隣接する層からのセラミック材料とを含有する。この反応層は、焼結助剤の割合が低い層内に生じる。
【００１４】
特に、この焼結助剤もしくは高い重量割合の焼結助剤は、５〜１００μｍの厚さを有する反応層が生じるように選択することができる。積層体の２つの層の間のこのような反応層は、セラミック基板の公知の製造方法の場合に生じる反応層の厚さよりも著しく厚い。本発明による方法で製造される反応層は、従って２つのセラミック層の著しく強い付着を生じさせる。
【００１５】
更に、本発明による方法の場合に、高いガラス成分の活性化のために改良した結合剤除去プロフィール及び焼結プロフィールを適用することが有利である。改良した焼結プロフィールの場合には、焼結助剤の軟化温度を上回る温度での付加的な保持時間を挿入し、より大量の焼結助剤を十分な時間で拡散させる。
【００１６】
焼結助剤の割合の高い層は、例えば６０〜９０質量％の焼結助剤の割合を含有することができる。
【００１７】
セラミック基板を製造する他の工程で、焼結に引き続き焼結助剤含有の金属ペーストを積層体の最上の層の表面上に塗布し、焼き付けることができる。金属ペーストの焼き付けは６００℃を上回る温度で行うことができる。最上のセラミック層で焼結助剤の割合が高いことにより、焼結の間にセラミック材料と焼結助剤との間に化合物が形成され、この化合物はセラミック割合とガラス割合とが重量においてほぼ同じである場合に生じる化合物とは異なる。この異なる化合物はガラス割合が高いことによりあまり脆くはない特性を有する。積層体の最上の層中のこのような化合物は、２つの成分割合がほぼ同じ重量比で形成される焼結助剤とセラミック材料とからなる化合物よりも、金属ペーストからこの最上の層内へ侵入するガラスによってあまり損傷されない。従って、セラミック基板の表面上で金属ペーストにより形成される接触面の場合について、本発明による方法は、この接触面がセラミック基板の最上の層上でより良好に付着し、デバイスのマウント時に簡単に剥がれることがないという利点を有する。
【００１８】
このような金属ペーストは、ガラスの他になお７０〜９０質量％の金属並びに適当な有機結合剤及び溶剤を含有することができる。
【００１９】
本発明の他の有利な実施態様の場合には、焼結の前に積層体の最上の層上に拘束層を設置し、この拘束層は積層体の最上の層の焼結助剤を焼結の間に拘束層内へ侵入させることにより積層体に固定される。焼結後にこの拘束層は再び除去される。この拘束層の除去は例えば掻き取り又はスパッタ除去（Absputtern）により行うことができる。
【００２０】
積層体の焼結の間に拘束層を設けることは、積層体を形成する層に対してラテラル方向への積層体の収縮を減少させることができるという利点を有する。この拘束層は、積層体がラテラル方向に極めてわずかにしか収縮しないようにする。
【００２１】
拘束層として、例えば焼結したＡｌ_２Ｏ_３−プレートの形態の剛性の拘束層、又はグリーンシートの形態のフレキシブルな拘束層が挙げられ、これらはそれ自体焼結助剤を含有せず、従って積層体の焼結の間でも一緒に焼結することはない。このようなフレキシブルな拘束層は例えば刊行物DE 691 06 830 T2から公知である。
【００２２】
積層体の最上の層中の焼結助剤の割合を高めることにより、焼結助剤は拘束層内へ＞５０μｍの深さにわたり侵入することを達成できる。焼結助剤の拘束層内への侵入深さは、従って５０μｍよりも大きくなる。フレキシブルな拘束層の場合の収縮抑制効果は、主に、未焼結の緻密な粉体材料が積層体の上側に載置されていることに起因する。拘束層内への焼結助剤の侵入深さに応じて、拘束層の少なくとも一部（約１００μｍの厚さ）が焼結助剤と接触せず、従って焼結しないように拘束層を厚くしなければならない。この拘束層の一部が焼結しないことによってだけ、焼結の間に積層体の収縮を抑制できる。
【００２３】
この拘束層は、フレキシブルな拘束層の場合には例えば＞１５０μｍの厚さを有することができる。
【００２４】
積層体の最上の層は、焼結の間に流動性になる焼結助剤を含有することができる。それにより、焼結の間に最上の層上での拘束層の固定を行うことができる。
【００２５】
本発明による有利な実施態様の場合には、この拘束層は孔を有し、この孔内へ焼結の間に焼結助剤が侵入する。焼結助剤が焼結の間に流動性になるために、拘束層の孔内へ侵入することができる。この拘束層の適当な孔は、５〜１０μｍの幅を有し、その際、この孔の適当な幅は焼結の間の焼結助剤の粘度にも依存する。本発明の有利な実施態様の場合には、焼結助剤として、ＳｉＯ_２及びカルシウムを含有するガラスを使用することができる。
【００２６】
焼結助剤と拘束層との間の化学反応は、例えば焼結（反応焼結）により行うことができる。特に、前記の引用文献から公知のフレキシブルな拘束層を使用することができる。このような拘束層は、セラミックグリーンシートの形で積層体の上側に載置され、その際このグリーンシートは焼結助剤を有していない。それにより、この拘束層は積層体の焼結の間に少なくとも部分的に一緒に焼結しないことが保証される。
【００２７】
フレキシブルな拘束層は例えば、Ａｌ_２Ｏ_３−粒体及びポリマー結合剤を含有するグリーンシートであることができる。
【００２８】
本発明による他の有利な実施態様の場合には、焼結助剤が焼結の間に拘束層の成分と化学的に反応しないように選択される。
【００２９】
このような化学反応のために例えば剛性の拘束層として、Ａｌ_２Ｏ_３を含有するセラミックプレートが使用される。積層体の最上の層中の焼結助剤として、ＳｉＯ_２及びカルシウムを含有するガラスを使用することができる。このようなガラスは、９００℃の温度で、拘束層のＡｌ_２Ｏ_３と共に灰長石（ＣａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８）という名称の化合物を形成することができる。それにより、積層体の最上の層と拘束層との間に反応層が生じ、この反応層は積層体の最上の層と拘束層との強固な結合を生じさせる。
【００３０】
特に、剛性の拘束層として、Ａｌ_２Ｏ_３を含有しかつ焼結助剤を含有していないセラミックプレートを使用することができる。このようなセラミックプレートは１５００℃の温度での焼結により製造することができる。この高い焼結温度は、この拘束層が＞１０００℃での積層体の焼結の間でももはや収縮しないことを保証する。
【００３１】
その他に、焼結助剤の拘束層の孔内への侵入及び焼結助剤と拘束層の成分との化学反応が、相応する材料選択により相互に組み合わせる場合が有利である。それにより、拘束層と積層体の最上の層との特に強固な結合が行われる。
【００３２】
本発明による有利な実施態様の場合には、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの厚さを有する剛性の拘束層を使用することができる。この場合に、特に大きな面積の積層体に対して十分な機械的安定性を有するために、この拘束層は所定の最少の厚さを有していなければならない。更に、この拘束層は厚すぎてはならない、そうでないとこの拘束層の除去に費用がかかりすぎてしまうためである。
【００３３】
この拘束層は、例えばＡｌ_２Ｏ_３からなる、相互に焼結されている粒体を含有することができる。
【００３４】
積層体の層は、セラミック固体成分として、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、ＣａＺｒＯ_３、ＢａＺｒＯ_３、ＢａＳｎＯ_３、金属炭化物、例えば炭化ケイ素、金属窒化物、例えば窒化アルミニウム、鉱物、例えばモライト（Molit）及びカヤナイト、二酸化ジルコニウム又は多様な種類の二酸化ケイ素を含有することができる。軟化点の高いガラス自体も、これが十分高い軟化点を有することを前提として、セラミック成分として使用することができる。更に、この種の材料の混合物を、積層体の層のセラミック固体成分のために使用することができる。
【００３５】
セラミック基板の本発明による製造方法の使用は、特に、プレートの形態を有する積層体の使用を可能にし、その際、このプレートは少なくとも１８ｃｍ×１８ｃｍの底面を有し、０．５〜３ｍｍの高さを有する。このようなプレートを用いて、唯一の製造工程で大面積の基板を製造することができるか、又はこの大面積の基板を次に分割することにより多数の小さな基板を製造することができる。
【００３６】
更に積層体の焼結を１０００℃よりも低い温度で実施する場合が特に有利である、それというのも、この場合にはＬＴＣＣ−焼結プロセスが問題となり、これは基板の内部での導体構造のための銀−化合物の使用が可能であり、これはデバイスの内部の損失を少なくする。更に、銀の使用は、より高い温度の場合に必要となる白金と比較してより軽量でかつ安価に供給できるという利点がある。
【００３７】
更に、積層体の上側に対して更に、積層体の下側にも、積層体の最下の層の表面上に拘束層を設置する場合が有利である。それにより、積層体の層の収縮は２つの面により抑制され、これは全体で更にわずかな収縮しか生じないことになる。
【００３８】
特に、積層体として２の層の間に導体路が配置されている積層体の使用が挙げられる。この導体路はセラミック基板の表面上に配置された能動素子とセラミック基板内に配置された受動素子との間の配線の製造のために使用することができる。積層体の２つの層の間の導体路もしくは導電性の面は、さらに受動素子、例えばキャパシタ又はコイルの実現のために使用することもできる。
【００３９】
層の間に配置された導体路を相互に接続するために、積層中の層はスルーホール部を有し、これは導電性でありかつ層の２つの異なる側に配置された導体路を相互に接続する場合が有利である。
【００４０】
更に、本発明は相互に積層される層からなる積層体を有するセラミック基板を提供する。積層体の相互に積層される層はセラミック材料を含有し、相互に一緒に焼結されている。これらの層は、更に焼結助剤の残りを含有し、この焼結助剤は反応焼結によって他の化合物へ変換されない。積層体の層の１つは、この層に隣接する層よりも焼結助剤の残りの割合が高い。このようなセラミック基板は、本発明による方法により製造することができる。焼結前に焼結助剤の割合が高いことにより、この層は焼結助剤の高い残留割合を有する。焼結助剤の変化しない残りの割合は、５〜３０質量％であることができる。
【００４１】
焼結助剤の変化しない残りの高い割合を有する層と、隣接する層との間に、特に反応層が配置されていることができ、この反応層は焼結助剤の変化しない残りの高い割合を有する層からの焼結助剤を含有する。その他に、この反応層は隣接する層のセラミック材料及び焼結助剤を含有する。この反応層は、約１０〜５０μｍの厚さを有することができる。従って、この反応層は、公知の方法により製造された反応層よりも著しく厚い。
【００４２】
次に、本発明を実施例及びそれに対応する図面を用いて詳細に説明する。
【００４３】
図１は、例えば、本発明による方法の製造の間のセラミック基板の断面図を示す。
【００４４】
図２は、例えば、本発明による方法により製造された、金属ペーストを表面に備えたセラミック基板を示す。
【００４５】
図３は、例えば、本発明による方法の製造の間のセラミック基板の断面図を示す。
【００４６】
図４は、例えば、本発明による方法により製造された、本発明によるＬＴＣＣ−基板の断面図を示す。
【００４７】
図１は、相互に積層される層３の積層体２ａを備えた基体２を示す。これらの層３は未焼結のセラミック材料を含有する。一般に、積層体２ａの層３はセラミック材料及び焼結助剤の他に、なお結合剤を含有し、この結合剤が通常のグリーンシートとして存在するこれらの層３に加工のために必要な展性を付与する。例えばポリマー結合剤であることができる結合剤は、結合剤燃焼によって積層体の焼結の前にこの積層体から除去される。積層体２ａの最上の層７は焼結助剤成分の高い層３ａである。層３ａからの焼結助剤は、矢印で示されているように、その下にある層３内へ拡散し、そこで反応層９を形成する。反応層９の厚さｄは、例えば１０〜５０μｍであることができる。反応層９の厚さｄは、層３ａ内の焼結助剤の過剰量によって調節することができる。反応層９が厚くなればそれだけ、積層体２ａの最上の層７とその下の層３との機械的結合がより良好になる。
【００４８】
図２は、相互に積層される層３を備えた積層体２ａを示し、その際、この積層体２ａの最上の層７は焼結助剤の高い割合を有する層である。層３ａ中の焼結助剤の重量割合は７０％であることが図１及び２にも通用する。更に、層３ａはセラミック材料としてＡｌ_２Ｏ_３を含有する。最上の層７の表面６上に、金属ペースト２０が塗布されていて、この金属ペースト２０を用いて積層体２ａの表面上の接触面が実現される。金属ペースト２０は金属粉末及びガラス成分を含有する。このガラス成分はこの場合に、積層体２ａの層３中に使用したのと同じ焼結助剤であることができ、特に焼結助剤の割合が高い層３ａ中に使用したのと同じ焼結助剤であることもできる。しかしながら、積層体２ａの個々の層３に対して又は焼結助剤の割合が高い層３ａに対しても、異なる焼結助剤、例えば異なる温度で溶融するガラスを使用することもできる。
【００４９】
金属ペースト２０は最上の層７の表面６上に焼き付けられる。焼き付けの間に、金属ペースト２０のガラス成分の一部（これは約２質量％である）は、積層体の最上の層７内へ拡散する（矢印参照）。焼結助剤として、図１及び２中ではそれぞれカルシウム成分を有するガラスが使用される。積層体２ａの層３ａの高いガラス成分に基づき、金属ペースト２０から最上の層７へ侵入するガラスは極めてわずかな影響を及ぼすだけであり、それにより焼結した層３ａの化学組成が極めてわずかに変化するだけである。それにより金属ペースト２０と積層体２ａの最上の層７との結合の強度が高められる。それにより、機械的強度は高められ、それによりデバイスのハンダ付けの間に積層体の上側での金属面の剥離の危険が低減される。
【００５０】
図３は、相互に積層される層３の積層体２ａを備えた基体２を示す。これらの層３は未焼結のセラミック材料を含有する。一般に、積層体２ａの層３はセラミック材料及び焼結助剤５の他に、なお結合剤を含有し、この結合剤が通常のグリーンシート（英語：Green Tapes）として存在するこれらの層３に加工のために必要な展性を付与する。積層体２ａの最下の層１４の表面１３は、第２の合成の拘束層１２上に直接載置されている。積層体２ａの最上の層７の表面６上に拘束層４が直接載置されている。積層体の最上の層７は焼結助剤成分の高い層３ａである。拘束層４，１２は、Ａｌ_２Ｏ_３からなる粒体８を含有し、かつ孔２１を有する。この孔２１は空間を形成し、この空間内へ、積層体２ａの最上の層７もしくは最下の層１４から由来する焼結助剤５が侵入することができる。孔２１内へ侵入する焼結助剤により、それぞれの拘束層４，１２と積層体２ａとの付着が媒介される。拘束層４，１２と積層体２ａとの結合は積層体２ａの結合剤除去の前又は後で行うこともできる。積層体２ａのラテラル方向への層３の延在方向には、焼結の間の収縮は有効に低減できる。ラテラル方向への積層体２ａの維持は、ほぼバーティカル方向だけへの、つまり層３の平面に対して垂直への収縮を引き起こす。このいわゆる「ｚ−方向への収縮」は、この場合に増強される。
【００５１】
焼結助剤５はこの場合に侵入深さｅにわたり拘束層４内へ侵入する。焼結助剤５が拘束層４の全体の厚さＤにわたり侵入するのではなく、その一部にわたり侵入するように考慮しなければならない。フレキシブルな拘束層の場合には例えばこのことは特に重要である。この場合に、侵入深さｅが５０μｍよりも本質的に大きくてもよい。相応して拘束層４の厚さＤは、拘束層４の孔２１内への焼結助剤５の侵入深さｅよりも大きくなければならない。
【００５２】
相応して最下の層４の下側表面１３上にもフレキシブルな拘束層１２を配置することができる。積層体２ａの最下の層１４も、焼結助剤５の割合が高い層であることができ、その際、拘束層１２の孔２１内への焼結助剤５の侵入は、他の前記の種類及び方法に従って考慮しなければならない。
【００５３】
図４は、本発明による方法を用いて製造し終えたセラミック基板１を示し、この場合、拘束層は既に除去されている。基板１は、未焼結のセラミック材料を含有する相互に積層される層３の積層体２ａから製造され、この場合に未焼結のセラミック材料は焼結により焼結したセラミック材料へ変換されている。セラミック基板１の最上の層３ａの上側にデバイス１８，１９が配置されていて、この場合に第１のデバイス１８はワイヤーボンディング及び引き続く密封により、第２のデバイス１９はフリップ−チップ−マウンティングにより、セラミック基板１の表面上に固定されている。この２つのデバイス１８，１９はセラミックマイクロ波フィルターであることができる。セラミック基板１の下側には、金属ペースト２０からなるメタライジング層が設けられていて、このメタライジング層に接するように基板１がプリント配線板上にハンダ付けされていて、従って電子工学デバイスと電気的に接触させることができる。基板１の上側にも金属ペースト２０からなるメタライジング層が設けられていて、このメタライジング層上にデバイス１８，１９を固定することができる。この基板１は１ｍｍの高さＨを有する。
【００５４】
層３の数は６である。
【００５５】
基板１の内部には配線平面が存在し、この配線平面は導体路１０により実現されている。この場合、配線平面は常に２つの層３の間の界面に存在する。この導体路１０は例えば銀含有のスクリーン印刷ペーストにより形成することができる。更に、層３はスルーホール部１１を有し、このスルーホール部１１は層３の２つの反対側にある導体路１０を相互に接続する。スルーホール部１１内には導電性材料が配置されていて、この材料が有利にスルーホール部１１を密充填している。
【００５６】
基板１の上側領域には２つの層３が高い誘電率εを有する層１５として構成されている。このような誘電率εは例えばε＝２０であることができる。配線平面中に相応して構成された導体路１０もしくは導電性の面２４によって、受動素子、例えばキャパシタ１７を基板１中に組み込むことができる。図４により、導電性の面２４は２つの層３の間の境界層に配置され、スルーホール部１１により相互に接続されていて、多層キャパシタから公知のような相互に入り込んだ櫛状構造を生じる。層３を積層する前に、層３の間の界面に抵抗ペースト２５を印刷することにより、組み込まれた抵抗を受動素子として基板１中に製造することもできる。スパイラル状の導体路の形に導体路１０を作成し、かつ相互に積層されたスパイラル状の導体路を相互に接続することにより、組み込まれたコイル１６を基板１中に作成することもできる。
【００５７】
本発明は有利に、ほぼ平面に沿って延在する層３からなる積層体２ａのために使用される。しかしながら、本発明は湾曲した基板に適用することも考慮でき、その際、層３は平面に沿って延在するのではなく、湾曲した局面に沿って延在する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明による方法の製造の間のセラミック基板の断面図
【図２】本発明による方法により製造された、金属ペーストを表面に備えたセラミック基板の断面図
【図３】本発明による方法の製造の間のセラミック基板の断面図
【図４】本発明による方法により製造された、本発明によるＬＴＣＣ−基板の断面図
【符号の説明】
【００５９】
２ 基体、 ２ａ 積層体、 ３ 層 、３ａ 焼結助剤成分の高い層、 ７ 最上の層、 ９ 反応層

Claims (23)

1. 次の工程：
   ａ） 層（３ａ）の１つは隣接する層（３）に対して高い割合の焼結助剤（５）を含有する、未焼結のセラミック材料と焼結助剤（５）とを含有する相互に積層される層（３）の積層体（２ａ）を備えた基体（２）を準備する工程、
   ｂ） 積層体（２ａ）を焼結する工程
   を有する、セラミック基板（１）を製造する方法。
2. 焼結助剤（５）は焼結後に、焼結前とは異なる化学組成で存在する、請求項１記載の方法。
3. 積層体（２ａ）の最上の層（７）が隣接する層（３）に対して高い割合の焼結助剤（５）を含有する、請求項１又は２記載の方法。
4. 高い割合の焼結助剤（５）を有する層（３ａ）と隣接する層（３）との間に焼結の間に反応層（９）が生じる、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
5. 反応層（９）の厚さｄが５〜１００μｍである、請求項４記載の方法。
6. 高いガラス成分の活性化のために結合剤除去プロフィール及び焼結プロフィールを使用し、このプロフィールはガラス成分の軟化温度より高い温度で保持時間を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
7. 高い割合の焼結助剤（５）を有する層（３ａ）中の焼結助剤の割合は、６０〜９０質量％である、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
8. 焼結に引き続き焼結助剤含有の金属ペースト（２０）を積層体（２ａ）の最上の層（７）の上面（６）に塗布し、焼き付ける、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
9. 焼結の前に拘束層（４）を積層体（２ａ）の最上の層（７）上に配置し、最上の層（７）の焼結助剤が焼結の間に拘束層（４）内へ侵入することによりこの拘束層を積層体（２ａ）上に固定し、この拘束層を焼結の後に再び除去する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
10. 焼結助剤（５）の拘束層（４）内への侵入深さ（ｅ）は＞５０μｍである、請求項９記載の方法。
11. 拘束層（４）は侵入深さ（ｅ）よりも少なくとも１００μｍ大きい厚さ（Ｄ）を有する、請求項９又は１０記載の方法。
12. 焼結助剤（５）がガラスを含有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
13. 積層体（２ａ）の形成のために、セラミック材料としてＡｌ_２Ｏ_３及び焼結助剤（５）としてガラスを含有する層（３，３ａ）を使用する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
14. プレートの形を有する積層体（２ａ）を使用し、その際、このプレートは少なくとも１８ｃｍ×１８ｃｍの底面及び０．５〜３ｍｍの高さ（Ｈ）を有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
15. ２つの層（３）の間に導体路（１０）が配置されている積層体（２ａ）を使用する、請求項９から１４までのいずれか１項記載の方法。
16. 第２の拘束層（１２）が積層体（２ａ）の最下の層（１４）の上面（１３）上に配置されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
17. セラミック材料と、変化しない残りの焼結助剤（５）とを含有し、かつ相互に焼結している層（３，３ａ）の積層体（２ａ）からなり、層（３ａ）は隣接する層（３）よりも高い割合の変化しない焼結助剤（５）を含有する、セラミック基板。
18. 高い割合の変化しない焼結助剤（５）は５〜３０質量％である、請求項１７記載のセラミック基板。
19. 積層体（２ａ）の最上の層（７）が隣接する層（３）よりも高い割合の変化しない焼結助剤（５）を含有する、請求項１７又は１８記載のセラミック基板。
20. 高い割合の変化しない焼結助剤（５）を有する層（３ａ）と、この層（３ａ）に隣接する層（３）との間に反応層（９）が配置されていて、この反応層（９）は層（３ａ）からの焼結助剤（５）と、それに隣接する層（３）からのセラミック材料とを含有し、１０〜５０μｍの厚さ（ｄ）を有する、請求項１７から２０までのいずれか１項記載のセラミック基板。
21. 積層体（２ａ）の最上の層（７）上に金属ペースト（２０）が焼き付けられている、請求項１９又は２０記載のセラミック基板。
22. 積層体（２ａ）の層（３）の間に導体路（１０）が配置されている、請求項１７から２１までのいずれか１項記載のセラミック基板。
23. 層（３）は導電性のスルーホール部（１１）を有し、このスルーホール部（１１）は層（３）の異なる側に配置された２つの導体路を相互に接続する、請求項２２記載のセラミック基板。